TWI620104B - Wiring body, wiring board, touch detector, and wiring body manufacturing method - Google Patents

Wiring body, wiring board, touch detector, and wiring body manufacturing method Download PDF

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TWI620104B
TWI620104B TW105103232A TW105103232A TWI620104B TW I620104 B TWI620104 B TW I620104B TW 105103232 A TW105103232 A TW 105103232A TW 105103232 A TW105103232 A TW 105103232A TW I620104 B TWI620104 B TW I620104B
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Fujikura Ltd
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Abstract

配線體(3)，包括第1導體層(32)，具有第1導體線(322)；樹脂層(33)，覆蓋第1導體層；以及第2導體層(34)，以樹脂層介於其間，設置在第1導體層上，具有第2導體線(342)；滿足下列(1)式：｜H1-H2｜<T1/3...(1)
其中，上述(1)式中，H1係沿著第2導體線橫切配線體的第1既定剖面中，對應第1導體線之第1區域(E1)中的第2導體線的最大高度；H2係第1既定剖面中，鄰接第1區域，具有與第1區域相等寬度之第2區域(E2)中的第2導體線的最小高度，T1係第1既定剖面中的第1導體線的厚度。

Description

配線體、配線基板、碰觸偵知器以及配線體之製造方法
本發明係關於配線體、配線基板、碰觸偵知器以及配線體之製造方法。
模具的凹部中形成金屬微粒子層之後，上述模具的凹凸圖案面裝載在基板上的光硬化樹脂層的表面上，按壓密合，由於上述光硬化性樹脂的硬化，上述金屬粒子層接合至上述光硬化樹脂層而構成的金屬細線係眾所周知的(例如參照專利文件1)。
[先行技術文件]
[專利文件]
[專利文件1]日本專利第2012-168301號公開公報
可多點觸控的靜電容量方式的碰觸偵知器等，必須二層化電極。這點，在要使用上述技術中的金屬細線作為上述電極的情況下，金屬細線的上方更疊層光硬化性樹脂，要製作二層化金屬線時，由於第1層的金屬細線，因為光硬化性樹脂的表面容易變得凹凸狀，難以形成第二層的金屬細線。於是，第2層的 金屬細線中產生形成不良時，上述金屬細線中變得容易產生由外力等引起的負載，具有電極的耐久性可能會惡化的問題。
本發明所欲解決的課題，係提供可以提高耐久性的配線體、配線基板、碰觸偵知器以及配線體之製造方法。
[1]根據本發明的配線體，包括第1導體層，具有第1導體線；樹脂層，覆蓋上述第1導體層；以及第2導體層，以上述樹脂層介於其間，設置在上述第1導體層上，具有第2導體線；滿足下列(1)式。
｜H1-H2｜<T1/3...(1)
其中，上述(1)式中，H1係沿著上述第2導體線橫切上述配線體的第1既定剖面中，對應上述第1導體線之第1區域中的上述第2導體線的最大高度；H2係上述第1既定剖面中，鄰接上述第1區域，具有與上述第1區域相等寬度之第2區域中的上述第2導體線的最小高度，T1係上述第1既定剖面中的上述第1導體線的厚度。
[2]上述技術中，更滿足下列(2)式也可以。
｜H3-H4｜<T2/3...(2)
其中，上述(2)式中，H3係橫切從上述第2導體層露出的上述樹脂層之上述配線體的第2既定剖面中，對應上述第1導體線之第3區域中的上述樹脂層的最大高度，H4係上述第2既定剖面中，鄰接上述第3區域，具有與上述第3區域相等寬度之第4區域中的上述樹脂層的最小高度，T2係上述第2既定剖面中的上述第1導體線的厚度。
[3]上述技術中，上述第1導體層與上述第2導體層之間的距離，係上述第1導體層的厚度1倍以上、20倍以下也可以。
[4]上述技術中，上述第1導體線具有往上述第2導體層側寬度變窄的錐形也可以。
[5]上述技術中，上述第2導體線具有往遠離上述第1導體層側寬度變窄的錐形也可以。
[6]上述技術中，上述第1導體線中，與對向上述第2導線的第1對向面相反側的面的表面粗糙度，比上述第1對向面的表面粗糙度粗糙也可以。
[7]上述技術中，上述第2導體線中，對向上述第1導體線的第2對向面的表面粗糙度，相較於與上述第2對向面相反側的面的表面粗糙度，更粗糙也可以。
[8]上述技術中，上述樹脂層具有往上述第2導體層突出的凸部，上述第2導體線設置在上述凸部上。
[9]根據本發明的配線基板，包括上述配線體、及支持上述配線體的支持體。
[10]根據本發明的碰觸偵知器，包括上述配線基板。
[11]根據本發明的配線體的製造方法，包括下列步驟：第1步驟，第1凹版的凹部內填充第1導電性材料，加熱上述第1導電性材料或照射能量線；第2步驟，上述第1導電性材料上配置第1樹脂；第3步驟，製作使上述第1樹脂及上述第1導電性材料從上述第1凹版脫模之中間體；第4步驟，第2凹版的凹部內填充第2導電性材料，加熱上述第1導電性 材料或照射能量線；第5步驟，上述中間體中設置上述第1樹脂的面上塗佈第2樹脂；第6步驟，上述第2樹脂接觸上述第2導電性材料，配置上述第2樹脂及上述中間體在上述第2導電性材料上；以及第7步驟，上述中間體、上述第2樹脂以及上述第2導電性材料從上述第2凹版脫模；上述第1導電性材料包含第1線狀部分，上述第2導電性材料包含第2線狀部分，上述第2線狀部分的最大高度、上述第2線狀部分的最小高度、及上述第1線狀部分的厚度之間的關係滿足下列(3)式。
｜H5-H6｜<T3/3...(3)
其中，上述(3)式中，H5係沿著第2線狀部分橫切上述配線體的第3既定剖面中，對應上述第1線狀部分之第5區域中的上述第2線狀部分的最大高度；H6係上述第3既定剖面中，鄰接上述第5區域，具有與上述第5區域相等寬度之第6區域中的上述第2線狀部分的最小高度，T3係上述第3既定剖面中的上述第1線狀部分的厚度。
根據本發明，配線體滿足上述(1)式。因此，即使對上述配線體施加外力等的情況下，因為也可以抑制對第2導體線應力集中，可以提高配線體的耐久性。
1‧‧‧配線基板
2‧‧‧基板
21‧‧‧主面
3‧‧‧配線體
31‧‧‧接合層(第1樹脂)
311‧‧‧支持部
312‧‧‧平狀部
32‧‧‧第1接合層
320、320B‧‧‧第1電極圖案
320a‧‧‧邊部
321、322‧‧‧第1導體線
322B‧‧‧第1導體線
323、323B‧‧‧側部
3231‧‧‧第1部分
3232‧‧‧第2部分
3233‧‧‧平坦部
324‧‧‧引線配線
325‧‧‧上面(第1對向面)
325B‧‧‧上面
3251‧‧‧平坦部
326、326B‧‧‧下面
33‧‧‧樹脂層(第2樹脂)
331‧‧‧主部
332‧‧‧凸部
34‧‧‧第2導體層
340、340B‧‧‧第2電極圖案
340a‧‧‧邊部
341、342‧‧‧第2導體線
343‧‧‧側部
3431‧‧‧第1部分
3432‧‧‧第2部分
3433、3451‧‧‧平坦部
344‧‧‧引線配線
345‧‧‧上面
346‧‧‧下面(第2對向面)
4‧‧‧第1凹版
41、46‧‧‧凹部
411、461‧‧‧脫模層
45‧‧‧第2凹版
5、55‧‧‧導電性材料
51‧‧‧凹凸形狀
52‧‧‧第1線狀部分
6‧‧‧接合材料
7‧‧‧中間體
71‧‧‧樹脂材料
81、83‧‧‧矩形部
82、84‧‧‧連結部
[第1圖]係顯示本發明實施例中的配線基板之立體圖；[第2圖]係顯示本發明實施例中的第1導體層之平面圖；[第3圖]係顯示本發明實施例中的第2導體層之平面圖； [第4圖]係沿著第3圖的IV-IV線之剖面圖；[第5圖]係沿著第3圖的V-V線之剖面圖；[第6圖]係沿著第3圖的VI-VI線之剖面圖；[第7圖]係用以說明本發明實施例中的第1導體線之剖面圖；[第8(A)~8(J)圖]係用以說明本發明中的配線基板的製造方法之剖面圖；[第9圖]係用以說明本發明中的配線基板的製造方法之剖面圖，顯示對第2凹版壓下中間體的狀態圖；以及[第10圖]係顯示本發明實施例中的第1及第2導體層的變形例之平面圖。
以下，根據圖面，說明本發明的實施例。
第1圖係顯示本實施例中的配線基板之立體圖，第2圖係顯示本實施例中的第1導體層之平面圖，第3圖係顯示本實施例中的第2導體層之平面圖；第4圖係沿著第3圖的IV-IV線之剖面圖，第5圖係沿著第3圖的V-V線之剖面圖，第6圖係沿著第3圖的VI-VI線之剖面圖，第7圖係用以說明本實施例中的第1導體線之剖面圖。
本實施例中的配線基板1，係用作靜電容量方式等的碰觸面板等的碰觸偵知器中的電極基材等，如第1~3圖所示，包括，基板2、及配置在上述基板2上的配線體3。配線體3，包括接合層31、第1導體層32、樹脂層33、第2導體層34。又，配線基板1的用途不特別限定於上述，例如，與顯示裝置(不圖示)等組合，用作具有檢出碰觸位置的功能之輸入裝置。作為 顯示裝置，不特別限定，可以使用液晶顯示器、有機EL(電激發光)顯示器、電子紙等。
基板2，如第1圖所示，具有矩形，係可透過可見光的同時支持第1配線體3的透明基板。作為構成如此的基板2的材料，可以例示甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醯亞胺樹脂(PI)、聚醚酰亞胺(PEI)、聚碳酸酯(PC)、聚二醚酮(PEEK)、液晶聚合物(LCP)、環烯烴聚合物(COP)、矽氧樹脂(SI)、丙烯樹脂(acrylic resin)、酚樹脂(Phenol resin)、環氧樹脂(epoxy resin)、綠片(greensheet)、玻璃等的。此基板2中，形成易接合層或光學調整層也可以。基板2的形狀不特別限定。又，對基板2不要求透明性時，作為構成基板2的材料，使用不透明基材也可以。本實施例中的基板2相當於本發明的支持體的一範例。
作為第1樹脂層的接合層31，可透過可見光的同時係用以互相接合固定基板2與第1導體層32的層，如第4或5圖所示，設置於基板2中的主面21上全體。作為構成接合層31的接合材料，可以例示環氧樹脂、丙烯樹脂、聚酯樹脂(polyester resin)、聚氨甲酸酯樹脂(urethane resin)、乙烯基樹脂(vinyl resin)、矽氧樹脂、酚樹脂、聚醯亞胺樹脂等的UV硬化性樹脂、熱硬化性樹脂或熱可塑性樹脂等。此接合層31，如第4圖所示，具有支持部311，支持第1導體線322(後述)；以及平狀部312，設置在上述支持部311與基板2的主面21之間，覆蓋上述主面21；這些支持部311及平狀部312一體形成。又，對接合層31不要求透明性時，作為構成接合層31的材料，使用不透明樹脂也可以。
本實施例中的支持部311的剖面形狀(對於第1導體線322(後述)的延伸方向的剖面形狀)，如第4圖所示，成為往遠離基板2的方向(第2圖中+Z方向)寬度變窄的形狀。又，支持部311與第1導體線322間的邊界，成為對應上述第1導體線322的下面326的凹凸形狀之凹凸形狀。如此的凹凸形狀，係根據第1導體線322的下面326的表面粗糙度形成。又，如第6圖所示，沿著第1導體線322的延伸方向的剖面中支持部311與上述第1導體線322間的邊界，也成為對應上述第1導體線322的下面326的凹凸形狀之凹凸形狀。關於下面326的表面粗糙度，之後詳細說明。第4及6圖中，為了容易了解說明本實施例中的配線體3，誇張顯示支持部311與第1導體線322間的邊界的凹凸形狀。未特別圖示，支持部與後述的第1導體線321間的邊界，也和支持部與第1導體線322間的邊界相同，成為對應上述第1導體線321的下面的凹凸形狀之凹凸形狀。
平狀部312，如第4圖所示，以大致均等的高度(厚度)設置在基板2的主面21全體上。此平狀部312的厚度，不特別限定，可以設定在5μm(微米)~100μm的範圍內。藉由設置支持部311在平狀部312上，支持部311中接合層31突出，上述支持部311中第1導體線322的剛性提高。
從接合層31省略平狀部312，只以支持部311構成接合層31也可以。在此情況下，因為配線基板1全體的透光性提高，可以提高組裝上述配線基板1的碰觸面板等之中的視認性。本實施例中的接合層31相當於本發明的第1樹脂的一範例。
第1導體層32，例如，作用為碰觸偵知器中的電 極、與上述電極電性連接的引線配線的層。如此的第1導體層32，以導電性粒子或金屬鹽與黏合樹脂構成。作為導電性粒子，可以舉出銀或銅、鎳、錫、鉍、鋅、銦、鈀等的金屬材料、或石墨、碳黑(爐黑、乙炔黑、超導電碳黑)、碳奈米管、碳奈米纖維等的碳基材料。作為金屬鹽，可以舉出上述金屬的鹽。
作為此第1導體層32內包含的導電性粒子，根據形成的導體圖案(第1導體線321、322或引線配線324(後述))的寬度，例如可以使用具有0.5μm(微米)~2μm的直徑Φ(0.5μm≦Φ≦2μm)之導電性粒子。又，根據使第1導體層32中的電阻值穩定的觀點來看，理想是使用具有形成的導體圖型的寬度一半以下的平均直徑Φ之導電性粒子。又，使用碳基材料作為導電性粒子時，理想是使用根據BET法測量的比表面積20m2/g(米平方/克)以上的粒子。
作為第1導體層32，要求一定以下的較小電阻值時，理想是使用金屬材料作為導電性粒子。另一方面，作為第1導體層32，要求一定以上的較大電阻值時，作為導電性粒子理想是使用碳基材料。又，根據改善網目膜的霧度或全反射率的觀點來看，使用碳基材料作為導電性粒子是理想的。
作為黏合樹脂，可以例示丙烯樹脂、聚酯樹脂、環氧樹脂、乙烯基樹脂、聚氨甲酸酯樹脂、酚樹脂、聚醯亞胺樹脂等。
如此的第1導體層32，係塗佈導電性膏材再硬化而形成。作為如此的導電性膏材的具體例，可以例示上述導電性粒子或金屬鹽混合黏合樹脂、水或溶劑及各種添加劑而構成的導電性膏材。作為導電性膏材內包含的溶劑，可以例示α- 松油醇(terpineol)、二甘醇丁醚醋酸酯(Butyl carbitol acetate)、二甘醇一丁醚(butylcarbitol)、1-癸醇(1-Decanol)、丁氧基乙醇(butyl cellosolve)、二乙二醇單乙醚醋酸酯(Diethylene Glycol Monoethyl Ether Acetate)、十四烷(tetradecane)等。又，從構成第1導體層32的材料省略黏合樹脂也可以。
本實施例中的第1導體層32，如第2圖所示，具有沿著第2圖中的Y軸方向延伸的第1電極圖案320、以及連接至上述第1電極圖案320的引線配線324。本實施例中，沿著第2圖中的X軸方向3個第1電極圖案320以大致等間隔配置。又，第1導體層32內包含的第1電極圖案320的數量及配置，不特別限定於上述。
第1電極圖案320，具有第1導體線321、322。第1導體線321，如第2圖所示，直線狀延伸的同時，第1導體線322也直線狀延伸。又，複數的第1導體線321分別大致等間隔平行排列配置的同時，複數第1導體線322也分別大致等間隔平行排列配置。本實施例中，第1導體線321與第1導體線322互相垂直，因此第1電極圖案320成為具有矩形的格子形狀的網目狀。
本實施例中第1導體線321、322，對第1電極圖案320的延伸方向(第2圖中的Y軸方向)分別45度傾斜配置，但這些以其他的角度(例如30度)分別傾斜配置也可以。又，第1導體線321、322中的一方對第1電極圖案320的延伸方向(第2圖中的Y軸方向)90度傾斜配置也可以。
又，第1導體線321、322以曲線狀延伸也可以，混合直線狀的部分與曲線狀的部分也可以。又本實施例中，第 1導體線321、322具有互相大致相等的線寬，但第1導體線321、322具有互不相同的線寬也可以。
作為如此的第1導體線321、322的寬度，理想是50nm(毫微米)~1000μm(微米)，更理想是500nm~150μm，又更理想是1μm~10μm，又再更理想是1μm~5μm。
本實施例中，第1電極圖案320中與引線配線324連接的邊部320a，比第1導體線321、322寬。不特別圖示，但第1電極圖案320也可以具有圍繞第1導體線321、322形成的網目形狀的至少一部分的框部。又，本實施例中的第1導體線321、322、邊部320a及引線配線324一體形成。
如第4圖所示，第1導體線322的側部323與接合層31中的支持部311的側部，平滑連續形成1個平面。第1導體線322具有往第2導體層34側寬度變窄的錐形，因此第1導體線322的剖面形狀(對於第1導體線322的延伸方向之剖面形狀)成為大致梯形。又，第1導體線322的剖面形狀，不特別限定於此。例如，第1導體線322的剖面形狀是正方形、長方形、三角形等也可以。又，本實施例中，第1導體線321也成為與第1導體線322同樣的剖面形狀。
本實施例中的第1導體線322中的第4圖中的上面325(第1對向面)，成為平坦狀的面(平滑面)。因此，可以抑制從外部入射的光亂反射。此上面325，在第1導體線322中位於與下面326相反側。上面325，對基板2的主面21(接合層31的平狀部312的上面)實質上平行。
上面325，在第1導體線322的橫向方向的剖面 中，包含平坦部3251。此平坦部3251，在第1導體線322的橫向方向的剖面中，係存在於上面325的直線狀的部分(即，曲率半徑極大的部分)，平面度為0.5μm以下。平面度，可以根據JIS法(JIS B0621(1984))測量。
本實施例中，平坦部3251的平面度使用利用雷射光的非接觸式的測量方法求出。具體而言，對測量對象(具體而言，上面325)照射帶狀的電射光，使其反射光在攝影元件(例如，2次CMOS)上成像測量平面度。作為平面度的算出方法，使用的方法係在對象的平面中，分別設定通過儘量遠離的3點之平面，算出那些偏差的最大值作為平面度(最大接觸式平面度)。又，平面度的測量方法或算出方法，不特別限定於上述。例如，平面度的測量方法，可以是使用度盤規(dial gauge)等的接觸式的測量方法。又，平面度的算出方法，也可以是算出成為對象的平面以平行的平面夾住時形成的間隙值作為平面度的方法(最大傾斜式平面度)。
本實施例的平坦部3251，在上面325的大致全體上形成。又，不特別限定於上述，平坦部3251在上面325的一部分中形成也可以。此時，例如平坦部在不包含上面的兩端的區域中形成也可以。平坦部在上面的一部分中形成時，上述平坦部的寬度，相對於上述的寬度至少是1/2以上。
側部323位於上面325和下面326之間。此側部323，以第1部分3231與上面325相連，以第2部分3232與下面326相連。本實施例的第1導體線322，因為具有往第2導體層34側寬度變窄的錐形，第2部分3232比第1部分3231 位於更外側。本實施例的側部323，在第1導體線322的橫向方向的剖面中，成為通過此第1及第2部分3231、3232的假想直線(不圖示)上延伸的直線狀的面。
又，側部323的形狀不特別限定於上述。例如，側部323，在第1導體線322的橫向方向的剖面中，也可以比通過第1及第2部分3231、3232的假想直線更向外側突出。因此，側部323，在第1導體線322的橫向方向的剖面中，理想是比起通過第1及第2部分的假想直線不往內側凹下的形狀(導體圖案的底邊不變寬的形狀)。
本實施例的側部323，在第1導體線322的橫向方向的剖面中，包含平坦部3233。平坦部3233，在第1導體線322的橫向方向的剖面中，係側部323中存在的直線狀的部分(即，曲率半徑極大的部分)，平面度為0.5μm以下。本實施例中，側部323大致全體上形成平坦部3233。又，平坦部3233的形狀，不特別限定於上述，在側部323的一部分中形成也可以。
根據抑制側部323中的光亂反射之觀點來看，側部323與上面325之間的角度θ1理想是90°~170°(90°≦θ1≦170°)，更理想是90°~120°(90°≦θ1≦120°)。本實施例中，一第1導體線322中，一方的側部323與上面325之間的角度，及另一方的側部323與上面325之間的角度實質上是相同的。
本實施例中的第1導體線322在第4圖中的下面326的表面粗糙度，根據堅固固定第1導體線322至接合層31的觀點來看，理想是比上述第1導體線322在第4圖中的上面325(第1對向面)的表面粗糙度更粗糙。本實施例中，因為上面325包 含平坦部3251，上述第1導體線322中的表面粗糙度的相對關係(下面326的表面粗糙度對上面325的表面粗糙度的相對粗糙關係)成立。具體而言，相對於第1導體線322的下面326的表面粗糙度Ra是0.1μm~3μm左右，上面325的表面粗糙度Ra理想是0.001μm~1.0μm左右。第1導體線322的下面326的表面粗糙度Ra更理想是0.1μm~0.5μm，上面325的表面粗糙度Ra又更理想是0.001μm~0.3μm。又，下面326的表面粗糙度與上面325的表面粗糙度之比(相對於下面326的表面粗糙度之上面325的表面粗糙度)理想是未滿0.01~1，更理想是未滿0.1~1。又，上面325的表面粗糙度，理想是第1導體線322的寬度(最大寬度)的5分之一以下。又，如此的表面粗糙度，可以根據JIS法(JIS B0601(2013年3月21日訂正))測量。上面325及下面326的表面粗糙度的測量，沿著第1導體線322的橫向方向執行也可以，沿著上述第1導體線322的延伸方向執行也可以。
附帶一提，如JIS法(JIS B0601(2013年3月21日訂正))所記載，在此所謂的「表面粗糙度Ra」，係指「算出平均粗糙度Ra」。此所謂「算出平均粗糙度Ra」，係指從剖面曲線截斷長波長成分(起伏成分)求得的粗糙度參數。從剖面曲線分離起伏成分，係根據求得形體需要的測量條件(例如對象物的尺寸等)執行。
又，本實施例中，側部323包含平坦部3233。因此，下面326的表面粗糙度，相對於側部323的表面粗糙度，相對變粗糙。具體而言，相對於第1導體線322的下面326的表面粗糙度Ra是0.1μm~3μm左右，側部323的表面粗糙度Ra理想是0.001μm~1.0μm左右。
本實施例中，因為下面326的表面粗糙度相對於上面325的表面粗糙度及側部323的表面粗糙度相對粗糙，除了上述下面326之外的其他面(即，上面325及側部323)中的配線體3的亂反射率，相對於上述下面326側中的配線體3的亂反射率相對變小。根據力圖提高配線體3的視認性的觀點來看，此下面326側中的配線體3的亂反射率與除了上述下面326之外的其他面側中的配線體3的亂反射率的比(相對於下面326側中的配線體3的亂反射率之除了上述下面326之外的其他面側中的配線體3的亂反射率)，理想是未滿0.1~1，更理想是未滿0.3~1。
關於具有下面與除了上述下面之外的其他面之表面粗糙度的相對關係之第1導體線322B的形狀的一範例，一邊參照第7圖，一邊說明。如第7圖所示，以導電性粒子M與黏合樹脂B構成的第1導體線322B中，複數的導電性粒子M在黏合樹脂B中分散。此第1導體線322B中，形成凹凸形狀的下面326B，在橫向方向的剖面中，導電性粒子M的一部分從黏合樹脂B中突出；以及平坦形狀的上面325B及側部323B，黏合樹脂B進入導電性粒子M之間，上述黏合樹脂B覆蓋導電性粒子M。又，上面325B及側部323B中，由於以黏合樹脂B覆蓋導電性粒子M，提高相鄰的第1導體線322B之間的電性絕緣性，抑制遷移的發生。
第7圖所示的形態中，由於下面326B中導電性粒子M的一部分從黏合樹脂B中突出，上述下面326B的表面粗糙度變得較大。另一方面，由於上面325B中以黏合樹脂B覆蓋導電性粒子M，上述上面325B的表面粗糙度變得較小。因 此，下面326B的表面粗糙度相對於上面325B的表面粗糙度，相對變粗糙。
又，側部323B中，由於以黏合樹脂B覆蓋導電性粒子M，上述側部323B的表面粗糙度變得較小。因此，下面326B的表面粗糙度相對於側部323B的表面粗糙度，相對變粗糙。
又，第1導體線321，與第1導體線322只有延伸方向不同，因為基本構成與第1導體線322相同，省略詳細的說明。
本實施例中的樹脂層33，可透過可見光，以環氧樹脂、丙烯樹脂、聚酯樹脂(polyester resin)、聚氨甲酸酯樹脂(urethane resin)、乙烯基樹脂(vinyl resin)、矽氧樹脂、酚樹脂、聚醯亞胺樹脂等的UV硬化性樹脂、熱硬化性樹脂或熱可塑性樹脂等構成。本實施例中的樹脂層33相當於本發明的樹脂層及第2樹脂的一範例。又，對樹脂層33不要求透明性時，使用不透明的樹脂作為構成樹脂層33的材料也可以。
樹脂層33，如第4~6圖所示，包括主部331，具有大致平坦狀的上面，對應基板2的主面21全體設置；以及凸部332，設置在上述主部331上。主部331，如第4或5圖所示，覆蓋第1導體層32、以及除了與第1電極圖案320接合的面之外的接合層31。凸部332，往第2導體層34側(+Z方向側)突出，對應第2導體層34的第2電極圖案340形成。本實施例中的主部331及凸部332一體構成。
本實施例中的凸部332的剖面形狀(對於第2導體線342(後述)的延伸方向的剖面形狀)，如第6圖所示，往遠離基板2的方向(第6圖中的+Z方向)成為寬度變窄的形狀。藉 由凸部332設置在主部331上，上述凸部332中第2導體線342的剛性提高。又，凸部332與第2導體線342之間的邊界，成為對應上述第2導體線342的下面346的凹凸形狀之凹凸形狀。如此的凹凸形狀，根據第2導體線342的下面346的表面粗糙度形成。又，如第4圖所示，又，沿著第2導體線342的延伸方向之剖面中的凸部332與第2導體線342的邊界，也成為對應上述第2導體線342的下面346的凹凸形狀之凹凸形狀。關於下面346的表面粗糙度，之後詳細說明。第4及6圖中，為了容易了解說明本實施例中的配線體3，誇張顯示凸部332與第2導體線342之間的邊界的凹凸形狀。不特別圖示，但凸部與第2導體線341(後述)之間的邊界，也和凸部332與第2導體線342之間的邊界相同，成為對應上述第2導體線341的下面的凹凸形狀之凹凸形狀。
第2導體層34，例如，作用為碰觸偵知器中的電極、與上述電極電性連接的引線配線的層。如此的第2導體層34，以塗佈導電性膏材再硬化而形成。作為構成此第2導體層34的導電性膏材，可以使用與構成第1導體層32的導電性膏材相同的材料。本實施例中的第2導體層34，如第3圖所示，具有沿著第3圖中的X軸方向延伸的第2電極圖案340、及連接至上述第2電極圖案340的引線配線344。本實施例中，沿著第3圖中的Y軸方向以大致等間隔配置4個第2電極圖案340。本實施例中，第3圖中的+Y方向側配置的2個第2電極圖案340，在第3圖中的-X方向側與引線配線344連接，第3圖中的-Y方向側配置的2個第2電極圖案340，在第3 圖中的+X方向側與引線配線344連接。又，第2導體層34內包含的第2電極圖案的數量及配置，不特別限定於上述。
第2電極圖案340，具有第2導體線341、342。第2導體線341，如第3圖所示，直線狀延伸的同時，第2導體線342也直線狀延伸。又，複數的第2導體線341分別大致等間隔平行排列配置的同時，複數的第2導體線342也分別大致等間隔平行排列配置。本實施例中，第2導體線341與第2導體線342互相垂直，因此第2電極圖案340成為具有矩形的格子形狀的網目狀。又，本實施例中，構成第1電極圖案320的網目形狀之單位格子、與構成第2電極圖案340的網目形狀之單位格子，成為互相大致相等的形狀，但不限定於此。
本實施例中第2導體線341、342分別對第2電極圖案340的延伸方向(第3圖中的X軸方向)45度傾斜配置，但這些分別以其他的角度(例如30度)傾斜配置也可以。又，第2導體線341、342中的一方對第2電極圖案340的延伸方向(第3圖中的X軸方向)90度傾斜配置也可以。
又，第2導體線341、342延伸為曲線狀也可以，混合直線狀的部分與曲線狀的部分也可以。又，第2導體線341與第2導體線342交叉的角度不特別限定為直角。本實施例中，第2導體線341、342具有互相大致相等的線寬，但第2導體線341、342具有互不相同的線寬也可以。
作為如此的第2導體線341、342的寬度，與第1導體線321、322的寬度相同，理想是50nm(毫微米)~1000μm(微米)，更理想是500nm~150μm，又更理想是1μm~ 10μm，又再更理想是1μm~5μm。
本實施例中，第2電極圖案340中與引線配線344連接的邊部340a比第2導體線341、342更寬。不特別圖示，但第2電極圖案340也可以具有圍繞第2導體線341、342形成的網目狀的至少一部分之框部。本實施例中的第2導體線341、342、邊部340a及引線配線344一體形成。
如第6圖所示，第2導體線342的側部343與樹脂層33中的凸部332的側部，平滑連續形成1個平面。第2導體線342具有往遠離第1導體層32側(圖6中+Z方向側)寬度變窄的錐形，因此第2導體線342的剖面形狀(對於第2導體線342的延伸方向之剖面形狀)為大致梯形。又，第2導體線342的剖面形狀，不特別限定於此。例如，第2導體線342的剖面形狀可以是正方形、長方形、三角形等。又，本實施例中，第2導體線341也成為與第2導體線342同樣的剖面形狀。
本實施例的第2導體線342中在第6圖中的上面345成為平坦狀的面(平滑面)。因此，可以抑制從外部入射的光亂反射。此上面345，位於第2導體線342中與下面346相反側。上面345，對基板2的主面(接合層31的平狀部312的上面或第2樹脂層33的主部331的上面)實質上為平行。
上面345，在第2導體線342的橫向方向的剖面中，包含平坦部3451。此平坦部3451，在第2導體線342的橫向方向的剖面中，係存在於上面345的直線狀部分(即，曲率半徑極大的部分)，平面度為0.5μm以下。
本實施例的平坦部3451，在上述345的大致全體 上形成。又，不特別限定於上述，平坦部3451，在上面345的一部分中形成也可以。在此情況下，例如，平坦部在不包含上面的兩端的區域中形成也可以。平坦部在上面的一部分中形成時，上述平坦部的寬度，相對於上面的寬度至少是1/2以上。
側部343位於上面345和下面346之間。此側部343，以第1部分3431與上面345相連，以第2部分3432與下面346相連。本實施例的第2導體線342，因為具有往遠離第1導體層32側寬度變窄的錐形，第2部分3432比第1部分3431位於更外側。側部343，在第2導體線342的橫向方向的剖面中，成為通過此第1及第2部分3431、3432的假想直線(不圖示)上延伸的直線狀的面。
又，側部343的形狀不特別限定於上述。例如，側部343，在第2導體線342的橫向方向的剖面中，也可以是比通過第1及第2部分3431、3432的假想直線更向外側突出。於是，側部343，在第2導體線342的橫向方向的剖面中，理想是不比通過第1及第2部分的假想直線更凹入內側的形狀(第2導體線342底邊不變寬的形狀)。
本實施例的側部343，在第2導體線342的橫向方向的剖面中，包含平坦部3433。平坦部3433，在第2導體線342的橫向方向的剖面中，成為直線狀的部分(即，曲率半徑極大的部分)，平面度為0.5μm以下。本實施例中，側部343大致全體上形成平坦部3433。又，平坦部3433的形狀，不特別限定於上述，在側部343的一部分中形成也可以。
根據抑制側部343中光亂反射之觀點來看，側部 343與上面345之間的角度θ2理想是90°~170°(90°≦θ2≦170°)，更理想是90°~120°(90°≦θ2≦120°)。本實施例中，一第2導體線342中，一方的側部343與上面345之間的角度，及另一方的側部343與上面345之間的角度實質上是相同的。
本實施例中第1導體線322在第4圖中的上面325以及第2導體線342在第6圖中的上面345兩方成為平坦狀的面(平滑面)，藉此可以更抑制從外部入射的光亂反射。又，本實施例中第2導體線342在第6圖中的下面346的表面粗糙度，根據堅固固定第2導體線342與樹脂層33的觀點來看，理想是比上述第2導體線342在第6圖中的上面345的表面粗糙度更粗糙。本實施例中，因為上面345包含平坦部3451，上述第2導體線342中的表面粗糙度的相對關係(下面346的表面粗糙度對上面345的表面粗糙度的相對粗糙關係)成立。具體而言，相對於第2導體線342的下面346(第2對向面)的表面粗糙度Ra是0.1μm~3μm左右，上面345的表面粗糙度Ra理想是0.001μm~1.0μm左右。又，第2導體線342的下面346的表面粗糙度Ra更理想是0.1μm~0.5μm，上面345的表面粗糙度Ra更理想是0.001μm~0.3μm。又，下面346的表面粗糙度與上面345的表面粗糙度之比(相對於下面346的表面粗糙度之上面345的表面粗糙度)理想是未滿0.01~1，更理想是未滿0.1~1。又，上面345的表面粗糙度，理想是第2導體線342的寬度(最大寬度)的5分之一以下。又，如此的表面粗糙度，可以根據JIS法(JIS B0601(2013年3月21日訂正))測量。上面345及下面346的表面粗糙度的測量，沿著第2導體線342的橫向方向執行也可以， 沿著上述第2導體線342的延伸方向執行也可以。
又，本實施例中，側部343包含平坦部3433。因此，下面346的表面粗糙度，相對於側部343的表面粗糙度，相對變粗糙。具體而言，相對於第2導體線342的下面346的表面粗糙度Ra是0.1μm~3μm左右，側部343的表面粗糙度Ra理想是0.001μm~1.0μm左右。
本實施例中，因為下面346的表面粗糙度相對於上面345的表面粗糙度及側部343的表面粗糙度相對粗糙，除了上述下面346之外的其他面(即，上面345及側部343)側中的配線體3的亂反射率，相對於上述下面346側中的配線體3的亂反射率相對變小。此下面346側中的配線體3的亂反射率與除了下面346之外的其他面側中的配線體3的亂反射率的比(相對於下面346側中的配線體3的亂反射率之除了上述下面346之外的其他面側中的配線體3的亂反射率)，根據力圖提高配線體3的視認性的觀點來看，理想是未滿0.1~1，更理想是未滿0.3~1。
作為具有上述下面與除了上述下面之外的其他面之表面粗糙度的相對關係之第2導體線的形狀的一範例，可以舉出與第7圖所示的第1導體線322B同樣的形狀。即，省略圖示，第2導體線中，在橫向方向的剖面中，形成導電性粒子的一部分從黏合樹脂中突出的凹凸形狀的下面，以及黏合樹脂進入導電性粒子之間，上述黏合樹脂覆蓋導電性粒子之平坦形狀的上面及側部。因此，下面的表面粗糙度相對於上面的表面粗糙度變得相對粗糙。又，下面的表面粗糙度相對於側部的表面粗糙度變得相對粗糙。
又，第2導體線341，因為與第2導體線342只有延伸方向不同，基本的構成與第2導體線342相同，省略詳細的說明。
又，本實施例中的配線基板1，滿足下列(4)式及(5)式。
｜H1-H2｜<T1/3...(4)
｜H3-H4｜<T2/3...(5)
其中，上述(4)式，H1係沿著第2導體線342橫切配線體3的第1既定剖面(相當於第4圖的剖面)中，對應第1導體線322的第1區域E1中的第2導體線342的最大高度(離第1導體層的平均面S的高度)，H2係第1既定剖面中鄰接第1區域E1且具有與第1區域E1相等寬度的第2區域E2中的第2導體線342的最小高度(離第1導體層的平均面S的高度)，T1係第1既定剖面中的第1導體線322的平均厚度。
又，上述(5)式，H3係橫切從第2導體層34露出的樹脂層之配線體3的第2既定剖面(相當於第5圖的剖面)中，對應第1導體線322的第3區域E3中的樹脂層33的最大高度(離第1導體層的平均面S的高度)，H4係第2既定剖面中鄰接第3區域E3且具有與第3區域E3相等寬度的第4區域E4中的樹脂層33的最小高度(離第1導體層的平均面S的高度)，T2係第2既定剖面中第1導體線322的平均厚度。又，配線基板1不滿足上述(5)式也可以，但根據配線基板1的耐久性提高的觀點來看，理想是配線基板1滿足上述(5)式。
又，第1導體層32的厚度T1及T2，理想是100nm~20μm，更理想是500nm~10μm，又更理想是1~5μm。第2 導體線342的高度H1及H2，理想是1~100μm，更理想是5μm~100μm，又更理想是20μm~70μm。樹脂層33的高度H3及H4，理想是1μm~100μm，更理想是5μm~100μm，又更理想是20μm~70μm。在此情況下，使電氣特性提高的同時，可以維持配線基板1的透光性。｜H1-H2｜，理想是5μm以下，更理想是3μm以下，又更理想是1μm以下。｜H3-H4｜，理想是5μm以下，更理想是3μm以下，又更理想是1μm以下。在此情況下，可以更提高配線體3的耐久性。
本實施例中的配線基板1中，第1導體層32與第2導體層34之間的距離D(剖面視圖中從第1導體層32上端到第2導體層34的下端的距離)為5μm。此距離D理想是第1導體層32的厚度T1的1倍以上、20倍以下(T1≦D≦20×T1)。在此情況下，使電氣特性提高的同時，可以維持配線基板1的透光性。
其次，說明關於本實施例中的配線基板1的製造方法。第8(A)~8(J)圖係用以說明本發明實施例中的配線基板1的製造方法之剖面圖。
首先，如第8(A)圖所示，準備第1凹版4，形成對應第1導體層32中的第1電極圖案320及引線配線324的形狀之形狀的凹部41。作為構成第1凹版4的材料，可以例示鎳、矽、二氧化矽等的玻璃類、陶瓷類、有機二氧化矽類、玻璃碳、熱可塑性樹脂、光硬化性樹脂等。本實施例中凹部41的剖面形狀，形成越往底部寬度越窄的錐形。
凹部41的表面，為了提高脫模性，理想是形成石墨基材料、矽氧樹脂基材料、氟基材料、陶瓷基材料、鋁基材 料等構成的脫模層411。
對上述第1凹版4的凹部41，填充導電性材料5。使用上述導電性膏材，作為如此的導電性材料5。填充導電性材料5至第1凹版4的凹部41內的方法，例如可以舉出噴墨法、噴塗法、網版印刷法、旋塗法等。凹版4內填充的導電性材料5，包含配合凹部41的形狀形成的複數的第1線狀部分52。此第1線狀部分52，對應第1電極圖案320(具體而言，第1導體線321、322)或引線配線324。本實施例中的第1線狀部分52相當於本發明中的第1線狀部分的一範例。本說明書中，直到配線基板1製造結束為止，對應第1電極圖案320(具體而言，第1導體線321、322)或引線配線324的部分也稱作第1線狀部分52。
其次，如第8(B)圖所示，加熱第1凹版4的凹部41內填充的導電性材料5，因此形成構成第1導體層32的導體圖案(第1步驟)。導電性材料5的加熱條件，可以根據導電性材料的組成等適當設定。藉由此加熱處理，導電性材料5體積收縮。此時，除了導電性材料5的上面以外的外面，沿著凹部41的形狀形成。另一方面，因為在導體圖案的上面與外部空氣接觸的狀態下加熱，形成根據導電性材料5內包含的導電性粒子的形狀之凹凸形狀51(參照第8(B)圖的拉出圖)。又，導電性材料5的處理方法不限定於加熱。照射紅外線、紫外線、雷射光等的能量線也可以。又，乾燥也可以。由於凹凸形狀51的存在，第1導體層32與接合層31之間的接觸面積增大，可以更堅固固定第1導體層32至接合層31。
接著，如第8(C)圖所示，準備在基板2上大致均勻塗佈用以形成接合層31的接合材料6。使用構成上述接合層31的材料，作為如此的接合材料6。在基板2上塗佈接合材料6的方法，可以例示網版印刷法、噴塗法、棒式塗佈法、浸塗法、噴墨法等。
其次，如第8(D)圖所示，上述接合材料6進入第1凹版4的凹部41，配置基板2及接合材料6在第1凹版4上，對第1凹版4壓下基板2，使接合材料6硬化(第2步驟)。因此，形成接合層31的同時，經由上述接合層31，基板2與第1導體層32互相接合固定。
接著，如第8(E)圖所示，基板2、接合層31及第1導體層32從第1凹版4脫模，得到中間體7(第3步驟)。
接著，如第8(F)圖所示，準備第2凹版45，形成對應第2導體層34中的第2電極圖案340及引線配線344的形狀之形狀的凹部46。作為構成第2凹版45的材料，可以舉出與上述第1凹版4同樣的材料。本實施例中凹部46的剖面形狀，形成越往底部寬度越窄的錐形。又，凹部46的表面，理想也是形成與凹部41的脫模層411同樣的脫模層461。
對上述第2凹版45的凹部46，填充導電性材料55。可以舉出與上述導電性材料5同樣的材料，作為導電性材料55。
填充導電性材料55至第2凹版45的凹部46內的方法，例如可以舉出噴墨法、網版印刷法、旋塗法等。凹版45內填充的導電性材料55，包含配合凹部46的形狀形成的複數的第2線狀部分56。此第2線狀部分56，對應第2電極圖案340(具 體而言，第2導體線341、342)或引線配線344。本實施例中的第2線狀部分56相當於本發明中的第2線狀部分的一範例。本說明書中，直到配線基板1製造結束為止，對應第2電極圖案340(具體而言，第2導體線341、342)或引線配線344的部分也稱作第2線狀部分56。
其次，如第8(G)圖所示，加熱第2凹版45的凹部46內填充的導電性材料55，形成構成第2導體層34的導體圖案(第4步驟)。導電性材料55的加熱條件，可以根據導電性材料的組成等適當設定。藉由此加熱處理，導電性材料55體積收縮，除了導電性材料55的上面之外的外面，形成沿著凹部46的形狀。另一方面，導體圖案的上面形成與凹凸形狀51同樣的凹凸形狀。又，導電性材料55的處理方法不限定於加熱，照射紅外線、紫外線、雷射光等的能量線也可以。又，乾燥也可以。藉由在導體圖案中形成與凹凸形狀51同樣的凹凸形狀，第2導體層34與樹脂層33之間的接觸面積增大，可以更堅固固定第2導體層34至樹脂層33。
接著，如第8(H)圖所示，構成樹脂層33的樹脂材料71，塗佈在中間體7上(第5步驟)。作為如此的樹脂材料71，使用構成上述樹脂層33的材料。又，構成樹脂層33的材料的黏度，根據確保塗佈時的充份流動性來看，理想是1mPa．s~10,000mPa．s。又，硬化後的樹脂的儲存模數，根據第1導體層32或第2導體層34的耐久性的觀點來看，理想是105Pa(帕斯卡)以下，更理想是104Pa以下。塗佈樹脂材料71在中間體7上的方法，可以例示網版印刷法、噴塗法、棒式塗佈法、浸 塗法、噴墨法等。
其次，如第8(I)圖所示，樹脂材料71進入第2凹版45的凹部46，配置中間體7及樹脂材料71在第2凹版45上，對第2凹版45壓下中間體7，使樹脂材料71硬化(第6步驟)。對第2凹版45壓下中間體7之際的加壓力，理想是0.001MPa~100MPa，更理想是0.01MPa~10MPa。又，上述加壓利用壓力滾輪可以實行。因此，形成樹脂層33的同時，經由上述樹脂層33，中間體7與第2導體層34互相接合固定。
於是，如第9圖所示，對第2凹版45壓下中間體7及樹脂材料71的狀態中，第2線狀部分56的最大高度(H5)、第2線狀部分56的最小高度(H6)、及第1線狀部分52的厚度(T3)的關係，滿足下列(6)式。
｜H5-H6｜<T3/3...(6)
其中，上述(6)式中，H5係沿著第2線狀部分56橫切配線體3的第3既定剖面(相當於第9圖的剖面)中，對應第1線狀部分52的第5區域E5中的第2線狀部分56的最大高度(離第1線狀部分52的平均面S的高度)，H6係第3既定剖面中鄰接第5區域E5且具有與第5區域E5相等寬度的第6區域E6中的第2線狀部分56的最小高度(離第1線狀部分52的平均面S的高度)，T3係第3既定剖面中的第1線狀部分52的平均厚度。
於是，如第8(J)圖所示，上述中間體7、樹脂層33及第2導體層34從第2凹版45脫模(第7步驟)，可以得到本實施例中具有配線體3的配線基板1。
又，上述第1~第7步驟的順序，不特別限定於上述。 例如，第4步驟與第5步驟互相更換也可以，同時進行也可以。
其次，說明關於包括本實施例中的配線體3之配線基板1及其製造方法。
本實施例中的碰觸偵知器用配線基板1的製造方法，首先，製作接合層31介於其間在基板2上設置第1導體層32的中間體7(參照第8(E)圖)。其次，在上述中間體7上形成第2導體層34。即，在1片基板2的一方主面21上形成第1及第2導體層32、34。因此，相較於1片基板的單面上只形成一層導體層之基板間互相貼合而構成的配線基板，可以力圖配線基板1的薄型化。
又，1片基板的單面上只形成一層導體層之基板間互相貼合而構成的配線基板中，基板之間必須以高位置精度黏合。在此之際，基板上設置導電性材料後，加熱上述導電性材料形成導體層時，由於上述加熱，基板的形狀產生變化，2片的基板之間可能會難以高精度位置相合。
相對於此，本實施例中的配線基板1中，對第1凹版4的凹部41填充導電性材料5再加熱後，轉印上述導電性材料5至基板2上，形成第1導體層32(參照第8(A)~8(E)圖)。又，對第2凹版45的凹部46填充導電性材料55再加熱後，轉印上述導電性材料55至中間體7上，形成第2導體層34。因此，由於基板2中不因導電性材料5、55的加熱產生形狀變化而可以形成第1及第2導體層32、34，上述第1及第2導體層32、34之間變得容易以高精度位置相合。
又，本實施例的製造方法中，中間體7及樹脂材 料71配置在第2凹版45上，對第2凹版45壓下中間體7，使樹脂材料71硬化(參照第8(I)圖)。因此，配線基板1中，從第2導體層34露出的樹脂層33的表面成為平坦狀，因為滿足上述(5)式，抑制第1導體層32中應力集中引起的第1導體線322等的斷線，可以提高配線基板1的耐久性。
又，本實施例的第1導體線322，具有往第2導體層34側寬度變窄的錐形。因此，相較於第1導體線322中無上述錐形的情況或形成反向的錐形的情況，對第2凹版45按壓中間體7時，可以提高第1導體線322對按壓力的機械強度。因此，抑制製造時等第1導體線322的斷線，可以更提高配線基板1的耐久性。本實施例中第2導體線342也具有同樣的錐形(往遠離第1導體層32側寬度變窄的錐形)。因此，因為也提高第2導體線342的機械強度而可以抑制斷線，可以更提高配線基板1的耐久性。
又，本實施例的製造方法製造的配線基板1，形成第2導體層34與基板2的主面21大致平行，滿足上述(4)式。因此，因為可以迴避熱衝擊或外力引起之對第2導體線342產生的過度應力集中，可以更提高配線基板1的耐久性。
又，本實施例的配線體3，在第1導體線322的橫向方向的剖面中，也著眼於第1導體線322的下面326與上述下面326以外的其他面(包含上面325及側部323的面)之間的表面粗糙度(即，截斷起伏成分的粗糙度參數)的相對關係，上述下面326的表面粗糙度Ra相對於其他的面的表面粗糙度Ra，相對粗糙。因此，接合層31與第1導體線322堅固接合 的同時，可以抑制從外部入射的光亂反射。尤其，第1導體線322的寬度是1μm~5μm時，由於下面326與其他的面之間的表面粗糙度的相對關係滿足上述關係，接合層31與第1導體線322堅固接合的同時，可以顯著達到可以抑制從外部入射的光亂反射之效果。
又，本實施例中，側部323與通過第1及第2部分3231、3232的假想直線實質上一致延伸。在此情況下，第1導體線322的橫向方向的剖面中，因為側面不成為比通過第1及第2部分的假想直線更凹入內側的形狀(導體圖案的底邊變寬的形狀)，抑制從配線體3的外部入射的光亂反射。藉此，可以更提高配線體3的視認性。
又，本實施例中，由於下面326的表面粗糙度Ra相對於下面326以外其他的面(包含上面325及側部323的面)的表面粗糙度Ra相對粗糙，上述其他面側中的配線體3的亂反射率，相對於下面326側的配線體3的亂反射率相對變小。在此，配線體3的亂反射率小的話，抑制第1導體線322映出白色，在可以視認上述第1導體線322的區域中可以抑制對比下降。於是，可以力圖更提高本實施例的配線體3的視認性。
第1導體線321或第2導體層34的第2導體線341、342的基本構成與第1導體線322相同。由於配線體3包括如此的第1導體線321、第2導體線341、342，可以達成上述的作用．效果。
又，以上說明的實施例，係用以容易理解本發明而記載，不是用以限定本發明而記載。因此，上述實施例揭示 的各要素，係包含屬於本發明的技術範圍之全部的設計變更或均等物之主旨。
例如，上述的實施例中，使用金屬材料或碳基材料，作為構成第1及第2導體層的導電性粒子，但不特別限定於此，使用混合金屬材料及碳基材料之物也可以。在此情況下，例如，以第1導體線322為例說明時，上述第1導體線322的上面325側配置碳基材料，下面326側配置金屬材料也可以。又，相反地，第1導體線322的上面325側配置金屬材料，下面326側配置碳基材料也可以。
又，例如，從上述實施例中的配線基板1省略基板2也可以。在此情況下，例如，在接合層31的下面設置脫模片，組裝時剝下上述脫模片，以接合至組裝對象(薄膜、表面玻璃、偏光板、顯示器等)組裝的形態，構成配線體或配線基板也可以。又，此形態中，組裝對象相當於本發明的基材的一範例。又，設置覆蓋第2導體層34的樹脂部，以上述樹脂部介於其間，以接合至上述組裝對象組裝的形態構成配線體或配線基板也可以。
又，例如，第1凹版4內填充導電性材料5再加熱後，在第1凹版4上塗佈樹脂材料，凝固上述樹脂材料。於是，凝固的上述樹脂材料用作基材，構成配線體或配線基板也可以。在這些情況下，也可以達到與上述實施例同樣的效果。
又，例如，第1導體層32中的第1電極圖案及第2導體層34中的第2電極圖案，成為第10圖所示的形態也可以。
第10圖的範例中，第1電極圖案320B以複數的矩 形部81、以及連結上述矩形部81之間的連結部82構成。矩形部81，係對角線沿著第10圖中的Y軸方向大致等間隔往上述Y軸方向排列配置，連結部82連接相鄰的矩形部81的角部之間。矩形部81及連結部82，具有複數的導體線構成的網目形狀。
第2電極圖案340B，也由複數的矩形部83、及連結上述矩形部之間的連結部84構成。矩形部83，係對角線沿著第10圖中的X軸方向大致等間隔往上述X軸方向排列配置，連結部84連接相鄰的矩形部83的角部之間。矩形部83及連結部84，也具有複數的導體線構成的網目形狀。第1電極圖案320B之間，沿著第10圖中的X軸方向大致等間隔配置的同時，第2電極圖案340B沿著第10圖中的Y軸方向大致等間隔配置。於是，第1電極圖案320B與第2電極圖案340B，在連結部82、84中互相交叉。
本例中，也可以達到與上述實施例中說明的效果同樣的效果。
又，上述的實施例中，說明配線體用於碰觸偵知器等，但不特別限定於此。例如，藉由通電以電阻加熱等使配線體發熱，上述配線體用作加熱器也可以。在此情況下，作為構成導體層的導電性粒子，理想是使用電阻值較高的碳基材料。又，藉由配線體的導體層的一部分接地，上述配線體用作電磁遮蔽屏蔽也可以。又，配線體用作天線也可以。在這些情況下，組裝配線體的組裝對象相當於本發明的支持體的一範例。

Claims (11)

  1. 一種配線體，包括：第1導體層，具有第1導體線；樹脂層，覆蓋上述第1導體層；以及第2導體層，以上述樹脂層介於其間，設置在上述第1導體層上，具有第2導體線；滿足下列(1)式：| H1-H2 |<T1/3...(1)其中，上述(1)式中，H1係沿著上述第2導體線橫切上述配線體的第1既定剖面中，對應上述第1導體線之第1區域中的上述第2導體線的最大高度；H2係上述第1既定剖面中，鄰接上述第1區域，具有與上述第1區域相等寬度之第2區域中的上述第2導體線的最小高度，T1係上述第1既定剖面中的上述第1導體線的厚度。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的配線體，其中，更滿足下列(2)式：| H3-H4 |<T2/3...(2)其中，上述(2)式中，H3係橫切從上述第2導體層露出的上述樹脂層之上述配線體的第2既定剖面中，對應上述第1導體線之第3區域中的上述樹脂層的最大高度，H4係上述第2既定剖面中，鄰接上述第3區域，具有與上述第3區域相等寬度之第4區域中的上述樹脂層的最小高度，T2係上述第2既定剖面中的上述第1導體線的厚度。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的配線體，其中，上述第1導 體層與上述第2導體層之間的距離，係上述第1導體層的厚度1倍以上、20倍以下。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的配線體，其中，上述第1導體線具有往上述第2導體層側寬度變窄的錐形。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的配線體，其中，上述第2導體線具有往遠離上述第1導體層側寬度變窄的錐形。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的配線體，其中，上述第1導體線中，與對向上述第2導線的第1對向面相反側的面的表面粗糙度，比上述第1對向面的表面粗糙度粗糙。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的配線體，其中，上述第2導體線中，對向上述第1導體線的第2對向面的表面粗糙度，相較於與上述第2對向面相反側的面的表面粗糙度，更粗糙。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的配線體，其中，上述樹脂層具有往上述第2導體層突出的凸部，以及上述第2導體線設置在上述凸部上。
  9. 一種配線基板，包括：如申請專利範圍第1至8項中任一項所述的配線體；以及支持體，支持上述配線體。
  10. 一種碰觸偵知器，包括：如申請專利範圍第9項所述的配線基板。
  11. 一種配線體的製造方法，包括下列步驟：第1步驟，第1凹版的凹部內填充第1導電性材料，加熱、乾燥上述第1導電性材料或照射能量線； 第2步驟，上述第1導電性材料上配置第1樹脂；第3步驟，製作使上述第1樹脂及上述第1導電性材料從上述第1凹版脫模之中間體；第4步驟，第2凹版的凹部內填充第2導電性材料，加熱、乾燥上述第2導電性材料或照射能量線；第5步驟，上述中間體中設置上述第1樹脂的面上塗佈第2樹脂；第6步驟，上述第2樹脂接觸上述第2導電性材料，配置上述第2樹脂及上述中間體在上述第2導電性材料上；以及第7步驟，上述中間體、上述第2樹脂以及上述第2導電性材料從上述第2凹版脫模；其中，上述第1導電性材料包含第1線狀部分，上述第2導電性材料包含第2線狀部分，以及上述第2線狀部分的最大高度、上述第2線狀部分的最小高度、及上述第1線狀部分的厚度之間的關係滿足下列(3)式：| H1-H2 |<T1/3...(3)其中，上述(3)式中，H1係沿著第2線狀部分橫切上述配線體的第1既定剖面中，對應上述第1線狀部分之第1區域中的上述第2線狀部分的最大高度；H2係上述第1既定剖面中，鄰接上述第1區域，具有與上述第1區域相等寬度之第2區域中的上述第2線狀部分的最小高度，T1係上述第1既定剖面中的上述第1線狀部分的厚度。
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