TWI629619B - Touching the wiring harness for the detector, touching the wiring board for the detector, and touching the detector - Google Patents

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TWI629619B
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Abstract

碰觸偵知器用配線體(3)，包括第1樹脂層(31)；第1導體層(32)，設置在第1樹脂層(31)上，具有第1導體線(322)；第2樹脂層(33)，覆蓋第1導體層(32)；以及第2導體層(34)，以第2樹脂層(33)介於其間，設置在第1導體層(32)上，具有第2導體線(342)；其中，第1及第2導體層(32)、(34)，由第2樹脂層(33)電性絕緣，滿足下列(1)式。
D1<D2...(1)
其中，上述(1)式中，D1係沿著第2導體線(342)橫切碰觸偵知器用配線體(3)的第1既定剖面中，對應第1導體線(322)的第1區域中的第1樹脂層(31)的厚度，D2係第1既定剖面的第1區域中的第2樹脂層(33)的厚度。

Description

碰觸偵知器用配線體、碰觸偵知器用配線基板及碰觸偵知器
本發明係關於碰觸偵知器用配線體、碰觸偵知器用配線基板及碰觸偵知器。
透明基板的樹脂層上形成第1導電層後，設置透明聚合物層，在上述透明聚合物層上形成第2導電層，形成2層的導電層的導電構造及碰觸面板等的碰觸偵知器是眾所周知的(例如參照專利文件1)。
[先行技術文件]
[專利文件]
[專利文件1]專利PCT申請案第2015-501502號公報
多點觸控對應的靜電容量方式的碰觸偵知器等，必須二層化配線體的導電層(電極)。上述技術的碰觸偵知器，藉由手指等的接觸體觸摸碰觸偵知器，掌握電極產生的靜電容量的變化，藉此檢出接觸體接觸的位置等。不過，上述技術的碰觸偵知器中，配線體的第1層的導電體與第2層的導電體之間的透明聚合物層的厚度如果是薄的，即使接觸體接觸的情況下，放出的電力線也封閉在電極間內，產生對接觸體難以反應 的不良。結果，產生感度下降等的電氣特性惡化，進而可能會不作用為具有2層導電體的配線體。另一方面，拉長2層導電層的距離的話，上述的電氣特性惡化變得難以產生，但膜厚變厚，阻礙薄型化。
本發明所欲解決的課題，係提供正常作用為具有2層以上的導電層的配線體的同時，也可以薄化全體的膜厚之碰觸偵知器用配線體、碰觸偵知器用配線基板及碰觸偵知器。
[1]根據本發明的碰觸偵知器用配線體，包括第1樹脂層；第1導體層，設置在上述第1樹脂層上，具有第1導體線；第2樹脂層，覆蓋上述第1導體層；以及第2導體層，以上述第2樹脂層介於其間，設置在上述第1導體層上，具有第2導體線；滿足下列(1)式。
D1<D2...(1)
其中，上述(1)式中，D1係沿著上述第2導體線橫切上述碰觸偵知器用配線體的第1既定剖面中，對應上述第1導體線的第1區域中的上述第1樹脂層的厚度，D2係上述第1既定剖面的上述第1區域中的上述第2樹脂層的厚度。
[2]上述技術中，上述D1的厚度係0.5~100μm(微米)，上述D2的厚度係30~500μm也可以。
[3]上述技術中，上述碰觸偵知器用配線體，更包括覆蓋上述第2導體層的第3樹脂層，更滿足下列(2)式也可以。
D3<D2...(2)
其中，上述(2)式中，D3係上述第1既定剖面的上述第1 區域中的上述第3樹脂層的厚度。
[4]上述技術中，更滿足下列(3)式也可以。
T1≦D2≦125T1...(3)
其中，上述(3)式中，T1係上述第1既定剖面中的上述第1導體線的厚度。
[5]上述技術中，上述第2樹脂層的相對介電常數是3.0~4.0也可以。
[6]上述技術中，上述第1導體線的上述第2導體線側的表面，是平坦的也可以。
[7]上述技術中，更滿足下列(4)式也可以。
｜H1-H2｜<T1/3...(4)
其中，上述(4)式中，H1係上述第1既定剖面的上述第1區域中的上述第2導體線的最大高度，H2係上述第1既定剖面中鄰接上述第1區域，具有與上述第1區域相等寬度之第2區域中的上述第2導體線的最小高度，T1係上述第1既定剖面中的上述第1導體線的厚度。
[8]上述技術中，上述第1導體線具有往上述第2導體層側寬度變窄的錐形，上述第2導體線具有往遠離上述第1導體層側寬度變窄的錐形也可以。
[9]上述技術中，上述第1導體線中，與對向上述第2導線的第1對向面相反側的面的表面粗糙度，比上述第1對向面的表面粗糙度粗糙，上述第2導體線中，對向上述第1導體線的第2對向面的表面粗糙度，相較於與上述第2對向面相反側的面的表面粗糙度，更粗糙也可以。
[10]上述技術中，上述第1導體層，具有第1電極圖案，由上述第1導體線構成沿著既定方向延伸；上述第2導體層，具有第2電極圖案，由上述第2導體線構成，沿著與上述既定方向交叉的方向延伸；上述第1電極圖案的寬度是3~10mm(毫米)，上述第2電極圖案的寬度是0.5~2mm也可以。
[11]上述技術中，在平面視圖中，上述第1電極圖案與上述第2電極圖案重疊的一個重疊區域的面積是3~12mm2(平方毫米)也可以。
[12]根據本發明的碰觸偵知器用配線基板，包括上述碰觸偵知器用配線體、及支持上述碰觸偵知器用配線體的支持體。
[13]根據本發明的碰觸偵知器，包括上述技術中的碰觸偵知器用配線基板。
根據本發明，碰觸偵知器用配線體滿足上述(1)式。因此，第2樹脂層的厚度比第1樹脂層厚，因為第1導體線與第2導體線之間的距離變長，即使具有2層的導電層，也可以防止電氣特性惡化，可以正常作用為具有2層以上的導電層之碰觸偵知器用配線體。又，因為第1樹脂層變得比第2樹脂層薄，可以薄化碰觸偵知器用配線體全體的膜厚。
1‧‧‧碰觸偵知器用配線基板
2‧‧‧基板
21‧‧‧主面
3‧‧‧碰觸偵知器用配線體
31‧‧‧第1樹脂層
311‧‧‧支持部
312‧‧‧平狀部
32‧‧‧第1導體層
320、320B‧‧‧第1電極圖案
320a‧‧‧邊部
321、322‧‧‧第1導體線
322B‧‧‧第1導體線
323、323B‧‧‧側部
3231‧‧‧第1部分
3232‧‧‧第2部分
3233、3233B‧‧‧平坦部
324‧‧‧引線配線
325‧‧‧上面(第1對向面)
325B‧‧‧上面
3251、3251B‧‧‧平坦部
326、326B‧‧‧下面
33‧‧‧第2樹脂層
331‧‧‧主部
332‧‧‧凸部
34‧‧‧第2導體層
340、340B‧‧‧第2電極圖案
340a‧‧‧邊部
341、342‧‧‧第2導體線
343‧‧‧側部
3431‧‧‧第1部分
3432‧‧‧第2部分
3433‧‧‧平坦部
344‧‧‧引線配線
345‧‧‧上面
3451‧‧‧平坦部
346‧‧‧下面(第2對向面)
35‧‧‧第3樹脂層
4‧‧‧第1凹版
41‧‧‧凹部
411‧‧‧脫模層
45‧‧‧第2凹版
46‧‧‧凹部
461‧‧‧脫模層
5‧‧‧導電性材料
51‧‧‧凹凸形狀
55‧‧‧導電性材料
6‧‧‧接合材料
7‧‧‧中間體
71‧‧‧樹脂材料
81‧‧‧矩形部
82‧‧‧連結部
83‧‧‧矩形部
84‧‧‧連結部
[第1圖]係顯示本發明實施例中的碰觸偵知器用配線基板之立體圖；[第2圖]係顯示本發明實施例中的第1導體層之平面圖； [第3圖]係顯示本發明實施例中的第2導體層之平面圖；[第4圖]係沿著第3圖的IV-IV線之剖面圖；[第5圖]係沿著第3圖的V-V線之剖面圖；[第6圖]係沿著第3圖的VI-VI線之剖面圖；[第7圖]係用以說明本發明實施例中的第1導體層之圖；[第8圖]係對應顯示本發明實施例中的變形例的第4圖之剖面圖；[第9(A)~9(J)圖]係用以說明本發明中的碰觸偵知器用配線基板的製造方法之剖面圖；以及[第10圖]係顯示本發明實施例中的第1及第2導體層的變形例之平面圖。
以下，根據圖面，說明本發明的實施例。
第1圖係顯示本實施例中的碰觸偵知器用配線基板之立體圖，第2圖係顯示本實施例中的第1導體層之平面圖，第3圖係顯示本實施例中的第2導體層之平面圖，第4圖係沿著第3圖的IV-IV線之剖面圖，第5圖係沿著第3圖的V-V線之剖面圖，第6圖係沿著第3圖的VI-VI線之剖面圖，以及第7圖係用以說明本發明實施例中的第1導體層之圖。
本實施例中的碰觸偵知器用配線基板1，係用作靜電容量方式等的碰觸面板或碰觸板等的碰觸偵知器中的電極基材，如第1~3圖所示，包括，基板2、及配置在上述基板2上的碰觸偵知器用配線體3。碰觸偵知器用配線體3，包括第1樹脂層31、第1導體層32、第2樹脂層33、第2導體層34。 如此的碰觸偵知器用配線基板1，例如，與顯示裝置(不圖示)等組合，用作具有檢出碰觸位置的功能之輸入裝置。作為顯示裝置，不特別限定，可以使用液晶顯示器、有機EL(電激發光)顯示器、電子紙等。
作為使用碰觸偵知器用配線基板1的碰觸偵知器，有投影型的靜電容量方式的碰觸偵知器。如此的碰觸偵知器中，互相對向配置的第1及第2導體層32、34中的一方，用作檢出電極，另一方用作驅動電極，此2個電極之間從外部電路(不圖示)周期性施加既定電壓。於是，例如，操作者的手指(外部導體)接近上述碰觸偵知器時，此外部導體與碰觸偵知器之間形成電容器(靜電容量)，2個電極間的電氣狀態變化。電容器，根據2個電極間的電性變化，可以檢出操作者的操作位置。
基板2，如第1圖所示，具有矩形，係可透過可見光的同時支持第1碰觸偵知器用配線體3的透明基板。作為構成如此的基板2的材料，可以例示甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醯亞胺樹脂(PI)、聚醚酰亞胺(PEI)、聚碳酸酯(PC)、聚二醚酮(PEEK)、液晶聚合物(LCP)、環烯烴聚合物(COP)、矽氧樹脂(SI)、丙烯樹脂(acrylic resin)、酚樹脂(Phenol resin)、環氧樹脂(epoxy resin)、玻璃等的。此基板2中，形成易接合層或光學調整層也可以。基板2的形狀不特別限定。本實施例中的基板2相當於本發明的支持體的一範例。
第1樹脂層31，可透過可見光的同時係用以互相接合固定基板2與第1導體層32的層，如第4或5圖所示，設置於基板2中的主面21上全體。作為構成第1樹脂層31的 接合材料，可以例示環氧樹脂、丙烯樹脂、聚酯樹脂(polyester resin)、聚氨甲酸酯樹脂(urethane resin)、乙烯基樹脂(vinyl resin)、矽氧樹脂、酚樹脂、聚醯亞胺樹脂等的UV硬化性樹脂、熱硬化性樹脂或熱可塑性樹脂等。此第1樹脂層31，如第4圖所示，具有支持部311，支持第1導體線322(後述)；以及平狀部312，設置在上述支持部311與基板2的主面21之間，覆蓋上述主面21；這些支持部311及平狀部312一體形成。
本實施例中的支持部311的剖面形狀(對於第1導體線322(後述)的延伸方向的剖面形狀)，如第4圖所示，成為往遠離基板2的方向(第2圖中+Z方向)寬度變窄的形狀。又，支持部311與第1導體線322間的邊界，成為對應上述第1導體線322的下面326的凹凸形狀之凹凸形狀。如此的凹凸形狀，係根據第1導體線322的下面326的表面粗糙度形成。又，如第6圖所示，沿著第1導體線322的延伸方向的剖面中支持部311與上述第1導體線322間的邊界，也成為對應上述第1導體線322的下面326的凹凸形狀之凹凸形狀。關於下面326的表面粗糙度，之後詳細說明。第4及6圖中，為了容易了解說明本實施例中的碰觸偵知器用配線體3，誇張顯示支持部311與第1導體線322間的邊界的凹凸形狀。未特別圖示，支持部與後述的第1導體線321間的邊界，也和支持部與第1導體線322間的邊界相同，成為對應上述第1導體線321的下面的凹凸形狀之凹凸形狀。
平狀部312，以大致均等的高度(厚度)設置在基板2的主面21全體上。此平狀部312的厚度，不特別限定，可以 設定在5μm(微米)~100μm的範圍內。藉由設置支持部311在平狀部312上，支持部311中第1樹脂層31突出，上述支持部311中第1導體線322的剛性提高。
從第1樹脂層31省略平狀部312，只以支持部311構成第1樹脂層31也可以。在此情況下，因為碰觸偵知器用配線基板1全體的透光性提高，可以提高組裝上述碰觸偵知器用配線基板1的碰觸面板等之中的視認性。
第1導體層32，例如，作用為碰觸偵知器中的電極、與上述電極電性連接的引線配線的層。如此的第1導體層32，以導電性材料(導電性粒子)與黏合樹脂構成。作為導電性材料，可以舉出銀或銅、鎳、錫、鉍、鋅、銦、鈀等的金屬材料、或石墨、碳黑(爐黑、乙炔黑、超導電碳黑)、碳奈米管、碳奈米纖維等的碳基材料。又，作為導電性材料，使用金屬鹽也可以，作為金屬鹽，可以舉出上述金屬的鹽。
作為此第1導體層32內包含的導電性粒子，根據形成的導體圖案(第1導體線321、322或引線配線324(都後述))的寬度，例如可以使用具有0.5μm(微米)~2μm的直徑(0.5μm≦≦2μm)之導電性粒子。又，根據使第1導體層32中的電阻值穩定的觀點來看，理想是使用具有形成的導體圖型的寬度一半以下的平均直徑之導電性粒子。又，作為導電性粒子，理想是使用根據BET法測量的比表面積20m2/g(米平方/克)以上的粒子。
作為第1導體層32，要求一定以下的較小電阻值時，理想是使用金屬材料作為導電性材料，作為第1導體層 32，容許一定以上的較大電阻值時，作為導電性材料可以使用碳基材料。又，使用碳基材料的話，根據改善網目膜的霧度或全反射率的觀點來看是理想的。
又，本實施例中，為了授予透光性，第1電極圖案320形成網目狀。因此，可以使用銀、銅、鎳的金屬材料、或上述碳基材料等導電性優異但不透明的導電性材料(不透明的金屬材料及不透明的碳基材料)作為第1電極圖案320的構成材料。
作為黏合樹脂，可以例示丙烯樹脂、聚酯樹脂、環氧樹脂、乙烯基樹脂、聚氨甲酸酯樹脂、酚樹脂、聚醯亞胺樹脂、矽氧樹脂、氟樹脂等。
如此的第1導體層32，係塗佈導電性膏材再硬化而形成。作為如此的導電性膏材的具體例，可以例示上述導電性材料及黏合樹脂混合水或溶劑及各種添加劑而構成的導電性膏材。作為導電性膏材內包含的溶劑，可以例示α-松油醇(terpineol)、二甘醇丁醚醋酸酯(Butyl carbitol acetate)、二甘醇一丁醚(butylcarbitol)、1-癸醇(1-Decanol)、丁氧基乙醇(butyl cellosolve)、二乙二醇單乙醚醋酸酯(Diethylene Glycol Monoethyl Ether Acetate)、十四烷(tetradecane)等。又，從構成第1導體層32的材料省略黏合樹脂也可以。
本實施例中的第1導體層32，如第2圖所示，具有沿著第2圖中的Y軸方向延伸的第1電極圖案320、以及連接至上述第1電極圖案320的引線配線324。本實施例中，沿著第2圖中的X軸方向3個第1電極圖案320以大致等間隔配置。又，第1導體層32內包含的第1電極圖案320的數量及 配置，不特別限定於上述。
第1電極圖案320，具有第1導體線321、322。第1導體線321，如第2圖所示，直線狀延伸的同時，第1導體線322也直線狀延伸。又，複數的第1導體線321分別大致等間隔平行排列配置的同時，複數第1導體線322也分別大致等間隔平行排列配置。本實施例中，第1導體線321與第1導體線322互相垂直，因此第1電極圖案320成為具有矩形的格子形狀的網目狀。
本實施例中第1導體線321、322，對第1電極圖案320的延伸方向(第2圖中的Y軸方向)分別45度傾斜配置，但這些以其他的角度(例如30度)分別傾斜配置也可以。又，第1導體線321、322中的一方對第1電極圖案320的延伸方向(第2圖中的Y軸方向)90度傾斜配置也可以。
又，第1導體線321、322以曲線狀、馬蹄狀、鋸齒線狀等延伸也可以，混合直線狀的部分與曲線狀、馬蹄狀、鋸齒線狀等的部分也可以。又本實施例中，第1導體線321、322具有互相大致相等的線寬，但第1導體線321、322具有互不相同的線寬也可以。
作為如此的第1導體線321、322的寬度，理想是50nm(毫微米)~1000μm(微米)，更理想是500nm~150μm，又更理想是1μm~10μm，又再更理想是1μm~5μm。
又，第1導體線321、322構成的網目的各網目形狀，不特別限定。例如，各網目形狀也可以是以下幾何學圖案。即，第1導體線321、322構成的網目的網目形狀，可以是正三 角形、等腰三角形、直角三角形等的三角形，也可以是平行四邊形、梯形等的四角形。又，網目的形狀也可以是六角形、八角形、十二角形、二十角形等的n角形或圓、橢圓、星形等。
本實施例中，第1電極圖案320中與引線配線324連接的邊部320a，比第1導體線321、322寬。不特別圖示，但第1電極圖案320也可以具有圍繞第1導體線321、322形成的網目形狀的至少一部分的框部。又，本實施例中的第1導體線321、322、邊部320a及引線配線324一體形成，不特別圖示，但邊部320a及引線配線324也具有網目形狀。
又，引線配線324與第1電極圖案320分別個別形成也可以。在此情況下，引線配線324與第1電極圖案320以分別不同的方法形成也可以。又，邊部320a及引線配線324也可以是線狀填實圖案。附帶一提，省略邊部320a也可以，在此情況下，第1電極圖案320與引線配線324直接連接。
如第4圖所示，第1導體線322的側部323與第1樹脂層31中的支持部311的側部，平滑連續形成1個平面。第1導體線322具有往第2導體層34側寬度變窄的錐形，因此第1導體線322的剖面形狀(對於第1導體線322的延伸方向之剖面形狀)成為大致梯形。又，第1導體線322的剖面形狀，不特別限定於此。例如，第1導體線322的剖面形狀是正方形、長方形、三角形等也可以。又，本實施例中，第1導體線321也成為與第1導體線322同樣的剖面形狀。
本實施例中的第1導體線322中的第4圖中的上面325(第1對向面)，成為平坦狀的面(平滑面)。因此，可以抑 制從外部入射的光亂反射。此上面325，在第1導體線322中位於與下面326相反側(即，第1導體線322中位於第2導體線342(後述)側)。上面325，對基板2的主面21(第1樹脂層31的平狀部312的上面)實質上平行。
上面325，在第1導體線322的橫向方向的剖面中，包含平坦部3251。此平坦部3251，在第1導體線322的橫向方向的剖面中，係存在於上面325的直線狀的部分(即，曲率半徑極大的部分)，平面度為0.5μm以下。平面度，係以JIS法(JIS B0621(1984))定義。
本實施例中，平坦部3251的平面度使用利用雷射光的非接觸式的測量方法求出。具體而言，對測量對象(具體而言，上面325)照射帶狀的雷射光，使其反射光在攝影元件(例如，2次元CMOS)上成像測量平面度。作為平面度的算出方法，使用的方法係在對象的平面中，分別設定通過儘量遠離的3點之平面，算出那些偏差的最大值作為平面度(最大接觸式平面度)。又，平面度的測量方法或算出方法，不特別限定於上述。例如，平面度的測量方法，可以是使用度盤規(dial gauge)等的接觸式的測量方法。又，平面度的算出方法，也可以是算出成為對象的平面以平行的平面夾住時形成的間隙值作為平面度的方法(最大傾斜式平面度)。
本實施例的平坦部3251，在上面325的大致全體上形成。又，不特別限定於上述，平坦部3251在上面325的一部分中形成也可以。此時，例如平坦部在不包含上面的兩端的區域中形成也可以。平坦部在上面的一部分中形成時，上述 平坦部的寬度，相對於上面的寬度至少是1/2以上。
側部323位於上面325和下面326之間。此側部323，以第1部分3231與上面325相連，以第2部分3232與下面326相連。本實施例的第1導體線322，因為具有往第2導體層34側寬度變窄的錐形，在第1導體線322的橫向方向的剖面中，第2部分3232比第1部分3231位於更外側。本實施例的側部323，在第1導體線322的橫向方向的剖面中，成為通過此第1及第2部分3231、3232的假想直線(不圖示)上延伸的面。
又，側部323的形狀不特別限定於上述。例如，側部323，在第1導體線322的橫向方向的剖面中，也可以是向外側突出的圓弧形狀。此時，側部323存在於比通過第1及第2部分3231、3232的假想直線更外側。即，作為側部323的形狀，在第1導體線322的橫向方向的剖面中，上述側部323的一部分，理想是不存在於比通過第1及第2部分3231、3232的假想直線更內側的形狀。例如，第1導體線的橫向方向的剖面中，第1導體線的外形，隨著接近樹脂層逐漸變大的情況下，上述側部向內側突入的圓弧形狀(即，第1導體線底邊變寬的形狀)時，入射碰觸偵知器用配線體的光恐怕變得容易亂反射。
本實施例的側部323，在第1導體線322的橫向方向的剖面中，包含平坦部3233。平坦部3233，在第1導體線322的橫向方向的剖面中，係側部323中存在的直線狀的部分(即，曲率半徑極大的部分)，平面度為0.5μm以下。平坦部3233的平面度，可以根據與平坦部3251的平面度的測量方法同樣的方法測量。本實施例中，側部323大致全體上形成平坦部 3233。又，平坦部3233的形狀，不特別限定於上述，在側部323的一部分中形成也可以。
根據抑制側部323中的光亂反射之觀點來看，側部323與上面325之間的角度θ1理想是90°~170°(90°≦θ1≦170°)，更理想是90°~120°(90°≦θ1≦120°)。本實施例中，一第1導體線322中，一方的側部323與上面325之間的角度，及另一方的側部323與上面325之間的角度實質上是相同的。又，一第1導體線322中，一方的側部323與上面325之間的角度，及另一方的側部323與上面325之間的角度是不同的角度也可以。
本實施例中的第1導體線322在第4圖中的下面326的表面粗糙度，根據堅固固定第1導體線322至第1樹脂層31的觀點來看，理想是比上述第1導體線322在第4圖中的上面325(第1對向面)的表面粗糙度更粗糙。本實施例中，因為上面325包含平坦部3251，上述第1導體線322中的表面粗糙度的相對關係(下面326的表面粗糙度對上面325的表面粗糙度的相對粗糙關係)成立。具體而言，相對於第1導體線322的下面326的表面粗糙度Ra是0.1μm~3μm左右，上面325的表面粗糙度Ra理想是0.001μm~1.0μm左右。第1導體線322的下面326的表面粗糙度Ra更理想是0.1μm~0.5μm，上面325的表面粗糙度Ra又更理想是0.001μm~0.3μm。又，下面326的表面粗糙度與上面325的表面粗糙度之比(相對於下面326的表面粗糙度之上面325的表面粗糙度)理想是未滿0.01~1，更理想是未滿0.1~1。又，上面325的表面粗糙度，理想是第1導體線322的寬度(最大寬度)的5分之一以下。又， 如此的表面粗糙度，可以根據JIS法(JIS B0601(2013年3月21日訂正))測量。上面325及下面326的表面粗糙度的測量，沿著第1導體線322的橫向方向執行也可以，沿著上述第1導體線322的延伸方向執行也可以。
附帶一提，如JIS法(JIS B0601(2013年3月21日訂正))所記載，在此所謂的「表面粗糙度Ra」，係指「算術平均粗糙度Ra」。此所謂「算術平均粗糙度Ra」，係指從剖面曲線截斷長波長成分(起伏成分)求得的粗糙度參數。從剖面曲線分離起伏成分，係根據求得形體需要的測量條件(例如對象物的尺寸等)執行。
又，本實施例中，側部323包含平坦部3233。因此，下面326的表面粗糙度，相對於側部323的表面粗糙度，相對變粗糙。具體而言，相對於第1導體線322的下面326的表面粗糙度Ra是0.1μm~3μm左右，側部323的表面粗糙度Ra理想是0.001μm~1.0μm左右。又，側部323的表面粗糙度Ra更理想是0.001μm~0.3μm。側部323的表面粗糙度的測量，沿著第1導體線322的橫向方向執行也可以，沿著上述第1導體線322的延伸方向執行也可以。
本實施例中，因為下面326的表面粗糙度相對於上面325的表面粗糙度及側部323的表面粗糙度相對粗糙，除了上述下面326之外的其他面(即，上面325及側部323)側中的碰觸偵知器用配線體3的亂反射率，相對於上述下面326側中的碰觸偵知器用配線體3的亂反射率相對變小。根據力圖提高碰觸偵知器用配線體3的視認性的觀點來看，此下面326側 中的碰觸偵知器用配線體3的亂反射率與除了上述下面326之外的其他面側中的碰觸偵知器用配線體3的亂反射率的比(相對於下面326側中的碰觸偵知器用配線體3的亂反射率之除了上述下面326之外的其他面側中的碰觸偵知器用配線體3的亂反射率)，理想是未滿0.1~1，更理想是未滿0.3~1。
關於具有下面與除了上述下面之外的其他面之表面粗糙度的相對關係之第1導體線的形狀的一範例，一邊參照第7圖，一邊說明。如第7圖所示，以導電性粒子M與黏合樹脂B構成的第1導體線322B中，複數的導電性粒子M在黏合樹脂B中分散。此第1導體線322B的下面326B，在橫向方向的剖面中，導電性粒子M的一部分從黏合樹脂B中突出。 因此，下面326B具有凹凸形狀。另一方面，上面325B及側部323B中，黏合樹脂B進入導電性粒子M之間，上述黏合樹脂B覆蓋導電性粒子M。因此，上面325B包含平坦部3251B，側部323B包含平坦部3233B。又，上面325B及側部323B中，由於以黏合樹脂B覆蓋導電性粒子M，提高相鄰的第1導體線322B之間的電性絕緣性，抑制遷移的發生。
第7圖所示的形態中，下面326B中導電性粒子M的一部分從黏合樹脂B中突出的同時，上面325B中以上述黏合樹脂B覆蓋導電性粒子M。因此，下面326B的表面粗糙度相對於上面325B的表面粗糙度，相對變粗糙。同樣地，側部323B中以上述黏合樹脂B覆蓋導電性粒子M。因此，下面326B的表面粗糙度相對於側部323B的表面粗糙度，相對變粗糙。又，具有上面及下面(側部)的表面粗糙度的相對關係之第1導 體線的形態，不特別限定於上述。
又，第1導體線321，與第1導體線322只有延伸方向不同，因為基本構成與第1導體線322相同，省略詳細的說明。
本實施例中的第2樹脂層33，如第4~6圖所示，可透過可見光，以環氧樹脂、丙烯樹脂、聚酯樹脂(polyester resin)、聚氨甲酸酯樹脂(urethane resin)、乙烯基樹脂(vinyl resin)、矽氧樹脂、酚樹脂、聚醯亞胺樹脂等的UV硬化性樹脂、熱硬化性樹脂或熱可塑性樹脂等構成。
第2樹脂層33，如第4~6圖所示，介於第1及第2導體層32、34之間，這些第1及第2導體層32、34電性絕緣。此第2樹脂層33，包括主部331，具有大致平坦狀的上面，對應基板2的主面21全體設置；以及凸部332，設置在上述主部331上。主部331，如第4或5圖所示，覆蓋第1導體層32、以及除了與第1電極圖案320接合的面之外的第1樹脂層31。凸部332，往第2導體層34側(+Z方向側)突出，對應第2導體層34的第2電極圖案340形成。本實施例中的主部331及凸部332一體構成。
本實施例中的凸部332的剖面形狀(對於第2導體線342的延伸方向的剖面形狀)，如第6圖所示，往遠離基板2的方向(第6圖中的+Z方向)成為寬度變窄的形狀。藉由凸部332設置在主部331上，上述凸部332中第2導體線342的剛性提高。又，凸部332與第2導體線342之間的邊界，成為對應上述第2導體線342的下面346的凹凸形狀之凹凸形狀。如 此的凹凸形狀，根據第2導體線342的下面346的表面粗糙度形成。又，如第4圖所示，又，沿著第2導體線342的延伸方向之剖面中的凸部332與第2導體線342的邊界，也成為對應上述第2導體線342的下面346的凹凸形狀之凹凸形狀。關於下面346的表面粗糙度，之後詳細說明。第4及6圖中，為了容易了解說明本實施例中的碰觸偵知器用配線體3，誇張顯示凸部332與第2導體線342之間的邊界的凹凸形狀。不特別圖示，但凸部與第2導體線341(後述)之間的邊界，也和凸部332與第2導體線342之間的邊界相同，成為對應上述第2導體線341的下面的凹凸形狀之凹凸形狀。
第2樹脂層33的相對介電常數，根據薄層化且接合性提高的觀點來看，理想是3.0~4.0，更理想是3.2~3.5。第2樹脂層33的相對介電常數過大時，第1電極圖案320與第2電極圖案340之間靜電結合變強，感度降低。此感度降低，藉由增厚第2樹脂層33可以彌補，但厚膜化的話，透光性降低。又，第2樹脂層33的相對介電常數過小時，不能維持接合強度，在第2樹脂層33與第1樹脂層31容易剝離。這是因為，降低構成第2樹脂層的樹脂材料的介電常數的情況下，一般變得減少樹脂的極性基，於是與第1樹脂層31之間的分子間作用力變弱。又，所謂相對介電常數，係測量頻率為1MHz(百萬赫茲)，測量溫度為23℃，以阻抗法測量的值。
第2導體層34，例如，作用為碰觸偵知器中的電極、與上述電極電性連接的引線配線的層。如此的第2導體層34，與構成上述第1導體層32的材料以相同的材料構成。此 第2導體層34，以塗佈導電性膏材再硬化而形成。本實施例中的第2導體層34，如第3圖所示，具有沿著第3圖中的X軸方向延伸的第2電極圖案340、及連接至上述第2電極圖案340的引線配線344。本實施例中，沿著第3圖中的Y軸方向以大致等間隔配置4個第2電極圖案340。本實施例中，第3圖中的+Y方向側配置的2個第2電極圖案340，在第3圖中的-X方向側與引線配線344連接，第3圖中的-Y方向側配置的2個第2電極圖案340，在第3圖中的+X方向側與引線配線344連接。又，第2導體層34內包含的第2電極圖案的數量及配置，不特別限定於上述。
第2電極圖案340，具有第2導體線341、342。第2導體線341，如第3圖所示，直線狀延伸的同時，第2導體線342也直線狀延伸。又，複數的第2導體線341分別大致等間隔平行排列配置的同時，複數的第2導體線342也分別大致等間隔平行排列配置。本實施例中，第2導體線341與第2導體線342互相垂直，因此第2電極圖案340成為具有矩形的格子形狀的網目狀。又，本實施例中，構成第1電極圖案320的網目形狀之單位格子、與構成第2電極圖案340的網目形狀之單位格子，成為互相大致相等的形狀，但不限定於此。
本實施例中第2導體線341、342分別對第2電極圖案340的延伸方向(第3圖中的X軸方向)45度傾斜配置，但這些分別以其他的角度(例如30度)傾斜配置也可以。又，第2導體線341、342中的一方對第2電極圖案340的延伸方向(第3圖中的X軸方向)90度傾斜配置也可以。
又，第2導體線341、342延伸為曲線狀、馬蹄狀、鋸齒線狀等也可以，混合直線狀的部分與曲線狀、馬蹄狀、鋸齒線狀等的部分也可以。又，第2導體線341與第2導體線342交叉的角度不特別限定為直角。本實施例中，第2導體線341、342具有互相大致相等的線寬，但第2導體線341、342具有互不相同的線寬也可以。
作為如此的第2導體線341、342的寬度，與第1導體線321、322的寬度相同，理想是50nm(毫微米)~1000μm(微米)，更理想是500nm~150μm，又更理想是1μm~10μm，又再更理想是1μm~5μm。
又，第2導體線341、342構成的網目的各網目形狀，不特別限定。例如，各網目的形狀也可以是以下的幾何學圖案。即。第2導體線341、342構成的網目的網目形狀可以是正三角形、等腰三角形、直角三角形等的三角形，也可以是平行四邊形、梯形等的四角形。又，網目的形狀，也可以是六角形、八角形、十二角形、二十角形等的n角形或圓、橢圓、星形等。
本實施例中，第2電極圖案340中與引線配線344連接的邊部340a比第2導體線341、342更寬。不特別圖示，但第2電極圖案340也可以具有圍繞第2導體線341、342形成的網目狀的至少一部分之框部。本實施例中的第2導體線341、342、邊部340a及引線配線344一體形成，不特別圖示，但邊部340a及引線配線344也具有網目狀。
又，各自分別形成引線配線344與第2電極圖案340也可以。在此情況下，引線配線344與第2電極圖案340 以分別不同的方法形成也可以。又，邊部340a及引線配線344也可以是線狀的填實圖案。附帶一提，省略邊部340a也可以。在此情況下，第2電極圖案340與引線配線344直接連接。
又，本實施例中，最好第1電極圖案320的寬度W1(參照第3圖)是3mm(毫米)~10mm，且第2電極圖案340的寬度W2(參照第3圖)是0.5mm(毫米)~2mm。一般，利用作為碰觸偵知器時，窄化作用為上層的檢出電極之第2電極圖案的寬度W2時，增加邊緣電場強度，提高檢出感度的同時，因為配線電阻變高，應答速度下降。由於使作用為驅動電極的第1電極圖案320的寬度W1為相對變寬的上述範圍，使第2電極圖案340的寬度W2為可以確保充分的檢出感度的上述範圍。又，由於第2電極圖案340的寬度W2為上述第圍，可以更降低配線的電阻(片電阻為40Ω/□以下)。因此，由於第1電極圖案320的寬度W1為3mm(毫米)~10mm，且第2電極圖案340的寬度W2(參照第3圖)是0.5mm(毫米)~2mm，成為檢出感度與應答更優異的碰觸偵知器。
又，本實施例中，平面視圖中，第1電極圖案320與第2電極圖案重疊的1個重疊區域S1(參照第3圖)的面積，即W1×W2理想是3mm2(平方毫米)~12mm2。以此範圍，利用作為碰觸偵知器的情況下，提高與邊緣電場強度和配線的電阻之間的平衡，成為檢出感度與應答更優異的碰觸偵知器。
如第6圖所示，第2導體線342的側部343與第2樹脂層33中的凸部332的側部，平滑連續形成1個平面。第2導體線342具有往遠離第1導體層32側(圖6中+Z方向側) 寬度變窄的錐形，因此第2導體線342的剖面形狀(對於第2導體線342的延伸方向之剖面形狀)為大致梯形。又，第2導體線342的剖面形狀，不特別限定於此。例如，第2導體線342的剖面形狀可以是正方形、長方形、三角形等。又，本實施例中，第2導體線341也成為與第2導體線342同樣的剖面形狀。
本實施例的第2導體線342中在第6圖中的上面345成為平坦狀的面(平滑面)。因此，可以抑制從外部入射的光亂反射。此上面345，位於第2導體線342中與下面346相反側。上面345，對基板2的主面(第1樹脂層31的平狀部312的上面或第2樹脂層33的主部331的上面)實質上為平行。
上面345，在第2導體線342的橫向方向的剖面中，包含平坦部3451。此平坦部3451，在第2導體線342的橫向方向的剖面中，係存在於上面345的直線狀部分(即，曲率半徑極大的部分)，平面度為0.5μm以下。此平坦部3451的平面度，可以根據與上述平坦部3251的平面度的測量方法同樣的方法測量。
本實施例的平坦部3451，在上述345的大致全體上形成。又，不特別限定於上述，平坦部3451，在上面345的一部分中形成也可以。在此情況下，例如，平坦部在不包含上面的兩端的區域中形成也可以。平坦部在上面的一部分中形成時，上述平坦部的寬度，相對於上面的寬度至少是1/2以上。
側部343位於上面345和下面346之間。此側部343，以第1部分3431與上面345相連，以第2部分3432與下面346相連。本實施例的第2導體線342，因為具有往遠離 第1導體層32側寬度變窄的錐形，在第2導體線342的橫向方向的剖面中，第2部分3432比第1部分3431位於更外側。側部343，在第2導體線342的橫向方向的剖面中，成為通過此第1及第2部分3431、3432的假想直線(不圖示)上延伸的面。
又，側部343的形狀不特別限定於上述。例如，側部343，在第2導體線342的橫向方向的剖面中，也可以是向外側突出的圓弧形狀。此時，側部343存在於比通過第1及第2部分3431、3432的假想直線更外側。即，作為側部343的形狀，在第2導體線342的橫向方向的剖面中，上述側部343的一部分，理想是不存在於比通過第1及第2部分3431、3432的假想直線更內側的形狀。例如，第2導體線的橫向方向的剖面中，第2導體線的外形，隨著接近樹脂層逐漸變大的情況下，是上述側部向內側突入的圓弧形狀(即，第2導體線底邊變寬的形狀)時，入射碰觸偵知器用配線體的光恐怕變得容易亂反射。
本實施例的側部343，在第2導體線342的橫向方向的剖面中，包含平坦部3433。平坦部3433，在第2導體線342的橫向方向的剖面中，成為直線狀的部分(即，曲率半徑極大的部分)，平面度為0.5μm以下。平坦部3433的平面度，可以根據與上述平坦部3251的平面度的測量方法同樣的方法測量。本實施例中，側部343大致全體上形成平坦部3433。又，平坦部3433的形狀，不特別限定於上述，在側部343的一部分中形成也可以。
根據抑制側部343中光亂反射之觀點來看，側部343與上面345之間的角度θ2理想是90°~170°(90°≦θ2≦ 170°)，更理想是90°~120°(90°≦θ2≦120°)。本實施例中，一第2導體線342中，一方的側部343與上面345之間的角度，及另一方的側部343與上面345之間的角度實質上是相同的。又，一第2導體線342中，一方的側部343與上面345之間的角度，及另一方的側部343與上面345之間的角度是不同的角度也可以。
本實施例中第1導體線322在第4圖中的上面325包含平坦部3251，第2導體線342在第6圖中的上面345包含平坦部3451，藉此可以更抑制從外部入射的光亂反射。又，本實施例中第2導體線342在第6圖中的上面346的表面粗糙度，根據堅固固定第2導體線342與第2樹脂層33的觀點來看，理想是比上述第2導體線342在第6圖中的下面345的表面粗糙度更粗糙。本實施例中，因為上面345包含平坦部3451，上述第2導體線342中的表面粗糙度的相對關係(下面346的表面粗糙度對上面345的表面粗糙度的相對粗糙關係)成立。具體而言，相對於第2導體線342的下面346(第2對向面)的表面粗糙度Ra是0.1μm~3μm左右，上面345的表面粗糙度Ra理想是0.001μm~1.0μm左右。又，第2導體線342的下面346的表面粗糙度Ra更理想是0.1μm~0.5μm，上面345的表面粗糙度Ra更理想是0.001μm~0.3μm。又，下面346的表面粗糙度與上面345的表面粗糙度之比(相對於下面346的表面粗糙度之上面345的表面粗糙度)理想是未滿0.01~1，更理想是未滿0.1~1。又，上面345的表面粗糙度，理想是第2導體線342的寬度(最大寬度)的5分之一以下。又，如此的表 面粗糙度，可以根據JIS法(JIS B0601(2013年3月21日訂正))測量。上面345及下面346的表面粗糙度的測量，沿著第2導體線342的橫向方向執行也可以，沿著上述第2導體線342的延伸方向執行也可以。
又，本實施例中，側部343包含平坦部3433。因此，下面346的表面粗糙度，相對於側部343的表面粗糙度，相對變粗糙。具體而言，相對於第2導體線342的下面346的表面粗糙度Ra是0.1μm~3μm左右，側部343的表面粗糙度Ra理想是0.001μm~1.0μm左右。又，側部343的表面粗糙度Ra更理想是0.001μm~0.3μm。側部343的表面粗糙度的測量，沿著第2導體線342的橫向方向執行也可以，沿著上述第2導體線342的延伸方向執行也可以。
本實施例中，因為下面346的表面粗糙度相對於上面345的表面粗糙度及側部343的表面粗糙度相對粗糙，除了上述下面346之外的其他面(即，上面345及側部343)側中的碰觸偵知器用配線體3的亂反射率，相對於上述下面346側中的碰觸偵知器用配線體3的亂反射率相對變小。此下面346側中的碰觸偵知器用配線體3的亂反射率與除了下面346之外的其他面側中的碰觸偵知器用配線體3的亂反射率的比(相對於下面346側中的碰觸偵知器用配線體3的亂反射率之除了上述下面346之外的其他面側中的碰觸偵知器用配線體3的亂反射率)，根據力圖提高碰觸偵知器用配線體3的視認性的觀點來看，理想是未滿0.1~1，更理想是未滿0.3~1。
作為具有上述下面與除了上述下面之外的其他面 之表面粗糙度的相對關係之第2導體線的形狀的一範例，可以舉出與第7圖所示的第1導體線322B同樣的形狀。即，第2導體線的下面，在上述第2導體線的橫向方向的剖面中，導電性粒子的一部分從黏合樹脂中突出。另一方面，第2導體線的上面及側部，在上述第2導體線的橫向方向的剖面中，黏合樹脂進入導電性粒子之間，上述黏合樹脂覆蓋導電性粒子。此時，下面具有凹凸形狀，上面包含平坦部。因此，第2導體線的下面的表面粗糙度相對於上述第2導體線的上面的表面粗糙度變得相對粗糙。又，本例中，第2導體線的側部，也包含平坦部。因此，第2導體線的下面的表面粗糙度相對於上述第2導體線的側部的表面粗糙度變得相對粗糙。
又，第2導體線341，因為與第2導體線342只有延伸方向不同，基本的構成與第2導體線342相同，省略詳細的說明。
又，如第4圖所示，本實施例中的碰觸偵知器用配線基板1，滿足下列(5)式~(9)式。
D1<D2...(5)
D1<D2≦50 D1...(6)
T1≦D2≦125 T1...(7)
｜H1-H2｜<T1/3...(8)
｜H3-H4｜<T2/3...(9)
其中，上述(5)式及(6)式中，D1，係沿著第2導體線342橫切碰觸偵知器用配線體3的第1既定剖面(相當於第4圖的剖面)中，對應第1導體線322的第1區域E1中的第1樹 脂層31的厚度(第1區域E1中的平均厚度)，D2係第1既定剖面的第1區域E1中的第2樹脂層33的厚度(第1區域E1中的平均厚度)。
又，上述(7)式中，T1係第1既定剖面中的第1導體線322的厚度(第1既定剖面中的平均厚度)。
又，上述(8)式，H1係第1既定剖面的第1區域E1中的第2導體線342的最大高度(離第1區域E1中的第1導體線322的平均面S的平均最大高度)，H2係第1既定剖面中鄰接第1區域E1且具有與第1區域E1相等寬度的第2區域E2中的第2導體線342的最小高度(離第2區域E2中的第1導體線322的平均面S的平均最小高度)。
又，上述(9)式，H3係橫切從第2導體層34露出的第2樹脂層之碰觸偵知器用配線體3的第2既定剖面(相當於第5圖的剖面)中，對應第1導體線322的第3區域E3中的第2樹脂層33的最大高度(離第3區域E3中的第1導體線322的平均面S的平均最大高度)，H4係第2既定剖面中鄰接第3區域E3且具有與第3區域E3相等寬度的第4區域E4中的第2樹脂層33的最小高度(離第4區域E4中的第1導體線322的平均面S的平均最小高度)，T2係第2既定剖面中第1導體線322的平均厚度(第2既定剖面中的平均厚度)。
又，所謂「第1區域E1中的平均厚度」，係遍及碰觸偵知器用配線基板1全體採取複數的第1既定剖面，再平均每一剖面求得的厚度。又，同樣地，所謂「第1既定剖面中的平均厚度」、「離第1區域E1中的第1導體線322的平均 面S的平均最大高度」、「離第2區域E2中的第1導體線322的平均面S的平均最小高度」，係遍及碰觸偵知器用配線基板1全體採取複數的第1既定剖面，再平均每一剖面求得的厚度、最大高度、最小高度。又，同樣地，「離第3區域E3中的第1導體線322的平均面S的最大高度」、「離第4區域E4中的第1導體線322的平均面S的最小高度」、「第2既定剖面中的平均厚度」，係遍及碰觸偵知器用配線基板1全體採取複數的第2既定剖面，再平均每一剖面求得的最大高度、最小高度、厚度。
又，碰觸偵知器用配線基板1，不一定滿足上述(6)式~(9)式也可以，但理想是碰觸偵知器用配線基板1滿足(6)式~(9)。
又，上述D1的厚度，理想是0.5μm~100μm，更理想是5μm~100μm，又更理想是50μm~100μm。上述D2的厚度，理想是30μm~500μm，更理想是100μm~400μm，又更理想是200μm~300μm。
又，上述T1及T2的厚度，理想是100nm~20μm，根據電阻值的下降及耐久性提高的觀點來看，理想是500nm~10μm，更理想是1μm~5μm。
H1及H2的高度，理想是30μm~500μm，更理想是100μm~400μm，又更理想是200μm~300μm。H3及H4的高度，理想是30μm~500μm，更理想是100μm~400μm，又更理想是200μm~300μm。在此情況下，使電氣特性提高的同時，可以維持碰觸偵知器用配線基板1的透光性。｜H1-H2｜，理想是 5μm以下，更理想是3μm以下，又更理想是1μm以下。｜H3-H4｜，理想是5μm以下，更理想是3μm以下，又更理想是1μm以下。在此情況下，可以更提高碰觸偵知器用配線體3的耐久性。
又，第1導體線321、322及第2導體線341、342的寬度，理想是100nm~100μm，根據碰觸偵知器用配線基板1的視認性提高的觀點來看，理想是500nm~10μm，更理想是1μm~5μm。又，加大引線配線324的寬度比第1電極圖案320的寬度大，但根據隨著降低電阻值提高透光性的觀點來看是理想的。同樣地，理想是加大引線配線344的寬度比第2電極圖案340的寬度大。
如第8圖所示，碰觸偵知器用配線基板1，在第2導體層34及第2樹脂層33上設置第3樹脂層35。第8圖，係對應顯示本發明實施例中的變形例的第4圖之剖面圖。
第3樹脂層35，係用以保護第2導體層34之類，接合碰觸偵知器用配線體3至顯示裝置或蓋板等的基材之層，如第8圖所示，設置在第2導體層34及第2樹脂層33的全體上。作為構成第3樹脂層35的材料，保護第2導體層34時，與第1樹脂層31或第2樹脂層33相同，可以例示環氧樹脂、丙烯樹脂、聚酯樹脂(polyester resin)、聚氨甲酸酯樹脂(urethane resin)、乙烯基樹脂(vinyl resin)、矽氧樹脂、酚樹脂、聚醯亞胺樹脂等的UV硬化性樹脂、熱硬化性樹脂或熱可塑性樹脂等。另一方面，接合碰觸偵知器用配線體3至顯示裝置或蓋板等的基材時，可以例示丙烯酸系或矽基的黏合劑等。
第8圖中的碰觸偵知器用配線基板1，滿足下列(10)式及(11)式。
D3<D2...(10)
D1≦D3<D2...(11)
其中，上述(10)式及(11)式中，D3係第1剖面的第1區域E1中的第3樹脂層35的厚度(第1區域E1中的平均厚度)。
又，碰觸偵知器用配線基板1，不一定滿足上述(10)式及(11)式也可以，但理想是碰觸偵知器用配線基板1滿足上述(10)式及(11)式。
又，上述D3的厚度，理想是5μm~100μm，更理想是10μm~70μm，又更理想是20μm~50μm。
其次，說明關於本實施例中的碰觸偵知器用配線基板1的製造方法。第9(A)~9(J)圖係用以說明本發明實施例中的碰觸偵知器用配線基板1的製造方法之剖面圖。
首先，如第9(A)圖所示，準備第1凹版4，形成對應第1導體層32中的第1電極圖案320及引線配線324的形狀之形狀的凹部41。作為構成第1凹版4的材料，可以例示鎳、矽、二氧化矽、有機二氧化矽類、玻璃碳、熱可塑性樹脂、光硬化性樹脂等。凹部41的寬度，理想是50nm(毫微米)~1000μm(微米)，更理想是500nm~150μm，又更理想是1μm~10μm，又再更理想是1μm~5μm。又，凹部41的深度，理想是50nm~3000μm，更理想是500nm~450μm，又更理想是500nm~10μm。本實施例中凹部41的剖面形狀，形成越往底 部寬度越窄的錐形。
凹部41的表面，為了提高脫模性，理想是形成石墨基材料、矽氧樹脂基材料、氟基材料、陶瓷基材料、鋁基材料等構成的脫模層411。
對上述第1凹版4的凹部41，填充導電性材料5。使用上述導電性膏材，作為如此的導電性材料5。
填充導電性材料5至第1凹版4的凹部41內的方法，例如可以舉出配量法、噴墨法、網版印刷法。或是可以舉出以狹縫塗佈法(slit coating)、棒式塗佈法(bar coating)、刀塗法(blade coating)、浸塗法(Dip Coating)、噴塗法(Spray Coating)、旋塗法(Spin Coating)塗佈後擦去或刮除、吸除、黏除、沖洗、吹除在凹部以外塗佈的導電性材料的方法。可以根據導電性材料的組成等、凹版的形狀等，適當靈活運用。
其次，如第9(B)圖所示，加熱第1凹版4的凹部41內填充的導電性材料5，因此形成構成第1導體層32的導體圖案(第1步驟)。導電性材料5的加熱條件，可以根據導電性材料的組成等適當設定。藉由此加熱處理，導電性材料5體積收縮。此時，除了導電性材料5的上面以外的外面，沿著凹部41的形狀形成。另一方面，因為在導體圖案的上面與外部空氣接觸的狀態下加熱，形成根據導電性材料5內包含的導電性粒子的形狀之凹凸形狀51(參照第9(B)圖的拉出圖)。又，導電性材料5的處理方法不限定於加熱。照射紅外線、紫外線、雷射光等的能量線也可以，只乾燥也可以。又，組合這2種以上的處理方法也可以。由於凹凸形狀51的存在，第1導體層 32與第1樹脂層31之間的接觸面積增大，可以更堅固固定第1導體層32至第1樹脂層31。
接著，如第9(C)圖所示，準備在基板2上大致均勻塗佈用以形成第1樹脂層31的接合材料6。使用構成上述第1樹脂層31的材料，作為如此的接合材料6。在基板2上塗佈接合材料6的方法，可以例示網版印刷法、噴塗法、棒式塗佈法、浸塗法、噴墨法等。
又，第1樹脂層31的形成方法不特別限定於上述。例如，形成第1導體層32的凹版4(第9(B)圖所示的狀態的凹版4)上塗佈接合材料6，接合材料6上配置基板2後，在凹版4上配置壓上上述基板2的狀態下，藉由硬化接合材料6，形成第1樹脂層31也可以。又，接合材料6的硬化方法根據接合材料6的組成等適當設定。例如，又，加熱也可以，只乾燥也可以，照射紅外線、紫外線、雷射光等的能量線也可以。又，組合這2種以上的處理方法也可以。使用熱可塑性材料作為接合材料6時，加熱等熔融後，可以藉由冷卻形成第1樹脂層31。
其次，如第9(D)圖所示，上述接合材料6進入第1凹版4的凹部41，配置基板2及接合材料6在第1凹版4上，對第1凹版4壓下基板2，使接合材料6硬化(第2步驟)。因此，形成第1樹脂層31的同時，經由上述第1樹脂層31，基板2與第1導體層32互相接合固定。
接著，如第9(E)圖所示，基板2、第1樹脂層31及第1導體層32從第1凹版4脫模，得到中間體7(第3步驟)。
接著，如第9(F)圖所示，準備第2凹版45，形成對 應第2導體層34中的第2電極圖案340及引線配線344的形狀之形狀的凹部46。作為構成第2凹版45的材料，可以舉出與上述第1凹版4同樣的材料。凹部46的寬度，也與上述凹部41同樣理想是50nm(毫微米)~1000μm(微米)，更理想是500nm~150μm，又更理想是1μm~10μm，又再更理想是1μm~5μm。又，第1凹部41的深度，理想是50nm~3000μm，更理想是500nm~450μm，又更理想是1μm~5μm。本實施例中凹部46的剖面形狀，形成越往底部寬度越窄的錐形。又，凹部46的表面，理想也是形成與凹部41的脫模層411同樣的脫模層461。
對上述第2凹版45的凹部46，填充導電性材料55。可以舉出與上述導電性材料5同樣的材料，作為導電性材料55。
填充導電性材料55至第2凹版45的凹部46內的方法，例如可以舉出配量法、噴墨法、網版印刷法。或是可以舉出以狹縫塗佈法(slit coating)、棒式塗佈法(bar coating)、刀塗法(blade coating)、浸塗法(Dip Coating)、噴塗法(Spray Coating)、旋塗法(Spin Coating)塗佈後擦去或刮除、吸除、黏除、沖洗、吹除在凹部以外塗佈的導電性材料的方法。可以根據導電性材料的組成等、凹版的形狀等，適當靈活運用。
其次，如第9(G)圖所示，加熱第2凹版45的凹部46內填充的導電性材料55，形成構成第2導體層34的導體圖案(第4步驟)。導電性材料55的加熱條件，可以根據導電性材料的組成等適當設定。藉由此加熱處理，導電性材料55體積收縮，除了導電性材料55的上面之外的外面，形成沿著凹部 46的形狀。另一方面，導體圖案的上面形成與凹凸形狀51同樣的凹凸形狀。又，導電性材料55的處理方法不限定於加熱，照射紅外線、紫外線、雷射光等的能量線也可以，只乾燥也可以。又，組合這2種以上的處理方法也可以。藉由在導體圖案中形成與凹凸形狀51同樣的凹凸形狀，第2導體層34與第2樹脂層33之間的接觸面積增大，可以更堅固固定第2導體層34至第2樹脂層33。
接著，如第9(H)圖所示，構成第2樹脂層33的樹脂材料71，塗佈在中間體7上(第5步驟)。作為如此的樹脂材料71，使用構成上述第2樹脂層33的材料。又，構成上述第2樹脂層33的材料的黏度，根據確保塗佈時的充份流動性來看，理想是1mPa．s~10,000mPa．s。又，硬化後的樹脂的儲存模數，根據第1導體層32或第2導體層34的耐久性的觀點來看，理想是106Pa(帕斯卡)以上、109Pa以下。塗佈樹脂材料71在中間體7上的方法，可以例示網版印刷法、噴塗法、棒式塗佈法、浸塗法、噴墨法等。
其次，如第9(I)圖所示，樹脂材料71進入第2凹版45的凹部46，配置中間體7及樹脂材料71在第2凹版45上，對第2凹版45壓下中間體7，使樹脂材料71硬化(第6步驟)。對第2凹版45壓下中間體7之際的加壓力，理想是0.001MPa~100MPa，更理想是0.01MPa~10MPa。又，上述加壓利用壓力滾輪可以實行。因此，形成第2樹脂層33的同時，經由上述第2樹脂層33，中間體7與第2導體層34互相接合固定。
於是，如第9(J)圖所示，上述中間體7、第2樹脂 層33及第2導體層34從第2凹版45脫模(第7步驟)，可以得到本實施例中具有碰觸偵知器用配線體3的碰觸偵知器用配線基板1。
又，上述第1~第7步驟的順序，不特別限定於上述。例如，第4步驟與第5步驟互相更換也可以，同時進行也可以。又，如第8圖所示，形成第3樹脂層35時，進行上述第1~第7步驟後，在上述第2樹脂層33及第2導體層34上塗佈構成第3樹脂層35的樹脂材料再硬化形成即可。又，第1樹脂層31、第2樹脂層33及第3樹脂層35的形成方法，不是硬化也可以。例如，使用熱可塑性樹脂作為第1樹脂層31、第2樹脂層33及第3樹脂層35時，熔融熱可塑性樹脂後，冷卻形成也可以。
其次，說明關於包括本實施例中的碰觸偵知器用配線體3之碰觸偵知器用配線基板1及其製造方法。
本實施例中的碰觸偵知器用配線基板1，滿足上述(5)式。因此，由於第1導體線322與第2導體線342之間的距離變長，可以防止電氣特性惡化，可以正常作用為具有2層以上的導電層的碰觸偵知器用配線體3。又，因為第1樹脂層31變得比第2樹脂層33薄，可以薄化碰觸偵知器用配線體3及碰觸偵知器用配線基板1全體的膜厚。尤其，如本實施例使用碰觸偵知器用配線基板1於碰觸偵知器時，手指等的接觸體接觸時，可以防止放出的電力線封閉在第1導體線322與第2導體線342之間，對接觸體適當反應。結果，檢出力提高。又，藉由薄化碰觸偵知器用配線體3全體的膜厚，透光性也提高。
本實施例中的碰觸偵知器用配線基板1，滿足上述(6)式。因此，由於可以防止增厚第2樹脂層33的厚度D2至必要以上，可以薄化碰觸偵知器用配線體3及碰觸偵知器用配線基板1全體的膜厚。
本實施例中的碰觸偵知器用配線基板1，滿足上述(7)式。第1樹脂層31的厚度D2，因為第1導體線322的厚度T1以上的厚度，可以防止電氣特性惡化。又，對於T1，因為可以防止增厚D2至必要以上，可以薄化碰觸偵知器用配線體3及碰觸偵知器用配線基板1全體的膜厚。
又，第7圖中的碰觸偵知器用配線基板1，滿足上述(10)式。因此，即使設置第3樹脂層35，也能夠薄化全體的膜厚。尤其碰觸面板中使用碰觸偵知器用配線基板1時，也可以使透光性提高。
本實施例中的碰觸偵知器用配線基板1的第1導體線322的第2導體線342側的表面(上面325)，包含平坦部3251。因此，第1導體線322與第2導體線342之間的距離能夠保持一定，電氣特性提高。
本實施例中的碰觸偵知器用配線基板1的製造方法，首先，製作第1樹脂層31介於其間在基板2上設置第1導體層32的中間體7(參照第9(E)圖)。其次，在上述中間體7上形成第2導體層34。即，在1片基板2的一方主面21上形成第1及第2導體層32、34。因此，相較於1片基板的單面上只形成一層導體層之基板間互相貼合而構成的配線基板，可以力圖碰觸偵知器用配線基板1的薄型化。
又，1片基板的單面上只形成一層導體層之基板間互相貼合而構成的配線基板中，基板之間必須以高位置精度黏合。在此之際，基板上設置導電性材料後，加熱上述導電性材料形成導體層時，由於上述加熱，基板的形狀產生變化，2片的基板之間可能會難以高精度位置相合。
相對於此，本實施例中的碰觸偵知器用配線基板1中，對第1凹版4的凹部41填充導電性材料5再加熱後，轉印上述導電性材料5至基板2上，形成第1導體層32(參照第9(A)~9(E)圖)。又，對第2凹版45的凹部46填充導電性材料55再加熱後，轉印上述導電性材料55至中間體7上，形成第2導體層34。因此，由於基板2中不因導電性材料5、55的加熱產生形狀變化而可以形成第1及第2導體層32、34，上述第1及第2導體層32、34之間變得容易以高精度位置相合。
又，本實施例的製造方法中，中間體7及樹脂材料71配置在第2凹版45上，對第2凹版45壓下中間體7，使樹脂材料71硬化(參照第9(I)圖)。因此，碰觸偵知器用配線基板1中，從第2導體層34露出的第2樹脂層33的表面成為平坦狀，因為滿足上述(9)式，抑制第1導體層32中應力集中引起的第1導體線322等的斷線，可以提高碰觸偵知器用配線基板1的耐久性。
又，本實施例的第1導體線322，具有往第2導體層34側寬度變窄的錐形。因此，相較於第1導體線322中無上述錐形的情況或形成反向的錐形的情況，對第2凹版45按壓中間體7時，可以提高第1導體線322對按壓力的機械強度。 因此，抑制製造時等第1導體線322的斷線，可以更提高碰觸偵知器用配線基板1的耐久性。本實施例中第2導體線342也具有同樣的錐形(往遠離第1導體層32側寬度變窄的錐形)。因此，因為也提高第2導體線342的機械強度而可以抑制斷線，可以更提高碰觸偵知器用配線基板1的耐久性。
又，本實施例的製造方法製造的碰觸偵知器用配線基板1，形成第2導體層34與基板2的主面21大致平行，滿足上述(8)式。因此，因為可以迴避熱衝擊或外力引起之對第2導體線342產生的過度應力集中，可以更提高碰觸偵知器用配線基板1的耐久性。
又，本實施例的碰觸偵知器用配線體3，在第1導體線322的橫向方向的剖面中，也著眼於第1導體線322的下面326與上述下面326以外的其他面(包含上面325及側部323的面)之間的表面粗糙度(即，截斷起伏成分的粗糙度參數)的相對關係，上述下面326的表面粗糙度Ra相對於其他的面的表面粗糙度Ra，相對粗糙。因此，第1樹脂層31與第1導體線322堅固接合的同時，可以抑制從外部入射的光亂反射。尤其，第1導體線322的寬度是1μm~5μm時，由於下面326與其他的面之間的表面粗糙度的相對關係滿足上述關係，第1樹脂層31與第1導體線322堅固接合的同時，可以顯著達到可以抑制從外部入射的光亂反射之效果。
又，本實施例中，側部323與通過第1及第2部分3231、3232的假想直線實質上一致延伸。在此情況下，第1導體線322的橫向方向的剖面中，因為側部的一部分不成為不 存在於比通過第1及第2部分的假想直線更內側的形狀，抑制從碰觸偵知器用配線體3的外部入射的光亂反射。藉此，可以更提高碰觸偵知器用配線體3的視認性。
又，本實施例中，由於下面326的表面粗糙度Ra相對於下面326以外其他的面(包含上面325及側部323的面)的表面粗糙度Ra相對粗糙，上述其他面側中的碰觸偵知器用配線體3的亂反射率，相對於下面326側的碰觸偵知器用配線體3的亂反射率相對變小。在此，碰觸偵知器用配線體3的亂反射率小的話，抑制第1導體線322映出白色，在可以視認上述第1導體線322的區域中可以抑制對比下降。於是，可以力圖更提高本實施例的碰觸偵知器用配線體3的視認性。
又，第1導體線321或第2導體層34的第2導體線341、342的基本構成與第1導體線322相同。因此，由於碰觸偵知器用配線體3包括第1導體線321、第2導體線341、342，可以更達成上述的作用．效果。
又，以上說明的實施例，係用以容易理解本發明而記載，不是用以限定本發明而記載。因此，上述實施例揭示的各要素，係包含屬於本發明的技術範圍之全部的設計變更或均等物之主旨。
例如，上述的實施例中，使用金屬材料或碳基材料，作為構成第1及第2導體層的導電性材料，但不特別限定於此，使用混合金屬材料及碳基材料之物也可以。在此情況下，例如，以第一實施例的第1導體線322為例說明時，上述第1導體線322的上面325側配置碳基材料，下面326側配置 金屬材料也可以。又，相反地，第1導體線322的上面325側配置金屬材料，下面326側配置碳基材料也可以。
又，例如，從上述實施例中的碰觸偵知器用配線基板1省略基板2也可以。在此情況下，例如，在第1樹脂層31的下面設置脫模片，組裝時剝下上述脫模片，以接合至組裝對象(薄膜、表面玻璃、偏光板、顯示器等)組裝的形態，構成碰觸偵知器用配線體或碰觸偵知器用配線基板也可以。又，此形態中，組裝對象相當於本發明的基材的一範例。又，第3樹脂層35介於其間，以接合至上述組裝對象組裝的形態構成碰觸偵知器用配線體或碰觸偵知器用配線基板也可以。又，接合層(樹脂層)介於碰觸偵知器用配線基板(碰觸偵知器用配線體)與組裝對象之間也可以。在此情況下，更設置從第1樹脂層側覆蓋碰觸偵知器用配線體的樹脂層，成為經由上述樹脂層接合至組裝對象組裝的形態也可以。又，設置從第2導體層側覆蓋碰觸偵知器用配線體的樹脂層，成為經由上述樹脂層接合至組裝對象組裝的形態也可以。此形態中，組裝對象也相當於本發明的支持體一範例。
又，從上述實施例省略基板2，成為第1樹脂層31兼基材，構成碰觸偵知器用配線體或碰觸偵知器用配線基板也可以。在此情況下，也可以達到與上述實施例同樣的效果。
又，例如，第1導體層32中的第1電極圖案及第2導體層34中的第2電極圖案，成為第10圖所示的形態也可以。
第10圖的範例中，第1電極圖案320B，由複數的矩形部81、及連結上述矩形部81之間的連結部82構成。矩形 部81，係對角線沿著第10圖中的Y軸方向大致等間隔往上述Y軸方向排列配置，連結部82連接相鄰的矩形部81的角部之間。矩形部81及連結部82，具有複數的導體線構成的網目形狀。
第2電極圖案340B，也由複數的矩形部83、及連結上述矩形部83之間的連結部84構成。矩形部83，係對角線沿著第10圖中的X軸方向大致等間隔往上述X軸方向排列配置，連結部84連接相鄰的矩形部83的角部之間。矩形部83及連結部84，也具有複數的導體線構成的網目形狀。第1電極圖案320B之間，沿著第10圖中的X軸方向大致等間隔配置的同時，第2電極圖案340B沿著第10圖中的Y軸方向大致等間隔配置。於是，第1電極圖案320B與第2電極圖案340B，在連結部82、84中互相交叉。
本例中，也可以達到與上述實施例中說明的效果同樣的效果。
[實施例]
以下，根據更具體化本發明的實施例，確認本發明的效果。以下的實施例，係用以確認上述實施例中的碰觸偵知器用配線體及碰觸偵知器用配線基板是否正常作用。
<實施例1>
實施例1中，製作如第1~4圖所示的碰觸偵知器用配線基板1。此時，基板2的厚度為75μm。構成第1導體層32的第1電極圖案320之第1導體線321、322的線寬為2μm，引線配線324的線寬為10μm。第2導體層34也同樣地，構成第2電極圖案340之第2導體線341、342的線寬為2μm，引線配 線344的線寬為10μm。第1導體線321、322的高度(厚度)T1為3μm。同樣地，第2導體線341、342的高度(厚度)為3μm。使用PET膜作為基板2，使用熱硬化型的銀(Ag)膏材作為導電性材料5。第1樹脂層31的D1的厚度為15μm，第2樹脂層33的D2的厚度為60μm。使用丙烯樹脂作為第1樹脂層31及第2樹脂層33。又，作為用以形成第1樹脂層31的接合材料6及構成第2樹脂層33的樹脂材料71，使用丙烯酸系的UV硬化性樹脂。
本例中，關於製作的碰觸偵知器用配線基板1，將引線配線324及引線配線344的端部與外部電路連接，藉由從外部電路傳送脈衝信號，成為碰觸偵知器。於是從基板2側隨機接觸人類手指10次，判定對人類手指反應的次數。
<實施例2>
實施例2中，除了第2樹脂層33的D2的厚度為25μm以外，以與實施例1同樣的要領製作試驗樣品。
<實施例3>
實施例3中，除了第1樹脂層31的D1的厚度為50μm以外，以與實施例1同樣的要領製作試驗樣品。
<實施例4>
實施例4中，除了第1樹脂層31的D1的厚度為70μm以外，以與實施例1同樣的要領製作試驗樣品。
<比較例1>
比較例1中，除了第2樹脂層33的D2的厚度與第1樹脂層31的D1的厚度為相同的15μm以外，以與實施例1同樣的 要領製作試驗樣品。
關於以上的實施例1~4及比較例1，以反應性確認碰觸偵知器用配線體及碰觸偵知器用配線基板是否正常作用的結果，顯示於下列的表1。
根據以上的結果，關於實施例1~4，認可碰觸偵知器用配線基板1正常作用。尤其，關於實施例1及實施例3，薄化碰觸偵知器用配線體的膜厚的同時，更認可碰觸偵知器用配線基板1正常作用。關於實施例4，更認可碰觸偵知器用配線基板1最正常作用，但比起實施例1及實施例3，膜厚變厚。另一方面，關於比較例1，不認可碰觸偵知器用配線基板1正常作用。

Claims (13)

  1. 一種碰觸偵知器用配線體，包括：第1樹脂層；第1導體層，設置在上述第1樹脂層上，具有第1導體線；第2樹脂層，覆蓋上述第1導體層；以及第2導體層，以上述第2樹脂層介於其間，設置在上述第1導體層上，具有第2導體線；其中，上述第1導體線從上述第1樹脂層朝向上述第2導體層側突出，上述第2導體線從上述第2樹脂層朝向遠離上述第1導體層側突出，上述第1及第2導體層，由上述第2樹脂層電性絕緣；滿足下列(1)式：D1<D2...(1)其中，上述(1)式中，D1係沿著上述第2導體線橫切上述碰觸偵知器用配線體的第1既定剖面中，對應上述第1導體線的第1區域中的上述第1樹脂層的厚度，D2係上述第1既定剖面的上述第1區域中的上述第2樹脂層的厚度。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的碰觸偵知器用配線體，其中，上述D1的厚度係0.5~100μm，上述D2的厚度係30~500μm。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的碰觸偵知器用配線體，更包括：第3樹脂層，覆蓋上述第2導體層； 其中，更滿足下列(2)式：D3<D2...(2)其中，上述(2)式中，D3係上述第1既定剖面的上述第1區域中的上述第3樹脂層的厚度。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的碰觸偵知器用配線體，更滿足下列(3)式：T1≦D2≦125T1...(3)其中，上述(3)式中，T1係上述第1既定剖面中的上述第1導體線的厚度。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的碰觸偵知器用配線體，其中，上述第2樹脂層的相對介電常數是3.0~4.0。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的碰觸偵知器用配線體，其中，上述第1導體線的上述第2導體線側的表面，是平坦的。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的碰觸偵知器用配線體，其中，更滿足下列(4)式：| H1-H2 |<T1/3...(4)其中，上述(4)式中，H1係上述第1既定剖面的上述第1區域中的上述第2導體線的最大高度；H2係上述第1既定剖面中鄰接上述第1區域，具有與上述第1區域相等寬度之第2區域中的上述第2導體線的最小高度；T1係上述第1既定剖面中的上述第1導體線的厚度。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的碰觸偵知器用配線體，其中，上述第1導體線，具有往上述第2導體層側寬度變窄的錐形； 上述第2導體線，具有往遠離上述第1導體層側寬度變窄的錐形。
  9. 一種碰觸偵知器用配線體，包括：第1樹脂層；第1導體層，設置在上述第1樹脂層上，具有第1導體線；第2樹脂層，覆蓋上述第1導體層；以及第2導體層，以上述第2樹脂層介於其間，設置在上述第1導體層上，具有第2導體線；其中，上述第1及第2導體層，由上述第2樹脂層電性絕緣；滿足下列(5)式：上述第1導體線中，與對向上述第2導線的第1對向面相反側的面的表面粗糙度，比上述第1對向面的表面粗糙度粗糙；上述第2導體線中，對向上述第1導體線的第2對向面的表面粗糙度，相較於與上述第2對向面相反側的面的表面粗糙度，更粗糙，D1<D2...(5)其中，上述(5)式中，D1係沿著上述第2導體線橫切上述碰觸偵知器用配線體的第1既定剖面中，對應上述第1導體線的第1區域中的上述第1樹脂層的厚度，D2係上述第1既定剖面的上述第1區域中的上述第2樹脂層的厚度。
  10. 如申請專利範圍第1項所述的碰觸偵知器用配線體，其中，上述第1導體層，具有第1電極圖案，由上述第1導體線 構成，沿著既定方向延伸；上述第2導體層，具有第2電極圖案，由上述第2導體線構成，沿著與上述既定方向交叉的方向延伸；以及上述第1電極圖案的寬度是3~10mm(毫米)，上述第2電極圖案的寬度是0.5~2mm。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的碰觸偵知器用配線體，其中，在平面視圖中，上述第1電極圖案與上述第2電極圖案重疊的一個重疊區域的面積是3~12mm2(平方毫米)。
  12. 一種碰觸偵知器用配線基板，包括：如申請專利範圍第1~11項中任一項所述的碰觸偵知器用配線體；以及支持體，支持上述碰觸偵知器用配線體。
  13. 一種碰觸偵知器，包括：如申請專利範圍第12項所述的碰觸偵知器用配線基板。
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