TWI608398B - Wiring body, wiring board, wiring structure, and touch detector - Google Patents

Wiring body, wiring board, wiring structure, and touch detector Download PDF

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TWI608398B
TWI608398B TW105105822A TW105105822A TWI608398B TW I608398 B TWI608398 B TW I608398B TW 105105822 A TW105105822 A TW 105105822A TW 105105822 A TW105105822 A TW 105105822A TW I608398 B TWI608398 B TW I608398B
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wiring
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terminal
resin layer
conductor
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Takaharu Hondo
Takeshi Shiojiri
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Fujikura Ltd
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    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details

Description

配線體、配線基板、配線構造體以及碰觸偵知器
本發明係關於配線體、配線基板、配線構造體以及碰觸偵知器。
分別形成透明電極的玻璃基板及透明膜層壓而形成的透明碰觸面板是眾所周知的(例如參照專利文件1)。
【先行專利文獻】
【專利文獻】
日本專利第2587975號公報
上述技術中，為了取出玻璃基板側的透明電極的電路至外部，切入透明膜，透明膜上設置的玻璃基板側的透明電極用取出電路與玻璃基板側的透明電極連接，上述取出電路中形成的連接部與玻璃基板側的透明電極之間以異向性導電接合劑熱壓接合，進行從透明膜取出。以此方式，因為玻璃基板側的透明電極必須經由異向性導電接合劑一次連接至透明膜，耐久性及取出性差。
本發明所欲解決的課題，係提供配線的取出性優異的配線體、配線基板、配線構造體以及碰觸偵知器。
[1]根據本發明的配線體，包括第1樹脂層；第1導體層，具有第1端子部，設置在上述第1樹脂層上；第2樹脂層，至少除了上述第1端子部以外覆蓋上述第1導體層；以及第2導體層，具有第2端子部，設置在上述第2樹脂層上；上述第1端子部及上述第2端子部，沿著上述第1樹脂層的厚度方向互相錯開，上述第1端子部在上述厚度方向中，往遠離上述第1樹脂層側突出，往相對於上述厚度方向垂直的方向投影上述第1端子部時，上述第1端子部的投影部分中至少一部分與上述第2樹脂層重疊。
[2]上述發明中，上述第1導體層更具有網目狀的第1電極部，上述第2導體層更具有網目狀的第2電極部，上述第1電極部及上述第1端子部一體形成，上述第2電極部及上述第2端子部一體形成。
[3]上述發明中，上述第2樹脂層的最大厚度，比上述第1導電層的最大厚度大也可以。
[4]上述發明中，上述第2樹脂層的最大厚度，比上述第1樹脂層的最大厚度大也可以。
[5]上述發明中，對應上述第2端子部之上述第2樹脂層具有慢慢地往上述第1端子部側迫近的迫近部。
[6]上述發明中，對應上述第2端子部之上述第2樹脂層的厚度，往上述第2導體層的延伸方向中的上述第2端子部側相對變小也可以。
[7]上述發明中，上述第1端子部中，接合上述第1 樹脂層的第1接合面的表面粗糙度，比起與上述第1接合面相反側的面的表面粗糙度更粗糙，上述第2端子部中，接合上述第2樹脂層的第2接合面的表面粗糙度，比起與上述第2接合面相反側的面的表面粗糙度更粗糙也可以。
[8]上述發明中，上述第1端子部具有隨著遠離上述第1樹脂層側寬度變窄的錐形，上述第2端子部具有隨著遠離上述第2樹脂層側寬度變窄的錐形也可以。
[9]上述發明中，上述第1樹脂層，具有往上述第1端子部突出的第1凸部，上述第1端子部設置在上述第1凸部上，上述第2樹脂層，具有往上述第2端子部突出的第2凸部，上述第2端子部設置在上述第2凸部上。
[10]上述發明中，上述第1樹脂層，具有切斷上述第1端子部與上述第2端子部之間的狹縫也可以。
[11]根據本發明的配線構造體，包含上述配線體以及電性連接至上述配線體的連接配線基板；上述連接配線基板，包括：連接基板；第1連接端子，對向上述第1端子部，設置在上述連接基板上；以及第2連接端子，對向上述第2端子部，設置在上述連接基板上。
[12]上述發明中，對應上述第1端子部之上述第1樹脂層，相較於對應上述第2端子部之上述第1樹脂層，更接近上述連接基板側也可以。
[13]根據本發明的配線構造體，包含上述配線體以及電性連接至上述配線體的連接配線基板；上述連接配線基板，包括：連接基板；第1連接端子，對向上述第1端子部， 設置在上述連接基板上；以及第2連接端子，對向上述第2端子部，設置在上述連接基板上；上述連接基板，具有切斷上述第1連接端子與上述第2連接端子之間的狹縫。
[14]上述發明中，上述第1連接端子，相較於上述第2連接端子，更接近上述第1樹脂層側也可以。
[15]根據本發明的配線基板，包括上述配線體或上述配線構造體以及支持上述配線體或上述配線構造體的支持體。
[16]根據本發明的碰觸偵知器，包括上述發明的配線基板。
根據本發明，配線體，包括第1樹脂層；第1導體層，設置在上述第1樹脂層上；第2樹脂層；以及第2導體層，設置在上述第2樹脂層上；具有第1導體層的第1端子部及具有第2導體層的第2端子部，沿著第1樹脂層的厚度方向互相錯開。即，第1端子部及第2端子部都在配線體的一方面側中露出。因此，由於不需要經由異向性導體接合劑連接至透明膜而可以取出第1端子部及第2端子部，可以提高配線的取出性。
1‧‧‧配線基板
10‧‧‧碰觸偵知器
11、11B‧‧‧配線構造體
2‧‧‧基板
21‧‧‧主面
3‧‧‧配線體
30‧‧‧狹縫
301‧‧‧狹縫
31‧‧‧接合層(第1樹脂層)
311‧‧‧支持部(第1凸部)
312‧‧‧平狀部
32‧‧‧第1導體層
320、320B‧‧‧第1電極圖案(第1電極部)
320a‧‧‧邊部
321、322‧‧‧第1導體線
322B‧‧‧第1導體線
323‧‧‧側部
323B‧‧‧側部
3231‧‧‧第1部分
3232‧‧‧第2部分
3233‧‧‧平坦部
3233B‧‧‧平坦部
324‧‧‧引線配線
324T‧‧‧第1端子部
325‧‧‧上面
325B‧‧‧上面
3251、3251B‧‧‧平坦部
326‧‧‧下面
327‧‧‧側部
3271‧‧‧第1部分
3272‧‧‧第2部分
3273‧‧‧平坦部
328‧‧‧下面
329‧‧‧上面
3291‧‧‧平坦部
33‧‧‧樹脂層(第2樹脂層)
331‧‧‧主部
332‧‧‧凸部(第2凸部)
333‧‧‧端子區域
334‧‧‧迫近部
335‧‧‧樹脂層非形成部
34‧‧‧第2導體層
340、340B‧‧‧第2電極圖案(第2電極部)
340a‧‧‧邊部
341、342‧‧‧第2導體線
343‧‧‧側部
3431‧‧‧第1部分
3432‧‧‧第2部分
3433‧‧‧平坦部
344‧‧‧引線配線
344T‧‧‧第2端子部
345‧‧‧上面
3451‧‧‧平坦部
346‧‧‧下面
347‧‧‧側部
3471‧‧‧第1部分
3472‧‧‧第2部分
3473‧‧‧平坦部
348‧‧‧下面
349‧‧‧上面
3491‧‧‧平坦部
4‧‧‧第1凹版
41‧‧‧凹部
411‧‧‧脫模層
45‧‧‧第2凹版
46‧‧‧凹部
461‧‧‧脫模層
5‧‧‧導電性材料
51‧‧‧凹凸形狀
55‧‧‧導電性材料
6‧‧‧接合材料
7‧‧‧中間體
71‧‧‧樹脂材料
8‧‧‧連接配線基板
81‧‧‧連接基板
82‧‧‧第1連接端子
83‧‧‧第2連接端子
84‧‧‧異向性導電接合劑
8A‧‧‧接受第1連接端子82的部分
8B‧‧‧接受第2連接端子83的部分
91‧‧‧矩形部
92‧‧‧連結部
93‧‧‧矩形部
94‧‧‧連結部
B‧‧‧黏合樹脂
C‧‧‧驅動電路
M‧‧‧導電性材料
2A‧‧‧設置第1端子部324T的部分
2B‧‧‧設置第2端子部344T的部分
H1‧‧‧第1端子部324T與第1連接端子82之間距
H2‧‧‧第2端子部344T與第2連接端子83之間距
R‧‧‧錯開距離
W1‧‧‧樹脂層33的厚度(最大厚度)
W2‧‧‧第1導體層32的厚度(最大厚度)
W3‧‧‧接合層31的厚度(最大厚度)
[第1圖]係顯示本發明的第一實施例中的碰觸偵知器之立體圖；[第2圖]係顯示本發明的第一實施例中的第1導體層之平面圖；[第3圖]係顯示本發明的第一實施例中的第2導體層之平 面圖；[第4圖]係沿著第3圖的IV-IV線之剖面圖；[第5圖]係沿著第3圖的V-V線之剖面圖；[第6圖]係沿著第3圖的VI-VI線之剖面圖；[第7圖]係用以說明本發明的第一實施例中第1導體線的構造之橫向方向的剖面圖；[第8圖]係沿著第1圖的VIII-VIII線之剖面圖；[第9圖]係沿著第1圖的IX-IX線之剖面圖；[第10圖]係顯示本發明的第一實施例中第2樹脂層的第1變形例之剖面圖；[第11圖]係顯示本發明的第一實施例中第2導體層的第2變形例之剖面圖；[第12(A)~12(I)圖]係用以說明本發明的第一實施例中配線基板的製造方法之剖面圖；[第13(A)~13(I)圖]係用以說明本發明的第一實施例中配線基板的製造方法的變形例之剖面圖；[第14圖]係顯示本發明的第二實施例中的碰觸偵知器之立體圖；[第15圖]係顯示本發明的第二實施例中的配線基板之立體圖；[第16圖]係沿著第15圖的XVI-XVI線之剖面圖；[第17圖]係顯示本發明的第二實施例中第2樹脂層的第1變形例之剖面圖；[第18圖]係沿著第14圖的XVIII-XVIII線之剖面圖； [第19(A)~19(L)圖]係用以說明本發明的第二實施例中配線構造體的製造方法之剖面圖；[第20(A)及20(B)圖]係用以說明本發明的第二實施例中配線構造體的變形例的製造方法之剖面圖；以及[第21圖]係顯示本發明的實施例中第1及第2導體層的變形例之平面圖。
以下，根據圖面，說明本發明的實施例。
<<第一實施例>>
第1圖係顯示本發明的第一實施例中的碰觸偵知器之立體圖，第2圖係顯示本發明的第一實施例中的第1導體層之平面圖，第3圖係顯示本發明的第一實施例中的第2導體層之平面圖，第4圖係沿著第3圖的IV-IV線之剖面圖，第5圖係沿著第3圖的V-V線之剖面圖，第6圖係沿著第3圖的VI-VI線之剖面圖，又第7圖係用以說明本發明的第一實施例中第1導體線的構造之橫向方向的剖面圖，第8圖係沿著第1圖的VIII-VIII線之剖面圖，第9圖係沿著第1圖的IX-IX線之剖面圖，第10圖係顯示本發明的第一實施例中第2樹脂層的第1變形例之剖面圖，第11圖係顯示本發明的第一實施例中第2導體層的第2變形例之剖面圖(相當於第3圖的P-P線之剖面圖)。
本實施例的碰觸偵知器10，例如是使用於靜電容量方式等的碰觸面板或碰觸板之碰觸輸入裝置。如第1圖所示，包括基板2、以及配置於上述基板2上的配線體3。配線 體3，包括接合層31、第1導體層32、樹脂層33、及第2導體層34(參照第4~6圖)。
基板2，如第1圖所示，具有矩形，以甲酸乙二醇酯(PET)製的薄膜構成。又，基板2的材料，不特別限定於此，例如可以例示聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醯亞胺樹脂(PI)、聚醚酰亞胺(PEI)、聚碳酸酯(PC)、聚二醚酮(PEEK)、液晶聚合物(LCP)、環烯烴聚合物(COP)、矽氧樹脂(SI)、丙烯樹脂(acrylic resin)、酚樹脂(Phenol resin)、環氧樹脂(epoxy resin)、生胚薄片(green sheet)、玻璃等的材料。這些基材以易接合層或光學調整層形成也可以。又，使用例如顯示器作為基板2也可以。又，基板2的形狀不特別限定。本實施例中的基板2相當於本發明的支持體的一範例。
作為樹脂層的接合層31，係用以互相接合固定基板2與第1導體層32的層，如第4或5圖所示，設置於基板2中的主面21上全體。作為構成接合層31的接合材料，可以例示環氧樹脂、丙烯樹脂、聚酯樹脂(polyester resin)、聚氨甲酸酯樹脂(urethane resin)、乙烯基樹脂(vinyl resin)、矽氧樹脂、酚樹脂、聚醯亞胺樹脂等的UV硬化性樹脂、熱硬化性樹脂或熱可塑性樹脂、陶瓷等。此接合層31，如第4圖所示，具有支持部311，支持第1導體線322(後述)；以及平狀部312，設置在上述支持部311與基板2的主面21之間，覆蓋上述主面21；這些支持部311及平狀部312一體形成。本實施例中的支持部311相當於本發明的第1凸部的一範例。
本實施例中的支持部311的剖面形狀(對於第1導 體線322(後述)的延伸方向的剖面形狀)，如第4圖所示，成為往遠離基板2的方向(第2圖中+Z軸方向)寬度變窄的形狀。又，支持部311與第1導體線322間的邊界，成為對應上述第1導體線322的下面326的凹凸形狀之凹凸形狀。如此的凹凸形狀，係根據第1導體線322的下面326的表面粗糙度形成。又，如第6圖所示，沿著第1導體線322的延伸方向的剖面中支持部311與上述第1導體線322間的邊界，也成為對應上述第1導體線322的下面326的凹凸形狀之凹凸形狀。關於下面326的表面粗糙度，之後詳細說明。第4及6圖中，為了容易了解說明本實施例中的配線體3，誇張顯示支持部311與第1導體線322間的邊界的凹凸形狀。
平狀部312，以大致均等的高度(厚度)設置在基板2的主面21全體上。不特別限定，但此平狀部312的厚度，可以設定在5μm(微米)~100μm的範圍內。藉由設置支持部311在平狀部312上，支持部311從平狀部312突出，上述支持部311中第1導體線322的剛性提高。
從接合層31省略平狀部312，只以支持部311構成接合層31也可以。在此情況下，因為配線基板1全體的透光性提高，可以提高碰觸偵知器10的視認性。本實施例中的接合層31相當於本發明的第1樹脂層的一範例。
第1導體層32，例如，作用為電極、引線配線的層，以含有銀或銅、鎳、錫、鉍、鋅、銦、鈀等的金屬材料、或石墨、碳黑(爐黑、乙炔黑、超導電碳黑)、碳奈米管、碳奈米纖維等的碳基材料之導電性材料(導電性粉末或粒子)與含有 丙烯樹脂、聚酯樹脂(polyester resin)、環氧樹脂、乙烯基樹脂(vinyl resin)、聚氨甲酸酯樹脂(urethane resin)、酚樹脂、聚醯亞胺(polyimide)、矽氧樹脂、氟樹脂等的黏合樹脂構成。
作為此第1導體層32內包含的導電性粒子，以第1導體線322為例說明時，根據上述第1導體線322的寬度，例如可以使用具有0.5μm(微米)以上2μm以下的直徑Φ(0.5μm≦Φ≦2μm)之導電性材料。又，根據使第1導體線322中的電阻值穩定的觀點來看，理想是使用具有形成的第1導體線322的寬度一半以下的平均直徑Φ之導電性材料。又，作為導電性材料，理想是使用根據BET法測量的比表面積20m2/g(米平方/克)以上的粒子。
作為第1導體層32，要求一定以下的較小電阻值時，理想是使用金屬材料作為導電性材料，作為第1導體層32，容許一定以上的較大電阻值時，作為導電性材料可以使用碳基材料。又，使用碳基材料作為導電性材料的話，根據改善網目膜的霧度或全反射率的觀點來看是理想的。
如此的第1導體層32，係塗佈導電性膏材再硬化而形成。作為如此的導電性膏材的具體例，可以例示導電性材料混合黏合樹脂、水或溶劑及各種添加劑而構成的導電性膏材。作為導電性膏材內包含的溶劑，可以例示α-松油醇(terpineol)、二甘醇丁醚醋酸酯(Butyl carbitol acetate)、二甘醇一丁醚(butylcarbitol)、1-癸醇(1-Decanol)、丁氧基乙醇(butyl cellosolve)、二乙二醇單乙醚醋酸酯(Diethylene Glycol Monoethyl Ether Acetate)、十四烷(tetradecane)等。又，作為上述的導電性 材料，使用金屬鹽也可以。作為金屬鹽，可以舉出上述金屬的鹽。又，從構成第1導體層32的材料省略黏合樹脂也可以。
本實施例中的第1導體層32，如第2圖所示，具有沿著第2圖中的Y軸方向延伸的第1電極圖案320、以及連接至上述第1電極圖案320的引線配線324。本實施例中，沿著第2圖中的X軸方向3個第1電極圖案320以大致等間隔配置。又，第1導體層32內包含的第1電極圖案320的數量及配置，不特別限定於上述。
第1電極圖案320，具有複數的第1導體線321、322。第1導體線321，如第2圖所示，直線狀延伸的同時，第1導體線322也直線狀延伸。又，複數的第1導體線321分別大致等間隔平行排列配置的同時，複數第1導體線322也分別大致等間隔平行排列配置。本實施例中，第1導體線321與第1導體線322互相垂直，因此第1電極圖案320成為具有矩形的格子形狀的網目狀。
本實施例中第1導體線321、322，對第1電極圖案320的延伸方向(第2圖中的Y軸方向)分別45度傾斜配置，但這些以其他的角度(例如30度)分別傾斜配置也可以。又，第1導體線321、322中的一方對第1電極圖案320的延伸方向(第2圖中的Y軸方向)90度傾斜配置也可以。
又，第1導體線321、322以曲線狀、馬蹄狀、鋸齒線狀等延伸也可以，混合直線狀的部分與曲線狀、馬蹄狀、鋸齒線狀等的部分也可以。又本實施例中，第1導體線321、322具有互相大致相等的線寬，但第1導體線321、322具有互 不相同的線寬也可以。
作為如此的第1導體線321、322的寬度，理想是50nm(毫微米)~1000μm(微米)，更理想是500nm~150μm，又更理想是1μm~10μm，又再更理想是1μm~5μm。又，第1導體線321、322的高度，理想是50nm~3000μm，更理想是500nm~450μm，又更理想是500nm~10μm。
又，第1導體線321、322構成的網目的各網目形狀，不特別限定。例如，各網目形狀也可以是以下幾何學圖案。即，第1導體線321、322構成的網目的網目形狀，可以是正三角形、等腰三角形、直角三角形等的三角形，也可以是平行四邊形、梯形等的四角形。又，網目的形狀也可以是六角形、八角形、十二角形、二十角形等的n角形或圓、橢圓、星形等。
本實施例中，第1電極圖案320中與引線配線324連接的邊部320a，比第1導體線321、322寬。不特別圖示，但第1電極圖案320也可以具有圍繞第1導體線321、322形成的網目形狀的至少一部分的框部。又，本實施例中的第1導體線321、322、邊部320a及引線配線324一體形成。
如第4圖所示，第1導體線322的側部323與接合層31中的支持部311的側部，平滑連續形成1個平面。第1導體線322具有往第2導體層34側寬度變窄的錐形，因此第1導體線322的剖面形狀(對於第1導體線322的延伸方向之剖面形狀)成為大致梯形。又，第1導體線322的剖面形狀，不特別限定於此。例如，第1導體線322的剖面形狀是正方形、長方形、三角形等也可以。又，本實施例中，第1導體線321 也成為與第1導體線322同樣的剖面形狀。
本實施例中的第1導體線322在第4圖中的下面326，係接合支持部311的接合面。另一方面，上面325，在第1導體線322中位於與下面326相反側。上面325，對基板2的主面21實質上平行。
上面325，在第1導體線322的橫向方向的剖面中，包含平坦部3251。此平坦部3251，在第1導體線322的橫向方向的剖面中，係存在於上面325的直線狀部分(即，曲率半徑極大的部分)，平面度為0.5μm以下。又，平面度，係以JIS法(JIS B0621(1984))定義。
本實施例中，平坦部3251的平面度使用利用雷射光的非接觸式的測量方法求出。具體而言，對測量對象(具體而言，上面325)照射帶狀的電射光，使其反射光在攝影元件(例如，2次元CMOS)上成像測量平面度。作為平面度的算出方法，使用的方法係在對象的平面中，分別設定通過儘量遠離的3點之平面，算出那些偏差的最大值作為平面度(最大接觸式平面度)。又，平面度的測量方法或算出方法，不特別限定於上述。例如，平面度的測量方法，可以是使用度盤規(dial gauge)等的接觸式的測量方法。又，平面度的算出方法，也可以是算出成為對象的平面以平行的平面夾住時形成的間隙值作為平面度的方法(最大傾斜式平面度)。
本實施例的平坦部3251，在上面325的大致全體上形成。又，不特別限定於上述，平坦部3251在上面325的一部分中形成也可以。此時，例如平坦部在不包含上面的兩端 的區域中形成也可以。平坦部在上面的一部分中形成時，上述平坦部的寬度，相對於上面的寬度至少是1/2以上。
側部323位於上面325和下面326之間。此側部323，以第1部分3231與上面325相連，以第2部分3232與下面326相連。本實施例的第1導體線322，因為具有往第2導體層34側寬度變窄的錐形，第2部分3232比第1部分3231位於更外側。本實施例的側部323，在第1導體線322的橫向方向的剖面中，成為通過此第1及第2部分3231、3232的假想直線(不圖示)上延伸的直線狀的面。
又，側部323的形狀不特別限定於上述。例如，側部323，在第1導體線322的橫向方向的剖面中，也可以比通過第1及第2部分3231、3232的假想直線更向外側突出。以此方式，側部323，在第1導體線322的橫向方向的剖面中，理想是不比通過第1及第2部分的假想直線更凹入內側的形狀(即，第1導體線322的底邊不變寬的形狀)。
本實施例的側部323，在第1導體線322的橫向方向的剖面中，包含平坦部3233。平坦部3233，在第1導體線322的橫向方向的剖面中，係側部323中存在的直線狀的部分(即，曲率半徑極大的部分)，平面度為0.5μm以下。平坦部3233的平面度，可以根據與平坦部3251的平面度的測量方法同樣的方法測量。本實施例中，側部323大致全體上形成平坦部3233。又，平坦部3233的形狀，不特別限定於上述，在側部323的一部分中形成也可以。
根據抑制側部323中的光亂反射之觀點來看，側部 323與上面325之間的角度θ1理想是90°~170°(90°≦θ1≦170°)，更理想是90°~120°(90°≦θ1≦120°)。本實施例中，一第1導體線322中，一方的側部323與上面325之間的角度，及另一方的側部323與上面325之間的角度實質上是相同的。又，一第1導體線322中，一方的側部323與上面325之間的角度，及另一方的側部323與上面325之間的角度是不同的角度也可以。
本實施例中的第1導體線322在第4圖中的下面326的表面粗糙度，根據增加第1導體線322與接合層31間的接觸面積，堅固固定第1導體線322至接合層31的觀點來看，理想是比上述第1導體線322在第4圖中的上面325的表面粗糙度更粗糙。本實施例中，因為上面325包含平坦部3251，上述第1導體線322中的表面粗糙度的相對關係(下面326的表面粗糙度對上面325的表面粗糙度的相對粗糙關係)成立。具體而言，相對於第1導體線322的下面326的表面粗糙度Ra是0.1μm~3μm左右，上面325的表面粗糙度Ra理想是0.001μm~1.0μm左右。又，第1導體線322的下面326的表面粗糙度Ra更理想是0.1μm~0.5μm，上面325的表面粗糙度Ra又更理想是0.001μm~0.3μm。又，下面326的表面粗糙度與上面325的表面粗糙度之比(相對於下面326的表面粗糙度之上面325的表面粗糙度)理想是未滿0.01~1，更理想是未滿0.1~1。又，上面325的表面粗糙度，理想是第1導體線322的寬度(最大寬度)的5分之1以下。又，如此的表面粗糙度，可以根據JIS法(JIS B0601(2013年3月21日訂正))測量。上面325及下面326的表面粗糙度的測量，沿著第1導體線322 的橫向方向執行也可以(參照第4圖)，沿著第1導體線322的延伸方向執行也可以(參照第6圖)。
附帶一提，如JIS法(JIS B0601(2013年3月21日訂正))所記載，在此所謂的「表面粗糙度」，係指「算術平均粗糙度Ra」。此所謂「算術平均粗糙度Ra」，係指從剖面曲線截斷長波長成分(起伏成分)求得的粗糙度參數。從剖面曲線分離起伏成分，係根據求得形體需要的測量條件(例如對象物的尺寸等)執行。
又，本實施例中，側部323也包含平坦部3233。因此，與上面325相同，下面326的表面粗糙度，比包含平坦部3233的側部323的表面粗糙度更粗糙。具體而言，相對於上述下面326的表面粗糙度Ra，側部323的表面粗糙度Ra理想是0.001μm~1.0μm左右。又，側部323的表面粗糙度Ra更理想是0.001μm~0.3μm。側部323的表面粗糙度的測量，沿著第1導體線322的橫向方向執行也可以，沿著上述第1導體線322的延伸方向執行也可以。
本實施例中，上面325包含平坦部3251，側部323包含平坦部3233。在此情況下，除了上述下面326之外的其他面側(即，包含上面325及側部323的面側)中的配線體3的亂反射率，理想是相對於上述下面326側中的配線體3的亂反射率相對變小。具體而言，下面326側中的配線體3的亂反射率與除了上述下面326之外的其他面側中的配線體3的亂反射率的比(相對於下面326側中的配線體3的亂反射率之除了上述下面326之外的其他面側中的配線體3的亂反射率)，理想是未滿0.1~1，更理想是未滿0.3~1。
關於具有上述接合面與其他面之表面粗糙度的相對關係之第1導體線322B的形狀的一範例，一邊參照第7圖，一邊說明。第7圖所示的第1導體線322B係包含導電性粒子M與黏合樹脂B而構成。於是，第1導體線322B在橫向方向的剖面中，下面326B中，導電性粒子M的一部分從黏合樹脂B中突出，因此，上述下面326B成為凹凸形狀。另一方面，第1導體線322B在橫向方向的剖面中，上面325B及側部323B中，黏合樹脂B進入導電性粒子M之間，黏合樹脂B覆蓋導電性粒子M。因此，在上面325B形成平坦部3251B。又，在側部323B形成平坦部3233B。又，上面325B及側部323B中，由於以黏合樹脂B覆蓋導電性粒子M，提高相鄰的第1導體線322B之間的電性絕緣性，抑制遷移的發生。
第7圖所示的形態中，由於下面326B中導電性粒子M的一部分從黏合樹脂B中突出，上述下面326B的表面粗糙度變得較大。另一方面，上面325B中，由於以上述黏合樹脂B覆蓋導電性粒子M，上述上面325B的表面粗糙度變得較小。因此，下面326B的表面粗糙度變得比上面325B的表面粗糙度更粗糙。
又，側部323B中，也與上面325B相同，因為以黏合樹脂B覆蓋導電性粒子M，上述側部323B的表面粗糙度變得較小。因此，下面326B的表面粗糙度變得比側部323B的表面粗糙度更粗糙。又，下面、上面及側部的形狀，不限定於第7圖所示的形態。
引線配線324及對應上述引線配線324的部分中的接合層31的剖面形狀，如第8圖所示，分別具有與第1導體線322及接合至上述第1導體線322的接合層31同樣的剖面形狀。
即，接合層31具有支持部311及平狀部312，引線配線324設置在上述支持部311上。引線配線324的側部327與接合層31中的支持部311的側部，平滑連續形成1個平面。引線配線324具有往第2導體層34側(圖8中+Z軸方向側)寬度變窄的錐形，因此引線配線324的剖面形狀(對於引線配線324的延伸方向之剖面形狀)為大致梯形。又，引線配線324的剖面形狀，不特別限定於此。例如，引線配線324的剖面形狀可以是正方形、長方形、三角形等。
本實施例的引線配線324，以與構成第1電極圖案320的材料實質上相同的材料構成的同時，第1電極圖案320及引線配線324一體形成。又，上述引線配線324的前端部，成為與不圖示的外部端子等連接的第1端子部324T(參照第1圖)。
本實施例的引線配線324在第8圖中的下面328，係接合至支持部311的接合面。另一方面，上面329，在引線配線324中位於與下面328相反側。上面329，對於基板2的主面21實質上平行。
上面329，在引線配線324的橫向方向的剖面中，包含平坦部3291。此平坦部3291，在引線配線324的橫向方向的剖面中，係存在於上面329的直線狀的部分(即，曲率半徑極大的部分)，平面度為0.5μm以下。平面度，可以根據JIS法(JIS B0621(1984))定義。平坦部3291的平面度，可以使用與 平坦部3251的平面度的測量方法同樣的方法測量。
本實施例中的平坦部3291，在上面329的大致全體上形成。又，不特別限定於上述，平坦部3291在上面329的一部分中形成也可以。此時，例如平坦部在不包含上面的兩端的區域中形成也可以。平坦部在上面的一部分中形成時，上述平坦部的寬度，相對於上面的寬度至少是1/2以上。
側部327位於上面329和下面328之間。此側部327，以第1部分3271與上面329相連，以第2部分3272與下面328相連。本實施例的引線配線324，因為具有往第2導體層34側寬度變窄的錐形，第2部分3272比第1部分3271位於更外側。本實施例的側部327，在引線配線324的橫向方向的剖面中，成為通過此第1及第2部分3271、3272的假想直線(不圖示)上延伸的直線狀的面。
又，側部327的形狀不特別限定於上述。例如，側部327，在引線配線324的橫向方向的剖面中，也可以比通過第1及第2部分3271、3272的假想直線更向外側突出。以此方式，側部327，在引線配線324的橫向方向的剖面中，理想是不比通過第1及第2部分的假想直線更凹入內側的形狀(引線配線底邊不變寬的形狀)。
本實施例的側部327，在引線配線324的橫向方向的剖面中，包含平坦部3273。平坦部3273，在引線配線324的橫向方向的剖面中，係存在於側部327的直線狀的部分(即，曲率半徑極大的部分)，平面度為0.5μm以下。平坦部3273的平面度，可以根據與上述平坦部3251的平面度的測量方法同 樣的方法測量。本實施例中，側部327大致全體上形成平坦部3273。又，平坦部3273的形狀，不特別限定於上述，在側部327的一部分中形成也可以。
側部327與上面329之間的角度θ2理想是90°~170°(90°≦θ2≦170°)，更理想是90°~120°(90°≦θ1≦120°)。本實施例中，一引線配線324中，一方的側部327與上面329之間的角度，及另一方的側部327與上面329之間的角度實質上是相同的。又，一引線配線324中，一方的側部327與上面329之間的角度，及另一方的側部327與上面329之間的角度是不同的角度也可以。
本實施例中的引線配線324在第8圖中的下面(第1接合面)328的表面粗糙度，根據堅固固定引線配線324至接合層31的觀點來看，理想是比上述引線配線324在第8圖中的上面329的表面粗糙度更粗糙。本實施例中，因為上面329包含平坦部3291，上述引線配線324中的表面粗糙度的相對關係(下面328的表面粗糙度對上面329的表面粗糙度的相對粗糙關係)成立。具體而言，相對於引線配線324的下面328的表面粗糙度Ra是0.1μm~3μm左右，上面329的表面粗糙度Ra理想是0.001μm~1.0μm左右。又，引線配線324的下面328的表面粗糙度Ra更理想是0.1μm~0.5μm，上面329的表面粗糙度Ra又更理想是0.001μm~0.3μm。又，下面328的表面粗糙度與上面329的表面粗糙度之比(相對於下面328的表面粗糙度之上面329的表面粗糙度)理想是未滿0.01~1，更理想是未滿0.1~1。又，上面329的表面粗糙度，理想是引線配線324的寬度(最大 寬度)的5分之1以下。又，如此的表面粗糙度，可以根據JIS法(JIS B0601(2013年3月21日訂正))測量。上面328及下面329的表面粗糙度的測量，沿著引線配線324的橫向方向執行也可以，沿著上述引線配線324的延伸方向執行也可以。
又，本實施例中，側部327也包含平坦部3273。因此，與上面329相同，下面328的表面粗糙度，相較於包含平坦部3273的側部327的表面粗糙度，變得更粗糙。具體而言，相對於上述下面328的表面粗糙度Ra，側部327的表面粗糙度Ra理想是0.001μm~1.0μm左右。又，側部327的表面粗糙度Ra更理想是0.001μm~0.3μm。側部327的表面粗糙度的測量，沿著引線配線324的橫向方向執行也可以，沿著引線配線324的延伸方向執行也可以。
又，在此，雖然詳細說明關於引線配線324的形狀，但上述引線配線324的一部分的第1端子部324T也具有與上述引線配線324的形狀相同的形狀。因此，關於第1端子部324T，省略詳細的說明。
本實施例中的樹脂層33，以環氧樹脂、丙烯樹脂、聚酯樹脂(polyester resin)、聚氨甲酸酯樹脂(urethane resin)、乙烯基樹脂(vinyl resin)、矽氧樹脂、酚樹脂、聚醯亞胺樹脂等的UV硬化性樹脂、熱硬化性樹脂或熱可塑性樹脂、陶瓷等構成。本實施例中的樹脂層33相當於本發明的第2樹脂層的一範例。
樹脂層33，如第4~6圖所示，包括主部331，具有大致平坦狀的上面，設置在基板2的主面21上；以及凸部332，設置在上述主部331上。主部331，如第4或5圖所示， 覆蓋第1導體層32、以及除了與第1電極圖案320接合的面之外的接合層31。又，如第1圖所示，用以連接不圖示的外部端子的端子區域333中，第1端子部324T及第2端子部344T(後述)露出配線基板1的外部。凸部332往第2導體層34側(+Z軸方向側)突出，對應第2導體層34的第2電極圖案340形成。本實施例中樹脂層33的主部331及凸部332一體構成。本實施例的凸部332相當於本發明的第2凸部的一範例。
本實施例中的凸部332的剖面形狀(對於第2導體線342(後述)的延伸方向的剖面形狀)，如第6圖所示，往遠離基板2的方向(第6圖中的上方向)成為寬度變窄的形狀。又，凸部332與第2導體線342之間的邊界，成為對應上述第2導體線342的下面346的凹凸形狀之凹凸形狀。藉由凸部332設置在主部331上，上述凸部332中第2導體線342的剛性提高。如此的下面346的凹凸形狀，根據第2導體線342的下面346的表面粗糙度形成。又，如第4圖所示，沿著第2導體線342的延伸方向之剖面中的凸部332與第2導體線342的邊界，也成為對應第2導體線342的下面346的凹凸形狀之凹凸形狀。關於下面346的表面粗糙度，之後詳細說明。第4及6圖中，為了容易了解說明本實施例中的配線體3，誇張顯示凸部332與第2導體線342之間的邊界的凹凸形狀。
又，本實施例中如第9圖所示，樹脂層33的厚度(最大厚度)W1比第1導體層32的厚度(最大厚度)W2更大。因此，能夠確保第1導體層32與第2導體層34之間的絕緣。又，本實施例中，樹脂層33的厚度(最大厚度)W1比接合層31的厚 度(最大厚度)W3更大。
又，上述中所謂厚度(最大厚度)，係平均最大厚度。在此，所謂平均最大厚度，係遍及上述導體線的延伸方向全體複數採取沿著各個導體線的橫向方向的剖面，平均求得的每一剖面的厚度的最大值。附帶一提，上述導體線中，包含構成第1導體層32的第1導體線321、322及引線配線324(第1端子部324T)以及構成第2導體層34的第2導體線341、342及引線配線344(第2端子部344T)。根據求得的參數，適當選擇上述導體線。
求得樹脂層33的厚度(最大厚度)W1的情況下，所謂上述樹脂層33的厚度的最大值，係對應第2端子部344T的樹脂層33中與上述第2端子部344T的下面348的接觸部分(接合面)和樹脂層33的下面之間沿著Z軸方向的距離。本實施例中，樹脂層33的下面，係與接合層31的上面的接觸部分，但沒有接合層31的情況下，係與基材2的主面21的接觸面。
又，求得第1導體層32的厚度(最大厚度)W2的情況下，所謂上述第1導體層32的厚度的最大值，係上述第1端子部324T(引線配線324)中的下面328與上面329之間沿著Z軸方向的距離。
又，求得接合層31的厚度(最大厚度)W3的情況下，所謂上述接合層31的厚度的最大值，係對應第1端子部324T的接合層31中與上述第1端子部324T的下面328的接觸部分(接觸面)和接合層31的下面(與基材2的主面21的接觸部分)之間沿著Z軸方向的距離。
第2導體層34，例如，作用為電極、引線配線的層，與第1導體層32以同樣的導電性材料構成。本實施例中的第2導體層34，如第3圖所示，直接設置在樹脂層33上，具有沿著第3圖中的X軸方向延伸的第2電極圖案340、及連接至上述第2電極圖案340的引線配線344。本實施例中，沿著第3圖中的Y軸方向以大致等間隔配置4個第2電極圖案340。本實施例中，第3圖中的+Y軸方向側配置的2個第2電極圖案340，在第3圖中的-X軸方向側與引線配線344連接，第3圖中的-Y軸方向側配置的2個第2電極圖案340，在第3圖中的+X軸方向側與引線配線344連接。又，第2導體層34內包含的第2電極圖案的數量及配置，不特別限定於上述。
第2電極圖案340，具有複數的第2導體線341、342。第2導體線341，如第3圖所示，直線狀延伸的同時，第2導體線342也直線狀延伸。又，複數的第2導體線341分別大致等間隔平行排列配置的同時，複數的第2導體線342也分別大致等間隔平行排列配置。本實施例中，第2導體線341與第2導體線342互相垂直，因此第2電極圖案340成為具有矩形的格子形狀的網目狀。又，本實施例中，構成第1電極圖案320的網目形狀之單位格子、與構成第2電極圖案340的網目形狀之單位格子，成為互相大致相等的形狀，但不限定於此。
本實施例中第2導體線341、342分別對第2電極圖案340的延伸方向(第3圖中的X軸方向)45度傾斜配置，但這些分別以其他的角度(例如30度)傾斜配置也可以。又，第2導體線341、342中的一方對第2電極圖案340的延伸方向(第 3圖中的X軸方向)90度傾斜配置也可以。
又，第2導體線341、342以曲線狀、馬蹄狀、鋸齒線狀等延伸也可以，混合直線狀的部分與曲線狀、馬蹄狀、鋸齒線狀等的部分也可以。又，第2導體線341與第2導體線342交叉的角度不特別限定為直角。本實施例中，第2導體線341、342具有互相大致相等的線寬，但第2導體線341、342具有互不相同的線寬也可以。第2導體線341、342的線寬，可以設定為例如與上述第1導體線321、322的寬度範圍相同的範圍。
又，第2導體線341、342構成的網目的各網目形狀，不特別限定。例如，各網目的形狀也可以是以下的幾何學圖案。即。第2導體線341、342構成的網目的網目形狀可以是正三角形、等腰三角形、直角三角形等的三角形，也可以是平行四邊形、梯形等的四角形。又，網目的形狀，也可以是六角形、八角形、十二角形、二十角形等的n角形或圓、橢圓、星形等。
本實施例中，第2電極圖案340中與引線配線344連接的邊部340a比第2導體線341、342更寬。不特別圖示，但第2電極圖案340也可以具有圍繞第2導體線341、342形成的網目狀的至少一部分之框部。本實施例中的第2導體線341、342、邊部340a及引線配線344一體形成。又，引線配線344的前端部，成為與不圖示的外部端子等連接的第2端子部344T(參照第1圖)。
如第6圖所示，第2導體線342的側部343與樹脂層33中的凸部332的側部，平滑連續形成1個平面。第2導體 線342具有往遠離第1導體層32側(第6圖中的上方面側)寬度變窄的錐形，因此第2導體線342的剖面形狀(對於第2導體線342的延伸方向之剖面形狀)成為大致梯形。又，第2導體線342的剖面形狀，不特別限定於此。例如，第2導體線342的剖面形狀是正方形、長方形、三角形等也可以。又，本實施例中，第2導體線341也成為與第2導體線342同樣的剖面形狀。
本實施例中的第2導體線342在第6圖中的下面346，係接合凸部332的接合面。另一方面，上面345，在第2導體線342中位於與下面346相反側。上面345，對基板2的主面21實質上平行。
上面345，在第2導體線342的橫向方向的剖面中，包含平坦部3451。此平坦部3451，在第2導體線342的橫向方向的剖面中，係存在於上面345的直線狀的部分(即，曲率半徑極大的部分)，平面度為0.5μm以下。平面度，可以根據JIS法(JIS B0621(1984))定義。平坦部3451的平面度，可以使用與平坦部3251的平面度的測量方法同樣的方法測量。
本實施例中的平坦部3451，在上面345的大致全體上形成。又，不特別限定於上述，平坦部3451在上面345的一部分中形成也可以。此時，例如平坦部在不包含上面的兩端的區域中形成也可以。平坦部在上面的一部分中形成時，上述平坦部的寬度，相對於上面的寬度至少是1/2以上。
側部343位於上面345和下面346之間。此側部343，以第1部分3431與上面345相連，以第2部分3432與下面346相連。本實施例的第2導體線342，因為具有往遠離 第1導體層32側寬度變窄的錐形，第2部分3432比第1部分3431位於更外側。本實施例的側部343，在第2導體線342的橫向方向的剖面中，成為通過此第1及第2部分3431、3432的假想直線(不圖示)上延伸的直線狀的面。
又，側部343的形狀不特別限定於上述。例如，側部343，在第2導體線342的橫向方向的剖面中，也可以比通過第1及第2部分3431、3432的假想直線更向外側突出。以此方式，側部343，在第2導體線342的橫向方向的剖面中，理想是不比通過第1及第2部分的假想直線更凹入內側的形狀(第2導體線342底邊不變寬的形狀)。
本實施例的側部343，在第2導體線342的橫向方向的剖面中，包含平坦部3433。平坦部3433，在第2導體線342的橫向方向的剖面中，係存在於側部343的直線狀的部分(即，曲率半徑極大的部分)，平面度為0.5μm以下。此平坦部3433的平面度，可以根據與上述平坦部3251的平面度的測量方法同樣的方法測量。本實施例中，側部343大致全體上形成平坦部3433。又，平坦部3433的形狀，不特別限定於上述，在側部343的一部分中形成也可以。又，一第2導體線342中，一方的側部343與上面345之間的角度，及另一方的側部343與上面345之間的角度不同的角度也可以。
根據抑制側部343中的光亂反射的觀點來看，側部343與上面345之間的角度θ3理想是90°~170°(90°≦θ3≦170°)，更理想是90°~120°(90°≦θ3≦120°)。本實施例中，一第2導體線342中，一方的側部343與上面345之間的角度， 及另一方的側部343與上面345之間的角度實質上是相同的。
本實施例中的第2導體線342在第6圖中的下面346的表面粗糙度，根據增加第2導體線342與樹脂層33間的接觸面積，堅固固定第2導體線342與樹脂層33的觀點來看，理想是比上述第2導體線342在第6圖中的上面345的表面粗糙度更粗糙。本實施例中，因為上面345包含平坦部3451，上述第2導體線342中的表面粗糙度的相對關係(下面346的表面粗糙度對上面345的表面粗糙度的相對粗糙關係)成立。具體而言，相對於第2導體線342的下面346的表面粗糙度Ra是0.1μm~3μm左右，上面345的表面粗糙度Ra理想是0.001μm~1.0μm左右。又，第2導體線342的下面346的表面粗糙度Ra更理想是0.1μm~0.5μm，上面345的表面粗糙度Ra又更理想是0.001μm~0.3μm。又，下面346的表面粗糙度與上面345的表面粗糙度之比(相對於下面346的表面粗糙度之上面345的表面粗糙度)理想是未滿0.01~1，更理想是未滿0.1~1。又，上面345的表面粗糙度，理想是第2導體線342的寬度(最大寬度)的5分之1以下。又，如此的表面粗糙度，可以根據JIS法(JIS B0601(2013年3月21日訂正))測量。下面346及上面345的表面粗糙度的測量，沿著第2導體線342的橫向方向執行也可以，沿著第2導體線342的延伸方向執行也可以。
又，本實施例中，側部343也包含平坦部3433。因此，與上面345相同，下面346的表面粗糙度，相較於包含平坦部3433的側部343的表面粗糙度，變得更粗糙。具體而言，相對於上述下面346的表面粗糙度Ra，側部343的表面 粗糙度Ra理想是0.001μm~1.0μm左右。又，側部343的表面粗糙度Ra更理想是0.001μm~0.3μm。側部343的表面粗糙度的測量，沿著第2導體線342的橫向方向執行也可以，沿著第2導體線342的延伸方向執行也可以。
又，本實施例中，上面345包含平坦部3451，側部343包含平坦部3433。在此情況下，除了下面346之外的其他面側(即，包含上面345及側部343的面側)中的配線體3的亂反射率，理想是相對於上述下面346側中的配線體3的亂反射率相對變小。具體而言，下面346側中的配線體3的亂反射率與除了下面346之外的其他面側中的配線體3的亂反射率的比(相對於下面346側中的配線體3的亂反射率之除了上述下面346之外的其他面側中的配線體3的亂反射率)，理想是未滿0.1~1，更理想是未滿0.3~1。
引線配線344及對應上述引線配線344的部分中的樹脂層33的剖面形狀，如第8圖所示，分別具有與第2導體線342及接合至上述第2導體線342的樹脂層33同樣的剖面形狀。
即，樹脂層33具有主部331及凸部332，引線配線344設置在上述凸部332上。引線配線344的側部347與樹脂層33中的凸部332的側部，平滑連續形成1個平面。引線配線344具有往遠離樹脂層33側(圖8中+Z軸方向側)寬度變窄的錐形，因此引線配線344的剖面形狀(對於引線配線344的延伸方向之剖面形狀)為大致梯形。又，引線配線344的剖面形狀，不特別限定於此。例如，引線配線344的剖面形狀可 以是正方形、長方形、三角形等。
本實施例的引線配線344，以與構成第2電極圖案340的材料實質上相同的材料構成的同時，第2電極圖案340及引線配線344一體形成。
本實施例中的引線配線344在第8圖中的下面348，係接合至凸部332的接合面。另一方面，上面349，在引線配線344中位於與下面348相反側。上面349，對於基板2的主面21實質上平行。
上面349，在引線配線344的橫向方向的剖面中，包含平坦部3491。此平坦部3491，在引線配線344的橫向方向的剖面中，係存在於上面349的直線狀的部分(即，曲率半徑極大的部分)，平面度為0.5μm以下。又，平面度，可以根據JIS法(JIS B0621(1984))定義。平坦部3491的平面度，可以使用與平坦部3251的平面度的測量方法同樣的方法測量。
本實施例中的平坦部3491，在上面349的大致全體上形成。又，不特別限定於上述，平坦部3491在上面349的一部分中形成也可以。此時，例如平坦部在不包含上面的兩端的區域中形成也可以。平坦部在上面的一部分中形成時，上述平坦部的寬度，相對於上面的寬度至少是1/2以上。
側部347位於上面349和下面348之間。此側部347，以第1部分3471與上面349相連，以第2部分3472與下面348相連。本實施例的引線配線344，因為具有往遠離第1導體層32側寬度變窄的錐形，第2部分3472比第1部分3471位於更外側。本實施例的側部347，在引線配線344的橫向方 向的剖面中，成為通過此第1及第2部分3471、3472的假想直線(不圖示)上延伸的直線狀的面。
又，側部347的形狀不特別限定於上述。例如，側部347，在引線配線344的橫向方向的剖面中，也可以比通過第1及第2部分3471、3472的假想直線更向外側突出。以此方式，側部347，在引線配線344的橫向方向的剖面中，理想是不比通過第1及第2部分的假想直線更凹入內側的形狀(引線配線344底邊不變寬的形狀)。
本實施例的側部347，在引線配線344的橫向方向的剖面中，包含平坦部3473。平坦部3473，在引線配線344的橫向方向的剖面中，係存在於側部347的直線狀的部分(即，曲率半徑極大的部分)，平面度為0.5μm以下。平坦部3473的平面度，可以根據與上述平坦部3251的平面度的測量方法同樣的方法測量。本實施例中，側部347大致全體上形成平坦部3473。又，平坦部3473的形狀，不特別限定於上述，在側部347的一部分中形成也可以。
側部347與上面349之間的角度θ4理想是90°~170°(90°≦θ4≦170°)，更理想是90°~120°(90°≦θ4≦120°)。本實施例中，一引線配線344中，一方的側部347與上面349之間的角度，及另一方的側部347與上面349之間的角度實質上是相同的。又，一引線配線344中，一方的側部347與上面349之間的角度，及另一方的側部347與上面349之間的角度是不同的角度也可以。
本實施例中的引線配線344在第8圖中的下面(第2 接合面)348的表面粗糙度，根據堅固固定引線配線344至樹脂層33的觀點來看，理想是比上述引線配線344在第8圖中的上面349的表面粗糙度更粗糙。本實施例中，因為上面349包含平坦部3491，上述引線配線344中的表面粗糙度的相對關係(下面348的表面粗糙度對上面349的表面粗糙度的相對粗糙關係)成立。具體而言，相對於引線配線344的下面348的表面粗糙度Ra是0.1μm~3μm左右，上面349的表面粗糙度Ra理想是0.001μm~1.0μm左右。又，引線配線344的下面348的表面粗糙度Ra更理想是0.1μm~0.5μm，上面349的表面粗糙度Ra又更理想是0.001μm~0.3μm。又，下面348的表面粗糙度與上面349的表面粗糙度之比(相對於下面348的表面粗糙度之上面349的表面粗糙度)理想是未滿0.01~1，更理想是未滿0.1~1。又，上面349的表面粗糙度，理想是引線配線344的寬度(最大寬度)的5分之1以下。又，如此的表面粗糙度，可以根據JIS法(JIS B0601(2013年3月21日訂正))測量。下面348的表面粗糙度及上面349的表面粗糙度的測量，沿著引線配線344的橫向方向執行也可以，沿著上述引線配線344的延伸方向執行也可以。
又，本實施例中，側部347也包含平坦部3473。因此，與上面349相同，下面348的表面粗糙度，相較於包含平坦部3473的側部347的表面粗糙度，變得更粗糙。具體而言，相對於上述下面348的表面粗糙度Ra，側部347的表面粗糙度Ra理想是0.001μm~1.0μm左右。又，側部347的表面粗糙度Ra更理想是0.001μm~0.3μm。側部347的表面粗糙度的測量，沿著引線配線344的橫向方向執行也可以，沿著引線配線344 的延伸方向執行也可以。
又，在此，雖然詳細說明關於引線配線344的形狀，但上述引線配線344的一部分的第2端子部344T也具有與上述引線配線344的形狀相同的形狀。因此，關於第2端子部344T，省略詳細的說明。
又，如上述，端子區域333中，如第9圖所示，第1端子部324T及第2端子部344T露出配線基板1的外部。又，端子區域333中，只有對應引線配線344的部分設置樹脂層33。因此，第1端子部324T及第2端子部344T，沿著接合層31的厚度方度(第9圖的Z軸方向)互相錯開距離R。即，第1端子部324T中沿著接合層31的厚度方度(第9圖的Z軸方向)的平均位置與第2端子部344T中沿著接合層31的厚度方度(第9圖的Z軸方向)的平均位置之間的距離為R。又，本實施例中，相鄰的第2端子部344T之間以樹脂層33覆蓋，但相鄰的第2端子部344T之間設置樹脂層33的非形成部也可以。
第1端子部324T在Z軸方向中往遠離接合層31側突出。此時，看沿著配線體3的X軸方向(對第1端子部324T的延伸方向垂直的方向)的剖面時，第1端子部324T的全體，在Z軸方向中，比樹脂層33的下面(與設置第2導體層的面相反側的面)位於遠離接合層31側。本實施例中，第1端子部324T不以樹脂層33覆蓋而露出，但往X軸方向投影上述第1端子部324T時，第1端子部324T的投影部分全體，與上述樹脂層33重疊。又，第1端子部324T與樹脂層33的重疊關係，不特別限定於上述，往X軸方向投影上述第1端子部324T時， 上述第1端子部324T的一部分與上述樹脂層33重疊也可以。
又，端子區域333，設置只對應引線配線344的部分之樹脂層33的第1端子部324T側的側面，成為大致垂直面，但不特別限定於此。例如，如第10圖所示，設置只對應引線配線344的部分之樹脂層33為在第1端子部324T與第2端子部344T之間具有往第1端子部324T側慢慢迫近的迫近部334也可以。此時，第1及第2端子部324T、344T與連接器(不圖示)連接之際，可以抑制上述連接器與第1及第2端子部324T、344T之間氣泡混入。又，由於迫近部334的存在，因為第1端子部324T及第2端子部344T之間的段差減少，與連接器的連接變得容易的同時，可以提高上述連接部分的耐久性。
又，本實施例中，端子區域333中，設置只對應引線配線344的部分之樹脂層33具有大致一定的厚度，但不特別限定於此。例如，如第11圖所示，設置對應第2端子344T的部分之樹脂層33的厚度，相較於上述樹脂層33之其他部分的厚度，相對變小也可以。
本實施例中的碰觸偵知器10中，上述配線基板1經由引線配線324、344連接至驅動電路C。此驅動電路C，例如，在第1電極圖案320與第2電極圖案340之間周期性施加既定電壓，根據第1及第2電極圖案320、340的每一交點的靜電容量變化，判別碰觸偵知器10中的操作者的手指接觸位置。
其次，說明關於本實施例中的配線基板1的製造方法。第12(A)~12(I)圖係用以說明本實施例中的配線基板1的製造方法之剖面圖，第13(A)~13(I)圖係用以說明本實施例 中配線基板1的製造方法的變形例之剖面圖。又，第13(A)~13(I)圖的範例中，圖示關於2個第1端子部324T及上述第1端子部324T的外側各設置一個第2端子部344T的情況。
首先，如第12(A)圖所示，準備第1凹版4，形成對應第1導體層32中的第1電極圖案320及引線配線324的形狀之形狀的凹部41。作為構成第1凹版4的材料，可以例示鎳、矽、二氧化矽等的玻璃類、有機二氧化矽類、玻璃碳、熱可塑性樹脂、光硬化性樹脂等。凹部41的寬度，理想是50nm(毫微米)~1000μm(微米)，更理想是500nm~150μm，又更理想是1μm~10μm，又再更理想是1μm~5μm。又，凹部41的深度，理想是50nm~3000μm，更理想是500nm~450μm，又更理想是500nm~10μm。本實施例中凹部41的剖面形狀，形成越往底部寬度越窄的錐形。
凹部41的表面，為了提高脫模性，理想是形成石墨基材料、矽氧樹脂基材料、氟基材料、陶瓷基材料、鋁基材料等構成的脫模層411。
對上述第1凹版4的凹部41，填充導電性材料5。使用上述導電性膏材，作為如此的導電性材料5。填充導電性材料5至第1凹版4的凹部41內的方法，例如可以舉出配量法、噴墨法、網版印刷法。或是可以舉出以狹縫塗佈法(slit coating)、棒式塗佈法(bar coating)、刀塗法(blade coating)、浸塗法(Dip Coating)、噴塗法(Spray Coating)、旋塗法(Spin Coating)塗佈後擦去或刮除、吸除、黏除、沖洗、吹除在凹部以外塗佈的導電性材料的方法。可以根據導電性材料的組成等、凹版的 形狀等，適當靈活運用。
其次，如第12(B)圖所示，加熱第1凹版4的凹部41內填充的導電性材料5，因此形成構成第1導體層32的導體圖案。導電性材料5的加熱條件，可以根據導電性材料的組成等適當設定。藉由此加熱處理，導電性材料5體積收縮。此時，除了導電性材料5的上面以外的外面，沿著凹部41的形狀形成。另一方面，因為在導體圖案的上面與外部空氣接觸的狀態下加熱，形成根據導電性材料5內包含的導電性粒子的形狀之凹凸形狀51(參照第12(B)圖的拉出圖)。又，導電性材料5的處理方法不限定於加熱。照射紅外線、紫外線、雷射光等的能量線也可以，只乾燥也可以。又，組合這2種以上的處理方法也可以。由於凹凸形狀51的存在，第1導體層32與接合層31之間的接觸面積增大，可以更堅固固定第1導體層32至接合層31。
接著，如第12(C)圖所示，準備在基板2上大致均勻塗佈用以形成接合層31的接合材料6。使用構成上述接合層31的材料，作為如此的接合材料6。在基板2上塗佈接合材料6的方法，可以例示網版印刷法、噴塗法、棒式塗佈法、浸塗法、噴墨法等。
其次，如第12(D)圖所示，上述接合材料6進入第1凹版4的凹部41，配置基板2及接合材料6在第1凹版4上，對第1凹版4壓下基板2，使接合材料6硬化。使接合材料6硬化的方法，可以例示紫外線、紅外線、雷射光等的能量線照射、加熱、加熱冷卻、乾燥等。因此，形成接合層31的同時，經由上述接合層31，基板2與第1導體層32互相接合固定。
接著，如第12(E)圖所示，基板2、接合層31及第1導體層32從第1凹版4脫模，得到中間體7。
接著，如第12(F)圖所示，準備第2凹版45，形成對應第2導體層34中的第2電極圖案340及引線配線344的形狀之形狀的凹部46。作為構成第2凹版45的材料，可以舉出與上述第1凹版4同樣的材料。本實施例中凹部46的剖面形狀，形成越往底部寬度越窄的錐形。又，凹部46的表面，理想也是形成與凹部41的脫模層411同樣的脫模層461。
對上述第2凹版45的凹部46，填充導電性材料。可以舉出與上述導電性材料5同樣的材料，作為填充凹部46的導電性材料。
填充導電性材料至第2凹版45的凹部46內的方法，例如可以舉出配量法、噴墨法、網版印刷法。或是可以舉出以狹縫塗佈法(slit coating)、棒式塗佈法(bar coating)、刀塗法(blade coating)、浸塗法(Dip Coating)、噴塗法(Spray Coating)、旋塗法(Spin Coating)塗佈後擦去或刮除、吸除、黏除、沖洗、吹除在凹部以外塗佈的導電性材料的方法。可以根據導電性材料的組成等、凹版的形狀等，適當靈活運用。
其次，加熱第2凹版45的凹部46內填充的導電性材料，形成構成第2導體層34的導體圖案。導電性材料的加熱條件，可以根據導電性材料的組成等適當設定。藉由此加熱處理，凹部46內填充的導電性材料體積收縮，除了導電性材料的上面之外的外面，形成沿著凹部46的形狀。另一方面，導體圖案的上面形成與凹凸形狀51同樣的凹凸形狀。又，導 電性材料的處理方法不限定於加熱，照射紅外線、紫外線、雷射光等的能量線也可以，只乾燥也可以。又，組合這2種以上的處理方法也可以。藉由在導體圖案中形成與凹凸形狀51同樣的凹凸形狀，第2導體層34與樹脂層33之間的接觸面積增大，可以更堅固固定第2導體層34至樹脂層33。
接著，如第12(F)圖所示，構成樹脂層33的樹脂材料71，塗佈在第2凹版45上。作為如此的樹脂材料71，使用構成上述樹脂層33的材料。又，構成樹脂層33的材料的黏度，根據確保塗佈時的充份流動性來看，理想是1mPa．s~10,000mPa．s。又，硬化後的樹脂的儲存模數，根據第1導體層32或第2導體層34的耐久性的觀點來看，理想是106Pa(帕斯卡)以下，更理想是109Pa以下。塗佈樹脂材料71在第2凹版45上的方法，可以例示網版印刷法、噴塗法、棒式塗佈法、浸塗法、噴墨法等。
其次，樹脂材料71進入第2凹版45的凹部46，配置中間體7及樹脂材料71在第2凹版45上，對第2凹版45壓下中間體7，使樹脂材料71硬化(參照第12(G)圖及第12((H)圖)。使樹脂材料71硬化的方法，可以例示紫外線、紅外線、雷射光等的能量線照射、加熱、加熱冷卻、乾燥等。對第2凹版45壓下中間體7之際的加壓力，理想是0.001MPa~100MPa，更理想是0.01MPa~10MPa。又，上述加壓利用壓力滾輪可以實行。因此，形成樹脂層33的同時，經由上述樹脂層33，中間體7與第2導體層34互相接合固定。
於是，上述中間體7、樹脂層33及第2導體層34 從第2凹版45脫模，可以得到本實施例中具有配線體3的配線基板1(參照第12(I)圖)。又，上述的步驟順序，不特別限定於上述。
例如，根據以下說明的方法，製造配線基板1也可以。即，如第13(A)圖~第13((I)圖所示，對第1凹版4填充導電性材料5(第13(A)圖)再加熱後(第13(B)圖)，在第1凹版4上塗佈樹脂材料(第13(C)圖)，使上述樹脂材料凝固(第13(D)圖)。於是，使用凝固的上述樹脂材料作為基材，構成配線體或配線基板也可以(參照第13(E)圖~第13(I)圖)。
其次，說明關於具有本實施例中的配線體3的配線基板1及碰觸偵知器的作用。
本實施例中的配線體3，在接合層31上形成第1導體層32的同時，在樹脂層33上形成第2導體層34。於是，具有上述第1導體層32的第1端子部324T及具有第2導體層的第2端子部344T，沿著接合層31的厚度方向(第8圖中的Z軸方向)互相錯開。因此，由於可以不經由異向性導電接合劑等而設置同方向露出的端子部324T、344T，可以提高配線的拉出性。
又，本實施例中，第1端子部324T，在Z軸方向中，往遠離接合層31側突出，往X軸方向投影上述第1端子部324T時，第1端子部324T的投影部分與樹脂層33重疊。因此，由於可以縮小第1及第2端子部324T、344T間，可以輕易進行上述第1及第2端子部324T、344T的取出。
又，本實施例中，第1端子部324T與上述樹脂層 33之間的關係，由於成為上述位置關係(往X軸方向投影上述第1端子部324T時，第1端子部324T的投影部分的至少一部分與上述樹脂層33重疊的關係)，可以在第1及第2端子部324T、344T之間互相接近的狀態下配置。因此，可以使第1及第2端子部324T、344T與外部的連接器(不圖示)的連接部分的耐久性提高。
又，本實施例中，不使光學透明黏合材等介於樹脂層33與第1導體層32及接合層31之間。因此，可以降低配線體3、配線基板1及具備這些的碰觸偵知器10的全體厚度。
又，本實施例中的配線體3，如第9圖所示，樹脂層33的厚度(最大厚度)W1比第1導體層32的厚度(最大厚度)W2更大。藉此，成為能夠確保第1導體層32與第2導體層34之間的絕緣。因此，由於第1電極圖案320與第2電極圖案340兩方可以設置在基板2的一方主面上，可以力圖配線體3、配線基板1及具備這些的碰觸偵知器10的薄型化。
又，本實施例中，第1電極圖案320與引線配線324一體形成的同時，第2電極圖案340與引線配線344一體形成。因此，可以提高第1電極圖案320與引線配線324之間的連接可靠性以及第2電極圖案340與引線配線344之間的連接可靠性。
又，此時，參照第11圖說明，設置對應第2端子344T的部分之樹脂層33的厚度，相較於上述樹脂層33之其他部分的厚度相對變小時，因為第1端子部324T與第2端子部344T的高度可以互相接近，可 以力圖提高與連接至第1與第2端子部324T、344T的端子等(不圖示)之間的連接可靠性。
又，本實施例的引線配線324，具有往第2導體層34側寬度變窄的錐形。因此，相較於引線配線324中無上述錐形的情況或形成反向的錐形的情況，對第2凹版45按壓中間體7時，可以提高引線配線324對按壓力的機械強度。因此，抑制製造時等引線配線324的斷線，可以提高配線基板1的耐久性。本實施例在引線配線324中，也具有同樣的錐形(往遠離第1導體層32側寬度變窄的錐形)。因此，因為也提高第2導體線342的機械強度而可以抑制斷線，可以更提高配線體3、配線基板1及具備這些的碰觸偵知器10的耐久性。
又，本實施例的配線體3，在引線配線324的橫向方向的剖面中，也著眼於引線配線324(第1端子部324T)的下面328與上述下面328以外的其他面(包含上面329及側部327的面)之間的表面粗糙度(即，截斷起伏成分的粗糙度參數)的相對關係，本實施例中的引線配線324(第1端子部324T)在第8圖中的下面(第1接合面)328的表面粗糙度，比上述引線配線324(第1端子部324T)在第8圖中的上面329的表面粗糙度更粗糙。藉此，由於引線配線324(第1端子部324T)與接合層31的接觸面積增加，可以堅固固定引線配線324(第1端子部324T)至接合層31。因此，可以更提高配線體3、配線基板1及具備這些的碰觸偵知器10的耐久性。又，同時，可以抑制從外部入射的光亂反射。尤其，引線配線324(第1端子部324T)的寬度是1μm~5μm時，由於下面328與上面329之間的表面粗糙 度的相對關係滿足上述的關係，堅固接合接合層31與引線配線324(第1端子部324T)的同時，可以顯著達到可以抑制從外部入射的光亂反射之效果。
又，本實施例中，引線配線344(第2端子部344T)在第8圖中的下面348的表面粗糙度也同樣地，因為比上述引線配線344(第2端子部344T)在第8圖中的上面349的表面粗糙度更粗糙，可以更提高配線體3、配線基板1及具備這些的碰觸偵知器10的耐久性。又，同時，可以抑制從外部入射的光亂反射。尤其，引線配線344(第2端子部344T)的寬度是1μm~5μm時，由於下面348與上面349之間的表面粗糙度的相對關係滿足上述關係，堅固接合樹脂層33與引線配線344(第2端子部344T)的同時，可以顯著達到可以抑制從外部入射的光亂反射之效果。
又，本實施例中，側部327與通過第1及第2部分3271、3272的假想直線實質上一致延伸。在此情況下，引線配線324(第1端子部324T)的橫向方向的剖面中，因為側部327不成為比通過第1及第2部分3271、3272的假想直線更凹入內側的形狀(即，導體圖案的底邊變寬的形狀)，抑制從配線體3的外部入射的光亂反射。藉此，可以更提高配線體3的視認性。
同樣地，本實施例中，側部347與通過第1及第2部分3471、3472的假想直線實質上一致延伸。在此情況下，引線配線344(第2端子部344T)的橫向方向的剖面中，因為側部347不成為比通過第1及第2部分3471、3472的假想直線更凹入內側的形狀(即，導體圖案的底邊變寬的形狀)，抑制從配線體 3的外部入射的光亂反射。藉此，可以更提高配線體3的視認性。
又，本實施例中，由於下面328的表面粗糙度Ra相對於下面328以外其他的面(包含上面329及側部323的面)的表面粗糙度Ra相對粗糙，上述其他面側中的配線體3的亂反射率，相對於下面328側的配線體3的亂反射率相對變小。在此，配線體3的亂反射率小的話，抑制引線配線324映出白色，在可以視認上述引線配線324的區域中可以抑制對比下降。以此方式，可以力圖更提高本實施例的配線體3的視認性。
同樣地，本實施例中，由於下面348的表面粗糙度Ra相對於下面348以外其他的面(包含上面349及側部343的面)的表面粗糙度Ra相對粗糙，上述其他面側中的配線體3的亂反射率，相對於下面348側的配線體3的亂反射率相對變小。在此，配線體3的亂反射率小的話，抑制引線配線344映出白色，在可以視認上述引線配線344的區域中可以抑制對比下降。以此方式，可以力圖更提高本實施例的配線體3的視認性。
又，本實施例中，因為第1導體線321、322或第2導體線341、342都具有與引線配線324、344相同的形成，上述第1、第2導體線321、322、341、342都可以達到與上述引線配線324、344的作用．效果相同的作用．效果。因此，可以更力圖提高配線體3、配線基板1及包括這些的碰觸偵知器10的耐久性，以及提高視認性。
又，本實施例中，在平面視圖中，空出既定的空間在引線配線324的兩鄰配置引線配線344，但不特別限定於此。例如，不特別圖示，而在平面視圖中，空出既定的空間在引線 配線344的兩鄰配置引線配線324也可以。
<<第二實施例>>
第14圖係顯示本發明的第二實施例中的碰觸偵知器之立體圖，第15圖係顯示本發明的第二實施例中的配線基板之立體圖，第16圖係沿著第15圖的XVI-XVI線之剖面圖，以及第17圖係顯示本發明的第二實施例中第2樹脂層的第1變形例之剖面圖，以及第18圖係沿著第14圖的XVIII-XVIII線之剖面圖。
本實施例中，關於備置上述配線基板1的配線構造體11的一範例，一邊參照第14~18圖，一邊說明。
又，本實施例的配線構造體11備置的配線基板1(配線體3)的基本構成，與第一實施例相同。以下，作為第二實施例，說明配線構造體11的構成，但關於配線基板1(配線體3)，只說明與第一實施例的不同點，關於與第一實施例相同構成的部分，附上相同的符號省略其說明。
本實施例的配線構造體11，如第14圖所示，與第一實施例相同，係使用碰觸偵知器10，包括配線基板1、以及電性連接至上述配線基板1備置的配線體3之連接配線基板8。
本實施例的配線基板1，如第15及16圖所示，在基板2及接合層31中設置狹縫30。此狹縫30，在未形成樹脂層33的接合層31上的區域(樹脂層非形成部335)中，切斷第1端子部324T與第2端子部344T之間而設置，形成到端子區域333的端子近旁為止。本實施例中的狹縫30，沿著第15圖中的Y軸方向形成直線狀，但不特別限定於此，形成曲線狀也可以。
又，如第17圖所示，面向樹脂層非形成部335的 樹脂層33的側面，形成慢慢地往第1端子部324T側迫近的迫近部334也可以。此時，連接第1及第2端子部324T、344T與連接配線基板8之際，可以抑制上述連接配線基板8與第1及第2端子部324T、344T之間氣泡混入。又，由於迫近部334的存在，因為第1端子部324T及第2端子部344T之間的段差減少，與連接配線基板8的連接變得容易的同時，可以提高上述連接部分的耐久性。第17圖所示的形態中，狹縫30在對Y軸方向(第1端子部324T的延伸方向)垂直的剖面中，形成於迫近部334與上述最接近上述迫近部334的第1端子部324T之間。
本實施例中的配線構造體11中，如第14及18圖所示，在端子區域333安裝連接配線基板8。
配線基板8，具有連接驅動電路C(參照第14圖)與配基板1的功能，包括連接基板81、以及分別設置在上述連接基板81上的第1連接端子82及第2連接端子83。
連接基板81，例如以甲酸乙二醇酯(PET)或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醯亞胺樹脂(PI)、聚醚酰亞胺(PEI)等形成的薄膜構成。如第18圖所示，第1連接端子82對向第1端子部324T配置的同時，第2連接端子83對向第2端子部344T配置。
連接配線基板8，經由異向性導電接合劑84對向配線基板1的同時，上述連接配線基板8與配線基板1互相固定。作為如此的異向性導電接合劑84，可以例示迪睿合(Dexerials)公司製的ACF(異向性導電膠膜)等。藉此，第1端子部324T與第1連接端子82之間力圖電性連接的同時，第 2端子部344T與第2連接端子83之間力圖電性連接。又，第1端子部324T與第1連接端子82的連接方法，以及第2端子部344T與第1連接端子82的連接方法，不特別限定於上述，使用焊錫等進行那些連接也可以。
本實施例中，如第18圖所示，配線基板1中設置第1端子部324T的部分2A，對於設置第2端子部344T的部分2B在相對連接配線基板8側(第18圖中的+Z軸方向側)錯開。即，第1及第2端子部324T、344T沿著接合層31的厚度方向互相錯開。藉此，對應第1端子部324T的接合層31，相較於對應第2端子部344T的接合層31，更接近連接基板81側。又，第1端子部324T與第1連接端子82之間的距離H1和第2端子部344T與第2連接端子83之間的距離H2，理想是互相大致相等(H1≒H2)。
其次，說明關於本實施例中的配線構造體11的製造方法。第19(A)~19(L)圖係用以說明本發明第二實施例中的配線構造體的製造方法之剖面圖。又，第19(A)~19(L)圖的範例中，圖示關於2個第1端子部324T及上述第1端子部324T的外側各設置1個第2端子部344T的情況。
首先，使用與第一實施例中說明的方法相同的方法得到配線基板1(參照第19(A)~19(I)圖)。其次，如第19(J)圖所示，以雷射切割機等設置切斷第1端子部324T與第2端子部344T的狹縫30。接著，準備在連接基板81上設置第1及第2連接端子82、83之連接配線基板8，熱壓接合裝置設定為經由異向性導電接合劑84對向配線基板1(參照第19(K) 圖)。此時，使第1端子部324T對向第1連接端子82，使第2端子部344T對向第2連接端子83。
其次，使用熱壓接合裝置對異向性導電接合劑84授予熱的同時，施加壓力至配線基板1與連接配線基板8，進行熱壓接合。此時，如第19(L)圖所示，配線基板1中對設置第1端子部324T的部分2A，施加比設置第2端子部344T的部分2B更強的壓力，使對應第1端子部324T的接合層31，比對應第2端子部344T的接合層31，更接近連接基板81側。藉由此熱壓接合，配線基板1與連接配線基板8互相固定的同時，第1及第2端子部324T、344T分別電性連接至第1及第2連接端子82、83，得到配線構造體11。
其次，說明關於本實施例中的配線構造體11及碰觸偵知器10的作用。
本實施例中的配線構造體11，因為包括配線體3，可以得到與第一實施例中說明的配線體3的作用．效果相同的作用．效果。
又，以往，透明膜上形成第1導體層後，設置透明聚合物層，藉由在上述透明聚合物層上形成第2導體層，形成2層的導電層構成的導電性構造。如此的導電性構造中，要設置用以力圖連接外部的配線基板等與導電層時，由於導體層是2層狀，具有配線的取出性不佳的情況之問題。
相對於此，本實施例中的配線構造體11(配線體3)中，第1導體層32在接合層31上形成的同時，第2導體層34在樹脂層33上形成。於是，上述第1導體層32具有的第1端 子部324T及第2導體層34具有的第2端子部344T，沿著接合層31的厚度方向互相錯開。又，接合層31及基板2具有切斷第1端子部324T與第2端子部344T之間的狹縫30。
藉此，連接配線基板1與連接配線基板8之際，因為第1端子部324T與第2端子部344T的高度可以互相接近(參照第18圖)，這些第1及第2端子部324T、344T的高度變得容易一致，可以提高配線的取出性。又，由於使第1端子部324T與第1連接端子82之間的距離和第2端子部344T與第2連接端子83之間的距離為接近的高度，可以力圖提高配線體3與連接配線基板8之間的連接特性。又，第1端子部324T與第1連接端子82之間的距離和第2端子部344T與第2連接端子83之間的距離互相大致相等時，可以更力圖提高配線體3與連接配線基板8之間的連接特性。
又，本實施例中，配線基板1側設置狹縫，但不特別限定於此。例如，如第20(A)及20(B)圖所示，從配線基板1省略狹縫30的同時，連接配線基板8中設置狹縫301也可以。設置此狹縫301以切斷第1連接端子82與第2連接端子83。製造配線構造體之際，如第20(A)圖所示，設置狹縫301的連接配線基板8與配線基板1設定為經由異向性導電接合劑84對向後，以熱壓接合互相固定連接配線基板8與配線基板1。
在此之際，將連接配線基板8中接受第1連接端子82的部分8A，對設置第2連接端子83的部分8B相對強力壓接，使第1連接端子82比第2連接端子83更接近接合層31側。在此情況下，也可以達到與上述實施例相同的效果。又， 第1端子部324T與第1連接端子82之間的距離H1和第2端子部344T與第2連接端子83之間的距離H2，理想是互相大致相等(H1≒H2)。在此情況下，可以更力圖提高配線體3與連接配線基板8之間的連接特性。
又，以上說明的實施例，係用以容易理解本發明而記載，不是用以限定本發明而記載。因此，上述實施例揭示的各要素，係包含屬於本發明的技術範圍之全部的設計變更或均等物之主旨。
例如，上述的實施例中，使用金屬材料或碳基材料，作為構成第1及第2導體層的導電性材料，但不特別限定於此，使用混合金屬材料及碳基材料之物也可以。在此情況下，例如，以第1導體線322為例說明時，上述第1導體線322的上面325側配置碳基材料，下面326側配置金屬材料也可以。又，相反地，第1導體線322的上面325側配置金屬材料，下面326側配置碳基材料也可以。
又，例如，從上述實施例中的配線基板1省略基板2也可以。在此情況下，例如，在接合層31的下面設置脫模片，組裝時剝下上述脫模片，以接合至組裝對象(薄膜、表面玻璃、偏光板、顯示器等)組裝的形態，構成配線體或配線基板也可以。又，此形態中，組裝對象相當於本發明的支持體的一範例。又，設置覆蓋第2導體層34的樹脂部，以經由上述樹脂部接合至上述組裝對象組裝的形態，構成配線體或配線基板也可以。
又，例如，第1導體層32中的第1電極圖案及第2導體層34中的第2電極圖案，成為第21圖所示的形態也可以。
第21圖的範例中，第1電極圖案320B由複數的矩形部91、及連結上述矩形部91之間的連結部92構成。矩形部91，係對角線沿著第21圖中的Y軸方向大致等間隔往上述Y軸方向排列配置，連結部92連接相鄰的矩形部91的角部之間。矩形部91及連結部92，具有複數的導體線構成的網目形狀。
第2電極圖案340B，也由複數的矩形部93、及連結上述矩形部93之間的連結部94構成。矩形部93，係對角線沿著第21圖中的X軸方向大致等間隔往上述X軸方向排列配置，連結部94連接相鄰的矩形部93的角部之間。矩形部93及連結部94，也具有複數的導體線構成的網目形狀。第1電極圖案320B之間，沿著第21圖中的X軸方向大致等間隔配置的同時，第2電極圖案340B沿著第21圖中的Y軸方向大致等間隔配置。於是，第1電極圖案320B與第2電極圖案340B，在連結部92、94中互相交叉。
本例中，也可以達到與上述實施例中說明的效果同樣的效果。
又，上述實施例中，說明為配線體用於碰觸偵知器，但配線體的用途不特別限定於此。例如，藉由配線體中通電以電阻加熱等發熱，上述配線體用作加熱器也可以。此時，作為構成導體層的導電性材料，理想是使用較高電阻值的碳基材料。又，藉由配線體的導體部的一部分接地，上述配線體用作電磁遮蔽屏蔽也可以。又，配線體用作天線也可以。
2‧‧‧基板
31‧‧‧接合層(第1樹脂層)
311‧‧‧支持部(第1凸部)
312‧‧‧平狀部
32‧‧‧第1導體層
324‧‧‧引線配線
324T‧‧‧第1端子部
33‧‧‧樹脂層(第2樹脂層)
331‧‧‧主部
332‧‧‧凸部(第2凸部)
333‧‧‧端子區域
344‧‧‧引線配線
344T‧‧‧第2端子部
R‧‧‧錯開距離
W1‧‧‧樹脂層33的厚度(最大厚度)
W2‧‧‧第1導體層32的厚度(最大厚度)
W3‧‧‧接合層31的厚度(最大厚度)

Claims (16)

  1. 一種配線體，包括：第1樹脂層；第1導體層，具有第1端子部，設置在上述第1樹脂層上；第2樹脂層，至少除了上述第1端子部以外覆蓋上述第1導體層；以及第2導體層，具有第2端子部，設置在上述第2樹脂層上；其中，上述第1端子部及上述第2端子部，沿著上述第1樹脂層的厚度方向互相錯開；上述第1端子部，在上述厚度方向中，往遠離上述第1樹脂層側突出；以及往相對於上述厚度方向垂直的方向投影上述第1端子部時，上述第1端子部的投影部分中至少一部分與上述第2樹脂層重疊。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的配線體，其中，上述第1導體層更具有網目狀的第1電極部，上述第2導體層更具有網目狀的第2電極部，上述第1電極部及上述第1端子部一體形成，以及上述第2電極部及上述第2端子部一體形成。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的配線體，其中，上述第2樹脂層的最大厚度，比上述第1樹脂層的最大厚度大。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的配線體，其中，對應上述第2端子部之上述第2樹脂層，在上述第1端子部與上述第2端子部之間，具有慢慢地往上述第1端子部側迫近的迫近部。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的配線體，其中，對應上述第2端子部之上述第2樹脂層的厚度，相較於上述第2樹脂層之其他部分的厚度相對變小。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的配線體，其中，上述第1端子部中，接合上述第1樹脂層的第1接合面的表面粗糙度，比起與上述第1接合面相反側的面的表面粗糙度更粗糙；上述第2端子部中，接合上述第2樹脂層的第2接合面的表面粗糙度，比起與上述第2接合面相反側的面的表面粗糙度更粗糙。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的配線體，其中，上述第1端子部具有隨著遠離上述第1樹脂層側寬度變窄的錐形，上述第2端子部具有隨著遠離上述第2樹脂層側寬度變窄的錐形。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的配線體，其中，上述第1樹脂層，具有往上述第1端子部突出的第1凸部；上述第1端子部，設置在上述第1凸部上；上述第2樹脂層，具有往上述第2端子部突出的第2凸部；以及上述第2端子部設置在上述第2凸部上。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的配線體，其中，上述第1樹脂層，具有切斷上述第1端子部與上述第2端子部之間的狹縫。
  10. 一種配線構造體，包含：如申請專利範圍第9項所述的配線體；以及 連接配線基板，電性連接至上述配線體；其中，上述連接配線基板包括：連接基板；第1連接端子，對向上述第1端子部，設置在上述連接基板上；以及第2連接端子，對向上述第2端子部，設置在上述連接基板上。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的配線構造體，其中，對應上述第1端子部之上述第1樹脂層，相較於對應上述第2端子部之上述第1樹脂層，更接近上述連接基板側。
  12. 一種配線構造體，包括：如申請專利範圍第1項所述的配線體；以及連接配線基板，電性連接至上述配線體；其中，上述連接配線基板，包括：連接基板；第1連接端子，對向上述第1端子部，設置在上述連接基板上；以及第2連接端子，對向上述第2端子部，設置在上述連接基板上；其中，上述連接基板，具有切斷上述第1連接端子與上述第2連接端子之間的狹縫。
  13. 如申請專利範圍第12項所述的配線構造體，其中，上述第1連接端子，相較於上述第2連接端子，更接近上述第1樹脂層側。
  14. 如申請專利範圍第10~13項中任一項所述的配線構造體，具有支持上述配線體的支持體。
  15. 一種配線基板，包括：如申請專利範圍第1至9項中任一項所述的配線體；以及支持體，支持上述配線體。
  16. 一種碰觸偵知器，包括：如申請專利範圍第14項所述的配線構造體，或如申請專利範圍第15項所述的配線基板。
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