TWI587191B - A lead wire, a wire substrate, a touch sensor, and a wire body - Google Patents
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Description
本發明是關於導線體、導線基板、觸控感測器及導線體的製造方法。
藉由在凹版充填導體材料後，使用橡皮印刷(offset printing)將這個導體材料轉印至被轉印基板，經由其後的加熱步驟而形成導體導線圖形為已知(例如參考專利文獻1)。
另外，作為電磁波遮蔽材料，將具有充填有未硬化的導電性組合物之既定圖形的凹部的版面，與此導電性組合物的轉印對象的基材的其中一面隔著未硬化的底漆層作壓接，將這個導電性組合物轉印到底漆層上之後，進行這個導電性組合物的硬化處理而形成導線層為已知(例如參考專利文獻2的[0087])。
【先行技術文獻】
【專利文獻】
【專利文獻1】日本特開2007-324426號公報
【專利文獻2】國際公開2008/149969號
上述的導體導線圖形、電磁波遮蔽材料的導體層，由於是藉由轉印導體材料(導電性組合物)後進行硬化‧加熱處理而形成，在這個導體導線圖形的表面會發生來自構成導體材料的導電性粒子的凹凸形狀。因此，會有從外部入射的光線在這個導體導線圖形的表面散射的問題。另一方面，即使降低導體導線圖形全體的表面粗糙度而可以抑制此一散射，仍有變得難以堅固地進行導體材料與基板的接著之類的問題。
本發明所欲解決的問題，是提供導線體、導線基板、觸控感測器及導線體的製造方法，而堅固地接著絕緣構件與導體圖形，並可以抑制從外部入射的光線的散射。
[1]本發明相關的導線體，其特徵在於包括：絕緣構件；以及導體圖形，接著於上述絕緣構件；其中在上述導體圖形中的接著於上述絕緣構件的接著面的表面粗糙度，是大於在上述導體圖形中的上述接著面以外的其他面的表面粗糙度。
[2]在上述發明中，可滿足下列式(1)：0.5≦B/A‧‧‧(1)
其中，在上述式(1)，A為上述導體圖形的剖面視圖中的最大寬度，B為上述導體圖形的上述剖面視圖中的最大高度。
[3]在上述發明中，上述其他面可具有位於上述接著面的相反側的頂邊部；上述頂邊部可包含平坦部。
[4]在上述發明中，上述其他面可具有：頂邊部，位於上述接著面的相反側；以及側部，位於上述接著面與上述
頂邊部之間；其中在剖面視圖中，上述側部可呈傾斜而隨著離開上述絕緣構件的方向接近上述導體圖形的中心。
[5]在上述發明中，上述側部可朝向離開上述絕緣構件的方向形成為凸狀。
[6]在上述發明中，上述頂邊部與上述側部之間的角度θ可為90°~120°。
[7]在上述發明中，在剖面視圖中，上述側部可具有：第一部分，連接上述頂邊部；以及第二部分，位於比上述第一部分還外側，連接上述接著面；其中在剖面視圖中，上述側部可實質上與通過上述第一及第二部分的假想直線一致或是比上述假想直線還向外側突出。
[8]在上述發明中，上述導體圖形可包含導電性粒子，上述導電粒子的平均直徑可為上述導體圖形的寬度的一半以下。
[9]在上述發明中，上述導體圖形的寬度可為1μm~5μm。
[10]在上述發明中，在上述其他面側的上述導線體的散射率，可相對地小於在上述接著面側的上述導線體的散射率。
[11]本發明相關的導線基板，其特徵在於包括：上述導線體；以及支持體，支持上述導線體。
[12]本發明相關的觸控感測器，其特徵在於包含上述導線基板。
[13]本發明相關的導線體的製造方法，其特徵在
於包括：第一步驟，在凹版的凹部充填導電性材料；第二步驟，對已充填於上述凹版的上述導電性材料進行乾燥、加熱及能量線照射之中的至少一個，在上述導電性材料的上表面形成凹凸形狀；第三步驟，使上述凹凸形狀嵌入絕緣材；以及第四步驟，至少將上述絕緣材及上述導電性材料，從上述凹版脫模。
[14]在上述發明中，上述第三步驟可包含在嵌入有上述凹凸形狀的上述絕緣材之上配置基材的步驟；上述第四步驟可在經由上述絕緣材將上述導電性材料固定於上述基材的狀態，將上述基材、上述絕緣材及上述導電性材料從上述凹版脫模的步驟。
[15]在上述發明中，可滿足下列式(2)：0.5≦D/C‧‧‧(2)
其中，在上述式(2)，C為已進行乾燥、加熱及能量線照射之中的至少一個的上述導體性材料的剖面視圖中的最大寬度，D為已進行加熱或能量線照射的上述導體性材料的上述剖面視圖中的最大高度。
[16]在上述發明中，上述凹部的內壁可包含平坦面。
[17]在上述發明中，上述平坦面可對上述上表面傾斜。
[18]在上述發明中，上述凹部的內面形狀，可包含向底面呈凸出的面。
根據本發明，在導體圖形中的接著於絕緣構件的
接著面的表面粗糙度，是大於在這個導體圖形中的接著面以外的其他面的表面粗糙度。因此，堅固地接著絕緣構件與導體圖形，並可以抑制從外部入射的光線的散射。
10‧‧‧導線基板
1、1B‧‧‧導線體
2‧‧‧基材
21‧‧‧主表面
3‧‧‧接著層
31‧‧‧支持部
311‧‧‧側部
32‧‧‧平狀部
4‧‧‧傳導層
41、41B‧‧‧導體圖形
42、42B‧‧‧下表面(接著面)
43、43B‧‧‧頂邊部
431、431B‧‧‧平坦部
44、44B‧‧‧側部
44a、44b‧‧‧第一及第二部分
441‧‧‧平坦部
442‧‧‧頂點
45‧‧‧第二側部
45a、45b‧‧‧第三及第四部分
46‧‧‧曲面
47‧‧‧上面
5‧‧‧凹版
51‧‧‧凹部
52‧‧‧內壁
53‧‧‧底面
6‧‧‧導電性材料
7、7B‧‧‧接著性材料
71‧‧‧接著體
8‧‧‧塗層
81‧‧‧外表面
A‧‧‧最大寬度
B‧‧‧最大高度(厚度)
BR‧‧‧黏結劑樹脂
C‧‧‧中心線
L、L2‧‧‧假想直線
M‧‧‧導電性粒子
θ‧‧‧角度
【第1圖】第1圖是一斜視圖，顯示本發明之實施形態中的導線基板。
【第2圖】第2圖是沿著第1圖的II-II線的剖面圖。
【第3圖】第3圖是沿著第1圖的III-III線的剖面圖。
【第4圖】第4圖(A)~第4圖(C)是剖面圖，分別顯示本發明之實施形態中的導線體的第一~第三變形例。
【第5圖】第5圖是一剖面圖，用以說明本發明之實施形態中的導電層。
【第6圖】第6圖(A)~第6圖(E)是剖面圖，顯示本發明之實施形態中的導線基板的製造方法。
【第7圖】第7圖是一剖面圖，用以說明本發明之實施形態中的導線體的作用。
【第8圖】第8圖(A)~第8圖(E)是剖面圖，顯示本發明之實施形態中的導線體的製造方法的變形例。
以下，基於圖式說明本發明的實施形態。
第1圖是一斜視圖，顯示本發明之實施形態中的導線基板。第2圖是沿著第1圖的II-II線的剖面圖。第3圖是沿著第1圖的III-III線的剖面圖。第4圖(A)~第4圖(C)是
剖面圖，分別顯示本發明之實施形態中的導線體的第一~第三變形例。
本實施形態中的導線基板10(導線體1)，是作為觸控面板等的觸控感測器的電極基材等使用。這樣的觸控感測器，例如是組合導線基板10(導線體1)與顯示裝置(未圖示)，作為具有檢測觸控位置的功能的輸入裝置使用。作為顯示裝置者，未特別限定，例如可使用液晶顯示器、有機電致發光顯示器、電子紙等。
作為觸控感測器者，例如有使用二個導線基板10(導線體1)的投影型的靜電容式的觸控感測器等，在這樣的觸控感測器，將相互對向配置的二個導線基板10的一個作為檢測電極、另一個作為驅動電極使用，從外部電路(未圖示)在此二個電極之間週期性地施加著既定電壓。然後，一旦操作者的手指、足趾(外部導體)接近這個觸控感測器，在此外部導體與觸控感測器之間會形成電容器(靜電容)，二個電極間的電性狀態會變化。觸控感測器是基於二個電極間的電性方面的變化，而可檢測出操作者的操作位置。
導線基板10是如第1圖所示，包括導線體1與支持這個導線體1的基材2。導線體1包括作為絕緣構件的接著層3與導電層4。另外，導線基板10(導線體1)的用途，並未特別限定為上述。
在本實施形態中，導電層4具有藉由複數個直線狀的導體圖形41構成的網格形狀(網目形狀)。在本實施形態中，藉由導體圖形41構成的各網目的形狀是設為大致正方形，
但未特別限定於此，各網目的形狀亦可為如下列的幾何學上的圖樣。亦即，上述網目的形狀亦可為正三角形、等腰三角形、直角三角形等的三角形，亦可為平行四邊形、梯形等的四邊形。另外，網目的形狀亦可為六邊形、八邊形、十二邊形、二十邊形等的n邊形、圓形、橢圓形、星形等。
如此，可將重複種種的圖形單位而得的幾何學圖樣，作為這個導電層4的各網目的形狀使用。另外，在本實施形態中，導體圖形41是設為直線狀，但只要是以線狀延伸者，竟未特別限定於此，例如亦可為曲線狀、馬蹄狀、之字線狀等。
另外，導電層4的平面形狀並未特別限定於此。例如不是網格形狀而為直線亦可，導體圖形41亦可為曲線形狀。另外，導體圖形41亦可在平面視圖中具有不均一的寬度。
基材2是可見光可穿透、且為支持導線體1的透明的基材。作為構成這樣的基材2的材料，可例示聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚醯亞胺樹脂(PI)、聚醚醯亞胺樹脂(PEI)、聚碳酸酯(PC)、聚二醚酮(PEEK)、液晶聚合物(LCP)、環烯烴聚合物(COP)、聚矽氧樹脂(SI)、壓克力樹脂、苯酚樹脂、環氧樹脂、生胚片(green sheet)、玻璃等。在此基材2，亦可形成有易接著層、光學調整層等。
作為絕緣構件的接著層3，是用以在基材2上保持導體圖形41之層，是由例如：環氧樹脂、壓克力樹脂、聚酯樹脂、胺甲酸乙酯樹脂、乙烯樹脂、聚矽氧樹脂、酚樹脂、聚醯亞胺樹脂等的UV硬化性樹脂；熱固性樹脂；熱塑性樹脂；陶瓷生胚片等的絕緣性材料構成。此接著層3具有支持部31
與平狀部32，支持部31是支持導體圖形41，平狀部32覆蓋這個支持部31以外的基材2的主表面21，上述支持部31及平狀部32是一體性地形成。雖未特別限定，平狀部32的厚度可設定為在5μm~100μm的範圍內。
本實施形態中的支持部31的剖面形狀(對於導體圖形41的延伸方向的剖面形狀)如第2圖所示，是朝向離開基材2的方向(第2圖中的+Z方向)而呈寬度變窄的形狀。另外，支持部31與導體圖形41的交界是成為凹凸形狀，其對應於這個導體圖形41的下表面(接著面)42的凹凸形狀。這樣的凹凸形狀，是基於導體圖形41的接著面42的表面粗糙度而形成。另外，如第3圖所示，沿著導體圖形41的延伸方向的剖面中的支持部31與導體圖形41的交界亦呈對應於導體圖形41的接著面42的凹凸形狀之凹凸形狀。針對接著面42的表面粗糙度，在後文作詳細說明。在第2圖及第3圖，為了容易理解地說明本實施形態中的導線體1，誇張地顯示支持部31與導體圖形41的交界的凹凸形狀。
平狀部32是以大致均一的高度(厚度)設於基材2的主表面21的全體。此平狀部32的高度，對於支持部31的高度而言是相對較低。因此，支持部31是相對於平狀部32而突出，以此支持部31提升導線體1的剛性。另外，亦可僅在支持部31以外的基材2的主表面21的一部分形成平狀部32。另外，雖未特別圖示，平狀部32的高度亦可與支持部31的高度相等。另外，平狀部32的高度亦可大於支持部31的高度。
另外，接著層3亦可省略平狀部32，而僅以支持
部31構成接著層3。此時，由於提升導線體1整體的透光性，可以提升組裝有這個導線體1的觸控面板等的明視度。本實施形態中的接著層3是相當於本發明的絕緣構件的一例。
導電層4(導體圖形41)，是作為觸控感測器的電極、與這個電極電性連接的導出導線等的功能之層。這樣的導電層4是塗布導電性膏並使其硬化而形成。作為構成此導電層4的導電性膏的具體例，可列舉有導電性粉末或金屬鹽混合黏結劑樹脂、水或溶劑及各種添加劑而構成的導電性膏。作為導電性粉末，可列舉金屬、碳系材料等，其中金屬為銀、銅、鎳、錫、鉍、鋅、銦、鈀等，碳系材料為石墨、碳黑(爐黑(furnace black)、乙炔黑(acetylene black)、科琴碳黑(Ketjen black))、奈米碳管、奈米碳纖維等。作為金屬鹽，可列舉上述的金屬的鹽類。
作為此導電層4(導體圖形41)所含的導電性粒子，按照即將形成的導體圖形41的寬度，可使用例如具有0.5μm以上、2μm以下的直徑(0.5≦≦2)的導電性粒子。另外，從使導體圖形41中的電阻值穩定的觀點，以使用具有即將形成的導體圖形41的寬度的一半以下的平均直徑的導電性粒子為佳。另外，使用碳系材料作為導電性粉末的情況，以使用藉由BET法測定的比表面積為20m2/g以上的粒子為佳。
作為導電層4(導體圖形41)，被要求既定值以下較小的電阻值時，以使用金屬材料作為導電性粉末為佳；而作為導電層4(導體圖形41)被容許既定值以上較大的電阻值時，可使用碳系材料作為導電性粒子。另外，若使用碳系材料作為導
電性粒子，從改善網格膜的霧度、全光線反射率等的觀點而言為較佳。
作為導電性膏所含的黏結劑樹脂，可例示壓克力樹脂、聚酯樹脂、環氧樹脂、乙烯樹脂、胺甲酸乙酯樹脂、酚樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚矽氧樹脂、氟樹脂等。作為導電性膏所含的溶劑，可例示α-松脂醇、乙酸丁卡必醇酯(butyl carbitol acetate)、丁卡必醇(butyl carbitol)、1-癸醇、丁賽路蘇(butyl cellosolve)、二乙二醇乙醚醋酸酯(diethylene glycol monoethyl ether acetate)、十四烷(tetradecane)等。另外，亦可從構成導電層4的材料省略黏結劑樹脂。
導體圖形41的寬度是以50nm~1000μm為佳、較佳為500nm~150μm、更佳為1μm~10μm、又更佳為1μm~5μm。另外，導體圖形41的高度是以50nm~3000μm為佳、較佳為500nm~450μm、更佳為500nm~10μm。
本實施形態的導體圖形41是具有接著面42、頂邊部43與二個側部44、44。頂邊部43是位於導體圖形41中的接著面42的相反側。此頂邊部43是對基材2的主表面21(接著層3的平狀部32的上表面)呈實質上平行。
頂邊部43是在導體圖形41的寬度方向的剖面，包含平坦部431。此平坦部431是在導體圖形41的寬度方向的剖面，成為直線狀的部分(亦即，曲率半徑極大的部分)，平面度呈0.5μm以下。另外，平面度可藉由JIS法(JIS B0621(1984))作測定。
在本實施形態，平坦部431的平面度是以使用雷
射光的非接觸的測定方法求出。具體而言，將帶狀的雷射光照射於測定對象(例如頂邊部43、側部44等)，使其反射光在攝影元件(例如二次元CMOS)上成像而測定平面度。平面度的計算方法，是使用以下的方法：設定平面，上述平面分別通過在對象的平面之儘量遠離的三點，計算出上述平面的偏差的最大值作為平面度(最大偏差式平面度)。另外，平面度的測定方法、計算方法等，並未特別限定於上述。例如，平面度的測定方法亦可利用度盤規(dial gauge)等接觸式的測定方法。另外，平面度的計算方法亦可使用以下方法：將作為對象的平面夾置於平行的平面間時，計算出所形成的間隙的值作為平面度(最大傾斜式平面度)。
本實施形態的平坦部431，是形成於頂邊部43的大致全體。另外，未特別限定於上述，平坦部亦可形成於頂邊部的一部分。此時，例如平坦部亦可形成於不含頂邊部43的兩端的區域。將平坦部形成於頂邊部的一部分時，這個平坦部431的寬度是成為相對於頂邊部43的寬度的至少二分之一以上。
側部44是位於接著面42與頂邊部43之間。此側部44具有連接頂邊部43的第一部分44a與連接接著面42的第二部分44b。第二部分44b是位於比第一部分44a還外側。
假想直線L(第2圖中以一點鏈線表示)是在導體圖形41的寬度方向的剖面中，通過第一及第二部分44a、44b的直線。此假想直線L是以隨著遠離接著層3而接近導體圖形41的寬度方向的剖面中的中心的樣態傾斜著。
本實施形態的側部44，是以與此假想直線L實質
上一致的樣態延伸。也就是，側部44亦是以隨著遠離接著層3而接近導體圖形41的剖面形狀中的中心的樣態傾斜著。一個導體圖形41中的二個側部44、44的傾斜角度是實質上相同。
這樣的側部44是在導體圖形41的寬度方向的剖面，包含平坦部441。平坦部441是在導體圖形41的寬度方向的剖面，成為直線狀的部分(亦即，曲率半徑極大的部分)，平面度呈0.5μm以下。在本實施形態，側部44中與假想直線L實質上一致地延伸的部分，是構成平坦部441。亦即，在側部44的大致全體形成平坦部441。
另外，側部44的形狀並未特別限定於上述。例如，側部44亦可在導體圖形41的寬度方向的剖面，比假想直線L還向外側突出。也就是，側部44是以在導體圖形41的寬度方向的剖面，為不比假想直線L還向內側凹入的形狀(導體圖形的上下擺不外擴的形狀)為佳。另外在本實施形態，平坦部441是形成於側部44的全體，但未特別限定於此，亦可形成於這個側部44的一部分。
導體圖形41的側部44與接著層3中的支持部31的側部311，是藉由平滑地接續而形成一個平面。此時，支持部的側部311是以在導體圖形41的寬度方向的剖面，使這個支持部31的上下擺為不外擴的形狀為佳。具體而言，是以側部311為不比通過連接側部311與側部44的部分以及連接側部311與平狀部32的部分之假想直線還向內側凹入的形狀為佳。
構成導電層4的導體圖形41的剖面形狀，如第2圖所示為大致梯形，但未特別限定於此。例如導體圖形41的
剖面形狀亦可為正方形、長方形等。
另外，例如導體圖形41的剖面形狀亦可以如第4圖(A)所示，具有在頂邊部43與側部44之間以及頂邊部43與側部44之間形成的第二側部45。第二側部45是被形成為比側部44還向導體圖形41的剖面形狀中的中心線C傾斜。在本實施形態，此第二側部45是與通過第三部分45a及第四部分45b的假想直線L2實質上一致地延伸，其中第三部分45a連接第二側部45與頂邊部43，第四部分45b連接側部44與第二側部45。此時，側部44的第一部分44a與第二側部45的第四部分45b是實質上一致。而這樣的第二側部45亦與側部44同樣，以在導體圖形41的寬度方向的剖面，為不比假想直線L2還向內側凹入的形狀(導體圖形的上下擺不外擴的形狀)為佳。另外如第4圖(B)所示，導體圖形41的剖面形狀亦可不具有頂邊部43，以頂點442將左右的側部44彼此連接。另外如第4圖(C)所示，導體圖形41中的下表面(接著面)42以外的其他面，亦可含有曲面46，曲面46是被形成為向著離開基材2的方向成為凸狀。另外，在第4圖(A)~第4圖(C)的例子是導體圖形41的剖面形狀呈左右對稱的形狀，但這個剖面形狀亦可是左右非對稱的形狀。
在本實施形態，導體圖形41的側部44，是對接著面42(平均面)以既定角度傾斜著。導體圖形41的頂邊部43，是如上所述對基材2的主表面21(接著劑層3的平狀部32的上表面)呈實質上平行。此時，側部44與頂邊部43之間的角度θ，從抑制在側部44的光的散射的觀點，是以90°~170°(90°≦θ≦
170°)為佳，較佳為90°~120°(90°≦θ≦120°)。在本實施形態，側部44之一與頂邊部43之間的角度以及側部44的另一個與頂邊部43之間的角度，是呈實質上相同。
另外，在本實施形態，成立下式(3)。
0.5≦B/A‧‧‧(3)
其中，在上述式(3)，A為導體圖形41的剖面視圖中的最大寬度，B為導體圖形41的這個剖面視圖中的最大高度(厚度)。另外，上述式(3)的B/A是以3以下(B/A≦3)為佳。
另外，在本實施形態的導體圖形41，頂邊部43是含有平坦部431(平滑面)，接著面42的表面粗糙度是成為大於包含這個平坦部431的頂邊部43的表面粗糙度。具體而言，相對於導體圖形41的接著面42的表面粗糙度Ra為0.1μm~3μm程度，頂邊部43的表面粗糙度Ra為0.001μm~1.0μm程度。此時，接著面42的表面粗糙度與頂邊部43的表面粗糙度之比(頂邊部43的表面粗糙度比接著面42的表面粗糙度)呈0.01~不滿1。另外，以接著面42的表面粗糙度Ra為0.1μm~0.5μm為佳，以頂邊部43的表面粗糙度Ra為0.001μm~0.3μm為佳。又，以頂邊部43的表面粗糙度為導體圖形41的寬度(最大寬度A)的五分之一為佳。又，接著面42的表面粗糙度與頂邊部43的表面粗糙度之比，是以0.1~不滿1為佳。
這樣的表面粗糙度，是可藉由JIS法(JIS B0601(2013年3月21日修訂))測定。接著面42的表面粗糙度與頂邊部43的表面粗糙度的測定，可沿著導體圖形41中的寬度方向進行(請參考第2圖)，亦可沿著導體圖形41中的延伸方
向進行(請參考第3圖)。
順帶一提，如JIS法(JIS B0601(2013年3月21日修訂))的記載，此處的「表面粗糙度Ra」是指「算術平均粗糙度Ra」。此「算術平均粗糙度Ra」是指從剖面曲線阻斷長波長成分(起伏成分)而求得的粗糙度的參數。從剖面曲線分離起伏成分，是基於對於求得形體為必要的測定條件(例如，這個對象物的尺寸等)而進行。
另外，在本實施形態，側部44亦含平坦部441。而與頂邊部43同樣，接著面42的表面粗糙度，是大於含平坦部441的側部44的表面粗糙度。具體而言，相對於上述的接著面42的表面粗糙度Ra，側部44的表面粗糙度Ra是呈0.001μm~1.0μm程度。另外，側部44的表面粗糙度Ra是以0.001μm~0.3μm為佳。側部44的表面粗糙度的測定，可沿著導體圖形41中的寬度方向進行(請參考第2圖)，亦可沿著導體圖形41中的延伸方向進行(請參考第3圖)。
在頂邊部43含平坦部431、側部44含平坦部441之下，在接著面42以外的其他面側(亦即，包含頂邊部43及側部44的面側)的導線體1的散射率，變得相對地小於在接著面42側的導線體1的散射率。具體而言，在接著面42側的導線體1的散射率與在接著面42以外的其他面側的導線體1的散射率之比(在接著面42以外的其他面側的導線體1的散射率比在接著面42側的導線體1的散射率)成為0.1~不滿1，以0.3~不滿1為佳。
針對具有上述的接著面與其他的面的表面粗糙度
的相對性關係的導體圖形41B的形狀的一例，一面參考第5圖一面作說明。如第5圖所示，在包含導電性粒子M與黏結劑樹脂BR而構成的導體圖形41B，複數個導電性粒子M是分散於黏結劑樹脂BR中。然後在導體圖形41B的寬度方向的剖面，在接著面42B，導電性粒子M的一部分先從黏結劑樹脂BR突出，藉此，這個接著面42B是呈凹凸形狀。另一方面，在導體圖形41B的寬度方向的剖面，在頂邊部43B及側部44B，黏結劑樹脂BR嵌入導電性粒子M彼此之間，黏結劑樹脂BR覆蓋著導電性粒子M。藉此，在頂邊部43B形成平坦部431B。又，在側部44B形成平坦部441B。另外，在頂邊部43B及側部44B，導電性粒子M是被黏結劑樹脂BR覆蓋著，而提升在相鄰的導體圖形41B彼此之間的電絕緣性，抑制遷移的發生。
在第5圖所示形態，在接著面42B，導電性粒子M的一部分從黏結劑樹脂BR突出，這個接著面42B的表面粗糙度變得相對較大。另一方面，在頂邊部43B，導電性粒子M是被黏結劑樹脂BR覆蓋，這個頂邊部43B的表面粗糙度變得相對較小。藉此，接著面42B的表面粗糙度變得大於頂邊部43B的表面粗糙度。
另外，在側部44B亦與頂邊部43B同樣，導電性粒子M被黏結劑樹脂BR覆蓋，這個側部44B的表面粗糙度變得相對較小。藉此，接著面42B的表面粗糙度變得大於側部44B的表面粗糙度。另外，接著面、頂邊部以及側部的形狀是只要具有上述之表面粗糙度的相對性關係，便不被限定於第5圖所示形態。
接下來，針對本實施形態中的導線基板10的製造方法作說明。第6圖(A)~第6圖(E)是剖面圖，顯示本發明之實施形態中的導線基板的製造方法。
首先，如第6圖(A)所示，準備凹版5，其被形成有對應於導電層4的網格形狀之形狀的凹部51。作為構成凹版5的材料，可例示鎳、矽、二氧化矽等的玻璃類、陶瓷類、有機二氧化矽類、玻璃石墨(glassy carbon)、熱塑性樹脂、光硬化性樹脂等。
作為這樣的凹部51的寬度，以50nm~1000μm為佳，較佳為500nm~150μm，更佳為1μm~10μm，又更佳為1μm~5μm。另外，作為凹部51的高度，以50nm~3000μm為佳，較佳為500nm~450μm，更佳為500nm~10μm。
本實施形態中的凹部51的內壁52呈平坦面，同時這個內壁52是以朝向凹部51的底面53而寬度變窄的樣態呈傾斜(參考第6圖(A)的局部放大圖)。在含凹部51的凹版5的表面，為了提升脫模性，以形成由石墨系材料、聚矽氧系材料、氟系材料、陶瓷系材料、鋁系材料等構成的脫模層為佳。
對於上述的凹版5的凹部51，充填導電性材料6(第一步驟)。作為這樣的導電性材料6，是使用如上述的導電性膏。另外，亦可使用因被加熱而獲得導電性的材料。作為將導電性材料6充填於凹版5的凹部51的方法，可列舉例如點膠(dispense)法、噴墨(ink jet)法、網版印刷(screen printing)法。或可列舉以狹縫塗布(slit coating)法、刮條塗布(bar coating)法、刮塗(blade coating)法、浸鍍(dip coating)法、噴塗(spray
coating)法、旋轉塗布(spin coating)法塗布之後將塗布於凹部以外的導電性材料拭除或是刮除、吸除、黏除、沖走、吹散的方法。可按照導電性材料的組成、凹版的形狀等適當地靈活運用。
接下來，如第6圖(B)所示，藉由加熱充填於凹版5的凹部51的導電性材料6，形成構成導電層4的導體圖形41。導電性材料6的加熱條件，可按照導電性材料6的組成等作適當設定。
藉由此加熱處理，導電性材料6的體積收縮。此時，導電性材料6之上表面47以外的外表面，所形成的形狀具有沿著凹部51的內壁52及底面53的平坦面。另一方面，充填於凹部51的導電性材料6的上表面47，是在與外部氛圍氣體接觸的狀態被加熱。因此，在導體圖形41的上表面47，形成基於在導電性材料6所含的導電性粒子的形狀之凹凸形狀(第二步驟)。導電性材料6由於是在本步驟作加熱硬化，即使在後續的步驟從凹版5的凹部51取出仍不會發生潤溼展開。另外，導電性材料的處理方法未限定於加熱。亦可照射紅外線、紫外線、雷射光等的能量線，亦可只作乾燥。另外，亦可組合上述的二種以上的處理方法。
另外，此時，成立以下式(4)。
0.5≦D/C‧‧‧(4)
其中，在上述式(4)，C為完成加熱的導電性材料6的剖面視圖中的最大寬度，D為完成加熱的導電性材料6的這個剖面視圖中的最大高度(厚度)(參考第4圖(B)的局部放大圖)。另外，上述式(4)的D/C是以3以下(D/C≦3)為佳。
接下來，如第6圖(C)所示，在凹版5上塗布用以形成接著層3的接著性材料7。作為這樣的接著性材料7，是使用構成上述的接著層3的材料。作為在凹版5上塗布接著性材料7的方法，可例示網版印刷法、噴塗法、刮條塗布法、浸鍍法、噴墨法等。藉由此塗布，接著性材料7進入含有導體圖形41的凹凸形狀的凹部51內(第三步驟)。
接著，如第6圖(D)所示，從塗布於凹版5上的接著性材料7之上配置基材2。此配置，為了抑制氣泡進入接著性材料7與基材2之間，以在真空下進行為佳。基材的材料可例示為上述者。這些基材亦可形成有易接著層、光學調整層等。接下來，將接著性材料7固化。作為固化接著材料的方法，可例示：紫外線、紅外線雷射等的能量線照射；加熱；加熱冷卻；乾燥等。藉此，形成接著層3，同時隔著此接著層3將基材2與導體圖形41相互接著、固定。
另外，在本實施形態，是在將接著性材料7塗布於凹版5上後層積基材2，但未特別限定於此。例如，亦可將在基材2的主表面(對向於凹版5的面)預先塗布有接著性材料7而成者，配置於凹版5上，藉此經由接著性材料7將基材2層積於凹版5。
接下來，將基材2、接著層3及導電層4脫模(第四步驟)，可以獲得導線基板10(導線體1)(參考第6圖(E))。另外，針對第4圖(A)~第4圖(C)所示的導線體，藉由使用具有按照其各自的導體圖形41及支持部31的形狀的凹部之凹版，可以與上述同樣地製造。
接下來，針對在實施形態中的導線體1及其製造方法的作用作說明。第7圖是一剖面圖，用以說明本發明之實施形態中的導線體的作用。
在本實施形態的導線體1，先著眼於在導體圖形41的接著面42與這個接著面42以外的其他面(含頂邊部43及側部44的面)之表面粗糙度(亦即，阻斷起伏成分而得的粗糙度參數)的相對性關係，使這個接著面42的表面粗糙度Ra比其他面的表面粗糙度Ra相對較大。因此，可以堅固地將接著層3與導體圖形41接著，並可抑制從外部入射的光線的散射。特別在導體圖形41的寬度為1μm~5μm時，在接著面42與其他面的表面粗糙度的相對性關係滿足上述的關係之下，可以顯著地達成可以堅固地將接著層3與導體圖形41接著、並可抑制從外部入射的光線的散射之類的功效。
又，在製造本實施形態中的導線體1之時，如上述，在凹版5的凹部51充填導電性材料6之後，加熱這個導電性材料6。藉此，加熱後的導電性材料6的底面，會對應於凹部51的底面53的平坦面而包含平坦狀的部分。因此，構成導電層4的導體圖形41的頂邊部43會包含平坦部431。藉此，將導線體1作為觸控面板的電極基材等使用之時，可更加抑制從這個導線體1的外部入射的光線的散射。其結果，可以提升裝配有導線體1的觸控面板等的明視度。
同樣地，在本實施形態，加熱後的導電性材料6的側面，是對應於凹部51的內壁52的平坦面而含有平坦狀的部分。因此，構成導電層4的導體圖形41的側部44會包含平
坦部441。藉此，將導線體1作為觸控面板的電極基材等使用之時，可更加抑制從這個導線體1的外部入射的光線的散射。其結果，可以更加提升裝配有導線體1的觸控面板等的明視度。
又如第7圖所示，將導線體1用於觸控面板等之時，在導體圖形41的周圍設置樹脂材料等構成的塗層8的情況，藉由導體圖形41的頂邊部43含有平坦部431，而變得難以在這個導體圖形41的表面附近形成氣泡。藉此，將導線體1作為觸控面板的電極基材等使用之時，可抑制從導線體1的外部入射的光線在上述氣泡散射。因此，可進一步提升裝配有導線體1的觸控面板等的明視度。又，藉由變得難以在導體圖形41的表面附近形成氣泡，可以抑制藉由存在於此氣泡內的水分而使導體圖形41腐蝕的情況。
同樣地，藉由導體圖形41的側部44含有平坦部441，而變得難以在這個導體圖形41的表面附近形成氣泡。藉此，將導線體1作為觸控面板的電極基材等使用之時，可抑制從導線體1的外部入射的光線在上述氣泡散射。因此，可進一步提升裝配有導線體1的觸控面板等的明視度。又，藉由變得難以在導體圖形41的表面附近形成氣泡，可以抑制藉由存在於此氣泡內的水分而使導體圖形41腐蝕的情況。
另外，在第7圖所示的導線體1，即使從塗層8側的外部入射於這個導線體1的內部的光線在導電層4的側部44反射，仍然幾乎沒有反射光從塗層8側漏出至外部的情況。將這樣的導線體1裝配於觸控面板等，可更加提升這個觸控面板等的明視度。
另外，在導體圖形41的寬度方向中的剖面形狀，頂邊部43含平坦部431時，會變得容易將塗層8的外表面81形成為平坦狀。藉此，在這個塗層8的外表面81設置薄膜(未圖示)的情況，藉由塗層8的外表面81可穩定地保持這個薄膜，並可以抑制薄膜的變形的發生。
又，在本實施形態，側部44是以與通過第一及第二部分44a、44b的假想直線L實質上一致的樣態延伸。此時，側部在導體圖形的寬度方向的剖面，由於是不成為比假想直線L還向內側凹入的形狀(導體圖形的上下擺外擴的形狀)，可抑制從導線體1的外部入射的光線的散射。將這樣的導線體1裝配於觸控面板等，可以更加提升這個觸控面板等的明視度。
又，在本實施形態，接著面42的表面粗糙度Ra比接著面42以外的其他面(含頂邊部43及側部44的面)的表面粗糙度Ra相對較大，在這個其他面側的導線體1的散射率，是變得比在接著面42的導線體1的散射率相對較小。在此，若導線體1的散射率小，可抑制導體圖形41的反白，在可辨識這個導體圖形41的區域抑制解析度的降低。如此，可謀求裝配有本實施形態的導線體1的觸控面板等的明視度之更進一步提升。
又，在製造本實施形態的導線體1時，在加熱後的導電性材料6的上表面47，形成基於在導電性材料6所含的導電性粒子的形狀之凹凸形狀。亦即，在構成導電層4的導體圖形41的下表面(接著面)42形成凹凸形狀。藉由此凹凸形狀，增大導體圖形41與接著層3之間的接觸面積，而可以堅固地接著
這個導體圖形41與接著層3。另一方面，導體圖形41與凹版5之間的接觸面呈平坦狀。因此，可以提升將導體圖形41從凹版5脫模之時的脫模性。在本實施形態，由於凹版5的凹部51的內壁52是先對導電性材料6(導電層4)的上表面47(接著面42)傾斜而朝向這個凹部51的底面53呈寬度變窄，可以再提升此效果。另外，凹部51的內壁52如上述傾斜的情況，亦對充填導電性材料6之時(參考第4圖(A))的充填性的提升有貢獻。
又，藉由可以堅固地接著導體圖形41與接著層3，可以抑制因導線體1的彎曲、彎折等使這個導體圖形41從接著層3剝離，因此可以提升導線體1的耐久性。
還有，藉由提升將導體圖形41從凹版5脫模之時的脫模性，變得可使加熱後的導電性材料6(導體圖形41)的剖面形狀滿足上述式(3)及式(4)的形狀。藉此，使導體圖形41的截面積增大，可以減低這個導體圖形41的每單位長度的電阻值。另外，此效果在B/A≦3及D/C≦3時會進一步提升。
上述的功效，在導體圖形41為如第4圖(A)~第4圖(C)所示形狀的情況亦可同樣地達成。
另外，以上已說明的實施形態是為了容易理解本發明而記載者，並非為了限定本發明而記載。因此，揭露於上述實施形態的元件，其意旨亦包含本發明的技術範圍所屬的所有的設計變更、均等物等。
例如，亦可藉由如第8圖(A)~第8圖(E)所示的製造方法製造導線體1B。具體而言，在凹版5充填導電性材料6並加熱後(第8圖(A)、第8圖(B))，將接著性材料7B塗布於凹
版5上(第8圖(C))，將這個接著性材料7B固化(第8圖(D))。然後，將已固化的這個接著性材料7B(接著體71)作為基材使用，藉由將加熱後的導電性材料6(導體圖形41)及接著體71從凹版5脫模，而可以製造導線體1B。在如此製造的導線體1B，亦可達成與上述的導線體1同樣的功效。
又，上述的實施形態的觸控感測器，是使用二個導線基板10(導線體1)的投影型的靜電容式的觸控感測器，但未特別限定於此，本發明亦可適用於使用一個導線基板(導線體)的表面型(電容結合型)的靜電容式的觸控感測器。
又，作為導電層(導體圖形)的導電性粉末，亦可使用混合金屬材料與碳系材料者。此情況亦可在導體圖形的頂邊部側配置碳系材料，在接著面側配置金屬系材料。又，亦可與其相反，在導體圖形的頂邊部側配置金屬系材料，在接著面側配置碳系材料。
又，雖未特別圖示，亦可先從在上述實施形態的導線體1省略基材2。在此情況，亦可例如在接著層3的下表面設置剝離片，在裝配時剝下這個剝離片而構成導線體，作為接著於裝配對象(薄膜、表面玻璃、偏光板、顯示玻璃等)而裝配的形態。又，亦可作為以下形態：進一步設置從絕緣構件側覆蓋導線體1的樹脂部，經由這個樹脂部，接著於上述裝配對象而裝配。又，亦可作為以下形態：設置從導電層4側覆蓋導線體1的樹脂部，經由這個樹脂部，接著於上述裝配對象而裝配。這些情況，裝配導線體的裝配對象是相當於本發明的支持體的一例。
還有，在上述的實施形態，是以導線體是作為觸控感測器等作說明，但未特別限定於此。例如，亦可藉由在導線體通電而以電阻加熱等發熱，將這個導線體作為加熱器使用。此情況，作為導電層(導體圖形)的導電性粉末，是以使用相對電阻值高的碳系材料為佳。另外，亦可藉由將導線體的一部分接地，將這個導線體作為電磁遮蔽屏使用。又，亦可將導線體作為天線使用。此時，裝配導線體的裝配對象是相當於本發明的支持體的一例。
2‧‧‧基材
3‧‧‧接著層
4‧‧‧傳導層
21‧‧‧主表面
31‧‧‧支持部
32‧‧‧平狀部
41‧‧‧導體圖形
42‧‧‧下表面(接著面)
44‧‧‧側部
44a、44b‧‧‧第一及第二部分
311‧‧‧側部
441‧‧‧平坦部
A‧‧‧最大寬度
B‧‧‧最大高度(厚度)
L‧‧‧假想直線
θ‧‧‧角度
Claims (13)
- 一種導線體，其特徵在於包括：絕緣構件；以及導體圖形，接著於上述絕緣構件；其中在上述導體圖形中的接著於上述絕緣構件的接著面的算術平均粗糙度Ra，是大於在上述導體圖形中的上述接著面以外的其他面的算術平均粗糙度Ra。
- 如申請專利範圍第1項所述之導線體，其滿足下列式(1)：0.5≦B/A‧‧‧(1)其中，在上述式(1)，A為上述導體圖形的剖面視圖中的最大寬度，B為上述導體圖形的上述剖面視圖中的最大高度。
- 如申請專利範圍第1項所述之導線體，其中上述其他面具有位於上述接著面的相反側的頂邊部；以及上述頂邊部包含平坦部。
- 如申請專利範圍第1項所述之導線體，其中上述其他面，具有：頂邊部，位於上述接著面的相反側；以及側部，位於上述接著面與上述頂邊部之間；其中在剖面視圖中，上述側部呈傾斜而隨著離開上述絕緣構件的方向接近上述導體圖形的中心。
- 如申請專利範圍第4項所述之導線體，其中上述頂邊部與上述側部之間的角度θ為90°~120°。
- 如申請專利範圍第4項所述之導線體，其中在剖面視圖中，上述側部具有： 第一部分，連接上述頂邊部；以及第二部分，位於比上述第一部分還外側，連接上述接著面；其中在剖面視圖中，上述側部是實質上與通過上述第一及第二部分的假想直線一致或是比上述假想直線還向外側突出。
- 如申請專利範圍第1項所述之導線體，其中上述導體圖形包含導電性粒子，上述導電粒子的平均直徑為上述導體圖形的寬度的一半以下。
- 如申請專利範圍第1項所述之導線體，其中上述導體圖形的寬度為1μm~5μm。
- 如申請專利範圍第1項所述之導線體，其中在上述其他面側的上述導線體的散射率，是相對地小於在上述接著面側的上述導線體的散射率。
- 一種導線基板，其特徵在於包括：如申請專利範圍第1~9項任一項所述之導線體；以及支持體，支持上述導線體。
- 一種觸控感測器，其特徵在於包含：如申請專利範圍第10項所述之導線基板；以及顯示裝置。
- 一種導線體的製造方法，其特徵在於包括：第一步驟，在凹版的凹部充填導電性材料；第二步驟，對已充填於上述凹版的上述導電性材料進行乾燥、加熱及能量線照射之中的至少一個，在上述導電性材 料的上表面形成凹凸形狀；第三步驟，使上述凹凸形狀嵌入絕緣材；以及第四步驟，至少將上述絕緣材及上述導電性材料，從上述凹版脫模。
- 如申請專利範圍第12項所述之導線體的製造方法，其中上述第三步驟包含在嵌入有上述凹凸形狀的上述絕緣材之上配置基材的步驟；上述第四步驟是在經由上述絕緣材將上述導電性材料固定於上述基材的狀態，將上述基材、上述絕緣材及上述導電性材料從上述凹版脫模的步驟。
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