TWI637297B - Wiring body, wiring board, and touch detector - Google Patents

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TWI637297B TW105106075A TW105106075A TWI637297B TW I637297 B TWI637297 B TW I637297B TW 105106075 A TW105106075 A TW 105106075A TW 105106075 A TW105106075 A TW 105106075A TW I637297 B TWI637297 B TW I637297B
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Abstract

配線體(40)包括第1導體層(60)、第2導體層(80)、以及介於第1及第2導體層(60)、(80)之間的第2樹脂層(70)；第1導體層(60)至少具有第1電極(61)、與第1電極(61)互相電性連接的第1引線配線(62)、以及對第1電極(61)及第1引線配線(62)電性絕緣的第1屏蔽層(63)；第2導體層(80)至少具有與第1電極(61)對向配置的第2電極(81)、以及與第2電極(81)互相電性連接的第2引線配線(82)；第1電極(61)、第1引線配線(62)以及第1屏蔽層(63)實質上在同一平面上形成，第2電極(81)以及第2引線配線(82)實質上在同一平面上形成，在平面視圖中，第2引線配線(82)的至少一部分與第1屏蔽層(63)重疊，第1導體層(60)具有不接觸第2樹脂層(70)的下面(613)、(621)、(632)，除了下面(613)、(621)、(632)之外埋設在第2樹脂層(70)內；第2導體層(80)設置在第2樹脂層(70)上，第1屏蔽層(63)由屏蔽線(631)構成，屏蔽線(631)具有隨著往接近第2引線配線(82)側寬度變窄之錐形，第2引線配線(82)具有隨著往遠離屏蔽線(631)側寬度變窄之錐形。

Description

配線體、配線基板以及碰觸偵知器
本發明係關於配線體、配線基板以及碰觸偵知器。
2個電極基板經由絕緣材料對向配置，並根據電極間的電容變化檢出來自外部的接觸位置之碰觸偵知器，與電極同一平面上形成的屏蔽層中經由絕緣層形成引線配線的技術是眾所周知的(例如，參照專利文件1)。
[先行技術文件]
[專利文件]
[專利文件1]專利第2009-169720號公開公報
上述技術，在各個電極基板中，因為不必讓絕緣層介於引線配線及屏蔽層之間，具有配線體的高度(厚度)增加的問題。
本發明所欲解決的課題，係提供可以抑制高度(厚度)增加的配線體、配線基板以及碰觸偵知器。
[1]根據本發明的配線體，包括第1導體層、第2導體層、介於上述第1及第2導體層之間的第1絕緣層；上述 第1導體層至少具有第1電極、與上述第1電極互相電性連接的第1引線配線、以及對上述第1電極及上述第1引線配線電性絕緣的第1屏蔽層；上述第2導體層至少具有與上述第1電極對向配置的第2電極、以及與上述第2電極互相電性連接的第2引線配線；上述第1電極、上述第1引線配線以及上述第1屏蔽層實質上在同一平面上形成，上述第2電極以及上述第2引線配線實質上在同一平面上形成，在平面視圖中，上述第2引線配線的至少一部分與上述第1屏蔽層重疊，上述第1導體層具有不接觸上述第1絕緣層的非接觸面，除了上述非接觸面之外埋設在上述第1絕緣層內；上述第2導體層設置在上述第1絕緣層上，上述第1屏蔽層由導體線構成，上述導體線具有隨著往接近上述第2引線配線側寬度變窄之錐形，上述第2引線配線具有隨著往遠離上述導體線側寬度變窄之錐形。
[2]上述第2導體層，對上述第2電極及上述第2引線配線電性絕緣的同時，更具有與上述第2電極及上述第2引線配線實質上在同一平面上形成的第2屏蔽層，平面視圖中，上述第1引線配線的至少一部分，與上述第2屏蔽層重疊也可以。
[3]上述發明中，上述第1及第2屏蔽層的至少一方，形成網目狀也可以。
[4]上述發明中，上述第1導體層中的上述非接觸面的表面粗糙度，相對於上述第1導體層中除了上述非接觸面之外其他的面，相對粗糙也可以。
[5]上述發明中，滿足下列(1)式也可以。
0.5≦A...(1)
其中，上述(1)式中，A是C/B的最大值，B是上述第1導體層的剖視圖中的寬度，C是上述第1導體層的剖視圖中的高度。
[6]上述發明中，更包括覆蓋上述第1及第2的導體層其中至少一方的第2絕緣層也可以。
[7]根據本發明的配線基板，包括上述配線體以及支持上述配線體的支持體。
[8]上述發明中，更包括介於上述配線體與上述支持體之間的第3絕緣層也可以。
[9]根據本發明的碰觸偵知器，包括上述配線基板。
根據本發明，經由第1絕緣層對向的第1及第2導體層中，藉由一方的導體層的第1導體層的第1屏蔽層，屏蔽另一方的導體層的第2導體層的第2引線配線。因此，第1屏蔽層及第2引線配線之間不必個別確保絕緣性，可以抑制配線體及配線基板的高度增加。
1‧‧‧碰觸偵知器
10‧‧‧外殼
20、20B、20C‧‧‧配線基板
30A、30B‧‧‧第1及第2基板
31A、31B‧‧‧主面
32A‧‧‧主面
40、40B、40C‧‧‧配線體
50‧‧‧第1樹脂層
51‧‧‧凸部
52‧‧‧主部
60‧‧‧第1導體層
61‧‧‧第1電極(驅動側電極)
611‧‧‧第1電極圖案
612a、612b‧‧‧第1電極線(導體線)
613‧‧‧下面
614‧‧‧上面
6141‧‧‧平坦部
615‧‧‧側面
6151‧‧‧第1部分
6152‧‧‧第2部分
6153‧‧‧平坦部
62‧‧‧第1引線配線(導體線)
621‧‧‧下面
622‧‧‧上面
6221‧‧‧平坦部
623‧‧‧側面
6231‧‧‧第1部分
6232‧‧‧第2部分
6233‧‧‧平坦部
624a‧‧‧第1細線
624b‧‧‧第2細線
63‧‧‧第1屏蔽層
631a、631b‧‧‧第1屏蔽線(導體線)
632‧‧‧下面
633‧‧‧上面
6331‧‧‧平坦部
634‧‧‧側面
6341‧‧‧第1部分
6342‧‧‧第2部分
6343‧‧‧平坦部
64‧‧‧電極連接部
641a‧‧‧第1細線
641b‧‧‧第2細線
65‧‧‧第1端子
66‧‧‧導通配線
67‧‧‧屏蔽層用端子
70‧‧‧第2樹脂層
71‧‧‧凸部
72‧‧‧主部
80‧‧‧第2導體層
81‧‧‧第2電極(檢出側電極)
811‧‧‧第2電極圖案
812a、812b‧‧‧第2電極線(導體線)
813‧‧‧下面
814‧‧‧上面
8141‧‧‧平坦部
815‧‧‧側面
8151‧‧‧第1部分
8152‧‧‧第2部分
8153‧‧‧平坦部
82‧‧‧第2引線配線(導體線)
821‧‧‧下面
822‧‧‧上面
8221‧‧‧平坦部
823‧‧‧側面
8231‧‧‧第1部分
8232‧‧‧第2部分
8233‧‧‧平坦部
824a‧‧‧第1細線
824b‧‧‧第2細線
83‧‧‧第2屏蔽層
831a、831b‧‧‧第2屏蔽線(導體線)
832‧‧‧下面
833‧‧‧上面
8331‧‧‧平坦部
834‧‧‧側面
8341‧‧‧第1部分
8342‧‧‧第2部分
8343‧‧‧平坦部
84‧‧‧電極連接部
841a‧‧‧第1細線
841b‧‧‧第2細線
85‧‧‧第2端子
86‧‧‧屏蔽層用端子
90‧‧‧影像顯示裝置
91‧‧‧顯示部
92‧‧‧本體部
93、93B‧‧‧透明黏合層
100‧‧‧第3樹脂層
110‧‧‧蓋板
111‧‧‧透明部
112‧‧‧遮蔽部
120‧‧‧第1凹版
121‧‧‧凹部
130‧‧‧第2凹版
131‧‧‧凹部
140A、140B‧‧‧導電性材料
150A、150B‧‧‧樹脂材料
160‧‧‧中間體
[第1圖]係顯示本發明實施例中的碰觸偵知器之分解立體圖；[第2圖]係顯示本發明實施例中的配線基板之分解立體圖；[第3圖]係沿著第2圖的III-III線的剖面圖；[第4圖]係沿著第2圖的IV-IV線的中央部之部分剖面圖；[第5圖]係顯示本發明實施例中的第1導體層之平面圖；[第6圖]係顯示本發明實施例中的第1導體層的變形例之 平面放大圖；[第7圖]係顯示本發明實施例中的第1電極線之剖面圖；[第8圖]係用以說明本發明實施例中的第1電極線之剖面圖；[第9圖]係顯示本發明實施例中的第2導體層之平面圖；[第10圖]係顯示本發明實施例中的第2電極線之剖面圖；[第11圖]係顯示本發明實施例中的蓋板(cover panel)之平面圖；[第12圖]第12(a)圖係顯示第2圖的XIIa部的放大平面圖，第12(b)圖係第2圖的XIIb部的放大平面圖；[第13圖]第13(a)~13(e)圖係用以說明本發明實施例中的配線基板的製造方法(其1)之剖面圖；以及[第14圖]第14(a)~14(f)圖係用以說明本發明實施例中的配線基板的製造方法(其2)之剖面圖。
以下，根據圖面說明本發明的實施例。
第1圖係顯示本發明實施例中的碰觸偵知器之分解立體圖，第2圖係顯示本發明實施例中的配線基板之分解立體圖，第3圖係顯示沿著第2圖的III-III的剖面圖，第4圖係顯示沿著第2圖的IV-IV的中央部之部分剖面圖，第5圖顯示本發明實施例中的第1導體層之平面圖，第6圖係顯示本發明實施例中的第1導體層的變形例之平面放大圖，第7圖係顯示本發明實施例中的第1電極線之剖面圖，第8圖係用以說明本發明實施例中的第1電極線之剖面圖；第9圖係顯示本發明實施例中的第2導體層之平面圖，第10圖係顯示本發明實施例中的 第2電極線之剖面圖，第11圖係顯示本發明實施例中的蓋板(cover panel)之平面圖，第12(a)圖係顯示第2圖的XIIa部的放大平面圖，以及第12(b)圖係第2圖的XIIb部的放大平面圖。
本實施例中的碰觸偵知器1，例如是使用於靜電電容方式(互電容方式)的碰觸面板或碰觸板之碰觸輸入裝置，如第1圖所示，包括外殼10、上述外殼10內收納的配線基板20、疊層上述配線基板20的影像顯示裝置90以及保護上述配線基板20的蓋板110。
具有此配線基板20的碰觸偵知器1，使用互相對向配置的第1及第2電極61、81中的一方作為檢出側電極，另一方作為驅動側電極，此2個電極間從外部電路(不圖示)周期性施既定電壓。於是，例如，操作者的手指(外部導體)一接近上述碰觸偵知器，此外部導體與碰觸偵知器之間就形成電容器(靜電電容)，2個電極間的電性狀態變化。碰觸偵知器，根據2個電極間的電性變化，可以檢出操作者的操作位置。
外殼10，例如，以鋁等的金屬材料或聚碳酸酯(PC)、ABS(丙烯腈-丁二烯-苯乙烯)樹脂等的樹脂材料等構成。
本實施例中的配線基板20，如第2圖所示，包括第1基板30A、及配線體40。配線體40，如第3及4圖所示，包括第1樹脂層50、第1導體層60、第2樹脂層70、及第2導體層80。本實施例的配線體40中，第3及4圖中從下方(影像顯示裝置90側)往上方(蓋板110側)依序疊層第1樹脂層50、第1導體層60、第2樹脂層70、及第2導體層80。本實施例中的「配線基板20」相當於本發明中的「配線基板」的一 範例。本實施例中的「配線體40」相當於本發明中的「配線體」的一範例。
第1基板30A如第2~4圖所示，具有矩形，以聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)製的薄膜構成。又，構成第1基板30A的材料，不特別限定。例如，可以例示聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醯亞胺樹脂(PI)、聚醚酰亞胺(PEI)、聚碳酸酯(PC)、聚二醚酮(PEEK)、液晶聚合物(LCP)、環烯烴聚合物(COP)、矽氧樹脂(SI)、丙烯樹脂(acrylic resin)、酚樹脂(Phenol resin)、環氧樹脂(epoxy resin)、綠片(greensheet)、玻璃等的材料。這些基材形成易接合層或光學調整層也可以。又，第1基板30A的形狀不特別限定。附帶一提，使用本實施例的配線基板20於碰觸面板時，第1基板30A為具有透光性的材料。此時，構成此第1基板30A的材料，理想是總透光率80%以上，90%以上更理想。本實施例中的「第1基板30A」相當於本發明中的「支持體」的一範例。
第1樹脂層50，係用以互相接合固定第1基板30A與第1導體層60的層。此第1樹脂層50，如第3或4圖所示，設置於第1基板30A中的主面31A上全體。作為構成第1樹脂層50的材料，可以例示環氧樹脂、丙烯樹脂、聚酯樹脂(polyester resin)、聚氨甲酸酯樹脂(urethane resin)、乙烯基樹脂(vinyl resin)、矽氧樹脂、酚樹脂、聚醯亞胺樹脂等的UV硬化性樹脂、熱硬化性樹脂或熱可塑性樹脂等。又，使用本實施例的配線基板20於碰觸面板時，第1樹脂層50為具有透光性的材料。此時，構成第1樹脂層50的材料，理想是總透光率 80%以上，90%以上更理想。
此第1樹脂層50具有凸部51，支持第1導體層60；以及主部52，設置於上述凸部51與第1基板30A的主面31A之間，覆蓋上述主面31A。此凸部51及主部52一體形成。
本實施例中的凸部51的剖面形狀(短邊方向剖面)為往遠離第1基板30A的方向(第3圖中的上方向)成為寬度變窄的形狀。又，凸部51與第1導體層60間的邊界，成為對應上述第1導體層60的下面(導體線612、62、631的下面613、621、632(後述))的凹凸形狀之凹凸形狀。如此的凹凸形狀，根據導體線612、62、631的下面613、621、632的表面粗糙度形成。又，不特別圖示，但沿著導體線612、62、631的延伸方向的剖面中的上述凸部51與上述上述導體線612、62、631間的邊界也成為對應上述導體線612、62、631的下面613、621、632的凹凸形狀之凹凸形狀。關於下面613、621、632的表面粗糙度，之後詳細說明。第3及4圖中，為了容易了解說明本實施例中的配線體40，誇張顯示凸部51與導體線612、62、631間的邊界之凹凸形狀。
主部52，以大致均等的高度(厚度)設置於第1基板30A的主面31A全體。藉由在主部52上設置凸部51，凸部51中第1樹脂層50突出。又，第1樹脂層50，在主部52中，高度(厚度)理想是5μm(微米)~100μm。本實施例中的「第1樹脂層50」相當於本發明中的「第2絕緣層」及「第3絕緣層」一範例。
本實施例的第1導體層60，以導電性粉末與黏合 劑構成。作為導電性粉末的具體例，可以舉出銀、銅、鎳、錫、鉍、鋅、銦、鈀等的金屬材料、或石墨、碳黑(爐黑、乙炔黑、超導電碳黑)、碳奈米管、碳奈米纖維等的碳基材料等。又，除了導電性粉末之外，使用這些金屬的鹽之金屬鹽也可以。
作為此第1導體層60內包含的導電性粉末，根據形成的導體線612、62、631(後述)的寬度，例如可以使用具有0.5μm(微米)~2μm的直徑Φ(0.5μm≦Φ≦2μm)之導電性粉末。又，根據使第1導體層60中的電阻值穩定的觀點來看，理想是使用具有形成的導體圖型的寬度一半以下的平均直徑Φ之導電性粉末。又，作為導電性粉末，理想是使用根據BET法測量的比表面積20m2/g(平方米/克)以上的粒子。
作為第1導體層60，要求一定以下的較小電阻值時，理想是使用金屬材料作為導電性材料，作為第1導體層60，容許一定以上的較大電阻值時，作為導電性材料可以使用碳基材料。又，使用碳基材料的話，根據改善網目膜的霧度或全反射率的觀點來看是理想的。
又，本實施例中，為了授予透光性，第1電極61形成網目狀。此時，可以使用銀、銅、鎳的金屬材料、或上述碳基材料等導電性優異但不透明的導電性材料(不透明的金屬材料及不透明的碳基材料)作為第1電極61的構成材料。
作為黏合劑的具體例，可以舉出丙烯樹脂、聚酯樹脂、環氧樹脂、乙烯基樹脂、聚氨甲酸酯樹脂、酚樹脂、聚醯亞胺樹脂、矽氧樹脂、氟樹脂等。
如此的第1導體層60，係塗佈導電性膏材再硬化 而形成。作為如此的導電性膏材的具體例，可以例示上述導電性粉末及黏合劑混合水或溶劑及各種添加劑而構成的導電性膏材。作為導電性膏材內包含的溶劑，可以例示α-松油醇(terpineol)、二甘醇丁醚醋酸酯(Butyl carbitol acetate)、二甘醇一丁醚(butylcarbitol)、1-癸醇(1-Decanol)、丁氧基乙醇(butyl cellosolve)、二乙二醇單乙醚醋酸酯(Diethylene Glycol Monoethyl Ether Acetate)、十四烷(tetradecane)等。又，本實施例的第1導體層60，以導電性粉末及黏合劑構成，但不限定於此，省略黏合劑也可以。
本實施例的第1導體層60，如第5圖所示，包括第1電極61、第1引線配線62、第1屏蔽層63、電極連接部64、第1端子65、導通配線66、以及屏蔽層用端子67。本實施例中的「第1導體層60」相當於本發明中的「第1導體層」的一範例。
第1電極61，經由第1引線配線62由電源(不圖示)施加既定脈衝電壓之驅動側電極(送信側電極)。第1電極61，在對應影像顯示裝置90的顯示部91(後述)的位置上形成，在平面視圖中，與顯示部91重疊配置。此第1電極61，以沿著Y軸的延伸的3個第1電極圖案611構成。各個第1電極圖案611電性絕緣，相鄰的第1電極圖案611之間的間隔大致等間隔。本實施例的碰觸偵知器1，對於各第1電極圖案611，由驅動電路執行以時間分割依序施加脈衝電壓的控制。又，第1電極61內包含的第1電極圖案611的數量或配置，不特別限定於上述。
第1電極圖案611，由具有導電性的複數的第1電極線612a、612b交叉構成，全體具有重複四角形的網目狀。
具體而言，第1電極線612a沿著對X方向45°傾斜的方向(以下，也僅稱作「第1方向」。)直線狀延伸，上述複數的第1電極線612a，往對於此第1方向實質上垂直的方向(以下，也僅稱作「第2方向」。)等間距排列。相對於此，第1電極線612b沿著第2方向直線狀延伸，上述複數的第1電極線612b往第1方向等間距排列。於是，這些第1電極線612a、612b互相垂直，形成重複四角形的單位網目之網目狀的第1電極圖案611。
如本實施例，由於第1電極圖案611為網目狀，第1引線配線62及電極連接部64能夠總括形成，力圖配線體40(配線基板20)的製造步驟縮短或配線體40(配線基板20)的製造成本降低。又，具有本實施例的第1電極圖案611之配線體40(配線基板20)，相較於使用ITO(氧化銦錫)或導電性高分子作為電極圖案的情況，可以如下力圖提高上述配線體40(配線基板20)的品質。即，使用配線體於碰觸面板時，疊層上述配線體的影像顯示裝置必須能夠從配線體側視認，此時，可以使用具有透明性的ITO或導電性高分子作為構成電極圖案的材料(在此情況下，電極圖案為填實圖案。)，但ITO或導電性高分子在上述電極圖案的燒成步驟中有電阻值上升的問題。相對於此，如本實施例，使用導電性粉末(不具有透明性的材料)作為構成電極圖案的材料時，形成上述電極圖案為網目狀，確保影像顯示裝置的視認性的同時，燒成上述電極圖案之際抑制 電阻值上升。即，成為使用導電性粉末的網目狀圖案之第1電極圖案611，相較於使用ITO或導電性高分子作為電極圖案的情況，抑制為低電阻值，提高碰觸面板的感度，進而力圖提高配線體40(配線基板20)的品質。
又，成為網目狀的第1電極圖案611的構成，不特別限定於上述。例如，本實施例中，第1電極線612a的間距與第1電極線612b的間距實質上相同，但不特別限定於此，第1電極線612a的間距與第1電極線612b的間距不同也可以。又，本實施例中，第1方向為對X方向45°傾斜的方向，但不特別限定於此，對X方向為45°以外的角度傾斜的方向也可以。又，同樣地，關於第2方向，也不特別限定於上述。
又，第1電極圖案611的形狀，不特別限定於上述，也可以是幾何學圖案。即，第1電極圖案611的單位網目形狀，可以是正三角形、等腰三角形、直角三角形等的三角形，也可以是長方形、正方形、菱形、平行四邊形、梯形等的四角形。又，單位網目的形狀也可以是六角形、八角形、十二角形、二十角形等的n角形或圓、橢圓、星形等。以此形式，作為第1電極圖案611，重複各種圖形單位得到的幾何學圖案，可以用作上述第1電極圖案611的單位網目形狀。又，本實施例中，第1電極線612a、612b為直線狀，但不特別限定於此，例如也可以是曲線狀、馬蹄狀、鋸齒線狀等。
又，構成第1電極圖案611的第1電極線612a、612b的寬度，理想是1μm~5μm。第1電極線612a、612b的高度，理想是0.5μm~10μm。第1電極線612a、612a之間的 間距，理想是30μm~1000μm。第1電極線612b、612b之間的間距，理想是30μm~1000μm。第1電極線612a與第1電極線612b之間形成的角度(銳角側)，理想是30°~60°。
又，雖未特別圖示，但第1電極圖案611也可以具有圍繞第1電極線612a、612b形成的網目形狀的至少一部分之框部。以下的說明中，根據需要，總稱第1電極線612a、612b為第1電極線612。本實施例中的「第1電極61」相當於本發明中的「第1電極」的一範例。
第1引線配線62，係以與構成第1電極61的材料相同的材料構成。此第1引線配線62，與第1電極61實質上在同一平面上形成。如上述，相對於本實施例的第1電極61，在平面視圖中，與影像顯示裝置90的顯示部91重疊配置，此第1引線配線62，在平面視圖中，在除了與上述影像顯示裝置90的顯示部91重疊的區域之外的區域中形成。
第1引線配線62，對應第1電極圖案611形成，本實施例中，對應形成3個第1電極圖案611，形成3個第1引線配線62。此第1引線配線62，具有沿著X方向延伸的部分及沿著Y方向延伸的部分，係具有在這些交叉的部分中彎曲的彎曲部之配線。各個第1引線配線62，互相脫離形成，電性絕緣。
又，第1引線配線62以一末端與電極連接部64連接，以另一末端與第1端子65連接。電極連接部64係連接第1電極61與第1引線配線62的部分，具有與上述第1電極61大致相同的寬度。第1端子65，從覆蓋第1導體層60的第2樹脂層70中露出，因此，第1引線配線62經由上述第1端 子65能夠與外部電路連接。
作為如此的第1引線配線62的寬度，理想是10μm~100μm。作為第1引線配線62的高度，理想是0.5μm~20μm。
又，第1引線配線62、電極連接部64、及第1端子65為複數的細線交叉形成的網目狀也可以(參照第6圖)。此時，第1引線配線62由往互不相同方向延伸的第1及第2細線624a、624b構成，往第1方向延伸的複數的第1細線624a往第2方向以等間距P1排列，往第2方向延伸的第2細線624b往第1方向以等間距P1排列。又，同樣地，電極連接部64由往互不相同方向延伸的第1及第2細線641a、641b構成，往第1方向延伸的複數的第1細線641a往第2方向以等間距P2排列，往第2方向延伸的第2細線641b往第1方向以等間距P2排列。
以此方式，第1引線配線62及電極連接部64成為網目狀時，構成上述第1引線配線62的第1及第2細線624a、624b的寬度L1、構成電極連接部64的第1及第2細線641a、641b的寬度L2，理想是具有構成第1電極圖案611的第1電極線612a、612b的寬度L3以上的線寬(L1,L2≧L3)。又，第1引線配線62中細線的間距P1、電極連接部64中細線的間距P2，理想是第1電極圖案611中的細線的間距P3以下的間距(P1,P2≦P3)。又，雖未特別圖示，但關於第1端子65，也與第1引線配線62及電極連接部64相同，構成上述第1端子65的細線寬度理想是具有第1電極圖案611的寬度以上的線寬，構成第1端子65的細線的間距理想是具有第1電極圖案611中細線的間距以下的間距。
具體而言，第1引線配線62為網目狀時，第1及第2細線624a、624b的寬度L1，理想是5μm~20μm。第1及第2細線624a、624b的高度，理想是0.5μm~20μm。第1細線624a、624a之間的間距(第2細線624b、624b之間的間距)P1，理想是10μm~40μm。第1細線624a與第2細線624b之間形成的角度(銳角側)，理想是15°~60°。
電極連接部64為網目狀時，第1及第2細線641a、641b的寬度L2，理想是5μm~20μm。第1及第2細線641a、641b的高度，理想是0.5μm~20μm。第1細線641a、641a之間的間距(第2細線641b、641b之間的間距)P2，理想是10μm~100μm。第1細線641a、第2細線641b之間形成的角度(銳角側)，理想是15°~75°。
又，第1及第2細線624a、624b的寬度L1，相對於第1電極線612a、612b的寬度L3，理想是1~20倍。第1及第2細線641a、641b的寬度L2，相對於第1電極線612a、612b的寬度L3，理想是1~20倍。第1細線624a、624a之間的間距(第2細線624b、624b之間的間距)P1，相對於第1電極線612a、612a之間的間距(第1電極線612b、612b之間的間距)P3，理想是0.01~1倍。第1細線641a、641a之間的間距(第2細線641b、641b之間的間距)P2，相對於第1電極線612a、612a之間的間距(第1電極線612b、612b之間的間距)P3，理想是0.01~1倍。
又，本實施例中，第1電極圖案611及第1引線配線62，經由電極連接部64連接，但不特別限定於此，不經 由電極連接部64連接第1電極圖案611及第1引線配線62也可以。本實施例中的「第1引線配線62」相當於本發明中的「第1引線配線」的一範例，本實施例中的「第1端子65」相當於本發明中的「第1端子」的一範例。
回到第5圖，第1屏蔽層63，係與構成第1電極61的材料相同的材料構成之導電層，電磁屏蔽第2導體層80的第2引線配線82(後述)之屏蔽層。此第1屏蔽層63，與第1電極61及第1引線配線62實質上在同一平面上形成。又，第1屏蔽層63，對於第1電極61及第1引線配線62，設置為電性絕緣。此第1屏蔽層63，與上述第1引線配線62同樣地，在平面視圖中，在除了與影像顯示裝置90的顯示部91重疊的區域之外的區域中形成。
本實施例的第1屏蔽層63，在平面視圖中，分割為2個而形成。這些第1屏蔽層63，經由導通配線66，互相電性連接。一方的第1屏蔽層63，連接至屏蔽層用端子67。此屏蔽層用端子67從覆蓋第1導體層60的第2樹脂層70中露出。第1屏蔽層63，經由上述屏蔽層用端子67能夠連接至外部電路(不圖示)。又，連接至此屏蔽層用端子67的外部電路接地，第1屏蔽層63，藉由與此外部電路連接接地。
本實施例的第1屏蔽層63，係交叉具有導電性的複數的第1屏蔽線631a、631b而構成，全體具有重複四角形的網目狀。
具體而言，第1屏蔽線631a，沿著對X方向45°傾斜的方向(以下也僅稱作「第3方向」。)直線狀延伸，上述 複數的第1屏蔽線631a，對第3方向實質上垂直的方向(以下，也僅稱作「第4方向」。)等間距排列。相對於此，第1屏蔽線631b沿著第4方向直線狀延伸，上述複數的第1屏蔽線631b往第3方向等間距排列。於是，這些第1屏蔽線631a、631b互相垂直，形成重複四角形的單位網目之網目狀的第1屏蔽層63。
又，成為網目狀的第1屏蔽層63的構成，不特別限定於上述。例如，本實施例中，第1屏蔽線631a的間距與第1屏蔽線631b的間距實質上相同，但不特別限定於此，第1屏蔽線631a的間距與第1屏蔽線631b的間距不同也可以。又，本實施例中，第3方向係對X方向45°傾斜的方向，但不特別限定於此，對X方向以45°以外的角度傾斜的方向也可以。又，同樣地，關於第4方向也不特別限定於上述。
本實施例中，加大第1屏蔽線631a、631b的間距，或是縮小第1屏蔽線631a、631b的寬度，藉此可以抑制具有上述第1屏蔽線631a、631b的配線基板20(配線體40)的可撓性下降。另一方面，縮小第1屏蔽線631a、631b的間距，或是，加粗第1屏蔽線631a、631b的寬度，藉此力圖提高第1屏蔽層63對第2引線配線82的屏蔽性能。
又，本第1屏蔽層63的形狀，不特別限定於上述，也可以是幾可學圖案。即，第1屏蔽層63的單位網目形狀，可以是正三角形、等腰三角形、直角三角形等的三角形，也可以是長方形、正方形、菱形、平行四邊形、梯形等的四角形。又，單位網目的形狀也可以是六角形、八角形、十二角形、二 十角形等的n角形或圓、橢圓、星形等。以此形式，作為第1屏蔽層63，重複各種圖形單位得到的幾何學圖案，可以用作上述第1屏蔽層63的單位網目形狀。又，本實施例中，第1屏蔽線631a、631b為直線狀，但不特別限定於此，例如也可以是曲線狀、馬蹄狀、鋸齒線狀等。
作為如此的第1屏蔽線631a、631b的寬度，理想是5μm~20μm。作為第1屏蔽線631a、631b的高度，理想是0.5μm~20μm。第1屏蔽線631a、631a之間的間距(第1屏蔽線631b、631b之間的間距)，理想是10μm~1000μm。第1屏蔽線631a與第1屏蔽線631b之間形成的角度(銳角側)，理想是30°~55°。
又，第1屏蔽線631a、631b的寬度，相對於第1電極線612a、612b的寬度L3，理想是1~20倍。第1屏蔽線631a、631a之間的間距(第1屏蔽線631b、631b之間的間距)，相對於第1電極線612a、612a之間的間距(第1電極線612b、612b之間的間距)P3，理想是2~1000倍。
又，配合第1屏蔽層63為網目狀，導通配線66可以也是網目狀(不圖示)。此時，與第1屏蔽層63的情況相同，藉由加大導通配線66中細線的間距，或是縮小構成導通配線66的細線的寬度，可以抑制配線基板20(配線體40)的可撓性下降。另一方面，藉由縮小導通配線66中細線的間距，或是加粗構成導通配線66的細線的寬度，力圖提高第1屏蔽層63對第2引線配線82的屏蔽性能。
又，以下的說明中，根據需要，總稱第1屏蔽線 631a、631b為第1屏蔽線631，總稱第1電極線612、第1引線配線62及第1屏蔽線631為導體線612、62、631。本實施例中的「第1屏蔽層63」相當於本發明中的「第1屏蔽層」的一範例。
回到第3及4圖，構成第1導體層60的導體線612、62、631的側面615、623、634，與分別接觸導體線612、62、631的第1樹脂層50的凸部51的側部，形成平滑連續的1個平面。此導體線612、62、631，成為往第2導體層80側(圖中+Z方向)寬度變窄的錐形，因此，這些導體線612、62、631的剖面形狀(短邊方向中的剖面形狀)成為大致梯形。又，導體線612、62、631的剖面形狀，不特別限定於此。例如，導體線612、62、631的剖面形狀也可以是正方形、長方形、三角形等。
又，本實施例的導體線612、62、631，埋設在第2樹脂層70內，其外周面(上面614、622、633及側面615、623、634)與第2樹脂層70直接接觸，但只有上述導體線612、62、631的下面613、621、632不埋設在第2樹脂層70內，與第1樹脂層50直接接觸。即，導體線612、62、631的上面614、622、633及側面615、623、634，是與第2樹脂層70接觸的接觸面，但上述導體線612、62、631的下面613、621、632成為不與第2樹脂層70接觸的接觸面。本實施形態中的「下面613、621、632」相當於本發明中的「非接觸面」的一範例。
以下，關於本實施例的導體線612、62、631的外形，以第1電極線612為例，一邊參照第7圖，一邊詳細說明。又，第1引線配線62及第1屏蔽線631，與第1電極線612 基本上構成相同。因此，第7圖中顯示第1電極線612，關於第1引線配線62及第1屏蔽線631在括弧內附上對應的符號，省略重複的說明。
第1電極線612的上面614，與上述第1電極線612中下面613位於相反側。上面614，對第1基板30A的主面31A(第1樹脂層50的主部52)實質上平行。
上面614，在第1電極線612的橫向方向的剖面中，包含平坦部6141。此平坦部6141在第1電極線612的橫向方向的剖面中，存在於上面614的直線狀部分(即，曲率半徑極大的部分)，平面度為0.5μm以下。又，平面度係以JIS(JIS B0621(1984))定義。
本實施例中，平坦部6141的平面度，使用利用雷射光的非接觸式的測量方法求出。具體而言，對測量對象(具體而言，上面614)照射帶狀的電射光，使其反射光在攝影元件(例如，2次元CMOS)上成像測量平面度。作為平面度的算出方法，使用的方法係在對象的平面中，分別設定通過儘量遠離的3點之平面，算出那些偏差的最大值作為平面度(最大接觸式平面度)。又，平面度的測量方法或算出方法，不特別限定於上述。例如，平面度的測量方法，可以是使用度盤規(dial gauge)等的接觸式的測量方法。又，平面度的算出方法，也可以是算出成為對象的平面以平行的平面夾住時形成的間隙值作為平面度的方法(最大傾斜式平面度)。
本實施例的平坦部6141，在上面614的大致全體中形成。又，不特別限定於上述，平坦部6141在上面614的 一部分中形成也可以。此時，例如平坦部在不包含上面的兩端的區域中形成也可以。平坦部在上面的一部分中形成時，上述平坦部的寬度，相對於上述的寬度至少是1/2以上。
側面615位於上面614和下面613之間。此側面615，在第1部分6151與上面614相連，在第2部分6152與下面613相連。本實施例的第1電極線612，具有往第2導體層80側寬度變窄的錐形。因此，在第1電極線612的橫向方向的剖面中，第2部分6152比第1部分6151位於更外側。本實施例的側面615，在第1電極線612的橫向方向的剖面中，成為通過此第1及第2部分6151、6152的假想直線(不圖示)上延伸的面。
又，側面615的形狀不特別限定於上述。例如，側面615，在第1電極線612的橫向方向的剖面中，也可以是向外側突出的圓弧形狀。此時，側面615存在於比通過第1及第2部分6151、6152的假想直線更外側。即，作為側面615的形狀，在第1電極線612的橫向方向的剖面中，上述側面615的一部分，理想是不存在於比通過第1及第2部分6151、6152的假想直線更內側的形狀。例如，第1電極線612的外形(寬度)在上述第1電極線612的橫向方向的剖面中，隨著接近第1樹脂層50逐漸變大的情況下，是側面615向內側突入的圓弧形狀(即，第1電極線612底邊變寬的形狀)時，入射配線體的光恐怕變得容易亂反射。
本實施例的側面615，在第1電極線612的橫向方向的剖面中，包含平坦部6153。平坦部6153，在第1電極線 612的橫向方向的剖面中，側面615中存在的直線狀的部分(即，曲率半徑極大的部分)，平面度為0.5μm以下。平坦部6153的平面度，可以根據與平坦部6141的平面度的測量方法同樣的方法測量。本實施例中，側面615大致全體中形成平坦部6153。又，平坦部6153的形狀，不特別限定於上述，在側面615的一部分中形成也可以。
根據抑制側面615中的光的亂反射之觀點來看，側面615與上面614之間的角度θ1理想是90°~170°(90°≦θ1≦170°)，更理想是90°~120°(90°≦θ1≦120°)。本實施例中，一第1電極線612中，一方的側面615與上面614之間的角度，及另一方的側面615與上面614之間的角度實質上是相同的。又，一第1電極線612中，一方的側面615與上面614之間的角度，及另一方的側面615與上面614之間的角度是不同的角度也可以。
本實施例的第1電極線612的下面613的表面粗糙度，相對於上述第1電極線612的上面614的表面粗糙度理想是相對變粗糙。本實施例中，因為上面614包含平坦部6141，上述第1電極線612中的表面粗糙度的相對關係(下面613的表面粗糙度對上面614的表面粗糙度之相對粗糙關係)成立。因此，第1導體層60(具體而言，第1電極線612)與第1樹脂層50之間的接觸面積增加，可以堅固固定第1導體層60與第1樹脂層50。
具體而言，相對於第1電極線612的下面613的表面粗糙度Ra是0.1~3μm左右，上面614的表面粗糙度Ra 理想為0.001~1.0μm左右。又，第1電極線612的下面613的表面粗糙度Ra是0.1~0.5μm更理想，上面614的表面粗糙度Ra為0.001~0.3μm又更理想。又，下面613的表面粗糙度與上面614的表面粗糙度的比(對下面613的表面粗糙度之上面614的表面粗糙度)理想是未滿0.01~1，未滿0.1~1更想理。又，上面614的表面粗糙度，理想是第1電極線612的寬度(最大寬度)的1/5以下。又，如此的表面粗糙度可以根據JIS法(JIS B0601(2013年3月21日訂正))測量。上面614及下面613的表面粗糙度的測量，沿著第1電極線612的橫向方向執行也可以，沿著上述第1電極線612的延伸方向執行也可以。
附帶一提，如JIS法(JIS B0601(2013年3月21日訂正))所記載，在此所謂的「表面粗糙度」，係指「算術平均表面粗糙度Ra」。此所謂「算術平均表面粗糙度Ra」，係指從剖面曲線截斷長波長成分(起伏成分)求得的粗糙度參數。從剖面曲線分離起伏成分，係根據求得形體需要的測量條件(例如對象物的尺寸)執行。
又，本實施例中，側面615包含平坦部6153。因此，下面613的表面粗糙度，相對於側面615的表面粗糙度，相對變粗糙。具體而言，相對於第1電極線612的下面613的表面粗糙度Ra是0.1μm~3μm左右，側面615的表面粗糙度Ra理想是0.001μm~1.0μm左右，更理想是0.001μm~0.3μm。側面615的表面粗糙度的測量，沿著第1電極線612的橫向方向執行也可以，沿著上述第1電極線612的延伸方向執行也可以。
本實施例中，因為下面613的表面粗糙度相對於 上面614的表面粗糙度及側面615的表面粗糙度相對粗糙，除了上述下面613之外其他的面(即，上面614及側面615)側中的配線體40的亂反射率，相對於上述下面613側中的配線體40的亂反射率相對變小。根據力圖提高配線體40的視認性的觀點來看，此下面613側中的配線體40的亂反射率與除了下面613之外的其他面側中的配線體40的亂反射率的比(相對於下面613側中的配線體40的亂反射率之除了上述下面613之外的其他面側中的配線體40的亂反射率)，理想是未滿0.1~1，更理想是未滿0.3~1。
關於具有上述下面與除了上述下面之外其他的面之表面粗糙度的相對關係之第1電極線的形狀的一範例，一邊參照第8圖，一邊說明。如第8圖所示，以導電性粒子M與黏合樹脂B構成的第1電極線612B中，複數的導電性粒子M在黏合樹脂B中分散。此第1電極線612B的下面613B，在橫向方向的剖面中，導電性粒子M的一部分從黏合樹脂B中突出。因此，下面613B具有凹凸形狀。另一方面，上面614B及側面615B中，黏合樹脂B進入導電性粒子M之間，上述黏合樹脂B覆蓋導電性粒子M。因此，上面614B包含平坦部6141B，側面615B包含平坦部6153B。又，上面614B及側面615B中，由於以黏合樹脂B覆蓋導電性粒子M，提高相鄰的第1電極線612B之間的電性絕緣性，抑制遷移的發生。
第8圖所示的形態中，下面613B具有凹凸形狀，但上面614B包含平坦部6141B。因此，下面613B的表面粗糙度相對於上面614B的表面粗糙度，相對變粗糙。同樣地，因為側面 615B包含平坦部6153B，下面613B的表面粗糙度相對於側面615B的表面粗糙度，相對變粗糙。又，第1電極線612的下面613、上面614、及側面615的形態不特別限定於第8圖所示。
第1電極線612、第1引線配線62、及第1屏蔽線631，具有互不相同的寬度也可以。又，第1電極線612、第1引線配線62、第1屏蔽線631，具有互不相同的高度也可以。第1電極線612的下面613的表面粗糙度、第1引線配線62下面621的表面粗糙度、及第1屏蔽線631的下面632的表面粗糙度，互為相同也可以，互不相同也可以。第1電極線612的上面614的表面粗糙度、第1引線配線62上面622的表面粗糙度、及第1屏蔽線631的上面633的表面粗糙度，互為相同也可以，互不相同也可以。第3及4圖中，第1電極線612、第1引線配線62、及第1屏蔽線631具有互為相似的形狀，但不特別限定於此。又，第1引線配線62是網目狀時，構成上述第1引線配線62的第1及第2細線624a、624b，與導體線612、62、631基本上構造相同。同樣地，電極連接部64是網目狀時，構成上述電極連接部64的第1及第2細線641a、641b，與導體線612、62、631基本上構造相同。
又，本實施例的配線體40中，理想是下列(2)式成立。
0.5≦A1...(2)
其中，上述(2)式中，A1是C1/B1的最大值，B1是第1導體層60的短邊方向剖視圖中的寬度，C1是第1導體層60的短邊方向剖視圖中的高度。
又，所謂「第1導體層60的短邊方向剖視圖中的寬度B1」，係導體線612、62、631在延伸方向的寬度，在本實施例中，相當於下面613、621、632的寬度。又，所謂「第1導體層60的短邊方向剖視圖中的高度C1」，係具有寬度B1的導體線612、62、631的高度(厚度)，在本實施例中，相當於下面613、621、632及上面614、622、633間的間隔。因此，本實施例中所謂的A1，係每一導體線612、62、631中的寬度B1對於高度C1的比的最大值。
本實施例中，關於第1電極線612、第1引線配線62及第1屏蔽線631中至少其一，理想是上述(2)式成立，關於第1電極線612、第1引線配線62及第1屏蔽線631全部，上述(2)式成立更理想。
本實施例中的第2樹脂層70，如第3及4圖所示，介於第1及第2導體層60、80之間，由具有絕緣性的材料構成。作為構成如此的第2樹脂層70的材料，例如，可以例示環氧樹脂、丙烯樹脂、聚酯樹脂(polyester resin)、聚氨甲酸酯樹脂(urethane resin)、乙烯基樹脂(vinyl resin)、矽氧樹脂、酚樹脂、聚醯亞胺樹脂等的UV硬化性樹脂、熱硬化性樹脂或熱可塑性樹脂等。又，使用本實施例的配線基板20於碰觸面板時，第2樹脂層70為具有透光性的材料。此時，構成第2樹脂層70的材料，理想是總透光率80%以上，90%以上更理想。
第2樹脂層70具有主部72，具有大致平坦的上面；以及凸部71，設置在上述主部72上。主部72覆蓋第1樹脂層50、第1導體層60(端子65、67除外)。凸部71，往第 2導體層80側(圖中+Z方向)突出，具有對應第2導體層80的形成圖案。
本實施例中的凸部71的剖面形狀(短邊方向中的剖面形狀)，係往遠離第1基板30A的方向(圖中+Z方向)成為寬度變窄的形狀。又，凸部71與第2導體層80間的邊界，成為對應上述第2導體層80的下面(導體線812、82、831的下面813、821、832(後述))的凹凸形狀之凹凸形狀。如此的凹凸形狀，係根據導體線812、82、831的下面813、821、832的表面粗糙度形成。又，不特別圖示，但沿著導體線812、82、831的延伸方向的剖面中凸部332與上述導體線812、82、831間的邊界，也成為對應上述導體線812、82、831的下面813、821、832的凹凸形狀之凹凸形狀。關於下面813、821、832的表面粗糙度，之後詳細說明。第3及4圖中，為了容易了解說明本實施例中的碰觸偵知器用配線體40，誇張顯示凸部71與導體線812、82、831間的邊界的凹凸形狀。
又，本實施例中，第2樹脂層70的主部72中的最小高度(最小厚度)W1，比第1導體層60的最大高度(最大厚度)W2大。因此，能夠確保第1及第2導體層60、80間的絕緣。本實施例中的「第2樹脂層70」相當於本發明中的「第1絕緣層」的一範例。
本實施例的第2導體層80，以導電性粉末與黏合劑構成。又，作為導電性粉末、黏合劑的具體例，可以例示與構成第1導體層60的導電性粉末、黏合劑相同的材料。又，此第2導體層80中，也與第1導體層60相同，可以省略黏合劑。
本實施例的第2導體層80，如第3圖所示，設置在第2樹脂層70上。此第2導體層80，如第9圖所示，包括第2電極81、第2引線配線82、第2屏蔽層83、電極連接部84、第2端子85及屏蔽層用端子86。
第2電極81，係對應施加給第1電極61的脈衝電壓，收集電荷的檢出側電極(受信側電極)。第2電極81，在對應影像顯示裝置90的顯示部91的位置上形成，在平面視圖中，與顯示部91重疊配置。此第2電極81，以沿著X軸方向延伸的4個第2電極圖案811構成。各個第2電極圖案811，電性絕緣，相鄰的第2電極圖案811之間的間隔，大致等間隔。又，第2電極81內包含的第2電極圖案811的數量及配置，不特別限定於上述。
第2電極圖案811，如第9圖所示，具有導電性的複數的第2電極線812a、812b交叉構成，全體具有重複四角形的網目狀。
具體而言，第2電極線812a，與第1電極線612a相同，沿著第1方向直線狀延伸，上述複數的第2電極線812a往第2方向等間距排列。相對於此，第2電極線812b，往第2方向等間距排列。上述複數的第2電極線812b，往第1方向等間距排列。於是，這些第2電極線812a、812b互相垂直，形成重複四角形的單位網目之網目狀的第2電極圖案811。
關於此第2電極圖案811，也與第1電極圖案611的情況相同，由於上述第2電極圖案811為網目狀，力圖配線體40(配線基板20)的製造步驟縮短或配線體40(配線基板20) 的製造成本降低的同時，相較於使用ITO(氧化銦錫)或導電性高分子作為電極圖案的情況，可以力圖提高上述配線體40(配線基板20)的品質。
又，成為網目狀的第2電極圖案811的構成，不特別限定於上述。例如，本實施例中，第2電極線812a的間距與第2電極線812b的間距實質上相同，但不特別限定於上述，第2電極線812a的間距與第2電極線812b的間距不同也可以。又，本實施例中，第2電極線812a與第1電極線612a實質上往平行方向延伸，第2電極線812b與第1電極線612b實質上往平行方向延伸，但不特別限定於上述，對第1電極線612a、612b往不同方向延伸也可以。
關於此第2電極圖案811，也與上述第1電極圖案611相同，重複各種圖形單位得到的幾何學圖案，可以用作上述第2電極圖案811的單位網目的形狀。又，本實施例中，第2電極線812a、812b成為直線狀，但不特別限定於上述，例如也可以是曲線狀、馬蹄狀、鋸齒線狀等。
如此的第2電極線812a、812b的寬度，理想是1μm~5μm。第2電極線812a、812b的高度，理想是0.5μm~10μm。第2電極線812a、812b之間的間距，理想是30μm~1000μm。第2電極線812a、812b之間的間距，理想是30μm~1000μm。第2電極線812a與第2電極線812b之間形成的角度(銳角側)，理想是30°~60°。
又，雖未特別圖示，但第2電極圖案811也可以具有框部，圍繞第2電極線812a、812b形成的網目形狀的至 少一部分。以下的說明中，根據需要，總稱第2電極線812a、812b為第2電極線812。本實施例中的「第2電極81」相當於本發明中的「第2電極」的一範例。
第2引線配線82，係以與構成第2電極81的材料相同的材料構成。此第2引線配線82，與第2電極81實質上在相同的平面上形成。如上述，相對於本實施例的第2電極81，在平面視圖中，與影像顯示裝置90的顯示部91重疊配置，此第2引線配線82，在平面視圖中，在除了與影像顯示裝置90的顯示部91重疊配置的區域外形成。
第2引線配線82，對應第2電極圖案811形成，本實施例中，對應形成4個第2電極圖案811，形成4個第2引線配線82。又，對於第9圖中的上方2個第2電極圖案811，從左側(-X方向側)連接第2引線配線82，另一方面，第9圖中的下方2個第2電極圖案811，從右側(+X方向側)連接第2引線配線82。以此方式，藉由分散第2引線配線82的拉出方向，抑制框架部分(平面視圖中的顯示部91不重疊的部分)的寬度過度變厚。
此第2引線配線82，係具有往X方向延伸的部分及往Y方向延伸的部分，並在這些交叉的部分中具有彎曲的彎曲部的配線。各個第2引線配線82，互相脫離形成，電性絕緣。
又，第2引線配線82，以一末端與電極連接部84連接，以另一末端與第2端子85連接。電極連接部84係連接第2電極81與第2引線配線82的部分，具有與上述第2電極81大致相同的寬度。第2端子85，連接第2引線配線82與外 部電路。
如此的第2引線配線82的寬度，理想是10μm~100μm，第2引線配線82的高度，理想是0.5μm~20μm。
又，第2引線配線82、電極連接部84及第2端子85，交叉複數的細線成為網目狀也可以。又，在此情況下，第2引線配線82、電極連接部84及第2端子85，與第1引線配線62、電極連接部64及第1端子65多少形狀不同，但因為基本構造相同，顯示第6圖中的第1引線配線62、電極連接部64及第1端子65，關於第2引線配線82、電極連接部84及第2端子85，在括弧內附上對應的符號，省略說明。
以此方式，第2引線配線82及電極連接部84為網目狀時，構成上述第2引線配線82的第1及第2細線824a、824b的寬度L4，或構成電極連接部84的第1及第2細線841a、841b的寬度L5，理想是具有構成第2電極圖案811的第2電極線812a、812b的寬度L6以上的線寬(L4,L5≧L6)。又，第2引線配線82中的細線間距P4、電極連接部84中的細線間距P5，理想是第2電極圖案811中的細線間距P6以下的間距(P4,P5≦P6)。又，不特別圖示，但關於第2端子85，也與第2引線配線82及電極連接部84相同，構成上述第2端子85的細線的寬度，理想是具有第2電極圖案811的寬度以上的線寬，構成第2端子85中的細線間距，想理是第2電極圖案811中的細線間距以下的間距。
第2引線配線82為網目狀時，第1及第2細線824a、824b的寬度L4，理想是5μm~20μm。第1及第2細線 824a、824b的高度，理想是0.5μm~20μm。第1細線824a、824a之間的間距(第2細線824b、824b)P4，理想是10μm~40μm。第1細線824a及第2細線824b之間形成的角度(銳角側)，理想是15°~75°。
電極連接部84為網目狀時，第1及第2細線841a、841b的寬度L5，理想是5μm~20μm。第1及第2細線841a、841b的高度，理想是0.5μm~20μm。第1細線841a、841a之間的間距(第2細線841b、841b之間的間距)P5，理想是10μm~100μm。第1細線841a、第2細線841b之間形成的角度(銳角側)，理想是15°~75°。
又，第1及第2細線824a、824b的寬度L4，相對於第2電極線812a、812b的寬度L6，理想是1~20倍。第1及第2細線841a、841b的寬度L5，相對於第2電極線812a、812b的寬度L6，理想是1~20倍。第1細線824a、824a之間的間距(第2細線824b、824b之間的間距)P4，相對於第2電極線812a、812a之間的間距(第2電極線812b、812b之間的間距)P6，理想是0.01~1倍。第1細線841a、841a之間的間距(第2細線841b、841b之間的間距)P5，相對於第2電極線812a、812a之間的間距(第2電極線812b、812b之間的間距)P6，理想是0.01~1倍。
又，本實施例中，第2電極圖案811及第2引線配線82，經由電極連接部84連接，但不特別限定於此，不經由電極連接部84，連接第2電極圖案811及第2引線配線82也可以。本實施例中的「第2引線配線82」相當於本發明中的 「第2引線配線」的一範例，本實施例中的「第2端子85」相當於本發明中的「第2端子」。
回到第9圖，第2屏蔽層83，係以與構成第2電極81的材料相同的材料構成之導電層，係電磁屏蔽第1導體層60的第1引線配線62的屏蔽層。此第2屏蔽層83，與第2電極81及第2引線配線82實質上在同一平面上形成。又，第2屏蔽層83，對於第2電極81及第2引線配線82，設置為電性絕緣。此第2屏蔽層83，與上述第2引線配線82相同，在平面視圖中，在除了與上述影像顯示裝置90的顯示部91重疊的區域之外的區域中形成。
此第2屏蔽層83，連接至屏蔽層用端子86，經由上述屏蔽層用端子86上述第2屏蔽層83能夠連接至外部電路(不圖示)。又，連接至上述屏蔽層用端子86的外部電路接地，因此，第2屏蔽層83經由外部電路接地。
本實施例中的第2屏蔽層83，以具有導電性的複數的第2屏蔽線831a、831b交叉構成，全體具有重複四角形的網目狀。
具體而言，第2屏蔽線831a，與第1屏蔽線631a相同，沿著第3方向直線狀延伸，上述複數的第2屏蔽線831a，往第4方向等間距排列。相對於此，第2屏蔽線831b沿著第4方向直線狀延伸，上述複數的第2屏蔽線831b往第3方向等間距排列。於是，這些第2屏蔽線831a、831b互相垂直，形成重複四角形的單位網目之網目狀的第2屏蔽層83。
又，成為網目狀的第2屏蔽層83的構成，不特別 限定於上述。例如，本實施例中，第2屏蔽線831a的間距與第2屏蔽線831b的間距實質上相同，但不特別限定於此，第2屏蔽線831a的間距與第2屏蔽線831b的間距不同也可以。又，本實施例中，第2屏蔽線831a，與第1屏蔽線631a實質上往平行方向延伸，第2屏蔽線831b與與第1屏蔽線631b實質上往平行方向延伸，但不特別限定於此，與第1屏蔽線631a、631b往不同方向延伸也可以。
本實施例中，加大第2屏蔽線831a、831b的間距，或是縮小第2屏蔽線831a、831b的寬度，藉此可以抑制具有上述第2屏蔽線831a、831b的配線基板20(配線體40)的可撓性下降。另一方面，縮小第2屏蔽線831a、831b的間距，或是，加粗第2屏蔽線831a、831b的寬度，藉此力圖提高第2屏蔽層83對第1引線配線62的屏蔽性能。
此第2屏蔽層83，也與第1屏蔽層63相同，重複各種圖形單位得到的幾何學圖案，可以用作上述第2屏蔽層83的單位網目形狀。又，本實施例中，第2屏蔽線831a、831b為直線狀，但不特別限定於此，例如也可以是曲線狀、馬蹄狀、鋸齒線狀等。
如此的第2屏蔽線831a、831b的寬度，理想是5μm~20μm。第2屏蔽線831a、831b的高度，理想是0.5μm~20μm。第2屏蔽線831a、831a之間的間距(第2屏蔽線831b、831b之間的間距)，理想是10μm~1000μm。第2屏蔽線831a與第2屏蔽線831b之間形成的角度(銳角)，理想是30°~55°。
又，第2屏蔽線831a、831b的寬度，相對於第2 電極線812a、812b的寬度L6，理想是1~20倍。第2屏蔽線831a、831a之間的間距(第2屏蔽線831b、831b之間的間距)，相對於第2電極線812a、812a之間的間距(第2電極線812b、812b之間的間距)P6，理想是2~1000倍。
又，以下的說明中，根據需要，總稱第2屏蔽線831a、831b為第2屏蔽線831，總稱第2電極線812、導體線82及第2屏蔽線831為導體線812、82、831。本實施例中的「第2屏蔽層83」相當於本發明中的「第2屏蔽層」的一範例。
回到第3及4圖，構成第2導體層80的導體線812、82、831的側面815、823、834，與分別接觸導體線812、82、831的第2樹脂層70的凸部71的側部，形成平滑連續的1個平面。此導體線812、82、831，成為往圖中+Z方向寬度變窄的錐形，因此，這些導體線812、82、831的剖面形狀(短邊方向中的剖面形狀)成為大致梯形。又，導體線812、82、831的剖面形狀，不特別限定於此。例如，導體線812、82、831的剖面形狀也可以是正方形、長方形、三角形等。
導體線812、82、831的下面813、821、832中，與第2樹脂層70互相接觸。
以下，關於導體線812、82、831的外形，以第2電極線812為例，一邊參照第10圖，一邊詳細說明。又，第2引線配線82及第2屏蔽線831，與第2電極線812的基本構成相同。因此，第10圖中顯示第2電極線812，關於第2引線配線82及第2屏蔽線831，在括弧內附上對應的符號，省略重複的說明。
第2電極線812的上面814，位於第2電極線812中與下面813相反側。上面814，對配線基板20的主面(第1樹脂層50的主部52的上面、第2樹脂層70的主部72的上面)，實質上平行。
上面814，在第2電極線812的橫向方向的剖面中，包含平坦部8141。此平坦部8141，在第2電極線812的橫向方向的剖面中，係存在於上面814的直線線狀部分(即，曲率半徑極大的部分)，平面度為0.5μm以下。此平坦部8141的平面度，可以根據上述平坦部6141的平坦度的測量方法相同的方法測量。
本實施例的平坦部8141，在上面814的大致全體中形成。又，不特別限定於上述，平坦部8141，在上面814的一部分中形成也可以。此時，例如，平坦部在不包含上面的兩端的區域中形成也可以。平坦部在上面的一部分中形成時，上述平坦部的寬度，相對於上面的寬度至少是1/2以上。
側面815位於上面814與下面813之間。此側面815，在第1部分8151與上面814相連，在第2部分8152與下面813相連。因為本實施例的第2電極線812具有往遠離第1導體層60側寬度變窄之錐形，第2部分8152比第1部分8151位於更外側。側面815，在第2電極線812的橫向方向的剖面中，成為在通過第1及第2部分8151、8152的假想直線(不圖示)上延伸的面。
又，側面815的形狀，不特別限定於上述。例如，側面815，在第2電極線812的橫向方向的剖面中，成為往外 側突出的圓弧形狀也可以。此時，側面815存在於比通過第1及第2部分8151、8152的假想直線更外側。即，作為側面815的形狀，在第2電極線812的橫向方向的剖面中，上述側面815的一部分，理想是不存在於比通過上述第1及第2部分8151、8152的假想直線更內側的形狀。例如，第2電極線812的外形(寬度)，在上述第2電極線812的橫向方向的剖面中，隨著接近第2樹脂層70逐漸變大時，側面815是往內側突入的圓弧形狀(即，第2電極線812的底邊變寬的形狀)時，入射配線體的光恐怕變得容易亂反射。
本實施例的側面815，在上述第2電極線812的橫向方向的剖面中，包含平坦部8153。平坦部8153，在上述第2電極線812的橫向方向的剖面中，是成為直線狀的部分(即，曲率半徑極大的部分)，平面度在平面度為0.5μm以下。此平坦部8153的平面度，可以根據與上述平坦部6141的平面度的測量方法同樣的方法測量。本實施例中，側面815大致全體中形成平坦部8153。又，平坦部8153的形狀，不特別限定於上述，在側面815的一部分中形成也可以。
根據抑制側面815中的光的亂反射之觀點來看，側面815與上面814之間的角度θ2理想是90°~170°(90°≦θ2≦170°)，更理想是90°~120°(90°≦θ2≦120°)。本實施例中，一第2電極線812中，一方的側面815與上面814之間的角度，及另一方的側面815與上面814之間的角度實質上是相同的。又，一第2電極線812中，一方的側面815與上面814之間的角度，及另一方的側面815與上面814之間的角度是不同的角 度也可以。
本實施例中的第2電極線812的下面813的表面粗糙度，理想是比上述第2電極線812的上面814的表面粗糙度更粗糙。本實施例中，因為上面814包含平坦部8141，上述第2電極線812中的表面粗糙度的相對關係(下面813的表面粗糙度對上面814的表面粗糙度的相對粗糙關係)成立。因此，第2導體層80(具體而言，第2電極線812)與第2樹脂層70之間的接觸面積增加，可以堅固固定第2導體層80與第2樹脂層70。
具體而言，相對於第2電極線812的下面813的表面粗糙度Ra是0.1μm~3μm左右，上面814的表面粗糙度Ra理想是0.001μm~1.0μm左右。第2電極線812的下面813的表面粗糙度Ra更理想是0.1μm~0.5μm，上面814的表面粗糙度Ra又更理想是0.001μm~0.3μm。又，下面813的表面粗糙度與上面814的表面粗糙度之比(相對於下面813的表面粗糙度之上面814的表面粗糙度)理想是未滿0.01~1，更理想是未滿0.1~1。又，上面814的表面粗糙度，理想是第2電極線812的寬度(最大寬度)的5分之一以下。又，如此的表面粗糙度，可以根據JIS法(JIS B0601(2013年3月21日訂正))測量。上面813及下面184的表面粗糙度的測量，沿著第2電極線812的橫向方向執行也可以，沿著上述第2電極線812的延伸方向執行也可以。
又，本實施例中，側面815包含平坦部8153。因此，下面813的表面粗糙度，相對於側面815的表面粗糙度， 相對變粗糙。具體而言，相對於第2電極線812的下面813的表面粗糙度Ra是0.1μm~3μm左右，側面815的表面粗糙度Ra理想是0.001μm~1.0μm左右。又，第2電極線812的側面815的表面粗糙度Ra更理想是0.001μm~0.3μm。側面815的表面粗糙度的測量，沿著第2電極線812的橫向方向執行也可以，沿著上述第2電極線812的延伸方向執行也可以。
本實施例中，因為下面813的表面粗糙度相對於上面814的表面粗糙度及側面815的表面粗糙度相對粗糙，除了上述下面813之外其他的面(即，上面814及側面815)側中的配線體40的亂反射率，相對於上述下面813側中的配線體40的亂反射率相對變小。此下面813側中的配線體40的亂反射率與除了下面813之外的其他面側中的配線體40的亂反射率的比(相對於下面813側中的配線體40的亂反射率之除了上述下面813之外的其他面側中的配線體40的亂反射率)，根據力圖提高配線體40的視認性的觀點來看，理想是未滿0.1~1，更理想是未滿0.3~1。
以具有上述下面與除了上述下面之外其他的面之間的表面粗糙度相對關係之第2電極線的形狀為例，可以舉出與第8圖所示的第1電極線612B同樣的形狀。即，在第2電極線的下面，上述第2電極線的橫向方向的剖面中，導電性粉末的一部分從黏合樹脂中突出。另一方面，第2電極線的上面及側面中，在上述第2電極線的橫向方向的剖面中，黏合樹脂進入導電性粉末之間，上述黏合樹脂覆蓋導電性粉末。此時，下面具有凹凸形狀，上面包含平坦部。因此，第2電極線的下面 的表面粗糙度，相對於上述第2電極線的上面的表面粗糙度，相對變粗糙。又，本例中，第2電極線的側面也包含平坦部。因此，第2電極線的下面的表面粗糙度，相對於上述第2電極線的側面的表面粗糙度，相對變粗糙。又，第2電極線612的下面613、上面614及側面615，不特別限定於上述所示的形態。
第2電極線812、第2引線配線82、及第2屏蔽線831，具有互不相同的寬度也可以。又，第2電極線812、第2引線配線82、及第2屏蔽線831，具有互不相同的高度也可以。第2電極線812的下面813的表面粗糙度、第2引線配線82的下面821的表面粗糙度、及第2屏蔽線831的下面832的表面粗糙度，互為相同也可以，互不相同也可以。第2電極線812的上面814的表面粗糙度、第2引線配線82上面822的表面粗糙度、及第2屏蔽線831的上面833的表面粗糙度，互為相同也可以，互不相同也可以。第3及4圖中，第2電極線812、第2引線配線82、及第2屏蔽線831，具有互為相似的形狀，但不特別限定於此。又，第2引線配線82是網目狀時，構成上述第2引線配線82的第1及第2細線824a、824b，與導體線812、82、831基本上構造相同。同樣地，電極連接部84是網目狀時，構成上述電極連接部84的第1及第2細線841a、841b，與導體線812、82、831基本上構造相同。
又，本實施例的配線體40中，理想是下列(3)式成立。
0.5≦A2...(3)
其中，上述(3)式中，A2是C2/B2的最大值，B2是第2導 體層80的短邊方向剖視圖中的寬度，C2是第2導體層80的短邊方向剖視圖中的高度。
又，所謂「第2導體層80的短邊方向剖視圖中的寬度B2」，係導體線812、82、831在延伸方向的寬度，在本實施例中，相當於下面813、821、832的寬度。又，所謂「第2導體層80的短邊方向剖視圖中的高度C2」，係具有寬度B2的導體線812、82、831的高度(厚度)，在本實施例中，相當於下面813、821、832及上面814、822、833間的間隔。因此，本實施例中所謂的A2，係表示高度C2對每一導體線812、82、831中的寬度B2的比的最大值。
本實施例中，關於第2電極線812、第2引線配線82及第2屏蔽線831中至少其一，理想是上述(3)式成立，關於全部的第2電極線812、第2引線配線82及第2屏蔽線831，上述(3)式成立更理想。
本實施例中的影像顯示裝置90，例如，係液晶顯示器(Liquid crystal display,LCD)，如第2圖所示，包括顯示部91、支持上述顯示部91的本體部92。此影像顯示裝置90，經由透明黏合層93直接黏貼至第1基板30A的主面32A(即，第1導體層60的下側)。透明黏合層93，塗佈在第1基板30A的主面32A全面，因此，因為第1基板30A與影像顯示裝置90之間的間隙消失，提高顯示部91的美觀。又，透明黏合層93係具有絕緣性的材料，作為具體例，可以例示丙烯酸黏合劑等。
顯示部91中，例如，顯示操作用的各種圖標、根據使用者的操作指示的文字資訊等。本實施例的顯示部91，係 包含液晶組成物的板狀構件構成的液晶面板。另一方面，本體部92中，裝載用以對顯示部91供給電氣信號之電路等。即，本實施例的影像顯示裝置90中，以電路對顯示部91施加電壓，形成電場，藉此改變上述顯示部91(液晶組成物)的液晶配向，因此，從背光(不圖示)等的光源發光的光，根據液晶組成物的液晶配向，部分或是遮蔽或是透過，在顯示部91進行既定的顯示。又，影像顯示裝置90，不特別限於上述，例如，電漿顯示器、有機發光顯示器、電場放射顯示器、電子紙等也可以。
蓋板110，係以防止第1及第2導體層60、80等弄髒、弄傷、變色的觀點而設置，配置於第2導體層80的上方。此蓋板110，如第11圖所示，包括可透過可見光的透明部111、遮蔽可見光的遮蔽部112。作為構成蓋板110的材料，例如，可以例示玻璃、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate,PMMA)、聚碳酸酯(PC)等，但理想是具有90%以上的總透光率的材料。
遮蔽部112，在蓋板110的背面，例如以塗佈黑色的墨形成。又，蓋板110的背面的大致中央的矩形區域中，不塗佈黑色的墨，因此，形成透過可見光的透明部111。即，遮蔽部112，在平面視圖中，形成包圍透明部111的框架狀。
透明部111，對應影像顯示裝置90的顯示部91而形成，在平面視圖中，與上述顯示部91重疊配置。遮蔽部112，在與上述顯示部91重疊的區域以外的區域形成，藉此，不能視認上述第1及第2引線配線62、82或第1或第2屏蔽層63、83。
以上說明的配線基板20(配線體40)中，如第2~4圖所示，從下方往上方依序，形成第1樹脂層50、第1導體層60、第2樹脂層70、第2導體層80。結果，本實施例中，影像顯示裝置90，比檢出側電極的第2電極81，配置在更接近驅動側電極的第1電極61側。
又，本實施例中，本實施例的第1屏蔽層63，與第2引線配線82在平面視圖中重疊配置(參照第3及9圖)。即，影像顯示裝置90及第2引線配線82之間由第1屏蔽層63遮蔽。藉此，抑制從上述影像顯示裝置90放射的電雜訊傳導至第2引線配線82，並抑制碰觸偵知器1的誤動作發生。
又，本實施例中，如第12(a)圖所示，第1屏蔽層63由往對X方向及Y方向傾斜的方向延伸的第1屏蔽線631a、631b構成。藉此，平面視圖中，防止第1屏蔽線631的延伸方向、第2引線配線82的延伸方向在實質上一致(成為平行)。結果，平面視圖中，抑制第2引線配線82與第1屏蔽層63的重複部分的不均，力圖屏蔽效果的均等。又，也為了對影像顯示裝置90遮蔽電極連接部84，形成本實施例的第1屏蔽層63。
另一方面，第2屏蔽層83，與第1引線配線62在平面視圖中重疊配置(參照第4及9圖)。即，由第2屏蔽層83對外部遮蔽第1引線配線62。藉此，抑制從外部接受的電雜訊傳導至第1引線配線62，抑制碰觸偵知器1的誤動作發生。
又，如第12(b)圖所示，第2屏蔽層83，由往對X方向及Y方向傾斜的方向延伸的第2屏蔽線831a、831b構成。 藉此，平面視圖中，防止第2屏蔽線831的延伸方向、第1引線配線62的延伸方向在實質上一致(成為平行)。結果，平面視圖中，抑制第1引線配線62與第2屏蔽層83的重複部分的不均，力圖屏蔽效果的均等。又，也為了對外部遮蔽電極連接部64，形成本實施例的第2屏蔽層83。
其次，說明關於本實施例中的配線基板20的製造方法。第13(a)~13(e)圖係用以說明本發明實施例中的配線基板的製造方法(其1)之剖面圖；以及第14(a)~14(f)圖係用以說明本發明實施例中的配線基板的製造方法(其2)之剖面圖。
首先，如第13(a)圖所示，準備第1凹版120，形成對應第1導體層60中的第1電極61、第1引線配線62及第1屏蔽層63的形狀之凹部121。作為構成此第1凹版120的材料，可以例示鎳、矽、二氧化矽等的玻璃類、有機二氧化矽類、玻璃碳、熱可塑性樹脂、光硬化性樹脂等。
凹部121的寬度及深度，依構成第1導體層60的要素不同。本實施例中，對應第1電極61的形狀形成的凹部121的寬度，理想是1μm~5μm。對應第1電極61的形狀形成的凹部121的深度，理想是0.5μm~10μm。
又，對應第1引線配線62的形狀形成的凹部121的寬度，理想是10μm~100μm。對應第1引線配線62的形狀形成的凹部121的深度，理想是0.5μm~20μm。
又，對應第1屏蔽層63的形狀形成的凹部121的寬度，理想是5μm~20μm。對應第1屏蔽層63的形狀形成的凹部121的深度，理想是0.5μm~20μm。
本實施例中，凹部121的剖面形狀係隨著往底部寬度變窄的錐形。又，如此的凹部121的表面上，為了提高脫模性，理想是預先形成石墨基材料、矽氧樹脂基材料、氟基材料、陶瓷基材料、鋁基材料等構成的脫模層。
於是，對上述第1凹版120，填充導電性材料140A。使用上述導電性膏材，作為如此的導電性材料140A。
填充導電性材料140A至第1凹版120的凹部121內的方法，例如可以舉出配量法、噴墨法、網版印刷法。或是可以舉出以狹縫塗佈法(slit coating)、棒式塗佈法(bar coating)、刀塗法(blade coating)、浸塗法(Dip Coating)、噴塗法(Spray Coating)、旋塗法(Spin Coating)塗佈後擦去或刮去在凹部以外塗佈的導電性材料，或刮除、吸除、黏除、沖洗、吹除的方法。可以根據導電性材料的組成等、凹版的形狀等，適當靈活運用這些方法。
其次，如第13(b)圖所示，加熱第1凹版120的凹部121內填充的導電性材料140A，形成構成第1導體層60的導體圖案。即，本實施例中，構成第1導體層60的第1電極61、第1引線配線62、第1屏蔽層63可以以同一製程一體形成。此時，第1電極61、第1引線配線62、第1屏蔽層63在同一平面上形成。又，此所謂的「一體」係指構件之間不分離，且以相同材料(相同粒徑的導電性粒子、黏合樹脂等)形成一體的構造體。
導電性材料140A的加熱條件，可以根據導電性材料的組成等適當設定。藉由此加熱處理，導電性材料140A體 積收縮。此時，導電性材料140A的上面，形成成為凹凸狀的凹凸面(相當於下面613、621、632的面)，上述導電性材料140A的上面以外的面，沿著凹部121的形狀形成。又，導電性材料140A的處理方法不限定於加熱。例如，照射紅外線、紫外線、雷射光等的能量線也可以，只乾燥也可以。又，組合使用這2種以上的這些處理方法也可以。
其次，如第13(c)圖所示，在第1凹版120上塗佈用以形成第1樹脂層50的樹脂材料150A。作為如此的樹脂材料150A，可以使用與構成上述第1樹脂層50的材料相同的材料。在第1凹版120上塗佈樹脂材料150A的方法，可以例示網版印刷法、噴塗法、棒式塗佈法、浸塗法、噴墨法等。樹脂材料150A，由於導電性材料140A體積收縮，進入凹部121中形成的空隙，與成為凹凸面的導電性材料140A接觸。藉此，堅固固定導電性材料140A與樹脂材料150A。
其次，如第13(d)圖所示，從樹脂材料150A的上方壓下第1基板30A，使樹脂材料150A硬化。作為硬化樹脂材料150A的方法，可以例示紫外線、紅外線、雷射光等的能量線照射、加熱、加熱冷卻、乾燥等。因此，形成第1樹脂層50的同時，經由上述第1樹脂層50，第1基板30A與第1導體層60互相接合固定。
其次，如第13(e)圖所示，第1基板30A、第1樹脂層50及第1導體層60從第1凹版120脫模。因此，第1導體層60從第1凹版120轉印至第1樹脂層50，得到中間體160。
其次，如第14(a)圖所示，準備形成對應第2導體 層80中的第2電極81、第2引線配線82及第2屏蔽層83的形狀的凹部131之第2凹版130。構成此第2凹版130的材料，可以例示與構成上述第1凹版120的材料相同的材料。
此凹部131的寬度及深度，依構成第2導體層80的要素不同，但構成第1導體層60的每一要素中的凹部121的寬度及深度，理想是具有相同的值。本實施例中，凹部131的剖面形狀，成為隨著往底部寬度變窄的錐形。又，凹部131的表面上也與凹部121的情況相同，理想是形成脫模層。
於是，對第2凹版130，填充導電性材料140B。此導電性材料140B，可以例示與上述導電性材料140A相同的材料。又，作為填充導電性材料140B至第2凹版130的方法，可以例示與填充上述導電性材料140A至第1凹版120的方法相同的方法。
其次，如第14(b)圖所示，加熱第2凹版130的凹部131內填充的導電性材料140B，形成構成第2導體層80的導體圖案。即，本實施例中，構成第2導體層80的第2電極81、第2引線配線82與第2屏蔽層83可以以同一製程一體形成。此時，第2電極81、第2引線配線82與第2屏蔽層83在同一平面上形成。
導電性材料140B的加熱條件，可以根據上述導電性材料140B的組成等適當設定。根據此加熱處理，凹部131內填充的導電性材料140B體積收縮。此時，導電性材料140B的上面，形成成為凹凸狀的凹凸面(相當於下面813、821、832的面)，上述導電性材料140B的上面以外的面，形成沿著凹部 131的形狀。又，導電性材料140B的處理方法不限定於加熱，使用與上述導電性材料140A的處理方法相同的方法也可以。
其次，如第14(c)圖所示，構成第2樹脂層70的樹脂材料150B塗佈在中間體160上。作為如此的樹脂材料150B，可以使用與構成上述第2樹脂層70的材料相同的材料。又，作為塗佈樹脂材料150B在中間體160上的方法，可以例示與塗佈樹脂材料150A在第1凹版120上的方法相同的方法。
其次，如第14(d)圖所示，為了樹脂材料150B進入第2凹版130的凹部131，配置中間體160及樹脂材料150B在第2凹版130上，上述中間體160往第2凹版壓下，使樹脂材料硬化。作為使樹脂材料150B硬化的方法，可以例示與硬化上述樹脂材料150A的方法相同的方法。
中間體160往第2凹版130壓下之際的加壓力，理想是0.001MPa(百萬帕)~100MPa，0.01MPa~10MPa更理想。又，上述加壓力可以使用加壓滾筒等進行。因此，形成第2樹脂層70的同時，經由上述第2樹脂層70，中間體160與第2導體層80互相接合固定。此時，平面視圖中，為了第1電極61與第2電極重疊，中間體16往第2凹版130壓下。又，平面視圖中，第1屏蔽層63與第2引線配線82重疊的同時，為了第2屏蔽層83與第1引線配線62重疊，中間體160往第2凹版130壓下。
於是，如第14(e)圖所示，中間體160、第2樹脂層70及第2導體層80從第2凹版130脫模。於是，如第14(f)圖所示，第1基板30A的主面32A全面塗佈成透明黏合材。 作為塗佈透明黏合材的方法，可以例示與塗佈上述樹脂材料150A至第1凹版120上的方法相同的方法。於是，經由透明黏合材，第1基板30A的主面32A上黏貼影像顯示裝置90。透明黏合材硬化，透明黏合層93形成時，可以得本實施例的配線基板20。
本實施例的配線體40及配線基板20，達到以下的效果。
一直以來，經由絕緣材料疊層2個電極基板的碰觸偵知器中，設置屏蔽連接至上述2個電極基板上分別形成的電極的引線配線之屏蔽層時，上述屏蔽層對應各個引線配線形成。即，形成引線配線與屏蔽層不同的平面，這些引線配線與屏蔽層間絕緣層介於其間，以屏蔽層對外部遮蔽引線配線，抑制從外部接受的電雜訊傳導至上述引線配線。不過，介於引線配線及屏蔽層間的絕緣層，因為必須在每一分別連接2個電極的引線配線上形成，具有配線體的高度(厚度)增加的問題。又，每一分別連接2個電極的引線配線上形成絕緣層時，配線體的製造工時增加，進而也有恐怕引起配線體的製造成本增加的問題。
相對於此，本實施例中，經由第2樹脂層70相對的2個導體層60、80中，以一方的導體層的第1導體層60的第1屏蔽層63，屏蔽另一方的導體層的第2導體層80的第2引線配線82。藉此，第1屏蔽層63及第2引線配線82間的絕緣性由第2樹脂層70確保。結果，第1屏蔽層63及第2引線配線82間不必個別確保絕緣性，可以抑制配線體40及配線基板20的高度(厚度)增加。
又，第1導體層60中，因為第1屏蔽層63及第1引線配線62間不必個別確保絕緣性，抑制配線體40及配線基板20的製造工時增加，進而力圖降低配線體40及配線基板20的製造成本。
又，本實施例中，第1導體層60的下側配置影像顯示裝置90，如上述，以第1屏蔽層63屏蔽第2引線配線82，藉此抑制從上述影像顯示裝置90放射的電雜訊傳導至第2引線配線82，進而抑制碰觸偵知器1的誤動作發生。
又，本實施例中，藉由第1樹脂層50介於影像顯示裝置90與第1導體層60間，降低從上述影像顯示裝置90放射的電雜訊。藉此，抑制從上述影像顯示裝置90放射的電雜訊傳導至第2引線配線82，進而抑制碰觸偵知器1的誤動作發生。
又，本實施例中，埋設第1導體層60在第2樹脂層70內。因此，第1導體層60的厚度可以由第2樹脂層70的厚度吸收。另一方面，第2導體層80設置在第2樹脂層70上。因此，第2樹脂層70介於第1、第2導體層60、80之間，這些導體層間不必個別確保絕緣性。藉此，可以力圖配線體40的薄膜化。
又，一般藉由配置屏蔽層在以上述屏蔽層屏蔽的對象近旁，提高對上述對象的電磁屏蔽性。此時，本實施例中，藉由埋設第1屏蔽層63在第2樹脂層70內，經由上述第2樹脂層70，使第1屏蔽層63接近第2引線配線82。因此，可以提高第1屏蔽層63對第2引線配線82的屏蔽性。
又，一般引線配線藉由形成厚的上述引線配線本體，為了擴大導通路徑，提高信號傳送性能。此時，本實施例中，因為第2引線配線82設置在第2樹脂層70上，不依存第2樹脂層70的厚度，可以設定上述第2引線配線82的高度。因此，可以力圖輕易提高第2引線配線82的信號傳送性能。
尤其，本實施例中，藉由埋設第1導體層60在第2樹脂層70內，並設置第2導體層80在第2樹脂層70上，可以同時實現上述配線體40的薄膜化、第1屏蔽層63的屏蔽性提高以及第2引線配線82的信號傳送性能提高。
又，本實施例中，以一方的導體層的第2導體層80的第2屏蔽層83，屏蔽另一方的導體層的第1導體層60的第1引線配線62。藉此，第1引線配線62及第2屏蔽層83之間不必個別確保絕緣性，而可以抑制配線體40及配線基板20的高度(厚度)增加。
又，第2導體層80中，因為第2屏蔽層83及第2引線配線82間不必個別確保絕緣性，抑制配線體40的製造工時增加，進而力圖配線體40的製造成本降低。又，藉由以第2屏蔽層83屏蔽第1引線配線62，抑制從外部接受的電雜訊傳導至第1引線配線62，可以抑制碰觸偵知器1的誤動作發生。
又，本實施例中，第1及第2屏蔽層63、83為網目狀，抑制平面視圖中的第1引線配線62與第2屏蔽層83的重複部分，或第2引線配線82與第1屏蔽層63的重複部分的不均，力圖配線體40及配線基板20中的屏蔽效果均等。
又，本實施例的導體線612、62、631，具有往第 2導體層80側寬度變窄的錐形。因此，相較於導體線612、62、631中沒有上述錐形的情況，或形成反向的錐形的情況，對第2凹版130壓下中間體160之際，可以提高對於按壓力的導體線612、62、631的機械強度。因此，抑制製造時的導體線612、62、631的斷線，力圖配線體40的耐久性提高。又，本實施例中，導體線812、82、831也具有同樣的錐形(成為往遠離第1導體層60側寬度變窄的錐形)。藉此，因為可以也提高導體線812、82、831的機械強度抑制斷線，力圖又更提高配線體40及配線基板20的耐久性。
又，本實施例的配線體40中，導體線612、62、631的橫向方向的剖面中，也著眼於上述導體線612、62、631的下面613、621、632與上述下面613、621、631以外其他的面(上面614、622、633及側面615、623、634)之間的表面粗糙度(即，截斷起伏成分的粗糙度參數)的相對關係，導體線612、62、631的下面613、621、632的表面粗糙度比起上述導體線612、62、631的上面614、622、633的表面粗糙度，變得更粗糙。藉此，因為導體線612、62、631與第1樹脂層50之間的接觸面積增加，堅固固定上述導體線612、62、631至第1樹脂層50。因此，可以更提高配線體40及配線基板20的耐久性。又，同時可以抑制從外部入射的光的亂反射。尤其，導體線612、62、631的寬度是1μm~5μm的情況下，由於下面613、621、632與其他的面的表面粗糙度的相對關係滿足上述的關係，堅固接合第1樹脂層50與導體線612、62、631的同時，可以顯著達到抑制從外部入射的光的亂反射之效果。
又，同樣地，本實施例中，導體線812、82、831的下面813、821、832的表面粗糙度比起上述導體線812、82、831的上面814、822、833的表面粗糙度，變得更粗糙。藉此，因為堅固固定上述導體線812、82、831至第2樹脂層70，可以更提高配線體40及配線基板20的耐久性。又，同時可以抑制從外部入射的光的亂反射。尤其，導體線812、82、831的寬度是1μm~5μm的情況下，由於下面813、821、832與其他的面的表面粗糙度的相對關係滿足上述的關係，堅固接合第2樹脂層70與導體線812、82、831的同時，可以顯著達到抑制從外部入射的光的亂反射之效果。
又，本實施例中，側部615、623、634，與通過第1及第2部分的假想直線實質上一致延伸。在此情況下，導體線612、62、631的橫向方向的剖面中，因為側部的一部分成為不存在於比通過第1及第2部分的假想直線更內側的形狀，抑制從配線體40的外部入射的光的亂反射。藉此，可以更提高抑制配線體40的視認性。
同樣地，本實施例中，側部815、823、834，與通過第1及第2部分的假想直線實質上一致延伸。在此情況下，導體線812、82、831的橫向方向的剖面中，因為側部的一部分成為不存在於比通過第1及第2部分的假想直線更內側的形狀，抑制從配線體40的外部入射的光的亂反射。藉此，可以更提高抑制配線體40的視認性。
又，本實施例中，由於下面613、621、632的表面粗糙度Ra相對於下面613、621、632以外其他的面的表面 粗糙度Ra相對粗糙，上述其他面側中的配線體40的亂反射率，相對於下面613、621、632側的配線體40的亂反射率相對變小。在此，配線體40的亂反射率小的話，抑制導體線612、62、631映出白色，在可以視認上述導體線612、62、631的區域中可以抑制對比下降。於是，可以力圖更提高本實施例的配線體40的視認性。
同樣地，本實施例中，下面813、821、832的表面粗糙度Ra相對於下面813、821、832以外其他的面的表面粗糙度Ra相對粗糙，上述其他面側中的配線體40的亂反射率，相對於下面813、821、832側的配線體40的亂反射率相對變小。在此，配線體40的亂反射率小的話，抑制導體線812、82、831映出白色，在可以視認上述導體線812、82、831的區域中可以抑制對比下降。以此方式，可以力圖更提高本實施例的配線體40的視認性。
又，以上說明的實施例，係用以容易理解本發明而記載，不是用以限定本發明而記載。因此，上述實施例揭示的各要素，係包含屬於本發明的技術範圍之全部的設計變更或均等物之主旨。
例如，上述實施例中，雖然使用金屬材料或碳基材料，作為構成第1及第2導體層的導電性粉末，但不特別限定於此，使用混合金屬材料及碳基材料之物也可以。在此情況下，例如以導體線812、82、831為例說明時，在上述導體線812、82、831的上面814、822、833側配置碳基材料，在下面813、821、832側配置金屬材料也可以。又，相反地，在上述 導體線812、82、831的上面814、822、833側配置金屬材料，在下面813、821、832側配置碳基材料也可以。
又，本實施例的配線基板20中，雖然使用支持配線體40的第1基板30A，但不特別限定於此，例如，以影像顯示裝置90支持配線體40也可以。即，第1樹脂層50在影像顯示裝置90直接形成也可以。在此情況下，可以省略第1基板30A，可以更抑制配線基板20的高度增加。本例中的「影像顯示裝置90」相當於本發明中的「支持體」的一範例。
又，上述例中，讓影像顯示裝置90支持配線體40，但以蓋板110支持上述配線體40也可以。即，第2導體層80上疊層透明黏合層，經由上述透明黏合層黏貼配線體40至蓋板110也可以。藉此，配線體40以蓋板110支持。本例中的「透明黏合層」相當於本發明中的「第2絕緣層」及「第3絕緣層」的一範例，本例中的「蓋板110」相當於本發明中的「支持體」的一範例。
又，第3圖所示的配線基板20的上下相反，疊層配線基板20在影像顯示裝置90上也可以。即，不特別圖示，經由透明黏合層黏貼第2導體層80至影像顯示裝置90，在配線基板20中，從下方往上方依序，疊層第2樹脂層70、第1導體層60及第1樹脂層50而構成，第1樹脂層50上方的面(即，與第1導體層60側相反側的面)上疊層第1基板30A也可以。在此情況下，使用第1基板30A作為剝離片，成為組裝時剝離上述第1基板30A接合至組裝對象組裝的形態也可以。本例中的「透明黏合層」及「第1樹脂層50」相當於本發明中 的「第2絕緣層」及「第3絕緣層」的一範例，本例中的「第1基板30A」及「影像顯示裝置90」相當於本發明中的「支持體」的一範例。
又，本實施例中，接近影像顯示裝置90的第1電極61作為驅動側電極，遠離影像顯示裝置90的第2電極81作為檢出側電極，但不特別限定於此。例如，接近影像顯示裝置90側的電極作為檢出側電極，遠離影像顯示裝置90側的電極作為驅動側電極也可以。
上述實施例中，說明為配線體用於碰觸偵知器中，但配線體的用途不特別限定於此。例如，藉由通電以電阻加熱等使配線體發熱，上述配線體用作加熱器也可以。在此情況下，作為構成導體層的導電性材料，理想是使用電阻值較高的碳基材料。又，藉由配線體的導體部的一部分接地，上述配線體用作電磁遮蔽屏蔽也可以。又，配線體用作天線也可以。

Claims (10)

  1. 一種配線體，包括：第1導體層；第2導體層；以及第1絕緣層，介於上述第1及第2導體層之間；其中，上述第1導體層至少具有：第1電極；第1引線配線，與上述第1電極互相電性連接；以及第1屏蔽層，對上述第1電極及上述第1引線配線電性絕緣；上述第2導體層至少具有：第2電極，與上述第1電極對向配置；以及第2引線配線，與上述第2電極互相電性連接；上述第1電極、上述第1引線配線以及上述第1屏蔽層實質上在同一平面上形成；上述第2電極以及上述第2引線配線實質上在同一平面上形成；在平面視圖中，上述第2引線配線的至少一部分與上述第1屏蔽層重疊；上述第1導體層具有不接觸上述第1絕緣層的非接觸面，除了上述非接觸面之外埋設在上述第1絕緣層內；上述第2導體層設置在上述第1絕緣層上；上述第1屏蔽層由導體線構成；上述導體線具有隨著往接近上述第2引線配線側寬度變窄 之錐形；上述第2引線配線具有隨著往遠離上述導體線側寬度變窄之錐形；以及上述第1屏蔽層形成網目狀。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的配線體，其中，上述第2導體層更具有第2屏蔽層，其中上述第2屏蔽層對上述第2電極及上述第2引線配線電性絕緣的同時，與上述第2電極及上述第2引線配線實質上在同一平面上形成；以及在平面視圖中，上述第1引線配線的至少一部分，與上述第2屏蔽層重疊。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的配線體，其中，上述第2屏蔽層形成網目狀。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的配線體，其中，上述第1導體層中的上述非接觸面的表面粗糙度，相對於上述第1導體層中除了上述非接觸面之外其他的面，相對粗糙。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的配線體，滿足下列(1)式：0.5≦A...(1)其中，上述(1)式中，A是C/B的最大值，B是上述第1導體層的短邊方向剖視圖中的寬度，C是上述第1導體層的短邊方向剖視圖中的高度。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的配線體，更包括：第2絕緣層，覆蓋上述第1及第2的導體層其中至少一方。
  7. 一種配線基板，包括：如申請專利範圍第1至6項中任一項所述的配線體；以及 支持體，支持上述配線體。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的配線基板，更包括：第3絕緣層，介於上述配線體與上述支持體之間。
  9. 一種碰觸偵知器，包括：如申請專利範圍第7項所述的配線基板。
  10. 一種碰觸偵知器，包括：如申請專利範圍第8項所述的配線基板。
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