CN103210350B - 导电图案的形成方法、导电图案基板和触摸面板传感器 - Google Patents

导电图案的形成方法、导电图案基板和触摸面板传感器 Download PDF

Info

Publication number
CN103210350B
CN103210350B CN201280003491.4A CN201280003491A CN103210350B CN 103210350 B CN103210350 B CN 103210350B CN 201280003491 A CN201280003491 A CN 201280003491A CN 103210350 B CN103210350 B CN 103210350B
Authority
CN
China
Prior art keywords
resin
conductive film
conductive pattern
substrate
cured layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201280003491.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103210350A (zh
Inventor
山崎宏
五十岚由三
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Showa Denko Materials Co ltd
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Chemical Co Ltd filed Critical Hitachi Chemical Co Ltd
Publication of CN103210350A publication Critical patent/CN103210350A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103210350B publication Critical patent/CN103210350B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0445Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using two or more layers of sensing electrodes, e.g. using two layers of electrodes separated by a dielectric layer
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343Electrodes
    • G02F1/13439Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0005Production of optical devices or components in so far as characterised by the lithographic processes or materials used therefor
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/0047Photosensitive materials characterised by additives for obtaining a metallic or ceramic pattern, e.g. by firing
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/09Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/09Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/092Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by backside coating or layers, by lubricating-slip layers or means, by oxygen barrier layers or by stripping-release layers or means
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/09Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/095Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having more than one photosensitive layer
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/09Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/095Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having more than one photosensitive layer
    • G03F7/0952Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having more than one photosensitive layer comprising silver halide or silver salt based image forming systems, e.g. for camera speed exposure
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/09Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/095Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having more than one photosensitive layer
    • G03F7/0955Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having more than one photosensitive layer one of the photosensitive systems comprising a non-macromolecular photopolymerisable compound having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2022Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2022Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
    • G03F7/203Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure comprising an imagewise exposure to electromagnetic radiation or corpuscular radiation
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0446Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a grid-like structure of electrodes in at least two directions, e.g. using row and column electrodes
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/0274Optical details, e.g. printed circuits comprising integral optical means
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/0313Organic insulating material
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/0313Organic insulating material
    • H05K1/0353Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement
    • H05K1/036Multilayers with layers of different types
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/09Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/06Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04112Electrode mesh in capacitive digitiser: electrode for touch sensing is formed of a mesh of very fine, normally metallic, interconnected lines that are almost invisible to see. This provides a quite large but transparent electrode surface, without need for ITO or similar transparent conductive material
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/02Fillers; Particles; Fibers; Reinforcement materials
    • H05K2201/0275Fibers and reinforcement materials
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24802Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]

Abstract

本发明的导电图案的形成方法具有如下工序:对感光层以图案状照射活性光线的第一曝光工序,所述感光层包含在基板上设置的感光性树脂层和在感光性树脂层的与基板相反侧的面上设置的导电膜;在氧存在下,对感光层的至少第一曝光工序中的未曝光部的一部分或全部照射活性光线的第二曝光工序;以及在第二曝光工序之后通过对感光层进行显影而形成导电图案的显影工序。

Description

导电图案的形成方法、导电图案基板和触摸面板传感器
技术领域
本发明涉及导电图案的形成方法、导电图案基板和触摸面板传感器,特别涉及用作液晶显示元件等平板显示器、触摸面板(触摸屏)、太阳能电池、照明等的装置的电极配线等的导电图案的形成方法、导电图案基板和触摸面板传感器。
背景技术
在个人电脑、电视等大型电子设备、汽车导航装置、手机、电子词典等小型电子设备、OA·FA设备等显示设备中,液晶显示元件和触摸面板正在普及。在这些液晶显示元件和触摸面板,以及太阳能电池、照明等的器件中,在要求为透明的配线、像素电极或端子的一部分上使用透明导电膜。
以前,对于透明导电膜的材料,从对可见光显示高透过率的方面出发,使用ITO(氧化铟锡、Indium-Tin-Oxide)、氧化铟和氧化锡等。关于在液晶显示元件用基板等上设置的电极,将由上述材料构成的透明导电膜进行图案形成所得的电极已成为主流。
作为透明导电膜的图案形成方法,通常的方法为:在基板上形成透明导电膜后,通过光刻法形成抗蚀图案,并通过湿蚀刻除去导电膜的规定部分而形成导电图案。在ITO膜和氧化铟膜的情况下,蚀刻液常使用由盐酸和氯化铁这2液构成的混合液。
ITO膜、氧化锡膜一般是通过溅射法形成的。在该方法中,根据溅射方式的不同、溅射功率、气压、基板温度、氛围气体种类等,透明导电膜的性质容易发生改变。因溅射条件的变动而引起的透明导电膜的膜质的不同会成为对透明导电膜进行湿蚀刻时的蚀刻速度偏差的原因,容易发生图案形成不良而导致产品的成品率降低。另外,上述导电图案的形成方法,由于经过溅射工序、抗蚀剂形成工序及蚀刻工序,因此工序长,在成本方面也成为大的负担。
近年来,为了消除上述问题,尝试了使用代替ITO、氧化铟和氧化锡等的材料来形成透明的导电图案。例如在下述专利文献1中公开了一种导电图案的形成方法,其是在基板上形成含有银纤维等导电性纤维的导电层后,在导电层上形成感光性树脂层,并从其上隔着图案掩模进行曝光、显影。在下述专利文献2中公开了使用感光性导电薄膜的导电图案的形成方法。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:美国专利公开第2007/0074316号公报
专利文献2:国际专利公开第2010/021224号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而,通过本发明人等的研究表明,在专利文献1所记载的方法中,难以确保基板和导电图案的粘接性并实现导电图案表面电阻的低电阻化。另外,在将上述导电图案用作配线、像素电极或端子的情况下,除去感光性树脂层的工序是必须的,存在使导电图案形成工序复杂化这样的问题。
在专利文献2所记载的方法中,例如如图10所示,在基板20上层压具有支撑薄膜1、导电膜2和感光性树脂层3的感光性导电薄膜10的感光性树脂层3(图10(a)),接着,隔着掩模5对感光性树脂层3以图案状照射活性光线L(图10(b)),并通过显影除去未固化部分(未曝光部分),从而形成导电图案(导电膜2a)(图10(c))。这样得到的导电图案除了具有导电膜2a的厚度还具有树脂固化层3b的厚度。它们的厚度成为与基板的段差Hb,如果该段差大则不易得到显示器等所要求的平滑性。另外,如果段差大则容易确认到导电图案。
另外,例如像静电容量类型的触摸面板那样,在组合设置2层导电图案的情况下,有时会在形成的导电图案上贴合新的感光性导电薄膜。这时,如果段差大,则会卷入气泡,更容易确认到导电图案。
本发明是鉴于上述情况而作出的发明,其目的在于提供能够在基板上形成段差小的导电图案的导电图案的形成方法、使用该方法而得到的导电图案基板和触摸面板传感器。
解决问题的方法
为了解决上述问题,本发明提供一种导电图案的形成方法,其具有如下工序:对感光层以图案状照射活性光线的第一曝光工序,所述感光层包含在基板上设置的感光性树脂层和在感光性树脂层的与基板相反侧的面上设置的导电膜;在氧存在下,对感光层的至少第一曝光工序中的未曝光部的一部分或全部照射活性光线的第二曝光工序;以及在第二曝光工序之后通过对感光层进行显影而形成导电图案的显影工序。
根据本发明的导电图案的形成方法,可以将第一曝光工序中的曝光部作为具有导电膜的树脂固化层即导电图案,将第二曝光工序中的曝光部中除了第一曝光工序的曝光部以外的部分作为不具有导电膜的树脂固化层。通过在基板上与导电图案一起设置不具有导电膜的树脂固化层,与在基板上仅设置导电图案的情况相比,可以使导电图案的段差减小。
作为通过本发明的方法能实现上述效果的理由,本发明人等推测是因为:通过在氧存在下进行第二曝光工序,会妨碍感光层的与基板相反侧的固化,由此即使第一曝光工序的未曝光部在第二曝光工序中曝光,感光层的表层部也仅仅固化至导电膜能够被除去的程度。
另外,通过本发明的导电图案形成方法得到的导电图案,能够利用树脂固化层来充分确保与基板的粘接性。
在本发明的导电图案的形成方法中,优选通过将具有支撑薄膜、在支撑薄膜上设置的导电膜和在导电膜上设置的感光性树脂层的感光性导电薄膜以感光性树脂层在基板上接触的方式进行层压,从而设置感光层。
在这种情况下,能更简便地在基板上形成感光层,能够实现生产率的提高。另外,通过将在支撑薄膜上设置的导电膜和感光性树脂层转印,能够提高感光层的与基板相反侧的表面的平滑性,从而可以提高形成的导电图案的平滑性。
在本发明的导电图案的形成方法中,优选使第一曝光工序是对具有支撑薄膜的感光层照射活性光线的工序,第二曝光工序是对除去了支撑薄膜的感光层照射活性光线的工序。
在这种情况下,关于第一曝光工序中的曝光部,氧的影响变小而容易固化,关于第二曝光工序中的曝光部中除第一曝光工序的曝光部以外的部分,容易获得氧所引起的固化的妨碍效果,容易以充分的分辨率形成段差小的导电图案。
在本发明的导电图案的形成方法中,上述导电膜可以含有由无机导电体和有机导电体所组成的组中选择的至少一种导电体。
另外,上述导电膜优选含有导电性纤维。通过使导电膜含有导电性纤维,可以兼顾导电性和透明性,显影性进一步提高,从而可以形成分辨率优异的导电图案。
进一步,上述导电性纤维优选为银纤维。通过使用银纤维,能够容易地调整形成的导电图案的导电性。
另外,上述导电膜可以含有由聚噻吩、聚噻吩衍生物、聚苯胺、以及聚苯胺衍生物所组成的组中选择的至少一种导电体。这种情况下,即使是通过显影工序能够容易除去的薄膜,也可以得到充分的导电性。
在本发明的导电图案的形成方法中,上述感光性树脂层优选含有粘合剂聚合物、具有乙烯性不饱和键的光聚合性化合物和光聚合引发剂。通过使感光性树脂层含有上述成分,可以进一步提高基板与导电图案的粘接性和图案形成性。
本发明另外还提供一种导电图案基板,其具有基板和通过本发明的导电图案的形成方法在基板上形成的导电图案。
根据本发明的导电图案基板,由于导电图案通过本发明的导电图案的形成方法而形成,因此难以确认到导电图案。另外,根据本发明的导电图案基板,由于导电图案的段差小,因此在导电图案上贴合例如感光性导电薄膜、提高辨认性的薄膜(OCA:Optical ClearAdhesive,光学透明胶)、折射率匹配薄膜(IMF)等薄膜的情况下,能够减少起因于段差的气泡卷入。
根据本发明的导电图案基板,可以得到难以确认到图像显示区域或传感区域的图像显示装置。
本发明另外还提供一种触摸面板传感器,其具有本发明的导电图案基板。
本发明的触摸面板传感器通过具有本发明的导电图案基板,能够具有良好的辨认性和美观。
发明的效果
根据本发明,可以提供能够在基板上形成段差小的导电图案的导电图案的形成方法、使用该方法而得到的导电图案基板和触摸面板传感器。
附图说明
图1是表示感光性导电薄膜的一实施方式的示意剖面图。
图2是表示感光性导电薄膜的一实施方式的部分切口立体图。
图3是用于说明本发明的导电图案的形成方法的一实施方式的示意剖面图。
图4是用于说明本发明的导电图案的形成方法的其它实施方式的示意剖面图。
图5是表示静电容量式的触摸面板传感器的一例的示意俯视图。
图6是用于说明图5所示的触摸面板传感器的制造方法的一例的示意图。
图7是沿着图5所示的a-a′线的部分剖面图。
图8是沿着图5所示的b-b′线的部分剖面图。
图9是表示通过实施例1形成的导电图案的SEM照片和其段差分布图。
图10是用于说明以前的导电图案形成方法的一实施方式的示意剖面图。
具体实施方式
下面,对本发明的优选实施方式进行详细地说明。另外,本说明书中的“(甲基)丙烯酸酯”是指“丙烯酸酯”和与其对应的“甲基丙烯酸酯”。同样地,“(甲基)丙烯基”是指“丙烯基”和与其相对应的“甲基丙烯基”,“(甲基)丙烯酸”是指“丙烯酸”或“甲基丙烯酸”,“(甲基)丙烯酰基”是指“丙烯酰基”和与其对应的“甲基丙烯酰基”。另外,“(甲基)丙烯酸烷基酯”是指“丙烯酸烷基酯”和与其相对应的“甲基丙烯酸烷基酯”。进一步,“EO”表示环氧乙烷,“EO改性”的化合物是指具有环氧乙烷基的嵌段结构的化合物。同样地,“PO”表示环氧丙烷,“PO改性”的化合物是指具有环氧丙烷基的嵌段结构的化合物。
本实施方式的导电图案的形成方法具有如下工序:对感光层以图案状照射活性光线的第一曝光工序,所述感光层包含在基板上设置的感光性树脂层和在感光性树脂层的与基板相反侧的面上设置的导电膜;在氧存在下,对感光层的至少第一曝光工序中的未曝光部的一部分或全部照射活性光线的第二曝光工序;以及在第二曝光工序之后通过对感光层进行显影而形成导电图案的显影工序。
在本说明书中,导电膜和感光性树脂层的边界不需要一定明确。导电膜只要在感光层的面方向能获得导电性即可,可以是在导电膜中混合有感光性树脂层的形态。例如,可以在导电膜中浸渍有构成感光性树脂层的组合物,或者构成感光性树脂层的组合物存在于导电膜的表面。
根据上述的方法,将第一曝光工序中的曝光部作为具有导电膜的树脂固化层即导电图案,将第二曝光工序中的曝光部中除了第一曝光工序的曝光部以外的部分作为不具有导电膜的树脂固化层。通过在基板上与导电图案一起设置不具有导电膜的树脂固化层,与在基板上仅设置导电图案的情况相比,可以使导电图案的段差减小。
作为通过上述的方法可实现上述效果的理由,本发明人等推测是因为:通过在氧存在下进行第二曝光工序,会妨碍感光层的与基板相反侧的固化,由此即使第一曝光工序的未曝光部在第二曝光工序中曝光,感光层的表层部也仅仅被固化至导电膜能够被除去的程度。从这个观点考虑,感光性树脂层优选包含利用氧而使活性降低的光聚合引发剂,优选使用自由基聚合引发剂。
在本实施方式中,可以通过将具有支撑薄膜、在支撑薄膜上设置的导电膜和在导电膜上设置的感光性树脂层的感光性导电薄膜以感光性树脂层在基板上接触的方式进行层压而设置上述感光层,将对具有支撑薄膜的感光层照射活性光线的工序作为第一曝光工序,将对除去了支撑薄膜的感光层照射活性光线的工序作为第二曝光工序。下面,对该实施方式进行说明。
图1是表示在本实施方式中使用的感光性导电薄膜的优选的一实施方式的示意剖面图。图1所示的感光性导电薄膜10具有支撑薄膜1和在支撑薄膜1上设置的感光层4。感光层4由在支撑薄膜1上设置的导电膜2和在导电膜2上设置的感光性树脂层3构成。
作为支撑薄膜1,可以使用聚合物薄膜,优选具有耐热性和耐溶剂性的聚合物薄膜。作为这样的聚合物薄膜,例如可列举聚对苯二甲酸乙二酯薄膜、聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚碳酸酯薄膜。这些之中,从透明性、耐热性的观点考虑,优选聚对苯二甲酸乙二酯薄膜。
为了之后容易从感光层4剥离,上述聚合物薄膜也可以进行脱模处理。
在第二曝光工序中剥离支撑薄膜的情况下,支撑薄膜1也可以进一步具有阻气层等层。
支撑薄膜1的厚度,从机械强度的观点出发,优选为5μm以上,更优选为10μm以上,进一步优选为15μm以上。通过将支撑薄膜1的厚度设为上述数值以上,例如在为了形成导电膜2而涂布导电体分散液或导电体溶液的工序、为了形成感光性树脂层3而涂布感光性树脂组合物的工序、或者在第二曝光工序时从感光层4剥离支撑薄膜1的工序中,可以防止支撑薄膜1破裂。另外,从隔着支撑薄膜1对感光性树脂层3照射活性光线时充分确保导电图案的分辨率的观点考虑,支撑薄膜1的厚度优选为300μm以下,更优选为200μm以下,进一步优选为100μm以下。
从上述的观点考虑,支撑薄膜1的厚度优选为5~300μm,更优选为10~200μm,特别优选为15~100μm。
从可使灵敏度和分辨率良好的观点考虑,支撑薄膜1的雾度值优选为0.01~5.0%,更优选为0.01~3.0%,特别优选为0.01~2.0%,极其优选为0.01~1.5%。另外,雾度值可以根据JIS K7105而测定,例如可以通过NDH-1001DP(日本电色工业(株)制,商品名)等市售的浊度计等测定。
导电膜2可以含有由无机导电体和有机导电体所组成的组中选择的至少一种导电体。只要能得到导电膜2的导电性即可,可以没有特别限制地使用无机导电体和有机导电体,这些导电体可以单独使用或者组合2种以上使用。
作为无机导电体,可列举后述的金属纤维。作为有机导电体,可列举导电性聚合物。作为导电性聚合物,可使用由聚噻吩、聚噻吩衍生物、聚苯胺、以及聚苯胺衍生物所组成的组中选择的至少一种导电体。例如可使用聚亚乙二氧基噻吩、聚己基噻吩和聚苯胺中的1种或者组合2种以上使用。在导电膜2包含有机导电体而构成的情况下,优选包含有机导电体和感光性树脂。
导电膜2优选含有导电性纤维。通过使导电膜含有导电性纤维,可以兼顾导电性和透明性,显影性进一步提高,从而能够形成分辨率优异的导电图案。
作为上述导电性纤维,例如可列举金、银、铂等金属纤维、和碳纳米管等碳纤维。这些物质可以单独使用或者组合2种以上使用。从导电性的观点考虑,优选使用金纤维和/或银纤维,从可容易地调整导电膜的导电性的观点考虑,更优选使用银纤维。
上述金属纤维,例如可以通过利用NaBH4等还原剂还原金属离子的方法、或多元醇法来调制。另外,上述碳纳米管可以使用Unidym公司的Hipco单层碳纳米管等市售品。
导电性纤维的纤维直径优选为1nm~50nm,更优选为2nm~20nm,特别优选为3nm~10nm。另外,导电性纤维的纤维长优选为1μm~100μm,更优选为2μm~50μm,特别优选为3μm~10μm。纤维直径和纤维长可以通过扫描型电子显微镜来测定。
图2是表示感光性导电薄膜的一实施方式的部分切口立体图。如图2所示,导电膜2优选具有导电性纤维彼此接触而形成的网眼结构。具有这样网眼结构的导电膜2可以在感光性树脂层3的支撑薄膜1侧的表面上形成,但如果在剥离支撑薄膜1时露出的感光层4的表面上在其面方向能获得导电性,则可以以感光性树脂层3的一部分进入导电膜2的方式形成,也可以以在感光性树脂层3的支撑薄膜1侧的表层包含导电膜2的方式形成。
导电膜2,例如可以通过将包含上述的无机导电体和有机导电体中的一种以上、水和/或有机溶剂以及根据需要的表面活性剂等分散稳定剂的导电体分散液或导电体溶液涂布在支撑薄膜1上后,进行干燥而形成。涂布例如可通过辊涂法、逗号涂布法、凹版涂布法、气刀涂布法、模涂法、棒涂法、喷涂法等公知方法来进行。另外,干燥可以在30~150℃用热风对流式干燥机等进行1~30分钟左右。在导电膜2中,无机导电体、有机导电体可以与表面活性剂、分散稳定剂共存。导电膜2也可以是由将多个导电体分散液或导电体溶液依次涂布在支撑薄膜1上并干燥所得到的多个膜构成的膜。
导电膜2的厚度根据形成的导电图案的用途、所要求的导电性而有所不同,但优选为1μm以下,更优选为1nm~0.5μm,进一步优选为5nm~0.1μm。如果导电膜2的厚度为1μm以下,则在450~650nm的波长区域中的光透过率充分高,图案形成性也优异,特别适合于透明电极的制作。另外,导电膜2的厚度是指利用扫描型电子显微镜照片测定所得到的值。
在本实施方式中,在支撑薄膜1上形成导电膜2后,进一步设置了感光性树脂层3,但根据需要,也可以将在支撑薄膜1上形成的导电膜2层压在基板上设置的感光性树脂层上。
感光性树脂层3可以由含有(a)粘合剂聚合物、(b)具有乙烯性不饱和键的光聚合性化合物和(c)光聚合引发剂的感光性树脂组合物形成。通过使感光性树脂层3含有上述成分,可进一步提高基板与导电图案的粘接性和图案形成性。
作为(a)粘合剂聚合物,例如可列举丙烯酸树脂、苯乙烯树脂、环氧树脂、酰胺树脂、酰胺环氧树脂、醇酸树脂、酚醛树脂、酯树脂、氨基甲酸酯树脂、环氧树脂与(甲基)丙烯酸反应所得到的环氧丙烯酸酯树脂、环氧丙烯酸酯树脂与酸酐反应所得到的酸改性环氧丙烯酸酯树脂。这些树脂可以单独使用或组合2种以上使用。
上述中,从碱显影性和成膜性优异的观点考虑,优选使用丙烯酸树脂。另外,上述丙烯酸树脂更优选具有源于(甲基)丙烯酸和(甲基)丙烯酸烷基酯的单体单元作为构成单元。这里所谓“丙烯酸树脂”是指主要具有源于具有(甲基)丙烯酰基的聚合性单体的单体单元的聚合物。
上述丙烯酸树脂例如可通过使具有(甲基)丙烯酰基的聚合性单体进行自由基聚合来制造。该丙烯酸树脂可以单独使用或组合2种以上使用。
作为上述具有(甲基)丙烯酰基的聚合性单体,例如可列举双丙酮丙烯酰胺等丙烯酰胺、(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸四氢糠酯、(甲基)丙烯酸二甲基氨基乙酯、(甲基)丙烯酸二乙基氨基乙酯、(甲基)丙烯酸缩水甘油酯、2,2,2-三氟乙基(甲基)丙烯酸酯、2,2,3,3-四氟丙基(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸、α-溴代(甲基)丙烯酸、α-氯代(甲基)丙烯酸、β-呋喃基(甲基)丙烯酸、β-苯乙烯基(甲基)丙烯酸。
另外,上述丙烯酸树脂除了如上所述的具有(甲基)丙烯酰基的聚合性单体外,还可以将由苯乙烯、乙烯基甲苯、α-甲基苯乙烯等在α-位或芳香族环上进行了取代的能够聚合的苯乙烯衍生物;丙烯腈、乙烯基-正丁基醚等乙烯醇的酯类;马来酸、马来酸酐、马来酸单甲酯、马来酸单乙酯、马来酸单异丙酯等马来酸单酯;富马酸、肉桂酸、α-氰基肉桂酸、衣康酸、巴豆酸等的1种或2种以上的聚合性单体共聚。
作为上述(甲基)丙烯酸烷基酯,例如可列举(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷酯、(甲基)丙烯酸十二烷酯。它们可以单独使用或2种以上组合使用。
从使碱显影性更良好的观点考虑,(a)粘合剂聚合物优选具有羧基。作为用于得到这样的粘合剂聚合物的具有羧基的聚合性单体,可列举上述那样的(甲基)丙烯酸。
关于(a)粘合剂聚合物所具有的羧基的比率,作为具有羧基的聚合性单体相对于为了得到粘合剂聚合物所使用的全部聚合性单体的比例,优选为10~50质量%,更优选为12~40质量%,特别优选为15~30质量%,极其优选为15~25质量%。从碱显影性优异方面考虑,优选为10质量%以上,从耐碱性优异方面考虑,优选为50质量%以下。
(a)粘合剂聚合物的酸值,从在显影工序中提高对于公知的各种显影液的显影性的观点考虑,优选为50mgKOH/g以上150mgKOH/g以下。
(a)粘合剂聚合物的酸值,可以如下测定。精确称量1g应测定酸值的粘合剂聚合物。
向上述粘合剂聚合物中添加30g丙酮,将其均匀溶解。接着,在上述溶液中适量添加作为指示剂的酚酞,并使用0.1N的KOH水溶液进行滴定,从而能够测定。另外,酸值可通过下面式子算出。
酸值=10×Vf×56.1/(Wp×I)
式中,Vf表示酚酞的滴定量(mL),Wp表示测定的树脂溶液的重量(g),I表示测定的树脂溶液中的不挥发成分的比例(质量%)。
另外,在粘合剂聚合物中包含合成溶剂、稀释溶剂的情况下,在精确称量之前预先在比上述溶剂的沸点高10℃左右的温度下加热1~4小时,预先除去挥发成分。这时,低分子量的光聚合性化合物等挥发性成分也有时被除去。
从实现机械强度和碱显影性的平衡的观点考虑,(a)粘合剂聚合物的重均分子量优选为5000~300000,进一步优选为20000~150000,特别优选为30000~100000。从耐显影液性优异方面考虑,重均分子量优选为5000以上。另外,从显影时间的观点考虑,优选为300000以下。另外,重均分子量的测定条件设为与本申请说明书的实施例相同的测定条件。
(a)粘合剂聚合物可以将上述的树脂单独使用或组合2种以上使用。在将2种以上的树脂组合使用的情况下,例如可列举由包含由不同的共聚成分构成的2种以上树脂的混合物构成的粘合剂聚合物、由包含不同重均分子量的2种以上树脂的混合物构成的粘合剂聚合物、由包含不同分散度的2种以上树脂的混合物构成的粘合剂聚合物。
作为(b)具有乙烯性不饱和键的光聚合性化合物,例如可列举使α,β-不饱和羧酸与多元醇反应而获得的化合物;使α,β-不饱和羧酸与含有缩水甘油基的化合物反应而得到的化合物;具有氨基甲酸酯键的(甲基)丙烯酸酯化合物等氨基甲酸酯单体;γ-氯-β-羟丙基-β’-(甲基)丙烯酰氧乙基-邻苯二甲酸酯、β-羟乙基-β’-(甲基)丙烯酰氧乙基-邻苯二甲酸酯、β-羟丙基-β’-(甲基)丙烯酰氧乙基-邻苯二甲酸酯等邻苯二甲酸系化合物;(甲基)丙烯酸烷基酯。它们可以单独使用或2种以上组合使用。
作为上述使α,β-不饱和羧酸与多元醇反应而得到的化合物,例如可列举2,2-双(4-((甲基)丙烯酰氧基聚乙氧基)苯基)丙烷、2,2-双(4-((甲基)丙烯酰氧基聚丙氧基)苯基)丙烷、2,2-双(4-((甲基)丙烯酰氧基聚乙氧基聚丙氧基)苯基)丙烷等双酚A系(甲基)丙烯酸酯化合物;亚乙基数为2~14的聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、亚丙基数为2~14的聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、亚乙基数为2~14且亚丙基数为2~14的聚乙二醇聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷乙氧基三(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷二乙氧基三(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三乙氧基三(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷四乙氧基三(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷五乙氧基三(甲基)丙烯酸酯、四羟甲基甲烷三(甲基)丙烯酸酯、四羟甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、亚丙基数为2~14的聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯。
作为上述氨基甲酸酯单体,例如可列举β位上具有羟基的(甲基)丙烯酸单体与异佛尔酮二异氰酸酯、2,6-甲苯二异氰酸酯、2,4-甲苯二异氰酸酯、1,6-六亚甲基二异氰酸酯等二异氰酸酯化合物的加成反应物;三[(甲基)丙烯酰氧基四乙二醇异氰酸酯]六亚甲基异氰脲酸酯;EO改性氨基甲酸酯二(甲基)丙烯酸酯;EO、PO改性氨基甲酸酯二(甲基)丙烯酸酯。
作为EO改性氨基甲酸酯二(甲基)丙烯酸酯,例如可列举“UA-11”(新中村化学工业(株)制,商品名)。另外,作为EO、PO改性氨基甲酸酯二(甲基)丙烯酸酯,例如可列举“UA-13”(新中村化学工业(株)制,商品名)。
(b)具有乙烯性不饱和键的光聚合性化合物的含有比例相对于(a)粘合剂聚合物和(b)具有乙烯性不饱和键的光聚合性化合物的总量100质量份优选为30~80质量份,更优选为40~70质量份。从光固化性和在形成的导电膜2上的涂布性优异方面考虑,优选为30质量份以上,从作为薄膜卷绕时的保管稳定性优异方面考虑,优选为80质量份以下。
作为(c)光聚合引发剂,只要是通过活性光线的照射能使感光性树脂层3固化的物质即可,没有特别的限制,但从光固化性优异的观点考虑,优选使用自由基聚合引发剂。例如可列举二苯甲酮、N,N’-四甲基-4,4’-二氨基二苯甲酮(米氏酮)、N,N’-四乙基-4,4’-二氨基二苯甲酮、4-甲氧基-4’-二甲基氨基二苯甲酮、2-苄基-2-二甲基氨基-1-(4-吗啉代苯基)-丁酮-1,2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-吗啉代-丙酮-1等芳香族酮;苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻苯醚等苯偶姻醚化合物;苯偶姻、甲基苯偶姻、乙基苯偶姻等苯偶姻化合物;1,2-辛二酮-1-[4-(苯基硫代)苯基]-2-(O-苯甲酰肟)、1-[9-乙基-6-(2-甲基苯甲酰)-9H-咔唑-3-基]乙酮1-(O-乙酰肟)等肟酯化合物;苯偶酰二甲基缩酮等苯偶酰衍生物;2-(邻氯苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚体、2-(邻氯苯基)-4,5-二(甲氧基苯基)咪唑二聚体、2-(邻氟苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚体、2-(邻甲氧基苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚体、2-(对甲氧基苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚体等2,4,5-三芳基咪唑二聚体;9-苯基吖啶、1,7-双(9,9’-吖啶基)庚烷等吖啶衍生物;N-苯基甘氨酸、N-苯基甘氨酸衍生物、香豆素系化合物、噁唑系化合物。另外,2个2,4,5-三芳基咪唑的芳基取代基可以相同而提供对称的化合物,也可以不同而提供非对称的化合物。另外,像二乙基噻吨酮和二甲基氨基安息香酸的组合那样,也可以组合噻吨酮系化合物和叔胺化合物。
这些中,从透明性的观点考虑,优选含有芳香族酮化合物或肟酯化合物,优选含有2-苄基-2-二甲基氨基-1-(4-吗啉代苯基)-丁酮-1或1,2-辛二酮-1-[4-(苯基硫代)苯基]-2-(O-苯甲酰肟)。它们可以单独使用或2种以上组合使用。
(c)光聚合引发剂的含有比例相对于(a)粘合剂聚合物和(b)具有乙烯性不饱和键的光聚合性化合物的总量100质量份优选为0.1~20质量份,更优选为1~10质量份,特别优选为1~5质量份。从感光度优异方面考虑,优选为0.1质量份以上,从感光性树脂层3内部的光固化性优异方面考虑,优选为20质量份以下。
在感光性树脂层3中,根据需要可以含有各种添加剂。作为添加剂,可以单独含有或组合含有2种以上的对甲苯磺酰胺等增塑剂、填充剂、消泡剂、阻燃剂、稳定剂、密合性赋予剂、流平剂、剥离促进剂、防氧化剂、香料、成像剂、热交联剂等添加剂。这些添加剂的添加量相对于(a)粘合剂聚合物和光聚合性化合物的总量100质量份优选分别为0.01~20质量份。
感光性树脂层3可通过在支撑薄膜上形成的导电膜2上涂布根据需要溶解在甲醇、乙醇、丙酮、甲基乙基酮、甲基溶纤剂、乙基溶纤剂、甲苯、N,N-二甲基甲酰胺、丙二醇单甲醚等溶剂或它们的混合溶剂中的固体成分为10~60质量%左右的感光性树脂组合物的溶液后,进行干燥而形成。但是,这种情况下,为了防止其后工序中有机溶剂的扩散,干燥后的感光性树脂层中的残存有机溶剂量优选为2质量%以下。
涂布可通过公知方法来进行。例如可列举辊涂法、逗号涂布法、凹版涂布法、气刀涂布法、模涂法、棒涂法、喷涂法。涂布后,用于除去有机溶剂等的干燥可以在70~150℃用热风对流式干燥机等进行5~30分钟左右。
感光性树脂层3的厚度根据用途而有所不同,以干燥后的厚度计优选为1~200μm,更优选为1~15μm,特别优选为1~10μm。如果该厚度为1μm以上,则具有容易通过涂布而形成层的倾向,从光透过性良好,可得到充分的灵敏度,感光性树脂层3的光固化性的观点考虑,优选为200μm以下。感光性树脂层3的厚度可以通过扫描型电子显微镜来测定。
在感光性导电薄膜10中,优选使感光层4(上述导电膜2和上述感光性树脂层3的层叠体)在450~650nm的波长区域中的最小光透过率为80%以上,更优选为85%以上。在感光层4满足这样条件的情况下,在显示器面板等中容易高亮度化。另外,在将感光层4的膜厚设为1~10μm时优选在450~650nm的波长区域中的最小光透过率为80%以上,更优选为85%以上。在感光层4(导电膜2和感光性树脂层3的层叠体)满足这样的条件的情况下,在显示器面板等中容易高亮度化。
本实施方式中使用的感光性导电薄膜10,可以以与在感光性树脂层3的与支撑薄膜1侧相反侧的面接触的方式,进一步设置保护薄膜。
作为保护薄膜,可以使用具有耐热性和耐溶剂性的聚合物薄膜。例如可列举聚对苯二甲酸乙二酯薄膜、聚丙烯薄膜、聚乙烯薄膜。另外,作为保护薄膜,也可以使用与上述支撑体薄膜同样的聚合物薄膜。
保护薄膜的厚度优选为1~100μm,更优选为5~50μm,进一步优选为5~40μm,特别优选为15~30μm。保护薄膜的厚度从机械强度优异方面考虑,优选为1μm以上,从价格比较便宜方面考虑优选为100μm以下。
为了容易从感光性树脂层3剥离保护薄膜,优选使保护薄膜与感光性树脂层3之间的粘接力比支撑薄膜1与感光层4(导电膜2和感光性树脂层3)之间的粘接力更小。
另外,保护薄膜优选使保护薄膜中所含的直径80μm以上的鱼眼数为5个/m2以下。另外,所谓“鱼眼”是指通过对材料进行热熔融、混炼、挤出、2轴拉伸、浇铸法等制造薄膜时,材料的异物、未溶解物、氧化劣化物等进入到薄膜中而产生的东西。
感光性导电薄膜10也可以在保护薄膜上进一步具有粘接层、阻气层等层。
感光性导电薄膜10例如可以以原样的平板状形态储存,或者卷绕在圆筒状等的卷芯上而以卷状的形态储存。另外,此时,优选按照支撑薄膜1在最外侧的方式卷绕。
另外,在感光性导电薄膜10不具有保护薄膜的情况下,这样的感光性导电薄膜10可以以原样的平板状形态储存。
作为卷芯,只要是以往使用的卷芯就没有特别限制,例如可列举聚乙烯树脂、聚丙烯树脂、聚苯乙烯树脂、聚氯乙烯树脂、ABS树脂(丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物)等塑料。另外,在卷绕成卷状的感光性导电薄膜的端面上,从保护端面的观点考虑,优选设置端面隔板,此外从耐边缘熔接的观点考虑,优选设置防湿端面隔板。另外,捆包感光性导电薄膜时,优选包入透湿性小的黑薄板中进行包装。
图3是用于说明本实施方式的导电图案的形成方法的示意剖面图。本实施方式的方法具有如下工序:将上述感光性导电薄膜10以感光性树脂层3在基板20上接触的方式层压的层压工序(图3(a));对具有支撑薄膜1的感光层4的规定部分照射活性光线的第一曝光工序(图3(b));之后,剥离支撑薄膜1,然后在氧存在下,对第一曝光工序中的曝光部和未曝光部的一部分或全部照射活性光线的第二曝光工序(图3(c));以及在第二曝光工序之后对感光层4进行显影的显影工序(图3(d))。
作为基板20,例如可列举玻璃基板、聚碳酸酯等塑料基板。基板20的厚度可以根据使用的目的而适宜选择,可以使用膜状基板。作为膜状基板,例如可列举聚对苯二甲酸乙二酯薄膜、聚碳酸酯薄膜、环烯烃聚合物薄膜。优选使基板20在450~650nm的波长区域中的最小光透过率为80%以上。在基板20满足这样条件的情况下,在显示器面板等中容易高亮度化。
层压工序例如可列举如下方法:在具有保护薄膜的情况下将其除去后,边加热感光性导电薄膜10边将感光性树脂层3侧压接在基板20上,从而进行层叠。另外,从密合性和追随性的观点考虑,该工序优选在减压下层叠。关于感光性导电薄膜10的层叠,优选将感光性树脂层3和/或基板20加热至70~130℃,压接压力优选设为0.1~1.0MPa左右(1~10kgf/cm2左右),但是这些条件没有特别限制。另外,如上述那样将感光性树脂层3加热至70~130℃的话,无需预先对基材20进行预热处理,但是为了进一步提高层叠性,也可以进行基材20的预热处理。
根据本实施方式的方法,通过将另外制作的感光性导电薄膜10层压在基板20上从而设置感光层4,能够更简便地在基板20上形成感光层4,可以实现生产率的提高。
作为在第一曝光工序中的曝光方法,可列举如图3(b)所示的、通过被称为原图(artwork)的负或正掩模图案5而以图像状照射活性光线L的方法(掩模曝光法)。
作为在第一曝光工序中的活性光线的光源,可列举公知的光源。例如可使用能有效放射紫外线、可见光等的碳弧灯、汞蒸气弧灯、超高压汞灯、高压汞灯、氙灯。另外,也可以使用Ar离子激光器、半导体激光器。进一步,也可以使用照相用泛光电灯泡、太阳能灯等有效放射可见光的光源。另外,也可以采用通过使用了激光曝光法等的直接描绘法而以图像状照射活性光线的方法。
第一曝光工序中的曝光量,根据使用的装置、感光性树脂组合物的组成而有所不同,但优选为5mJ/cm2~1000mJ/cm2,更优选为10mJ/cm2~200mJ/cm2。从使光固化性优异方面考虑优选为10mJ/cm2以上,从分辨率方面考虑优选为200mJ/cm2以下。
在本实施方式中,通过不剥离支撑薄膜1将感光层4曝光,氧的影响变小而容易固化。
第一曝光工序可以在空气中、真空中等进行,曝光的氛围没有特别的限制。
作为第二曝光工序中的曝光方法,根据需要,可以选择掩模曝光法、和如图3(c)所示不使用掩模而对感光性树脂层3的整体照射活性光线的方法。在进行掩模曝光法的情况下,可以如图4(c)所示,例如通过掩模图案5而以图像状照射活性光线L。
在本实施方式中,在第二曝光工序中也曝光了第一曝光工序中的曝光部,通过进行这样的2次曝光,与在第二曝光工序中不曝光第一曝光工序中的曝光部分的情况相比,可以防止在第一曝光工序中的曝光部分和第二曝光工序中的曝光部分之间产生边界部分,可以防止段差变大。另外,在第一曝光工序中将曝光部充分固化的情况下,该部分可以在第二曝光工序中不曝光。
作为第二曝光工序中的活性光线的光源,可使用公知的光源,例如碳弧灯、汞蒸气弧灯、超高压汞灯、高压汞灯、氙灯等有效放射紫外线、可见光等的光源。另外,也可使用Ar离子激光器、半导体激光器的有效放射紫外线、可见光等的光源。进一步,也可使用照相用泛光电灯泡、太阳能灯等有效放射可见光的光源。
第二曝光工序中的曝光量,根据使用的装置、感光性树脂组合物的组成而有所不同,但优选为5mJ/cm2~1000mJ/cm2,更优选为10mJ/cm2~200mJ/cm2,进一步优选为30mJ/cm2~150mJ/cm2。从光固化性优异方面考虑优选为10mJ/cm2以上,从操作效率方面考虑优选为200mJ/cm2以下。
在本实施方式的第二曝光工序中,通过在氧存在下,除去支撑薄膜1而曝光感光层4,从而可以在感光层4(导电膜2和感光性树脂层3)的露出面侧利用氧使由引发剂产生的反应种失活,在感光性树脂层3的导电膜2侧设置固化不充分的区域。由于过度的曝光会使感光性树脂组合物整体充分固化,因此第二曝光工序的曝光量优选设为上述范围。
第二曝光工序优选在氧存在下进行,例如在空气中进行。另外,在增加了氧浓度的条件下进行也没关系。
本实施方式的显影工序中,将第二曝光工序中曝光的感光性树脂层3的未充分固化的表面部分除去。具体地说,通过湿法显影将感光性树脂层3的未充分固化的表面部分、也就是包含导电膜2的表面层除去。由此,具有规定图案的导电膜2残留在第一和第二曝光工序中曝光区域的树脂固化层上,在通过显影工序而被除去的部分上形成不具有导电膜2的树脂固化层。这样,如图3(d)所示,在树脂固化层3a上形成的导电图案2a的段差Ha变小,可得到具有段差小的导电图案的导电图案基板40。
另外,在第二曝光工序中进行掩模曝光法的情况下,如图4(d)所示,可得到通过显影而除去了在第一和第二曝光工序中未曝光的部分的导电图案基板42。
湿法显影例如使用碱性水溶液、水系显影液、有机溶剂系显影液,通过喷雾、摇动浸渍、刷涂、刮涂等公知的方法来进行。
作为显影液,优选使用碱性水溶液,由于其安全且稳定、操作性良好。作为碱性水溶液,优选0.1~5质量%碳酸钠水溶液、0.1~5质量%碳酸钾水溶液、0.1~5质量%氢氧化钠水溶液、0.1~5质量%四硼酸钠水溶液等。另外,显影所用的碱性水溶液的pH优选设为9~11的范围,其温度可根据感光性树脂层的显影性进行调节。另外,碱性水溶液中也可以混入表面活性剂、消泡剂、用于促进显影的少量的有机溶剂等。
另外,可以使用包含水或碱水溶液和一种以上有机溶剂的水系显影液。这里,作为碱水溶液中所含的碱,除了上述碱以外,例如还可列举硼砂、偏硅酸钠、四甲基氢氧化铵、乙醇胺、乙二胺、二乙烯三胺、2-氨基-2-羟甲基-1,3-丙二醇、1,3-二氨基丙醇-2、吗啉。
作为有机溶剂,例如可列举甲基乙基酮、丙酮、乙酸乙酯、具有碳原子数1~4的烷氧基的烷氧基乙醇、乙醇、异丙醇、丁醇、二乙二醇单甲醚、二乙二醇单乙醚、二乙二醇单丁醚。它们可以单独使用或2种以上组合使用。
关于水系显影液,优选将有机溶剂的浓度设为2~90质量%,其温度可以根据显影性来调整。进而,水系显影液的pH优选在抗蚀剂的显影可充分进行的范围内尽可能地小,优选为pH8~12,更优选为pH9~10。另外,水系显影液中也可以少量添加表面活性剂、消泡剂等。
作为有机溶剂系显影液,例如可列举1,1,1-三氯乙烷、N-甲基吡咯烷酮、N,N-二甲基甲酰胺、环己酮、甲基异丁酮、γ-丁内酯。为了防止引燃,这些有机溶剂优选以1~20质量%的范围添加水。
上述的显影液根据需要也可以并用2种以上。
作为显影的方式,例如可列举浸渍方式、搅动方式、喷雾方式、刷涂、拍击等。这些中,从分辨率提高的观点考虑,优选使用高压喷雾方式。
在本实施方式的导电图案的形成方法中,显影后根据需要可以通过进行60~250℃左右的加热或者0.2~10J/cm2左右的曝光进一步固化导电图案。
由此,根据本实施方式的导电图案的形成方法,可以不像ITO等无机膜那样形成抗蚀剂,而在玻璃、塑料等基板上容易地形成透明的导电图案。
另外,根据本实施方式的导电图案的形成方法,可以使得到的导电图案的段差Ha变小。该段差Ha优选为1μm以下。通过将段差Ha设为上述范围,难以确认到导电图案2a且在与新的感光性导电薄膜10贴合时可抑制气泡的卷入,因此能够制作美观优异的导电图案基板。从同样的观点考虑,段差Ha更优选为0.7μm以下,进一步优选为0.5μm以下。导电图案2a的段差Ha可以通过控制第二曝光工序中的曝光量进行调整。
导电图案2a的段差Ha可以通过用扫描型电子显微镜照片来观察而测定。关于源于段差Ha的气泡卷入,可以通过光学显微镜观察而测定。
本发明的导电图案基板可以通过上述的本实施方式的导电图案的形成方法而获得。从可有效地用作透明电极的观点考虑,导电图案的表面电阻优选为2000Ω/□以下,更优选为1000Ω/□以下,特别优选为500Ω/□以下。表面电阻可以通过例如导电体的种类、导电体的分散液或溶液的浓度或涂布量来调整。
导电图案基板优选在450~650nm的波长区域中的最小光透过率为80%以上,更优选为85%以上。导电图案基板满足这样条件的情况下,显示器面板等中容易高亮度化。
接着对本发明的触摸面板传感器进行说明。
图5是表示静电容量式的触摸面板传感器的一例的示意俯视图。关于图5所示的触摸面板传感器,在透明基板101的一面上具有用于检测触摸位置的触摸画面102,在该区域中具有检测静电容量变化、设为X位置坐标的透明电极103和设为Y位置坐标的透明电极104。在这些分别设为X、Y位置坐标的透明电极103、104中,配置有用于与作为触摸面板的控制电信号的驱动器元件电路连接的引出配线105,和连接该引出配线105和透明电极103、104的连接电极106。进一步,在引出配线105的与连接电极106相反侧的端部上配置有与驱动器元件电路连接的连接端子107。
图6是表示图5所示的触摸面板传感器的制造方法的一例的示意图。在本实施方式中,通过本发明的导电图案的形成方法而形成透明电极103、104。
首先,如图6(a)所示在透明基板101上形成透明电极(X位置坐标)103。具体地说,按照感光性树脂层3与透明基板101接触的方式层压感光性导电薄膜10。对于转印的感光层4(导电膜2和感光性树脂层3),隔着遮光掩模以图案状照射活性光线而成为希望的形状(第一曝光工序)。之后,除去遮光掩模,进而剥离支撑薄膜之后对感光层4照射活性光线(第二曝光工序)。曝光工序之后进行显影,从而与固化不充分的感光性树脂层3一起将导电膜2除去,形成导电图案2a。通过该导电图案2a而形成检测X位置坐标的透明电极103(图6(b))。图6(b)是图6(a)的I-I剖面的示意剖面图。通过利用本发明的导电图案的形成方法而形成透明电极103,可以设置段差小的透明电极103。
接着,如图6(c)所示形成透明电极(Y位置坐标)104。在具有通过上述工序形成的透明电极103的基板101上进一步层压新的感光性导电薄膜10,通过上述同样的操作,形成检测Y位置坐标的透明电极104(图6(d))。图6(d)是图6(c)的II-II剖面的示意剖面图。通过利用本发明的导电图案的形成方法而形成透明电极104,从而即使在透明电极103上形成透明电极104的情况下,也可以制作充分地抑制了由段差、气泡的卷入所引起的美观降低的平滑性高的触摸面板传感器。
接着,在透明基板101的表面上形成用于与外部电路连接的引出线105和连接该引出线和透明电极103、104的连接电极106。在图6中显示出引出线105和连接电极106在透明电极103和104形成后形成,但也可以在各透明电极形成时同时地形成。引出线105例如可以使用薄片状的含有银的导电糊剂材料,使用丝网印刷,与形成连接电极106同时地形成。
图7和图8分别是沿着图5所示的a-a’和b-b’的部分剖面图。它们表示XY位置坐标的透明电极的交叉部。如图7和图8所示,通过利用本发明的导电图案的形成方法而形成了透明电极,可以得到段差小、平滑性高的触摸面板传感器。
实施例
下面,基于实施例具体地说明本发明,但是本发明不限于此。
〈导电体分散液的调制〉
(碳纳米管(CNT)分散液)
在纯水中,以0.4质量%的浓度分散Unidym公司的Hipco单层碳纳米管的高纯度品,以0.1质量%的浓度分散作为表面活性剂的十二烷基-五乙二醇,从而得到碳纳米管分散液。
(银纤维分散液)
[通过多元醇法调制银纤维]
在2000mL的三口烧瓶中加入乙二醇500mL,在氮气氛下,边用磁力搅拌器搅拌边通过油浴加热至60℃。向其中滴加另外准备的在50mL乙二醇中溶解有2mg PtCl2的溶液。4~5分钟后,将在300mL乙二醇中溶解有5g AgNO3的溶液和在150mL乙二醇中溶解有5g重均分子量为4万的聚乙烯吡咯烷酮(和光纯药(株)制)的溶液从分别的滴液漏斗以1分钟滴下,之后在160℃搅拌60分钟。
将上述反应溶液放置直到为30℃以下,之后用丙酮稀释至10倍,通过离心机以2000转离心20分钟,将上清液倾析。向沉淀物中加入丙酮搅拌后以与上述同样的条件进行离心,将丙酮倾析。之后,使用蒸馏水同样地离心2次,获得银纤维。通过扫描型电子显微镜照片观察得到的银纤维时,纤维直径(直径)约为5nm、纤维长约为5μm。
[银纤维分散液的调制]
在纯水中,以0.2质量%的浓度分散上述得到的银纤维,以0.1质量%的浓度分散十二烷基-五乙二醇,从而获得银纤维分散液。
(有机导电体溶液)
用甲醇将作为聚亚乙二氧基噻吩的醇溶液的“SEPLEGYDA OC-U1”(信越聚合物公司制,商品名)稀释至10倍,将其作为有机导电体溶液。
〈粘合剂聚合物的合成〉
(丙烯酸树脂的合成)
在具有搅拌机、回流冷却器、温度计、滴液漏斗和氮气导入管的烧瓶中加入甲基溶纤剂和甲苯的混合液(甲基溶纤剂/甲苯=3/2(质量比),下面称为“溶液s”)400g,边吹入氮气边搅拌,加热到80℃。另一方面,准备将作为单体的甲基丙烯酸100g、甲基丙烯酸甲酯250g、丙烯酸乙酯100g和苯乙烯50g、以及偶氮二异丁腈0.8g混合而成的溶液(下面称为“溶液a”)。接着,在加热到80℃的溶液s中经4小时滴加溶液a后,在80℃边搅拌边保温2小时。进而,将在100g的溶液s中溶解有1.2g偶氮二异丁腈的溶液经10分钟滴加到烧瓶内。然后,对滴加后的溶液边搅拌边在80℃保温3小时后,经30分钟加热到90℃。在90℃保温2小时后,冷却而得到粘合剂聚合物溶液。在该粘合剂聚合物溶液中加入丙酮进行调制,使得不挥发成分(固体成分)为50质量%,获得作为(a)成分的粘合剂聚合物溶液。获得的粘合剂聚合物的重均分子量为80000,羧基的比率为20质量%,酸值为130mgKOH/g。将其作为丙烯酸聚合物(a1)。同样地,作为溶液a,将甲基丙烯酸、甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯以表1所记载的配合量(单位:质量份)进行配合,获得粘合剂聚合物。获得的粘合剂聚合物的重均分子量为65000,羧基的比率为12质量%,酸值为78mgKOH/g。将其作为丙烯酸聚合物(a2)。将这些结果示于表1中。
另外,重均分子量(Mw)通过凝胶渗透色谱法(GPC)来测定,通过使用标准聚苯乙烯的标准曲线换算而导出。以下表示GPC的条件。
GPC条件
泵:日立L-6000型((株)日立制作所制、产品名)
柱:Gelpack GL-R420、Gelpack GL-R430、Gelpack GL-R440(以上为日立化成工业(株)制、产品名)
洗提液:四氢呋喃
测定温度:40℃
流量:2.05mL/分
检测器:日立L-3300型RI((株)日立制作所制、产品名)
〈感光性树脂组合物溶液的调制〉
将表2所示的材料以该表中所示的配合量(单位:质量份)进行配合,调制感光性树脂组合物的溶液1~3。
[表1]
[表2]
表2中的(b)成分和(c)成分的符号表示以下的意思。
(b)成分
PET-30:季戊四醇三丙烯酸酯(日本化药(株)制)
DPHA:二季戊四醇六丙烯酸酯(日本化药(株)制)
TMPTA:三羟甲基丙烷三丙烯酸酯(日本化药(株)制)
(c)成分
IRGACURE OXE01:1,2-辛二酮,1-[(4-苯基硫代)-,2(O-苯甲酰肟)](BASF(株)制)
Lucirin TPO:2,4,6-三甲基苯甲酰基-二苯基-氧化膦(BASF(株)制)
〈感光性导电薄膜的制作〉
(制造例1)
将通过上述得到的碳纳米管分散液以25g/m2均匀地涂布在作为支撑薄膜的50μm厚的聚对苯二甲酸乙二酯薄膜(PET薄膜,帝人(株)制,商品名“G2-50”、雾度1.2%)上,用100℃的热风对流式干燥机干燥3分钟,在室温中以10kg/cm的线压进行加压,从而在支撑薄膜上形成导电膜。另外,通过扫描型电子显微镜照片来测定时,导电膜干燥后的膜厚约为0.02μm。
接着,在聚对苯二甲酸乙二酯薄膜上形成的导电膜上均匀地涂布上述感光性树脂组合物的溶液1,用100℃的热风对流式干燥机干燥10分钟,从而形成感光性树脂层。另外,通过扫描型电子显微镜照片来测定时,感光性树脂层干燥后的膜厚为5μm。具有导电膜和感光性树脂层的感光性导电薄膜在450~650nm的波长区域中的最小光透过率为85%。
接着,用聚乙烯制的保护薄膜(Tamapoly(株)制,商品名“NF-13”、厚度28μm)覆盖感光性树脂层,从而得到感光性导电薄膜E1。
(制造例2)
将通过上述得到的银纤维分散液以25g/m2均匀地涂布在作为支撑薄膜的50μm厚的聚对苯二甲酸乙二酯薄膜(PET薄膜,帝人(株)制,商品名“G2-50”、雾度1.2%)上,用100℃的热风对流式干燥机干燥10分钟,在室温中以10kg/cm的线压进行加压,从而在支撑薄膜上形成导电膜。另外,通过扫描型电子显微镜照片来测定时,导电膜干燥后的膜厚约为0.01μm。
接着,与制造例1同样地设置感光性树脂层和保护薄膜,得到导电薄膜E2。通过扫描型电子显微镜照片来测定时,感光性树脂层干燥后的膜厚为5μm。另外,具有导电膜和感光性树脂层的感光性导电薄膜在450~650nm的波长区域中的最小光透过率为90%。
(制造例3)
将通过上述得到的有机导电体溶液以25g/m2均匀地涂布在作为支撑薄膜的50μm厚的聚对苯二甲酸乙二酯薄膜(PET薄膜,帝人(株)制,商品名“G2-50”、雾度1.2%)上,用100℃的热风对流式干燥机干燥3分钟,形成导电膜。另外,通过扫描型电子显微镜照片测定时,导电膜干燥后的膜厚约为0.1μm。
接着,与制造例1同样地设置感光性树脂层和保护薄膜,得到导电薄膜E2。另外,通过扫描型电子显微镜照片测定时,感光性树脂层干燥后的膜厚为5μm。另外,具有导电膜和感光性树脂层的感光性导电薄膜在450~650nm的波长区域中的最小光透过率为87%。
(制造例4~12)
使用表3或4所记载的感光性树脂组合物的溶液和导电体的组合,与制造例1同样地操作,从而得到感光性导电薄膜E4~E12。感光性树脂层干燥后的膜厚均为5μm。
[光透过率的测定]
上述的450~650nm的波长区域中的最小光透过率使用分光光度计(日立高新技术公司制、商品名“U-3310”)来测定。
〈导电图案的形成〉
(实施例1)
将0.7mm厚的钠玻璃板加热至80℃,边剥离保护薄膜边使感光性树脂层面向基板,在120℃、0.4MPa的条件下在钠玻璃板的表面上层压感光性导电薄膜E1。层压后冷却基板,在基板的温度达到23℃时,在作为支撑薄膜的PET薄膜面上密合具有线宽/间隔宽为100/100μm且长度为100mm的配线图案的原图。然后使用具有高压汞灯的曝光机(ORC(株)制,商品名“HMW-201B”),在大气下,以50mJ/cm2的曝光量对导电膜和感光性树脂层进行光照射(第一曝光工序)。之后除去原图,进一步以露出作为支撑薄膜的PET薄膜导电膜的方式进行剥离。此时,形成了在0.7mm厚的钠玻璃板上依次具有感光性树脂层和导电膜的基板。之后,使用相同曝光设备,在大气下,以50mJ/cm2的曝光量对导电膜和感光性树脂层进行光照射(第二曝光工序)。
曝光后,在室温(25℃)放置15分钟,接着在30℃将1质量%碳酸钠水溶液喷雾30秒从而进行显影。通过显影,在钠玻璃板上的树脂固化层上形成线宽/间隔宽约为100/100μm的导电图案。形成的导电图案不易辨认,确认到导电图案与树脂固化层的段差为0.3μm(参照图9)。在100mm长的导电图案两端,使用检验器测定的电阻值为180kΩ,但也确认到除导电图案以外的树脂固化层未导通。
(实施例2~12)
除了使用了E2~E12作为感光性导电薄膜以外,与实施例1同样地分别形成了导电图案。实施例2~12均不易辨认导电图案,具有表3所示的段差。关于导电图案的电阻值也示于表3中。
(比较例1)
将0.7mm厚的钠玻璃板加热至80℃,边剥离保护薄膜边使感光性树脂层面向基板,在120℃、0.4MPa的条件下在钠玻璃板的表面上层压感光性导电薄膜E1。层压后冷却基板,在基板的温度达到23℃时,在作为支撑薄膜的PET薄膜面上密合具有线宽/间隔宽为100/100μm且长度为100mm的配线图案的原图。然后使用具有高压汞灯的曝光机(ORC(株)制,商品名“HMW-201B”),在大气下,以50mJ/cm2的曝光量对导电膜和感光性树脂层进行光照射。
曝光后,在室温(25℃)放置15分钟,接着剥离作为支撑体的PET薄膜,在30℃将1质量%碳酸钠水溶液喷雾30秒从而进行显影。显影后,在钠玻璃板上形成线宽/间隔宽约为100/100μm的导电图案。
(比较例2、3)
除了使用了感光性导电薄膜E2、E3以外,与比较例1同样地分别形成导电图案。
利用扫描型电子显微镜照片测定比较例1~3的导电图案与玻璃基板的段差时,确认到段差分别为5.0μm、4.9μm、5.0μm。另外,在100mm长的导电图案两端,使用检验器测定的电阻值分别为180kΩ、17kΩ、130kΩ。
[段差上的层压性的评价]
将形成有通过实施例和比较例得到的导电图案的钠玻璃板加热至80℃,边剥离保护薄膜边使感光性树脂层面向基板,在120℃、0.4MPa的条件下在该钠玻璃板的表面上层压通过制造例2得到的感光性导电薄膜E2。层压后,用光学显微镜放大至50倍,通过层压确认气泡卷入。观察图案边缘时,在通过实施例制作的导电图案的段差少的基板上未确认到气泡,但在比较例的有段差的基板上均在图案边缘确认到气泡。将结果示于表3、表4中。
[导电膜的表面电阻]
按照以下的顺序测定导电膜的表面电阻。另外将0.7mm厚度的钠玻璃板加热至80℃,边剥离保护薄膜边使感光性树脂层面向基板,在120℃、0.4MPa的条件下在该钠玻璃板的表面上层压感光性导电薄膜。之后,剥离支撑薄膜,通过4端子法测定导电膜的表面电阻。将结果示于表3、4中。
[表3]
[表4]
表3和4中的导电体的记号表示以下的意思。
CNT:单层碳纳米管(Hipco、Unidym公司制)
PEDOT:聚亚乙二氧基噻吩(SEPLEGYDA OC-U1、信越聚合物公司制)
工业实用性
根据本发明,可以提供能够在基板上形成段差小的导电图案的导电图案的形成方法、使用该方法得到的导电图案基板和触摸面板传感器。本发明的导电图案基板和触摸面板传感器能够在美观上优异。
符号说明
1:支撑薄膜、2:导电膜、2a:导电图案、3:感光性树脂层、3a:树脂固化层、4:感光层、5:掩模图案、10,12:感光性导电薄膜、20:基板、40,42:导电图案基板、101:透明基板、102:触摸画面、103:透明电极(X位置坐标)、104:透明电极(Y位置坐标)、105:引出配线、106:连接电极、107:连接端子。

Claims (23)

1.一种导电图案基板,其特征在于,具备基板和设置于所述基板上的树脂固化层,
所述树脂固化层由感光性树脂层的固化物构成,
所述树脂固化层在与所述基板相反侧的面上包括具有导电膜的部分和不具有导电膜的部分,
不具有导电膜的所述部分为除去了设置于所述感光性树脂层上的导电膜以及所述感光性树脂层的未充分固化的表面层而成。
2.根据权利要求1所述的导电图案基板,其特征在于,所述树脂固化层的不具有导电膜的所述部分的与所述基板相反侧的面和所述导电膜的与所述基板相反侧的面的段差为1μm以下。
3.根据权利要求1所述的导电图案基板,其特征在于,所述树脂固化层的不具有导电膜的所述部分的与所述基板相反侧的面和所述导电膜的与所述基板相反侧的面的段差为0.7μm以下。
4.根据权利要求1所述的导电图案基板,其特征在于,所述树脂固化层的不具有导电膜的所述部分的与所述基板相反侧的面和所述导电膜的与所述基板相反侧的面的段差为0.5μm以下。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的导电图案基板,其特征在于,所述树脂固化层包含粘合剂聚合物,所述粘合剂聚合物的重均分子量是5000~300000。
6.根据权利要求1~4中任一项所述的导电图案基板,其特征在于,所述树脂固化层包含粘合剂聚合物,所述粘合剂聚合物的酸值为50mgKOH/g以上150mgKOH/g以下。
7.根据权利要求1~4中任一项所述的导电图案基板,其特征在于,所述树脂固化层包含粘合剂聚合物,所述粘合剂聚合物具有羧基。
8.根据权利要求1~4中任一项所述的导电图案基板,其特征在于,所述导电膜含有导电性纤维。
9.根据权利要求8所述的导电图案基板,其特征在于,所述导电性纤维是选自由金属纤维和碳纤维组成的组中的至少一种。
10.根据权利要求8所述的导电图案基板,其特征在于,所述导电性纤维是选自由金纤维、银纤维、铂纤维和碳纳米管组成的组中的至少一种。
11.根据权利要求8所述的导电图案基板,其特征在于,所述导电性纤维的纤维直径为1nm~50nm。
12.一种导电图案基板,其特征在于,具备基板、设置于所述基板上的第1树脂固化层、在所述第1树脂固化层的与所述基板相反侧上设置的第2树脂固化层,
所述第1树脂固化层和所述第2树脂固化层由感光性树脂层的固化物构成,
所述第1树脂固化层在与所述基板相反侧的面上包括具有第1导电膜的部分和不具有导电膜的部分,所述第1树脂固化层的不具有导电膜的所述部分为除去了设置于所述感光性树脂层上的导电膜以及所述感光性树脂层的未充分固化的表面层而成,
所述第2树脂固化层在与所述第1树脂固化层相反侧的面上包括具有第2导电膜的部分和不具有导电膜的部分,所述第2树脂固化层的不具有导电膜的所述部分为除去了设置于所述感光性树脂层上的导电膜以及所述感光性树脂层的未充分固化的表面层而成。
13.根据权利要求12所述的导电图案基板,其特征在于,所述第1树脂固化层的不具有导电膜的所述部分的与所述基板相反侧的面和所述第1导电膜的与所述基板相反侧的面的段差为1μm以下,
并且/或者,
所述第2树脂固化层的不具有导电膜的所述部分的与所述基板相反侧的面和所述第2导电膜的与所述基板相反侧的面的段差为1μm以下。
14.根据权利要求12所述的导电图案基板,其特征在于,所述第1树脂固化层的不具有导电膜的所述部分的与所述基板相反侧的面和所述第1导电膜的与所述基板相反侧的面的段差为0.7μm以下,
并且/或者,
所述第2树脂固化层的不具有导电膜的所述部分的与所述基板相反侧的面和所述第2导电膜的与所述基板相反侧的面的段差为0.7μm以下。
15.根据权利要求12所述的导电图案基板,其特征在于,所述第1树脂固化层的不具有导电膜的所述部分的与所述基板相反侧的面和所述第1导电膜的与所述基板相反侧的面的段差为0.5μm以下,
并且/或者,
所述第2树脂固化层的不具有导电膜的所述部分的与所述基板相反侧的面和所述第2导电膜的与所述基板相反侧的面的段差为0.5μm以下。
16.根据权利要求12~15中任一项所述的导电图案基板,其特征在于,所述第1和/或所述第2树脂固化层包含粘合剂聚合物,所述粘合剂聚合物的重均分子量是5000~300000。
17.根据权利要求12~15中任一项所述的导电图案基板,其特征在于,所述第1和/或所述第2树脂固化层包含粘合剂聚合物,所述粘合剂聚合物的酸值为50mgKOH/g以上150mgKOH/g以下。
18.根据权利要求12~15中任一项所述的导电图案基板,其特征在于,所述第1和/或所述第2树脂固化层包含粘合剂聚合物,所述粘合剂聚合物具有羧基。
19.根据权利要求12~15中任一项所述的导电图案基板,其特征在于,所述第1和/或所述第2导电膜含有导电性纤维。
20.根据权利要求19所述的导电图案基板,其特征在于,所述导电性纤维是选自由金属纤维和碳纤维组成的组中的至少一种。
21.根据权利要求19所述的导电图案基板,其特征在于,所述导电性纤维是选自由金纤维、银纤维、铂纤维和碳纳米管组成的组中的至少一种。
22.根据权利要求19所述的导电图案基板,其特征在于,所述导电性纤维的纤维直径为1nm~50nm。
23.权利要求1~22中任一项所述的导电图案基板在平板显示器、触摸屏或太阳能电池中的应用。
CN201280003491.4A 2011-10-03 2012-10-01 导电图案的形成方法、导电图案基板和触摸面板传感器 Active CN103210350B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011219176 2011-10-03
JP2011-219176 2011-10-03
PCT/JP2012/075421 WO2013051516A1 (ja) 2011-10-03 2012-10-01 導電パターンの形成方法、導電パターン基板及びタッチパネルセンサ

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310246632.1A Division CN103336409B (zh) 2011-10-03 2012-10-01 导电图案的形成方法、导电图案基板和触摸面板传感器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103210350A CN103210350A (zh) 2013-07-17
CN103210350B true CN103210350B (zh) 2019-06-18

Family

ID=48043674

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310246632.1A Active CN103336409B (zh) 2011-10-03 2012-10-01 导电图案的形成方法、导电图案基板和触摸面板传感器
CN201280003491.4A Active CN103210350B (zh) 2011-10-03 2012-10-01 导电图案的形成方法、导电图案基板和触摸面板传感器

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310246632.1A Active CN103336409B (zh) 2011-10-03 2012-10-01 导电图案的形成方法、导电图案基板和触摸面板传感器

Country Status (8)

Country Link
US (3) US9052587B2 (zh)
EP (1) EP2620814B1 (zh)
JP (2) JP5257558B1 (zh)
KR (2) KR101932778B1 (zh)
CN (2) CN103336409B (zh)
IN (1) IN2014DN03390A (zh)
TW (2) TWI592994B (zh)
WO (1) WO2013051516A1 (zh)

Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9052587B2 (en) * 2011-10-03 2015-06-09 Hitachi Chemical Company, Ltd. Conductive pattern formation method, conductive pattern-bearing substrate, and touch panel sensor
WO2013084283A1 (ja) 2011-12-05 2013-06-13 日立化成株式会社 タッチパネル用電極の保護膜の形成方法、感光性樹脂組成物及び感光性エレメント
WO2013084282A1 (ja) 2011-12-05 2013-06-13 日立化成株式会社 樹脂硬化膜パターンの形成方法、感光性樹脂組成物及び感光性エレメント
WO2014196154A1 (ja) * 2013-06-04 2014-12-11 日立化成株式会社 感光性導電フィルム、並びにこれを用いた導電パターンの形成方法及び導電パターン基板
JP6205925B2 (ja) * 2013-07-12 2017-10-04 日立化成株式会社 感光性導電フィルム、並びにこれを用いた導電パターンの形成方法及び導電パターン基板
JP2015052774A (ja) * 2013-08-07 2015-03-19 日立化成株式会社 加飾基板上におけるレジストパターン又は導電パターンの製造方法、及び転写形感光性導電フィルム
JP6071816B2 (ja) * 2013-09-09 2017-02-01 富士フイルム株式会社 樹脂硬化物の製造方法、これを用いた固体撮像素子および液晶表示装置の製造方法
JP6206028B2 (ja) * 2013-09-19 2017-10-04 日立化成株式会社 導電パターンの製造方法、その方法により製造された導電パターンを備える導電パターン基板、その導電パターン基板を含むタッチパネルセンサ、及び感光性導電フィルム
JP6261258B2 (ja) * 2013-09-26 2018-01-17 Nissha株式会社 透明導電性支持体、タッチセンサ、およびその製造方法
US10353293B2 (en) 2013-10-03 2019-07-16 Hitachi Chemical Company, Ltd. Photosensitive conductive film, conductive pattern formation method using same, and conductive pattern substrate
WO2015056445A1 (ja) * 2013-10-16 2015-04-23 日立化成株式会社 導電性繊維を含む積層体、感光性導電フィルム、導電パターンの製造方法、導電パターン基板、及びタッチパネル
TW201520840A (zh) * 2013-11-26 2015-06-01 Henghao Technology Co Ltd 觸控面板的形成方法
TWI567600B (zh) * 2013-11-26 2017-01-21 恆顥科技股份有限公司 觸控裝置
CN104571672B (zh) * 2013-11-27 2018-05-08 北京京东方光电科技有限公司 一种触摸屏及其制作方法
JP6547736B2 (ja) * 2014-03-14 2019-07-24 日立化成株式会社 感光性導電フィルム
JP2015219308A (ja) * 2014-05-15 2015-12-07 日立化成株式会社 感光性導電フィルム、感光性導電積層体、導電膜の形成方法及び導電積層体
TWI557610B (zh) * 2014-05-30 2016-11-11 And a method of manufacturing a conductive substrate of a touch device
CN104345967A (zh) * 2014-05-31 2015-02-11 深圳市骏达光电股份有限公司 一种触摸屏用感应组件及其制备方法、触摸屏
WO2016006024A1 (ja) * 2014-07-07 2016-01-14 日立化成株式会社 感光性導電フィルム、導電フィルムセット及びそれを用いた表面保護フィルム及び導電パターン付き基材フィルムの製造方法、導電パターン付き基材フィルムの製造方法
JPWO2016013587A1 (ja) * 2014-07-24 2017-05-25 日立化成株式会社 感光性樹脂組成物、感光性フィルム、パターン基板、感光性導電フィルム及び導電パターン基板
JP2016031503A (ja) * 2014-07-30 2016-03-07 日立化成株式会社 導電パターンの形成方法、導電パターン基板及びタッチパネルセンサ
KR102218718B1 (ko) * 2014-10-10 2021-02-19 엘지전자 주식회사 전도성 필름 및 이의 제조 방법, 그리고 전도성 필름을 포함하는 터치 패널 및 디스플레이 장치
CN104754263A (zh) * 2014-11-26 2015-07-01 李正浩 新型智能数码屏幕
US9853070B2 (en) 2014-12-09 2017-12-26 Sharp Kabushiki Kaisha Method of manufacturing display panel substrate
JP6027633B2 (ja) * 2015-01-13 2016-11-16 日本写真印刷株式会社 タッチ入力センサの製造方法及び感光性導電フィルム
KR102297878B1 (ko) * 2015-01-16 2021-09-03 삼성디스플레이 주식회사 터치 패널 및 그 제조 방법
CN107407997A (zh) * 2015-02-27 2017-11-28 株式会社藤仓 触摸传感器用配线体、触摸传感器用配线基板以及触摸传感器
WO2016181496A1 (ja) * 2015-05-12 2016-11-17 日立化成株式会社 導電膜作製液セット、導電パターンの形成方法、及びタッチパネル
JP6042486B1 (ja) * 2015-05-29 2016-12-14 日本写真印刷株式会社 タッチセンサの製造方法及びタッチセンサ
JP6457897B2 (ja) * 2015-07-17 2019-01-23 Nissha株式会社 タッチ入力センサ及びその製造方法
JP2017201350A (ja) * 2016-05-02 2017-11-09 日立化成株式会社 感光性導電フィルム、導電パターンの形成方法及び導電パターン基板の製造方法
CN107540862B (zh) * 2016-06-27 2020-08-11 清华大学 碳纳米管复合结构的制备方法
CN106324932B (zh) * 2016-10-09 2019-11-22 上海中航光电子有限公司 显示面板及包含其的显示装置
CN107092901B (zh) * 2017-06-02 2020-04-03 京东方科技集团股份有限公司 一种触控面板的指纹识别方法及制备方法
JP6399175B2 (ja) * 2017-09-07 2018-10-03 日立化成株式会社 導電パターンの製造方法、その方法により製造された導電パターンを備える導電パターン基板、その導電パターン基板を含むタッチパネルセンサ、及び感光性導電フィルム
JP2017228312A (ja) * 2017-09-07 2017-12-28 日立化成株式会社 感光性導電フィルム、並びにこれを用いた導電パターンの形成方法及び導電パターン基板
SE541026C2 (en) * 2017-10-13 2019-03-12 Stora Enso Oyj Method and arrangement for producing a label with integrated electrically conductive pattern
CN108415187A (zh) * 2018-04-23 2018-08-17 成都睿联创想科技有限责任公司 一种显示器
JP6977089B2 (ja) * 2020-03-25 2021-12-08 キヤノン株式会社 構造体の製造方法及び液体吐出ヘッドの製造方法
KR20220013230A (ko) 2020-07-24 2022-02-04 삼성전자주식회사 지문 센서 패키지 및 이를 포함하는 스마트 카드
CN112469205B (zh) * 2020-11-12 2021-10-12 北京遥测技术研究所 一种用于印制板与接插件垂直互联电路的导电胶粘接方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4401521A (en) * 1980-11-28 1983-08-30 Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha Method for manufacturing a fine-patterned thick film conductor structure
US4629681A (en) * 1983-11-25 1986-12-16 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method of manufacturing multilayer circuit board
CN1693953A (zh) * 2004-04-30 2005-11-09 Lg.菲利浦Lcd株式会社 用于制造版模的方法以及使用其形成图案的方法
CN1763960A (zh) * 2004-10-22 2006-04-26 松下电器产业株式会社 半导体装置及其制造方法
CN102124529A (zh) * 2008-08-22 2011-07-13 日立化成工业株式会社 感光性导电膜、导电膜的形成方法、导电图形的形成方法以及导电膜基板

Family Cites Families (60)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3909680A (en) 1973-02-16 1975-09-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd Printed circuit board with silver migration prevention
US4555414A (en) * 1983-04-15 1985-11-26 Polyonics Corporation Process for producing composite product having patterned metal layer
JP3290041B2 (ja) * 1995-02-17 2002-06-10 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 多層プリント基板、多層プリント基板の製造方法
JP2934588B2 (ja) * 1995-04-24 1999-08-16 株式会社日立製作所 表示装置
US5626948A (en) * 1996-01-03 1997-05-06 Ferber Technologies L.L.C. Electrical system having a multilayer conductive composition
WO2001048764A1 (fr) * 1999-12-28 2001-07-05 Tdk Corporation Film conducteur transparent et son procede de production
WO2001047709A1 (fr) * 1999-12-28 2001-07-05 Tdk Corporation Film fonctionnel et son procede de preparation
US20020110673A1 (en) * 2001-02-14 2002-08-15 Ramin Heydarpour Multilayered electrode/substrate structures and display devices incorporating the same
JP2004163533A (ja) * 2002-11-11 2004-06-10 Toyobo Co Ltd 感光性樹脂積層体
US7259106B2 (en) * 2004-09-10 2007-08-21 Versatilis Llc Method of making a microelectronic and/or optoelectronic circuitry sheet
US20060062898A1 (en) * 2004-09-17 2006-03-23 Eastman Kodak Company Method of making a display sheet comprising discontinuous stripe coating
JP3928970B2 (ja) 2004-09-27 2007-06-13 株式会社アルバック 積層型透明導電膜の製造方法
JP3947539B2 (ja) * 2004-12-20 2007-07-25 大日本印刷株式会社 プラズマディスプレイパネルの電極形成用の転写シートおよび電極形成方法
TWI428937B (zh) 2005-08-12 2014-03-01 Cambrios Technologies Corp 以奈米線為主之透明導體
CN102324462B (zh) * 2006-10-12 2015-07-01 凯博瑞奥斯技术公司 基于纳米线的透明导体及其应用
US8018568B2 (en) * 2006-10-12 2011-09-13 Cambrios Technologies Corporation Nanowire-based transparent conductors and applications thereof
JP4388966B2 (ja) * 2007-03-16 2009-12-24 富士通株式会社 座標入力装置
JP4637209B2 (ja) 2007-06-05 2011-02-23 富士フイルム株式会社 ポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた硬化膜形成方法
JP5151265B2 (ja) * 2007-06-14 2013-02-27 日立電線株式会社 多層配線基板及び多層配線基板の製造方法
KR20140042931A (ko) 2007-06-21 2014-04-07 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 안료 분산액, 컬러 필터용 착색 조성물, 컬러 필터, 액정 표시 장치 및 유기 el 디스플레이
US8199118B2 (en) * 2007-08-14 2012-06-12 Tyco Electronics Corporation Touchscreen using both carbon nanoparticles and metal nanoparticles
JP5358145B2 (ja) 2007-09-28 2013-12-04 富士フイルム株式会社 導電性材料の製造方法及び導電性材料の製造装置
JP5212377B2 (ja) * 2007-11-07 2013-06-19 コニカミノルタホールディングス株式会社 透明電極及び透明電極の製造方法
JP5510320B2 (ja) 2008-07-04 2014-06-04 戸田工業株式会社 成形用の透明導電性基材、その製造方法およびそれを用いた成形体
JP5160325B2 (ja) * 2008-07-16 2013-03-13 日東電工株式会社 透明導電性フィルム及びタッチパネル
US8198796B2 (en) * 2008-07-25 2012-06-12 Konica Minolta Holdings, Inc. Transparent electrode and production method of same
KR100999506B1 (ko) 2008-09-09 2010-12-09 삼성전기주식회사 인쇄회로기판 및 그 제조 방법
JP4730443B2 (ja) * 2009-02-04 2011-07-20 ソニー株式会社 表示装置
WO2010106899A1 (ja) 2009-03-17 2010-09-23 コニカミノルタホールディングス株式会社 透明導電膜及び透明導電膜の製造方法
TWI517185B (zh) 2009-03-31 2016-01-11 Teijin Ltd Transparent conductive laminates and transparent touch panels
JP5584991B2 (ja) 2009-04-02 2014-09-10 コニカミノルタ株式会社 透明電極、透明電極の製造方法、および有機エレクトロルミネッセンス素子
JP5472299B2 (ja) * 2009-06-24 2014-04-16 コニカミノルタ株式会社 透明電極、該透明電極に用いられる導電性繊維の精製方法、及び有機エレクトロルミネッセンス素子
JP4737348B2 (ja) 2009-06-30 2011-07-27 Dic株式会社 透明導電層パターンの形成方法
JP2011017975A (ja) * 2009-07-10 2011-01-27 Hitachi Chem Co Ltd 遮光性転写フィルム及びその製造方法、遮光性パターンの形成方法
JP5391932B2 (ja) 2009-08-31 2014-01-15 コニカミノルタ株式会社 透明電極、透明電極の製造方法、および有機エレクトロルミネッセンス素子
JP5655792B2 (ja) 2009-12-08 2015-01-21 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物、重合体、単量体及び感放射線性樹脂組成物の製造方法
EP2511798A4 (en) * 2009-12-11 2014-09-24 Nissha Printing MOUNTING STRUCTURE FOR A THIN DISPLAY AND A RESISTIVE TOUCH SCREEN, RESISTIVE TOUCH SCREEN WITH FRONT SEMENARIES, AND THIN DISPLAY UNIT WITH BACKLIGHTS
WO2011078170A1 (ja) 2009-12-25 2011-06-30 富士フイルム株式会社 導電性組成物、並びに、それを用いた透明導電体、タッチパネル及び太陽電池
US20120285726A1 (en) * 2010-01-20 2012-11-15 Fujifilm Corporation Electrically conductive element, photosensitive material for formation of electrically conductive element, and electrode
US8460747B2 (en) * 2010-03-04 2013-06-11 Guardian Industries Corp. Large-area transparent conductive coatings including alloyed carbon nanotubes and nanowire composites, and methods of making the same
JP2013542546A (ja) * 2010-03-08 2013-11-21 ウィリアム・マーシュ・ライス・ユニバーシティ グラフェン/格子混成構造に基づいた透明電極
US20120015098A1 (en) * 2010-07-14 2012-01-19 Qian Cheng Carbon nanotube based transparent conductive films and methods for preparing and patterning the same
JP5691524B2 (ja) 2011-01-05 2015-04-01 ソニー株式会社 グラフェン膜の転写方法および透明導電膜の製造方法
EP2681745B1 (en) 2011-02-28 2020-05-20 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Metallic nanofiber ink, substantially transparent conductor, and fabrication method
US20140008115A1 (en) * 2011-03-28 2014-01-09 Toray Advanced Film Co., Ltd. Conductive laminate and touch panel
WO2012132970A1 (ja) 2011-03-30 2012-10-04 富士フイルム株式会社 プリント配線基板およびその製造方法、並びに、金属表面処理液
US9175183B2 (en) * 2011-05-23 2015-11-03 Carestream Health, Inc. Transparent conductive films, methods, and articles
US20140120027A1 (en) * 2011-06-24 2014-05-01 Kuraray Co., Ltd. Conductive film formation method, conductive film, insulation method, and insulation film
US9460999B2 (en) * 2011-09-13 2016-10-04 The Regents Of The University Of California Solution process for improved nanowire electrodes and devices that use the electrodes
JP5888976B2 (ja) * 2011-09-28 2016-03-22 富士フイルム株式会社 導電性組成物、導電性部材およびその製造方法、タッチパネル並びに太陽電池
JP2013073828A (ja) * 2011-09-28 2013-04-22 Fujifilm Corp 導電性組成物、その製造方法、導電性部材、並びに、タッチパネル及び太陽電池
US9052587B2 (en) 2011-10-03 2015-06-09 Hitachi Chemical Company, Ltd. Conductive pattern formation method, conductive pattern-bearing substrate, and touch panel sensor
JP2013122745A (ja) 2011-11-11 2013-06-20 Panasonic Corp タッチパネル及びその製造方法
KR101688173B1 (ko) * 2011-12-26 2016-12-21 코오롱인더스트리 주식회사 플라스틱 기판
CN104145312B (zh) 2012-03-06 2017-08-15 迪睿合电子材料有限公司 透明导电膜、导电性元件、组合物、有色自组织材料、输入装置、显示装置和电子设备
JP2013214434A (ja) 2012-04-03 2013-10-17 Sony Corp 積層構造体の製造方法、積層構造体および電子機器
US9920207B2 (en) * 2012-06-22 2018-03-20 C3Nano Inc. Metal nanostructured networks and transparent conductive material
US9295153B2 (en) * 2012-11-14 2016-03-22 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Method of manufacturing a patterned transparent conductor
US20140202742A1 (en) * 2013-01-22 2014-07-24 Cambrios Technologies Corporation Two-sided laser patterning on thin film substrates
US10971277B2 (en) * 2013-02-15 2021-04-06 Cambrios Film Solutions Corporation Methods to incorporate silver nanowire-based transparent conductors in electronic devices

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4401521A (en) * 1980-11-28 1983-08-30 Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha Method for manufacturing a fine-patterned thick film conductor structure
US4629681A (en) * 1983-11-25 1986-12-16 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method of manufacturing multilayer circuit board
CN1693953A (zh) * 2004-04-30 2005-11-09 Lg.菲利浦Lcd株式会社 用于制造版模的方法以及使用其形成图案的方法
CN1763960A (zh) * 2004-10-22 2006-04-26 松下电器产业株式会社 半导体装置及其制造方法
CN102124529A (zh) * 2008-08-22 2011-07-13 日立化成工业株式会社 感光性导电膜、导电膜的形成方法、导电图形的形成方法以及导电膜基板

Also Published As

Publication number Publication date
KR101932778B1 (ko) 2018-12-27
JP5257558B1 (ja) 2013-08-07
US20150271919A1 (en) 2015-09-24
CN103336409A (zh) 2013-10-02
TW201403690A (zh) 2014-01-16
JP2013156655A (ja) 2013-08-15
KR101348546B1 (ko) 2014-01-07
JPWO2013051516A1 (ja) 2015-03-30
EP2620814A4 (en) 2014-01-15
KR20130055699A (ko) 2013-05-28
US9639189B2 (en) 2017-05-02
US20140327889A1 (en) 2014-11-06
WO2013051516A1 (ja) 2013-04-11
CN103210350A (zh) 2013-07-17
EP2620814A1 (en) 2013-07-31
IN2014DN03390A (zh) 2015-06-05
US9052587B2 (en) 2015-06-09
CN103336409B (zh) 2015-05-06
TWI592994B (zh) 2017-07-21
EP2620814B1 (en) 2014-12-10
US9817499B2 (en) 2017-11-14
TWI414007B (zh) 2013-11-01
KR20140058394A (ko) 2014-05-14
TW201322314A (zh) 2013-06-01
US20160246394A1 (en) 2016-08-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103210350B (zh) 导电图案的形成方法、导电图案基板和触摸面板传感器
CN102645840B (zh) 导电图形的形成方法以及导电膜基板
CN105158949B (zh) 层叠体
JP6176295B2 (ja) 導電パターンの形成方法
JP5569144B2 (ja) 感光性導電フィルム、導電膜の形成方法及び導電パターンの形成方法
JP2017198878A (ja) 感光性導電フィルム及びそれを用いた導電パターン、導電パターン基板、タッチパネルセンサの製造方法
WO2016013587A1 (ja) 感光性樹脂組成物、感光性フィルム、パターン基板、感光性導電フィルム及び導電パターン基板
TW201840595A (zh) 感光性導電膜、導電圖案的形成方法、導電圖案基材的製造方法、導電圖案基材、觸控面板感測器
JP2018040934A (ja) 感光性導電フィルム、並びにこれを用いた導電パターン基板とその製造方法及びタッチパネルセンサ
JP2018022030A (ja) 感光性導電フィルム、並びに、これを用いた導電パターンの形成方法、導電パターン基板及びタッチパネルセンサ
JP2018049055A (ja) 感光性導電フィルム、導電パターンの形成方法及び導電パターン基板の形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant