JP2013214434A - 積層構造体の製造方法、積層構造体および電子機器 - Google Patents

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Abstract

【課題】所望の基板上にグラフェン膜を転写してグラフェン膜を含む積層構造体を製造することができ、しかも透明導電膜として用いた場合にヘイズ値の大幅な低減を図ることができる積層構造体の製造方法および積層構造体を提供する。
【解決手段】第1の基板11上に形成された一層または複数層のグラフェン膜12と第2の基板14とを、粘着性を有する樹脂層13により貼り合わせ、第1の基板11と第2の基板14とを加圧して樹脂層13の厚さを減少させ、第1の基板11と第2の基板14とを隙間なく貼り合わせる。樹脂層13を硬化させた後、第1の基板11を除去する。その後、グラフェン膜12上に透明層15を形成する。
【選択図】図2

Description

本開示は、積層構造体の製造方法、積層構造体および電子機器に関し、例えば、ディスプレイやタッチパネルなどに用いられる透明導電膜および透明導電膜を用いる各種の電子機器に適用して好適なものである。
グラファイトの炭素原子一層からなるグラフェンは、その高い導電性から透明導電材料や配線材料として期待されている。中でも、熱CVD法により合成したグラフェン膜は、大面積に成膜可能で層数制御も可能であるという点から注目されている。
熱CVD法によるグラフェン膜の合成方法では、金属触媒基板、典型的には銅箔上にグラフェン膜が形成されるため、このグラフェン膜を金属触媒基板から所望の基板に転写する必要がある。
従来のグラフェン膜の転写方法としては、ポリメチルメタクリレート(PMMA)を用いた転写方法や熱剥離テープを用いた転写方法などが報告されている(例えば、非特許文献1参照。)。
また、従来の別のグラフェン膜の転写方法として、炭素化触媒膜上にグラフェンシートを形成し、このグラフェンシートにバインダー層を形成し、このバインダー層に基板を接着し、これらを酸溶液に浸漬することにより炭素化触媒膜を除去する方法が提案されている(特許文献1参照。)。
特開2009−298683号公報
S.Bae et al.,Nature Nanotechnology 5,574(2010)
しかしながら、非特許文献1に記載されたグラフェン膜の転写方法は、量産性に乏しいことや、転写により透明導電性が低下するといった課題があり、実用的ではない。
また、特許文献1に記載されたグラフェン膜の転写方法には、次のような問題がある。すなわち、グラフェン膜の合成時の基板としては銅箔が多く用いられるが、銅箔を用いる場合には、グラフェン膜の合成時に高温に加熱する必要があることにより、再結晶などの影響で銅箔の表面に凹凸が形成されるのを避けることが困難である。このため、転写に用いるバインダー層が、グラフェン膜と同時に、グラフェン膜の表面に銅箔の表面形状も転写し、銅箔の除去後もその形状が維持されてしまうため、転写されたグラフェン膜の表面に大きなラフネスが存在する。このため、このグラフェン膜を透明導電膜に用いる場合には、透明導電膜の特性として重要なヘイズ値が大きくなってしまう。
そこで、本開示が解決しようとする課題は、所望の基板上にグラフェン膜を転写してグラフェン膜を含む積層構造体を製造することができ、しかも透明導電膜として用いた場合にヘイズ値の大幅な低減を図ることができる積層構造体の製造方法および積層構造体を提供することである。
本開示が解決しようとする他の課題は、グラフェン膜を含み、しかも透明導電膜として用いた場合にヘイズ値の大幅な低減を図ることができる積層構造体を透明導電膜などとして用いた高性能の電子機器を提供することである。
本開示が解決しようとするさらに他の課題は、所望の基板上にグラフェン膜を、欠陥の発生を有効に防止しつつ良好な密着性で転写してグラフェン膜を含む積層構造体を製造することができ、しかも透明導電膜として用いた場合にヘイズ値の大幅な低減を図ることができ、量産性にも優れた積層構造体の製造方法および積層構造体を提供することである。
本開示が解決しようとする他の課題は、グラフェン膜を含み、グラフェン膜への欠陥の発生を有効に防止し、しかも透明導電膜として用いた場合にヘイズ値の大幅な低減を図ることができ、量産性にも優れた積層構造体を透明導電膜などとして用いた高性能の電子機器を提供することである。
上記課題を解決するために、本開示は、
第1の基板上に形成された一層または複数層のグラフェン膜と第2の基板とを、粘着性を有する樹脂層により貼り合わせる工程と、
上記第1の基板を除去する工程と、
上記グラフェン膜上に透明層を形成する工程と
を有する積層構造体の製造方法である。
本開示においては、転写されるグラフェン膜に欠陥が発生するのを防止し、膜質の向上を図る観点からは、樹脂層の揮発成分の含有量は、好適には1重量%未満、より好適には0.5重量%以下、さらに好適には0.1重量%以下とする。典型的な一つの例では、この積層構造体の製造方法は、第1の基板上に形成されたグラフェン膜と第2の基板とを樹脂層により貼り合わせた後、第1の基板を除去する前に、第1の基板と第2の基板とを加圧して隙間なく貼り合わせる工程をさらに有する。また、この積層構造体の製造方法は、典型的には、第1の基板と第2の基板とを加圧して隙間なく貼り合わせた後、第1の基板を除去する前に、樹脂層を硬化させる工程をさらに有する。樹脂層の硬化方法は、樹脂層の種類に応じて適宜選ばれる。例えば、樹脂層が紫外線硬化性樹脂からなる場合には紫外線を照射することにより硬化させることができ、樹脂層が熱硬化性樹脂からなる場合には加熱により硬化させることができる。典型的な一つの例では、第1の基板上に形成されたグラフェン膜上に、揮発成分の含有量が1重量%未満で粘着性を有する樹脂層を塗布する。他の例では、第1の基板上に形成されたグラフェン膜上に揮発成分を少なくとも1重量%以上含み、粘着性を有する樹脂層を塗布した後、この樹脂層を乾燥させて揮発成分を除去することにより、揮発成分の含有量が1重量%未満で粘着性を有する樹脂層を形成する。揮発成分の含有量が1重量%未満で粘着性を有する樹脂層は、好適には室温で流動性を有するが、加熱状態で流動性を有するものであってもよく、その場合には加熱状態で、第1の基板上に形成されたグラフェン膜と第2の基板との貼り合わせが行われる。
樹脂層は、典型的には紫外線硬化性樹脂、熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂からなり、これらの中から必要に応じて選ばれるが、これに限定されるものではない。この積層構造体を透明導電膜として用いる場合、透明導電性、特に導電性の向上を図る観点からは、樹脂層の硬度を適切に選定することが望ましい。具体的には、樹脂層を十分に硬く、言い換えれば樹脂層の弾性率を十分に大きく、例えば約400MPa程度以上にするのが望ましい。これは、樹脂層が柔らかい場合、言い換えると弾性率が小さい場合には、樹脂層と貼り合わされたグラフェン膜に欠陥が発生しやすく、シート抵抗の増加やシート抵抗のばらつきなどが生じるためである。特に、硬化処理を施さずに用いる樹脂層、すなわち粘着剤を用いてグラフェン膜を転写した場合には、この樹脂層の弾性率が非常に小さいために透明導電性が大幅に低下する。樹脂層の弾性率を上記のように十分に大きく選ぶことにより、良好な透明導電性を得ることができる。第1の基板および第2の基板は必要に応じて選ばれる。特に第2の基板としては、グラフェン膜の用途などに応じて所望の基板が用いられる。
グラフェン膜上に形成される透明層は、可視光に対して透明な材料であれば、基本的にはどのような材料によって形成してもよい。透明層としては、上記の樹脂層と同様なものを用いてもよいし、各種の透明樹脂からなるものを用いてもよい。透明樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタラート、ポリエチレンナフタラート、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリフェニレンスルフィド、ポリフッ化ビニリデン、アセチルセルロース、ブロム化フェノキシ、アラミド類、ポリイミド類、ポリスチレン類、ポリアリレート類、ポリスルホン類、ポリオレフィン類などが挙げられる。透明層の表面は、好適には、十分に平坦となるようにする。透明層の厚さは、積層構造体の用途などに応じて適宜選ばれるが、好適には、グラフェン膜の表面に形成される凹凸を十分に埋めることができ、しかも十分に平坦な表面が得られる厚さに選ばれる。
上記の樹脂層および透明層の屈折率は、積層構造体全体における不要な反射界面の発生によるヘイズ値の増大を防止し、積層構造体の透過率を向上させることができるように適宜選択される。ここで、互いに屈折率が異なる物質が接触している界面での光の反射率について説明する。この反射率は次のフレネルの式で表される。
R(%)=((n−n’)/(n+n’))2 ×100
ただし、Rは反射率、n、n’は各物質の屈折率である。上記の樹脂層および透明層の屈折率は、好適には、このフレネルの式を用いて計算される、積層構造体における全ての界面の反射率を考慮した上で決められる。例えば、透明層の屈折率と樹脂層の屈折率とを互いにほぼ等しく、例えば、透明層の屈折率と樹脂層の屈折率との差が、好適には0.3以下、より好適には0.2以下、さらに好適には0.1以下になるようにする。ここで、一例として、第2の基板と樹脂層との界面を考え、第2の基板がポリエチレンテレフタラート(PET)からなるとし、その屈折率がおよそ1.57であるとする。このとき、樹脂層の屈折率の値に対する反射率の値を計算すると表1のようになる。
Figure 2013214434
表1より、PETと樹脂層との屈折率差が0.1以下であれば反射率は約0.1%以下になり、屈折率差が0.05以下であれば反射率は約0.025%以下になり、反射がほとんどなくなることが分かる。
また、最上層が透明層であり、この透明層が空気に接触している場合には、この透明層と空気との界面が反射界面となり得るし、透明層上にさらに透明体が設けられ、この透明体が空気に接触している場合には、この透明体と空気との界面が反射界面となり得る。この場合には、空気と接触する透明層または透明体として屈折率が空気の屈折率とより近いもの(例えば、屈折率が1.38のnafion)を用いたり、空気側に例えば多層膜からなる反射防止膜を設けたりすることにより、ヘイズ値の増大を防止し、透過率を向上させることができる。
空気の屈折率を1とし、透明層または透明体の屈折率の値に対する反射率の値を計算すると表2のようになる。
Figure 2013214434
表2より、透明層または透明体と空気との屈折率差が0.1以下であれば反射率は約0.23%以下になり、屈折率差が0.05以下であれば反射率は約0.06%以下になり、反射がほとんどなくなることが分かる。
積層構造体の製造方法は、必要に応じて、透明層上に他の層、例えば、反射防止層、アンチグレア層、ハードコート層および防汚層からなる群より選ばれた少なくとも一つを形成する工程をさらに有する。必要に応じて、第2の基板の裏面(第2の基板のグラフェン膜と反対側の主面)に反射防止層、アンチグレア層、ハードコート層および防汚層からなる群より選ばれた少なくとも一つを形成してもよい。また、場合によっては、樹脂層に反射防止層の機能を持たせてもよい。また、積層構造体の製造方法は、必要に応じて、積層構造体を透明基板(例えば、ガラス基板やフィルムなど)やディスプレイなどと貼り合わせる工程をさらに有する。
グラフェン膜と第2の基板とが樹脂層により貼り合わされ、そのグラフェン膜上に透明層が形成された積層構造体の用途は特に問わないが、好適には、透明導電膜、例えば、透明導電性フィルムあるいは透明導電性シートとして用いることができる。この場合、第2の基板としては、可視光に対して透明な透明基板が用いられる。この透明導電膜は各種の電子機器に用いることができる。電子機器は、具体的には、例えば、液晶ディスプレイ(LCD)や有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ(有機ELディスプレイ)などのディスプレイや、タッチパネルなどであり、透明導電膜の用途も問わない。透明導電膜は、例えば、太陽電池、例えば色素増感太陽電池などの透明電極として用いることもできる。
また、本開示は、
第2の基板と、
上記第2の基板上の、粘着性を有する樹脂層と、
上記樹脂層と貼り合わされた一層または複数層のグラフェン膜と、
上記グラフェン膜上の透明層と
を有する積層構造体である。
また、本開示は、
第2の基板と、
上記第2の基板上の、粘着性を有する樹脂層と、
上記樹脂層と貼り合わされた一層または複数層のグラフェン膜と、
上記グラフェン膜上の透明層とを有する積層構造体を有する電子機器である。
上記の積層構造体および電子機器においては、その性質に反しない限り、上記の積層構造体の製造方法に関連して説明したことが成立する。
上述の本開示においては、粘着性を有する樹脂層を介してグラフェン膜と第2の基板とを貼り合わせるので、第2の基板に対してグラフェン膜を良好な密着性で転写することができる。また、第1の基板上に形成されたグラフェン膜と第2の基板とを樹脂層により貼り合わせた後、第1の基板を除去することにより容易に第2の基板上にグラフェン膜を転写することができるので、量産性に優れている。また、グラフェン膜上に透明層を形成するので、グラフェン膜を形成する際にその表面に形成される凹凸を透明層により埋めることができる。また、貼り合わせに用いる樹脂層の揮発成分の含有量を例えば1重量%未満とすることにより、硬化の際の揮発成分の揮発による気泡の発生が殆どなく、気泡によりグラフェン膜に欠陥が発生することが殆どない。
本開示によれば、所望の基板上にグラフェン膜を転写することができ、しかも透明導電膜として用いた場合にヘイズ値の大幅な低減を図ることができる積層構造体を得ることができる。また、グラフェン膜に欠陥が発生するのを有効に防止することができる。また、この積層構造体は量産性にも優れている。そして、この優れた積層構造体を透明導電膜などとして用いることにより高性能のディスプレイやタッチパネルなどの各種の電子機器を実現することができる。
第1の実施の形態による積層構造体およびその製造方法を説明するための断面図である。 第1の実施の形態による積層構造体およびその製造方法を説明するための断面図である。 第1の実施の形態による積層構造体およびその製造方法においてグラフェン膜の表面に形成された凹凸が透明層により埋められる様子を示す断面図である。 第2の実施の形態による積層構造体およびその製造方法を説明するための断面図である。 第2の実施の形態による積層構造体およびその製造方法を説明するための断面図である。 第3の実施の形態による積層構造体およびその製造方法を説明するための断面図である。 第3の実施の形態による積層構造体およびその製造方法においてグラフェン膜の表面に形成された凹凸が透明層により埋められた様子を示す断面図である。 第5の実施の形態による透明導電性フィルムおよびその製造方法を説明するための断面図である。 第5の実施の形態による透明導電性フィルムおよびその製造方法においてグラフェン膜の表面に形成された凹凸が透明層により埋められた様子を示す断面図である。 第6の実施の形態によるディスプレイおよびその製造方法を説明するための断面図である。 第6の実施の形態によるディスプレイおよびその製造方法においてグラフェン膜の表面に形成された凹凸が透明層により埋められた様子を示す断面図である。 実施例1〜7および比較例1〜3の実験結果を示す略線図である。 樹脂層の弾性率とグラフェン膜のシート抵抗との関係を示す略線図である。
以下、発明を実施するための形態(以下「実施の形態」とする)について説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
1.第1の実施の形態(積層構造体およびその製造方法)
2.第2の実施の形態(積層構造体およびその製造方法)
3.第3の実施の形態(積層構造体およびその製造方法)
4.第4の実施の形態(積層構造体およびその製造方法)
5.第5の実施の形態(透明導電性フィルムおよびその製造方法)
6.第6の実施の形態(ディスプレイおよびその製造方法)
〈1.第1の実施の形態〉
[積層構造体およびその製造方法]
図1A〜Cおよび図2A〜Cは第1の実施の形態による積層構造体およびその製造方法を示す。
図1Aに示すように、第1の基板11上に一層または複数層のグラフェン膜12を形成する。第1の基板11としては、少なくとも表面に銅やニッケルなどの金属触媒が形成されたものが用いられ、例えば、銅箔などの銅基板やシリコン基板上にニッケル触媒層を形成したものなどが用いられるが、これらに限定されるものではない。グラフェン膜12の合成方法は特に限定されないが、好適には熱CVD法が用いられる。
次に、図1Bに示すように、グラフェン膜12上に、揮発成分を1重量%未満、好適には0.5重量%以下、より好適には0.1重量%以下含有し、粘着性を有する樹脂層13を塗布する。この樹脂層13の厚さは、この樹脂層13の表面が平坦となるようにするために、好適には例えば30μm以下、より好適には20μm以下に選ばれる。また、この樹脂層13の厚さは、十分な接着力を得るために、好適には例えば1μm以上、より好適には2μm以上に選ばれる。樹脂層13は、好適には、例えば室温で2N/m以上の粘着力を有するが、これに限定されるものではない。
樹脂層13の塗布方法としては、従来公知の方法を用いることができ、必要に応じて選ばれる。塗布方法としては、具体的には、例えば、スピンコート法、浸漬法、キャスト法などや、スクリーン印刷法、インクジェット印刷法、オフセット印刷法、グラビア印刷法といった各種の印刷法、スタンプ法、スプレー法、エアドクタコーター法、ブレードコーター法、ロッドコーター法、ナイフコーター法、スクイズコーター法、リバースロールコーター法、トランスファーロールコーター法、グラビアコーター法、キスコーター法、キャストコーター法、スプラーコーター法、スリットオリフィスコーター法、カレンダーコーター法といった各種のコーティング法などを用いることができる。
樹脂層13としては、例えば、紫外線(UV)硬化性樹脂、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などを用いることができ、必要に応じて選ばれる。樹脂層13の物質としては、具体的には、例えば、シロキサン系化合物、アクリル系化合物、エポキシ系化合物などを挙げることができ、これらの中から必要に応じて選ばれる。
次に、図1Cに示すように、第1の基板11、グラフェン膜12および樹脂層13を樹脂層13側が下になるようにして第2の基板14上に載せ、第1の基板11上に形成されたグラフェン膜12と第2の基板14とを樹脂層13により貼り合わせる。第2の基板14としては、所望の基板が用いられる。第2の基板14は、透明基板であっても不透明基板であってもよい。透明基板の材料は必要に応じて選ばれるが、例えば、石英やガラスなどの透明無機材料や透明プラスチックなどが挙げられる。フレキシブルな透明基板としては透明プラスチック基板が用いられる。透明プラスチックとしては、例えば、ポリエチレンテレフタラート、ポリエチレンナフタラート、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリフェニレンスルフィド、ポリフッ化ビニリデン、アセチルセルロース、ブロム化フェノキシ、アラミド類、ポリイミド類、ポリスチレン類、ポリアリレート類、ポリスルホン類、ポリオレフィン類などが挙げられる。不透明基板としては例えばシリコン基板が用いられる。樹脂層13の種類などに応じて、第1の基板11、グラフェン膜12および樹脂層13を第2の基板14上に載せる前に、第2の基板14の表面を親水性処理したり、シランカップリング処理したりしてもよい。
次に、図2Aに示すように、第2の基板14に対して第1の基板11を加圧することにより、樹脂層13の厚さを所望の厚さに減少させ、第2の基板14に対して第1の基板11を隙間なく貼り合わせる。加圧方法は特に限定されないが、例えば、ロールにより加圧したり、平板を押し付けることにより加圧したりすることができる。この際、加圧は、好適には、厚さの減少に伴って樹脂層13に含まれる気泡が除去されるように行われる。樹脂層13が常温で流動性を有する場合には加圧を常温で行うことができるが、加熱状態でないと流動性が得られない場合には加圧は加熱状態で行う。加圧後の樹脂層13の厚さは、好適には、この樹脂層13によりグラフェン膜12と第2の基板14とが良好な密着性で貼り合わせることができる範囲で最小に選ばれる。この樹脂層13の最小の厚さは、例えば1μm以上3μm以下である。
次に、図2Bに示すように、第1の基板11を除去する。第1の基板11の除去には、好適にはエッチングが用いられる。エッチング方法は、第1の基板11を構成する金属触媒を除去することができる限り特に限定されない。エッチング方法としては、真空装置を用いたドライエッチングとエッチャント(エッチング液)を用いるウェットエッチングとのいずれを用いてもよいが、エッチング効率の観点から、好適にはウェットエッチングが用いられる。ウェットエッチングは、エッチャントをスプレーで第1の基板11に吹き付けたり、エッチング槽に入れたエッチャントに第1の基板11を浸漬したりすることにより行うことができる。ウェットエッチングで用いられるエッチャントは、金属触媒を溶解することができる限り特に限定されない。金属触媒が銅からなる場合、例えば、第1の基板11が銅からなる場合には、エッチャントとしては、好適には、塩化鉄や塩化銅に塩酸を混合したものを用いることができるが、リン酸や硝酸などの酸あるいは硝酸鉄や塩化鉄などの酸化還元性のエッチャントを用いることもできる。酸化還元性のエッチャントを用いる場合にはエッチング時に気泡が発生しないため、グラフェン膜12への欠陥の発生が抑えられるとともに、金属触媒を均一に溶解することができる。エッチング槽に入れたエッチャントに第1の基板11を浸漬することによりウェットエッチングを行う場合には、エッチング速度を大きくするために、好適には、エッチング時にエッチャントの撹拌を行う。エッチングは、硫酸銅水溶液中での電解エッチングを用いてもよい。
この後、第1の基板11の除去により露出したグラフェン膜12の表面を純水などで洗浄し、乾燥させる。
次に、図2Cに示すように、グラフェン膜12上に透明層15を形成する。透明層15の形成方法は、グラフェン膜12の表面の凹凸を埋めることができる限り特に限定されない。透明層15として樹脂層13と同様なものを用いる場合には、樹脂層13の形成に用いた方法と同様な方法を用いることができる。好適には、例えば、透明層12の屈折率をn1 、樹脂層13の屈折率をn2 とした場合、|n1 −n2 |≦0.2が満たされるように、より好適には、|n1 −n2 |≦0.05が満たされるように、この透明層12および樹脂層13の材料が選ばれる。透明層15は、樹脂層13と同様なもののほか、ハードコート剤からなるものであってもよい。なお、積層構造体をデバイス化する際にはグラフェン膜12から配線を取り出すことを考慮すると、配線と接合するグラフェン膜12の部分は透明層15で覆われていないことが望ましい。
以上により、第1の基板11から第2の基板14にグラフェン膜12を転写することができ、グラフェン膜12と第2の基板14とが樹脂層13により貼り合わされ、グラフェン膜12上に透明層15が形成された積層構造体が得られる。必要に応じて、透明層15上に保護層を形成してもよい。この保護層としては、好適には、透明層15とほぼ同一の屈折率を有するものが用いられる。この保護層としては、具体的には、例えばガラス板やポリエチレンテレフタラート(PET)フィルムなどを用いることができる。
図3AおよびBは、それぞれ図2BおよびCに対応し、グラフェン膜12の表面の凹凸が樹脂層13により埋められる様子を示す。
以上のように、この第1の実施の形態によれば、グラフェン膜12と第2の基板14とが樹脂層13により貼り合わされるので、第2の基板14に対するグラフェン膜12の密着性が良好である。また、グラフェン膜12と第2の基板14とを貼り合わせる際の樹脂層13に含有される揮発成分は1重量%未満と微量であるので、グラフェン膜12と第2の基板14とを貼り合わせた後の工程で樹脂層13から揮発する揮発成分は殆どなく、気泡の発生が殆どない。このため、気泡によりグラフェン膜12に欠陥が発生するおそれが殆どない。また、樹脂層13に含有される揮発成分は1重量%未満と微量であるため、大面積にわたって樹脂層13を塗布しても揮発成分により気泡が発生するのを抑えることができ、このため、グラフェン膜12の大面積化を図ることができる。また、第1の基板11をエッチングにより除去する際には、グラフェン膜12が樹脂層13を介して第2の基板14により強固に保持されているため、グラフェン膜12への欠陥の発生を有効に抑えることができる。特に、エッチャントをスプレーで第1の基板11に吹き付けることにより第1の基板11をエッチング除去する場合には、グラフェン膜12への欠陥の発生をより有効に抑えることができる。また、エッチング槽に入れたエッチャントに第1の基板11を浸漬することによりウェットエッチングを行う場合、エッチング時に、第1の基板11、グラフェン膜12、樹脂層13および第2の基板14の全体を激しく動かしても、剥がれや欠陥の発生を抑えることができる。このため、エッチャントを撹拌しながらウェットエッチングを行うことができることにより、エッチング速度を大きくすることができ、エッチング時間の短縮を図ることができる。また、従来の転写方法では、基板上に形成されたグラフェン膜上に樹脂層が存在することがあるが、この第1の実施の形態によれば、樹脂層13はグラフェン膜12と第2の基板14との間に存在し、グラフェン膜12上には存在しないので、従来の転写方法と異なり、樹脂層の除去工程が不要であり、転写のスループットの向上を図ることができる。
また、第2の基板14として透明基板を用いることにより、グラフェン膜12と第2の基板14とが樹脂層13により貼り合わされ、グラフェン膜12上に透明層15が形成された積層構造体からなる透明導電膜を得ることができる。この場合、グラフェン膜12上に透明層15が形成されているため、グラフェン膜12を形成する際にその表面に形成された凹凸を透明層15により埋めることができる。このため、ヘイズ値が極めて小さい透明導電膜を得ることができる。例えば、透明層15を形成しない場合のヘイズ値が10%程度である場合、透明層15を形成した場合にはヘイズ値を3%程度と大幅に低減することができる。また、透明層15によりグラフェン膜12が保護されるため、透明導電膜の寿命の向上を図ることができる。この優れた透明導電膜は、例えば、ディスプレイ、タッチパネル、色素増感太陽電池などに用いて好適なものである。
〈2.第2の実施の形態〉
[積層構造体およびその製造方法]
図4A〜Cおよび図5A〜Cは第2の実施の形態による積層構造体およびその製造方法を示す。
図4Aに示すように、第1の実施の形態と同様にして、第1の基板11上にグラフェン膜12を形成する。
次に、図4Bに示すように、グラフェン膜12上に、揮発成分を少なくとも1重量%以上含有し、粘着性を有する樹脂層13を塗布する。この樹脂層13の材質、厚さ、塗布方法などは、第1の実施の形態と同様である。
次に、図4Cに示すように、樹脂層13を乾燥させることにより揮発成分を揮発させて揮発成分が1重量%未満、好適には0.5重量%以下、より好適には0.1重量%以下になるようにする。この乾燥により樹脂層13の厚さが減少する。樹脂層13は、乾燥後に粘着性を有し、かつ自己変形性を有するものが用いられる。
次に、図5Aに示すように、第1の基板11、グラフェン膜12および樹脂層13を樹脂層13側が下になるようにして第2の基板14上に載せ、第1の基板11上に形成されたグラフェン膜12と第2の基板14とを樹脂層13により貼り合わせる。第2の基板14としては、第1の実施の形態と同様なものを用いることができる。
次に、図4Bに示すように、第1の実施の形態と同様にして、第1の基板11を除去する。
この後、第1の基板11の除去により露出したグラフェン膜12の表面を純水などで洗浄し、乾燥させる。
次に、図5Cに示すように、グラフェン膜12上に透明層15を形成する。透明層15は第1の実施の形態と同様に選ばれる。また、第1の実施の形態と同様に、配線と接合するグラフェン膜12の部分は透明層15で覆われていないことが望ましい。
以上により、第1の基板11から第2の基板14にグラフェン膜12を転写することができ、グラフェン膜12と第2の基板14とが樹脂層13により貼り合わされ、グラフェン膜12上に透明層15が形成された積層構造体が得られる。
この第2の実施の形態によれば、第1の実施の形態と同様な種々の利点を得ることができる。
〈3.第3の実施の形態〉
[積層構造体およびその製造方法]
図6に示すように、第3の実施の形態においては、透明層15上に反射防止層、アンチグレア層、ハードコート層および防汚層からなる群より選ばれた少なくとも一つからなる機能層16を形成する。図7に、グラフェン膜12の表面の凹凸が透明層15により埋められた様子を示す。
機能層16として反射防止層を用いることにより、積層構造体に入射する光の反射を防止することができる。機能層16としてアンチグレア層を用いることにより、積層構造体に入射する光によるぎらつきを防止することができる。機能層16としてハードコート層を用いることにより、積層構造体の表面を保護することができる。機能層16として防汚層を用いることにより、例えば、積層構造体の表面に指紋が付くのを防止することができる。これらの反射防止層、アンチグレア層、ハードコート層および防汚層としては従来公知のものを用いることができ、必要に応じて選ばれる。また、これらの反射防止層、アンチグレア層、ハードコート層および防汚層の厚さは必要に応じて選ばれる。
この第3の実施の形態の上記以外のことは、第1の実施の形態または第2の実施の形態と同様である。
この第3の実施の形態によれば、ヘイズ値が極めて小さく、透過率も高い、タッチパネルの透明導電膜として用いて好適な、グラフェン膜12を含む積層構造体を得ることができる。
〈4.第4の実施の形態〉
[積層構造体およびその製造方法]
第4の実施の形態においては、第2の基板14上に樹脂層13を介してグラフェン膜12が形成された構造を形成した後、透明層15を形成する前に、積層構造体の用途や機能などに応じて、グラフェン膜12のパターニング、グラフェン膜12への種々のドーパントのドーピング、配線(引き出し電極)の形成、他の構造体の形成などのプロセスのうちの少なくとも一つのプロセスを施す。
具体的には、例えば、グラフェン膜12を、レーザーエッチングや、酸素プラズマ、UVオゾン処理などのドライエッチングを用いたフォトリソグラフィ法によりパターニングする。また、グラフェン膜12に酸素などのガスを吸着させたり、硫酸、硝酸、塩化金溶液などのドーパントを塗布したりすることにより、グラフェン膜12にドーピングを行う。また、印刷法やフォトリソグラフィ法などを用いてグラフェン膜12上に配線を形成する。
この第4の実施の形態の上記以外のことは、第1の実施の形態または第2の実施の形態と同様である。なお、第4の実施の形態のうち、透明層15を形成するまでに、グラフェン膜12に接合する配線が形成されている場合は、配線の一部分はそこからさらに外部回路と接合するため、透明層15で覆われていないことが望ましい。
この第4の実施の形態によれば、第1の実施の形態と同様な利点を得ることができる。
〈5.第5の実施の形態〉
[透明導電性フィルムおよびその製造方法]
図8に示すように、第5の実施の形態においては、積層構造体の透明層15側が透明なフィルム17と貼り合わされている。図9に、グラフェン膜12の表面の凹凸が透明層15により埋められた様子を示す。フィルム17の材料および厚さは特に限定されず、必要に応じて選ばれる。
この第5の実施の形態によれば、ヘイズ値が極めて小さく、透過率も高い、グラフェン膜12を含む積層構造体を用いた透明導電性フィルムを得ることができる。
〈6.第6の実施の形態〉
[ディスプレイおよびその製造方法]
図10に示すように、第6の実施の形態においては、積層構造体の透明層15側がディスプレイ18のスクリーンに貼り合わされている。図11に、グラフェン膜12の表面の凹凸が透明層15により埋められた様子を示す。ディスプレイ17は、液晶ディスプレイや有機ELディスプレイなどであるが、これに限定されるものではない。
この第6の実施の形態によれば、ヘイズ値が極めて小さく、透過率も高い、グラフェン膜12を含む積層構造体を用いた透明導電膜がスクリーンに貼り合わされたディスプレイを得ることができる。
〈実施例1〉(第1の実施の形態に対応する実施例)
第1の基板11として銅箔を用いた。
この銅箔をCVD装置の1000℃に加熱された石英管状炉に入れ、水素(H2 )ガスおよびメタン(CH4 )ガスを流し(水素ガス流量8sccm、メタンガス流量24sccm、圧力0.3Torr)、銅箔上にグラフェン膜を合成した。合成後、再び水素ガスを流しながら、降温した。その後、グラフェン膜を合成した銅箔を石英管状炉から取り出した。
次に、銅箔上に合成したグラフェン膜上に、常温で液体で、揮発成分である溶媒の含有量が少なくとも0.1重量%以下であるアクリル系のUV硬化性樹脂(ダイキン工業株式会社製、UV−3000)を4000rpm、40秒の条件でスピンコートして樹脂層を形成した。この樹脂層の厚さは20μm程度であった。
次に、第2の基板14としてPETフィルムを用い、このPETフィルム上に、銅箔上に合成されたグラフェン膜上に塗布されたUV硬化性樹脂からなる樹脂層の樹脂層側を下にして載せて貼り合わせた。
次に、銅箔上から平板を押し付けて加圧することにより樹脂層13の厚さを減少させ、最終的に2μm程度の厚さとした。
次に、PETフィルムの裏面側から紫外線を照射し、PETフィルムを透過して樹脂層に紫外線を照射して硬化させた。照射条件は、照射パワー密度160W/cm2 、照射時間40秒とした。
次に、PETフィルム、樹脂層、グラフェン膜および銅箔の全体を1Mの硝酸鉄(Fe(NO3 3 )水溶液に50分間浸漬し、銅箔をエッチング除去した。
この後、PETフィルム、樹脂層およびグラフェン膜の全体を超純水で洗浄し、乾燥させた。
次に、グラフェン膜上に上記の樹脂層と同様な樹脂により透明層を形成し、さらにその上にPETフィルムを貼り合わせた。
以上のようにして、グラフェン膜とPETフィルムとが樹脂層により貼り合わされ、グラフェン膜上に透明層およびPETフィルムが形成された積層構造体が形成された。
〈実施例2〉(第1の実施の形態に対応する実施例)
実施例2では、樹脂層13として、常温で液体で、揮発成分である溶媒の含有量が少なくとも0.1重量%以下である実施例1と異なるアクリル系UV硬化性樹脂を用いることを除いて、実施例1と同様にして積層構造体を形成した。
〈実施例3〉(第1の実施の形態に対応する実施例)
実施例3では、樹脂層13として、常温で液体で、揮発成分である溶媒の含有量が少なくとも0.1重量%以下である実施例1、2と異なるアクリル系UV硬化性樹脂を用いることを除いて、実施例1と同様にして積層構造体を形成した。
〈実施例4〉(第1の実施の形態に対応する実施例)
実施例4では、樹脂層13として、常温で液体で、揮発成分である溶媒の含有量が少なくとも0.1重量%以下である実施例1〜3と異なるアクリル系UV硬化性樹脂を用いることを除いて、実施例1と同様にして積層構造体を形成した。
〈実施例5〉(第1の実施の形態に対応する実施例)
実施例5では、樹脂層13として、常温で液体で、揮発成分である溶媒の含有量が少なくとも0.1重量%以下である実施例1〜4と異なるアクリル系UV硬化性樹脂を用いることを除いて、実施例1と同様にして積層構造体を形成した。
〈実施例6〉(第1の実施の形態に対応する実施例)
実施例6では、樹脂層13として、常温で液体で、揮発成分である溶媒の含有量が少なくとも0.1重量%以下であるエポキシ系UV硬化性樹脂を用いることを除いて、実施例1と同様にして積層構造体を形成した。
〈実施例7〉(第2の実施の形態に対応する実施例)
実施例1と同様にして銅箔上にグラフェン膜を合成し、その銅箔を石英管状炉から取り出した。
熱硬化性樹脂(綜研化学株式会社製、SKダイン2300(「SKダイン」は登録商標))と硬化剤(綜研化学株式会社製、L−45)とを100:5の重量比で混合し、主剤のSKダイン2300の濃度が50重量%となるようにプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PEGMEA)に加えて溶解させ、SKダイン2300溶液を調製した。このSKダイン2300溶液を、銅箔上に形成したグラフェン膜上にドロップキャストした後、室温で乾燥させて樹脂層を形成するとともに、この樹脂層中の揮発成分の含有量を1重量%未満に減少させた。この樹脂層の厚さは20μm程度であった。
次に、第2の基板14として透明なガラス基板を用い、このガラス基板上に、銅箔上に合成されたグラフェン膜上に塗布された熱硬化性樹脂からなる樹脂層の樹脂層側を下にして載せて貼り合わせた。
次に、150℃で3分加熱することにより樹脂層を硬化させてグラフェン膜とガラス基板とに完全に密着させた。
放冷後、ガラス基板、樹脂層、グラフェン膜および銅箔の全体を1Mの硝酸鉄水溶液に50分間浸漬し、銅箔をエッチング除去した。
この後、ガラス基板、樹脂層およびグラフェン膜の全体を超純水で洗浄し、乾燥させた。
次に、グラフェン膜上に上記の樹脂層と同様な樹脂により透明層を形成し、さらにその上にPETフィルムを貼り合わせた。
以上のようにして、グラフェン膜とガラス基板とが樹脂層により貼り合わされ、グラフェン膜上に透明層およびPETフィルムが形成された積層構造体が形成された。
〈実施例8〉(第1の実施の形態に対応する実施例)
実施例8では、グラフェン膜上にOCA(Optical Clear Adhesive)テープ(日東電工製、CS9621T)を貼り合わせることにより透明層を形成し、さらにその上にPETフィルムを貼り合わせることを除いて、実施例1と同様にして積層構造体を形成した。
〈比較例1〉
実施例1と同様にして銅箔上にグラフェン膜を合成し、その銅箔を石英管状炉から取り出した。
熱硬化性樹脂であるポリビニルフェノール(PVP)と架橋剤のメラミンとを10:1の重量比で混合し、PVP濃度が10重量%になるようにプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PEGMEA)に加えて溶解させ、PVP溶液を調製した。このPVP溶液を、銅箔上に合成したグラフェン膜上に、3000rpm、30秒の条件でスピンコートしてPVP系熱硬化性樹脂からなる樹脂層を形成した。この樹脂層は、少なくとも数重量%以上の揮発成分を含有する。この樹脂層の厚さは20μm程度であった。
ガラス基板上に、銅箔上に合成されたグラフェン膜上に塗布されたPVP系熱硬化性樹脂からなる樹脂層の樹脂層側を下にして載せて貼り合わせた。
次に、180℃で20分間ベークすることによりPVP系熱硬化性樹脂からなる樹脂層を硬化させた。
次に、ガラス基板、樹脂層、グラフェン膜および銅箔の全体を1Mの硝酸鉄水溶液に50分間浸漬し、銅箔をエッチング除去した。
この後、ガラス基板、樹脂層およびグラフェン膜の全体を超純水で洗浄し、乾燥させた。
以上のようにして、グラフェン膜とガラス基板とが樹脂層により貼り合わされた積層構造体が形成された。
〈比較例2〉
実施例1と同様にして銅箔上にグラフェン膜を合成し、その銅箔を石英管状炉から取り出した。
熱可塑性樹脂を30重量%の含有量となるように酢酸エチルに溶解させた。この熱可塑性樹脂溶液を、銅箔上に合成したグラフェン膜上に、4000rpm、30秒の条件でスピンコートして熱可塑性樹脂(株式会社クラレ製、LA#2140e)からなる樹脂層を形成した。この樹脂層は、少なくとも数重量%以上の揮発成分を含有する。この樹脂層の厚さは20μm程度であった。
ガラス基板上に、銅箔上に合成されたグラフェン膜上に塗布された熱可塑性樹脂からなる樹脂層の樹脂層側を下にして載せて貼り合わせた。
次に、150℃で5分間ベークすることにより樹脂層を硬化させた。
次に、ガラス基板、樹脂層、グラフェン膜および銅箔の全体を1Mの硝酸鉄水溶液に50分間浸漬し、銅箔をエッチング除去した。
この後、ガラス基板、樹脂層およびグラフェン膜の全体を超純水で洗浄し、乾燥させた。
以上のようにして、グラフェン膜とガラス基板とが樹脂層により貼り合わされた積層構造体が形成された。
〈比較例3〉
比較例3では、樹脂層13として、PVP系熱硬化性樹脂の代わりに、少なくとも数重量%以上の揮発成分を含有するアクリル系UV硬化性樹脂を用いることを除いて、比較例1と同様にして積層構造体を形成した。
[グラフェン膜の特性評価]
実施例1〜7および比較例1〜3のグラフェン膜に対してシート抵抗の面内分布の測定を行った。その結果を図12に示す。
図12に示すように、比較例1〜3のグラフェン膜はシート抵抗が大きく、面内ばらつきも大きいのに対し、実施例1〜7のグラフェン膜はシート抵抗が小さく、面内ばらつきも小さく、特性が良好なグラフェン膜であることが分かる。また、光学顕微鏡観察を行った結果、比較例1〜3のグラフェン膜では、気泡に起因する微小な空隙が観察されたのに対し、実施例1〜7のグラフェン膜ではそのような空隙は観察されなかった。
また、実施例2の積層構造体のヘイズ値は0.81%と小さいのに対し、この積層構造体において樹脂層上に透明層およびPETフィルムを形成しないもののヘイズ値は14.5%と大きかった。また、実施例3の積層構造体のヘイズ値は0.72%と小さいのに対し、この積層構造体において樹脂層上に透明層およびPETフィルムを形成しないもののヘイズ値は6.31%と大きかった。また、実施例6の積層構造体のヘイズ値は2.17%と小さいのに対し、この積層構造体において樹脂層上に透明層およびPETフィルムを形成しないもののヘイズ値は8.33%と大きかった。また、実施例8の積層構造体のヘイズ値は1.81%と極めて小さいのに対し、この積層構造体において樹脂層上に透明層およびPETフィルムを形成しないもののヘイズ値は14.5%と大きかった。これらのいずれの例でも、樹脂層上に透明層を形成していることにより、グラフェン膜の表面の凹凸が埋められる結果、ヘイズ値が大幅に低減されていることが分かる。
図13は、樹脂層13の硬度の指標となる弾性率とグラフェン膜のシート抵抗との関係を示す。樹脂層13としては三種類のもの(樹脂A、B、Cとする)を用いた。樹脂Aはアクリル系UV硬化性樹脂、樹脂Bは実施例1で用いたアクリル系UV硬化性樹脂、樹脂Cは実施例2で用いたアクリル系UV硬化性樹脂である。樹脂Aの弾性率はほぼ0、樹脂Bの弾性率は約400MPa、樹脂Cの弾性率は約1400MPaである。図13から分かるように、樹脂Bおよび樹脂Cでは、グラフェン膜のシート抵抗は十分に低く、ばらつきも極めて小さいが、樹脂Aでは、グラフェン膜のシート抵抗は高く、ばらつきも極めて大きい。図13より、樹脂層13の弾性率が少なくとも約400MPa以上である場合には、グラフェン膜のシート抵抗を十分に低く、しかもばらつきを十分に小さくすることができることが分かる。
以上、実施の形態および実施例について具体的に説明したが、本技術は、上述の実施の形態および実施例に限定されるものではなく、各種の変形が可能である。
例えば、上述の実施の形態および実施例において挙げた数値、構造、プロセス、形状、材料などはあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれらと異なる数値、構造、プロセス、形状、材料などを用いてもよい。
なお、本技術は以下のような構成も取ることができる。
(1)第1の基板上に形成された一層または複数層のグラフェン膜と第2の基板とを、粘着性を有する樹脂層により貼り合わせる工程と、上記第1の基板を除去する工程と、上記グラフェン膜上に透明層を形成する工程とを有する積層構造体の製造方法。
(2)上記第1の基板上に形成された上記グラフェン膜と上記第2の基板とを上記樹脂層により貼り合わせた後、上記第1の基板を除去する前に、上記第1の基板と上記第2の基板とを加圧して隙間なく貼り合わせる工程をさらに有する前記(1)に記載の積層構造体の製造方法。
(3)上記第1の基板と上記第2の基板とを加圧して隙間なく貼り合わせた後、上記第1の基板を除去する前に、上記樹脂層を硬化させる工程をさらに有する前記(1)または(2)に記載の積層構造体の製造方法。
(4)上記樹脂層は紫外線硬化性樹脂、熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂からなる前記(1)から(3)のいずれか一項に記載の積層構造体の製造方法。
(5)上記第1の基板上に形成された上記グラフェン膜上に上記樹脂層を塗布する前記(1)から(4)のいずれか一項に記載の積層構造体の製造方法。
(6)上記第2の基板が透明基板である前記(1)から(5)のいずれか一項に記載の積層構造体の製造方法。
(7)上記透明層が透明樹脂からなる前記(1)から(6)のいずれか一項に記載の積層構造体の製造方法。
(8)上記透明層上に反射防止層、アンチグレア層、ハードコート層および防汚層からなる群より選ばれた少なくとも一つを形成する工程をさらに有する前記(1)から(7)のいずれか一項に記載の積層構造体の製造方法。
(9)上記積層構造体は透明導電膜である前記(1)から(8)のいずれか一項に記載の積層構造体の製造方法。
(10)上記積層構造体を透明基板またはディスプレイと貼り合わせる工程をさらに有する前記(1)から(9)のいずれか一項に記載の積層構造体の製造方法。
(11)上記樹脂層の揮発成分の含有量が1重量%未満である前記(1)から(10)のいずれか一項に記載の積層構造体の製造方法。
(12)上記樹脂層の上記揮発成分の含有量が0.1重量%以下である前記(1)から(10)のいずれか一項に記載の積層構造体の製造方法。
(13)上記第1の基板上に形成された上記グラフェン膜上に揮発成分を少なくとも1重量%以上含む樹脂層を塗布した後、この樹脂層を乾燥させて揮発成分を除去することにより、揮発成分の含有量が1重量%未満で粘着性を有する上記樹脂層を形成する前記(1)から(10)のいずれか一項に記載の積層構造体の製造方法。
(14)上記樹脂層の厚さは1μm以上30μm以下である前記(1)から(13)のいずれか一項に記載の積層構造体の製造方法。
なお、グラフェン膜を含む積層構造体のヘイズ値の低減を図る手法としては、次のような手法も考えられる。すなわち、グラフェン膜が形成される第1の基板11としては銅箔が通常用いられるが、従来より用いられている銅箔の主面は必ずしも平坦性が良好でなく、これがこの銅箔上に形成されるグラフェン膜の表面に凹凸が発生する一つの大きな理由となっている。そこで、銅箔として、従来よりも平坦性が良好な銅箔を用いる。こうすることで、樹脂層13に貼り合わされたグラフェン膜の表面の凹凸を少なくすることができるので、ヘイズの低減を図ることができる。
11…第1の基板、12…グラフェン膜、13…樹脂層、14…第2の基板、15…透明層、16…機能層、17…フィルム、18…ディスプレイ

Claims (18)

  1. 第1の基板上に形成された一層または複数層のグラフェン膜と第2の基板とを、粘着性を有する樹脂層により貼り合わせる工程と、
    上記第1の基板を除去する工程と、
    上記グラフェン膜上に透明層を形成する工程と
    を有する積層構造体の製造方法。
  2. 上記第1の基板上に形成された上記グラフェン膜と上記第2の基板とを上記樹脂層により貼り合わせた後、上記第1の基板を除去する前に、上記第1の基板と上記第2の基板とを加圧して隙間なく貼り合わせる工程をさらに有する請求項1記載の積層構造体の製造方法。
  3. 上記第1の基板と上記第2の基板とを加圧して隙間なく貼り合わせた後、上記第1の基板を除去する前に、上記樹脂層を硬化させる工程をさらに有する請求項2記載の積層構造体の製造方法。
  4. 上記樹脂層は紫外線硬化性樹脂、熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂からなる請求項3記載の積層構造体の製造方法。
  5. 上記第1の基板上に形成された上記グラフェン膜上に上記樹脂層を塗布する請求項1記載の積層構造体の製造方法。
  6. 上記第2の基板が透明基板である請求項1記載の積層構造体の製造方法。
  7. 上記透明層が透明樹脂からなる請求項1記載の積層構造体の製造方法。
  8. 上記透明層上に反射防止層、アンチグレア層、ハードコート層および防汚層からなる群より選ばれた少なくとも一つを形成する工程をさらに有する請求項1記載の積層構造体の製造方法。
  9. 上記積層構造体は透明導電膜である請求項1記載の積層構造体の製造方法。
  10. 上記積層構造体を透明基板またはディスプレイと貼り合わせる工程をさらに有する請求項1記載の積層構造体の製造方法。
  11. 上記樹脂層の揮発成分の含有量が1重量%未満である請求項1記載の積層構造体の製造方法。
  12. 上記樹脂層の上記揮発成分の含有量が0.1重量%以下である請求項1記載の積層構造体の製造方法。
  13. 上記第1の基板上に形成された上記グラフェン膜上に揮発成分を少なくとも1重量%以上含む樹脂層を塗布した後、この樹脂層を乾燥させて揮発成分を除去することにより、揮発成分の含有量が1重量%未満で粘着性を有する上記樹脂層を形成する請求項1記載の積層構造体の製造方法。
  14. 上記樹脂層の厚さは1μm以上30μm以下である請求項1記載の積層構造体の製造方法。
  15. 第2の基板と、
    上記第2の基板上の、粘着性を有する樹脂層と、
    上記樹脂層と貼り合わされた一層または複数層のグラフェン膜と、
    上記グラフェン膜上の透明層と
    を有する積層構造体。
  16. 上記透明層上に反射防止層、アンチグレア層、ハードコート層および防汚層からなる群より選ばれた少なくとも一つをさらに有する請求項15記載の積層構造体。
  17. 第2の基板と、
    上記第2の基板上の、粘着性を有する樹脂層と、
    上記樹脂層と貼り合わされた一層または複数層のグラフェン膜と、
    上記グラフェン膜上の透明層とを有する積層構造体を有する電子機器。
  18. 上記電子機器はディスプレイまたはタッチパネルである請求項17記載の電子機器。
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