CN102208547A - 一种柔性光电子器件用基板及其制备方法 - Google Patents
一种柔性光电子器件用基板及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102208547A CN102208547A CN 201110097125 CN201110097125A CN102208547A CN 102208547 A CN102208547 A CN 102208547A CN 201110097125 CN201110097125 CN 201110097125 CN 201110097125 A CN201110097125 A CN 201110097125A CN 102208547 A CN102208547 A CN 102208547A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substrate
- silver nanowire
- flexible
- nanowire film
- flexible substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 113
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims description 15
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical group [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 70
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 45
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 claims abstract description 41
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 claims abstract description 41
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims abstract description 21
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 claims description 24
- -1 polyethylene Polymers 0.000 claims description 22
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 9
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 7
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 claims description 7
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 claims description 7
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims description 7
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 claims description 7
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 claims description 7
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 7
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims description 7
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 claims description 7
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 6
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 claims description 5
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 claims description 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 claims description 5
- 229920006260 polyaryletherketone Polymers 0.000 claims description 5
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 claims description 5
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 claims description 5
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 claims description 5
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 2
- 238000001338 self-assembly Methods 0.000 claims description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims 4
- HGAZMNJKRQFZKS-UHFFFAOYSA-N chloroethene;ethenyl acetate Chemical compound ClC=C.CC(=O)OC=C HGAZMNJKRQFZKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- ZETYUTMSJWMKNQ-UHFFFAOYSA-N n,n',n'-trimethylhexane-1,6-diamine Chemical compound CNCCCCCCN(C)C ZETYUTMSJWMKNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229920001083 polybutene Polymers 0.000 claims 2
- MHSKRLJMQQNJNC-UHFFFAOYSA-N terephthalamide Chemical compound NC(=O)C1=CC=C(C(N)=O)C=C1 MHSKRLJMQQNJNC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 claims 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 claims 1
- 239000002042 Silver nanowire Substances 0.000 abstract description 60
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 abstract description 2
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 55
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 39
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 17
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 9
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 6
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 6
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 6
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 229920006111 poly(hexamethylene terephthalamide) Polymers 0.000 description 5
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 5
- 229940068984 polyvinyl alcohol Drugs 0.000 description 5
- 235000019422 polyvinyl alcohol Nutrition 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920001748 polybutylene Polymers 0.000 description 3
- 238000001029 thermal curing Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002845 Poly(methacrylic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004702 methyl esters Chemical class 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 description 1
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Abstract
本发明公开了一种柔性光电子器件用基板，包括柔性衬底和导电层，所述柔性衬底和导电层由以下两种方式中的一种构成：①所述柔性衬底为透明介电性聚合物材料，所述导电层为银纳米线薄膜，所述银纳米线薄膜的空隙中填充有碳纳米管；②所述柔性衬底为掺杂碳纳米管的透明介电性聚合物材料，所述导电层为银纳米线薄膜，所述银纳米线薄膜的空隙中填充有掺杂碳纳米管的透明介电性聚合物材料。该基板解决了银纳米线薄膜粗糙度大以及银纳米线薄膜与柔性衬底之间结合力差的问题，提高了银纳米线薄膜的电导率和表面的平整度，增加了银纳米线薄膜与柔性衬底之间结合力。
Description
技术领域
本发明涉及有机光电子技术领域，具体涉及一种柔性光电子器件用基板及其制备方法。
背景技术
光电子技术是继微电子技术之后迅速发展的科技含量很高的产业。随着光电子技术的快速发展，太阳能电池、光影像传感器、平面显示器、薄膜晶体管等光电子产品都逐渐发展成熟，它们大大改善了人们的生活。同时，光电子信息技术在社会生活各个领域的广泛应用，也创造了日益增长的巨大市场。发达国家都把光电信息产业作为重点发展的领域之一，光电子信息领域的竞争正在世界范围展开。
目前有机光电子器件大都是制备在刚性基板(如玻璃或硅片上)，他们虽然具有优良的器件性能，但抗震动，抗冲击的能力较弱，重量相对较重，携带不甚方便，在某些场合的应用受到很大的限制。人们开始试图将有机光电子器件沉积在柔性基板上而不是刚性基板上。
用柔性基板代替刚性基板的好处是产品更轻、不易破碎、所占空间小且更便于携带。但是，尽管有这些优点，用柔性基板代替刚性基板还存在许多限制，柔性器件的制备仍然有许多基础问题需要解决。对于柔性衬底来说，由于柔性衬底的表面平整性远不及刚性衬底，而对柔性衬底进行表面平滑处理要特殊的设备且工艺难度较大，提高了基板的生产成本；柔性衬底的水、氧透过率远大于刚性衬底，导致光电子器件受从基板透过的水氧的影响，降低了器件的性能。
对于电极层来说，常规的电极层材料In2O3:SnO2(ITO)用作柔性基板的电极存在以下缺点：(1)ITO中的铟有剧毒，在制备和应用中对人体有害；(2)ITO中的In2O3价格昂贵，成本较高；(3)ITO薄膜易受到氢等离子体的还原作用，功效降低，这种现象在低温、低等离子体密度下也会发生；(4)在柔性衬底上的ITO薄膜会因为柔性衬底的弯曲而出现电导率下降的现象；(5)采用厚的ITO层会降低透光率，50-80％的光线在玻璃、ITO和有机层吸收掉，采用薄的ITO层工艺难度较大。近年来，由于银纳米线薄膜具有较高的电导率和可见光透过率已成为潜在的可代替ITO的电极材料，但银纳米线薄膜存在表面粗糙度大以及银纳米线薄膜与柔性衬底之间结合力差的缺点，降低了基于银纳米线薄膜电极的光电子器件的性能。
因此，如果能够解决上述这些问题，将会使光电子器件得到更为广泛的应用和更加快速的发展。
发明内容
本发明所要解决的问题是：如何提供一种柔性光电子器件用基板及其制备方法，该基板解决了银纳米线薄膜粗糙度大以及银纳米线薄膜与柔性衬底之间结合力差的问题，提高了银纳米线薄膜表面的平整度以及银纳米线薄膜与柔性衬底之间结合力。
本发明所提出的技术问题是这样解决的：提供一种柔性光电子器件用基板，包括柔性衬底和导电层，其特征在于，所述柔性衬底和导电层由以下两种方式中的一种构成：①所述柔性衬底为透明介电性聚合物材料，所述导电层为银纳米线薄膜，所述银纳米线薄膜的空隙中填充有碳纳米管；②所述柔性衬底为掺杂碳纳米管的透明介电性聚合物材料，所述导电层为银纳米线薄膜，所述银纳米线薄膜的空隙中填充有掺杂碳纳米管的透明介电性聚合物材料。
按照本发明所提供的柔性光电子器件用基板，其特征在于，在第②种结构中碳纳米管的掺杂质量比小于或等于40％。
按照本发明所提供的柔性光电子器件用基板，其特征在于，所述透明介电性聚合物材料包括聚乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚氨基甲酸酯、聚酰亚胺、氯醋树脂聚丙烯酸、聚芳醚酮、聚偏氟乙烯、聚酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚丙烯酸酯、聚对苯二甲酰三甲基己二胺、聚丁烯或聚乙烯醇。
一种柔性光电子器件用基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
①对表面粗糙度小于1nm的刚性基板(如玻璃或硅片)进行清洗，清洗后用干燥氮气吹干；
②采取旋涂或喷涂或自组装或喷墨打印或丝网印刷的方式在洁净的基板上制备银纳米线薄膜；
③在银纳米线薄膜上旋涂或喷涂掺杂碳纳米管的透明介电性聚合物材料层，或先旋涂或滴涂或喷涂含碳纳米管的溶液，再旋涂或滴涂或喷涂透明介电性聚合物材料层，所述透明介电性聚合物材料包括聚乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚氨基甲酸酯、聚酰亚胺、氯醋树脂聚丙烯酸、聚芳醚酮、聚偏氟乙烯、聚酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚丙烯酸酯、聚对苯二甲酰三甲基己二胺、聚丁烯或聚乙烯醇；
④对刚性基板表面进行热固化处理；
⑤将银纳米线薄膜和固化后的透明介电性聚合物材料层或掺杂碳纳米管的透明介电性聚合物材料层剥离刚性基板表面，形成柔性导电基板；
⑥测试柔性导电基板的透过率、电导率和表面形貌的各项参数。
本发明的有益效果：本发明的导电层在粗糙度小的刚性基板上制备，导电层空隙中填充有碳纳米管或掺杂碳纳米管的透明介电性聚合物材料，将导电层从刚性基板表面剥离，形成柔性基板的导电层，不仅提高了导电层表面的平整度，而且增加了导电层的电导率；本发明的柔性衬底中的透明介电性聚合物材料具有高的可见光透过率的特点，提高了柔性基板的可见光透过率；采用先制备导电层再制备柔性衬底的方式形成柔性基板，增加了导电层与柔性衬底间的结合力。
附图说明
图1是本发明实施例1-9的柔性光电子器件用基板的结构示意图；
图2是本发明实施例1中的基板的可见光透过率。
其中，1、柔性衬底，2、导电层。
具体实施方式
下面结合附图以及实施例对本发明作进一步描述：
本发明的技术方案是提供一种柔性光电子器件用基板，如图1所示，器件的结构包括柔性衬底1，导电层2。
本发明中柔性衬底1为导电层的依托，它有较好的弯折性能，有一定的防水汽和氧气渗透的能力，有良好的化学稳定性和热稳定性，导电层2要求有良好的导电能力，柔性衬底1和导电层2由以下两种方式构成：①所述柔性衬底为透明介电性聚合物材料，所述导电层为银纳米线薄膜，所述银纳米线薄膜的空隙中填充有碳纳米管；②所述柔性衬底为掺杂碳纳米管的透明介电性聚合物材料，所述导电层为银纳米线薄膜，所述银纳米线薄膜的空隙中填充有掺杂碳纳米管的透明介电性聚合物材料，所述透明介电性聚合物材料包括聚乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚氨基甲酸酯、聚酰亚胺、氯醋树脂聚丙烯酸、聚芳醚酮、聚偏氟乙烯、聚酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚丙烯酸酯、聚对苯二甲酰三甲基己二胺、聚丁烯或聚乙烯醇。
以下是本发明的具体实施例：
实施例1
如图1所示基板结构，柔性衬底1采用聚甲基丙烯酸甲酯，导电层2采用银纳米线薄膜，所述银纳米线薄膜的空隙中填充碳纳米管。
制备方法如下：
①对表面粗糙度小于1nm的硅基板进行清洗，清洗后用干燥氮气吹干；
②将银纳米线均匀分散在溶剂中，采取旋涂方式在洁净的硅基板上制备银纳米线薄膜，旋涂时转速为4000转/秒，时长60秒，膜厚约为80纳米；
③在银纳米线薄膜上喷涂含碳纳米管的溶液，将硅基板在80℃的环境中放置30分钟，除去银纳米线薄膜中残存的溶剂，再在银纳米线薄膜上喷涂聚甲基丙烯酸甲酯；
④对硅基板表面进行热固化处理；
⑤将银纳米线薄膜和固化后的聚甲基丙烯酸甲酯层剥离硅基板表面，形成柔性导电基板；
⑥测试柔性导电基板的透过率、电导率和表面形貌的各项参数。
实施例2
如图1所示基板结构，柔性衬底1采用聚碳酸酯，导电层2采用银纳米线薄膜，所述银纳米线薄膜的空隙中填充碳纳米管。
制备方法如下：
①对表面粗糙度小于1nm的硅基板进行清洗，清洗后用干燥氮气吹干；
②将银纳米线均匀分散在溶剂中，采取旋涂方式在洁净的硅基板上制备银纳米线薄膜，旋涂时转速为4000转/秒，时长60秒，膜厚约为80纳米；
③在银纳米线薄膜上喷涂含碳纳米管的溶液，将硅基板在80℃的环境中放置30分钟，除去银纳米线薄膜中残存的溶剂，再在银纳米线薄膜上喷涂聚碳酸酯；
④对硅基板表面进行热固化处理；
⑤将银纳米线薄膜和固化后的聚碳酸酯层剥离硅基板表面，形成柔性导电基板。
⑥测试柔性导电基板的透过率、电导率和表面形貌的各项参数。
实施例3
如图1所示基板结构，柔性衬底1采用聚偏氟乙烯，导电层2采用银纳米线薄膜，所述银纳米线薄膜的空隙中填充碳纳米管。
制备方法如下：
①对表面粗糙度小于1nm的硅基板进行清洗，清洗后用干燥氮气吹干；
②将银纳米线均匀分散在溶剂中，采取喷墨打印的方式在洁净的硅基板上制备银纳米线薄膜；
③在银纳米线薄膜上喷涂含碳纳米管的溶液，将硅基板在80℃的环境中放置30分钟，除去银纳米线薄膜中残存的溶剂，再在银纳米线薄膜上喷涂聚偏氟乙烯；
④对硅基板表面进行热固化处理；
⑤将银纳米线薄膜和固化后的聚偏氟乙烯层剥离硅基板表面，形成柔性导电基板。
⑥测试柔性导电基板的透过率、电导率和表面形貌的各项参数。
实施例4
如图1所示基板结构，柔性衬底1采用掺杂碳纳米管的聚萘二甲酸乙二醇酯，所述碳纳米管的掺杂质量比为5％，导电层2采用银纳米线薄膜，所述银纳米线薄膜的空隙中填充掺杂碳纳米管的聚萘二甲酸乙二醇酯。
制备方法与实施例1相似。
实施例5
如图1所示基板结构，柔性衬底1采用掺杂碳纳米管的聚酰亚胺，所述碳纳米管的掺杂质量比为10％，导电层2采用银纳米线薄膜，所述银纳米线薄膜的空隙中填充掺杂碳纳米管的聚酰亚胺。
制备方法与实施例1相似。
实施例6
如图1所示基板结构，柔性衬底1采用掺杂碳纳米管的聚酯，所述碳纳米管的掺杂质量比为15％，导电层2采用银纳米线薄膜，所述银纳米线薄膜的空隙中填充掺杂碳纳米管的聚酯。
制备方法与实施例1相似。
实施例7
如图1所示基板结构，柔性衬底1采用掺杂碳纳米管的聚丙烯酸酯，所述碳纳米管的掺杂质量比为20％，导电层2采用银纳米线薄膜，所述银纳米线薄膜的空隙中填充掺杂碳纳米管的聚丙烯酸酯。
制备方法与实施例1相似。
实施例8
如图1所示基板结构，柔性衬底1采用掺杂碳纳米管的聚对苯二甲酰三甲基己二胺，所述碳纳米管的掺杂质量比为30％，导电层2采用银纳米线薄膜，所述银纳米线薄膜的空隙中填充掺杂碳纳米管的聚对苯二甲酰三甲基己二胺。
制备方法与实施例1相似。
实施例9
如图1所示基板结构，柔性衬底1采用掺杂碳纳米管的聚乙烯醇，所述碳纳米管的掺杂质量比为40％，导电层2采用银纳米线薄膜，所述银纳米线薄膜的空隙中填充掺杂碳纳米管的聚乙烯醇。
制备方法与实施例1相似。
Claims (4)
1.一种柔性光电子器件用基板，包括柔性衬底和导电层，其特征在于，所述柔性衬底和导电层由以下两种方式中的一种构成：①所述柔性衬底为透明介电性聚合物材料，所述导电层为银纳米线薄膜，所述银纳米线薄膜的空隙中填充有碳纳米管；②所述柔性衬底为掺杂碳纳米管的透明介电性聚合物材料，所述导电层为银纳米线薄膜，所述银纳米线薄膜的空隙中填充有掺杂碳纳米管的透明介电性聚合物材料。
2.根据权利要求1所述的柔性光电子器件用基板，其特征在于，在第②种结构中碳纳米管的掺杂质量比小于或等于40％。
3.根据权利要求1所述的柔性光电子器件用基板，其特征在于，所述透明介电性聚合物材料包括聚乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚氨基甲酸酯、聚酰亚胺、氯醋树脂聚丙烯酸、聚芳醚酮、聚偏氟乙烯、聚酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚丙烯酸酯、聚对苯二甲酰三甲基己二胺、聚丁烯和聚乙烯醇。
4.一种柔性光电子器件用基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
①对表面粗糙度小于1nm的刚性基板进行清洗，清洗后用干燥氮气吹干；
②采取旋涂或喷涂或自组装或喷墨打印或丝网印刷的方式在洁净的基板上制备银纳米线薄膜；
③在银纳米线薄膜上旋涂或喷涂掺杂碳纳米管的透明介电性聚合物材料层，或先旋涂或滴涂或喷涂含碳纳米管的溶液，再旋涂或喷涂透明介电性聚合物材料层，所述透明介电性聚合物材料包括聚乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚氨基甲酸酯、聚酰亚胺、氯醋树脂聚丙烯酸、聚芳醚酮、聚偏氟乙烯、聚酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚丙烯酸酯、聚对苯二甲酰三甲基己二胺、聚丁烯或聚乙烯醇；
④对刚性基板表面进行热固化处理；
⑤将银纳米线薄膜和固化后的透明介电性聚合物材料层或掺杂碳纳米管的透明介电性聚合物材料层剥离刚性基板表面，形成柔性导电基板；
⑥测试柔性导电基板的透过率、电导率和表面形貌的各项参数。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2011100971257A CN102208547B (zh) | 2011-04-18 | 2011-04-18 | 一种柔性光电子器件用基板及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2011100971257A CN102208547B (zh) | 2011-04-18 | 2011-04-18 | 一种柔性光电子器件用基板及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102208547A true CN102208547A (zh) | 2011-10-05 |
| CN102208547B CN102208547B (zh) | 2013-11-20 |
Family
ID=44697278
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2011100971257A Expired - Fee Related CN102208547B (zh) | 2011-04-18 | 2011-04-18 | 一种柔性光电子器件用基板及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN102208547B (zh) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103871548A (zh) * | 2014-02-28 | 2014-06-18 | 南京邮电大学 | 一种柔性透明薄膜电极及其制作方法 |
| CN106750431A (zh) * | 2016-12-15 | 2017-05-31 | 大连理工大学 | 一种聚合物柔性薄膜的制备方法 |
| CN106947110A (zh) * | 2017-05-16 | 2017-07-14 | 安徽大学 | 一种利用化学镀银提高聚偏氟乙烯复合材料导热导电性能的方法 |
| US20180033516A1 (en) * | 2015-01-30 | 2018-02-01 | Nanyang Technological University | Method of interconnecting nanowires, nanowire network and transparent condutive electrode |
| CN110085371A (zh) * | 2019-05-15 | 2019-08-02 | 大连大学 | 一种以peak为基底的耐高温柔性导电材料及其制备方法 |
| CN113981605A (zh) * | 2021-11-01 | 2022-01-28 | 东南大学 | 一种基于电子墨水的彩色图形化变色织物及制备方法 |
| CN114762024A (zh) * | 2019-12-26 | 2022-07-15 | Ａｇｃ株式会社 | 柔性透明电子器件的制造方法以及物品 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101550260A (zh) * | 2009-05-15 | 2009-10-07 | 吉林大学 | 一种含有银纳米线的高介电复合材料及其制备方法 |
| CN101689568A (zh) * | 2007-04-20 | 2010-03-31 | 凯博瑞奥斯技术公司 | 复合透明导体及其形成方法 |
| EP2251389A1 (en) * | 2005-08-12 | 2010-11-17 | Cambrios Technologies Corporation | Nanowire ink |
-
2011
- 2011-04-18 CN CN2011100971257A patent/CN102208547B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2251389A1 (en) * | 2005-08-12 | 2010-11-17 | Cambrios Technologies Corporation | Nanowire ink |
| CN101689568A (zh) * | 2007-04-20 | 2010-03-31 | 凯博瑞奥斯技术公司 | 复合透明导体及其形成方法 |
| CN101550260A (zh) * | 2009-05-15 | 2009-10-07 | 吉林大学 | 一种含有银纳米线的高介电复合材料及其制备方法 |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103871548A (zh) * | 2014-02-28 | 2014-06-18 | 南京邮电大学 | 一种柔性透明薄膜电极及其制作方法 |
| CN103871548B (zh) * | 2014-02-28 | 2016-08-31 | 南京邮电大学 | 一种柔性透明薄膜电极及其制作方法 |
| US20180033516A1 (en) * | 2015-01-30 | 2018-02-01 | Nanyang Technological University | Method of interconnecting nanowires, nanowire network and transparent condutive electrode |
| US10692621B2 (en) * | 2015-01-30 | 2020-06-23 | Kuprion Inc. | Method of interconnecting nanowires and transparent conductive electrode |
| CN106750431A (zh) * | 2016-12-15 | 2017-05-31 | 大连理工大学 | 一种聚合物柔性薄膜的制备方法 |
| CN106947110A (zh) * | 2017-05-16 | 2017-07-14 | 安徽大学 | 一种利用化学镀银提高聚偏氟乙烯复合材料导热导电性能的方法 |
| CN110085371A (zh) * | 2019-05-15 | 2019-08-02 | 大连大学 | 一种以peak为基底的耐高温柔性导电材料及其制备方法 |
| CN114762024A (zh) * | 2019-12-26 | 2022-07-15 | Ａｇｃ株式会社 | 柔性透明电子器件的制造方法以及物品 |
| CN113981605A (zh) * | 2021-11-01 | 2022-01-28 | 东南大学 | 一种基于电子墨水的彩色图形化变色织物及制备方法 |
| CN113981605B (zh) * | 2021-11-01 | 2023-02-28 | 东南大学 | 一种基于电子墨水的彩色图形化变色织物及制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102208547B (zh) | 2013-11-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102208547B (zh) | 一种柔性光电子器件用基板及其制备方法 | |
| CN102201549B (zh) | 一种柔性发光器件用基板及其制备方法 | |
| CN102201538A (zh) | 一种柔性光电子器件用基板及其制备方法 | |
| CN103109391B (zh) | 纳米线-聚合物复合材料电极 | |
| CN105070352B (zh) | 一种柔性超平透明导电薄膜及其制备方法 | |
| EP2693510B1 (en) | Substrate for organic electrode device | |
| CN102543270B (zh) | 基于石墨烯的复合膜及其制备方法、导电电极及其制备方法 | |
| CN102087884A (zh) | 基于有机聚合物和银纳米线的柔性透明导电薄膜及其制备方法 | |
| CN101034687A (zh) | 一种柔性光电子器件用基板及其制备方法 | |
| CN105280840B (zh) | 一种柔性透明电极及其制备方法 | |
| CN107068291A (zh) | 一种转移银纳米线透明导电薄膜到柔性衬底的方法 | |
| CN102087886A (zh) | 基于银纳米线的透明导电薄膜及其制备方法 | |
| CN101971345A (zh) | 纳米结构薄膜lcd设备 | |
| CN102087885A (zh) | 平坦化的银纳米线透明导电薄膜及其制备方法 | |
| CN103824615B (zh) | 气相聚合聚3,4-乙撑二氧噻吩和石墨烯叠层柔性透明电极的方法 | |
| CN103440896A (zh) | 铜纳米线和聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)复合柔性透明电极及其制备方法 | |
| CN106601382A (zh) | 一种柔性透明导电膜的制备方法 | |
| WO2012102561A2 (ko) | 환원 그래핀 옥사이드와 탄소나노튜브로 구성된 전도성 박막의 제조방법 및 이에 의해 제조된 전도성 박막을 포함하는 투명전극 | |
| CN103854723B (zh) | 一种应用有序导电薄膜的器件 | |
| CN107799236A (zh) | 一种石墨烯电极快速制备方法 | |
| CN106057359A (zh) | 一种嵌入式多取向金属纳米线透明导电薄膜的制备方法 | |
| TW201239906A (en) | Hybrid conductive composite | |
| CN103236323A (zh) | 金属纳米线和金属氧化物复合透明导电薄膜的制备方法 | |
| KR20120001684A (ko) | 투명 전도성막, 이의 제조 방법, 및 이를 이용한 투명전극 및 소자 | |
| CN106229037B (zh) | 一种柔性复合透明导电膜及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C17 | Cessation of patent right | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20131120 Termination date: 20140418 |