JPH07169635A

JPH07169635A - 電子部品およびその製造方法

Info

Publication number: JPH07169635A
Application number: JP22658494A
Authority: JP
Inventors: Masaaki Hayama; 雅昭葉山; Noboru Mori; 昇毛利; Keiichi Nakao; 恵一中尾
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1993-09-21
Filing date: 1994-09-21
Publication date: 1995-07-04
Anticipated expiration: 2015-05-08
Also published as: JP3039285B2

Abstract

(57)【要約】【目的】転写によって導体パターンを絶縁基板上に形
成する凹版印刷において、高精度で微細なパターンを形
成でき、かつ、ビアホール電極も同時に形成して導体パ
ターンの高性能な積層構造を容易に製造できる電子部品
の製造方法、及びそのような方法によって製造された電
子部品を提供することを目的とする。【構成】可とう性樹脂の表面にレーザ加工によって任
意の位置の溝が他の箇所より深いパターンを形成し、そ
の表面に剥離層２３を形成して凹版２０を形成する。凹
版２０にＡｇペースト２４を充填して、乾燥させる。熱
可塑性の樹脂層２８を表面に設けた絶縁基板２上に熱ロ
ーラ２６，２７を利用して凹版２０をラミネートした後
に、凹版２０と絶縁基板２とを剥離してＡｇペーストの
パターンを転写して、焼成によって導体パターンを形成
する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、各種電子機器に用いる
電子部品およびその製造方法に関し、特に、凹版印刷に
よって製造される電子部品およびその製造方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子機器の小型化が進んでおり、
それに伴って電子機器内で使用される電子部品の小型化
が進んでいる。このような状況の下で、電子部品の導体
パターンに対しても、パターンを構成する導体ライン
（以下、単にラインと称する）の微細化、ライン抵抗を
下げることを目的とした導体パターンを構成する導電膜
の厚さの増加、さらに小型化のための積層構造化が要求
されている。

【０００３】従来の電子部品の導体パターンは、スクリ
ーン印刷や凹版印刷などの印刷法で銀ペーストや銅ペー
ストなどの導電性ペーストのパターンを被形成物（基
板）上に印刷して、これを焼成して形成されてきた。例
えば、凹版印刷法の応用としては、特開平４−２４０７
９２号公報に開示されているように、形成すべき導体パ
ターンに対応した凹版内に導電ペースト（有機金属イン
ク）を充填し、その導電ペーストを乾燥・硬化させてか
ら、被形成物である基板上に硬化性樹脂を介してそのパ
ターンを転写することによって、所望の導体パターンを
形成する印刷方法が知られている。

【０００４】さらに、ハイブリッドＩＣ回路、サーマル
ヘッド、あるいは透明電極などでは、導体パターンにお
ける各ラインの幅、及びラインの間隔が微細になること
から、薄膜形成とエッチングとを利用した方法が用いら
れていることがある。この方法では、被形成物である基
板上に、蒸着またはスパッタリングで金、アルミニウ
ム、ＩＴＯなどの導電材料の薄膜を形成して、感光性樹
脂を用いたフォトリソグラフィー技術によって所望の導
体パターンに対応したマスクパターンを形成し、次にエ
ッチング液及びマスクパターンを用いたエッチングを行
って導電材料の薄膜をエッチングし、最後に感光性樹脂
を除去して導体パターンを形成する。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
従来の方法は、以下のような問題点を有している。

【０００６】従来のスクリーン印刷は比較的安価な設備
で実行することができ、また必要な工程数は少ない。し
かし、形成すべき導体パターンのラインの幅が７０μｍ
以下であるような微細導体パターンを、スクリーン印刷
で形成することは困難である。また、ラインピッチを１
５０μｍ以下に低減することは困難である。また、スク
リーン印刷では導体パターンは一様に印刷されるので、
設計上の要求に合わせてパターン中に高低差（ラインの
高さの差）を設けることはできない。

【０００７】従来の凹版印刷では、ラインの幅が５０μ
ｍ程度でラインピッチ１００μｍ程度の微細導体パター
ンを形成することが可能であるが、５μｍ以上の厚さを
有する導体膜を形成することが困難であって、導体抵抗
の低減に限界がある。

【０００８】一方、電子部品の所望の高密度化を達成す
るためには、各層の導体パターンの微細化だけでは十分
ではないことがあり、したがって積層構造の形成が必要
になる。そのような積層構造では、下層導体パターン、
絶縁層、上層導体パターンというサンドイッチ構造が幾
重も重なって形成される。この場合、上下層の導体パタ
ーンを接続するビアホールを形成する必要があるが、導
体パターンの微細化にともなってそれらビアホールの微
細化も必要になってきている。しかし、上述の特開平４
−２４０７９２号公報に開示されている方法も含めて、
従来の印刷方法では、直径１００μｍ以下であるような
微細なビアホールの形成は困難である。

【０００９】さらに、上下層の導体パターン間の確実な
電気的接続を得るためには、ビアホールの内部に上下層
を接続する電極（以下、ビアホール電極と称する）を形
成する必要がある。しかし、従来の方法では、もし直径
１００μｍ以下の微細なビアホールが形成できたとして
も、そのような寸法のビアホール内部に電極を形成する
ことは困難である。

【００１０】また、従来の凹版印刷では、一般にガラス
やシリコンウエハなどの剛体材料で形成された凹版を使
用する。その場合、硬化性樹脂を介してセラミックやガ
ラス基板などの被形成物上に導体パターンを転写する工
程において、接着している凹版と被形成物とを剥離しよ
うとしても、凹版の変形がほとんど生じない。その結
果、面同士で接着している凹版と被形成物とを剥離しな
ければならず、強い剥離力が必要になる。

【００１１】この点を解決するために、凹版として金属
シートを用いてフレキシブル性を得ることがある。しか
し、そのような場合でも、凹版のパターン形状の加工
（溝の形成）はウエットエッチングで行われる。このエ
ッチングは等方性エッチングになるために、ラインの幅
に対して導体膜が厚い（すなわちラインが高い）ような
導体パターンを形成するために必要になるアスペクト比
の高い凹版形状の加工ができない。

【００１２】一方、フォトリソグラフィー技術を利用し
た導体パターンの形成は、半導体技術でよくあるよう
に、ラインの幅が数μｍ以下で小面積のパターンを形成
する場合には有効である。しかし、電子部品で用いられ
る導体パターンの形成では、一般に比較的大きな面積の
パターンを形成することが必要とされる。そのような場
合には、導電膜の蒸着、レジストの塗布、露光、現像、
エッチング及びレジスト除去などの一連の工程を、大型
装置を用いて行わなければならない。その結果、使用す
る設備が高価であることから、製造コストが増加しがち
である。

【００１３】本発明は上記課題を解決するためになされ
たものであり、その目的は、（１）導体パターンのライ
ン幅が１０μｍ以下で導電膜の厚さが５μｍ以上であっ
て、かつライン幅と同程度の寸法のビアホール電極を含
むような微細な導体パターンを、低コストかつ高信頼性
で形成することができる電子部品の製造方法、（２）導
体パターンの設計上の要求に合わせて、パターン中の任
意の箇所で導体膜の厚さを他の箇所の値から変えて導体
パターンに高低差を設けることができる電子部品の製造
方法、（３）上記のような特徴を有する導体パターンを
積層化することができる電子部品の製造方法、及び
（４）上記のような方法で製造された電子部品、を提供
することである。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明の電子部品の製造
方法は、基板上に第１導体パターンを凹版印刷によって
形成する電子部品の製造方法であって、（ａ）可とう性
樹脂の表面に、溝を該第１導体パターンに対応するパタ
ーンで形成して凹版を製造する工程と、（ｂ）該凹版の
表面に、該基板と該凹版との剥離を容易にする剥離層を
設ける工程と、（ｃ）該溝に導電性ペーストを充填する
工程と、（ｄ）該導電性ペーストを乾燥する工程と、
（ｅ）該工程（ｄ）で乾燥された該導電性ペーストを再
軟化させて乾燥による体積減少分を補うために追加の導
電ペーストを再充填する工程と再充填後の該導電ペース
トを再乾燥する工程とを所定の回数繰り返す工程と、
（ｆ）該凹版と該基板とを所定の範囲の熱及び所定の範
囲の圧力を加えることによってラミネートして貼り合わ
せる工程と、（ｇ）該凹版を該基板から剥離して、該導
電ペーストのパターンを該基板上に転写する工程と、
（ｈ）転写された該導電ペーストのパターンを焼成し
て、該第１導体パターンを形成する工程と、を包含して
おり、そのことによって上記目的が達成される。

【００１５】ある実施例では、前記工程（ａ）で、前記
凹版に形成される前記溝の一部を他の箇所より深く形成
して、それによって、前記第１導体パターンの一部に高
さの差を設ける。

【００１６】他の実施例では、（ｉ）前記第１導体パタ
ーンの少なくとも一部を覆う絶縁層を形成する工程と、
（ｊ）該絶縁層の表面に第２導体パターンを形成する工
程と、（ｋ）該第１導体パターンの該絶縁層によって覆
われていない部分に、該第１導体パターンと該第２導体
パターンとを電気的に接続する電極を設ける工程と、を
さらに包含する。

【００１７】さらに他の実施例では、（ｌ）前記第１導
体パターンの少なくとも一部を覆う絶縁層を形成する工
程と、（ｍ）該絶縁層の表面に第２導体パターンを形成
する工程と、をさらに包含しており、該第１導体パター
ンのうちで高さが高く形成されている箇所を電極として
使用して、該第１導体パターンと該第２導体パターンと
を電気的に接続する。前記絶縁層の表面に平坦部を設け
るべき箇所に対応する前記第１導体パターンの部分を低
く形成してもよい。さらに、前記絶縁層の表面の前記平
坦部にＩＣチップをフェースダウン実装する工程をさら
に包含してもよい。好ましくは、前記絶縁層が磁性材料
によって形成されている。

【００１８】ある実施例では、前記工程（ａ）におい
て、紫外領域の発振周波数を有するレーザを用いて前記
溝を形成する。好ましくは、前記レーザがエキシマレー
ザである。

【００１９】他の実施例では、前記剥離層が、フッ化炭
素系の単分子膜である。さらに他の実施例では、前記導
電性ペーストに可塑剤が添加されていて可とう性を有し
ている。

【００２０】さらに他の実施例では、前記凹版に形成さ
れる前記溝が、側面にテーパ角を有する断面形状を有し
ている。

【００２１】さらに他の実施例では、前記基板が、前記
基板と、該絶縁基板の少なくとも一方の表面に形成され
た厚さ２０μｍ以下の樹脂層とを備え、該樹脂層は熱硬
化性樹脂または熱可塑性樹脂である。好ましくは、前記
絶縁基板が誘電材料から形成されている。あるいは、前
記絶縁基板が磁性材料から形成されている。

【００２２】さらに他の実施例では、前記基板がグリー
ンシートから形成されている。本発明の電子部品は、基
板と、可とう性樹脂のレーザ加工によって形成された凹
版を使用した凹版印刷によって該基板上に転写された第
１導体パターンと、を備えており、そのことによって上
記目的が達成される。

【００２３】ある実施例では、前記第１導体パターンの
少なくとも一部を覆う絶縁層と、該絶縁層の表面に形成
された第２導体パターンと、該第１導体パターンの該絶
縁層によって覆われていない箇所に設けられて、該第１
導体パターンと該第２導体パターンとを電気的に接続す
る電極と、をさらに備える。

【００２４】他の実施例では、前記第１導体パターンの
一部に高さの差が設けられている。さらに他の実施例で
は、前記第１導体パターンの少なくとも一部を覆う絶縁
層と、該絶縁層の表面に形成された第２導体パターン
と、をさらに備えており、該第１導体パターンのうちで
高さが高く形成されている箇所を電極として使用して、
該第１導体パターンと該第２導体パターンとを電気的に
接続する。

【００２５】前記絶縁層の表面に平坦部を設けるべき箇
所に対応する前記第１導体パターンの部分が低く形成さ
れていてもよい。さらに、前記絶縁層の表面の前記平坦
部にフェースダウン実装されたＩＣチップをさらに備え
ていてもよい。

【００２６】

【作用】上記のように、本発明では、基板上に形成され
た導体パターン（第１導体パターン）を有する電子部品
を製造するにあたって、可とう性を有する樹脂の表面
に、形成されるべき導体パターンに対応した溝パターン
を形成して、凹版を形成する。そして、この凹版に導電
ペーストを充填して、乾燥させる。さらに、充填・乾燥
工程を繰り返した後に、基板と凹版とをラミネートす
る。そして、凹版を剥離して導電ペーストのパターンを
基板上に転写した後に、導電ペーストを焼成して、所望
の導体パターンを形成する。

【００２７】また、第１導電パターンを覆う絶縁層を設
けて、その表面に他の導体パターン（第２導体パター
ン）を形成することもできる。上下層（第１及び第２）
の導体パターンの接続にあたっては、両者を接続する電
極を別工程で設けることもでき、また第１導体パターン
の一部にあらかじめ高さの差を設けて、高く形成された
部分を電極として使用することもできる。

【００２８】また、前記絶縁層の表面で特に平坦部とし
たい場所に対応する箇所の第１導体パターンを低く形成
することによって、導体パターンの高低変化が絶縁層表
面の平坦度に及ぼす影響が軽減されて、平坦度が向上す
る。したがって、この平坦部分に、ＩＣチップをフェー
スダウン実装することが容易になる。

【００２９】第１導体パターンに対応した溝の形成にあ
たっては、紫外波長領域で発振するレーザ光、たとえば
エキシマレーザを使用できる。

【００３０】また、フッ化炭素系の単分子膜からなる剥
離層を凹版表面に設けることによって、凹版と基板との
剥離を容易に行うことができるようになる。

【００３１】さらに、導電性ペーストに可塑剤を添加す
ることによって、乾燥工程後でもその可とう性を保つこ
とが可能になる。

【００３２】凹版表面の溝の側面がテーパ角を有するよ
うに形成することによって、溝内部に充填された導電ペ
ーストの良好な転写が行われる。

【００３３】転写対象になる基板は、絶縁基板とその表
面に形成された樹脂層とからなることが望ましい。絶縁
基板表面の樹脂層は、導体パターンの転写時に接着層と
して機能する。また、絶縁基板の材料としては、製造さ
れる電子部品に所望の特性を付与することができるよう
に、誘電材料や磁性材料などを適宜使用することができ
る。さらに、基板をグリーンシートで形成すれば、表面
への樹脂層の形成を省略することができる。

【００３４】

【実施例】以下に、本発明の電子部品の製造方法の実施
例を、図面を参照して説明する。

【００３５】（実施例１）本発明の電子部品の製造方法
の第１の実施例を、高周波用チップインダクタ１の製造
方法を例にとって、図１〜１０を参照して以下に説明す
る。なお、以下の図面で、同じ構成要素には同じ参照番
号をつけている。

【００３６】図１（ａ）には本実施例のチップインダク
タ１の平面図、図１（ｂ）には図１（ａ）の１Ｂ−１
Ｂ′線におけるチップインダクタ１の断面図を、それぞ
れ示す。

【００３７】チップインダクタ１は２×１．２５mmの絶
縁基板２の中央部付近の表面に形成されたスパイラル状
のコイル導体（ライン）３、及び絶縁基板２の両縁部に
形成された端子電極４ａ及び４ｂを有している。コイル
導体３の外端３ａは、一方の端子電極４ａに接続されて
いる。コイル導体３の内端３ｂは、リード電極６及びビ
アホール電極７を介してもう一方の端子電極４ｂに接続
されている。このリード電極６は、コイル導体３の形成
後にそれを覆うように絶縁基板２の表面に形成される絶
縁層５の最表面に、さらに設けられている。また、ビア
ホール電極７は、絶縁層５の最表面に存在するリード電
極６と、絶縁層５の最下面に存在するコイル導体３とを
接続している。

【００３８】チップインダクタ１は、凹版印刷によって
製造される。以下、その製造方法を順に説明する。以下
の説明に現れる各工程２１０〜３１０は、図２のブロッ
ク図に示されている。

【００３９】まず、図３を参照して、使用される凹版２
０の製造工程２１０を説明する。凹版２０は、ＸＹステ
ージ１６上に固定された厚さ１２５μｍのポリイミドフ
ィルム１５上に形成される。エキシマレーザ装置１１か
ら出射された紫外領域の波長２４８nmのレーザビーム
は、形成されるべきコイルのスパイラルパターン及び端
子電極のパターンに対応するマスクパターンを有するマ
スク１２を照射する。マスク１２通過後のレーザビーム
は、ミラー１３で反射され、イメージングレンズ１４で
縮小されて、ポリイミドフィルム１５上を照射する。ポ
リイミドフィルム１５のうち、レーザビームで照射され
た部分は光化学反応で分解されて、導体パターンのライ
ンに相当する溝２１（図４参照）が形成される。これに
よって、所望のパターンに対応した凹版２０が形成され
る。ＸＹステージ１６を移動させながら上記の照射動作
を繰り返すことによって、典型的には、１００mm×１０
０mmのポリイミドフィルム１５上に、サイズ２×１．２
５mmの凹版２０が計４０００個形成される。

【００４０】エキシマレーザによる加工は、炭酸ガスレ
ーザやＹＡＧレーザによる加工が赤外波長領域のレーザ
ビームによる熱分解加工であるのに対して、ピークパワ
ーが数１０ＭＷに達する紫外波長領域のレーザビームに
よる光分解加工である。また、レーザビームのパルス幅
が短いために、加工領域以外の周囲への熱的影響が少な
い。その結果、エキシマレーザによる加工では、パター
ンのライン幅が１０μｍ以下の微細な加工を行うことが
できる。

【００４１】また、レーザビームが照射された部分のポ
リイミドフィルム１５の表面は、フィルムを構成する分
子の結合が切断されていて、化学的に非常に活性化され
た状態にある。したがって、その部分では化学結合が起
こりやすい。この特徴は、後述する剥離層の形成に有利
である。

【００４２】図４は、上記の方法で形成された凹版２０
の溝２１の典型的な断面形状を示す。レンズの焦点深度
などレーザ加工工程で使用される光学系の特性を適切に
調整することによって、溝２１は、その側面が２〜６０
°のテーパ角を有する台形状の断面形状を有するように
形成される。これによって、後の工程で、溝２１の内部
に充填される導電ペーストの被形成物上への転写が、容
易に実施できるようになる。なお、使用されるレーザビ
ームの形状は、典型的には、エキシマレーザ装置１１か
らの出射時で８×２４mmの長方形で、ポリイミドフィル
ム１５への照射時で３．２×９．６mmの長方形である。

【００４３】また、凹版２０の材料になるポリイミドフ
ィルム１５の加工表面に適切な保護層を設けることによ
って、溝２１の形成時に発生するプラズマとの相互作用
から凹版２０の加工面を保護することができる。これに
よって、凹版２０の表面の溝２１の開口部の変形を防ぐ
ことができる。なお、上記目的の保護層の材料として
は、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポ
リカーボネート（ＰＣ）、ポリサルフォン（ＰＳＦ）が
使用できる。

【００４４】次に、マスク１２をビアホール電極７の形
成用のマスクに交換してレーザビームをさらに照射し
て、先の工程で形成された導体パターンの溝２１の所定
の位置に、ビアホール電極７に相当する円筒形のピット
２２（図５参照）を形成する。ピット２２の形成にあた
っても、溝２１の形成時と同様に微細加工が可能であ
り、また充填された導電ペーストの転写が容易なよう
に、ピット２２がテーパ形状を有するように形成するこ
とができる。なお、円筒形以外の形状を有するピット２
２を形成することも可能である。

【００４５】以上の方法によって、幅１０μｍ〜５０μ
ｍのラインに相当する深さ２０μｍの溝２１、及び直径
４５μｍのビアホール電極に相当する直径６０μｍのピ
ット２２を含む、形成されるべき導体パターンに対応す
る凹版２０が形成される。溝２１やピット２２の深さ
は、レーザビームの照射時間だけを変化させることによ
って、ラインの幅（溝２１の幅）を変えることなく任意
に０．２μｍ単位で変更でき、最適な値にすることがで
きる。また、溝２１の幅やピット２２の直径はマスクの
寸法を変更することで、容易に調整することができる。
これによって、本発明の方法によれば、導体パターンの
ライン幅を１０μｍ以下にしたり、ビアホールの寸法を
そのような微細なラインに対応して小さくしたりするこ
とも可能である。

【００４６】なお、上述のように凹版２０の材料として
ポリイミドフィルム１５を用いることによって、本発明
によれば、可とう性（フレキシブル性）を凹版２０に持
たせることができる。そのことによって得られる効果
は、後述する。

【００４７】上記の方法で形成した凹版２０を用いて、
導体パターンを被形成物の表面に転写する。しかしなが
ら、凹版２０の材料として使用しているポリイミドフィ
ルム１５では、溝２１及びピット２２の中に充填されて
転写される導電ペーストとフィルム１５との剥離性が十
分ではない。そのため、転写工程において、溝２１及び
ピット２２の内部に導電ペーストが残存しやすい。特
に、ビアホール電極７に相当するピット２２では、その
深さが深いために導電ペーストの残存が特に顕著に発生
する。その結果、凹版２０の形状が十分に転写されない
結果になる。したがって、実質的に完全な凹版形状の転
写を実現するためには、凹版２０の表面、特に溝２１及
びピット２２の表面における剥離層の形成工程２２０が
必要である。

【００４８】発明者らは、上記問題点を解決するため
に、ポリイミドフィルム１５に対する剥離処理を、特に
導電ペーストに対する剥離力、及び処理層の寿命の点か
ら鋭意検討した。その結果、以下の方法でフッ化炭素系
単分子膜の剥離層を形成することが効果的であることを
確認した。

【００４９】まず、Ｏ₂アッシャーで酸素プラズマを凹
版２０の表面に照射して、凹版２０の表面に存在する酸
素の密度を多くする。一方、ｎ−ヘキサデカン（あるい
は、トルエン、キシレン、ジシクロヘキシルでもよい）
８０％、四塩化炭素１０％及びクロロホルム８％の混合
溶液中に、フッ化炭素基及びクロロシラン基を含む物質
を混ぜた非水性の溶媒、例えばＣＦ₃（ＣＦ₂）₇（Ｃ
Ｈ₂）₂ＳｉＣｌ₃を、約１％の濃度で溶かした溶液を調
製する。この溶液中に、上記のように酸素処理された凹
版２０を浸漬して、凹版２０の表面に酸化膜を形成す
る。この酸化膜の表面には水酸基が多数含まれており、
フッ化炭素基及びクロロシラン基を含む物質のＳｉＣｌ
基と反応して、脱塩素反応が生じる。この結果、凹版２
０の表面に共有結合によって化学吸着したフッ化炭素系
単分子膜が、凹版２０の表面全体にわたって形成され
る。この単分子膜が、剥離層２３（図５参照）として効
果的に機能する。

【００５０】剥離時に大きな剥離力を必要とする箇所は
主に溝２１及びピット２２の部分であり、剥離層２３は
主としてそのような部分に形成されることが望ましい。
一方、先に述べたように、凹版２０を構成するポリイミ
ドフィルム１５のうち、エキシマレーザによる加工で溝
２１及びピット２２が形成された部分は、化学的に活性
な状態にある。結果として、上記のフッ化炭素系単分子
膜の剥離層２３は、剥離時に大きな剥離力が必要とされ
る溝２１及びピット２２の内部に、より多く結合して形
成される。また、剥離層２３と凹版２０、すなわち上記
の単分子膜とポリイミドフィルム１５との結合は共有結
合であるので、両者は非常に強力に結合しており、剥離
効果の耐久性がある。さらに、剥離層２３の厚さは１０
０〜１０００オングストロームと薄いために、凹版２０
の形状精度に影響を与えず、凹版２０内部に多くの導電
ペーストを充填することができる。

【００５１】このように、工程２２０で凹版２０の表面
に形成される剥離層２３は、非常に優れた特性を有する
ものである。

【００５２】次に、工程２３０として、以上のように表
面に剥離層２３が形成された凹版２０の表面に、導電ペ
ーストとしてＡｇペースト２４を塗布する。そして、塗
布後の凹版２０表面をスキージ２５で掻くことによっ
て、凹版２０表面の余分なＡｇペースト２４を除去する
とともに、溝２１及びピット２２の中にＡｇペースト２
４を十分に充填する（図５参照）。

【００５３】ここで、発明者らによって行われた使用す
るスキージ２５の材質に関する検討によれば、本発明で
は、以下の理由によりセラミック製のスキージ２５の使
用が望ましいことが明らかになった。すなわち、樹脂製
またはスチール製のスキージは、Ａｇペースト２４中に
含まれる異物や凹版２０の表面に存在するほこりなどに
よって傷つきやすい。そのため、そのようなスキージ表
面のきずによって、凹版２０表面が傷つきやすくなっ
て、凹版２０の寿命が低減する。それに対して、セラミ
ック製のスキージ２５は硬いために、異物やほこりによ
る先端部の損傷が少ない。さらに、２０００番以上の細
かい研磨材でセラミック製スキージ２５の先端部を滑ら
かにすれば、長時間の摩耗による消耗も防ぐことができ
る。この結果、セラミック製のスキージ２５は、凹版２
０の表面を傷つけることが少ない。

【００５４】次に、Ａｇペースト２４を充填した凹版２
０を循環式熱風乾燥機を用いて乾燥させて、Ａｇペース
ト２４中の有機溶剤を蒸発させる（工程２４０）。これ
によって、凹版２０の溝２１及びピット２２に充填され
たＡｇペースト２４を、溝２１及びピット２２の形状に
よりフィットさせて、よりシャープな形状を得ることが
できる。なお、乾燥手段は、上記に限られるものではな
い。

【００５５】本実施例で扱っている凹版２０の表面には
比較的深い溝２１及びピット２２が形成されており、特
に、ピット２２は最大深度が６０μｍと深い。そのた
め、この乾燥工程２４０において１００℃以上の温度で
凹版２０を急速に乾燥させると、溝２１及びピット２２
の内部に充填されているＡｇペースト２４に直径５〜４
０μｍのピンホールが発生しやすい。ライン幅が５０μ
ｍ以下であるような微細な導体パターンでは、このよう
なピンホールはパターン焼成後のオープン不良の原因に
なり、良質な導体パターンの形成を妨げる。

【００５６】そこで、本発明の乾燥工程２４０では、以
下のように２段階に凹版２０の乾燥を行う。すなわち、
まず１００℃以下の温度で５分間の予備乾燥を行い、続
いて温度１５０℃で５分間の乾燥を行う。それによっ
て、上記のようなピンホールの発生を防ぐことができ、
焼成後のオープン不良の発生がない導体パターンの形成
が可能になる。

【００５７】上記の予備乾燥の実施に換えて、室温から
１５０℃までの昇温を１５℃／分以下の暖やかな温度勾
配で行うことによっても、上記と同様のピンホール発生
の抑制という効果を得ることができる。

【００５８】なお、溝２１やピット２２の内部のＡｇペ
ースト２４を上記の工程２４０で乾燥または硬化させる
と、その柔軟性が失われやすい。その結果、微細なライ
ン幅（例えば１００μｍ以下）を有する導体パターンを
転写する場合には、転写時に発生するストレスによって
Ａｇペースト２４にクラックが発生して、焼成後のオー
プン不良の原因になることがある。このような不都合を
防ぐため、本発明ではＡｇペースト２４中に０．１〜１
０wt％の可塑剤を添加する。これによって、Ａｇペース
ト２４が乾燥後にも適度な柔軟性を有するようにして、
転写工程でのクラックの発生を防ぐことができる。可塑
剤としては、フタル酸エステル系の可塑剤、例えば、フ
タル酸ジメチル、フタル酸ジエチル、あるいはフタル酸
ジオクチルを使用することができる。

【００５９】以上のような乾燥工程２４０を行うと、有
機溶剤の蒸発分に相当するだけ、溝２１やピット２２の
内部に充填されているＡｇペースト２４の体積が減少す
る。そこで、この減少分を補うために、Ａｇペースト２
４の充填工程及び乾燥工程をもう一度繰り返す。先の乾
燥工程２４０で有機溶剤が蒸発することによって一度硬
化したＡｇペースト２４は、この再充填で再び軟化す
る。この再充填工程２５０及び再乾燥工程２６０によっ
て、充填されているＡｇペースト２４の形状をさらに良
好なものに整えるとともに、Ａｇペースト２４の厚さを
凹版２０の溝２１及びピット２２の深さと同等にするこ
とができる。

【００６０】凹版２０の非パターン部、特にそれぞれの
溝２１の間の部分にＡｇペースト２４が残存している
と、導体パターンのライン間の短絡不良の原因になり得
る。このようなＡｇペースト２４の残存は、Ａｇペース
ト２４が粘性を有していて糸をひきやすいために、スキ
ージ２５による引っかき動作中に糸ひき現象が発生し
て、除去されるべき部分にＡｇペースト２４が残存して
しまうことによる。しかし、上記のように、再充填工程
２５０において、溝２１及びピット２２の内部に乾燥状
態のＡｇペースト２４が存在する状態で再充填を行う
と、非パターン部に新規に塗布されたＡｇペースト２４
の溶剤が溝２１やピット２２の内部の乾燥状態のペース
トに吸収されて、非パターン部に残存していたＡｇペー
スト２４の粘度が増加する。この結果、非パターン部の
Ａｇペースト２４をスキージで除去する場合に糸ひき現
象が発生せず、この部分の残存ペーストが容易に除去さ
れる。そのため、ライン間の短絡不良が生じない導体パ
ターンの形成を行うことができる。

【００６１】なお、本実施例の説明では、再充填工程２
５０及び再乾燥工程２６０はそれぞれ１回ずつ繰り返さ
れるが、必要に応じてそれらを２回以上繰り返すことも
可能である。

【００６２】次に、絶縁基板２上に熱可塑性樹脂層２８
を形成して、導体パターンが転写される被形成物を得
る。この樹脂層２８は、転写時の接着層として機能す
る。そして、図６に模式的に示されているように、Ａｇ
ペースト２４が充填された溝２１及びピット２２を有す
る側の凹版２０表面と熱可塑性樹脂２８とを対向させ
て、凹版２０と絶縁基板２とをラミネートする（工程２
７０）。

【００６３】後述するように、熱可塑性樹脂層２８の厚
さが極端に厚くなると、焼成時に樹脂層２８自身の燃焼
ガスが多量に発生して、導体パターンがうまく形成され
ないという問題点が発生する。発明者による検討の結
果、樹脂層２８の厚さは２０μｍ以下が適当であること
が確認されている。

【００６４】ラミネート工程２７０の温度は、使用する
樹脂層２８のガラス転移温度より３０℃低い温度から、
１００℃高い温度の範囲内に設定することが望ましい。
ラミネート温度が上記上限値より高いと、樹脂層２８の
流動性が大きくなりすぎて、ラミネート時の圧力によっ
て樹脂層２８が薄くなり、凹版２０の溝２１及びピット
２２からのＡｇペースト２４の転写が良好に行われなく
なる。一方、ラミネート温度が上記下限値より低い場合
には樹脂層２８の流動性が十分でなく、Ａｇペースト２
４と樹脂層２８との密着性が悪くなって、やはり転写が
良好に行われない。

【００６５】さらに、ラミネート時の圧力は、１kg／cm
²から絶縁基板２の割れが発生する限界圧力値までの範
囲に設定することが望ましい。圧力値が上記下限値より
小さいと、絶縁基板２の表面にうねりがある場合に、ラ
ミネート時の凹版２０と絶縁基板２との間が完全に密着
せず両者の間に気泡が混入することがある。そのような
現象は、やはり転写不良につながることがある。

【００６６】上記の検討結果を考慮して、本実施例で
は、ラミネート工程２７０を以下の条件で行う。

【００６７】まず、熱可塑性樹脂であるポリビニールブ
チラール樹脂（以下、ＰＶＢと略記する）を溶解したブ
チルカルビトールアセテートの溶液を、１００mm角のア
ルミナ製の絶縁基板２の表面に塗布して乾燥する。これ
によって、絶縁基板２の表面全体に厚さ１０μｍのＰＶ
Ｂ層２８を形成する。次に、このようにＰＶＢ層２８を
形成した絶縁基板２と、Ａｇペースト２４を充填してあ
る凹版２０とを、図６に示すように熱ローラ２６及び２
７を用いて、温度１００℃、圧力２０kg／cm²及び速度
５cm／秒の条件下でラミネートする。なお、ＰＶＢ層２
８は、ディップ法、スピンナー法、あるいはロールコー
スタを用いるコーティング法を用いて塗布すればよい。
本実施例では絶縁基板２の片面にのみＰＶＢ層２８を形
成したが、両面に形成しても良い。

【００６８】通常、絶縁基板２の表面には、図７（ａ）
または図７（ｂ）に模式的に示すように、最大幅３０μ
ｍ程度のうねりが存在する。従来のようにガラス製の凹
版２９を使用する場合には、図７（ｂ）に示すように、
ガラス凹版２９の剛性が強すぎるために、凹版２９が絶
縁基板２のうねり形状に十分に追従できない。そのた
め、ＰＶＢ層２８′の厚さを１０〜５０μｍ程度に不均
一にしてうねりを吸収して、ラミネートを行わねばなら
ない。このため、先に述べた好ましい厚さの範囲内（２
０μｍ以下）におさまるように、ＰＶＢ層２８′を形成
することができない。

【００６９】しかし、本発明のようにフレキシブル性に
富んだ樹脂製の凹版２０を使用する構成によれば、図７
（ａ）に示すように、凹版２０が絶縁基板２のうねり形
状に十分に追従できる。したがって、絶縁基板２のうね
り形状には無関係に、厚さ１０μｍ以下のＰＶＢ層２８
を絶縁基板２上に形成することができる。

【００７０】次に、転写工程２８０として、ラミネート
された凹版２０と絶縁基板２との温度を室温にまで下げ
てから凹版２０を絶縁基板２から剥離させて、導体パタ
ーンに応じてパターン化されたＡｇペースト２４の転写
を行う。

【００７１】このとき、本発明の構成では、凹版２０が
フレキシブル性に富んでいるために、図８に示されるよ
うに凹版２０を９０°以上の角度に曲げることが可能で
ある。その結果、絶縁基板２からの凹版２０の剥離は面
と線との剥離になる。このため、必要な剥離力が低減さ
れて、凹版２０を容易に剥離することができる。一方、
従来の剛性が強いガラス製凹版２９（図７（ｂ）参照）
を用いる場合には、図８に示すような角度まで凹版２９
を曲げることができず面と面との剥離になるので、大き
な剥離力が必要である。また、凹版２９の曲げ角度を大
きくし過ぎると、凹版２９または絶縁基板２にクラック
が容易に発生する。したがって、両者の剥離には多大の
注意が必要であって、作業性が良くなく、作業コストや
作業時間の増加を生じていた。

【００７２】本発明によれば、例えば溝の幅１５μｍ、
深さ２０μｍのパターンを有する凹版２０を用いても、
溝２１の内部でのＡｇペースト２４の残存がなく、上記
の溝２１の幅と実質的に同じ幅及び溝２１の深さと実質
的に同じ高さを有する導体パターンを転写・形成するこ
とができる。また、ビアホール電極部分に関しては、凹
版２０のピット２２の直径が４５μｍで深さが６０μｍ
の場合に、溝２１の場合と同様に実質的に完全に対応す
る寸法の導体パターンを転写・形成することができる。
また、導体ラインとビアホール電極とは、同一工程で一
体的に同時に形成されるので、両者の間の電気的接続が
確実に確保される。

【００７３】さらに、本実施例の高周波用チップインダ
クタ１のように高周波数領域で使用される電子部品で
は、表皮抵抗を小さくして電気的動作特性を向上させる
ために、導体パターンの表面形状をできるだけシャープ
にする必要がある。しかし、従来の銅板やガラス製の凹
版の形成に用いられていた湿式エッチングは等方性のエ
ッチングになってしまうので、アスペクト比の高い加工
ができない。そのため、パターンが微細になって形成す
べきライン幅が細くなるにつれて、深い溝を形成するこ
とができなくなる。また、溝のエッジ部が鋭利にならず
に円みを帯びてしまう。それに対して、本発明のように
エキシマレーザによって凹版２０を加工すれば、鋭角的
なエッジを有するパターンを形成することができる。さ
らに、すでに説明してきたように、転写時に溝２１やピ
ット２２の内部にＡｇペースト２４が残存しないので、
鋭角的な凹版２０の形状と同様の鋭利な形状を有するパ
ターンが転写される。したがって、本実施例にしたがっ
て形成された導体パターンは、高周波用導体として優れ
た特性を有するものになる。

【００７４】次に、上記のように導体パターンが転写さ
れた絶縁基板２を、図９に示すようなピーク温度８５０
℃の温度パターンの下で焼成する工程２９０を行う。本
発明で焼成の対象になる絶縁基板２は、ＰＶＢ層（樹脂
層）２８を介して導体パターンが形成されている構造に
なるので、焼成条件の設定によってはＰＶＢ層２８から
燃焼ガスが発生して、導体パターンの不良につながる剥
離や変形が生じることがある。そのような不都合の発生
を防ぐためには、ＰＶＢ層２８の燃焼が開始されてから
終了するまでの温度に相当する２００℃〜５００℃の間
の昇温時の温度勾配を２００℃／時間以下にすることが
望ましい。

【００７５】ラミネート工程２７０の説明に関連してす
でに若干説明したが、このような条件で焼成工程２９０
を実施する場合におけるＰＶＢ層２８の厚さと形成され
た導体パターンの性能との関係を、（表１）に示す。

【００７６】

【表１】

【００７７】（表１）より、ＰＶＢ層２８の厚さが２０
μｍ以下であれば、形状の劣化や剥離が生じることなく
所望の導体パターンを焼成することができる。しかし、
ＰＶＢ層２８の厚さが３０μｍ以上になると、焼成時に
パターンの形状不良や剥離が発生することがわかる。し
たがって、ＰＶＢ層２８の厚さは薄いほうが特性的に有
利である。これより、先に図７（ａ）及び図７（ｂ）を
参照して比較した本発明のポリイミド凹版２０と従来の
ガラス凹版２９とでは、ＰＶＢ層２８の厚さを上記の望
ましい範囲内におさめることができる本発明のポリイミ
ド凹版２０の方が、品質的に優れた導体パターンを形成
できることになる。

【００７８】また、上記のような本発明の方法によれ
ば、導体パターン中のライン３とビアホール電極７と
が、一体的に同時に形成される。これによって、ライン
３とビアホール電極７との間の確実な電気的接続が得ら
れる。

【００７９】次に、以上の工程で表面にＡｇペースト２
４による導体パターンを形成した絶縁基板２の表面に、
絶縁層５を形成するために、ガラスペーストのパターン
を印刷して形成する（工程３００）。このとき、ビアホ
ール電極７の部分は、マスク径１５０μｍのスクリーン
版を使用して、粘度２０万cpsの結晶化ガラスによって
印刷する。これより、ビアホール電極７の部分には印刷
の「にじみ」が発生して、ビアホール電極７の周囲を覆
うガラスペーストの厚さが他の部分よりも薄くなる。こ
の結果、ビアホール電極７の周囲に、ビアホール形状が
形成される。

【００８０】形成されるビアホールの径はビアホール電
極の形状によって規定されるので、これまでは形成が困
難であった直径４０μｍ程度の微少なビアホールであっ
ても、本発明によれば、簡単に印刷形成することができ
る。また、このように微少なビアホールを形成できるの
で、その分だけスパイラル状のコイルパターンのターン
数を増加させることができる。これによって、得られる
インダクタンス値を大きくすることができる。

【００８１】上記のように印刷されたガラスペーストの
パターンを、ピーク温度８２０℃に１０分間保持して焼
成し、絶縁層５を形成する。このとき、結晶化ガラスを
使用しているので、焼成中の流動が少なく、印刷された
パターン形状が良好に保たれる。

【００８２】従来の方法では、多層構造基板の上下層導
体パターンを相互に接続するために、絶縁層にスクリー
ン印刷によるパターニングまたはエッチングなどによっ
て開口部を設けてビアホールとし、さらにそこに電極材
料を埋め込んでビアホール電極を形成していた。しか
し、この方法では、電極の埋め込み工程における不良に
よって、上層または／及び下層の導体パターンとビアホ
ール電極との電気的接続が十分でないことによる下層の
導体パターンと上層の導体パターンとの間の接続不良が
発生することがあった。しかし、本発明による方法で
は、すでに述べたように、ビアホール電極７の形成は下
層の導体パターンの形成と一体的に同時に行われるの
で、上記のような接続不良は発生しない。

【００８３】さらに、ビアホール電極７の形状・厚さを
任意に設定できるので、絶縁層５の表面からビアホール
電極７を数μｍ突き出させるような形状にすることによ
って、上層導体パターンとビアホール電極７との接続を
確実に行うことができる。また、ビアホール電極７の基
板２表面に垂直な方向の断面形状を台形状にすることに
よって、寸法的に微細なビアホール電極７であっても、
後工程で必要とされるだけの接続強度が十分に得られる
構造になっている。

【００８４】最後に、絶縁層５上にリード電極６を形成
する工程３１０を行う。これは、Ａｇペーストでリード
電極６のパターンを絶縁層５表面にスクリーン印刷し
て、ピーク温度８１０℃に１０分間保持して焼成を行う
ことによって、形成される。これによって、本実施例の
チップインダクタ１が製造される。

【００８５】上記の説明では、チップインダクタ１を例
にとって本実施例の電子部品の製造方法を説明してきた
が、製造できるのはチップインダクタ１に限られるわけ
ではないのはもちろんである。例えば、本発明に従っ
て、チップビーズ、ＥＭＩフィルタ、コンデンサなどの
他の電子部品、あるいは積層構造を有する他の電子部品
の電極部分を製造することができる。

【００８６】また、上記の説明では、工程２１０〜２９
０によって導体パターンを転写して形成した後に工程３
００及び３１０で絶縁層５及びリード電極６の形成を行
っている。あるいは、このような構造が不要な導体パタ
ーンを形成する場合には、工程２１０〜２９０までを行
えば所望の導体パターンが得られるのであって、工程３
００及び３１０を行う必要がない。

【００８７】また、導体パターンを形成するために使用
する導電ペーストの材料としてＡｇペーストを使用した
が、これに限定されるものではない。例えば、Ｃｕ，Ｎ
ｉ，Ａｌ，Ａｕなどの他の金属ペースト、またはレジネ
ートペーストを使用することができる。また、有機溶剤
を含む導電ペースト以外にも、紫外線硬化性樹脂または
熱硬化性樹脂で硬化後に適当なフレキシブル性を有する
樹脂を含有する導電ペーストを使用することもできる。

【００８８】凹版２０の材料としては、適度の可とう性
（フレキシブル性）を有するものであれば、上述のポリ
イミドフィルム１５の他に、ＰＥＴ、ＰＳＦ、ＰＣ、Ｐ
ＥＩ（ポリエーテルイミド）、ＰＡＲ（ポリアクリレー
ト）、ＰＥＥＫ（ポリエーテルケトン）などの樹脂シー
トを使用することができる。また、絶縁基板２上に形成
する樹脂層２８の材料には、エチルセルロース系の熱可
塑性樹脂、あるいはエポキシやアクリル系の熱硬化性樹
脂を使用することができる。

【００８９】さらに、以上の説明では、凹版２０と絶縁
基板２とのラミネート工程において、熱ローラ２６及び
２７を用いて圧力をかけながら熱的に貼り合わせる装置
を使用したが、少なくとも片面に熱板を備えたプレス装
置を使用してもよい。

【００９０】導体パターンを転写して形成するための被
形成物を構成する絶縁基板２の材料は、特定のものに制
限されるものではなく、セラミックなど一般的に使用さ
れている材料を用いることができる。あるいは、チタン
酸バリウムを主体とする誘電体であってもよい。

【００９１】特に、インダクタンス部品を形成する場合
には、絶縁基板２及び絶縁層５の少なくとも一方を、フ
ェライトなどの磁性体材料で形成することが望ましい。
これは、これらの磁性体材料の透磁率によって、形成さ
れる電子部品のインダクタンス値を向上できるからであ
る。

【００９２】あるいは、被形成物をグリーンシートによ
って形成することができる。グリーンシートは加熱によ
って軟化する性質を有しているので、グリーンシートを
用いて被形成物を形成する場合には、工程２７０におい
て、転写時の接着層として機能する樹脂層２８の形成を
省略することができる。

【００９３】凹版２０の形成にはエキシマレーザ装置１
１を使用したが、波長が紫外線領域のレーザビームを発
することができるものであれば、色素レーザや自由電子
レーザなど他のレーザ源を使用することができる。さら
に、上記波長領域でこれらのレーザと同等の必要なレベ
ルのエネルギー密度を有するビームを発することができ
る光源であれば、レーザ源以外の他のものを使用するこ
とも可能である。

【００９４】（実施例２）本発明の電子部品の製造方法
の第２の実施例を、導体パターンの積層構造を有するハ
イブリッドＩＣ（以下、ＨＩＣと略記する）基板の製造
方法を例にとって、図１１〜図１４を参照して説明す
る。なお、図１１〜図１４において、同じ構成要素には
同じ参照符号をつけている。

【００９５】図１１（ａ）はＨＩＣ基板３０の平面図、
図１１（ｂ）は図１１（ａ）の１１Ｂ−１１Ｂ′線にお
けるＨＩＣ基板３０の切断面である。なお、図１１
（ａ）の右半分は上層の導体パターンが形成されている
部分、左半分は下層の導体パターンが形成されている部
分を示している。また、図１１（ａ）及び図１１（ｂ）
はＨＩＣ基板３０の構成を簡略化して模式的に示すもの
であるので、図面中の導体パターンは以下に記す寸法の
値を正確に反映していない。

【００９６】ＨＩＣ基板３０は、絶縁基板３１上に形成
された下層導体パターン３２、下層導体パターン３２を
覆うように形成された絶縁層３３、及び絶縁層３３の上
に形成された上層導体パターン３４からなる２層配線構
造を有している。下層導体パターン３２は、図１１
（ｂ）からわかるように、スパイラル状のコイル導体部
３２ａ、及びそれ以外の導体部３２ｂを含んでいる。下
層導体パターン３２と上層導体パターン３４とは、ビア
ホール電極３５によって接続される。また、上層導体パ
ターン３４の一部には、ＩＣチップをフェースダウン実
装するための実装部３６が設けられている。

【００９７】下層導体パターン３２のうちでコイル導体
部３２ａに相当する部分には、電気的特性の観点から、
例えばピッチ６０μｍ（すなわち、各ラインの幅３０μ
ｍ、ラインの間隔３０μｍ）で高さ（すなわち、導体膜
の厚さ）３５μｍの導体パターンが形成される。また、
ビアホール電極３５は、絶縁層３３の表面から先端が飛
び出して上下層の導体パターン３２及び３４の間が確実
に接続されるように、高さ（すなわち、導体膜の厚さ）
５０μｍに形成されている。一方、上層導体パターン３
４のフェースダウン実装部３６は、例えば、ピッチ１５
０μｍ（すなわち、各ラインの幅７５μｍ、ラインの間
隔７５μｍ）で形成される。

【００９８】さらに、このフェースダウン実装部３６
は、ＩＣチップをフェースダウン実装する際の実装条件
の制約から、表面の長さ５mmあたりのうねりが３μｍ以
下であるような平坦度が必要である。この場合、下層導
体パターン３２のうちでフェースダウン実装部３６の下
に位置する導体部３２ｂの高さ（導体膜の厚さ）が５μ
ｍ以上あると、絶縁層３３の表面のうねりが大きくなっ
てフェースダウン実装が困難になる。そのために、導体
部３２ｂの高さは、５μｍ以下に抑えられている。

【００９９】以上のように、本発明の第２の実施例で
は、形成される導体パターンのうちで任意の場所の導体
膜の厚さ（ラインの高さ）を所望のレベルに変えて、パ
ターン内に高低差を有する導体パターンが形成される。
これによって、最表面の上層導体パターン３４の所定の
位置へのＩＣチップのフェースダウン実装を可能にした
ＨＩＣ基板３０が形成される。

【０１００】以下に、本実施例のＨＩＣ基板３０の製造
方法を説明する。なお、以下の説明における凹版の製造
などの個々の工程は、形成対象である導体パターンの形
状が異なるだけで第１の実施例に対応する各工程と実質
的に等価である。したがって、その特徴などに関する詳
細な説明は省略する。

【０１０１】まず、下層導体パターン３２を形成するた
めの凹版を、第１の実施例の工程２１０と同様に、下層
導体パターン３２のコイル導体部３２ａ作成用及びその
他の導体部３２ｂ作成用、ならびにビアホール電極３５
作成用の計３種類のマスクを使用して、エキシマレーザ
を用いてポリイミドフィルム上に以下の順序で形成す
る。まず、コイル導体部３２ａのパターンに対応するマ
スクを用いて、深さ４５μｍの溝からなるコイル導体部
３２ａに相当するパターンを形成する。次に、ビアホー
ル電極３５のパターンに対応するマスクを用いて、深さ
６５μｍの溝からなるビアホール電極に相当するパター
ンを形成する。最後に、導体部３２ｂのパターンに対応
するマスクを用いて、深さ１０μｍの溝からなる導体部
３２ｂに相当するパターンを形成する。上記の各工程で
形成されるそれぞれのパターンの相対的位置を５μｍ以
内の精度で位置合わせすることによって、下層導体パタ
ーン３２を形成するための凹版が形成される。

【０１０２】このように形成された凹版上に、第１の実
施例の工程２２０と同様にフッ化炭素系単分子膜からな
る剥離層を形成する。次に、第１の実施例の工程２３０
と同様に、セラミック製スキージを用いて、Ａｇペース
トを凹版のそれぞれの溝に充填する。その後に、工程２
４０と同様に、循環熱風式乾燥機によってＡｇペースト
を乾燥して内部に含まれる有機溶剤を蒸発させて、凹版
の溝の内部のペーストを蒸発量に相当する体積分だけ減
少させる。さらに、工程２５０及び２６０と同様に、Ａ
ｇペーストを再充填した後に２段階の乾燥を行う。この
ように、第１の実施例と同様にペーストの充填及び乾燥
工程を繰り返すことによって、Ａｇペーストの膜の厚さ
をそれぞれの溝の深さと実質的に等しくすることができ
る。

【０１０３】次に、工程２７０と同様に、厚さ１０μｍ
の熱可塑性樹脂層を絶縁基板３１表面に形成して、凹版
と絶縁基板３１とを圧力２５kg／cm²、基板温度１３０
℃で貼り合わせる。その後、工程２８０と同様に、基板
温度を室温まで下げて凹版を剥離して、導体パターンを
絶縁基板３１上に転写する。さらに、工程２９０と同様
に、導体パターンを転写した絶縁基板３１をピーク温度
８５０℃まで２００℃／時間の温度勾配で昇温して、焼
成処理を行う。

【０１０４】以上の一連の工程によって、第１の実施例
の場合と同様に、下層導体パターン３２及びビアホール
電極３５が一体的に同時に形成される。

【０１０５】次に、工程３００と同様に、ガラスペース
トのスクリーン印刷によって、絶縁基板３１の上に絶縁
層３３のパターンを形成する。そして、温度８４０℃で
焼成して、絶縁層３３を形成する。このとき、第１の実
施例と同様に結晶化ガラスを使用することによって、焼
成中のガラスペーストの流動が少なく、スクリーン印刷
で形成した形状が比較的良好に保たれている。

【０１０６】次に、絶縁層３３の形成後に、上層導体パ
ターン３４に相当するパターンをＡｇペーストのスクリ
ーン印刷によって形成する。そして、ピーク温度８１０
℃に１０分間保持する焼成処理によって、上層導体パタ
ーン３４を形成する。

【０１０７】上記のようにして、導体パターンのうち
で、スパイラル状のコイル導体３２ａに相当する部分の
ラインの高さ（導体膜の厚さ）を大きくすることで、第
１の実施例と同様の電気的特性に優れたコイルが形成さ
れる。また、ビアホール電極３５の基板表面に垂直な方
向での断面を台形状にすることによって、上層導体パタ
ーン３４と下層導体パターン３２との電気的接続を確実
に行うことができる。また、下層導体パターン３２の厚
さを任意の所定の箇所で選択的に薄くすることによっ
て、絶縁層３３の表面の平坦化が必要な箇所における所
望の平坦化を実現できる。これによって、ＩＣチップの
フェースダウン実装が可能なＨＩＣ基板３０が製造され
る。

【０１０８】ビアホール電極３５の形状は、図１１
（ｂ）に示す形状に限られるものではない。例えば、図
１２に示すＨＩＣ基板４０のように、ビアホールの一部
分のみを埋めるような形状の電極３５′を形成すること
もできる。あるいは、絶縁層３３の形成時にビアホール
を設けて下層導体パターン３２が絶縁層によって完全に
覆われないようにして、下層導体パターン３２及び上層
導体パターン３４を接続する電極を、下層導体パターン
３２の形成工程とは別の工程でビアホール内に設けても
よい。

【０１０９】さらに、上記の説明では、２層配線基板を
例にとって説明を行ったが、さらに多層化をはかること
も可能である。例えば図１３に示すＨＩＣ基板５０で
は、それぞれが図１１（ｂ）あるいは図１２に示したＨ
ＩＣ基板３０及び４０の一層のパターンに相当する導体
パターン５１，５２及び５３が、絶縁基板３１の上に３
層積層されている。

【０１１０】さらに、本実施例によれば、導体パターン
のラインに高低差を設けられるので、図１４に示すよう
な絶縁層３３の表面形状を有するＨＩＣ基板６０を形成
することもできる。ＨＩＣ基板６０では、下層導体パタ
ーンのうち、絶縁層３３の表面のうねり形状の制御が不
要な部分に相当する導体部３２ａを、比較的高いライン
（厚い導体膜）によって形成している。一方、ＩＣチッ
プ６１をフェースダウン実装する部分のように絶縁層３
３の表面を平坦にする必要がある部分に相当する導体部
３２ｂを、比較的低いライン（薄い導体膜）によって形
成している。導体部３２ｂの高さが低くなると導体抵抗
が増加するが、必要に応じて導体部３２ｂのラインの幅
を大きくすることによって、電気的特性に対する悪影響
をおさえることができる。

【０１１１】このように、本発明によれば、絶縁層３３
の表面形状に対する要求と導体パターンの電気的特性に
対する要求とのトレードオフを考慮して、導体パターン
の最適な形状を得ることができる。

【０１１２】以上のように、本発明の電子部品の製造方
法によれば、フレキシブル性に富んだ樹脂シートの表面
に、形成されるべき導体パターンに対応した溝パターン
をエキシマレーザの照射によって形成して、凹版を製造
する。凹版の溝部パターンに充填される導電ペースト
は、被形成物である基板上に実質的に完全に転写され
る。また、凹版に形成する溝の形状を鋭利にすることが
できるので、転写後の焼成によって形成される導体パタ
ーンの形状も、所望の鋭利な矩形状になる。これによっ
て、形成される導体パターンの電気的特性が改善され
る。

【０１１３】サイズの面では、導体パターンのラインの
幅が１０μｍ以下で、導体膜の厚さが５μｍ以上である
ような、微細かつ厚膜の導体パターンの形成が可能であ
る。また、任意の所定の箇所についてのみ導体膜の厚さ
を厚くする、すなわち導体パターンのラインを高くする
ことができる。これらの点を応用することによって、本
発明の電子部品の製造方法によれば、微細な導体パター
ンのサイズと実質的に同等な程度に幅が微少なビアホー
ルの形成が可能である。したがって、従来の印刷方法で
は実現が困難であった小型の積層構造を有する電子部品
を、低コストで製造することができる。

【０１１４】なお、以上の第１及び第２の実施例の説明
では、導体パターンの中に導体膜の厚い部分を作成する
ことが必要とされるタイプの電子部品を例にとって、本
発明を説明してきた。しかし、それ以外の電子部品、す
なわち、特に導体膜の厚さを部分的に異ならせる、ある
いは厚くすることが必要でないような電子部品に対して
も、本発明の電子部品の製造方法を適用できることは明
らかである。そのような場合であっても、フレキシブル
な樹脂シートから形成された凹版の使用によって転写工
程での剥離が容易かつ確実に行えること、また、エキシ
マレーザによる凹版上のパターン形成により鋭利な矩形
状のパターンが形成できることは、製造される電子部品
の特性にとっては十分に有効な改善手段になる。

【０１１５】

【発明の効果】以上に説明してきたように、本発明によ
れば、可とう性に富んだ樹脂からなる凹版を用いること
によって、基板の損傷や導体パターンにおけるクラック
やピンホールの発生を招くことなく、凹版の剥離・導体
パターンの転写が行われる。また、基板表面にうねりが
あっても、凹版がそのうねり形状に追従して変形できる
ので、基板と凹版とが密着して、導電ペーストの転写が
良好に行われる。また、導電ペーストの転写が完全に行
えるので、導体パターン中のライン幅が細く、かつ導体
膜の厚さが厚いパターンであっても、良好な形状で形成
する。さらに、凹版への導電ペーストの充填及び乾燥を
複数回行うことによって、乾燥によって導電ペーストの
体積が減少しても、充填される導電ペーストの形状を溝
の形状によりフィットさせることが可能になる。また、
凹版と基板とのラミネートを熱的に行うことによって、
不透明な基板上にも導体パターンの転写を行える。

【０１１６】さらに、導体パターンの多層構造化も、容
易に実現される。また、導体パターンの任意の箇所の導
電膜の厚さを容易に制御することが可能であるので、電
気特性や絶縁層表面の形状などの最適化を図ることがで
きる。例えば、導体パターン中で高く形成された部分
を、多層構造の各導体パターンを接続する電極として使
用することができる。これによって、導体パターンと電
極とが一体的に同時に形成されるので、両者の間の接続
不良などの欠陥の発生が防がれる。あるいは、導体パタ
ーンを低く形成することによって、その部分に対応する
絶縁層表面の平坦度が向上する。これによって、ＩＣチ
ップのフェースダウン実装に必要な平坦部を得ることが
できる。

【０１１７】凹版表面の溝の形成を紫外波長領域の発振
周波数を有するレーザ、好ましくはエキシマレーザで行
うことによって、凹版上に微細パターンが容易にかつ高
精度に形成される。また、溝の深さの変更は、レーザの
照射時間の変更によって容易に行われる。さらに、凹版
に形成する溝の形状を鋭利にすることができるので、転
写後の焼成によって形成される導体パターンの形状も、
所望の鋭利な矩形状になる。これによって、形成される
導体パターンの電気的特性が改善される。

【０１１８】フッ化炭素系単分子膜の剥離層は、凹版の
表面に容易に形成される。この剥離層は、凹版表面に共
有結合によって結合しているために耐久性があり、その
結果が持続する。また、単分子層であるために剥離層は
薄く、凹版の形状に影響を与えない。

【０１１９】導体ペーストに可塑剤を添加して可とう性
をもたせることによって、凹版がフレキシブルに屈曲し
ても追従することが可能になる。さらに、乾燥工程後で
あっても適度な可とう性を有することができるので、転
写時のストレスに十分に対抗でき、導電ペーストにおけ
る欠陥の発生が防がれる。

【０１２０】凹版にテーパをもたせることによって、充
填された導電ペーストの剥離・転写をさらに容易にする
ことが可能になり、良好な形状の導体パターンが形成さ
れる。

【０１２１】基板として表面に樹脂層を設けた絶縁基板
を用いる場合、その樹脂層を導電ペーストパターン転写
時の接着層として使用することができるが、特に樹脂層
の厚さを２０μｍ以下にすることによって、熱的なラミ
ネート時に樹脂層自身から発生する燃焼ガスの影響によ
る導体パターンの欠陥の発生が抑制される。絶縁材料と
して誘電材料や磁性材料を使用すれば、形成される電子
部品に所望の特性を付与することが可能になる。また、
基板をグリーンシートによって形成すれば、ラミネート
時に加えられる熱によってグリーンシートが軟化する性
質を利用することができ、接着層として機能する樹脂層
の形成を省略することが可能になる。

【０１２２】さらに、本発明によって形成される電子部
品では、高精度で微細な導体パターンが容易に形成され
るとともに、多層構造化も容易に行われる。また、各層
の導体パターン間を接続する電極を導体パターンと一括
して形成することができ、確実な電気的接続を得ること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）本発明の一実施例におけるチップインダ
クタの模式的な平面図（ｂ）（ａ）の１Ｂ−１Ｂ′線における断面図

【図２】同電子部品の製造方法の工程の流れを示すブロ
ック図

【図３】同要部である凹版の製造工程を模式的に示す概
略図

【図４】同要部である凹版表面の溝の形状を模式的に示
す断面図

【図５】同要部である凹版への導体ペーストの充填工程
を模式的に示す概略図

【図６】同要部であるラミネート工程を模式的に示す概
略図

【図７】（ａ）同要部であるポリイミド凹版と絶縁基板
とのラミネート状態を模式的に示す断面図（ｂ）従来のガラス凹版と絶縁基板とのラミネート状態
を模式的に示す断面図

【図８】同要部である剥離工程を模式的に示す概略図

【図９】同要部である焼成工程の焼成温度条件を示す図

【図１０】同要部であるビアホールの形状を模式的に示
す断面図

【図１１】（ａ）本発明の他の実施例におけるハイブリ
ッドＩＣ基板の模式的な平面図（ｂ）（ａ）の１１Ｂ−１１Ｂ′線における断面図

【図１２】本発明によって製造される他のハイブリッド
ＩＣ基板の模式的な断面図

【図１３】本発明によって製造されるさらに他のハイブ
リッドＩＣ基板の模式的な断面図

【図１４】本発明によって製造されるさらに他のハイブ
リッドＩＣ基板の模式的な断面図

【符号の説明】

１チップインダクタ２絶縁基板３コイル導体４ａ，４ｂ端子電極５絶縁層６リード電極７ビアホール電極１１エキシマレーザ装置１２マスク１３ミラー１４イメージングレンズ１５ポリイミドフィルム１６ＸＹステージ２０ポリイミド凹版２１溝２２ピット２３剥離層２４Ａｇペースト２５スキージ２６，２７熱ローラ２８，２８′ 樹脂層（ＰＶＢ層）２９ガラス凹版３０，４０，５０ハイブリッドＩＣ基板３１絶縁基板３２下層導体パターン３３絶縁層３４上層導体パターン３５，３５′ ビアホール電極３６フェースダウン実装部５１，５２，５３導体パターン６１ＩＣチップ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に第１導体パターンを凹版印刷に
よって形成する電子部品の製造方法において、（ａ）可とう性樹脂の表面に、溝を前記第１導体パター
ンに対応するパターンで形成して凹版を製造する工程
と、（ｂ）前記凹版の表面に、前記基板と前記凹版との剥離
を容易にする剥離層を設ける工程と、（ｃ）前記溝に導電性ペーストを充填する工程と、（ｄ）前記導電性ペーストを乾燥する工程と、（ｅ）前記導電性ペーストを乾燥する工程（ｄ）で乾燥
された前記導電性ペーストを再軟化させて乾燥による体
積減少分を補うために追加の導電ペーストを再充填する
工程と再充填後の前記導電ペーストを再乾燥する工程と
を所定の回数繰り返す工程と、（ｆ）前記凹版と前記基板とを所定の範囲の熱及び所定
の範囲の圧力を加えることによってラミネートして貼り
合わせる工程と、（ｇ）前記凹版を前記基板から剥離して、前記導電ペー
ストのパターンを前記基板上に転写する工程と、（ｈ）転写された前記導電ペーストのパターンを焼成し
て、前記第１導体パターンを形成する工程からなる電子
部品の製造方法。
【請求項２】可とう性樹脂の表面に、溝を前記第１導
体パターンに対応するパターンで形成して凹版を製造す
る工程（ａ）は、前記凹版に形成される前記溝の一部を
他の箇所より深く形成して、それによって、前記第１導
体パターンの一部に高さの差を設ける請求項１記載の電
子部品の製造方法。
【請求項３】基板上に第１導体パターンを凹版印刷に
よって形成する電子部品の製造方法において、（ａ）可とう性樹脂の表面に、溝を前記第１導体パター
ンに対応するパターンで形成して凹版を製造する工程
と、（ｂ）前記凹版の表面に、前記基板と前記凹版との剥離
を容易にする剥離層を設ける工程と、（ｃ）前記溝に導電性ペーストを充填する工程と、（ｄ）前記導電性ペーストを乾燥する工程と、（ｅ）前記導電性ペーストを乾燥する工程（ｄ）で乾燥
された前記導電性ペーストを再軟化させて乾燥による体
積減少分を補うために追加の導電ペーストを再充填する
工程と再充填後の前記導電ペーストを再乾燥する工程と
を所定の回数繰り返す工程と、（ｆ）前記凹版と前記基板とを所定の範囲の熱及び所定
の範囲の圧力を加えることによってラミネートして貼り
合わせる工程と、（ｇ）前記凹版を前記基板から剥離して、前記導電ペー
ストのパターンを前記基板上に転写する工程と、（ｈ）転写された前記導電ペーストのパターンを焼成し
て、前記第１導体パターンを形成する工程と、（ｉ）前記第１導体パターンの少なくとも一部を覆う絶
縁層を形成する工程と、（ｊ）前記絶縁層の表面に第２導体パターンを形成する
工程と、（ｋ）前記第１導体パターンの前記絶縁層によって覆わ
れていない部分に、前記第１導体パターンと前記第２導
体パターンとを電気的に接続する電極を設ける工程と、
からなる請求項２記載の電子部品の製造方法。
【請求項４】（ｌ）第１導体パターンの少なくとも一
部を覆う絶縁層を形成する工程と、（ｍ）前記絶縁層の表面に第２導体パターンを形成する
工程と、をさらに包含しており、前記第１導体パターン
のうちで高さが高く形成されている箇所を電極として使
用して、前記第１導体パターンと前記第２導体パターン
とを電気的に接続する請求項２記載の電子部品の製造方
法。
【請求項５】絶縁層の表面に平坦部を設けるべき箇所
に対応する前記第１導体パターンの部分を低く形成する
請求項４記載の電子部品の製造方法。
【請求項６】絶縁層の表面の前記平坦部にＩＣチップ
をフェースダウン実装する工程をさらに包含する請求項
５記載の電子部品の製造方法。
【請求項７】絶縁層が磁性材料によって形成されてい
る請求項３から６のいずれかに記載の電子部品の製造方
法。
【請求項８】可とう性樹脂の表面に、溝を前記第１導
体パターンに対応するパターンで形成して凹版を製造す
る工程（ａ）は、紫外領域の発振周波数を有するレーザ
を用いて前記溝を形成する請求項１から７のいずれかに
記載の電子部品の製造方法。
【請求項９】レーザがエキシマレーザである請求項８
記載の電子部品の製造方法。
【請求項１０】剥離層が、フッ化炭素系の単分子膜で
ある請求項１から９のいずれかに記載の電子部品の製造
方法。
【請求項１１】導電性ペーストに可塑剤が添加されて
いて可とう性を有している請求項１から１０のいずれか
に記載の電子部品の製造方法。
【請求項１２】凹版に形成される前記溝が、側面にテ
ーパ角を有する断面形状を有している請求項１から１１
のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【請求項１３】基板が、絶縁基板と、前記絶縁基板の
少なくとも一方の表面に形成された厚さ２０μｍ以下の
樹脂層とを備え、前記樹脂層は熱硬化性樹脂または熱可
塑性樹脂である請求項１から１２のいずれかに記載の電
子部品の製造方法。
【請求項１４】絶縁基板が誘電材料から形成されてい
る請求項１３記載の電子部品の製造方法。
【請求項１５】絶縁基板が磁性材料から形成されてい
る請求項１３記載の電子部品の製造方法。
【請求項１６】基板がグリーンシートから形成されて
いる請求項１から１２のいずれかに記載の電子部品の製
造方法。
【請求項１７】基板と、可とう性樹脂のレーザ加工によって形成された凹版を使
用した凹版印刷によって前記基板上に転写された第１導
体パターンと、を備える電子部品。
【請求項１８】基板と、可とう性樹脂のレーザ加工によって形成された凹版を使
用した凹版印刷によって前記基板上に転写された第１導
体パターンと前記第１導体パターンの少なくとも一部を
覆う絶縁層と、前記絶縁層の表面に形成された第２導体パターンと、前記第１導体パターンの前記絶縁層によって覆われてい
ない箇所に設けられて、前記第１導体パターンと前記第
２導体パターンとを電気的に接続する電極とからなる電
子部品。
【請求項１９】第１導体パターンの一部に高さの差が
設けられている請求項１７記載の電子部品。
【請求項２０】第１導体パターンの少なくとも一部を
覆う絶縁層と、前記絶縁層の表面に形成された第２導体パターンと、を
さらに備えており、前記第１導体パターンのうちで高さ
が高く形成されている箇所を電極として使用して、前記
第１導体パターンと前記第２導体パターンとを電気的に
接続する請求項１９記載の電子部品。
【請求項２１】絶縁層の表面に平坦部を設けるべき箇
所に対応する前記第１導体パターンの部分が低く形成さ
れている請求項２０記載の電子部品の製造方法。
【請求項２２】絶縁層の表面の前記平坦部にフェース
ダウン実装されたＩＣチップをさらに備える請求項２１
記載の電子部品。