JP2019523559A - 電気絶縁基板への電気伝導体の適用方法 - Google Patents

Abstract

電気伝導体を電気絶縁基板に適用する方法であって、その第１の面に溝のパターンが形成された可撓性膜を提供するステップと、導電性粒子を含む組成物を溝に充填するステップと、を含む方法が開示されている。組成物は、導電性であるか、または導電性にすることができる。膜を充填したら、膜の溝のある第１の面を、基板の前面または／および背面に接触させる。次いで、基板と膜との間に圧力を加え、溝に充填された組成物を基板に付着させる。膜と基板を分離して、溝内の組成物を電気絶縁基板の表面に残す。次いで、組成物中の導電性粒子を焼結して、基板上に伝導体のパターンを形成する。このパターンは、膜に形成されたパターンに対応するものである。【選択図】図１Ｃ

Description

本発明は、一例として、プリント回路基板および無線周波数識別（ＲＦＩＤ）アンテナの製造における、電気絶縁基板への電気伝導体のパターンの適用方法に関する。

電気絶縁基板上に導体を形成する既知の方法にはいくつかの欠点があり、それらの中には、それらがライン解像度と正確な配置に寄せるという制限がある。多くの場合、この技術は面倒であり、バッチ処理を使用してのみ実施することができ、この技術を使用して基板の反対側に導体を適用する場合、各面を別々に処理しなければならない。

前述の欠点の少なくともいくつかを軽減する目的で、本開示の第１の態様は、電気絶縁基板に電気伝導体のパターンを適用する方法を提供し、当該方法は：
ａ）可撓性膜を提供するステップと、
ｂ）膜の第１の面に、基板に適用される電気伝導体の所望のパターンに少なくとも部分的に対応する溝のパターンを形成するステップと、
ｃ）溝に、組成成分として導電性粒子および接着剤を含む組成物を充填するステップであって、充填ステップの完了時に、組成物が膜の第１の面と同じ高さで溝を実質的に満たし、かつ溝の間の第１の面の部分に組成物が実質的に含まれないように、１回以上のサブステップで実行される充填するステップと、
ｄ）膜の第１の面を基板に向けて、膜を基板に接触させるステップと、
ｅ）膜に圧力を加えて、膜の第１の面の溝内に充填された組成物を、基板に付着させるステップと、
ｆ）膜を基板から分離させて、膜の第１の面の溝から基板に組成物を転写するステップと、
ｇ）溝から基板に転写された組成物のパターンを導電性にするために、導電性粒子を焼結するのに十分なエネルギーを加えるステップと、を含む。

本明細書で使用される「電気絶縁基板」という用語は、完全に電気絶縁材料からなる基板と、導電性の本体部を有するが、その上に電気伝導体のパターンが適用されることになる電気絶縁材料の表面層を有するものと、の両方を含むことを意図している。

導体のパターンを形成するときに、組成物の成分に液体キャリアを添加して、液体またはペーストの粘稠度を有する湿潤組成物を形成することができる。液体キャリアは、有機溶媒または水性溶媒からなるものとすることができる。液体キャリアが少なくとも６０重量％の水を含む湿潤組成物は、水性または水性系組成物と呼ぶことができ、液体キャリアが少なくとも６０重量％の有機溶媒を含む湿潤組成物は、溶媒系組成物と呼ぶことができる。

充填ステップ中にドクターブレードを使用して、組成物を溝内に押し込み、かつ溝間の基板部分から組成物を拭き取ることができる。膜に塗布された組成物を溝内に充填するために膜の第１の面に接触する、スキージまたはブレードの先端の相対的な可撓性および／または硬度は、充填される組成物の粘稠度／粘度、充填される溝の寸法、パターン内の組成物を「拭き取る」ために加えられる力、および当業者によって容易に理解される同様の考察に応じて選択して適合させることができる。次いで、熱または真空の適用により液体キャリアを除去し、乾燥組成物を可撓性膜の第１の面またはその中の選択された領域にコーティングすることができる。

液体キャリアを除去する（例えば、液体は蒸発によって除去される）と、溝内に残された組成物は収縮する傾向にある。充填ステップ（前述の方法ではステップｃ）として記載されている）は、溝を１回だけ充填することを含み得るが、繰り返しの充填サブステップのような複数のサブステップを、（例えば、乾燥による）液体除去および（例えば、拭き取りによる）溝間クリーニングの任意のサブステップとともに任意に含み得ることに留意されたい。そのようなサブステップは、乾燥組成物が膜の第１の面と同じ高さで溝を実質的に満たすまで繰り返す必要があり得る。充填ステップが、充填、および／または乾燥、および／またはクリーニングの繰り返しサイクルによって実行される場合、最後のステップは、膜の第１の面上の溝間のスペースに組成物が実質的に含まれないようにする。

実質的に含まれないとは、溝間のスペースに残留組成物が存在するとしても、そのプロセスから生じる電気伝導体の線の間に短絡を引き起こしたり、および／または、転写後に電気絶縁基板の表面の性質に著しく影響を与えたりするには不十分または少なすぎる量／分布にあることを意味する。溝間のスペースの面積の２％未満、または１％未満、または０．５％未満、または０．１％未満の面積に微量の導電性粒子が含まれているとしても、実質的には、溝間のスペースに組成物はないといえる。そのような微量の組成物は、日常的な画像分析によって検出および推定することができる。

溝の充填をいくつかのステップで行う場合、組成物の成分の相対比率が充填サイクル間で変化してもよい。最初の工程では、接着剤は導電性粒子を互いに結合させるためだけに役立ち得るが、最後の工程では、接着剤はさらに組成物を基板に付着させるために役立つことができる。この理由から、組成物中の接着剤の割合を、少なくとも最後の充填ステップで任意に増加させてもよい。

さらに、および代替的に、接着剤のタイプを充填ステップ間で変更することができ、最後の充填ステップの接着剤は、初期のステップの接着剤よりも強力であり、かつ／あるいは多量であり、基板への接着能力に関して「強力」である。いくつかの実施形態では、可撓性膜の充填された溝上に接着剤コーティングをさらに塗布することができる。

より少量の接着剤（および／またはより強力でなく、その後、バインダと見なすことができるもの）と、より多量の導電性粒子と、を有する組成物は、金属ペーストと呼ぶことができ、多量の（および／またはより強力な）接着剤を有し、乾燥組成物を基板へ接着させるのに適した組成物は、接着剤ペーストと呼ぶことができる。「ペースト」という用語は、特定の粘度、または固形分を示すことを意味するものではないが、より低い粘度の組成物においては、当然のことながらより多くのキャリアを蒸発させる必要がある。その後の基板への接着をさらに容易にする目的で、膜の充填された溝を覆うように任意に追加され得る組成物は、接着剤コーティングと呼ぶことができる。

あるいは、および付加的に、各充填ステップは、溝に充填される組成物および／または充填条件にそれぞれ適合した異なるタイプのワイパー（例えば、スキージまたはドクターブレード）を使用して実行することができる。

適切に適用されたドクターブレードまたはスキージによれば、膜の第１の面の溝のない部分を組成物から十分にクリーンにしておくという所望の結果がもたらされ得るが、そのような目的を達成するべく、任意におよび／または付加的に、溝間の表面に残された組成物を除去するための、例えば、擦り取り、拭き取り、ブラシ掛けを含む別のステップを実行して、充填ステップを完了させてもよい。このようなクリーニングは、充填サブステップの間、あるいは充填ステップの完了前にのみ行うことができ、充填に続いて任意に接着剤コーティングを膜に塗布する場合には、最後の充填サブステップの実行後、かつ接着剤コーティングの塗布前に行うことができる。この任意のクリーニングは、クリーニングされる組成物と膜に適したクリーニングデバイスを使用して実行することが好ましい。

いかなるクリーニングステップが実行される場合も、その後の、膜の基板との接触を大幅に低減し、あるいは妨げるような方法で、膜の表面に影響を与えるべきではない。クリーニングサブステップは、組成物を乾燥させる前または後のいずれかに実行できることに留意されたい。クリーニングサブステップが乾燥サブステップ後に実行される場合、必要に応じて、クリーニング液を、クリーニング装置および／またはクリーニングされるべき表面にさらに加えてもよい。

例えば、クリーニングは、充填デバイスの下流（例えば、溝に組成物を充填するスキージまたはドクターブレードの上流）に配置されたブレードワイパーによって行うことができる。クリーニングブレードは、膜に対して、充填用ブレードと同じ向きを有することができ、あるいは、反対の角度を形成することができる。クリーニングは、代替的に、柔らかい拭き取り面を有するクリーニングローラを使用して行うことができる。乾燥ステップに続いてクリーニングが行われる場合、クリーニング液を使用して、膜の表面上におけるクリーニングデバイスの移動を容易にすることができる。そのようなクリーニング液が使用される場合、溝間のスペースに乾燥組成物が残留しているとすれば、それらの除去も容易にすることができる。前述の例示的な実施形態において、クリーニング液は、クリーニングブレードの下流に塗布することができ、あるいはクリーニングローダの拭き取り面を含侵させるのに役立ち得る。クリーニング液は、溝のパターン内に既に充填および／または乾燥された組成物に影響を与えないように選択される。例えば、クリーニング液は、可撓性膜とは相溶性があり、組成物の液体キャリアとは相溶性がない溶媒とすることができる。

任意の所望のパターンの溝は、例えば、それらの断面プロファイル、それらの上面形状、それらの寸法、それらの互いからの距離、および以下により詳細に記載される要因によって特徴づけることができる。パターンの溝は同一である必要はなく、任意の第１の溝は任意の第２の溝と異なっていてもよい。さらに、いくつかの実施形態において、個々の溝は、それ自体の長さに沿って変化していてもよい。例えば、上面から見た場合、溝の隣接するセグメントが直線状の輪郭を形成し、他のセグメントが湾曲した輪郭を有することができ、あるいは、第１のセグメントが第１の幅を有し、第２のセグメントが第２の幅を有することができる。断面視で、個々の溝は、溝の第１のセグメントに第１のプロファイルを有し、第２のセグメントに第２のプロファイルを有し、かつ／あるいは第１のセグメントに第１の寸法のセットを有し、第２のセグメントに第２の寸法のセットを有することができる。非限定的な例として、個々の溝は、第１の高さ／深さの三角形または台形のプロファイルを有する第１のセグメントと、異なる第２の高さ／深さの半楕円形または半円形のプロファイルを有する第２のセグメントと、を含むことができる。個々の溝が、溝の長さに沿って交互に配置された比較的浅いトレンチセグメントと比較的深い窪みとから構成され得る、そのような非同一の溝を有する可撓性膜は、ＰＣＢ（プリント回路基板）またはフリップチップ相互接続基板（インターポーザとも呼ばれる場合がある）上の、通称トレースとしても知られる導電線の作製に役立ち得る。より深い窪みは、転写後に、導電性材料のより高いスポットまたはコンタクトパッドまたはハンダバンプを形成し、これらは基板の平面に対して垂直な方向に形成され得る隣接するパターンを相互接続するか、あるいは導体パターンを外部回路（例えば、回路基板または他のチップまたは基板）に接続するように機能し得る。

本発明の特定の実施形態では、フリップチップ上の既存のコンタクトパッドに「ハンダバンプ」を適用するために、膜に孤立した溝を作る。特に、ハンダバンプという用語は、実際のはんだに限定されず、リフロー、圧縮などの任意のフリップチップ接続原理を利用するために、膜によってチップコンタクトパッドに適用される任意の導電性材料に適用されると解釈されるべきである。

いくつかの実施形態における膜は、作業温度（例えば、約２３℃の周囲室温）で十分に可撓性であり、可撓性膜のパターニング、本明細書に教示されるような組成物のいずれかによる溝の充填、組成物の乾燥、または基板との接触による膜からの乾燥組成物の剥離、および／もしくは基板からの膜の分離などの他の必要な処理を容易にする。いくつかの実施形態では、可撓性膜はそのように（例えば、ロールまたはシートで）予備形成して供給され得るが、可撓性膜は、代替的に、適切な材料（例えば、冷却すると固化する熱可塑性ポリマーまたは放射線への暴露で硬化するフォトポリマーであり、これらは、本明細書ではプラスチックポリマーと呼ぶことができる）から注型することにより、プロセスの一部として形成されてもよい。エンボス加工または注型され得る成形可能なプラスチックポリマーが当業者に知られている。

そのようなポリマーから製造された可撓性膜は、その上に形成される溝（およびパターン）の輪郭およびその中に充填される組成物の形状を維持するのに十分に非弾性であることが好ましい。他方で、膜は、組成物の線を転写するべく基板と十分に密接に接触できるように、基材の表面に適合するのに十分に可撓性であることが好ましい。比較的平滑な表面を有する膜は、処理中の（例えば、溝を充填しているスキージとの、または基板との）インタフェースを改善するという同様の理由から望ましい場合がある。有利には、可撓性膜の第１の面の平均粗さＲｚは、１μｍ以下、５００ｎｍ以下、２５０ｎｍ以下、または１００ｎｍ以下である。他の望ましい機械的性質（例えば、耐伸張性、耐ストレス性、耐熱性および耐放射性など）は容易に理解することができ、それにより膜を方法およびそれに使用される組成物（例えば、耐化学性、化学的不活性）と適合させることができる。

本明細書で開示する方法では、表面エネルギーが低い可撓性膜を使用することができ、環状オレフィンコポリマー（ＣＯＣ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリエチレン（ＰＥ）、および熱可塑性ポリウレタン（ＴＰＵ）から選択される熱可塑性ポリマーを含む膜が特に適している。

可撓性膜は、１つ以上の適切なプラスチックポリマー、特には、前述の１つ以上の熱可塑性ポリマーを含む単層から形成することができる。あるいは、可撓性膜は、２つ以上の別々の膜から形成することができる。例えば、非限定的な例として、膜は、膜の機械的完全性および／または強度（例えば、処理中にその寸法を実質的に保持する能力）を主に提供する第１の支持層と、溝の形成を可能にするように十分に変形可能である第２の層と、膜の中間のパターン化可能コアを「封止」する第３の層と、を備え、第３の層は、例えば、パターンの転写およびそれに続く膜の分離前における膜の基板への接着性を改善し、あるいは本教示による方法にとって好ましい可能性がある任意の他の望ましい（例えば、所望の通りにパターンを維持するのに十分な靭性を提供する）特性を改善する。全てのそのような層は、好ましくは可撓性であり、そのような層により形成された膜全体に所望の可撓性を提供する。膜が２層以上から形成されているこのような実施形態では、支持層の反対側の層が、転写ステップ中に基板の表面と接触する膜の第１の面を構成する。

圧力（例えば、約０．１ｋｇＦ／ｃｍ^２〜約５０ｋｇＦ／ｃｍ^２）を加えることによる、可撓性膜から電気絶縁基板への乾燥組成物の転写は、任意に高温で行うことができる。そのような転写温度は、可撓性膜およびそのように接触させる基板に依存し得る。それはまた、溝内に充填された組成物、ならびに乾燥組成物の可撓性膜からの剥離、および／または、乾燥組成物の基板への接着が、温度のよってどのように促進され得るのかにも依存し得る。例えば、転写温度は、少なくとも６０℃、少なくとも８０℃、少なくとも１００℃、または少なくとも１２０℃とすることができ、かつ任意に、最大２００℃、最大１８０℃、最大１６０℃、または最大１４０℃とすることができる。いくつかの実施形態では、１３０〜１４０℃の範囲の転写温度で圧力が加えられる。

いくつかの実施形態において、転写温度は、基板および膜を２つのローラの間で接触させてそれらを一緒に加熱することによって達成され、少なくとも１つの円筒が、所望の転写温度を迅速に達成できる温度に加熱される。他の実施形態において、転写温度は、膜をそのままとするかまたは周囲温度に維持する一方で、基板だけを加熱することによって達成される。基板は、伝導（例えば、ホットプレートに通す）、対流（例えば、熱風流を用いる）、放射（例えば、ＩＲランプを用いる）、またはそのような加熱手段の組合せなどの任意の適切な方法によって加熱され得る。

いくつかの実施形態では、適切な接触を生じさせるように圧力を加えた後であって、かつ溝の内容物を基板へ転写させるように膜を剥がす前に温度を下げる。この中間段階では、たとえこの付着が分離させるまでの一時的なものであっても、膜が「基板に付着している」、あるいは基板が「膜に付着している」という。冷却は、伝導（例えば、膜が付着した基板を低温表面に通す）、対流（例えば、膜が付着した基板に向けて任意に冷した空気を吹き付ける）、またはそのような冷却手段の組合せによって行うことができる。

基板は、選択されて、そこに転写されるパターンの意図された用途に適合されるが、そのような選択は当業者に知られている。基板は、例えば、剛性または可撓性であり、１層以上の材料で構成されている。非限定的な例として、回路基板の製造に適した基板は、硬質ウェハまたは可撓性フィルムであり得る。絶縁基板は、フェノール樹脂、セラミック、エポキシ樹脂、ガラス、プラスチック材料または任意の他の非導電性材料でできていても、またはそれらでできた表面だけを有していてもよい。一例として、ＰＣＢの基板は、フレックスボードとも呼ばれる、ガラス繊維（例えば、ＦＲ４）の硬質ボードまたは可撓性高温プラスチック（例えば、ＤｕＰｏｎｔ（登録商標）社から入手可能なＫａｐｔｏｎ（登録商標）ポリイミドフィルム）であり得る。

いくつかの実施形態において、絶縁基板は、電気絶縁材料の薄膜で形成された外側絶縁表面を有する任意の材料の基板とすることができる。数十ナノメートルから数百マイクロメートルまで（例えば、５０ｎｍ〜１０μｍの範囲内）の厚さを有し得るそのような絶縁層は、基板本体下層へのスピンコーティング、ディップコーティングまたは蒸着などの当業者に知られている任意の適切な方法によって適用することができ、非限定的な例として、電気絶縁基板の絶縁表面を形成する薄膜は、（ａ）Ｂ−ステージ化したビスベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）から誘導されるフォトポリマー（例えば、Ｔｈｅ Ｄｏｗ Ｃｈｅｍｉｃａｌ ＣａｍｐａｎｙからＣｙｃｌｏｔｅｎｅ（商標）４０００シリーズとして市販されているものなど）、（ｂ）ＳＵ−８エポキシ系ネガティブフォトレジスト、または（ｃ）ポリ（ｐ−キシリレン）ポリマー（パリレン（登録商標）としても知られている）で作ることができる。そのような絶縁薄膜は、例えば、金属またはセラミック製の基礎体を有する基板上に用いることができる。

可撓性膜を利用して所望のパターンを形成する本方法は、基板が平坦ではない場合に特に有利であることが理解されよう。特定の用途を達成するのに望まれ得るような、折り曲げおよび折り畳みができ、さらには物体の周囲に巻き付けることさえできる基板は、所望のパターンを含む膜によってワンステップで接触させることができる。例えば、同じボードの左パネルと右パネルの間で斜めに折り畳む必要がある物体があり、電流を一方端から他方端に流すことができるとすると、現在の技術では、各パネルを別々に準備して組み立て、かつ場合によっては中間接続パネルまたは回路さえも必要とされる場合がある。対照的に、本方法では、左パネルと可撓性膜上のパターンの対応する部分と、右パネルとそれぞれのパターンとの連続的な接触を可能にし、左右のパネル（および対応するパターンの左右の部分）間にある中間の「角度」領域により、２つをつなぐ途切れのない回路が提供される。

さらなるステップは、金属パターンの意図された用途に応じ得る。

基板がガラス質表面を有する実施形態では、組成物はガラスフリットを含むことができ、組成物を加熱によって焼結させて導電性にした後、基板および組成物を焼成して、導体を基板に融着させるか、それなければ付着させることができる。

添付の請求項２６に記載の他の態様において、本発明は、本発明の方法によって製造されたそのような導体パターンを有する絶縁基板を提供する。そのような膜およびパターン化された絶縁基板は、本明細書中に教示されるように、方法の多様な実施形態に関連して本明細書中により詳細に示される様々な特徴によって特徴づけられ得る。

図１Ａ〜１Ｄは、導電性粒子を含有する組成物の線のパターンを膜上に形成し、次いでそのパターンを基板に転写する、簡略化されたプロセスステップを示す断面図である。図１Ｅは、図１Ａ〜１Ｄのプロセスを実施するためのプロセスの簡略図である。 図２Ａは、図１Ａに示すプロセスステップの斜視図であり、離散的に間隔を置いたパターン（それぞれ別々の各基板に用いることが意図されており、各パターンが横方向バックボーン集電体によって互いに接続された一組の平行な導体を画定している）を有する連続膜を形成することができる、線パターンの設計方法の一例を提供している。図２Ｂおよび２Ｃは、図２ＡにそれぞれＢおよびＣで示される円の拡大図であり、溝の断面を示す。図２Ｄは、本方法の様々な実施形態に従って製造され得る導電線のパターンを概略的に示す図である。図２Ｅは、いくつかの実施形態における、本教示に従う導電線のパターンの非平面基板への適用方法を示す図である。 図３Ａは、膜の溝に組成物の線を形成するための、単一の組成物の適用方法を示す膜の断面図である。図３Ｂは、膜の溝に組成物の線を形成するための、２つの異なる組成物の連続的な適用方法を示す膜の断面図である。図３Ｃは、膜から組成物の線を剥離するのを助けるために、剥離層を最初に適用する方法を示す膜の断面図である。図３Ｄは、膜から基板に組成物を転写するのを助けるために、膜の表面全体を覆う接着剤コーティングを塗布する方法を示す膜の断面図である。 図４Ａ〜４Ｃは、例えば、絶縁基板上に適用されたパターンの接地電極のような電極を広域面に形成および適用し得る方法を示す図である。 図５Ａは、本方法によって生成される例示的な金属パターンを概略的に示す図である。図５Ｂは、転写された接触線の焼結前後の断面と形状が同様であり、溝の断面のネガ画像に匹敵する、突出ダイルールの例示的な断面を概略的に示す図である。図５Ｃは、共焦点レーザ走査型顕微鏡によって撮影された、導電性粒子を含む組成物で充填された可撓性膜の溝の透視顕微鏡写真である。図５Ｄは、共焦点レーザ走査型顕微鏡によって撮影された、可撓性膜の溝から基板に転写された接触線の透視顕微鏡写真である。 複数の溝セットをそれぞれの組成物で充填するための装置の例示的な断面を概略的に示す図である。

本開示の例示的実施形態を、添付の図面を参照してさらに説明する。

以下の説明では、図面を参照し、非限定的な例として、本開示の教示がどのように実施され得るのかを当業者に明らかにする。図面は、例示的な説明を目的としており、本開示の基本的な理解に必要とされるよりも詳細に実施形態の構造の詳細を示すことを試みるものではない。明瞭かつ単純に説明するために、図面に描かれるいくつかの物体は一定の縮尺で描かれていない場合がある。

簡潔さおよび明瞭さのために、図２Ａに示されるようなパターン（その拡大図は、図２Ｂおよび２Ｃに示されている）を形成することに関して説明するが、これは単なる例に過ぎない。当業者であれば、溝によって形成されるパターンおよびそれに対応する導体パターンは、任意の形態をとることができ、当面の事項によって決まる技術的選択の問題であることを容易に理解するであろう。

図２Ｄは、代替的な一例の導電線のパターン３００を概略的に示す。パターンは、様々な形状および長さであって所望であればコンタクトパッド２７０を含む、多数のトレース２６０によって形成されている。Ｌ字型要素２８０は、以下に詳述するように、任意に一緒にまたは導体パターン３００内に挿入することができる第２の材料の第２のパターンを表している。いくつかの実施形態では、図２Ｄに例として示したようなパターンは、図２Ｅに概略的に示すように、非平面の電気絶縁体基板に並置させることができる。この図では、円筒の曲面または平行六面体の曲面の一部の平行線は、このような非平面の基板上の導電線のパターンを簡略化して描いたものである。

［可撓性膜のパターニング］
図１Ａには、円筒加圧ローラ１０４とダイローラ１０２との間のニップを通過する、プラスチック材料製の膜１００が示されている。ダイローラ１０２は、平滑な表面からルール１０６および１０８が突出している円筒で形成することができる。ダイローラ１０２の形成方法は、基本的に重要ではない。その製造方法の１つは、平滑な円筒のエッチングであり、あるいは円筒の周囲に突出ルール１０６および１０８を有するエンボスシム（典型的には、ニッケルまたはクロム製）を取り付けることであり得る。図示しないが、可撓性膜１００は、１層以上の個別の可撓性材料から形成することができる。

ルール１０６は、ダイローラ１０２の円周に平行であり、かつダイローラの軸に沿って互いに整列しており、対向する膜の面に接触すると、膜の移動方向に平行な溝を形成する。図１Ａの概略断面図では、そのようなルールの１つだけが見えている。ルール１０６は、ダイローラの全周をたどっている必要はなく、それらの長さは、溝のパターンにおける長手方向の線の所望の長さに調整される。ルール１０８は、ダイローラの軸に平行であり、対向する膜１００の面に接触すると、膜の移動方向を横切る方向に溝を形成することができ、また、場合によってはルール１０６によって形成された長手方向溝と直交する方向に溝を形成することができる。ルール１０８は、ダイローラの全長または膜の幅に沿って延びている必要はなく、それらの長さは、溝のパターンにおいて横断する長手方向の線の任意の所望の数に応じて調整される。ルール１０６および１０８はまた、意図される基板の寸法と、任意の特定のパターンを囲むために必要とされ得るマージンとを考慮に入れることができる。ルール１０６および１０８は直線として示されているが、ダイローラ１０２が任意の他の所望の形状を形成するルールを担持していてもよいことが容易に理解される。

ルールの縁または輪郭は、膜から基板への組成物線の転写を可能にする、典型的には規則的ないずれの所望の形状を有することができ、したがって、好ましくは先細り形状を有することができる。そのような輪郭は、図１Ａ〜１Ｄでは、半楕円形で概略的に示されている。ルール１０６の縁は、例えば、台形であってもよい。すなわち、ルールは、上向きに先細りになる側面と平坦な上面とを有する形状であってもよい。図５Ａを参照してより詳細に説明するように、本明細書では、台形の底幅はＷ_Ｂ、フラットトップ（頂部）幅はＷ_Ｔ、および２つの間の高さはｈで表されている。ルール１０８は、ルール１０６と同様の形状の縁を有することができるが、必ずしもそうでなくてもよい。例えば、ルール１０８は、先にルール１０６について例示したような台形などの単一の形状からではなく、突起のアセンブリから形成されていてもよい。ルール１０８は、例えば、メッシュ材料のストリップによって形成することができる。ルール１０８が後にバックボーン集電体の形成に役立ち得るいくつかの実施形態では、メッシュストリップの幅は、ルール１０６の底幅より大きくてもよい。図示の例では、ルール１０８の数はルール１０６の数よりも少ないが、これは限定的ではない。それぞれのタイプのルールの数、ならびにパターニングデバイス上のそれらのそれぞれの寸法および位置は、電気絶縁基板上に適用されることが望まれる金属パターンに依存するからである。同様に、簡潔に説明するために、ルール１０６および１０８は垂直であるように示されているが、これらは、図２Ｄに示される結果として得られる例示的なパターン３００に示されるように、互いに任意の所望の角度を形成することができる。

以下の説明では、台形断面に割り当てられた用語を使用するが、ルールは、同様の範囲を満たす任意の異なる先細り形状を有していてもよい。ルールの断面が三角形、半円形、または半楕円形などである場合、ルールの上端は一点に達し得る。ルールの底幅は、その機能によって異なり得る。バックボーン集電体（本出願のいくつかの分野では、バスバーと称される）には最大数ミリメートルの幅が適し、特定の電極（例えば、接地電極）が溝付き膜を使用して作製されている場合、そのような電極にはより広幅のルールが適し得る。長手方向の線については、底幅が５０マイクロメータ（μｍ）以下であることが好ましく、Ｗ_Ｂが、１０〜４０μｍ、または１０〜３０μｍ、または１０〜２０μｍ、または５〜２０μｍの範囲にあることが特に望ましい。ルールの頂部幅もまた機能に応じて異なり、底幅とほぼ同じであるが、通常は底幅よりも小さい。長手方向の線については、頂部幅が４０μｍ以下であることが好ましく、Ｗ_Ｔが、５〜２５μｍ、または５〜１５μｍ、または１０〜２０μｍの範囲にあることが特に好ましい。ルールの高さｈは、概して５０μｍを超えず、ｈが、２５〜４０μｍ、または２５〜３０μｍ、または１５〜２５μｍの範囲にあることが特に好ましい。ルール１０６の高さｈとその底幅Ｗ_Ｂとの間のアスペクト比（ＡＳＰ）は、約５：１〜約１：５の範囲であり、ＡＳＰが、３：１〜１．１、または２：１〜１：２、または１．７５：１〜１：１．７５、または１．５：１〜１：１．５、任意に、約２：１、１．５：１、または少なくとも１：１であることが好ましい。

さらに、パターンは、隣接する溝の対向する縁部間の距離ｄによって特徴づけられ得る。典型的には、そのような距離は、１００μｍ以上である。いくつかの実施形態において、隣接する溝の平行なセグメント間の距離ｄは、１５０μｍ以上、２００μｍ以上、または３００μｍ以上である。長手方向の線については、２つの溝間の最大距離は、意図する用途および／または所望の効率に応じて決まる。例えば、特定の回路基板の製造に関しては、距離ｄは、最大２０００μｍ、最大１５００μｍ、最大１０００μｍ、または最大５００μｍである。任意の特定のルールから生じる溝および線の寸法は、必ずしも元のルールの寸法と同じではないことに留意されたい。そのような変動は、使用される膜およびプロセスの他の変数に依存し得る。有利には、そのような変動は、元の寸法の２５％以下である。

それにも関わらず、本方法は、一般により低い抵抗を支持する、比較的高いアスペクト比を有する金属線を基板に転写することを可能にする。説明すると、他のすべてのパラメータ（例えば、金属線組成）が同じで、金属トレースが２５μｍの幅を有し、明らかに線が５０μｍの高さを有し、したがってアスペクト比が２：１である場合、わずか５μｍの高さを有してＡＳＰが１：５である場合よりも抵抗が低い。

ダイローラ１０２は、典型的には非常に複雑であり、かつ／あるいはより小さい寸法のルールを有するが、ボール紙を折り目付けするまたは切断するためのダイを製造するのに使用されるのと同じ方法で形成することができる。膜１００が加圧ローラ１０４とダイローラ１０２との間のニップを通過すると、膜の上面に溝または刻み目１１０が形成される。ルール１０６および１０８は、絶縁体または半導体であり得る基板に適用される、電気伝導体のパターンに対応する溝のパターンを膜に形成するように設計されている。本図では、そして図２Ａでより明確に示すように、膜に描かれた溝のパターンを形成するための２組のルールが示されているが、異なる用途では、所望のパターンに関連して１組だけのルールや３組以上のルールを必要する場合があるため、これは限定的ではない。

さらに、パターン付け要素は、回転ダイローラとして示されているが、代替的に形成されたルールのアセンブリが、上述のような溝を形成するのに適している場合がある。膜における溝の形成は、例えば、プレートによって達成することができる。溝形成ステーションおよび溝充填ステーションなどの固定ステーションに膜を通過させて組成物を充填することによってプロセスを実施する場合、ステーション間のスラック膜の長さによってプロセスを連続的に実施することが可能になる。充填ステップのサブステップは繰り返すことができるので、組成物を塗布して乾燥させることができる充填ステーションが複数あってもよく、特に、溝に充填する組成物が反復ごとに異なる場合には、各ステーションを異なる条件下で操作することができる。

１つ以上の層からなる予備形成された可撓性膜に溝のパターンをエンボス加工することに加えて、膜は、比較的粘性があるが流動状態の材料から注型することができ、この場合、溝はフィルムの硬化前に形成される。プリハードン材料は、「プレ膜」材料と称することができる。例えば、その輪郭の少なくとも一部に突起（硬化時のフィルムに、対応する溝を生じさせ得る）を有するノズルを介して、プレ膜材料を押し出すことによって膜を形成することができる。図１に示すプロセスと同様に、プレ膜材料の流体は、平滑なスロットを通して注型することができ、溝は、回転ダイローラまたは所望のパターンのルールを有するプレートによって形成することができる。本教示に従う、比較的流動性のあるプレ膜材料を、溝のパターンを有する可撓性膜へ硬化させることは、使用される材料に応じて、フィルムの冷却および／またはフィルムの硬化によって達成することができる。このような冷間／熱間エンボス加工およびＵＶエンボス加工が知られている。

プレ膜材料は、例えば、ＵＶ硬化材料とすることができ、例えば、回転ダイローラと透明な対向面（例えば、加圧ローラ）との間に注型して、そのフィルムが溝または刻み目を形成するニップを通過するときに、該フィルムをＵＶ硬化させることができる。プレ膜ポリマーまたはそれらの混合物は、単一の自立層として注型することができ、あるいは比較的変形しにくい（例えば、ＰＥＴフィルムの）支持層上に、パターン化可能な（例えば、ＣＰＰでできた）層を形成するように注型することができる。

任意に、溝は、指向性レーザビームによって形成されてもよい。そのような実施形態では、レーザビームは、膜の所望の位置に向けられて、膜の一部を切断するか、または膜を加熱して収縮させる。さらに、溝は、膜に圧力を加える１つ以上のパンチによって形成されてもよい。

図１Ｅは、ＰＣＢまたはＲＦＩＤを形成することができる電気絶縁基板に電気伝導体のパターンを適用する際のプロセスステップを示す、簡易的なフロー図である。プロセスは、適切な可撓性膜を提供し（３０５）、膜の第１の面に溝のパターンを形成する（３１０）ことによって開始し、このパターンは、基板に適用される電気伝導体の所望のパターンに少なくとも部分的に対応している。次いで、導電性粒子および接着剤を含む組成物で溝を充填する（３１５）。所望の組成物で溝を充填し、次いで、場合によってはそれを乾燥させ、かつ／あるいは溝間のスペースをクリーニングすることを含む充填ステップは、乾燥した組成物が膜の表面と実質的に同じ高さになるまで繰り返すことができる。次いで、膜を基板と接触させ（３２０）、膜と基板との間に圧力を加え（３２５）、膜の第１の面の溝に充填された組成物を基板に付着させる。次いで、膜を基板から分離し（３３０）、膜の第１の面の溝から、いくつかの、好ましくは実質的にすべての組成物を基板に転写し、溝から基板に転写された組成物のパターンを導電性にするために、十分な熱または他の形態のエネルギーを加えて導電性粒子を焼結させるか、そうでなければ融着させる（３３５）。

所望の組成物で溝を充填することを含む充填ステップはまた、組成物を実質的に乾燥させるか、そうでなければ安定化させることを含むことができる。そのようなステップは、十分に乾燥した組成物が膜の表面と本質的に同じ高さになるまで繰り返すことができる。充填ステップはまた、１つ以上の充填ステップと同時に、またはそれとは別に実行することができる、ドクターブレード、スキージ、ワイパーなどの類似物による１つ以上のクリーニングステップを含むことができる。あるいは、または付加的に、膜の第１の面は、拭き取られるか、または他の方法でクリーニングされてもよい。

図２Ａの斜視図から、膜は、同じ溝のパターンが繰り返し適用される連続膜であることが分かる。パターンは、膜の長さに平行に延びる平行線を含むことができ、これらの長手方向の線は、ダイローラ１０２上の円周方向のルール１０６によって形成され、横方向のバックボーン集電体は、ローラ１０２の表面上に軸方向に延びるルール１０８によって形成される。図２Ｂに、いくつかの例示的なルール１０６の拡大断面図を示す。ダイローラ１０２上の螺旋状のルール（不図示）を使用して、斜めに延びる溝を形成することができ、同様に、比較的湾曲した接続ルールを使用して、以上に説明した直線状のルールを接合することができ、これによって任意の所望のパターンの導体を形成することが可能となる。説明を簡潔にするために、ルール１０６または１０８はそれらのグループ間で同じ長さを有するように示されているが、必ずしもそうである必要はない（例えば、図５Ａの５２０および５３０を参照のこと）。

[可撓性膜]
説明したように、膜は、ニップを通過した後に、プレートの下で、あるいは溝が任意の所望の方法で形成された後に、当該膜が元の形状に戻る弾力性を有しないことが要求される。膜は、適切には１つ以上のプラスチックポリマー、特には、環状オレフィンコポリマー（ＣＯＣ）、エチレン酢酸ビニル（ＥＶＡ）、ポリアミド（ＰＡ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリウレタン（ＴＰＵ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、およびそれらの置換型を含む群から選択された、熱可塑性ポリマーから形成され得る。しかしながら、膜は、代替的に、溝がそれらの材料のいずれかに押し込まれた後に硬化され得る、異なるポリマー、またはフォトポリマーなどの非プラスチック材料から形成され得る。膜は、該膜をコイル状にするのに十分な可撓性を有することが望ましい。膜は、基板の面から剥離されるのに十分な柔軟性を有することも重要である。

膜のパターンを有する膜を形成する上記の方法が本発明にとって必須ではないことは、強調すべきことである。柔軟で、好ましくは可撓性であり、所望の深さ、幅、および断面（例えば、台形断面または三角形断面）を有する正確な溝を維持することができ、溝がパターン内で所望の形状および間隔で配置される限り、押し出し、スタンピングまたは機械加工によって形成される任意の膜を使用することができる。

膜は、シートで、または連続ウェブとして供給することができる。膜の寸法は限定的ではないが、好ましくは、パターニング要素および意図する基板と釣り合っている必要がある。例えば、膜の幅は、ダイローラ１０２の軸方向の長さにほぼ対応していてもよく、膜の長さは、個別のシートとして提供される場合、移動方向に対して平行な長さが、通常、ローラの円周の低倍数である。膜の厚さは、ルールの高さ（すなわち、溝の深さ）よりも大きく、概して２０〜１００μｍの範囲である。膜が２層以上のポリマーによって形成される場合、膜の厚さは、２０〜１５０μｍの範囲とすることができ、各層の厚さは、個々に０．５〜１００μｍの範囲とすることができる。例えば、支持層（例えば、ＰＥＴ製）は、８〜７５μｍの厚さを有することができ、パターニング可能／変形可能層（例えば、ＣＰＰ製）は、１０〜７５μｍの厚さを有することができ、基板との将来的な適切な接触を任意に促進する保護シール層（例えば、Ｅｌｖａｘ（登録商標）として市販されているエチレン酢酸ビニルコポリマー樹脂製）は、０．５〜５μｍの厚さを有することができる。

所望の基板に対する膜の積層接触が、最終製品の数に対応する領域上で平行かつ／または連続的に実行されるとしても、ダイローラの１サイクルによって生成されるパターンは、そのような複数の最終製品の製作に十分であり得ることに留意されたい。

必要に応じて、可撓性膜の表面特性を（例えば、物理的または化学的処理によって）改変して、以下の任意の材料の適用に対する膜の適合性を改善することができる。例えば、可撓性膜が疎水性ポリマーでできていて、その後に塗布される組成物が膜を十分に湿潤させないか、そうでなければ膜と相互作用し得ない場合、溝壁面の選択的改質のようなポリマー表面の改質、またはその一部の改質を行うことができる。可撓性膜またはその溝の濡れ性を改善するためにその表面を処理（例えば、コロナ処理または濡れ性改善剤による化学処理）して、比較的より親水性にすることができる。組成物はまた、それらの膜の濡れ性を改善する薬剤を含むことができる。したがって、膜またはその一部、およびインタフェース組成物は、得られるパターンを弱める可能性のあるサイズおよび／または量および／または密度を有する気泡の不所望な閉じ込めを十分に防いで、それらの接触が十分に気密である場合、十分に湿潤可能であるかまたは湿潤性である。好ましくは、可撓性膜と相互作用する任意の組成物によって可撓性膜の濡れ性を最適化することにより、その後、実質的に連続的であり、かつ／あるいは気泡を含なまい、組成物の乾燥層がもたらされる。

［導電線パターンの組成物］
膜１００に溝のパターンを形成した後、プロセスにおける次のステップは、例えば銀などの導電性粒子と、例えばホットメルトポリアミドなどの接着剤（転写が高温で行われる場合）と、を含む組成物で溝を満たすことである。この充填ステップは、図１Ｂに示されており、ここで膜１００が加圧ローラ１３２とブレードまたはスクレーパー１３０との間を通過すると、組成物１２０が溝１１０に押し込まれて、図１Ｂのブレード１３０の右側に示されるように溝が満たされる。満たされた溝は、１４０として示されている。図２Ｃに、例示的な溝１１０の充填前の拡大断面図を示す。

以下において、組成物を形成する様々な化合物または薬剤の割合は、重量比（ｗ／ｗ）もしくは体積比（ｖ／ｖ）、もしくは組成物のその部分の百分率で表すことができ、または単一の他の成分に関してさえも、その割合を重量％および体積％で表すことができる。

（金属の、またはガラスフリットなどの接着剤の）粒子は、任意の形状を有することができ、例えば、規則的または不規則な球形のビーズ／フレーク／ロッドなどを形成している。個々の金属粒子には、後の段階で適切な焼結または焼成を妨げる可能性のある空洞が存在していないことが好ましい。粒子の最大寸法は、その軸／次元のいずれにおいても、溝の最小寸法よりも小さくある必要がある（例えば、粒子は、約数ミクロンであり、一般に１０〜２０μｍを超えず、著しく小さいことが多い）。大き過ぎる粒子は、それらの形状によっては溝内に十分に埋め込まれない場合があり、このように埋め込みが不十分であると、導電線が適切に形成され難くなるか、または適切に形成されなくなる。より小さい粒子は溝内への埋め込みがより容易であるが、小さすぎる粒子は有益でない場合がある。第一に、それらは、より大きい粒子の焼結温度よりも比較的低い温度（例えば、約１３５℃の転移温度）で制御されない焼結をする場合がある。小さすぎる粒子のこのような時期尚早な焼結は、その後、ペーストの移動に影響を与え（流れを妨げ）、かつその基盤との界面に影響を及ぼし得る。第二に、多数の小粒子によって表面積が増加すると、追加の接着剤が必要となり、組成物のレオロジーおよびペーストの加工性に影響を及ぼし得る。さらに、接着剤の存在量が増えると、焼結が妨げられる（予想される導電性に影響を与える）可能性がある。そのため、最大寸法が２００ｎｍ以上であり；任意には最大１０μｍ以下である粒子が好ましい。いくつかの実施形態において、導電性粒子の最大寸法は、０．５〜５μｍ、または１〜３μｍの範囲である。サイズが不均一な粒子の集団は、特定の形状には必須ではないが、溝内の埋め込みを改善することができ、その結果、埋め込まれた粒子間の空隙が減少する。そのような埋め込みは、焼結および場合によっては焼成を容易にし、完成した焼結／焼成線の導電性を改善することができる。

粒子サイズに関する情報は、一般に供給者によって提供され、また、例えば動的光散乱（ＤＬＳ）技術を使用する日常的実験により決定することができ、粒子は等価散乱応答の球および流体力学直径として表されるサイズに近似される。粒子の寸法はまた、顕微鏡的方法、ならびに走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）、集束イオンビーム（ＦＩＢ）、および／または、共焦点レーザ走査型顕微鏡技術によって捕捉された画像の分析により推定され得る。このような方法は当業者に知られており、さらに詳細に説明する必要はない。粒子は典型的には異なる方向に異なるサイズを有するので、完全な球形でない限り、単純化のために、粒子から突出する最大平面における最長寸法を考慮する。粒子が球形であるか、または球形に近い場合、「最長寸法」はおよそＤＬＳ法で推定できる直径である。このような場合、粒子の母集団の９０％、より一般的には母集団の５０％の流体力学的直径が、粒子のサイズを評価するのに役立ち得る。換言すれば、形状に応じて、粒子は、それらの最大長さＬ、それらの厚さ、それらの流体力学的直径Ｄ_Ｖ９０、Ｄ_Ｖ５０、Ｄ_Ｎ９０、またはＤ_Ｎ５０によって特徴づけられ得る。

本明細書で使用されるとき、「導電性粒子」という用語は、金属、金属酸化物、金属塩、有機金属、合金および導電性ポリマーを含む任意の導電性材料からなる粒子、ならびに前述の任意の電気化学的適合性のある組合せ（例えば、２つの金属の混合、アルミニウムと銀）を含む。電気化学的に適合性があるとは、反復される充填サブステップによって溝の充填が行われるときに、任意の層の任意の導電性材料が、同じ層の、もしくは他の層の任意の他の導電性材料に対して化学的に不活性であることを意味する。特に、いずれの材料も意図する効果に有害ではなく、より具体的には、いずれの材料も本方法によって得られる最終的な導電線の導電率および／または導電性に影響を与えず、またそれらを適時に基板に正しく付着させる能力に影響を与えない。

金属は、アルミニウム、銅、金、銀、スズ、ニッケル、プラチナ、亜鉛を含む群から選択することができる。合金は、青銅、真鍮およびパラジウム／銀を含む群から選択することができる。有機金属は、ギ酸銅（ＩＩ）（Ｃ_２Ｈ_２ＣｕＯ_４）、銅（ＩＩ）ヘキサン酸（Ｃ_１２Ｈ_２２ＣｕＯ_４）、銅（Ｉ）メシチレン（Ｃ_９Ｈ_１１Ｃｕ）、ビニルトリメチルシランＣｕ（Ｉ）ヘキサフルオロ−アセチルアセトネート、ネオデカン酸銀（Ｃ_１０Ｈ_１９ＡｇＯ_２）、それらの前駆体、水和物および／または塩類を含む群から選択することができる。

組成物１２０は、導電性粒子に加えて接着剤を含む。選択された方法ステップおよび最終的な基板に応じて、異なるタイプまたは量の接着剤を使用することができる。概して、接着剤は、ａ）導電性粒子の凝集性を維持するのに十分であるが、基板への十分な付着性を提供するには不十分な有機バインダ（「弱い接着剤」）、ｂ）基板への所望の付着性を提供するのにより適切な有機接着剤（「強力な接着剤」）、ならびに、ｃ）この方法が、例えばガラス質表面を有する絶縁基板のために、ガラスおよび／またはガラス受容基板に高温で使用される場合に無機接着剤とみなされ得るガラスフリットのうちの１つ以上とすることができる。第１の組成物がタイプ（ｂ）の強力な有機接着剤を欠いている場合、図３を参照してより詳細に説明されるように、適切な接着剤で強化された第２の組成物が結果として使用される。

接着化合物は、転写が圧力下でのみ行われる場合は、例えば感圧接着剤とすることができ、転写条件がさらに高温を含む場合は、感熱接着剤（例えば、ホットメルト接着剤）とすることができる。ホットメルト接着剤は、転写に関連する範囲、例えば６０℃〜１８０℃の範囲内に軟化点を有するポリマーとすることができる。このような範囲の軟化温度は、比較的高い軟化点を有する接着剤を、相転移温度を低下させることができる可塑剤と混合することによって任意に達成することができる。ポリマーの軟化温度は、それらの供給者によって提供されるが、当業者に知られている方法に従い、例えば、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）を使用する日常手的な実験によって評価することができる。

接着剤は、組成物の他の成分（例えば、導電性粒子、ガラスフリット、存在する場合は、キャリア）およびプロセス条件と相溶性であり、例えば、溝内の組成物に適切な流動性を提供し、かつ／あるいは膜表面からの過剰分の除去を提供し、パターンの完全性を維持するように脆弱ではなく、適切な形状を維持する量で残るように導電性粒子を焼結するまで十分に「耐熱性」である。接着剤は、好ましくは、可撓性膜に対して比較的低い（例えば、製造および取り扱い中に湿潤または乾燥組成物が溝内に留まるためにのみ十分であり、積層後に基板から膜が剥がされるときに膜から剥離可能である）付着性を有するべきである。その一方で、接着剤は、好ましくは、受容基板に対して比較的高い（例えば、金属パターンの基板への転写を可能にする）付着性を有するべきである。有利には、灰の含有量が少ない接着剤は、金属の焼結を促進し、（場合によっては焼結後の）導電性を向上させることが期待される。そのオープンタイムが、高温転写温度への任意の加熱後に、金属パターンを基板に適切に転写するのに十分に長い一方で、転写後に所望の形状（パターン線の構造的完全性）を維持するのに十分に短い接着剤が適していると考えられる。数秒、１秒、数百または数十ミリ秒未満のオープンタイムが好ましいことに留意されたい。

例示的な有機接着剤は、例えば、市販のホットメルトポリアミド接着剤Ｕｎｉ−Ｒｅｚ（登録商標）１４７、Ｕｎｉ−Ｒｅｚ（登録商標）２６２０およびＵｎｉ−Ｒｅｚ（登録商標）２７２０（以前は、Ａｒｉｚｏｎａ Ｃｈｅｍｉｃａｌ，現在はＫｒａｔｏｎ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ，米国）、Ｍａｃｒｏｍｅｌｔ（登録商標）６２１１、Ｍａｃｒｏｍｅｌｔ（登録商標）６２３８、Ｍａｃｒｏｍｅｌｔ（登録商標）６２３９、Ｍａｃｒｏｍｅｌｔ（登録商標）６２６４（Ｈｅｎｋｅｌ，独国）、Ｖｅｒｓａｍｉｄ（登録商標）７４４およびＶｅｒｓａｍｉｄ（登録商標）７５４（Ｇａｂｒｉｅｌ Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ，米国）を含むポリアミド；Ｓｙｌｖａｐｒｉｎｔ（登録商標）３５２３およびＳｙｌｖａｐｒｉｎｔ（登録商標）７００２（Ａｒｉｚｏｎａ Ｃｈｅｍｉｃａｌ，米国）などのテンペルフェノール樹脂；Ｆｏｒａｌ（商標）ＡＸ−Ｅ（Ｅａｓｔｍａｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏｍｐａｎｙ，米国）などの水素化ロジン；例えば、Ｅ．Ｉ．ｄｕ Ｐｏｎｔ ｄｅ Ｎｅｍｏｕｒｓ ａｎｄ Ｃｏｍｐａｎｙ，Ｉｎｃ．の市販のＥｌｖａｘ（登録商標）４０Ｗを含む、エチレン酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）；または、例えば、Ｔｈｅ Ｄｏｗ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏｍｐａｎｙの市販のＥｔｈｏｃｅｌ（商標）ｓｔｄ４、７、１０または２０を含む、エチルセルロースポリマーであり得る。

ガラス質基板またはガラス質表面を有する基板に適したガラスフリットは、一般に、以下のガラスから作られている：ｉ）酸化鉛（ＰｂＯ）系のガラスで、通常は、鉛ホウケイ酸ガラス：ＰｂＯ−ＳｉＯ_２−Ｂ_２Ｏ_３；ｉｉ）酸化ビスマス（Ｂｉ_２Ｏ_３）系のガラスで、通常は、ビスマスホウケイ酸ガラス：Ｂｉ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２−Ｂ_２Ｏ_３；およびｉｉｉ）酸化テルル（Ｔｌ_２Ｏ）系のガラス。

上記のガラスの各々はまた、以下の１つ以上を含むことができる：酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）、酸化ビスマス（Ｂｉ_２Ｏ_３）、酸化ホウ酸（Ｂ_２Ｏ_３）、酸化鉛（ＰｂＯ）、酸化モリブデン（ＭｏＯ_２）、酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）、酸化テルル（Ｔｌ_２Ｏ）、酸化タングステン（ＷＯ_３）、および酸化亜鉛（ＺｎＯ）。

導電性粒子の（存在する場合は、ガラスフリットを含む）適切な量は、全固形分（例えば、導電性粒子、接着剤、および存在する場合はガラスフリット）に対して３０〜９５体積％であり、より好ましくは金属ペーストについては６５〜９０体積％であり、より好ましくは接着剤ペーストについては全固形分から５０〜７０体積％である。存在する場合のガラスフリットの量は、概して、導電性粒子の約０．５〜１５体積％であり、好ましくは、１〜５体積％の範囲である。

接着剤の適切な量は：全固形分（例えば、導電性粒子および接着剤、存在する場合はガラスフリットを含む）に対して５〜７０体積％であり、好ましくは接着剤ペーストの固形分の３０〜５０体積％以内であり、好ましくは金属ペーストの固形分の１０〜３５体積％以内である。

任意の可塑剤は、フタレート、ホスフェート、グリセリド、および高級脂肪酸とアミドのエステルであり得る。例えば、必要に応じて、可塑剤は、セバジン酸ジブチル、ステアリン酸ブチル、ココナッツ油脂肪酸のグリコールエステル、リシノール酸ブチル、フタル酸ブチル、ひまし油、ステアリン酸ブチル、フタル酸ジフェニル、フタル酸ジシクロヘキシル、およびフタル酸ジオクチルを含む群のうちの１つ以上とすることができる。存在する場合、可塑剤は、接着剤に対して５〜３０重量％で見出すことができる。

導電性粒子および接着剤を液体キャリア中で混合して、溝１１０を充填するために使用する組成物１２０を形成することができる。好ましくは、キャリアの量は、組成物を乾燥させるときにキャリアの除去に要する時間を短縮するために十分に少なくするべきである。その一方で、キャリアの量は、組成物に適切な流動性を与えるのに十分な量とする必要があり、キャリアの量が十分であれば、溝を組成物で比較的速く満たし、かつ過剰分を膜の表面から比較的容易に除去することができる。典型的には、液体キャリアは、全ペーストの３０〜８０体積％の範囲で組成物中に存在する。

液体キャリアは、水性、有機性とすることができ、またはそれらの混合とすることができる。有機溶媒は、好ましくは揮発性であり、例えば、直鎖状または分枝状のＣ１−Ｃ７アルコールおよびＣ１−Ｃ７アルキルアセテートを含む群から選択することができ、そのような溶媒いずれも、好ましくは９５％以上、典型的には９８％を超える高純度のものである。そのようなアルコールは、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、イソブタノール、ペンタノール、ヘキサノールおよびヘプタノールの１つ以上とすることができる。そのような酢酸アルキルは、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ−プロピル、酢酸イソプロピル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸イソブチル、酢酸ペンチル、酢酸ヘキシルおよび酢酸ヘプチルの１つ以上とすることができる。

説明したように、組成物１２０は、連続的なステップで適用することができ、そのようなステップ間で液体キャリアを除去すると、湿潤組成物と比較して乾燥組成物に相対的な収縮が生じる。

溝を部分的に満たす最初の充填の間における組成物の中間乾燥は、最後の充填ステップに続いて実行される乾燥のように広範囲である必要はないことを理解するべきである。本明細書で使用されるとき、「乾燥した」または「実質的に乾燥した」組成物は、液体キャリアの存在がそのように乾燥されたパターン化された導電線の構造的完全性またはプロセスのいずれの他の態様を妨げない場合に限り、残留量の液体キャリアを保持している場合がある。５体積％未満、好ましくは２体積％未満、または１体積％未満を含む組成物を、「乾燥された」とみなすことができる。

乾燥組成物が溝を実質的に満たし（図１Ｂの１４０または図３の１４０ａ〜ｄのいずれかを参照）、膜の第１の面と同じ高さになると、金属パターンを有する可撓性膜は、さらなる処理のための準備が整った状態となる。さらなる処理は、同じ主体によって実行される必要はなく、また充填ステップに時間的に近接している必要もない。このような場合、膜の第１の面を電気絶縁基板に接触させる前後の工程は、時間的に分離することができる。

例えば、膜の製造者によってある長さの膜が製造されると、その膜は、梱包されて、膜を使用して回路基板上に導体を形成するエンドユーザに送られてもよい。膜は、コイル状に梱包することができる。膜がコイル状にされたときに、組成物が膜の反対側に付着するのを防ぐために、膜の第２の面は、膜の第１の面に対して「非粘着」特性を有することができる。あるいは、好ましくは剥離面（例えば、疎水性）を有する保護シートを膜に張り付けて、プロセスの次のステップの前にそれを膜から剥がしてもよい。

図１Ｃは、膜１００を基板１５０と接触させ、その２つを２つの加圧ローラ１５２，１５４の間のニップ１５６を通過させて、膜の溝内の組成物１４０を基板１５０の表面に付着させる（同じまたは異なる主体によって実行され得る）次のステップを示す。転写をさらに容易にするために、加圧ローラ１５２および１５４の少なくとも一方を、典型的には６０〜２００℃の範囲の温度に加熱することができる。そのような場合、転写用組成物は、溶融ペーストとも呼ばれる。この工程は、積層ステージとも称され得る。

最後に、図１Ｄでは、ローラ１７０によって膜１００を基板１５０に対して分離点で保持しながら、組成物が基板と既に接触している膜１００の一部を基板１５０から矢印１６０の一般的な方向に引き離し、基板から離れた既知の領域で膜１００を剥がして、基板１５０に付着した組成物の線１４０’を残す。

これらの線１４０’はまだ導電性ではないが、組成物中の導電性粒子を焼結、融着、またはそうでなければ導電状態に変換することができる。熱焼結、光誘起焼結、マイクロ波焼結、電気焼結および化学焼結を含む異なる焼結方法が存在し、組成および好ましいプロセス条件に応じて焼結方法が選択される。これらは、意図する最終製品によって決定される場合がある。一般に、焼結は、図１Ａのダイローラ１０２上のパターンと一致する導体パターンを形成するように熱を加えることによって行われる。

導体パターンがガラス質面を有する電気絶縁基板に適用される場合、導電性粒子および接着剤を含む組成物は、いくつかの実施形態において、そのような基板への導体パターンの接着性をさらに改善するためのガラスフリットをさらに含むことができる。このようなガラスフリットが存在しない場合、導電性粒子の焼結は、約１００〜１５０℃から約８００℃の範囲の焼結温度で実施することができるが、そのような材料を添加した場合、絶縁基板上の導体パターンの焼結温度を約５００℃〜約９００℃の範囲に、または基板が耐えられる場合はそれを超える温度に上昇させることを必要とし得る。

膜１００の溝１１０を組成物１２０で充填する間、場合によっては溶媒を添加することによって組成物をより流動化させることができ、先に詳述したように、溶媒は水性または有機溶液であり得る。このような場合、組成物は乾燥するにつれて収縮し、溝を完全には満たさない。図３Ａ〜３Ｄは、そのような現象を、解決しかつ任意に利用するための任意選択のステップを概略的に示す。

図３Ａでは、溝が単一の組成物２１０で満たされている。このような任意の組成物による実質的に完全な溝の充填は、溝を連続的に充填することによってもたらされ得るものであり、その体積は、同じ組成物の各適用体積部分がそれぞれ乾燥するにつれて減少する。乾燥組成物２１０が膜１００の表面と同じ高さになると、１４０ａとして示される構造が形成される。溝を完全に満たすために必要とされる連続的な充填サイクル数は、組成物、溝寸法およびプロセス処理条件によるが、典型的には５サイクルを超えず、３または４サイクルが好ましい。

組成物２１０が乾燥時に収縮して膜１００の表面から離れることの影響は、図３Ｂによく見ることができるが、図示例では、第１のステップで適用および乾燥された組成物２１０によって残された窪みは、第２のステップで第２の組成物２２０を使用して満たされている。必要に応じてこれを繰り返し、最終的には、溝１１０が実質的に膜１００の表面レベルまで満たされることを確実にすることができる。乾燥組成物２２０が、膜１００の表面と実質的に同じ高さになると、１４０ｂとして示される構造が形成される。

溝を満たすために連続的ステップおよび／またはサイクルを実行するとき、ステップ／サイクル間で組成物の構成成分を変化させることができる。本質的には、基板に対して十分な接着性を有することが要求されているのは、最後に適用される組成物だけであり、初期のステップの接着剤に求められているのは、導電性粒子を一緒に保持することだけである。さらに、あるいは代替的に、反復される各充填の各組成物に使用される導電性粒子またはそれらの混合物は、充填ごとに異なっていてもよい。したがって、図３Ａでは、充填溝１４０ａを形成する唯一の組成物である組成物２１０は、比較的強力な接着剤を含み得るが、図３Ｂでは、組成物２２０がこの目的を果たさなければならない。後者の図における組成物２１０は、「接着力が弱い」バインダまたは強力な接着剤のいずれかを含むことができる。

図３Ｃでは、導電性粒子を含有する組成物で溝を満たす前に、膜１００から容易に分離する剥離コーティング２３０を使用して当該溝を裏打ちすることにより、１４０ｃで示される充填溝断面が形成されている。もちろん、これは代替的には、例えば組成物２２０のような、より高濃度の接着剤を有するさらに異なる組成物層を有する多層構造であり得る。したがって、いくつかの実施形態において、本方法によって得られる導電線は、多層構造を有することができる。

剥離コーティング２３０は、有機溶媒（例えば、ブタノールなどのＣ１〜Ｃ７アルコール）中に比較的希釈されたポリマーからなり得る。「剥離」ポリマーは、膜の表面に対する接着性が低く、好ましくは比較的低い灰分を有し、それが金属線とともに転写されたとしても、後の段階で（例えば、燃焼によって）実質的に完全に除去される。場合によっては、剥離組成物のポリマーは、その上に注がれる組成物と相溶性（例えば、付着性）であり得る。したがって、剥離組成物は、いったん乾燥すると、溝の壁に付着したままであっても、組成物線とともに移動してもよい。

「剥離」ポリマーは、そのような剥離コーティングの好ましい媒体に応じて、例えば、非水溶性エチルセルロースポリマーまたは水溶性セルロースとすることができる。ポリマー濃度は、典型的には１０重量％を超えないが、５重量％以下からなる組成物が好ましい。他の組成物として、剥離組成物は、スキージで溝を充填するために適用することができ、有機溶媒は乾燥によって除去される。ポリマー含有量が低いことを考慮すると、乾燥剥離組成物は、概して、１〜２μｍ以下のフィルムとして溝壁上に形成される。必要に応じて、剥離組成物の第２の層を同様に適用することができる。

剥離コーティング２３０は、例えば、１−ブタノール（Ｓｉｇｍａ Ａｌｄｒｉｃｈ）中５重量％の水溶性エチルセルロース（Ｄｏｗ Ｃｈｅｍｉｃａｌ ＣｏｍｐａｎｙのＥｔｈｏｃｅｌ（商標）Ｓｔｄ１００として入手可能なもの）からなり得る。あるいは、水性組成物が好ましい場合、剥離コーティングは、脱イオン水中１０重量％の水溶性セルロースエーテル（Ｄｏｗ Ｃｈｅｍｉｃａｌ ＣｏｍｐａｎｙのＭｅｔｈｏｃｅｌ（商標）Ｅ１５として入手可能なものなど）からなり得る。

溝の充填、ならびに剥離コーティングを伴う選択的なプレコーティングおよび／または接着剤コーティングを伴うポストコーティングに使用される組成物がすべて水性である（例えば、水が組成物の液体キャリアの少なくとも６０重量％を構成している）場合、可撓性膜（一般に、疎水性）を処理して、これらの組成物によるその均一な湿潤化を促進することが望ましい場合がある。コロナによって達成され得るこのような処理は、剥離コーティングが存在する場合には、該剥離コーティングを溝内に適用して乾燥させた後に実行することが好ましいが、もし存在するとしても、剥離コーティングの適用前に実行してもよい。

図３Ｄは、溝を満たす組成物２１０に加えて、膜の全表面を覆う接着剤コーティング２５０を有する任意の構成１４０ｄを示す。接着剤コーティング２５０は、溝から基板への組成物の転写を助けることを目的としている。続いて、必要に応じて基板の表面を溶媒で洗浄し、接着剤が露出していて、かつ組成物の線の下に位置していないすべての領域から接着剤を除去することができる。しかしながら、接着剤コーティングは、基材に転写された金属線の焼結（および／またはさらなる焼成）の際に燃え尽きるので、多くの場合、溶媒を使用してそれを除去することは不要であることが分かった。

構造１４０ｄは、単一の組成物２１０を含むものとして図３Ｄに示されているが、図３Ｂおよび図３Ｃを参照して説明したように、それは複数の層から形成されていてもよい。

接着剤コーティング２５０は、前述したものと同じ強力な有機接着剤（ただし、ガラスフリットを含まない）からなることができ、そのような接着剤は、ここでは溝に充填された乾燥組成物の構造的完全性に悪影響を及ぼさないキャリアに分散または溶解されている。そのような不活性キャリア中の接着剤ポリマーの量は、接着剤コーティング組成物の５〜５０重量％の範囲とすることができる。「不活性」キャリアは、先に詳述した有機溶媒のうちの少なくとも１つとすることができ、そのような溶媒の揮発性は、そのような組成物が先に適用された乾燥組成物に影響を及ぼし得る時間を短縮する。その乾燥後、接着剤コーティングの厚さは、好ましくは０．２〜３μｍの範囲にあるべきである。

接着剤コーティング２５０は、例えば、５重量％のポリアミドホットメルト接着剤（Ｕｎｉ−Ｒｅｚ（登録商標）２７２０）、１５重量％のブタノール（Ｓｉｇｍａ Ａｌｄｒｉｃｈ）および８０重量％の酢酸ペンチル（Ｓｉｇｍａ Ａｌｄｒｉｃｈ）で構成することができる。あるいは、水性組成物が好ましい場合、接着剤コーティングは、脱イオン水中の、ポリ（２−エチル−２−オキサゾリン）（例えば、Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ＩｎｎｏｖａｔｉｏｎｓによるＡｑｕａｚｏｌ（登録商標）５として入手可能なもの）で作られた５重量％の水溶性接着剤と、ブタノールなどの１重量％の共溶媒、シリコーン界面活性剤（例えば、ＢＹＫによるＢＹＫ（登録商標）−３４９）などの０．２５重量％の第１の湿潤剤と、シリコーン界面活性剤（例えば、ＢＹＫによるＢＹＫ（登録商標）−３３３）などの０．０７５重量％の第２の湿潤剤と、で構成することができる。

［他の電極］
上述の方法は、薄い導体を形成するのにより適しているが、例えば、ＰＣＢの接地電極のような広い表面を電極で被覆することが望ましい場合、図４Ａ〜４Ｃに示すように、方法をかなり単純化することができる。図４Ａでは、丸みを帯びた先端を有するドクターブレード４００は、膜１００が加圧ローラ４０２とドクターブレード４００との間を通過するときに膜１００に押し付けられる。ドクターブレード４００の上流で過剰な組成物４０４（これは、導体板用に銅であり得る）が膜１００に塗布され、組成物がドクターブレードの下を通過するときにその厚さは均一に減少する。その厚さは、ドクターブレード４００の先端の曲率半径および加えられる圧力を変えることによって設定することができる。過剰な組成物はドクターブレードの全長に沿って塗布される必要はなく、あるいはドクターブレードは任意に「セグメント化」されていてもよく、組成物は膜の所望の部分に積層されている。次いで、組成物４０４を乾燥させることができる。

次に、図４Ｂに示すように、乾燥組成物４０４を担持する膜１００を、２つの加圧ローラ４０６と４０８との間のニップを通過させることによって基板１５０に押し付け、図４Ｃに示すように、膜１００を基板１５０から剥がして該基板上に組成物４０４のコーティングを残すことができる。加圧ローラ４０６および４０８をさらに加熱して、転写温度に軟化点を有する接着剤を含む組成物の転写を容易にすることができる。次いで、この乾燥組成物４０４のコーティングを焼結（例えば、加熱）してそれを基板１５０上に導電性にすることができる。

図１Ｃおよび図４Ｂに示される積層ステップは、同時に実行できることが理解されよう。これにより、大面積の電極を回路基板の一面に適用するのと同時に、導電性グリッドパターンをその反対面に適用することができる。次いで、電気絶縁基板の両面上での組成物の焼結、またはそうでなければ付着を同時に実施することができる。

［導体パターンの実施例］
図５Ａに概略的に要約された導電性の金属パターンを上述の原理に従って作製した。図には、金属パターン５００が示されている。このようなパターンは、乾燥組成物が溝を実質的に満たすとき膜の表面の下で「ネガティブ」であり，あるいは転写後の基板の上に突出する「ポジティブ」であり得る。金属線の長手方向の溝５１０は、ルール１０６（図１Ａまたは図２Ａ〜２Ｂ参照）から生じるが、横断方向の溝または金属線は、「中断されずに」金属パターンのすべての長手方向の線を横切るものは５２０として示されており、線５１０のサブセットだけを横切るものは５３０として示されている。いずれにせよ、横断方向の溝または線５２０または５３０は、ルール１０８（図１Ａまたは図２Ａを参照）から生じる。

本実施例で使用した可撓性膜は、キャストポリプロピレンフィルム（厚さ５０μｍのＣＰＰ；Ｒ．Ｏ．Ｐ．ＬｔｄのＲｏｌｌＣａｓｔ（商標）１４）であった。その膜を、長手方向の溝を形成するための一連の約８５のルール１０６がニッケルシムでできた回転可能なダイ１０２でパターン化した。図５Ｂに示すように、ルール１０６のエッジは台形であり、底幅Ｗ_Ｂは２０μｍであり、頂部幅Ｗ_Ｔは１０μｍであり、高さｈは３２μｍであった。隣接するルール間の距離ｄは、１．８ｍｍであった。ローラ１０２の円周に沿う各ルールの長さは、金属パターンが転写される固体支持体と適合するように設定した（必要であれば、パターン間の「マージン」を含む）。

そのように形成された溝（底幅Ｗ_Ｂが約２５μｍ、頂部幅Ｗ_Ｔが約１２μｍ、深さ（高さｈ）が約２５μｍであり、２つの隣接する溝の向かい合う端部間の距離が約１，７７５μｍである）を、１−ブタノール（Ｓｉｇｍａ Ａｌｄｒｉｃｈ）中５重量％のＥｔｈｏｃｅｌ（商標）Ｓｔｄ．１００（Ｄｏｗ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏｍｐａｎｙ）からなる剥離組成物で満たした。表面垂線に対して６５〜７０°の角度で配置されたドクターブレード（ＭＤＣ Ｌｏｎｇｌｉｆｅ Ｍｕｌｔｉｂｌａｄｅ，Ｄａｅｔｗｙｌｅｒ）を使用して、組成物をパターン化された膜に塗布した。ステンレス鋼斜角刃は、幅２０ｍｍ、厚さ０．２ｍｍ、斜角３°、斜角長さ２．７ｍｍ、および先端半径１８μｍを有していた。３Ｎ／ｃｍの力を使用した。ドクターブレードは、回転ダイ１０２の軸と平行であり、ルール１０６によって生成された溝に対して垂直であり、そして可撓性膜と相対移動し、移動方向は線５１０と平行であった。次いで、剥離組成物が実質的に乾燥したフィルムになるまで、膜をホットエアーガンで加熱した。加熱／乾燥温度は、膜の変形を防ぐように選択した（ＣＰＰについては、７０°未満）。本実施例では、剥離組成物を単一のステップで塗布した。

溝壁を被覆する薄い剥離フィルムを形成した後、金属ペーストを溝に充填した。金属ペーストは、ａ）銀粒子（１〜３μｍのビーズ）および酸化鉛系ガラスフリット（１〜３μｍの塊）を含み、前述のものは約６０体積％の固形分を形成し、ガラスフリットは導電性粒子の約３〜５体積％で存在し；ｂ）固形分の約４０体積％を構成するポリアミド接着剤Ｕｎｉ−Ｒｅｚ（登録商標）２７２０またはＵｎｉ−Ｒｅｚ（登録商標）１４７、および全ペーストの４０体積％を構成するペンタノールを含んでいた。全組成物の重量％に換算すると、そのような金属ペーストは、８７．３〜８８．７重量％の銀粒子、１．３〜２．７重量％のガラスフリット、６重量％の接着剤および４重量％のキャリアで構成されていた。

金属ペーストの各充填ステップの後に、有機キャリアを実質的に除去し、ホットエアーガンを用いて組成物を乾燥させた。典型的には、それを３回実行して、可撓性膜の表面と同じ高さで溝を完全に埋めた。

追加の接着剤コーティング層が望まれる場合、６μｍのワイヤバーによって塗布し、乾燥させた接着剤コーティングの厚さは２μｍ未満である。いくつかの実験において、塗布した接着剤コーティングは、ブタノールおよび酢酸ペンチルからなる溶媒の混合物（重量比１：５）中に、１０重量％のＵｎｉ−Ｒｅｚ（登録商標）２７２０を含んでいた。追加のポリアミドホットメルト接着剤を用いて、代替的な接着剤コーティングを作製した。追加のポリアミドホットメルト接着剤には、米国のＫｒａｔｏｎ ＣｏｒｐｏｒａｔｉｏｎのＵｎｉ−Ｒｅｚ（登録商標）２６２０、独国のＨｅｎｋｅｌのＭａｃｒｏｍｅｌｔ（登録商標）６２１１、Ｍａｃｒｏｍｅｌｔ（登録商標）６２２４、Ｍａｃｒｏｍｅｌｔ（登録商標）６２３８およびＭａｃｒｏｍｅｌｔ（登録商標）６２３９、ならびに米国のＧａｂｒｉｅｌ Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ ＰｒｏｄｕｃｔｓのＶｅｒｓａｍｉｄ（登録商標）７４４およびＶｅｒｓａｍｉｄ（登録商標）７５４が含まれていた。１０重量％の各ポリアミドホットメルト接着剤を、９０重量％の有機溶媒と混合した。Ｍａｃｒｏｍｅｌｔ（登録商標）およびＶｅｒｓａｍｉｄ（登録商標）ポリアミド接着剤を、プロピレングリコールメチルエーテル（例えば、Ｄｏｗ Ｃｈｅｍｉｃａｌ ＣｏｍｐａｎｙからＤｏｗａｎｏｌ（商標）ＰＭとして市販されているもの）中にブレンドした。Ｕｎｉ−Ｒｅｚ（登録商標）２６２０およびＵｎｉ−Ｒｅｚ（登録商標）２７２０ポリアミド接着剤を、さらに追加の溶媒に適用し、それぞれ（ａ）９０重量％のブタノール、（ｂ）９０重量％のペンタノール、（ｃ）１５重量％のブタノールおよび７５重量％のアミルアセテート、ならびに（ｄ）１５重量％のペンタノールおよび７５重量％のアミルアセテート中で混合した。すべての溶媒は、少なくとも９５％の純度レベルでＳｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ社から提供されている。ポリアミドホットメルト接着剤をベースとした上述の接着剤コーティング組成物はすべて、膜から基板へのパターンの転写に十分であることが分かった。

追加の一連の実験では、異なる接着剤ポリマーを試験したところ、それらが同様に適していることが分かった。３つのさらなる代替の接着剤コーティングは、（ａ）８０重量％のＤｏｗａｎｏｌ（商標）ＰＭ中２０重量％の完全水素化ガムロジン（Ｅａｓｔｍａｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ ＣｏｍｐａｎｙによるＦｏｒａｌ（商標）ＡＸ−Ｅ）、および（ｂ）９０重量％のＤｏｗａｎｏｌ（商標）ＰＭ中１０重量％のテルペンフェノール樹脂（Ａｒｉｚｏｎａ ＣｈｅｍｉｃａｌによるＳｙｌｖａｐｒｉｎｔ（登録商標）３５２３またはＳｙｌｖａｐｒｉｎｔ（登録商標）７００２）からなっていた。

図５Ｃは、金属ペーストで充填された可撓性膜の溝を示す、共焦点レーザ走査型顕微鏡によって撮影された顕微鏡写真を示す（例えば、図１Ａの１４０参照）。図から分かるように、溝は可撓性膜の表面のレベルまで実質的に充填されているが、それを取り囲む領域は実質的に乾燥組成物を含んでいない。このような写真では、接着剤コーティングは省略した。

乾燥組成物で充填されたパターン化された溝を含む可撓性膜を、一辺が１５６ｍｍの正方形であって約２００μｍの厚さを有するガラス質基板と接触させた。ニップ１５６を５ｃｍ／ｓの速度で通過させることにより、膜を６Ｋｇ／ｃｍ^２の圧力で基板に押し付けた。加圧ローラ１５２および１５４を約１３０〜１４０℃まで加熱した。接着剤コーティングがあるとすれば、該接着剤コーティングは、基板の表面のテクスチャに流れ込み、基板をおよそ周囲温度に冷却した後に接着した。次に、ＣＰＰ膜を基板から剥がしたが、接着剤のコーティング層および金属パターンは、基板に転写されて膜の除去後も基板上に残った。転写された金属パターンは、ソーラーベルト炉Ｄｅｓｐａｔｃｈ ＣＤＦ−ＳＬ内で、約７５０℃のピーク温度に達する温度プロファイルで焼結された。そのように処理されたパターンは、周囲温度に冷却される前に、典型的には少なくとも５〜２０秒間にわたって７００℃以上の温度にあった。

図５Ｄは、共焦点レーザ走査顕微鏡（オリンパス（登録商標）社のＬＥＸＴ ＯＬＳ４０００ ３Ｄ）によって撮影された、基板に転写され（例えば、図１Ｄの１４０’参照）、かつ上述したように焼結された（図５Ｃに示す溝を満たすような）金属ペーストで作られた接触線を示す顕微鏡写真である。図から分かるように、焼結された金属線は、それが作製された溝を画定するルールの形状を実質的に保持していた。

本開示のプロセスの利点は、比較的高いアスペクト比で評価できるように、十分な高さを維持しながら導体を非常に細く（例えば、２０以下〜２５μｍ以下、典型的な技術値の半分以下）することが可能であることであり、本実施例におけるＡＳＰは約１：１である。

上記の非水性組成物を水性組成物で置き換えて、同じ膜および溝のパターンを使用して、ガラス質表面を有する絶縁基板上に代替の導体パターンを同様に作製した。剥離コーティングは、脱イオン水中に１０重量％のＭｅｔｈｏｃｅｌ（商標）Ｅ１５（Ｄｏｗ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏｍｐａｎｙ）を含む剥離組成物を用いて作製した。剥離組成物を２回塗布して乾燥させた後、膜の溝のある面をクロースコロナ処理（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｔｅｃｈｎｉｃ ＰｒｏｄｕｃｔｓによるＢＤ−２０ＡＣ Ｌａｂｏｒａｔｏｒｙ Ｃｏｒｏｎａ Ｔｒｅａｔｅｒ）にさらした。

次いで、水性金属ペーストを溝内に充填した。金属ペーストは、ａ）銀粒子（１〜３μｍのビーズ）および酸化鉛系ガラスフリット（１〜３μｍの塊）を含み、前述のものは約６０体積％の固形分を構成し、ガラスフリットは約３〜５体積％の導電性粒子として存在し；ｂ）固形分の約４０体積％を構成するポリ（２−エチル−２−オキサゾリン）接着剤、Ａｑｕａｚｏｌ（登録商標）５、および全ペーストの４０体積％を構成する脱イオン水を含んでいた。全組成物の重量％に換算すると、そのような金属ペーストは、８７．３〜８８．７重量％の銀粒子、１．３〜２．７重量％のガラスフリット、６重量％の接着剤、および４重量％のキャリアから構成されていた。水性の金属ペーストを、６回の充填／乾燥ステップで充填した。

最後に、水性接着剤コーティングを充填膜の表面全体に塗布した。水性接着剤コーティングは、すべてイオン水中５重量％のＡｑｕａｚｏｌ（登録商標）５（Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ Ｉｎｎｏｖａｔｉｏｎｓによるポリ（２−エチル−２オキサゾリン））、１重量％のブタノール、０．２５重量％のＢＹＫ（登録商標）−３４９、および０．０７５重量％のＢＹＫ（登録商標）−３３３（両方ともにＢＹＫによる湿潤剤）から構成されていた。

［プリント回路基板］
プリント回路基板（ＰＣＢ）の製造では、絶縁材料（例えば、ガラス繊維）でできた基板を導電層（例えば、銅）で被覆し、保護パターンを絶縁基板の上面に接着するかまたは他の方法で結合する。導電層の一部を機械的または化学的に除去し、電気部品を接続するために利用される導電トレースのパターンを形成する。特定の実施形態において、トレースは、表面実装デバイスとして知られる電気部品に対する機械的支持も提供する。電気部品（例えば、抵抗器およびコンデンサなど）を含むＰＣＢは、プリント回路アセンブリ（ＰＣＡ）とも呼ばれる。このような従来の方法における導電性材料の除去は、無駄であり、そして費用がかかる。

（上述の方法と類似するプロセスで）膜に溝を形成し、溝を組成物で充填し、組成物を絶縁基板に転写することは、効率的で正確かつよく制御された、ＰＣＢの製造方法を提供する。導電性トレースを作製するのに必要な溝に加えて、ＰＣＢ導電性トレースに接続するためにワイヤまたは部品をはんだ付けすることができるコンタクトパッドを設けることがしばしば必要である。そのようなコンタクトパッドは、溝よりも広くて深いキャビティを可撓性膜に設けることによって製造することができる。導体と電気的に連通するコンタクトパッドは、他の導電性トレースよりも絶縁基板上により大きな幅と高さを有し、回路の構成要素への特定の電気的接続を可能にする。コンタクトパッドへの接続は、はんだ付けまたは融着によって行うことができる。

特定の集積回路は、ウェハの少なくとも片面に導電性トレースおよび／またはパッドが形成された半導体ウェハ上に形成される。そのようなトレースおよび／またはパッドを提供するために、上述のプロセスを同様に用いることができる。

電子部品を外部回路に接続するための一般的な手法は、口語的に「フリップチップ」法として知られている。例えば、表面実装を含む他の手法が存在する。一般に、そのような外部回路は、ＰＣＢまたは他の構成要素など（例えば、サブマウントおよび電子デバイスなど）のキャリア上に存在する。口語的に「チップ」として知られている構成要素は、コンタクトパッドまたは支持部で製造されている。ある量の導電性材料がチップパッド上に堆積されて、口語的に「バンプ」または「はんだバンプ」として知られるものを形成する。通常、バンプは、単一の半導体ウェハ上に複数のチップを製造するときのように、同時に多数のチップ上に堆積されてから個々のチップまたはダイに切断される。製造を容易にするために、バンプの堆積は、チップパッドを上に向けて行われる。次に、チップを裏返し（反転させ）、対応するキャリアコンタクトパッドのセットと位置合わせしてキャリア上に置くと、バンプは、対応するチップコンタクトパッドとキャリアコンタクトパッドとの間を電気的にブリッジすることができる。

特定の用途では、バンプは、対応するチップとキャリアパッドとの間に溶融して永久的な電気的接合を形成する。再溶融バンプ材料はまた、チップの機械的支持を提供することができる。他の用途では、チップは、キャリアに対して機械的に保持されており、バンプは、機械的圧力により、チップとキャリア対応パッドとの間に電気的ブリッジを提供する。

膜１００と同様の膜における適切な寸法の溝またはキャビティを利用して、そのようなフリップチップにバンプを堆積させることができる。

そのようなプロセスは、チップが裏返されて位置合わせされて置かれた後に焼結を任意に可能にし、チップとキャリアパッドの両方に対する焼結および付着をともに提供する。

さらに、多くのフリップチップ用途では、追加の機械的支持および／または熱伝達を提供するために、電気絶縁性接着剤がチップとキャリアとの間に残された小空間に流される。本発明の特定の実施形態では、接着剤層は、焼結中に同様の機能を提供するために絶縁性接着剤に置き換えられてもよい。

［複数組の溝］
先に詳述した本発明の実施形態では、１つのパターンの溝が形成され、次いで、乾燥組成物のパターンを転写するのに最適な電気絶縁基板上への積層に先立って対象の組成物が充填される可撓性膜を説明した。（例えば、異なる形状、異なる寸法、異なるプロファイル、異なる組成などの相違点を有する）個別のパターンを同じ基板上に形成する場合、本教示に従う方法は適切であり得る。例えば、第１のパターンを有する第１の膜を基板の第１の面に適用し、第２のパターンを有する第２の膜を該基板の第２の面に適用することができる。基板の第１および第２の面は、基板の同側、典型的には重複しない領域にあり得るが、反対側にあってもよい。さらに、各膜の各パターンは、同じまたは異なる組成物で充填されていてもよい。

例として、第１の面の導電線を、第１の膜から第１の組成物の第１のパターンを転写することによって形成し、背面電極を、第２の膜から第２の組成物の第２のパターンを転写することによって形成することができる。好ましくは、個別のパターンは、積層ステップの間に付随して転写され、その際、圧力は、基板の各面にそれぞれ面する両方の膜に同時に加えられる。

以下に説明するように、基板の同じ面に転写されることになる個別のパターンは、単一の膜を使用して有利に得ることができる。図６は、それぞれ異なる材料で充填された複数組の溝を有する膜を示す。このような膜は、基板上に異なるパターンの材料を提供するために利用することができる。一例として、ＰＣＢの製造は、ＰＣＢ導電性トレースまたはそれらのパターンの一部に挟まれ、および／またはそれを囲む第２のパターンを堆積することから利益を得ることができる。さらに非限定的な例として、そのような第２のパターンは、部品を保護するためのセラミック材料を導入すること、またはトレースとＰＣＢの部品との間の電磁結合または減結合を制御するための強磁性材料を含むパターンを導入することができる。いくつかの実施形態において、第２のパターン（およびそれを形成する組成物）は、第１のパターンに遮蔽効果をもたらす。遮蔽は、第１のパターンの動作中に発生する可能性がある電波、電磁場、および／または静電界の結合を低減することができる。不所望の放射（例えば、ＥＭＲ、ＲＦＩなど）を遮蔽、スケルチする、またはその他の不所望の減少を減衰させるのに適した材料は知られており、そのような材料には、非限定的な例として、銅およびニッケルが含まれる。代替的な実施形態において、第２のパターン（およびそれを形成する組成物）は、動作中の第１のパターンの１つ以上の効果、または意図する際数製品に関する任意の他の所望の現象を促進または増強する。

さらに別の実施形態において、第２のパターンは、第１のパターンに対して不活性である（例えば、動作中に、第１のパターンのいずれの効果を減少または増加させない）。第２のパターンは、導電線の代替パターンを提供することができ、あるいは、基板またはその一部のシールを容易にするために膜によって基板に転写され得る弾性材料のパターンとすることができる。そのような第２のパターンは、さらに、例として、区画ラインまたはサブシステム境界として機能し、耐候性を提供し、放熱を促進し、ノイズまたは振動を低減させるなどすることができる。

第２のパターン２８０は、図２Ｄに概略的に示されており、第２のパターンは、導電性パターン３００のトレース２６０およびコンタクトパッド２７０によって示される導電線の別のアレイの一部である。

図６では、溝１１０Ａによって象徴される溝パターンは、膜１１０Ａにエンボス加工されている。次いで、ドクターブレード１３０Ａを用いて、第１の溝パターンを第１の組成物１２０Ａで充填する。ドクターブレード１３０Ａの作用は、加圧ローラ１３２Ａによって、または任意の他の所望の方法によって支えられる。例えば、図１Ａ〜１Ｄ、および図３Ａ〜３Ｄに関して上記により詳細に説明したように、複数の充填ステップを利用することができ、複数の充填および／または乾燥ステーションおよび／またはドクターブレードを利用することができる（不図示）。同様に、溝間のスペースにおける組成物の除去を容易にするために、クリーニングステーションを任意に含むことができる。

例として、１４０Ａ、１４０Ｂ、１４０Ｃなどによって示される第１のパターンの溝を満たしたら、溝１１２によって象徴される第２の組の溝を膜に形成する。次いで、ドクターブレード１３０Ｂを用いて、第２の組の溝を第２の組成物１２０Ｂで充填する。ドクターブレード１３０Ｂの作用は、加圧ローラ１３２Ｂによって、または任意の他の所望の方法によって支えられる。第１のパターンの溝１４０Ａ、１４０Ｂ、１４０Ｃが既に充填されているので、第２の組成物１２０Ｂは、第２のパターンの溝に適用される。第２の組の溝は、所望の充填レベル１４２が達成されるまで、単一または複数の充填ステップ、ドクターブレード、流動助剤などによって充填することができる。したがって、膜は複数の溝パターンを担持していてもよく、溝パターンの各々は所望の特性のセットを提供する組成物を利用することができる。この図では、２つのパターンの溝はそれぞれ溝１１０Ａおよび１１２で示されており、これらは図に示された視点からは互いに平行に見え得るが、そうである必要はなく、一方のパターンの溝は、第２のパターンの溝に対して任意の所望の配置および向きをとることができる。

図６はまた、溝を形成するために様々な方法が利用され得ることを示している。第１の組の溝が、ダイローラ１２０Ａ（１０４Ａは、対応する加圧ローラを表している）によるエンボス加工によって形成されているように描かれている一方で、第２の組の溝は、符号１５０によって象徴される代替的な方法を利用して形成されている。そのような溝形成装置は、膜１００Ａの一部を選択的に切除するための、または特定の場合には加熱によって膜収縮を引き起こすための、専用パンチからレーザ源まで多くの装置の１つであり得る。あるいは、溝のパターンは、フォトリソグラフィなどのパターニング技術によって可撓性膜上に形成することができる。

膜の溝を様々な組成物で充填したら、例えば、図３Ｄに２５０で示すように接着剤コーティングを塗布し、上述したように、パターン化された組成物を基板に転写するために、膜を基板と接触させることができる。

本方法が、様々なパターンと基板との間の適切な位置合わせを容易にし得ることが容易に理解されよう。そのような位置合わせをさらに容易にすることができる方法で、パターンを可撓性膜上で互いに分離することができる。

図１Ｅは、後に基板へ転写するための、複数の組成物を有する膜を製造することを目的としたプロセスステップを反映するいくつかの破線要素を示す。第１のパターン溝を充填した（３１５）後、任意の所望の方法によって、追加の組の溝を膜上に形成する（３４０）。次いで、第２の組の溝を第２の組成物で充填する（３４５）（充填は、任意に、先のパターンの溝を充填するのに使用された組成物のセット、またはその組成物とは異なる組成物のセットの充填および乾燥のサイクルを繰り返して実行される）。第１のパターンとは異なるパターンのためのこれらのプロセスステップは、破線３５５で示されるように、任意の所望の回数繰り返すことができる。すべての所望のパターンが膜に形成されて所望の材料ペーストで満たされると、プロセスは、膜を基板に接触させ、続いて材料を基板に転写するステップ３５０（先に説明した３２０、３２５、および３３０を含む）へと続き、最終ステップ３３５は、すべての転写されたパターンの材料を焼結するようになっている。いくつかの実施形態において、プロセスのステップは、連続的に実行されず、また同じ主体によって実行されない。特定の実施形態では、材料が完全に焼結されていなくてもよく、いくつかの実施形態では、多数の組成物への損傷を防ぐために温度および他の環境条件が調整される。

導体パターンの最終用途に応じて、ルール／溝／導電線は任意の適切なプロファイルを有することができる。そのようなプロファイルが、例えば、台形プロファイルまたは三角形プロファイルのように先細り面を有する場合、そのようなプロファイルの底幅Ｗ_Ｂは、有利に、約１０μｍ〜約２５μｍの間であり得る。いくつかの実施形態において、線の面（テーパー面の傾斜面）と基板との間の角度（図５Ｂにαで示される）は、少なくとも２５°、少なくとも３０°、少なくとも４０°、少なくとも４５°、少なくとも５０°、少なくとも６０°、または少なくとも７０°とすることができる。典型的には、そのような導電線のテーパー面と基板との間の角度は、最大８５°、最大８２．５°、最大８０°、最大７７．５°、または最大７５°である。有利には、導電線の面と基板とがなす角度は、２０°〜９０°の間であり、６０°〜８５°、６５°〜８２．５°、または７０°〜８０°の範囲内である。

膜の表面に対して溝の側面によって形成される角度は、充填前の可撓性膜における溝の断面プロファイルの頂点まで一定であるように設計することが可能である一方で、そのような角度は、特に、導電性パターンがその基板に転写され、その上に焼結されて電気絶縁基板を有する最終製品上に導体パターンを形成するプロセス中に穏やかに変化する場合があることは理解されよう。例えば、三角形の断面形状を有する溝を想定し、最初に、三角形の面が膜の表面と４５°の角度をなしていると仮定すると、そのような溝から生じるトレースは、より不完全な三角形状を有し得る。絶縁基板のベースから導電線の頂部まで、そのプロファイルの半分だけを考慮した場合、第１のセグメントにおける角度が４５°未満であって、線のプロファイルが初期の浅い斜面を有するか、またはその逆で、その角度が４５°超であって、線のプロファイルが初期の「階段」斜面を有することができ、そのような角度はさらに、テーパー面が頂点に達するまで変化し得る。プロファイルは、緩やかな凸状もしくは凹状とすることができ、あるいは凸状、凹状および直線状のセグメントを交互に有することができる。得られる導電線のプロファイルを考慮すると、それは、底部と線の頂部との間に形成された斜面に沿った異なる点において考慮されるように可変角度を形成することができ、角度の平均を、テーパー面に沿った各サブセグメントにおけるプロファイルの傾きのｔａｎ^−１（＝導関数）の平均として考えることが好ましい場合がある。そのような値は、平均勾配とも呼ばれる。そのような方法を使用して、前述の例示的な実施例において、面の異なるサブセグメントに沿ってこの値の上下で変化する場合であっても三角形の角度は平均４５°であると仮定すると、半分のプロファイルの平均勾配は１になる。

したがって、いくつかの実施形態において、電気絶縁基板から線の頂点（すなわち、テーパー面）まで上がる導電線の片側の平均勾配は、少なくとも０．５０（約２６°）、少なくとも０．７５（約３７°）、少なくとも０．８５（約４０°）、または少なくとも１（４５°）、または少なくとも１．１５（約４９°）、少なくとも１．３（約５３°）、少なくとも１．５（約５６°）、または少なくとも１．７（約６０°）とすることができる。いくつかの実施形態において、平均勾配は、最大８（約８３°）、最大６（約８０°）、最大４（約７６°）または最大２（約６３°）である。

本開示の明細書および特許請求の範囲において、動詞「備える」、「含む」、および「有する」のそれぞれ、ならびにその活用形の使用は、動詞の１つまたは複数の目的語が、該動詞の主語のメンバー、組成物、要素、組成物、ステップまたは部分の完全なリストである必要はないことを示している。

本明細書で使用されるとき、単数形の不定冠詞“ａ”，“ａｎ”および定冠詞“ｔｈｅ”は、文脈からそうでないことが明らかでない限り複数の言及を含み、「少なくとも１つ」または「１つ以上」を意味する。

「上」、「下」、「右」、「左」、「底部」、「下方」、「下げられた」、「低い」、「上部」、「上方」、「上げられた」、「高い」、「垂直」、「水平」、「背方」、「前方」、「上流」、「下流」などの位置または動作を表す用語、ならびにそれらの文法的な変形は、本明細書では、例示的な目的のためだけに使用され得るものであり、特定の構成要素の相対位置、配置、または移動を示すこと、本例における第１および第２の構成要素を示すこと、あるいはその両方を目的としたものである。このような用語は、例えば、「底部」の構成要素が「上部」の構成要素の下にあることを必ずしも示しているわけではなく、そのような方向、構成要素またはその両方は、反転、回転、空間移動され、対角線方向もしくは対角線位置に配置、水平もしくは垂直に配置され得るものであり、あるいは同様に変更され得るものである。

特に明記しない限り、選択のための選択肢リストの最後の２つの要素間の「および／または」という表現の使用は、列挙された選択肢のうちの１つまたは複数の選択が適切であり、かつ行われ得ることを示す。

本開示において、特に明記しない限り、本技術の実施形態の１つまたは複数の特徴の条件または関係特性を修正する「およそ」および「約」などの形容詞は、その条件または特徴が、それが意図される用途のための実施形態の動作に許容される許容範囲内に定義されるか、または実行されている測定および／もしくは使用されている測定機器から予測される変動内に定義されることを意味するものと理解される。さらに、特に明記しない限り、本開示で使用される用語は、関連する用語の正確な意味から逸脱し得るが、本発明またはその関連部分が説明され、また当業者によって理解されるように動作し機能することを可能にする許容範囲を有するものと解釈されるべきである。

本明細書に参照されている特定の商標は、コモンローまたは第三者の登録商標であり得る。これらの商標の使用は一例であって、説明的であると解釈されるべきではなく、本開示の範囲をそのような商標にのみ関連する材料に限定するべきではない。

本開示は、特定の実施形態および一般的に関連する方法に関して説明してきたが、実施形態および方法の変更および置換は当業者に明らかであろう。本開示は、本明細書に記載の特定の実施例によっては限定されないと理解されるべきである。

Claims (26)

1. 電気絶縁基板に電気伝導体のパターンを適用する方法であって、前記方法は、
   ａ）可撓性膜を提供するステップと、
   ｂ）前記膜の第１の面に、前記基板に適用される電気伝導体の所望のパターンに少なくとも部分的に対応する、溝のパターンを形成するステップと、
   ｃ）前記溝に、組成成分として導電性粒子および接着剤を含む組成物を充填する充填ステップであって、前記充填ステップの完了時に、前記組成物が前記膜の前記第１の面と同じ高さで前記溝を実質的に満たし、かつ前記溝の間の前記第１の面の部分に前記組成物が実質的に含まれないように、１回以上のサブステップで実行される充填する充填ステップと、
   ｄ）前記膜の前記第１の面を前記基板に向けて、前記膜を前記基板に接触させるステップと、
   ｅ）前記膜に圧力を加えて、前記膜の前記第１の面の前記溝内に充填された前記組成物を、前記基板に付着させるステップと、
   ｆ）前記膜を前記基板から分離させて、当該膜の前記第１の面の前記溝から前記基板に前記組成物を転写するステップと、
   ｇ）前記溝から前記基板に転写された前記組成物のパターンを導電性にするために、前記導電性粒子を焼結するのに十分なエネルギーを加えるステップと、を含む方法。
2. 前記溝に充填される前記組成物が、追加の組成成分として液体キャリアを含んで湿潤組成物を形成し、前記充填ステップが、
   （ｉ）過剰量の前記湿潤組成物を、前記膜の前記第１の面全体に塗布するステップと、
   （ｉｉ）前記湿潤組成物を実質的に前記膜の前記第１の面の前記溝内にだけ残すように、前記第１の面から余分な湿潤組成物を除去するステップと、
   （ｉｉｉ）前記液体キャリアを除去することにより、前記溝内の前記湿潤組成物を実質的に乾燥させて乾燥組成物を残すステップと、を含む充填サイクルを少なくとも１回実行し、
   乾燥組成物が前記膜の前記第１の面と同じ高さで前記溝を実質的に満たすまで、ステップ（ｉ）、（ｉｉ）および（ｉｉｉ）を必要に応じて繰り返す、請求項１に記載の方法。
3. 少なくとも最後の前記充填サイクルにおけるステップ（ｉｉｉ）の前または後に、前記膜をクリーニングして、前記溝の間の前記膜の部分から組成物を除去する、請求項２に記載の方法。
4. 前記組成物の前記成分の相対比率が充填サイクル間で変動する、請求項２または３に記載の方法。
5. 前記組成物を前記溝に充填する前に、前記膜の前記溝に剥離コーティングを塗布して、前記溝上で乾燥させる、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
6. 前記剥離コーティングを前記溝の壁上にのみ形成する、請求項５に記載の方法。
7. ステップｄ）に従って前記膜を前記基板に接触させる前に、前記膜の前記第１の面に接着剤コーティングを塗布して前記溝内に存在するあらゆる組成物を被覆し、前記基板との接触前に前記接着剤コーティングを乾燥させる、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
8. 前記パターンの前記溝が互いに実質的に同一である、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
9. 前記パターン内の少なくとも２つの溝、または同じ溝の２つの異なるセグメントは、深さおよび／または幅が互いに異なる、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
10. 前記可撓性膜が、プラスチックポリマーの予備成形膜および注型されたプラスチックポリマーから選択される、請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
11. 前記プラスチックポリマーが、環状オレフィンコポリマー（ＣＯＣ）、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、熱可塑性ポリウレタン（ＴＰＵ）、およびこれらの組合せからなる群から選択される熱可塑性ポリマーである、請求項１０に記載の方法。
12. 前記予備成形膜が少なくとも２層からなり、前記層の少なくとも１つが前記熱可塑性ポリマーを含む、請求項１１に記載の方法。
13. 前記可撓性膜の前記第１の面の平均粗さＲｚが、１μｍ以下、５００ｎｍ以下、２５０ｎｍ以下、または１００ｎｍ以下である、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の方法。
14. 導電性材料の粒子が、金属、合金、有機金属、導電性ポリマー、これらの前駆体、これらの塩類、およびこれらの組合せからなる群から選択される化合物からなる、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の方法。
15. 前記接着剤が、ａ）有機バインダ、ｂ）有機接着剤、およびｃ）ガラスフリットのうちの少なくとも１つである、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の方法。
16. 前記有機接着剤が感圧接着剤または感熱接着剤である、請求項１５に記載の方法。
17. 圧力を加えるステップｅ）を、６０℃〜２００℃の範囲の温度で実行する、請求項１〜１６のいずれか一項に記載の方法。
18. 前記可撓性膜の前記溝のパターンが、パターニング要素上のルールの相補的パターンによって形成され、前記可撓性膜とパターニング要素とがパターニング中に相対移動し、前記パターニング要素が任意にダイローラであり、前記可撓性膜がさらに任意に連続膜である、請求項１〜１７のいずれか一項に記載の方法。
19. 前記組成物が、ステップｇ）において、１５０℃〜８００℃の範囲内の少なくとも１つの温度または５００℃〜９００℃の範囲内の少なくとも１つの温度で焼結される、請求項１〜１８のいずれか一項に記載の方法。
20. 前記溝が連続するまたは個別の直線または曲線を形成し、各線の少なくとも一部が、三角形、台形、多角形、半円形、または半楕円形から選択されるテーパー断面形状を有し、いずれの形状も少なくとも底幅Ｗ_Ｂおよび高さｈを有し、当該高さと底幅との間の無次元アスペクト比ＡＳＰが、５：１〜１：５、３：１〜１：２、２：１〜１：１、または１．７５：１〜１：１．７５の範囲である、請求項１〜１９のいずれか一項に記載の方法。
21. 前記断面形状のテーパー面は、前記膜の前記第１の面とのなす角度が、少なくとも３０°、少なくとも４０°、少なくとも４５°、若しくは少なくとも６０°であり、かつ任意に最大９０°、最大８５°、若しくは最大８０°であり、および／または、（ｂ）平均勾配が、少なくとも０．７５、少なくとも１、若しくは少なくとも１．３であり、かつ任意に最大８、最大４、若しくは最大２である、請求項２０に記載の方法。
22. 前記溝の少なくとも１つが、パンチもしくはレーザビームから選択されるパターニング要素によって形成されるか、またはフォトリソグラフィを含むパターニング技術によって形成される、請求項１〜１９のいずれか一項に記載の方法。
23. ステップｂ）で形成された前記パターンが第１のパターンであり、ステップｃ）の前記組成物が第１の組成物であり、前記方法は、
    ｈ）前記膜の前記第１の面に、前記基板に適用される材料の第２の所望のパターンに対応する、溝の第２のパターンを形成するステップと、
    ｉ）前記第２のパターンの前記溝の間に、前記第２の組成物が実質的に含まれないスペースを残しながら、前記第２のパターンの前記溝に第２の組成物を少なくとも１回充填するステップと、をさらに含み、
    ステップｈ）およびｉ）が、ステップｃ）の後、かつステップｄ）の前に実行される、請求項１〜２２のいずれか一項に記載の方法。
24. 前記第２の組成物が導電性粒子を含まない、請求項２３に記載の方法。
25. 前記第２の組成物が強磁性粒子および接着剤を含む、請求項２３に記載の方法。
26. 電気絶縁基板であって、電気絶縁基板が前記電気絶縁基板の第１の面に適用される電気伝導体のパターンを含むパターンを有し、前記電気伝導体の少なくとも一部が、以下の１つ以上、
    ａ）電気伝導体の断面プロファイルは、Ｗ_Ｂが前記基板の前記第１の面に接触する、前記プロファイルの底辺の幅を表し、ｈが前記プロファイルの前記底辺と頂点との間の直交距離（前記プロファイルの高さとも称される）を表し、ＡＳＰが前記プロファイルの前記高さと前記底辺の幅との間のアスペクト比（ＡＳＰ＝ｈ／Ｗ_Ｂ）を表すとき、
    ｉ．Ｗ_Ｂは、少なくとも５μｍ、または少なくとも１０μｍであり、かつ最大５０μｍ、または最大４０μｍ、または最大３０μｍ、または最大２０μｍであり、
    ｉｉ．ｈは、少なくとも３μｍ、少なくとも５μｍ、少なくとも１０μｍ、少なくとも１５μｍ、または少なくとも２０μｍであり、かつ最大８０μｍ、最大６０μｍ、最大５０μｍ、または最大４０μｍであり、
    ｉｉｉ．ＡＳＰは、少なくとも１：２、少なくとも１：１．７５、少なくとも１：１．５または少なくとも１：１であり、かつ最大３：１、最大２：１、または最大１．５：１であること、
    ｂ）前記電気伝導体の前記断面プロファイルが、前記プロファイルの底辺から立ち上がる少なくとも２つの辺を有し、前記２つの辺の少なくとも１つと前記プロファイルの前記底辺との間に形成される角度の正接値によって評価される、前記底辺の前記幅の半分に沿った傾斜の平均が、少なくとも０．８５、または少なくとも１、または少なくとも１．１５、または少なくとも１．３であり、かつ最大６、最大４、または最大２であること、
    ｃ）前記電気伝導体が、１つ以上の焼結導電性材料からなること、
    ｄ）前記基板の前記第１の面に垂直な前記電気伝導体の断面スライスが、異なる焼結材料の２つ以上の層を含み、前記層が任意に前記電気伝導体の断面の前記プロファイルに従うこと、を満たす電気絶縁基板。

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