JP2003031948A - セラミック多層基板の製造方法 - Google Patents
セラミック多層基板の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 未焼結セラミックＧＳの表面に接着層を形成
しなくても、未焼結セラミックＧＳの表面上に厚膜凹版
転写を可能にすることで、高密度導体パターンを有する
セラミック多層基板を実現する。 【解決手段】 導体ペースト材料又は未焼結セラミック
ＧＳ材料として、従来の導体ペーストや未焼結セラミッ
クＧＳに比べて、樹脂バインダー量を多くすることで、
凹版に導体ペーストを充填後未焼結セラミックＧＳに加
熱加圧した時に、導体膜と未焼結セラミックＧＳとの接
合性を向上させて、凹版転写後の転写不良を無くすと同
時に、未焼結セラミックＧＳの内部破断を抑制できる。
また導体ペーストを充填した凹版に接着層をコートする
ことで、未焼結セラミックＧＳとの接合性を向上させ
て、凹版転写後の転写不良を抑制できる。
しなくても、未焼結セラミックＧＳの表面上に厚膜凹版
転写を可能にすることで、高密度導体パターンを有する
セラミック多層基板を実現する。 【解決手段】 導体ペースト材料又は未焼結セラミック
ＧＳ材料として、従来の導体ペーストや未焼結セラミッ
クＧＳに比べて、樹脂バインダー量を多くすることで、
凹版に導体ペーストを充填後未焼結セラミックＧＳに加
熱加圧した時に、導体膜と未焼結セラミックＧＳとの接
合性を向上させて、凹版転写後の転写不良を無くすと同
時に、未焼結セラミックＧＳの内部破断を抑制できる。
また導体ペーストを充填した凹版に接着層をコートする
ことで、未焼結セラミックＧＳとの接合性を向上させ
て、凹版転写後の転写不良を抑制できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、セラミック多層基
板の製造方法に関するものである。
板の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、セラミック多層回路基板は、低温
焼成基板（ＬＴＣＣ）が主流であり、パソコンや携帯電
話などの小型部品として使用されている。これらのセラ
ミック多層回路基板において、未焼結セラミックグリー
ンシート（以下ＧＳと略す）法によるＧＳ積層方法が一
般的である。導体配線部の形成方法は内層導体はスクリ
ーン印刷法が一般的であり、外装導体配線部にはスクリ
ーン印刷法、薄膜フォトリソ法や厚膜フォトリソ法（デ
ュポン社フォーデル）がある。
焼成基板（ＬＴＣＣ）が主流であり、パソコンや携帯電
話などの小型部品として使用されている。これらのセラ
ミック多層回路基板において、未焼結セラミックグリー
ンシート（以下ＧＳと略す）法によるＧＳ積層方法が一
般的である。導体配線部の形成方法は内層導体はスクリ
ーン印刷法が一般的であり、外装導体配線部にはスクリ
ーン印刷法、薄膜フォトリソ法や厚膜フォトリソ法（デ
ュポン社フォーデル）がある。
【０００３】電子部品は携帯電話などに代表されるよう
に非常に軽薄短小の電子部品において印刷回路基板はイ
ンダクター素子、コンデンサー素子や抵抗体素子などを
内蔵することで、フィルターなどが構成できるＬＣＲ複
合回路基板が開発されてきた。ＬＣＲなどの素子や内部
導体配線では主としてスクリーン印刷法にてパターンが
形成されるために、スクリーン印刷法のファイン化技術
が必要であった。しかし、現行スクリーン印刷法では配
線ピッチ（線幅＋線間）は１００μｍが量産の限界であ
り、徐々に、高密度化が進められてきた。
に非常に軽薄短小の電子部品において印刷回路基板はイ
ンダクター素子、コンデンサー素子や抵抗体素子などを
内蔵することで、フィルターなどが構成できるＬＣＲ複
合回路基板が開発されてきた。ＬＣＲなどの素子や内部
導体配線では主としてスクリーン印刷法にてパターンが
形成されるために、スクリーン印刷法のファイン化技術
が必要であった。しかし、現行スクリーン印刷法では配
線ピッチ（線幅＋線間）は１００μｍが量産の限界であ
り、徐々に、高密度化が進められてきた。
【０００４】本発明は、ＧＳを用いたセラミック回路基
板の内外部導体配線部を厚膜凹版転写法により形成する
ことで配線ピッチ４０μｍ程度の高密度配線基板を実現
するものである。
板の内外部導体配線部を厚膜凹版転写法により形成する
ことで配線ピッチ４０μｍ程度の高密度配線基板を実現
するものである。
【０００５】従来方法について、図３を用いて説明す
る。まず、未焼結ＧＳを打ち抜き金型、パンチング装置
やＹＡＧレーザ装置などでビア部の貫通孔を設ける。そ
の貫通孔に導体ペーストをメタル版でスクリーン印刷し
てビア導体部を形成する。次にビア電極を形成したＧＳ
にスクリーン印刷法にて導体ペーストを印刷して、導体
パターンを形成する。上記の導体パターンを形成したＧ
Ｓを少なくとも２枚以上を用いて、積層し、熱プレスで
一体化した後で、脱バイ、焼成を行いセラミック多層基
板を形成した。従来方法では、内部導体パターンはスク
リーン印刷工法のため、配線ピッチは１００μｍ程度が
限界であり、導体膜の厚みは焼成後７〜８μｍ程度であ
った。
る。まず、未焼結ＧＳを打ち抜き金型、パンチング装置
やＹＡＧレーザ装置などでビア部の貫通孔を設ける。そ
の貫通孔に導体ペーストをメタル版でスクリーン印刷し
てビア導体部を形成する。次にビア電極を形成したＧＳ
にスクリーン印刷法にて導体ペーストを印刷して、導体
パターンを形成する。上記の導体パターンを形成したＧ
Ｓを少なくとも２枚以上を用いて、積層し、熱プレスで
一体化した後で、脱バイ、焼成を行いセラミック多層基
板を形成した。従来方法では、内部導体パターンはスク
リーン印刷工法のため、配線ピッチは１００μｍ程度が
限界であり、導体膜の厚みは焼成後７〜８μｍ程度であ
った。
【０００６】従来技術のグリーンシート多層回路基板の
製造方法について図３を用いて説明する。図３の（ａ）
は未焼結セラミックＧＳ３１にパンチャー装置や打ち抜
き金型で貫通孔３２を加工したものである。図３の
（ｂ）は（ａ）の未焼結セラミックＧＳ３１の貫通孔３
２にスクリーン印刷などによりビア導体３３を形成した
ものである。図３の（ｃ）は（ｂ）の未焼結セラミック
ＧＳ３１上にスクリーン印刷法により導体配線３４を形
成したものである。図３の（ｄ）は（ｃ）の未焼結セラ
ミックＧＳ３１を複数枚用いて熱プレス工程により積層
一体化する。図３の（ｅ）は（ｄ）の積層体を脱バイ、
焼成した状態である。
製造方法について図３を用いて説明する。図３の（ａ）
は未焼結セラミックＧＳ３１にパンチャー装置や打ち抜
き金型で貫通孔３２を加工したものである。図３の
（ｂ）は（ａ）の未焼結セラミックＧＳ３１の貫通孔３
２にスクリーン印刷などによりビア導体３３を形成した
ものである。図３の（ｃ）は（ｂ）の未焼結セラミック
ＧＳ３１上にスクリーン印刷法により導体配線３４を形
成したものである。図３の（ｄ）は（ｃ）の未焼結セラ
ミックＧＳ３１を複数枚用いて熱プレス工程により積層
一体化する。図３の（ｅ）は（ｄ）の積層体を脱バイ、
焼成した状態である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】セラミック回路基板の
高密度化において、厚膜凹版転写法の特徴であるファイ
ン性（配線ピッチ４０μｍ程度）と高アスペクト比膜
（焼成厚み１０μｍ程度）を備えた導体パターンをセラ
ミック多層回路基板の導体パターンに用いる必要があ
る。厚膜凹版転写法をセラミック回路基板に用いる方法
とは、未焼結セラミックＧＳ上に厚膜凹版転写法にて導
体パターンが形成できれば、ＧＳ積層法を用いることで
セラミック多層回路基板を製造することが可能である。
高密度化において、厚膜凹版転写法の特徴であるファイ
ン性（配線ピッチ４０μｍ程度）と高アスペクト比膜
（焼成厚み１０μｍ程度）を備えた導体パターンをセラ
ミック多層回路基板の導体パターンに用いる必要があ
る。厚膜凹版転写法をセラミック回路基板に用いる方法
とは、未焼結セラミックＧＳ上に厚膜凹版転写法にて導
体パターンが形成できれば、ＧＳ積層法を用いることで
セラミック多層回路基板を製造することが可能である。
【０００８】しかし、上記の製造法において、まず、厚
膜凹版転写法において直接に未焼結セラミックＧＳ上に
導体パターンを転写する工程において、熱可塑性樹脂を
主成分とする接着層を未焼結セラミックＧＳ上にコート
する必要がある。しかし接着層を未焼結セラミックＧＳ
上にコートする工程において、接着層の溶液は揮発性の
高いトルエンやアセトン等の溶剤を使用するために、未
焼結セラミックＧＳは溶液に溶けてしまう。また、未焼
結セラミックＧＳ表面に接着層が形成できても、熱プレ
ス後に凹版フィルムと未焼結セラミックＧＳとが接着剤
を介して密着した場合、未焼結セラミックＧＳはスポン
ジ状である為に、凹版フィルムを剥離工程で未焼結セラ
ミックＧＳの内部で破壊される。
膜凹版転写法において直接に未焼結セラミックＧＳ上に
導体パターンを転写する工程において、熱可塑性樹脂を
主成分とする接着層を未焼結セラミックＧＳ上にコート
する必要がある。しかし接着層を未焼結セラミックＧＳ
上にコートする工程において、接着層の溶液は揮発性の
高いトルエンやアセトン等の溶剤を使用するために、未
焼結セラミックＧＳは溶液に溶けてしまう。また、未焼
結セラミックＧＳ表面に接着層が形成できても、熱プレ
ス後に凹版フィルムと未焼結セラミックＧＳとが接着剤
を介して密着した場合、未焼結セラミックＧＳはスポン
ジ状である為に、凹版フィルムを剥離工程で未焼結セラ
ミックＧＳの内部で破壊される。
【０００９】本発明は、未焼結セラミックＧＳの表面に
接着層を形成しなくても、厚膜凹版転写を可能にするこ
とで、厚膜凹版転写法による高性能導体パターンをセラ
ミック回路基板の内装導体としたセラミック多層基板の
製造方法を提供する事を目的とする。
接着層を形成しなくても、厚膜凹版転写を可能にするこ
とで、厚膜凹版転写法による高性能導体パターンをセラ
ミック回路基板の内装導体としたセラミック多層基板の
製造方法を提供する事を目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に本発明は、２通りの製造方法について行った。１つの
方法は、導体ペースト材料又は未焼結セラミックＧＳ材
料として、従来の導体ペーストや未焼結セラミックＧＳ
に比べて、樹脂バインダー量を多くすることで、凹版に
導体ペーストを充填後未焼結セラミックＧＳに加熱加圧
した時に、導体膜と未焼結セラミックＧＳとの接合性を
向上させて、凹版転写後の転写不良を無くすと同時に、
未焼結セラミックＧＳの内部破断を抑制できる。
に本発明は、２通りの製造方法について行った。１つの
方法は、導体ペースト材料又は未焼結セラミックＧＳ材
料として、従来の導体ペーストや未焼結セラミックＧＳ
に比べて、樹脂バインダー量を多くすることで、凹版に
導体ペーストを充填後未焼結セラミックＧＳに加熱加圧
した時に、導体膜と未焼結セラミックＧＳとの接合性を
向上させて、凹版転写後の転写不良を無くすと同時に、
未焼結セラミックＧＳの内部破断を抑制できる。
【００１１】またもう一つの方法は、導体ペーストを充
填した凹版に接着層をコートすることで、未焼結セラミ
ックＧＳとの接合性を向上させて、凹版転写後の転写不
良を抑制できる。以上の２通りの製造方法により、厚膜
凹版転写法による高性能導体パターンを内装導体とした
セラミック回路基板の製造が可能となる。
填した凹版に接着層をコートすることで、未焼結セラミ
ックＧＳとの接合性を向上させて、凹版転写後の転写不
良を抑制できる。以上の２通りの製造方法により、厚膜
凹版転写法による高性能導体パターンを内装導体とした
セラミック回路基板の製造が可能となる。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、厚膜凹版転写法により、未焼結セラミックＧＳに導
体パターンを仮転写することにより、厚膜凹版転写パタ
ーンのファインパターンを有したＧＳ多層セラミック基
板を製造できる作用を有する。
は、厚膜凹版転写法により、未焼結セラミックＧＳに導
体パターンを仮転写することにより、厚膜凹版転写パタ
ーンのファインパターンを有したＧＳ多層セラミック基
板を製造できる作用を有する。
【００１３】請求項２に記載の発明は、請求項１の導体
ペースト材料の有機バインダー量を増加させることによ
って未焼結セラミックＧＳとの接合性を向上させて厚膜
凹版転写時の転写不良を抑制する作用を有する。
ペースト材料の有機バインダー量を増加させることによ
って未焼結セラミックＧＳとの接合性を向上させて厚膜
凹版転写時の転写不良を抑制する作用を有する。
【００１４】請求項３に記載の発明は、請求項１の未焼
結セラミックＧＳの有機バインダー量を適量に増加させ
ることによって凹版に充填された導体膜との接合性を向
上させて厚膜凹版転写時の転写不良を抑制する作用を有
する。
結セラミックＧＳの有機バインダー量を適量に増加させ
ることによって凹版に充填された導体膜との接合性を向
上させて厚膜凹版転写時の転写不良を抑制する作用を有
する。
【００１５】請求項４に記載の発明は、請求項１の導体
ペースト材料の有機バインダーとして、アクリル系樹脂
バインダーを用いて、更に、請求項３の未焼結セラミッ
クＧＳ材料の有機バインダーとして、アクリル系樹脂バ
インダーを用いることで、脱バイ時の残留カーボンを低
減できる作用を有する。
ペースト材料の有機バインダーとして、アクリル系樹脂
バインダーを用いて、更に、請求項３の未焼結セラミッ
クＧＳ材料の有機バインダーとして、アクリル系樹脂バ
インダーを用いることで、脱バイ時の残留カーボンを低
減できる作用を有する。
【００１６】請求項５に記載の発明は、請求項１の未焼
結セラミックＧＳの成分として、可塑剤を６〜１０ｗｔ
％添加することで、未焼結セラミックＧＳ上に厚膜凹版
転写した場合の導体膜と未焼結セラミックＧＳとの接合
性を向上させることで転写不良を抑制する作用を有す
る。
結セラミックＧＳの成分として、可塑剤を６〜１０ｗｔ
％添加することで、未焼結セラミックＧＳ上に厚膜凹版
転写した場合の導体膜と未焼結セラミックＧＳとの接合
性を向上させることで転写不良を抑制する作用を有す
る。
【００１７】請求項６に記載の発明は、導体ペーストを
充填した凹版に接着剤をコートすることで未焼結セラミ
ックＧＳ上に厚膜凹版転写することを可能にすること
で、高密度導体配線パターンを有したセラミック多層回
路基板を製造できる作用を有する。
充填した凹版に接着剤をコートすることで未焼結セラミ
ックＧＳ上に厚膜凹版転写することを可能にすること
で、高密度導体配線パターンを有したセラミック多層回
路基板を製造できる作用を有する。
【００１８】以下、本発明の実施の形態について、図
１、図２を用いて説明する。
１、図２を用いて説明する。
【００１９】（実施の形態１）図１は未焼結セラミック
ＧＳ上に厚膜凹版転写法で導体パターンを形成したセラ
ミック回路基板の製造方法である。図１の（ａ）につい
て説明する。図１の（ａ）はエキシマレーザで溝加工さ
れたポリイミド製凹版１１に導体ペースト１２をセラミ
ックブレードなどで充填し、乾燥後導体ペーストが体積
収縮するために、凹版１１の溝部に充填された導体ペー
ストの乾燥凹みが５μｍ以内になるように導体ペースト
の充填・乾燥を繰り返す。図１の（ｂ）は図１の（ａ）
の導体ペースト１２を充填した凹版１１を未焼結セラミ
ックＧＳ１３に熱プレスした状態である。図１の（ｃ）
は導体ペースト１２を凹版転写した後に、未焼結セラミ
ックＧＳ１３から凹版１１を剥がした状態である。
ＧＳ上に厚膜凹版転写法で導体パターンを形成したセラ
ミック回路基板の製造方法である。図１の（ａ）につい
て説明する。図１の（ａ）はエキシマレーザで溝加工さ
れたポリイミド製凹版１１に導体ペースト１２をセラミ
ックブレードなどで充填し、乾燥後導体ペーストが体積
収縮するために、凹版１１の溝部に充填された導体ペー
ストの乾燥凹みが５μｍ以内になるように導体ペースト
の充填・乾燥を繰り返す。図１の（ｂ）は図１の（ａ）
の導体ペースト１２を充填した凹版１１を未焼結セラミ
ックＧＳ１３に熱プレスした状態である。図１の（ｃ）
は導体ペースト１２を凹版転写した後に、未焼結セラミ
ックＧＳ１３から凹版１１を剥がした状態である。
【００２０】図１の（ｄ）は図１の（ａ）〜（ｃ）を繰
り返して得られた凹版転写された導体ペースト１２を有
する未焼結セラミックＧＳ等を用いて、所望の積層数に
重ねられて、加熱加圧して一体化された状態である。図
１の（ｅ）は図１の（ｄ）を脱バイ、焼成を行って得ら
れたセラミック印刷回路基板である。なお１４は焼結セ
ラミックグリーンシートである。以上の様に厚膜凹版転
写法を用いて、未焼結セラミックＧＳに導体パターンを
容易に形成できることを示す。
り返して得られた凹版転写された導体ペースト１２を有
する未焼結セラミックＧＳ等を用いて、所望の積層数に
重ねられて、加熱加圧して一体化された状態である。図
１の（ｅ）は図１の（ｄ）を脱バイ、焼成を行って得ら
れたセラミック印刷回路基板である。なお１４は焼結セ
ラミックグリーンシートである。以上の様に厚膜凹版転
写法を用いて、未焼結セラミックＧＳに導体パターンを
容易に形成できることを示す。
【００２１】（実施の形態２）図２は未焼結セラミック
ＧＳ上に厚膜凹版転写法で導体パターンを形成したセラ
ミック回路基板の製造方法である。図２の（ａ）につい
て説明する。図２の（ａ）はエキシマレーザで溝加工さ
れたポリイミド製凹版２１に導体ペースト２２をセラミ
ックブレードなどで充填し、乾燥後導体ペーストが体積
収縮するために、凹版２１の溝部に充填された導体ペー
ストの乾燥凹みが５μｍ以内になるように導体ペースト
の充填・乾燥を繰り返す。図２の（ｂ）は図２の（ａ）
の表面に接着層２３を接着剤溶液中にディッピングして
形成した状態である。
ＧＳ上に厚膜凹版転写法で導体パターンを形成したセラ
ミック回路基板の製造方法である。図２の（ａ）につい
て説明する。図２の（ａ）はエキシマレーザで溝加工さ
れたポリイミド製凹版２１に導体ペースト２２をセラミ
ックブレードなどで充填し、乾燥後導体ペーストが体積
収縮するために、凹版２１の溝部に充填された導体ペー
ストの乾燥凹みが５μｍ以内になるように導体ペースト
の充填・乾燥を繰り返す。図２の（ｂ）は図２の（ａ）
の表面に接着層２３を接着剤溶液中にディッピングして
形成した状態である。
【００２２】図２の（ｃ）は接着層２３をコートした凹
版２１を未焼結セラミックＧＳ２４に熱プレスした状態
である。図２の（ｄ）は導体ペースト２２を凹版転写し
た後に、未焼結セラミックＧＳ２４から凹版２１を剥が
した状態である。図２の（ｅ）は図２の（ａ）〜（ｄ）
を繰り返して得られた凹版転写された導体ペースト２２
を有する未焼結セラミックＧＳ等を用いて、所望の積層
数に重ねられて、加熱加圧して一体化された状態であ
る。図２の（ｆ）は図２（ｅ）を脱バイ、焼成を行って
得られたセラミック印刷回路基板である。なお２５は焼
結セラミックグリーンシートである。以上の様に厚膜凹
版転写法を用いて、未焼結セラミックＧＳに導体パター
ンを容易に形成できることを示す。
版２１を未焼結セラミックＧＳ２４に熱プレスした状態
である。図２の（ｄ）は導体ペースト２２を凹版転写し
た後に、未焼結セラミックＧＳ２４から凹版２１を剥が
した状態である。図２の（ｅ）は図２の（ａ）〜（ｄ）
を繰り返して得られた凹版転写された導体ペースト２２
を有する未焼結セラミックＧＳ等を用いて、所望の積層
数に重ねられて、加熱加圧して一体化された状態であ
る。図２の（ｆ）は図２（ｅ）を脱バイ、焼成を行って
得られたセラミック印刷回路基板である。なお２５は焼
結セラミックグリーンシートである。以上の様に厚膜凹
版転写法を用いて、未焼結セラミックＧＳに導体パター
ンを容易に形成できることを示す。
【００２３】
【実施例】次に、本発明の具体例を説明する。
【００２４】（実施例１）本発明の図１を用いて実施例
１を説明する。図１の（ａ）について具体的に説明す
る。厚膜凹版転写法において、凹版に用いるフィルム
は、ポリイミドやアラミドなどの耐熱性のあるものを用
いる。このフィルムを用いて、エキシマレーザなどによ
り、導体パターンとなる溝加工を行った凹版１１は、凹
版転写時に剥離しやすいように剥離処理を行う。この凹
版に剛性を有するスキージを用いて、導体ペースト１２
を導体パターンの溝部へ充填する。
１を説明する。図１の（ａ）について具体的に説明す
る。厚膜凹版転写法において、凹版に用いるフィルム
は、ポリイミドやアラミドなどの耐熱性のあるものを用
いる。このフィルムを用いて、エキシマレーザなどによ
り、導体パターンとなる溝加工を行った凹版１１は、凹
版転写時に剥離しやすいように剥離処理を行う。この凹
版に剛性を有するスキージを用いて、導体ペースト１２
を導体パターンの溝部へ充填する。
【００２５】この導体ペースト１２として、８５０〜９
００℃焼成が可能な銀系ペーストを用いた。導体ペース
ト１２を充填した凹版１１は、乾燥機で１００℃〜１５
０℃程度で５〜１０分間乾燥させる。凹版１１の溝部に
充填された導体ペースト１２は乾燥後ペースト中の溶剤
が蒸発し体積が減少する為に、導体ペースト１２の充填
〜乾燥を繰り返して、凹版１１の溝部に充填された導体
ペースト１２の乾燥表面が凹版１１の溝加工されていな
い面に対して、凹みが５μｍ以下になるまで、充填を繰
り返す。
００℃焼成が可能な銀系ペーストを用いた。導体ペース
ト１２を充填した凹版１１は、乾燥機で１００℃〜１５
０℃程度で５〜１０分間乾燥させる。凹版１１の溝部に
充填された導体ペースト１２は乾燥後ペースト中の溶剤
が蒸発し体積が減少する為に、導体ペースト１２の充填
〜乾燥を繰り返して、凹版１１の溝部に充填された導体
ペースト１２の乾燥表面が凹版１１の溝加工されていな
い面に対して、凹みが５μｍ以下になるまで、充填を繰
り返す。
【００２６】次に図１の（ｂ）について具体的に説明す
る。未焼結セラミックＧＳ１３上に前記導体ペースト１
２を充填した凹版１１を用いて、厚膜凹版転写法にて、
未焼結セラミックＧＳ上に熱プレス工程で導体膜を転写
して形成する。この熱プレス工程において、熱プレス温
度は未焼結セラミックＧＳの材料の軟化温度以上でまた
最高でも１００℃以下に設定する。またプレス圧は５０
〜８０ｋｇ／ｃｍ2程度で、プレス時間は３〜１０分程
度の目安であるが、導体パターンの転写の状態で調整す
る。
る。未焼結セラミックＧＳ１３上に前記導体ペースト１
２を充填した凹版１１を用いて、厚膜凹版転写法にて、
未焼結セラミックＧＳ上に熱プレス工程で導体膜を転写
して形成する。この熱プレス工程において、熱プレス温
度は未焼結セラミックＧＳの材料の軟化温度以上でまた
最高でも１００℃以下に設定する。またプレス圧は５０
〜８０ｋｇ／ｃｍ2程度で、プレス時間は３〜１０分程
度の目安であるが、導体パターンの転写の状態で調整す
る。
【００２７】次に図１の（ｃ）について具体的に説明す
る。凹版１１を未焼結セラミックＧＳ１３から剥離する
と、熱プレス工程で未焼結セラミックＧＳ１３上に接合
でき、非常にファインな導体ペースト１２を未焼結セラ
ミックＧＳ１３上に形成できる。
る。凹版１１を未焼結セラミックＧＳ１３から剥離する
と、熱プレス工程で未焼結セラミックＧＳ１３上に接合
でき、非常にファインな導体ペースト１２を未焼結セラ
ミックＧＳ１３上に形成できる。
【００２８】次に図１の（ｄ）について具体的に説明す
る。図１の（ａ）〜（ｃ）で導体パターンを形成した未
焼結セラミックＧＳ１３を所望の枚数に積層し、更に積
層体を加熱加圧することで一体化する。この熱プレス工
程において、熱プレス温度は未焼結セラミックＧＳ１３
材料の軟化温度以上でまた最高温度は未焼結セラミック
ＧＳ１３の可塑剤や溶剤成分の急激な揮発が起こらない
温度（目安は１００℃以下）にする必要がある。
る。図１の（ａ）〜（ｃ）で導体パターンを形成した未
焼結セラミックＧＳ１３を所望の枚数に積層し、更に積
層体を加熱加圧することで一体化する。この熱プレス工
程において、熱プレス温度は未焼結セラミックＧＳ１３
材料の軟化温度以上でまた最高温度は未焼結セラミック
ＧＳ１３の可塑剤や溶剤成分の急激な揮発が起こらない
温度（目安は１００℃以下）にする必要がある。
【００２９】またプレス圧は１００〜１５０ｋｇ／ｃｍ
2程度で、プレス時間は３〜１０分程度の目安である。
この未焼結セラミックＧＳ１３を脱バイ、焼成すること
で、高密度な導体パターンを有するセラミック回路基板
が製造できる。たとえば、未焼結セラミックＧＳ１３と
して日本電気硝子製のＭＬＳ−１０００を用いた場合で
は、脱バイ温度は４００〜５００℃で、焼成温度は約９
００℃で、残留炭素が極力残らないような条件で行う。
2程度で、プレス時間は３〜１０分程度の目安である。
この未焼結セラミックＧＳ１３を脱バイ、焼成すること
で、高密度な導体パターンを有するセラミック回路基板
が製造できる。たとえば、未焼結セラミックＧＳ１３と
して日本電気硝子製のＭＬＳ−１０００を用いた場合で
は、脱バイ温度は４００〜５００℃で、焼成温度は約９
００℃で、残留炭素が極力残らないような条件で行う。
【００３０】（実施例２）本発明の図１を用いて実施例
２を説明する。実施例１において、導体ペースト１２の
材料の成分について述べる。まず、Ａｇ粉又はＡｇ粉
末：Ｐｄ粉末等の混合粉末の貴金属粉末として６０〜７
０ｗｔ％を含有する。また、酸化ビスマス（又はビスマ
スの有機化合物）、酸化銅（又は銅の有機化合物）、酸
化ケイ素（又はケイ素の有機化合物）や酸化鉛（鉛の有
機化合物）等の無機質添加物として、メタル分で５〜８
ｗｔ％を含有する。また、有機バインダーとして、エチ
ルセルロース樹脂、ブチラール系樹脂やアクリル系樹脂
等が１０〜２０ｗｔ％を含有する。残りの１０〜２５ｗ
ｔ％は有機溶剤と可塑剤である。
２を説明する。実施例１において、導体ペースト１２の
材料の成分について述べる。まず、Ａｇ粉又はＡｇ粉
末：Ｐｄ粉末等の混合粉末の貴金属粉末として６０〜７
０ｗｔ％を含有する。また、酸化ビスマス（又はビスマ
スの有機化合物）、酸化銅（又は銅の有機化合物）、酸
化ケイ素（又はケイ素の有機化合物）や酸化鉛（鉛の有
機化合物）等の無機質添加物として、メタル分で５〜８
ｗｔ％を含有する。また、有機バインダーとして、エチ
ルセルロース樹脂、ブチラール系樹脂やアクリル系樹脂
等が１０〜２０ｗｔ％を含有する。残りの１０〜２５ｗ
ｔ％は有機溶剤と可塑剤である。
【００３１】ここで、導体ペースト１２の一般的なもの
の有機バインダー量は３〜５ｗｔ％であり、（請求項
１）の（ａ）〜（ｃ）の工程で厚膜凹版転写をした場
合、凹版１１に充填された導体ペーストは未焼結セラミ
ックＧＳ１３との密着性が悪く、転写されずに凹版側に
残ってしまう。そこで、導体ペースト１２の有機バイン
ダー量を５〜１０ｗｔ％にすると前記厚膜凹版転写をし
た場合に、凹版に充填された導体ペースト１２は未焼結
セラミックＧＳ１３との密着性が改善されるが、一部転
写されずに凹版１１側に残ってしまう。更に導体ペース
ト１２の有機バインダー量を１０ｗｔ％以上にすると前
記厚膜凹版転写をした場合に、凹版に充填された導体ペ
ースト１２は未焼結セラミックＧＳ１３との密着性がア
ップして、完全に転写された。
の有機バインダー量は３〜５ｗｔ％であり、（請求項
１）の（ａ）〜（ｃ）の工程で厚膜凹版転写をした場
合、凹版１１に充填された導体ペーストは未焼結セラミ
ックＧＳ１３との密着性が悪く、転写されずに凹版側に
残ってしまう。そこで、導体ペースト１２の有機バイン
ダー量を５〜１０ｗｔ％にすると前記厚膜凹版転写をし
た場合に、凹版に充填された導体ペースト１２は未焼結
セラミックＧＳ１３との密着性が改善されるが、一部転
写されずに凹版１１側に残ってしまう。更に導体ペース
ト１２の有機バインダー量を１０ｗｔ％以上にすると前
記厚膜凹版転写をした場合に、凹版に充填された導体ペ
ースト１２は未焼結セラミックＧＳ１３との密着性がア
ップして、完全に転写された。
【００３２】しかし、更に導体ペースト１２の有機バイ
ンダー量を２０ｗｔ％以上にすると前記厚膜凹版転写を
した場合に、凹版１１に充填された導体ペースト１２は
未焼結セラミックＧＳとの密着性が十分に得られて、完
全に転写が可能であるが、導体の焼成膜がポーラスにな
り導体抵抗値が上昇する。以上の結果、導体ペースト１
２の有機バインダー量は１０〜２０ｗｔ％にすることに
よって、厚膜凹版転写が完全に行われると同時に、良好
な導体膜が得られる。
ンダー量を２０ｗｔ％以上にすると前記厚膜凹版転写を
した場合に、凹版１１に充填された導体ペースト１２は
未焼結セラミックＧＳとの密着性が十分に得られて、完
全に転写が可能であるが、導体の焼成膜がポーラスにな
り導体抵抗値が上昇する。以上の結果、導体ペースト１
２の有機バインダー量は１０〜２０ｗｔ％にすることに
よって、厚膜凹版転写が完全に行われると同時に、良好
な導体膜が得られる。
【００３３】（実施例３）本発明の図１を用いて実施例
３を説明する。実施例１において、未焼結セラミックＧ
Ｓ１３の材料成分について述べる。まず、未焼結セラミ
ックＧＳ１３の成分として、アルミナ粉末を２０〜３５
ｗｔ％含有する。ガラス粉末は２５〜４０ｗｔ％含有す
る。有機バインダーとして、ブチラール樹脂やアクリル
樹脂を用いて、１５〜２５ｗｔ％含有する。可塑剤とし
て、ジブチルフタレートの１５〜２５ｗｔ％含有する。
ただし、上記未焼結セラミックＧＳ１３の成分はシート
成形後の状態で表示している。
３を説明する。実施例１において、未焼結セラミックＧ
Ｓ１３の材料成分について述べる。まず、未焼結セラミ
ックＧＳ１３の成分として、アルミナ粉末を２０〜３５
ｗｔ％含有する。ガラス粉末は２５〜４０ｗｔ％含有す
る。有機バインダーとして、ブチラール樹脂やアクリル
樹脂を用いて、１５〜２５ｗｔ％含有する。可塑剤とし
て、ジブチルフタレートの１５〜２５ｗｔ％含有する。
ただし、上記未焼結セラミックＧＳ１３の成分はシート
成形後の状態で表示している。
【００３４】ここで、未焼結セラミックＧＳ１３の一般
的なものの有機バインダー量は８〜１２ｗｔ％であり、
（請求項１）の（ａ）〜（ｃ）の工程で厚膜凹版転写を
した場合、凹版１１に充填された導体ペースト１２と未
焼結セラミックＧＳ１３との密着性が悪く、転写されず
に凹版１１側に残ってしまう。そこで、未焼結セラミッ
クＧＳ１３の有機バインダー量を１２〜１５ｗｔ％未満
にすると前記厚膜凹版転写をした場合に、凹版１１に充
填された導体ペースト１２は未焼結セラミックＧＳ１３
との密着性が改善されるが、一部転写されずに凹版１１
側に残ってしまう。更に未焼結セラミックＧＳ１３の有
機バインダー量を１５ｗｔ％以上にすると前記厚膜凹版
転写をした場合に、凹版に充填された導体ペースト１２
は未焼結セラミックＧＳ１３との密着性がアップして、
完全に転写された。
的なものの有機バインダー量は８〜１２ｗｔ％であり、
（請求項１）の（ａ）〜（ｃ）の工程で厚膜凹版転写を
した場合、凹版１１に充填された導体ペースト１２と未
焼結セラミックＧＳ１３との密着性が悪く、転写されず
に凹版１１側に残ってしまう。そこで、未焼結セラミッ
クＧＳ１３の有機バインダー量を１２〜１５ｗｔ％未満
にすると前記厚膜凹版転写をした場合に、凹版１１に充
填された導体ペースト１２は未焼結セラミックＧＳ１３
との密着性が改善されるが、一部転写されずに凹版１１
側に残ってしまう。更に未焼結セラミックＧＳ１３の有
機バインダー量を１５ｗｔ％以上にすると前記厚膜凹版
転写をした場合に、凹版に充填された導体ペースト１２
は未焼結セラミックＧＳ１３との密着性がアップして、
完全に転写された。
【００３５】しかし、更に未焼結セラミックＧＳ１３の
有機バインダー量を２５ｗｔ％以上にすると前記厚膜凹
版転写をした場合に、凹版１１に充填された導体ペース
ト１２は未焼結セラミックＧＳ１３との密着性が十分に
得られて、完全に転写が可能であるが、未焼結セラミッ
クＧＳ１３の焼成膜がポーラスになり緻密性が劣化す
る。以上の結果、未焼結セラミックＧＳ１３の有機バイ
ンダー量は１５〜２５ｗｔ％にすることによって、厚膜
凹版転写が完全に行われると同時に、良好な導体膜が得
られる。
有機バインダー量を２５ｗｔ％以上にすると前記厚膜凹
版転写をした場合に、凹版１１に充填された導体ペース
ト１２は未焼結セラミックＧＳ１３との密着性が十分に
得られて、完全に転写が可能であるが、未焼結セラミッ
クＧＳ１３の焼成膜がポーラスになり緻密性が劣化す
る。以上の結果、未焼結セラミックＧＳ１３の有機バイ
ンダー量は１５〜２５ｗｔ％にすることによって、厚膜
凹版転写が完全に行われると同時に、良好な導体膜が得
られる。
【００３６】（実施例４）実施例４を実施例１の工程を
用いて説明する。実施例１において、図１の（ａ）の導
体ペースト１２および（ｂ）の未焼結セラミックＧＳ１
３の有機バインダー成分として、通常、それぞれ、ブチ
ラール樹脂やエチルセルロース樹脂とブチラール樹脂の
混合系等を使用していた。しかし、ブチラール樹脂は図
１の（ｅ）の脱バイ・焼成工程で、焼成後のセラミック
焼結体の炭素残留を１００ｐｐｍ以下にする為には、脱
バイ条件として、昇温速度８５〜１４０℃／時間で、ピ
ーク温度４００〜５００℃で、ピーク時間３〜５時間で
ある。
用いて説明する。実施例１において、図１の（ａ）の導
体ペースト１２および（ｂ）の未焼結セラミックＧＳ１
３の有機バインダー成分として、通常、それぞれ、ブチ
ラール樹脂やエチルセルロース樹脂とブチラール樹脂の
混合系等を使用していた。しかし、ブチラール樹脂は図
１の（ｅ）の脱バイ・焼成工程で、焼成後のセラミック
焼結体の炭素残留を１００ｐｐｍ以下にする為には、脱
バイ条件として、昇温速度８５〜１４０℃／時間で、ピ
ーク温度４００〜５００℃で、ピーク時間３〜５時間で
ある。
【００３７】このとき、図１の（ｄ）の積層体として、
未焼結セラミックＧＳ１３の１枚の厚みが１００μｍで
積層数は８層の場合である。ここで、導体ペースト１２
および未焼結セラミックＧＳ１３の有機バインダー成分
として、アクリル系樹脂（ブチルアクリレートやブチル
メタクリレート等）を用いた場合、脱バイ条件として、
昇温速度８５〜１４０℃／時間で、ピーク温度４００〜
５００℃で、ピーク時間１時間である。
未焼結セラミックＧＳ１３の１枚の厚みが１００μｍで
積層数は８層の場合である。ここで、導体ペースト１２
および未焼結セラミックＧＳ１３の有機バインダー成分
として、アクリル系樹脂（ブチルアクリレートやブチル
メタクリレート等）を用いた場合、脱バイ条件として、
昇温速度８５〜１４０℃／時間で、ピーク温度４００〜
５００℃で、ピーク時間１時間である。
【００３８】このように導体ペースト１２および未焼結
セラミックＧＳ１３の有機バインダー成分として、アク
リル系樹脂（ブチルアクリレートやブチルメタクリレー
ト等）を用いた場合、図１の（ｅ）の脱バイ・焼成工程
を短縮化にできることを示す。
セラミックＧＳ１３の有機バインダー成分として、アク
リル系樹脂（ブチルアクリレートやブチルメタクリレー
ト等）を用いた場合、図１の（ｅ）の脱バイ・焼成工程
を短縮化にできることを示す。
【００３９】（実施例５）本発明の図１を用いて実施例
５を説明する。実施例１において、未焼結セラミックＧ
Ｓ１３の成分について述べる。一般のグリーンシート多
層工法に用いられている未焼結セラミックＧＳ１３の可
塑剤（フタル酸エステル、燐酸エステル、脂肪酸エステ
ルやグリコール誘導体等）としてジブチルフタレートを
２〜５ｗｔ％添加されている。前記一般的な可塑剤添加
量のグリーンシートでは実施例１の（ｂ）の加熱加圧の
厚膜凹版転写工程の導体膜と未焼結セラミックＧＳ１３
との密着性は十分に得られず、部分的に転写不良が発生
した。
５を説明する。実施例１において、未焼結セラミックＧ
Ｓ１３の成分について述べる。一般のグリーンシート多
層工法に用いられている未焼結セラミックＧＳ１３の可
塑剤（フタル酸エステル、燐酸エステル、脂肪酸エステ
ルやグリコール誘導体等）としてジブチルフタレートを
２〜５ｗｔ％添加されている。前記一般的な可塑剤添加
量のグリーンシートでは実施例１の（ｂ）の加熱加圧の
厚膜凹版転写工程の導体膜と未焼結セラミックＧＳ１３
との密着性は十分に得られず、部分的に転写不良が発生
した。
【００４０】しかし、本発明の請求項６の様に、未焼結
セラミックＧＳ１３の可塑剤の含有量を一般的なグリー
ンシートに比べて６〜１０ｗｔ％添加量に増やすこと
で、実施例１において図１の（ｂ）の加熱加圧の厚膜凹
版転写工程の導体膜と未焼結セラミックＧＳ１３との密
着性の向上が見られ、転写不良は発生しなかった。更に
未焼結セラミックＧＳ１３の可塑剤の含有量が１０ｗｔ
％を超えると、未焼結セラミックＧＳ１３の軟化程度が
促進する為に、図１の（ｂ）の加熱加圧工程で、未焼結
セラミックＧＳ１３の平面方向の伸びが非常に大きくな
る（伸び率０．５％以上）。
セラミックＧＳ１３の可塑剤の含有量を一般的なグリー
ンシートに比べて６〜１０ｗｔ％添加量に増やすこと
で、実施例１において図１の（ｂ）の加熱加圧の厚膜凹
版転写工程の導体膜と未焼結セラミックＧＳ１３との密
着性の向上が見られ、転写不良は発生しなかった。更に
未焼結セラミックＧＳ１３の可塑剤の含有量が１０ｗｔ
％を超えると、未焼結セラミックＧＳ１３の軟化程度が
促進する為に、図１の（ｂ）の加熱加圧工程で、未焼結
セラミックＧＳ１３の平面方向の伸びが非常に大きくな
る（伸び率０．５％以上）。
【００４１】したがって、未焼結セラミックＧＳ１３の
可塑剤の含有量を一般的なグリーンシートに比べて６〜
１０ｗｔ％添加量に増やすことで厚膜凹版転写工程の導
体膜と未焼結セラミックＧＳ１３との密着性を向上で
き、高密度な導体パターンを有するセラミック回路基板
が製造できる。
可塑剤の含有量を一般的なグリーンシートに比べて６〜
１０ｗｔ％添加量に増やすことで厚膜凹版転写工程の導
体膜と未焼結セラミックＧＳ１３との密着性を向上で
き、高密度な導体パターンを有するセラミック回路基板
が製造できる。
【００４２】（実施例６）本発明の図２を用いて実施例
６を説明する。図２の（ａ）について具体的に説明す
る。厚膜凹版転写法において、凹版に用いるフィルム
は、ポリイミドやアラミドなどの耐熱性のあるものを用
いる。このフィルムを用いて、エキシマレーザなどによ
り、導体パターンとなる溝加工を行った凹版フィルム
は、凹版転写時に剥離しやすいように剥離処理を行う。
６を説明する。図２の（ａ）について具体的に説明す
る。厚膜凹版転写法において、凹版に用いるフィルム
は、ポリイミドやアラミドなどの耐熱性のあるものを用
いる。このフィルムを用いて、エキシマレーザなどによ
り、導体パターンとなる溝加工を行った凹版フィルム
は、凹版転写時に剥離しやすいように剥離処理を行う。
【００４３】この凹版２１に剛性を有するスキージを用
いて、導体ペースト２２を導体パターンの溝部へ充填す
る。この導体ペースト２２として、８５０〜９００℃焼
成が可能な銀系ペーストを用いた。充填した凹版２１
は、乾燥機で１００℃〜１５０℃程度で５〜１０分間乾
燥させる。凹版２１の溝部に充填された導体ペースト２
２は乾燥後ペースト中の溶剤が蒸発し体積が減少する為
に、導体ペースト２２の充填〜乾燥を繰り返して、凹版
２１溝部に充填された導体ペースト２２の乾燥表面が凹
版の溝加工されていない面に対して、凹みが５μｍ以下
になるまで、充填を繰り返す。
いて、導体ペースト２２を導体パターンの溝部へ充填す
る。この導体ペースト２２として、８５０〜９００℃焼
成が可能な銀系ペーストを用いた。充填した凹版２１
は、乾燥機で１００℃〜１５０℃程度で５〜１０分間乾
燥させる。凹版２１の溝部に充填された導体ペースト２
２は乾燥後ペースト中の溶剤が蒸発し体積が減少する為
に、導体ペースト２２の充填〜乾燥を繰り返して、凹版
２１溝部に充填された導体ペースト２２の乾燥表面が凹
版の溝加工されていない面に対して、凹みが５μｍ以下
になるまで、充填を繰り返す。
【００４４】次に図２の（ｂ）について具体的に説明す
る。接着剤の主成分として、ブチラール樹脂やアクリル
樹脂のような熱可塑性樹脂であり、この樹脂をトルエ
ン、アセトン、酢酸エチルやメチルエチルケトンなどの
有機溶剤で溶解させて、溶液を作る。次に、図２の
（ａ）の導体ペースト２２を充填した凹版フィルムにこ
の接着剤液でディッピングやロールコーターなどを利用
して、均一な接着層２３を形成する。
る。接着剤の主成分として、ブチラール樹脂やアクリル
樹脂のような熱可塑性樹脂であり、この樹脂をトルエ
ン、アセトン、酢酸エチルやメチルエチルケトンなどの
有機溶剤で溶解させて、溶液を作る。次に、図２の
（ａ）の導体ペースト２２を充填した凹版フィルムにこ
の接着剤液でディッピングやロールコーターなどを利用
して、均一な接着層２３を形成する。
【００４５】次に図２の（ｃ）について具体的に説明す
る。未焼結セラミックＧＳ２４上に前記接着層２３を形
成した凹版を用いて、厚膜凹版転写法にて、未焼結セラ
ミックＧＳ２４上に熱プレス工程で導体膜を仮転写して
形成する。この熱プレス工程において、熱プレス温度は
未焼結セラミックＧＳ２４の材料の軟化温度以上でまた
最高でも１００℃以下に設定する。またプレス圧は５０
〜８０ｋｇ／ｃｍ2程度で、プレス時間は３〜１０分程
度の目安であるが、導体パターンの転写の状態で調整す
る。
る。未焼結セラミックＧＳ２４上に前記接着層２３を形
成した凹版を用いて、厚膜凹版転写法にて、未焼結セラ
ミックＧＳ２４上に熱プレス工程で導体膜を仮転写して
形成する。この熱プレス工程において、熱プレス温度は
未焼結セラミックＧＳ２４の材料の軟化温度以上でまた
最高でも１００℃以下に設定する。またプレス圧は５０
〜８０ｋｇ／ｃｍ2程度で、プレス時間は３〜１０分程
度の目安であるが、導体パターンの転写の状態で調整す
る。
【００４６】次に図２の（ｄ）について具体的に説明す
る。凹版２１を未焼結セラミックＧＳ２４から剥離する
と、熱プレス工程で未焼結セラミックＧＳ２４上に接合
できた非常にファインな導体パターンを未焼結セラミッ
クＧＳ２４上に形成できる。
る。凹版２１を未焼結セラミックＧＳ２４から剥離する
と、熱プレス工程で未焼結セラミックＧＳ２４上に接合
できた非常にファインな導体パターンを未焼結セラミッ
クＧＳ２４上に形成できる。
【００４７】次に図２の（ｅ）について具体的に説明す
る。図２の（ａ）〜（ｄ）で導体パターンを形成した未
焼結セラミックＧＳ２４を所望の枚数に積層し、更に積
層体を加熱加圧することで一体化する。この熱プレス工
程において、熱プレス温度は未焼結セラミックＧＳ２４
の材料の軟化温度以上でまた最高温度は未焼結セラミッ
クＧＳ２４の可塑剤成分の急激な揮発が起こらない温度
（目安は１００℃以下）にする必要がある。
る。図２の（ａ）〜（ｄ）で導体パターンを形成した未
焼結セラミックＧＳ２４を所望の枚数に積層し、更に積
層体を加熱加圧することで一体化する。この熱プレス工
程において、熱プレス温度は未焼結セラミックＧＳ２４
の材料の軟化温度以上でまた最高温度は未焼結セラミッ
クＧＳ２４の可塑剤成分の急激な揮発が起こらない温度
（目安は１００℃以下）にする必要がある。
【００４８】またプレス圧は１００〜１５０ｋｇ／ｃｍ
2程度で、プレス時間は３〜１０分程度の目安である。
このＧＳを脱バイ、焼成することで、高密度な導体パタ
ーンを有するセラミック回路基板が製造できる。たとえ
ば、未焼結セラミックＧＳ２４として日本電気硝子製の
ＭＬＳ−１０００を用いた場合では、脱バイ温度は４０
０〜５００℃で、焼成温度は約９００℃で、残留炭素が
極力残らないような条件で行う。
2程度で、プレス時間は３〜１０分程度の目安である。
このＧＳを脱バイ、焼成することで、高密度な導体パタ
ーンを有するセラミック回路基板が製造できる。たとえ
ば、未焼結セラミックＧＳ２４として日本電気硝子製の
ＭＬＳ−１０００を用いた場合では、脱バイ温度は４０
０〜５００℃で、焼成温度は約９００℃で、残留炭素が
極力残らないような条件で行う。
【００４９】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、厚膜凹版
転写法による密度な導体パターンを有するセラミック多
層回路基板が容易に製造することができるという有利な
効果が得られる。
転写法による密度な導体パターンを有するセラミック多
層回路基板が容易に製造することができるという有利な
効果が得られる。
【図１】（ａ）本発明の実施の形態１における凹版の導
体ペースト充填工程を示す断面図 （ｂ）熱プレス工程による導体ペースト転写工程を示す
断面図 （ｃ）未焼結セラミックＧＳ上に転写された導体ペース
トの状態を示す断面図 （ｄ）（ｃ）のサンプルを重ねて熱プレス工程にて積層
一体化した状態を示す断面図 （ｅ）（ｄ）を脱バイ・焼成した状態を示す断面図
体ペースト充填工程を示す断面図 （ｂ）熱プレス工程による導体ペースト転写工程を示す
断面図 （ｃ）未焼結セラミックＧＳ上に転写された導体ペース
トの状態を示す断面図 （ｄ）（ｃ）のサンプルを重ねて熱プレス工程にて積層
一体化した状態を示す断面図 （ｅ）（ｄ）を脱バイ・焼成した状態を示す断面図
【図２】（ａ）本発明の実施の形態２における凹版の導
体ペースト充填工程を示す断面図 （ｂ）（ａ）の凹版の表面に接着層を形成した状態を示
す断面図 （ｃ）熱プレス工程による導体ペースト転写工程を示す
断面図 （ｄ）未焼結セラミックＧＳ上に転写された導体ペース
トの状態を示す断面図 （ｅ）（ｄ）のサンプルを重ねて熱プレス工程にて積層
一体化した状態を示す断面図 （ｆ）（ｅ）を脱バイ・焼成した状態を示す断面図
体ペースト充填工程を示す断面図 （ｂ）（ａ）の凹版の表面に接着層を形成した状態を示
す断面図 （ｃ）熱プレス工程による導体ペースト転写工程を示す
断面図 （ｄ）未焼結セラミックＧＳ上に転写された導体ペース
トの状態を示す断面図 （ｅ）（ｄ）のサンプルを重ねて熱プレス工程にて積層
一体化した状態を示す断面図 （ｆ）（ｅ）を脱バイ・焼成した状態を示す断面図
【図３】（ａ）従来工程の未焼結セラミックＧＳに貫通
孔を設けた状態を示す断面図 （ｂ）（ａ）の貫通孔にビア導体を充填した状態を示す
断面図 （ｃ）（ｂ）の未焼結セラミックＧＳ上に導体配線を設
けた状態を示す断面図 （ｄ）（ｃ）のサンプルを重ねて熱プレス工程にて積層
一体化した状態を示す断面図 （ｅ）（ｄ）を脱バイ・焼成した状態を示す断面図
孔を設けた状態を示す断面図 （ｂ）（ａ）の貫通孔にビア導体を充填した状態を示す
断面図 （ｃ）（ｂ）の未焼結セラミックＧＳ上に導体配線を設
けた状態を示す断面図 （ｄ）（ｃ）のサンプルを重ねて熱プレス工程にて積層
一体化した状態を示す断面図 （ｅ）（ｄ）を脱バイ・焼成した状態を示す断面図
１１ 凹版
１２ 導体ペースト
１３ 未焼結セラミックグリーンシート
１４ 焼結セラミックグリーンシート
２１ 凹版
２２ 導体ペースト
２３ 接着層
２４ 未焼結セラミックグリーンシート
２５ 焼結セラミックグリーンシート
３１ 未焼結セラミックグリーンシート
３２ 貫通孔
３３ ビア導体
３４ 導体配線
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 5E343 AA02 AA24 BB25 BB72 DD56
DD64 ER35 FF04 GG08
5E346 AA12 AA15 CC18 CC39 DD02
DD34 EE24 EE26 EE27 GG04
GG06 GG08 GG09 HH25 HH26
Claims (6)
- 【請求項１】 （ａ）凹版に導体ペーストを充填して、
導体パターンを形成する工程と、（ｂ）前記導体ペース
トを充填した凹版と未焼結セラミックグリーンシートを
加熱圧縮する工程と、（ｃ）前記未焼結セラミックグリ
ーンシートの表面に前記導体パターンを仮転写し、前記
凹版を剥離する工程と、（ｄ）前記（ａ）〜（ｃ）を繰
り返して、所望の積層数を作成し、積層して加熱圧縮す
る工程と、（ｅ）前記一体化した積層体を脱バイ、焼成
する工程とを有するセラミック多層基板の製造方法。 - 【請求項２】 導体ペーストとして有機バインダー量を
１０〜２０ｗｔ％含有した請求項１に記載のセラミック
多層基板の製造方法。 - 【請求項３】 未焼結セラミックグリーンシートとして
有機バインダー量を１５〜２５ｗｔ％含有した請求項１
に記載のセラミック多層基板の製造方法。 - 【請求項４】 導体ペーストとして有機バインダーを用
いるとともに、未焼結セラミックグリーンシートとして
アクリル系樹脂バインダーを用いた請求項１に記載のセ
ラミック多層基板の製造方法。 - 【請求項５】 未焼結セラミックグリーンシートとして
可塑剤を６〜１０ｗｔ％添加した請求項１に記載のセラ
ミック多層基板の製造方法。 - 【請求項６】 （ａ）凹版に導体ペーストを充填して、
導体パターンを形成する工程と、（ｂ）前記導体ペース
トを充填した凹版の表面に接着層をコートする工程と、
（ｃ）前記接着層で表面をコートした凹版と未焼結セラ
ミックグリーンシートを加熱圧縮する工程と、（ｄ）前
記未焼結セラミックグリーンシートの表面に前記導体パ
ターンを仮転写し、前記凹版を剥離する工程と、（ｅ）
前記（ａ）〜（ｄ）を繰り返して、所望の積層数を作成
し、積層して加熱圧縮する工程と、（ｆ）前記一体化し
た積層体を脱バイ、焼成する工程とを有するセラミック
多層基板の製造方法。
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