JP3571957B2 - 導体ペーストおよびセラミック多層基板の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、高密度配線回路板の製造に用いられるセラミック多層基板の製造方法と、このような配線回路板の導体材料として使用される導体ペーストに関する。
【0002】
【従来の技術】
高密度配線回路板の製造技術として、配線回路パターンが作製されたセラミックグリーンシートを複数枚積層して焼成することで、多層回路が形成されたセラミック多層基板を得る方法が知られている。
セラミック多層基板の各層の回路同士を接続するには、各層を構成するグリーンシートに予め微細な貫通孔すなわちビア孔を形成し、このビア孔に導体ペーストを充填しておき、グリーンシートの積層体を焼成する際に、ビア孔に充填された導体ペーストも同時に焼成することで、各層の回路を接続する。
【0003】
ビア孔用の導体ペーストとしては、AgやPd等の導電性材料の粉末にガラスフリットやバインダー樹脂などが配合されたペースト状の組成物が用いられている。
グリーンシート積層体の焼成方法として、積層体の両面に積層体の熱収縮を抑制する熱収縮抑制シートを積層した状態で焼成を行う技術が提案されている。熱収縮抑制シートは、グリーンシート積層体の焼成温度範囲では焼結せずに熱収縮を起こさないセラミック材料のグリーンシートが用いられる。熱収縮しない熱収縮抑制シートが積層されていることで、グリーンシート積層体の熱収縮が抑えられるのである。具体的には、ガラスセラミックグリーンシートの積層体に対する熱収縮抑制シートとしてアルミナグリーンシートが用いられる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
ビア孔に導体ペーストが充填されたグリーンシート積層体を焼成してセラミック多層基板を製造したときに、ビア導体の内部に空隙が出来たり、ビア導体の周辺の基板にクラックが出来たりするという問題が発生することがある。また、ビア抵抗値が予測される値よりもはるかに高くなってしまうことがある。前記した熱収縮抑制シートが接触している個所のビア導体表面に、熱収縮抑制シートに含有される無機成分が付着してしまい、ビア導体表面に別の導体回路を接続しようとしたときに接続信頼性が著しく損なわれるという問題も発生していた。
【0005】
これらの問題が生じる原因は、焼成過程において、ビア孔に充填された導体ペーストとグリーシート積層体との焼結タイミングあるいは熱収縮挙動のズレに大きな原因があるものと思われる。グリーンシート積層体とビア孔の導体ペーストとの焼結に大きなズレがあるために、焼成された基板とビア導体との間に過大な応力や歪みが生じて、前記した空隙やクラックの発生、抵抗値の増大、接続信頼性の低下などが生じる。
【0006】
ビア孔に充填する導体ペーストの組成配合を種々変更することで、前記した問題の解決を図ることが行われたが、それだけでは十分な成果は得られなかった。前記したガラスフリットは導体ペーストの焼結特性を調整するのに有効な材料であると考えられていたが、ガラスフリットの配合量を増やしても前記問題は改善されなかった。特に、前記した熱収縮抑制シートを用いた場合に、従来の導体ペーストでは対応できなかった。
【0007】
本発明の課題は、前記したセラミック多層基板のビア導体に発生する問題点を解消し、電気的および機械的特性に優れたビア導体を構成することのできる導体ペーストを提供し、このような導体ペーストを用いて品質性能に優れたセラミック多層基板を製造することである。
【0008】
【課題を解決するための手段】
−導体ペースト−
本発明にかかる導体ペーストは、平均粒径3〜10μmのAg粉末が導体粉末全体の95重量%以上からなる導体粉末と、有機ビヒクルとを含み、ガラスフリットを含まない。
〔導体粉末〕
焼成後のビア導体において導電機能を果たす成分であり、導電性に優れた金属あるいは合金粉末が用いられる。
【0009】
本発明の導体粉末は、Ag粉末を主体としており、導体粉末全体の95重量%以上がAg粉末である。
Ag粉末は平均粒径3〜10μmのものが用いられる。粒径の違いによって、焼成時における挙動が大きく違ってくる。平均粒径が小さすぎても大きすぎても、ビア導体に空隙やクラックが発生し易くなる。粒径が小さすぎると、焼成時にビア導体がグリーンシートよりも早く収縮し、ビア導体がグリーンシートを引っ張ってビア孔周辺の基板にクラックが生じる。粒径が大きすぎると、ビア導体の焼結が基板に比べて遅れるためビア導体と基板の間に空隙が生じる。また、粒径の大きすぎるAg粉末は、ビア導体の抵抗値が大きくなる。
【0010】
導体粉末には、Ag粉末の他に、Ag粉末の優れた特性を阻害しない範囲で、別の材料を配合しておくことができる。具体的には、Pd粉末やPt粉末が使用できる。Pd粉末およびPt粉末は、Ag粉末の焼結を抑制する効果がある。Ag粉末以外の導体粉末の粒径によってもビア導体の性能に影響が生じ、比較的に小さな粒径のものが好ましい。具体的には、Pd粉末やPt粉末の場合、平均粒径0.1〜1μmのものが好ましい。粒径が小さすぎるものは、Ag粉末の焼結を抑制する効果が少なく、粒径が大きすぎると、Ag粉末の焼結を抑制し過ぎることになる。
〔その他の成分〕
通常の導体ペーストには、導体粉末のほかにガラスや樹脂などの添加材が加えられ、本発明の導体ペーストも、基本的には通常の導体ペーストと同様の添加材を配合しておくことができる。
【0011】
但し、ガラスフリットについては、導体ペーストに含めない。
導体粉末のビア孔への充填作業など取扱いを容易にするには、いわゆるペースト状態にする必要があり、そのために有機ビヒクルの配合が必要である。有機ビヒクルの材料としては、通常の導体ペーストと同様の材料が用いられる。例えば、エチルセルロース等が挙げられる。
【0012】
導体ペーストにおける導体粉末と有機ビヒクルとの割合は、一般的な配合割合が採用できる。例えば、導体粉末:有機ビヒクル=80:20〜95:5程度が採用される。
−セラミック多層基板の製造−
本発明にかかるセラミック多層基板の製造方法は、セラミックグリーンシートを複数枚積層し焼成してセラミック多層基板を製造する方法であり、下記工程を含む。
【0013】
グリーンシートに設けられたビア孔に、前記導体ペーストを充填する工程。
導体ペーストが充填されたグリーンシートを複数枚積層し、その両面に熱収縮抑制シートを配置して、焼成用積層物を得る工程。
焼成用積層物のグリーンシートおよび導体ペーストを焼成したあと、熱収縮抑制シートを除去して、セラミック多層基板を得る工程。
〔セラミックグリーンシート〕
通常のセラミック多層基板の製造に利用されるセラミックグリーンシートが使用できる。セラミック材料として、アルミナやガラスセラミックスなどが用いられる。
【0014】
グリーンシートにはビア孔が貫通形成される。ビア孔の寸法形状は通常の多層基板の場合と同様でよく、ビア孔の配置パターンは回路設計によって決まる。ビア孔の径は通常、0.1〜0.3mm程度である。
〔導体ペースト充填〕
グリーンシートのビア孔に、前記した本発明の導体ペーストを充填する。充填方法は通常の回路基板の製造と同様で良い。
【0015】
グリーンシートの表面には、必要に応じて、配線回路パターンが作製される。配線回路パターンの作製法は、印刷法など通常の回路形成技術が適用される。配線回路パターンには、導体回路だけでなく抵抗などの機能部分を含んでいることができる。配線回路パターンは前記したビア孔に充填された導体ペーストと接続しておくことができる。
〔グリーンシート積層〕
グリーンシートは必要な枚数だけ積層して積層体とする。グリーンシートの積層枚数は、必要に応じて適宜に設定でき、例えば数枚から数十枚の範囲で設定される。
【0016】
このグリーンシート積層体のままで焼成することもできるが、熱収縮抑制シートを用いることが好ましい。
熱収縮抑制シートは、グリーンシート積層体を焼成したときに、グリーンシートが過剰な熱収縮を起こすことを抑制する機能を有するシート材料である。グリーンシート積層体の焼成温度範囲において、グリーンシートに比べて熱膨張率の低い材料が使用される。例えば、比較的低温で焼成されるガラスセラミックスからなるグリーンシートの場合、ガラスセラミックスの焼成温度範囲では熱膨張をほとんど生じないアルミナセラミックからなるグリーンシートが使用できる。熱収縮抑制シートは、焼成工程後にセラミック多層基板から剥がして除去する。
【0017】
グリーンシート積層体の両面あるいは熱収縮抑制シートの外面に、保護フィルムを配置しておくことができる。保護フィルムは、グリーンシート積層体を、積層工程から加圧工程に移送したり一時的に保管したおいたりする際に、比較的軟らかいグリーンシートを保護するために使用される。保護フィルムは、PPSやPETなどの合成樹脂からなるものが用いられる。保護フィルムは、仮加圧工程から加圧工程までの取扱い中において、積層体に貼着して保護機能を果たすものである。
〔グリーンシートおよび導体ペーストの焼成〕
通常のセラミック多層基板の焼成と同様の工程が採用される。焼成温度や焼成時間は、グリーンシートの材料や要求性能に合わせて設定される。
【0018】
グリーンシート積層体の両面に熱収縮抑制シートが積層されていた場合には、焼成工程におけるグリーンシートの熱収縮を両面に配置された熱収縮抑制シートで抑制することになる。
焼成工程を終えて得られたセラミック多層基板は、必要に応じて後加工が施される。例えば、セラミック多層基板の表面に配線回路パターンを作製したり、電子素子を実装したり、セラミック多層基板を別の電子部品と組み合わせたりすることが行われる。
【0019】
【発明の実施の形態】
図1に示す実施形態は、焼成工程を実行する段階の積層体の構造を表す。
グリーンシート10は、ガラスセラミック材料のスラリーを調製し、シート状に成形されたものである。グリーンシート10には、所定の位置にパンチング加工などでビア孔12が貫通形成されている。
【0020】
複数枚のグリーンシート10が積層されて、グリーンシート積層体Sとなる。複数のグリーンシート10に有するビア孔12同士が連通している個所も生じている。
ビア孔12の内部には、導体ペースト20が充填される。個々のグリーンシート10毎にビア孔12に導体ペースト20を充填してもよいし、グリーンシート10を順次積層しながら、表面に開口するビア孔12に導体ペースト20を充填する作業を繰り返してもよい。導体ペースト20の充填には、スクリーン印刷法が適用できる。
【0021】
図示を省略するが、グリーンシート10の表面には、配線回路パターンを形成しておくことができる。配線回路パターンは、ビア孔用の導体ペースト20と同様の導体ペーストをスクリーン印刷で形成することができる。スクリーン印刷で、ビア孔12の導体ペースト20充填と表面回路形成を同時に行うこともできる。勿論、ビア孔用の導体ペースト20とは組成配合の異なる表面回路の形成に適した導体ペーストを用いることもできる。
【0022】
グリーンシート積層体Sの両面に、アルミナグリーンシートからなる熱収縮抑制シート30、30が配置される。
このグリーンシート積層体Sと熱収縮抑制シート30との積層物を、焼成用の加熱炉に送り込み、1000℃前後の適宜温度に加熱して焼成を行う。
グリーンシート10および導体ペースト20は、焼結に伴って熱収縮を起こす。
【0023】
焼成工程が終了すれば、グリーンシート積層体Sの焼成物であるセラミック多層基板が得られる。熱収縮抑制シート30はセラミック多層基板から剥離して除去してしまえば良い。
【0024】
【実施例】
〔導体ペースト〕
下記表1に示す組成配合の導体ペーストを製造し、その性能を評価した。
具体的には、特定の平均粒径を有するAg単独またはAgとPdとからなる導体粉末100重量部に対して、エチルセルロースをターピネオールで溶解したものを5〜25重量部添加し、3本ロール装置を用いて充分に混合・混練することで、導体ペーストを得た。
【0025】
表1における「ガラス添加量」は、ガラスフリット(平均粒径1.5〜2.0μm、ガラス転移点670℃、結晶化温度980℃)の添加量を表す。
〔グリーンシート〕
硼酸珪酸鉛ガラス及びアルミナを主成分とするガラスセラミックグリーンシートを用いた。
【0026】
グリーンシートに、0.2mmφのビア孔を加工した。
グリーンシートのビア孔に前記導体ペーストを充填した。また、Agを主成分とする内層回路用の導体ペーストを、グリーンシートの表面にスクリーン印刷で印刷して内層回路パターンを形成した。
複数枚のグリーンシートに同様の加工を施したあと積層して、グリーンシート積層体を得た。
【0027】
グリーンシート積層体の両面に、アルミナグリーンシートからなる熱収縮抑制シートを重ねた。アルミナグリーンシートの焼結温度は1300〜1500℃であり、ガラスセラミックグリーンシートよりも充分に高い。
グリーンシート積層体および熱収縮抑制シートを、80〜100℃で100〜200kg/cm2の圧力をかけて積層一体化させた。
【0028】
この積層物を、400〜700℃で加熱して脱脂したあと、900℃で10〜15分をかけて焼成した。
得られたセラミック多層基板は、熱収縮抑制シートの作用で、平面方向の収縮が良好に抑制されていた。
得られたセラミック多層基板を分析して評価した結果を表1に示す。
【0029】
評価項目中、「ビア抵抗値」は、ビア導体の1個当たりの抵抗を示す。「空隙・クラック」は、ビア導体とビア孔あるいは配線回路との間に生じる空隙、あるいは、基板に生じるクラックの有無を観察した。「粉体の付着」は、セラミック多層基板の表面部分で、ビア導体の表面に、熱収縮抑制シートの材料であるアルミナ粉末が付着しているか否かを観察した。
【0030】
【表1】
以上の結果、本発明の実施例では、ビア導体の抵抗値は低く、空隙やクラックの発生もなく、アルミナ粉の付着も生じず、優れた特性を備えたビア導体を有するセラミック多層基板が得られている。参考例1と実施例3を対比すると、Agに少量のPdを配合することでビア抵抗値が低下しており、Pdを配合することの有用性も実証されている。
【0031】
これに対し、比較例1、3では、Agの粒径が小さいため、空隙やクラックが発生している。比較例2では、Agの粒径が大きく、抵抗値が増大しているとともに、空隙やクラックが発生し、アルミナ粉の付着も生じている。比較例3〜5では、ガラスフリットを配合したことで、抵抗値が極めて大きくなり、空隙やアルミナ粉の付着も生じている。
【0032】
【発明の効果】
本発明にかかる導体ペーストおよびセラミック多層基板の製造方法は、導体ペーストの導体粉末が特定粒径のAg粉末を主体としているとともにガラスフリットを含まないことで、セラミック多層基板を焼成したときに、導体ペーストとグリーンシートとの焼結に大きなズレが生じない。その結果、焼成されたセラミック多層基板は、ビア導体と基板との間に空隙が生じ難く、基板にクラックが発生することも少なくなり、抵抗値などの電気的特性も優れたものとなる。
【0033】
特に、焼成時に熱収縮抑制シートを用いてグリーンシート積層体の熱収縮を抑制して焼成を行った場合に、グリーンシートと導体ペーストとの焼結が良好に行え、セラミック多層基板におけるビア導体の特性などが優れたものになる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態を表し、焼成工程における積層体の断面図
【符号の説明】
10 グリーンシート
12 ビア孔
20 導体ペースト
30 熱収縮抑制シート
S グリーンシート積層体
Claims (2)
- ガラスセラミックグリーンシートから成る積層体の両面に、前記積層体の熱収縮を押さえるための熱収縮抑制シートを積層して焼成するセラミック多層基板に用いるビア孔充填用導体ペーストであって、
平均粒径3〜10μmのAg粉末が導体粉末全体の95重量%以上で含有され、且つ、平均粒径0.1〜1μmのPd粉末および/またはPt粉末を、前記導体粉末全体の0.1〜5重量%含んだ導体粉末と、
有機ビヒクルとを含み、
ガラスフリットを含まない
前記ガラスセラミックグリーンシートのビア孔充填用導体ペースト。 - ガラスセラミックグリーンシートを複数枚積層し焼成してセラミック多層基板を製造する方法であって、
前記ガラスセラミックグリーンシートに設けられたビア孔に、
平均粒径3〜10μmのAg粉末が導体粉末全体の95重量%以上で含有され、且つ、平均粒径0.1〜1μmのPd粉末および/またはPt粉末を、前記導体粉末全体の0.1〜5重量%含んだ導体粉末と、
有機ビヒクルとを含み、
ガラスフリットを含まない導体ペーストを充填する工程と、
前記導体ペーストが充填されたガラスセラミックグリーンシートを複数枚積層し、その両面に熱収縮抑制シートを配置して、焼成用積層物を得る工程と、
前記焼成用積層物を焼成する工程と、
焼成された前記焼成用積層物から前記熱収縮抑制シートを除去して、セラミック多層基板を得る工程と
を含むセラミック多層基板の製造方法。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP08918999A JP3571957B2 (ja) | 1999-03-30 | 1999-03-30 | 導体ペーストおよびセラミック多層基板の製造方法 |
IDW20002389A ID27086A (id) | 1999-03-30 | 2000-03-28 | Pasta konduktor, substrat multi-lapisan keramik dan proses pembuatan substrat multi-lapisan keramik |
KR10-2000-7013502A KR100462289B1 (ko) | 1999-03-30 | 2000-03-28 | 도체 페이스트, 세라믹 다층기판, 및 세라믹 다층기판의제조방법 |
CNB008004587A CN1167080C (zh) | 1999-03-30 | 2000-03-28 | 导电膏、陶瓷多层基底,以及用于制造陶瓷多层基底的方法 |
PCT/JP2000/001922 WO2000060613A1 (en) | 1999-03-30 | 2000-03-28 | Conductive paste, ceramic multilayer substrate, and method for manufacturing ceramic multilayer substrate |
EP00911434A EP1083578A4 (en) | 1999-03-30 | 2000-03-28 | Conductive paste, multiple layer ceramic substrate and method of making the same |
TW89105973A TW573301B (en) | 1999-03-30 | 2000-03-30 | Conductive paste, ceramic multilayer substrate, and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP08918999A JP3571957B2 (ja) | 1999-03-30 | 1999-03-30 | 導体ペーストおよびセラミック多層基板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000285731A JP2000285731A (ja) | 2000-10-13 |
JP3571957B2 true JP3571957B2 (ja) | 2004-09-29 |
Family
ID=13963786
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP08918999A Expired - Fee Related JP3571957B2 (ja) | 1999-03-30 | 1999-03-30 | 導体ペーストおよびセラミック多層基板の製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP1083578A4 (ja) |
JP (1) | JP3571957B2 (ja) |
KR (1) | KR100462289B1 (ja) |
CN (1) | CN1167080C (ja) |
ID (1) | ID27086A (ja) |
TW (1) | TW573301B (ja) |
WO (1) | WO2000060613A1 (ja) |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003008215A (ja) * | 2001-06-18 | 2003-01-10 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | セラミック多層基板の製造方法 |
JP3807257B2 (ja) * | 2001-06-25 | 2006-08-09 | 松下電器産業株式会社 | セラミック部品の製造方法 |
GB0307547D0 (en) * | 2003-04-01 | 2003-05-07 | Du Pont | Conductor composition V |
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WO2006076609A2 (en) | 2005-01-14 | 2006-07-20 | Cabot Corporation | Printable electronic features on non-uniform substrate and processes for making same |
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CN103874345B (zh) * | 2014-03-04 | 2016-09-28 | 成都博芯联科科技有限公司 | 一种利用陶瓷基片制作多层微波电路的方法 |
WO2016167355A1 (ja) * | 2015-04-17 | 2016-10-20 | 株式会社村田製作所 | セラミック配線基板およびセラミック配線基板の製造方法 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59130004A (ja) * | 1983-01-18 | 1984-07-26 | 三井東圧化学株式会社 | 銀ペ−スト |
JPS59146103A (ja) * | 1983-02-09 | 1984-08-21 | 昭和電工株式会社 | ドツテイングペ−スト |
JPH01138792A (ja) * | 1987-11-25 | 1989-05-31 | Narumi China Corp | セラミック多層回路基板 |
JP2618019B2 (ja) * | 1988-09-22 | 1997-06-11 | 住友金属鉱山株式会社 | メッキ下地用導電性塗料およびそれを用いるメッキ方法 |
JPH02123611A (ja) * | 1988-11-01 | 1990-05-11 | Alps Electric Co Ltd | 導電ペースト用金属粉 |
JP2958492B2 (ja) * | 1990-03-30 | 1999-10-06 | 京セラ株式会社 | 多層配線回路基板の製造方法 |
JP3223199B2 (ja) * | 1991-10-25 | 2001-10-29 | ティーディーケイ株式会社 | 多層セラミック部品の製造方法および多層セラミック部品 |
JP2998379B2 (ja) * | 1991-12-28 | 2000-01-11 | 株式会社村田製作所 | 導電ペースト組成物 |
JPH06302968A (ja) * | 1993-04-19 | 1994-10-28 | Nippon Cement Co Ltd | セラミックス多層配線基板 |
JPH08115612A (ja) * | 1994-10-13 | 1996-05-07 | Murata Mfg Co Ltd | 導電ペースト |
JPH08186345A (ja) * | 1994-12-28 | 1996-07-16 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | セラミックグリーンシートのスルーホール充填用ペースト |
JPH0992983A (ja) * | 1995-07-17 | 1997-04-04 | Sumitomo Kinzoku Electro Device:Kk | セラミック多層基板の製造方法 |
JP3336204B2 (ja) * | 1996-08-29 | 2002-10-21 | 京セラ株式会社 | 回路基板 |
JPH10172345A (ja) * | 1996-12-04 | 1998-06-26 | Murata Mfg Co Ltd | 導電ペースト及びそれを用いたセラミック基板の製造方法 |
JP3550281B2 (ja) * | 1997-09-25 | 2004-08-04 | 京セラ株式会社 | 配線基板およびその製造方法 |
-
1999
- 1999-03-30 JP JP08918999A patent/JP3571957B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-03-28 WO PCT/JP2000/001922 patent/WO2000060613A1/ja active IP Right Grant
- 2000-03-28 ID IDW20002389A patent/ID27086A/id unknown
- 2000-03-28 EP EP00911434A patent/EP1083578A4/en not_active Withdrawn
- 2000-03-28 CN CNB008004587A patent/CN1167080C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2000-03-28 KR KR10-2000-7013502A patent/KR100462289B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2000-03-30 TW TW89105973A patent/TW573301B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1167080C (zh) | 2004-09-15 |
KR20010043936A (ko) | 2001-05-25 |
EP1083578A4 (en) | 2007-01-10 |
WO2000060613A1 (en) | 2000-10-12 |
ID27086A (id) | 2001-02-22 |
EP1083578A1 (en) | 2001-03-14 |
CN1297567A (zh) | 2001-05-30 |
KR100462289B1 (ko) | 2004-12-17 |
JP2000285731A (ja) | 2000-10-13 |
TW573301B (en) | 2004-01-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040309 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040422 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040615 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040625 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090702 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090702 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100702 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110702 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110702 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120702 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130702 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130702 Year of fee payment: 9 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |