JP4820149B2 - 導電性ペーストの製造方法および配線基板の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、いわゆる収縮焼成抑制プロセスに好適な導電性ペーストの製造方法およびこれにより得られた導電性ペーストを用いる配線基板の製造方法に関する。

低温焼成セラミックの一種であるガラス−セラミックの基板本体に、ＡｇやＣｕなどからなる内部配線やビア導体などを形成した多層構造の配線基板は、ほぼ１０００℃以下の比較的低温帯で焼成できると共に、内部配線などの導電率が高いなどの利点がある。
ところで、低温焼成可能で多層構造の配線基板は、焼成時に平面方向および厚み方向に沿って数％〜１０数％の焼成収縮を生じる。このため、ビア導体や配線パターンを所定の位置に形成したガラス−セラミックからなる複数のグリーンシートを積層し、得られたグリーンシート積層体の両面に、上記ガラス−セラミックの焼成温度では焼成しない焼成収縮抑制シートを更に積層した状態で焼成する、いわゆる収縮焼成抑制プロセスが行われている。

しかし、前記収縮焼成抑制プロセスによる場合、複数の前記グリーンシートの平面方向に沿った収縮はある程度抑制できるが、上記グリーンシートを厚み方向に貫通するビアホールに充填した導電性ペーストの焼成収縮が大きいと、得られるビア導体と焼成されたガラス−セラミックの絶縁層との間に隙間が生じることがある。このため、かかるビア導体と内部配線との接続不良を招くことがある。
上記接続不良を防ぐため、Ａｇ粉末およびフレーク状フィラを含有するビア導体用の導電ペーストを用いるガラスセラミック多層配線基板の製造方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
また、全体の９５ｗｔ％以上が平均粒径が３〜１０μｍのＡｇ粉末がである導体粉末と、有機ビヒクルとを含み、且つガラスフリットを含まない導体ペーストも提案されている（例えば、特許文献２参照）。

特開平９−６９６８７号公報（第１〜６頁） 特開２０００−２８５７３１号公報（第１〜６頁、図１）

しかしながら、前記特許文献１，２に開示されている導電ペーストや導体ペーストを収縮焼成抑制プロセスに用いて、ガラス−セラミックの配線基板を製造しても、グリーンシートの厚み方向に沿った収縮が十分に抑制できない。このため、焼成後のガラス−セラミックからなる絶縁層同士の間に、導電ペーストを焼成したビア導体おける軸方向の端部に突出する、いわゆる突き上げが生じる。この結果、かかるビア導体の突き上げによって、内部配線が厚み方向に変位するため、隣接する内部配線との間で短絡を生じたり、内部配線そのものが断線する、などのおそれがあつた。

本発明は、背景技術で説明した問題点を解決し、いわゆる収縮焼成抑制プロセスに好適で、グリーンシートの厚みに沿った収縮を抑制し、且つ焼成後のビア導体の突き上げが生じにくい導電性ペーストの製造方法、およびこれにより得られる導電性ペーストを用いる配線基板の製造方法を提供する、ことを課題とする。

課題を解決するための手段および発明の効果

本発明は、前記課題を解決するため、グリーンシートの厚み方向に貫通して充填する導電性ペーストの軸方向に沿った焼成収縮を、当該グリーンシートの厚み方向に沿った焼成収縮に近似させる、ことに着想して成されたものである。
即ち、本発明の導電性ペーストの製造方法（請求項１）は、ガラス−セラミックからなる複数のグリーンシートごとの厚み方向に沿って貫通して充填されると共に、かかる複数のグリーンシートを積層し且つこれらの両面にかかるグリーンシートの焼成温度では焼成しない焼成収縮抑制シートを積層して焼成される導電性ペーストの製造方法であって、タップ密度が５ｇ／ｃｍ ^３ 以上の第１のＡｇ粉末と、タップ密度が１〜４ｇ／ｃｍ ^３ の第２のＡｇ粉末とからなる２種類のＡｇ粉末を配合する工程を含む、ことを特徴とする。

これによれば、導電性ペーストは、例えば平均粒径が異なる２種類のＡｇ粉末が配合されて製造されている。このため、グリーンシートを貫通するビアホール内に上記２種類のＡｇ粉末を含む導電性ペーストを充填し且つ焼成すると、前記収縮焼成抑制プロセスによって、平面方向の焼成収縮が抑制されているグリーンシートが、その厚み方向に沿った収縮が始まるまでは、上記Ａｇ粉末の焼結は遅延される。
しかも、タップ密度が異なる２種類のＡｇ粉末を配合されているため、これらＡｇ粉末同士の間に空隙が形成され易くなる。そのため、グリーンシートのビアホール内に上記導電性ペーストを充填し且つ焼成すると、平面方向の焼成収縮が抑制されているグリーンシートの厚み方向に沿った収縮が始まるまでは、上記Ａｇ粉末の焼結が遅延されると共に、グリーンシートの厚み方向に沿った焼成収縮に追随して収縮し易くなる。この結果、焼成後のビア導体が、その軸方向に沿って隣接するガラス−セラミックの絶縁層との境界側に突出する前記「突き上げ」を確実に抑制することができる。

従って、突き上げによって内部配線が厚み方向に変位したり、隣接する内部配線との間で短絡を生じにくくでき、且つビア導体と内部配線との導通を確保することが容易になる。
尚、前記導電性ペーストは、前記２種類のＡｇ粉末のほか、バインダ樹脂、可塑剤、および溶剤が適量ずつ配合されて製造される。

尚、第１のＡｇ粉末のタップ密度を５ｇ／ｃｍ^３以上としたのは、これよりも低いと平均粒径が第２のＡｇ粉末のタップ密度の上限値の４ｇ／ｃｍ^３に接近し過ぎるためである。かかる第１のＡｇ粉末のタップ密度の上限値は、例えば約１０ｇ／ｃｍ^３程度である。一方、第２のＡｇ粉末のタップ密度を１ｇ／ｃｍ^３以上としたのは、これよりも低いと平均粒径が大きくなって、過大な空隙が形成されるのを防ぐためであり、４ｇ／ｃｍ^３以下としたのは、空隙の形成を確保し且つ第１のＡｇ粉末との差を確保するためである。

更に、本発明には、１００重量部の前記第１のＡｇ粉末に対し、前記第２のＡｇ粉末は、１０〜７０重量部が配合される、導電性ペーストの製造方法（請求項２）も含まれる。
これによれば、タップ密度が異なる２種類のＡｇ粉末が所定範囲の割合で配合して製造されているため、これらＡｇ粉末同士の間に空隙が形成され易くなり、前述したビアホール内に充填された上記導電性ペーストが、グリーンシートの厚み方向に沿った焼成収縮に追随して一層軸方向に沿って収縮し易くなる。
尚、１００重量部の第１のＡｇ粉末に対する第２のＡｇ粉末の配合量が、１０重量部未満となったり、あるいは７０重量部を越えると、かかる２種類のＡｇ粉末間における空隙が形成されにくくなるため、これらを除いた前記範囲とした。

一方、本発明の配線基板の製造方法（請求項３）は、前記導電性ペーストの製造方法により得られた導電性ペーストをガラス−セラミックからなる複数のグリーンシートごとの厚み方向に沿って貫通して充填する工程と、上記グリーンシートを積層してグリーンシート積層体を形成する工程と、かかるグリーンシート積層体の両面に、上記グリーンシートの焼成温度では焼成しない焼成収縮抑制シートをそれぞれ積層して、複合積層体を形成する工程と、かかる複合積層体を、上記グリーンシートの焼成温度で焼成する工程と、を含む、ことを特徴とする。
これによれば、ビア導体となる前記導電性ペーストの軸方向に沿った焼成収縮が、これを含むグリーンシートの厚み方向の焼成収縮に追随するため、焼成後のビア導体に突き上げが生じにくくなる。従って、突き上げによる内部配線の厚み方向の変位が抑制され、隣接する内部配線との間で短絡を生じにくくなると共に、ビア導体と内部配線との導通を容易に確保できる配線基板を得ることができる。
尚、本発明には、前記焼成工程の後に、前記焼成収縮抑制シートを除去する工程を有する、配線基板の製造方法も含まれる。

以下において、本発明を実施するための最良の形態について説明する。
本発明の目的とする導電性ペーストは、タップ密度が５ｇ／ｃｍ^３以上である第１のＡｇ粉末：１００重量部に対し、タップ密度が１〜４ｇ／ｃｍ^３の範囲にある第２のＡｇ粉末を１０〜７０重量部にして配合し且つ混合する工程と、かかるＡｇ粉末の混合物にバインダ樹脂、可塑剤、および溶剤を適量ずつ配合する工程と、によって製造される。尚、上記タップ密度は、１００ｇのＡｇ粉末を１００ｍｌのメスシリンダに入れ、これに振動を５０回加えることで測定した。
上記バインダ樹脂には、５〜１５重量部のエチルセルロール系樹脂を、上記可塑剤には、０．１〜５重量部のジオクチルフタレートを、上記溶剤には、５〜２０重量部のターピネオールを用い、これらを配合したものである。

次に、本発明による配線基板の製造方法について説明する。
図１の模式的部分断面図で示すように、主にガラス−アルミナ（セラミック）からなるグリーンシートｓ１〜ｓ３を用意する。これらは、ホウケイ酸系ガラス粉末、平均粒径が数μｍのアルミナ粉末、樹脂バインダ、可塑剤、および溶剤を混合して得たセラミックスラリを、ドクターブレード法により厚みが約１００〜約２００μｍのシートに成形したものである。
次いで、グリーンシートｓ１〜ｓ３における所定の位置に、これらの表面と裏面との間を貫通する内径が約１５０μｍのビアホールｈ１〜ｈ３を打ち抜き加工によって形成する。このうち、ビアホールｈ２，ｈ３は、グリーンシートｓ２，ｓ３の積層時に同軸心となる。

次に、図２に示すように、グリーンシートｓ１のビアホールｈ１内に、追ってビア導体となる前記方法により製造された導電性ペーストｖ１を、図示しないスキージを用いて充填する。更に、かかる導電性ペーストｖ１の上端面を含むグリーンシートｈ１の表面に、スクリーン印刷により、Ａｇ粉末またはＣｕ粉末を含む配線パターンｐを形成する。
更に、予め積層したグリーンシートｓ２，ｓ３において、互いに連通するビアホールｈ２，ｈ３内に追ってビア導体となる本発明により得られた導電性ペーストｖ２を、上記と同様にして充填する。かかる導電性ペーストｖ２の下端面は、グリーンシートｈ１との積層時に、上記配線パターンｐと接触可能な位置にある。尚、導電性ペーストｖ２は、ビアホールｈ２，ｈ３内に個別に充填した後、グリーンシートｓ２，ｓ３を積層する順序で形成しても良い。

前記導電性ペーストｖ１，ｖ２は、タップ密度が５ｇ／ｃｍ^３以上である第１のＡｇ粉末：１００重量部に対し、タップ密度が１〜４ｇ／ｃｍ^３の範囲にある第２のＡｇ粉末を１０〜７０重量部にして配合し且つ混合すると共に、更にバインダ樹脂、可塑剤、および溶剤を適量ずつ配合したものである。
更に、図３に示すように、グリーンシートｈ１の上に、グリーンシートｓ２，ｓ３を積層・圧着して、グリーンシート積層体ＧＳを形成する。この際、配線パターンｐにおける右端側の上に、導電性ペーストｖ２の下端面が接触するようにする。尚、導電性ペーストｖ２の下端側は、配線パターンｐの厚み分に応じて軸方向に若干短縮されることになる。

次いで、図４に示すように、グリーンシート積層体ＧＳの表面および裏面（両面）に、焼成収縮抑制シートｙ１，ｙ２を個別に積層・圧着して、複合積層体ＺＳを形成する。かかる焼成収縮抑制シートｙ１，ｙ２は、例えば、アルミナを主成分とする厚さが約３００μｍのセラミックシートであり、且つグリーンシートｓ１〜ｓ３の焼成温度では焼成しないものである。
更に、上記複合積層体ＺＳを図示しない焼成炉に挿入し、例えば１００〜８００℃の温度帯に加熱して前記有機バインダなどの有機成分を除去した後、更に約８００〜１０００℃の温度帯に加熱して、グリーンシートｓ１〜ｓ３および導電性ペーストｖ１，ｖ２を焼成する。

かかる焼成工程においては、以下のような現象を生じていると予想される。
グリーンシートｓ１〜ｓ３は、平面方向と厚み方向との双方に沿って焼成収縮し、導電性ペーストｖ１，ｖ２は、径方向（上記平面方向）と軸方向（上記厚み方向）との双方に沿って焼成収縮しようとする。
しかし、一対の焼成収縮抑制シートｙ１，ｙ２の間に挟まれているグリーンシートｓ１〜ｓ３は、平面方向の焼成収縮を抑制されるため、厚み方向の焼成収縮を生じる。かかるグリーンシートｓ１〜ｓ３の厚み方向に沿った焼成収縮が開始されるまでの間に、導電性ペーストｖ１，ｖ２は、バインダ樹脂などが揮発・除去されるが、タップ密度の異なる前記第１および第２のＡｇ粉末同士間の隙間は残存している。

このため、グリーンシートｓ１〜ｓ３が厚み方向に沿って焼成収縮し始めると、これに追随して、第１および第２のＡｇ粉末がそれらの隙間を埋めるべく接近し合うため、導電性ペーストｖ１，ｖ２も軸方向に沿って焼成収縮する。
一方、焼成収縮抑制シートｙ１，ｙ２によって、グリーンシートｓ１〜ｓ３の平面方向に沿った焼成収縮が抑制されているため、これに応じて導電性ペーストｖ１，ｖ２の径方向に沿った焼成収縮も抑制される。
焼成工程の終了に、前記焼成収縮抑制シートｙ１，ｙ２をサンドブラスト法によって剥離・除去する。尚、かかる焼成収縮抑制シートｙ１，ｙ２の除去は、その他の化学的処理または物理的処理方法によって除去・剥離しても良い。

図５は、本発明の製造方法により製造した配線基板１の断面図である。
配線基板１は、図５に示すように、グリーンシートｓ１〜ｓ３が厚み方向に沿って焼成収縮したガラス−セラミックの絶縁層Ｓ１〜Ｓ３を備え、これらを貫通して前記導電性ペーストｖ１，ｖ２を焼成収縮したビア導体Ｖ１，Ｖ２が形成されている。かかるビア導体Ｖ１，Ｖ２は、導電性ペーストｖ１，ｖ２の軸方向に沿った焼成収縮がグリーンシートｓ１〜ｓ３の厚み方向に沿った焼成収縮に追随しているため、ガラス−セラミックの絶縁層Ｓ１，Ｓ２の境界を越えた突き上げを生じていないと共に、配線パターンｐが焼成された内部配線Ｐに変位を与えていない。また、ビア導体Ｖ１，Ｖ２は、配線基板１の表面２および裏面３にも突出していない。尚、平面方向に沿った焼成収縮量の差に応じて、ビア導体Ｖ１，Ｖ２の外周面とガラス−セラミック層Ｓ１〜Ｓ３との間には、極く僅かの隙間が形成されている。
従って、本発明により製造される導電性ペーストｖ１，ｖ２を用いることで、内部のビア導体Ｖ１，Ｖ２に突き上げがなく、且つ内部配線Ｐが変位していないため、これらの導通が確実に取れる配線基板１を製造することができる。

ここで、本発明の具体的な実施例について、比較例と併せて説明する。
タップ密度が５ｇ／ｃｍ^３以上である第１のＡｇ粉末：１００重量部に対し、タップ密度が１〜４ｇ／ｃｍ^３の範囲にある第２のＡｇ粉末を０〜１００重量部に変化させて配合する且つ混合するか、第２のＡｇ粉末のみを用いる共に、かかる第１および第２Ａｇ粉末の全体に対し、同じバインダ樹脂、可塑剤、および溶剤を１０〜３０重量部に変化させて配合し、複数種の導電性ペーストを製造した。
そのうち、バインダ樹脂、可塑剤、および溶剤の全体を２０重量部とし、且つ第１および第２Ａｇ粉末全体を８０重量部として得た導電性ペーストを選択して、表１に示すように、実施例１〜６および比較例１〜４の導電性ペーストとした。

同じ組成のガラス−アルミナからなり且つ厚みが２００μｍのグリーンシートｓ１〜ｓ３を複数組用意し、前記図１に示したように、内径が１５０μｍのビアホールｈ１，ｈ２を形成した。次いで、各組ごとのビアホールｈ１，ｈ２に各例の導電性ペーストを個別に充填すると共に、各組ごとのグリーンシートｓ１の表面に、前記図２に示したように、共通する配線パターンｐを形成した。
次に、各組ごとのグリーンシートｓ１〜ｓ３を積層・圧着し、得れたグリーンシート積層体ＧＳごとに各例ごとの導電性ペーストを用いて、前記図３に示したグリーンシート積層体ＧＳを形成した。かかる積層体ＧＳごとの両面にアルミナを主成分とする同じ組成と厚みの収縮抑制シートｙ１，ｙ２を積層・圧着して複合積層体ＺＳを形成した後、各例ごとの複合積層体ＺＳを形成した。
更に、各例ごとの複合積層体ＺＳを図示しない焼成炉に挿入して、９００℃×３０分加熱する焼成工程を行った。
そして、未焼成の収縮抑制シートｙ１，ｙ２を剥離して、焼成されたガラス−セラミックの絶縁層Ｓ１〜Ｓ３を基板本体とする各例の配線基板を得た。

各例の配線基板を切断した後、目視観察により、焼成後のビア導体Ｖ１，Ｖ２の突き上げ量ｔが２０μｍ未満を○、２０μｍ以上を×として、表１に示した。
また、上記切断した各例の配線基板において、焼成後のビア導体Ｖ１，Ｖ２の周面とガラス−セラミックの絶縁層Ｓ１〜Ｓ３との間に位置する最大の隙間ｘが５０μｍ未満を◎、５０μｍ以上を×として、表１に示した。
表１によれば、タップ密度が５ｇ／ｃｍ^３以上である１００重量部の第１のＡｇ粉末に対し、タップ密度が１〜４ｇ／ｃｍ^３の範囲の第２のＡｇ粉末を１０〜７０重量部で配合して製造した導電性ペーストｖ１，ｖ２を用いた実施例１〜６の配線基板１では、全て突き上げ量ｔが２０μｍ未満で且つ隙間ｘが５０μｍ未満となった。

かかる実施例１〜６の結果は、内部に適度の隙間を有する導電性ペーストｖ１，ｖ２が焼成収縮したビア導体Ｖ１，Ｖ２は、それらの軸方向に沿った焼成収縮がグリーンシートｓ１〜ｓ３の厚み方向に沿った焼成収縮に追随したため、ガラス−セラミック層Ｓ１，Ｓ２の境界を越える突き上げを生じていなかった。また、上記導電性ペーストｖ１，ｖ２がグリーンシートｓ１〜ｓ３の平面方向に沿った焼成収縮にも追随できたため、隙間ｘが小さくなった、ものと推測される。

一方、表１によれば、比較例１，２の導電性ペーストｖ１，ｖ２は、第２のＡｇ粉末がないか、過少で内部の隙間が小さかった。このため、これらを用いた比較例１，２の配線基板ｋ２では、図７に示すように、焼成時にビア導体Ｖ１，Ｖ２が軸方向にあまり収縮せず、それらの端部に大きな突き上げｔ１，ｔ２を生じた、ものと推測される。これに応じて、配線パターンｐが焼成された内部配線Ｐの両端付近に変位Ｐａ，Ｐｂが形成され、ビア導体Ｖ１，Ｖ２の外周面とガラス−セラミックＳ１〜Ｓ２との間に、ほぼ円筒形の隙間ｘ３，ｘ４が形成された、ものと推測される。かかる配線基板ｋ２で、上記突き上げｔ１，ｔ２や隙間ｘ３，ｘ４を生じたのは、導電性ペーストｖ１，ｖ２は、比較的平均粒径が小さい第１のＡｇ粉末のみから、あるいは殆どが第１のＡｇ粉末によって製造され、第１のＡｇ粉末同士の間に形成される隙間が比較的小さいため、軸方向および径方向の収縮が小さくなったため、と推定される。

また、比較例３の導電性ペーストｖ１，ｖ２は、第２のＡｇ粉末が過多であったため、却って第１および第２のＡｇ粉末が互いに混合し易くなり、内部の隙間がやや小さくなった。このため、比較例３の配線基板では、前記図７の配線基板ｋ２と同様にして比較的目立つ突き上げｔ１，ｔ２を生じた。また、比較例３の導電性ペーストｖ１，ｖ２は、グリーンシートｓ１〜ｓ３の平面方向に沿った焼成収縮にも追随できなかったため、隙間ｘも大きくなつた、ものと推測される。

更に、比較例４の導電性ペーストｖ１，ｖ２は、タップ密度の低い第２のＡｇ粉末のみから製造されているため、焼成されたビア導体Ｖ１，Ｖ２は、軸方向の収縮がグリーンシートｓ１〜ｓ３の厚み方向に沿った焼成収縮に追随して収縮する。しかし、グリーンシートｓ１〜ｓ３の平面方向に沿った焼成収縮に対し、導電性ペーストｖ１，ｖ２は、径方向にも収縮するため、内部の隙間が大きくなる。この結果、これを用いた比較例４の配線基板ｋ１では、図６に示すように、ビア導体Ｖ１，Ｖ２の突き上げが小さくなつた。反面、グリーンシートｓ１〜ｓ３の平面方向に沿った焼成収縮にも追随できなり、ビア導体Ｖ１，Ｖ２の周囲に大きな隙間ｘ１，ｘ２が生じた、ものと推測される。

以上の結果から、本発明による製造される実施例１〜６の導電性ペーストｖ１，ｖ２、およびこれらを用いて製造した配線基板１の優位性が裏付けされた。
更に、本発明による第１および第２のＡｇ粉末を所定の割合で配合して製造した導電性ペーストｖ１，ｖ２を用い、且つ配線パターンｐを含むグリーンシートＳ１〜Ｓ２のグリーンシート積層体ＧＳを、一対の焼成収縮抑制シートｙ１，ｙ２間に挟んで焼成する本発明による配線基板１の製造方法の優位性が容易に理解できた。

本発明は、以上のような実施の形態と実施例とに限定されるものではない。
本発明の導電性ペーストの製造方法に用いる第１および第２のＡｇ粉末は、純Ａｇに限らず、Ａｇ−Ａｕ系、Ａｇ−Ｃｕ系、Ａｇ−Ｐｄ系などの合金でも良く、且つこれらＡｇ粉末のアスペクト比は約１〜２の範囲であれば良い。
また、上記導電性ペーストの製造方法に用いる第１および第２のＡｇ粉末は、それぞれのタップ密度に対応する平均粒径の分布範囲および両者の配合比によって規定することも可能である。
更に、上記導電性ペーストの製造に用いるバインダ樹脂、可塑剤、および溶剤は、第１および第２のＡｇ粉末の合計に対し、約１０〜２２重量部にして配合すれば良い。

本発明による配線基板の一製造工程を示す模式的部分断面図。 図１に続く製造工程を示す模式的部分断面図。 図２に続く製造工程を示す模式的部分断面図。 図３に続く製造工程を示す模式的部分断面図。 本発明の製造方法により得られた配線基板を示す模式的部分断面図。 比較例の製造方法で得られた配線基板を示す模式的部分断面図。 異なる比較例の製造方法で得られた配線基板を示す模式的部分断面図。

符号の説明

１……………配線基板
ｓ１〜ｓ３…グリーンシート
ｙ１，ｙ２…焼成収縮抑制シート
ｖ１，ｖ１…導電性ペースト
ＧＳ…………グリーンシート
ＺＳ…………複合積層体

Claims (3)

1. ガラス−セラミックからなる複数のグリーンシートごとの厚み方向に沿って貫通して充填されると共に、かかる複数のグリーンシートを積層し且つこれらの両面にかかるグリーンシートの焼成温度では焼成しない焼成収縮抑制シートを積層して焼成される導電性ペーストの製造方法であって、
   タップ密度が５ｇ／ｃｍ ^３ 以上の第１のＡｇ粉末と、タップ密度が１〜４ｇ／ｃｍ ^３ の第２のＡｇ粉末とからなる２種類のＡｇ粉末を配合する工程を含む、
   ことを特徴とする導電性ペーストの製造方法。
2. １００重量部の前記第１のＡｇ粉末に対し、前記第２のＡｇ粉末は、１０〜７０重量部が配合される、
   ことを特徴とする請求項１に記載の導電性ペーストの製造方法。
3. 請求項１，２の製造方法により得られた導電性ペーストをガラス−セラミックからなる複数のグリーンシートごとの厚み方向に沿って貫通して充填する工程と、
   上記グリーンシートを積層してグリーンシート積層体を形成する工程と、
   上記グリーンシート積層体の両面に、かかるグリーンシートの焼成温度では焼成しない焼成収縮抑制シートをそれぞれ積層して、複合積層体を形成する工程と、
   上記複合積層体を、複数の上記グリーンシートの焼成温度で焼成する工程と、を含む、
   ことを特徴とする配線基板の製造方法。

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