JP2006173240A - セラミック基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】平面方向の寸法精度の良好なセラミック多層基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミック焼結基板1とセラミックグリーンシート3との間に、低融点ガラスを含有する材料を配置することで、焼成後の接着性を向上させ、セラミックグリーンシートの焼成収縮を抑制させたものである。
【選択図】図1
【解決手段】セラミック焼結基板1とセラミックグリーンシート3との間に、低融点ガラスを含有する材料を配置することで、焼成後の接着性を向上させ、セラミックグリーンシートの焼成収縮を抑制させたものである。
【選択図】図1
Description
本発明は、パソコン、携帯電話やAV機器などの小型部品として使用されるセラミック基板及びセラミック多層基板の製造方法に関するものである。
従来、この種の印刷多層基板は、セラミック多層基板としては、例えば、特許文献1に記載されているようなものがあった。
図5は前記特許文献1に記載された従来のグリーンシート積層法によって製造されるセラミック多層基板の概要を示すものである。
図5(a)において、11は予め焼成したセラミックからなるセラミック焼結基板であり、このセラミック焼結基板11上に導体パターン12をスクリーン印刷工法等で形成する。
図5(b)において、焼成することによりセラミック焼結基板11上の導体パターン12はメタライズした状態になる。
図5(c)において、13は所望の導体パターンを形成した複数枚の未焼結のセラミックグリーンシートの積層体であり、14は前記積層体13の焼成収縮を抑制する拘束層である。これらを積層し、一体化する。
図5(d)において、脱バインダーおよび焼成を行い、拘束層を除去すると、セラミック焼結基板11と接するセラミックグリーンシート13側は図のように、焼成収縮することで、導体パターン12の表面が、セラミック焼結基板よりも平滑な面状になり、セラミック多層基板を得るものである。
特開2003−158375号公報
しかしながら、前記従来の方法では、図5(d)において、セラミック焼結基板11と未焼結のセラミックグリーンシート13との焼成収縮率の差により接合性が悪くなり、焼成工程において、セラミックグリーンシート13の焼成収縮抑制効果が低減してしまい、平面方向の寸法精度に優れたセラミック多層基板が得られないという課題を有していた。
これは、前記従来方法の焼成収縮抑制効果として焼結セラミック基板と拘束層を未焼結のセラミックグリーンシート部の片面ずつに貼り付け、セラミックグリーンシート部の焼成収縮を両面で拘束するという方法において、未焼結のセラミックグリーンシートの厚みを増加させると、焼結セラミック基板側の焼成時における拘束力が耐えられなくなり、焼成収縮を発生してしまうことがあった。
特に、未焼結のセラミックグリーンシートの厚みが0.6mmを超える場合では、セラミックグリーンシートの端部が剥離し、焼成収縮によって平面方向において寸法精度が低下してしまうというものであった。
本発明は、前記の課題に対し、平面方向の寸法精度の良好なセラミック多層基板の製造方法を提供することを目的とする。
前記目的を達成するために、所望の回路を構成するために導体パターンやビア導体を内装したセラミックグリーンシートの積層体を接着層でコートしたセラミック焼結基板と拘束層とで、焼成収縮を拘束する方法でセラミック焼結基板上に平面方向の高寸法精度を有するセラミック多層基板を製造する方法において、セラミック焼結基板とセラミックグリーンシートとの間に、低融点ガラスを含有する材料を均一に配置することで、焼成後の接着性を改善し、キャビティ部分の穴形成の適正化を行う製造方法を提供するものである。
本発明によれば、セラミックグリーンシートの焼結セラミック基板側の焼成収縮抑制効果を向上させることで、平面方向に高寸法精度でかつ平面形状の良好なセラミック多層基板を得ることができるものである。
(実施の形態1)
図1(a)〜(d)は本発明における実施の形態1のセラミック多層基板の製造方法を説明する図である。
図1(a)〜(d)は本発明における実施の形態1のセラミック多層基板の製造方法を説明する図である。
図1(a)において、1は含有率90wt%以上のアルミナ等からなるセラミック焼結基板であり、厚みは0.2mm以上0.8mm以下のものであり、表面粗さは平均表面粗さRaが0.1μm以上0.5μm以内で最大粗さRmaxが1μm以上5μm以内のものである。
2はアクリル系で、転移点温度が0℃以下の材料である接着層であり、トルエンやアセトン、メチルエチルケトン等の有機溶剤の混合液を溶媒としてスピンナーやロールコーターなどの塗布機にて、乾燥後の塗布厚みを0.1μm以上4μm以下の厚み範囲にてセラミック焼結基板1にペースト状に均一にコートする(工程1−a)。
図1(b)において、3はガラスセラミック、フェライト、誘電体材料等の粉体にブチラール樹脂やアクリル樹脂を有機バインダーとして用い、DBP等の可塑剤等を添加し、トルエンやメチルエチルケトン等の有機溶剤を用いてスラリー状に混練したものをドクターブレード法等によってキャリアフィルム上に塗布して得られるセラミックグリーンシートである。未焼結のセラミックグリーンシート3の厚みの範囲は一般的に0.05〜1mmであるが、複数枚を用いて、加熱加圧し、一体化することによって所望の厚みにすることによっても得られる。
4は未焼結のセラミックグリーンシート3にAg等からなる導体ペーストをスクリーン印刷や凹版転写工法により、セラミック焼結基板1側に接するように設けられた導体パターンであり、導体パターン4の厚みは乾燥状態で8μm以上20μm以下の範囲で形成し、所望の回路構成を行う。なお、場合によっては未焼結のセラミックグリーンシート3に打ち抜き金型やパンチング装置やレーザ装置により、貫通孔を設け、Ag系の導体材料を充填して得られるビア導体(図示せず)を用いても回路構成する。
また、導体パターン4およびビア導体に用いられる導体ペースト中には、転移点500℃以下の低融点ガラスを含有させる。この点が本発明における特徴の一つである。
5はアルミナやジルコニア等の粉末にブチラール樹脂やアクリル樹脂を有機バインダーとして用い、可塑剤とメチルエチルケトンやトルエン等の有機溶剤を添加して混練してスラリー状にしたものをドクターブレード法等によってキャリアフィルム上に塗布して得られる拘束層である。拘束層5の厚みの範囲は一般的に0.05〜1mmであるが、0.02〜0.2mmのものを複数枚に重ねて、加熱加圧することによっても得ることができる。
拘束層5はセラミックグリーンシート3の焼結温度以下では焼結しない材料であり、望ましくはセラミックグリーンシート3の焼結温度より300℃以上高い焼結温度である材料を用いる。これにより、セラミックグリーンシート3の焼結時に拘束層5によって焼成収縮を抑制することができる。
次に未焼結のセラミックグリーンシート3と拘束層5のそれぞれを加熱加圧し、一体化させる工程について説明する。
ビア導体(図示せず)や導体パターン4で所望の回路を構成した未焼結のセラミックグリーンシート3を以下の加熱加圧条件にて加工する。すなわち、加熱温度条件を40℃以上100℃以下の範囲で、加圧条件を仮積層で50kg/cm2で10秒以上1分以下とし、これを本圧として、100kg/cm2以上500kg/cm2以下の範囲において、厚み0.6mmのセラミックグリーンシート3を作成する。
また、拘束層5において、厚みを0.1mm以上1.0mm以下の範囲内で複数枚のアルミナグリーンシートを重ねて、加熱温度を40℃以上100℃以下の範囲内とし、加圧条件は、仮積層で50kg/cm2で10秒以上1分以下とし、これを本圧として、100kg/cm2以上500kg/cm2以下の範囲において、加圧し、厚み1.0mmの拘束層5を作成する(工程1−b)。
接着層2を形成したセラミック焼結基板1と拘束層5との間に未焼結のセラミックグリーンシート3を配置し、加熱条件80℃以上130℃以下の温度範囲で、加圧条件10kg/cm2以上80kg/cm2以下の範囲で一体化する(工程1−c)。
さらに、後述する条件で脱バインダー処理および焼成処理を行うことで接着層2は焼失し、拘束層5を研磨などにより物理的に除去するとセラミック焼結基板1上に一体化形成されたセラミックグリーンシート3の焼結体を得ることができる(工程1−d)。
脱バインダー条件は、昇温速度22℃/時間以上83℃/時間以下で、ピーク温度を400℃以上550℃以下で3時間以上6時間以下の範囲で保持する。焼成条件は脱バインダーのピーク温度から、焼成のピーク温度までの昇温速度を、50℃/時間以上500℃/時間以下で、ピーク温度は800℃以上1000℃以下の範囲とし、セラミックグリーンシート3の所望の特性が発揮される温度領域内において10分以上2時間以下のピーク温度保持とする。
以上の工法によって得られる基板について説明する。従来の工法であれば未焼結のセラミックグリーンシート23の厚みが0.6mm以上になると、セラミックグリーンシート23の焼成時の収縮応力が増加し、図2(a)に示すように、導体パターン24を形成したセラミックグリーンシート23の外周部が剥離してしまっていた。
しかし、本実施の形態において工程1−bにおける導体パターン4およびビア導体に用いられる導体ペースト材料中に、転移点500℃以下の低融点ガラスを含有させることにより、導体パターン24中の低融点ガラスがセラミック焼結基板21とセラミックグリーンシート23の接合力を向上させ、焼成時の収縮応力が増加せず、図2(b)に示すような、良好な接合状態を得ることができるようになるものである。
また、導体パターン24中に含有させる低融点ガラスの添加率は導体パターン24の印刷面積比率に応じて変化させることが必要であり、例えば、導体パターン24の印刷面積比率が30%である場合、導体パターン24中の低融点ガラスの添加率は1wt%以上含有していればよく、同じく印刷面積比率が20%である場合は低融点ガラスの添加率は3wt%以上含有させればよい。
このように、印刷面積比率を高くすることに応じて、低融点ガラスの添加率を低くすることが特徴になる。なお、印刷面積比率を調整するため、回路構成に必要のないダミーパターンを配置させ、接着効果を向上させ、良好な接合性を得てもよい。
また、低融点ガラスの添加率を増加させすぎると、導体パターン24とセラミック焼結基板21の接合面において形成される導体膜がポーラスになり、導体抵抗値が高くなってしまうことや、基板の反りに影響を与えてしまうため、添加率を調整する必要がある。
なお、本実施の形態においては、導体パターン4として、Agを使用したが、Ag系にPdやPt等の貴金属を添加したものおよびCu導体でも同様に使用可能である。
また、これを一体化したものを焼成した所望の回路構成を形成させ、セラミック多層基板の焼結体として、セラミック焼結基板1に使用することも可能である。
また、本実施の形態において、導体パターン4は、セラミックグリーンシート3の厚み方向の焼成収縮量と同程度のものを使用すると、導体パターン4の焼結収縮量が、セラミックグリーンシート3よりも小さくなった場合、焼成後、導体パターン4の近傍でセラミックグリーンシート3とセラミック焼結基板1との間に隙間が発生することがあるので、導体パターン4の厚み方向の焼成収縮量はセラミックグリーンシート3のものよりも大きくすることで導体パターン4の体積減による隙間が発生しなくなるものである。
また、本実施の形態において、導体パターン4に低融点ガラスを含有する絶縁用ガラスペーストや内蔵抵抗体ペーストを用いても同様な効果が得られる。
(実施の形態2)
図3(a)〜(d)は本発明における実施の形態2である、キャビティ部を有するセラミック多層基板の製造方法を説明する図である。特に説明のないものについての条件は実施の形態1と同条件である。図4は従来工法におけるセラミック多層基板の平面図である。
図3(a)〜(d)は本発明における実施の形態2である、キャビティ部を有するセラミック多層基板の製造方法を説明する図である。特に説明のないものについての条件は実施の形態1と同条件である。図4は従来工法におけるセラミック多層基板の平面図である。
図3(a)において、31はセラミック焼結基板、32は接着層であり、接着層32をセラミック焼結基板31にペースト状に均一にコートする(工程3−a)。
図3(b)において、33はセラミックグリーンシート、34は導体パターン、35は拘束層である。導体パターン34は転移点500℃以下の低融点ガラスを含有させている。この点が本発明の特徴の一つである。
36はパンチング装置、炭酸ガスレーザ装置やYAGレーザ装置等を用いて設けたキャビティ部である。
ビア導体(図示せず)や導体パターン34で所望の回路を構成し、パンチング装置などでキャビティ部36を設けた1枚もしくは複数枚のセラミックグリーンシート33を加熱加圧して作成し、また、これとは別に複数のアルミナグリーンシートを重ねて、同じく加熱加圧し、拘束層35を作成する(工程3−b)。このとき、複数のセラミックグリーンシート33を積層し、加熱加圧した後、パンチング装置などでキャビティ部36を設けてもよい。
図3(c)において、セラミック焼結基板31と、セラミックグリーンシート33と、拘束層35とを図のように積層し、上下方向から加熱加圧することで一体化させる(工程3−c)。
図3(d)において、工程3−cにて、一体化したものを脱バインダーおよび焼成することで、接着層32は焼失し、さらに拘束層35を研磨などで物理的に除去するとセラミック焼結基板31上に一体化形成されたキャビティ部36を有するセラミックグリーンシート33を得る(工程3−d)。
工程3−bにおいて、導体パターン34の印刷面積比率を20%とし、低融点ガラスの含有率を3wt%としたところ、キャビティ部36のコーナー部分においてクラックのない良好なキャビティ形状を有するセラミック多層基板を得ることができた。
従来であれば、工程3−cにおいて拘束層35のキャビティ部36に対応する部分にセラミックグリーンシート33が存在しないため、図4に示すように、セラミックグリーンシート43の焼成収縮による応力が、キャビティ部46のコーナー部分に集中し、拘束層(図示せず)の拘束力が低下し、クラック47となってしまうものであった。
しかしながら、本実施の形態においては、セラミック焼結基板31側のセラミックグリーンシート33に低融点ガラスを含有する導体パターン34を適度な間隔で配置形成しているので、導体パターン34がセラミックグリーンシート33の焼成収縮時にセラミックグリーンシート33とセラミック焼結基板31との接着剤となり、セラミックグリーンシート33の焼成収縮力を効率的に抑制することができ、セラミックグリーンシート33の厚みが0.6mmを超え、1.0mmとなっても焼成後にクラックの発生しない平面方向の寸法精度の良好なセラミック基板が製造できるという効果を奏している。
以上のように、本発明にかかるセラミック基板の製造方法は、所望の回路を構成するために導体パターンやビア導体を内装したセラミックグリーンシートの積層体を接着層でコートしたセラミック焼結基板と拘束層とで、焼成収縮を拘束する方法でセラミック焼結基板上に平面方向の高寸法精度を有するセラミック多層基板を製造する方法において、セラミック焼結基板とセラミックグリーンシートとの間に、低融点ガラスを含有する材料を均一に配置することで、焼成後の接着性を改善し、キャビティ部分の穴形成の適正化を行う製造方法を提供するものである。
1,11,21,31 セラミック焼結基板
2,32 接着層
3,13,23,33,43 セラミックグリーンシート
4,12,24,34 導体パターン
5,14,35 拘束層
36,46 キャビティ部
47 クラック
2,32 接着層
3,13,23,33,43 セラミックグリーンシート
4,12,24,34 導体パターン
5,14,35 拘束層
36,46 キャビティ部
47 クラック
Claims (7)
- 導体パターンおよびビア導体を設けた未焼結のセラミックグリーンシートを1枚または複数枚積層し、加熱加圧一体化して作成される積層体と、前記セラミックグリーンシートの焼結温度以上で焼結する材料からなるアルミナグリーンシートを加熱加圧して作成され、前記積層体を拘束する拘束層とを用い、セラミック焼結基板上に設けられた接着層上に前記積層体を配置し、さらにその上に前記拘束層を配置して加熱加圧し、前記積層体と、前記拘束層とを仮接合する工程と、前記仮接合したものを、脱バインダー及び焼成して拘束層を除去する工程により前記積層体とセラミック基板とを一体化接合する方法において、セラミック焼結体との接合面側の前記積層体表面上に転移点が500℃以下の低融点ガラスを含有する導体材料のパターンを形成することに特徴を有するセラミック基板の製造方法。
- 導体材料の厚み方向の焼成収縮率が、セラミックグリーンシートの厚み方向における焼成収縮率以上のものを使用した請求項1のセラミック基板の製造方法。
- 導体材料として、AgやAg/PdなどのAg系材料を使用した導体パターン及び収縮抑制パターンを形成した請求項2のセラミック基板の製造方法。
- 導体材料として、AgやAg/PdなどのAg系材料を使用したビアを用いた請求項2のセラミック基板の製造方法。
- 導体材料として、絶縁層用ガラスペーストを利用した請求項2のセラミック基板の製造方法。
- 導体材料として、内蔵抵抗体ペーストを利用した請求項2のセラミック基板の製造方法。
- 前記セラミックグリーンシートの加熱加圧積層工程後にキャビティ部を金型やパンチングマシンで打ち抜いて、キャビティ部分を形成した請求項1のセラミック基板の製造方法。
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DE102008043763A1 (de) | 2007-11-16 | 2009-08-13 | DENSO CORPORATION, Kariya-shi | Verbindungsmaterial und Verfahren zum Herstellen eines Keramikverbindungskörpers |
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US8080737B2 (en) | 2007-12-27 | 2011-12-20 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Ceramic substrate, method of manufacturing the same, and electrical device using the same |
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