JP2009111394A - 多層セラミック基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】多層セラミック基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の多層セラミック基板の製造方法は、キャビティの形成された未焼結セラミック積層体を用意するステップと、前記キャビティにチップ素子を実装するステップと、前記チップ素子の実装されたキャビティにセラミックスラリーを充填させるステップと、前記セラミック積層体の上面及び下面のうち、少なくとも一面に拘束層を付着するステップと、前記セラミック積層体を焼成するステップとを含む。これにより、セラミック積層体の焼成時にキャビティの変形を防止して、多層セラミック基板の寸法精度及び信頼性を向上させることができる。
【選択図】図2E
【解決手段】本発明の多層セラミック基板の製造方法は、キャビティの形成された未焼結セラミック積層体を用意するステップと、前記キャビティにチップ素子を実装するステップと、前記チップ素子の実装されたキャビティにセラミックスラリーを充填させるステップと、前記セラミック積層体の上面及び下面のうち、少なくとも一面に拘束層を付着するステップと、前記セラミック積層体を焼成するステップとを含む。これにより、セラミック積層体の焼成時にキャビティの変形を防止して、多層セラミック基板の寸法精度及び信頼性を向上させることができる。
【選択図】図2E
Description
本発明は、多層セラミック基板の製造方法に関し、さらに詳細には、セラミック積層体に形成されたキャビティにチップ素子を実装した後、セラミックスラリーを充填して焼成する多層セラミック基板の製造方法に関する。
一般に、ガラス−セラミックを利用した多層セラミック基板は、3次元構造の層間回路の具現化及び空洞(cavity)の形成が可能なので、高い設計柔軟性を有し、多様な機能の素子を内蔵することができる。これによって、小型化、高機能化する高周波部品の市場において、多層セラミック基板の活用度は次第に高まっている。
初期の多層セラミック基板は、セラミックグリーンシートに導体ペーストを利用して内部回路パターン及びビアを形成し、設計によって所望の厚さに整列積層した後、焼成して製造された。この過程で多層セラミック基板は、約35〜50%程度に体積が収縮され、特に横方向収縮は、均一に制御し難いので、製作次数別にはもちろんで、同一製作次数内でも0.5%程度の寸法誤差が発生した。
最近では、拘束層を利用してセラミック基板の横方向に対する収縮を抑制させるための無収縮工法が開発されている。無収縮工法を利用することによって、横方向収縮を抑制してセラミック基板の収縮時に寸法精度が向上するようになる。
図1A及び図1Bは、従来の技術による多層セラミック基板の垂直断面図である。図1Aに示すように、セラミック基板1は、複数のグリーンシート1a、1b、1c、1d、1eを積層して形成される。この場合、セラミック基板1内にチップ素子3を内蔵するために、一部グリーンシートにキャビティ2を形成する。
この後、表面実装技術の一種であるソルダー−フロー(solder−flow)方式を利用して、チップ素子3を実装することができる。具体的に、キャビティ2のうち、チップ素子3が実装される領域にソルダーペースト4をハンダ付けする。そして、ソルダーペースト4にチップ素子3を載せる方式により、チップ素子3を実装することができるようになる。
セラミック基板1にチップ素子3が内蔵されると、セラミック基板1の上部及び下部上に焼成時に横方向の収縮を抑制するための拘束層5a、5bを積層する。この場合、拘束層5a、5bは、セラミック基板1の焼成温度で収縮せず、かつ収縮制御が容易な無機材料で製造されうる。
拘束層5a、5bが積層されると、セラミック基板1を700〜1000℃の温度で焼成する。この場合、焼成によりセラミック基板1の体積が収縮される過程で、上部拘束層5aと接合されないセラミック基板1のキャビティ2領域は、不規則な収縮結果を示す。
図1Bは、図1Aに示す多層セラミック基板の焼成結果を示した垂直断面図である。先に説明した通り、セラミック基板1のうち、キャビティ2の形成された領域は、拘束層により収縮が抑制されないから、縦方向及び横方向に不規則な収縮が起きるのを確認することができる。これにより、セラミック基板1の寸法精度が低下するという問題があった。また、セラミック基板1のうち、キャビティ2の形成された領域が不規則に収縮されることによって、キャビティ2に実装されていたチップ素子3がソルダーペースト4から分離されるという現象が発生する。これにより、セラミック基板1及びチップ素子3の信頼性が低下するという問題があった。
そこで、本発明は、上述した問題点を解決するためのものであって、本発明の目的は、セラミック積層体に形成されたキャビティにチップ素子を実装した後、キャビティにセラミックスラリーを充填させて焼成することにより、多層セラミック基板及びチップ素子の信頼性を向上させることができるセラミック基板の製造方法を提供することにある。
上記の目的を達成すべく、本発明の一実施の形態による多層セラミック基板の製造方法は、キャビティの形成された未焼結セラミック積層体を用意するステップと、前記キャビティにチップ素子を実装するステップと、前記チップ素子の実装されたキャビティにセラミックスラリーを充填させるステップと、前記セラミック積層体の上面及び下面のうち、少なくとも一面に拘束層を付着するステップと、前記セラミック積層体を焼成するステップとを含む。
この場合、前記セラミックスラリーを充填させるステップは、スクリーン印刷方式を利用して、前記キャビティの形成された領域にのみ行われることができる。
又は、前記セラミックスラリーを充填させるステップは、前記セラミック積層体及び前記キャビティの全面に行われることもできる。
又は、前記セラミックスラリーを充填させるステップは、前記セラミック積層体及び前記キャビティの全面に行われることもできる。
また、前記セラミックスラリーを充填させるステップは、前記キャビティに前記セラミックスラリーを塗布し乾燥する工程が繰り返し的に行われることが好ましい。
本発明において、前記セラミックスラリーは、焼成温度が前記セラミック積層体の焼成温度と±100℃以内の差を有する無機材料から製造されることが好ましい。
また、前記セラミックスラリーは、焼成時に収縮率が前記セラミック積層体の収縮率と±10%以内の差を有する無機材料から製造されたことが好ましい。
前記チップ素子は、積層セラミックコンデンサ(MLCC(Multi−Layrer Ceramic Capacitor)でありうる。
又は、前記チップ素子は、前記セラミック積層体の焼成温度より高い温度で既に焼結された素子であることが好ましい。
本発明によれば、セラミック基板に形成されたキャビティにチップ素子を実装した後、キャビティにセラミックスラリーを充填させて焼成することにより、セラミックスラリーにより焼成する時にセラミック基板が変形するのを防止することができる。これにより、セラミック基板の寸法精度を向上させることができるようになり、キャビティ内に実装されたチップ素子の実装環境を改善させると共に、製品の信頼性を向上させることができるようになる。
以下では、添付された図面を参照して、本発明をさらに詳細に説明する。
図2A〜図2Eは、本発明の一実施の形態による多層セラミック基板の製造方法を説明するための垂直断面図である。まず、図2Aに示すように、複数のグリーンシート10a、10b、10c、10d、10eを積層して、キャビティの形成されたセラミック積層体10を用意する。具体的に、ガラス−セラミック粉末に有機バインダー、分散剤及びトルエンとエタノールの混合溶媒を添加してスラリーを製造する。このスラリーをドクターブレード法を利用して塗布した後、50μm厚のグリーンシートを製造する。このような方法で、複数のグリーンシート10a、10b、10c、10d、10eを製造する。この場合、グリーンシートを製造する時に、ビアホール(図示せず)及び内部電極(図示せず)を形成して、内部印刷パターンを形成することができる。
図2A〜図2Eは、本発明の一実施の形態による多層セラミック基板の製造方法を説明するための垂直断面図である。まず、図2Aに示すように、複数のグリーンシート10a、10b、10c、10d、10eを積層して、キャビティの形成されたセラミック積層体10を用意する。具体的に、ガラス−セラミック粉末に有機バインダー、分散剤及びトルエンとエタノールの混合溶媒を添加してスラリーを製造する。このスラリーをドクターブレード法を利用して塗布した後、50μm厚のグリーンシートを製造する。このような方法で、複数のグリーンシート10a、10b、10c、10d、10eを製造する。この場合、グリーンシートを製造する時に、ビアホール(図示せず)及び内部電極(図示せず)を形成して、内部印刷パターンを形成することができる。
一方、一部グリーンシートの所定位置をパンチングして、グリーンシートの積層時にパンチング領域がキャビティ20を形成するようにする。図2Aでは、一部グリーンシート10c、10d、10eの中央領域をパンチングして、複数のグリーンシート10a、10b、10c、10d、10eを積層することによって、キャビティ20が形成されることができるようにした。この後、セラミック積層体10のキャビティ20のうち、チップ素子を実装する領域にソルダーペースト30をハンダ付けする。
図2Bは、セラミック積層体10にチップ素子40を内蔵する過程を示すものであって、キャビティ20のうち、ソルダーペースト30のソルダーリングされた領域にチップ素子40を実装する。この場合、チップ素子40としては、セラミック積層体10の焼成温度より高い温度で既に焼結された素子であって、セラミック積層体10の焼成温度では、損傷又は変形しない素子が利用されることができる。代表的な例として、酸化チタン(TiO2)又はチタン酸バリウム(BaTiO3)などのようなセラミック誘電体を多層化して製造されるMLCC(Multi−Layer Ceramic Capacitor)素子が利用されることができる。MLCC素子は、良好な温度特性を有する素子であって、セラミック積層体10の内部に内蔵して焼成するとしても、損傷又は変形が最小化されることができる。また、MLCC素子の他にも、セラミック積層体10の焼成温度に影響を受けない素子の場合、セラミック積層体10の内部に内蔵できる。
図2Cは、キャビティ20にセラミックスラリー50を充填させる過程を示すものである。本発明においてセラミックスラリー50は、焼成時に、セラミック積層体10と共に収縮される。したがって、セラミックスラリー50は、セラミック積層体10と焼成温度及び収縮率が類似又は同じであることが好ましい。具体的に、セラミック積層体10は、700〜1000℃の範囲の焼成温度を有するものであって、焼成温度の範囲内で焼結が開始される。したがって、セラミック積層体10との同時焼成のために、セラミックスラリー50は、焼成温度がセラミック積層体10の焼成温度と±100℃以内の差を有する無機材料で製造されうる。
また、セラミックスラリー50は、セラミック積層体10と類似又は同じ収縮率を有する無機材料で製造されることができ、100〜1000000Cpsの範囲の粘度を有するように製造されうる。焼成時に、セラミック積層体10は、約35〜50%の範囲の収縮率を有するものであって、セラミックスラリー50は、収縮率がセラミック積層体10と約±10%の差を有する無機材料で製造されることが好ましい。
最も好ましくは、セラミック積層体10と同じ無機材料でセラミックスラリー50を製造でき、その他のガラス成分、有機バインダー、分散剤及び添加剤も、セラミック積層体10と同じ材料を利用することができる。この場合、セラミックスラリー50は、セラミック積層体10と同じ焼結形態を有することができるので、焼成時にキャビティ20が変形するのを最小化することができる。
セラミックスラリー50が製造されると、セラミック積層体10のキャビティ20に充填させる。この場合、セラミックスラリー50の充填は、2種類の実施の形態で行われることができる。一実施の形態では、図2Cに示すように、セラミック積層体10の上部面のうち、キャビティ20を除いた残りの領域にスクリーンを配置して、キャビティ20にのみセラミックスラリー50を充填させることができる。また、他の実施形態では、セラミック積層体10の上部全面にセラミックスラリー50を充填させることができる。
一方、セラミックスラリー50をキャビティ20に充填させる過程において、適切な量を調節して一部塗布した後、乾燥する過程を経る。そして、以前に塗布したセラミックスラリーが乾燥されると、セラミックスラリーを再度一部塗布した後、乾燥させる。このように、セラミックスラリーの塗布及び乾燥過程を繰り返し実行して、キャビティ20を充填させることができる。セラミックスラリー50がキャビティ20に充填されると、キャビティ20に実装されているチップ素子40が外部に露出しなくなる。
図2Dは、セラミック積層体10に拘束層60a、60bを積層する過程を示すものである。セラミック積層体10の横方向に対する収縮を抑制させるために、セラミック積層体10の上部面及び下部面に拘束層60a、60bを積層する。この場合、拘束層60a、60bは、セラミックスラリー50の上部面に接合されて、セラミックスラリー50の上部面収縮を抑制させることができる。
一方、拘束層60a、60bがセラミック積層体10及びセラミックスラリー50上に積層されると、セラミック積層体10の焼成温度で焼成を行う。この場合、セラミック積層体10の焼成温度は、約600〜1100℃になることができ、好ましくは、700〜1000℃になることができる。焼成によりセラミック積層体10及びセラミックスラリー50は、縦方向に収縮する。この過程で、セラミックスラリー50がチップ素子40を保護し、キャビティ20の変形を防止することができるようになる。すなわち、図1Bに示すように、焼成によりチップ素子3がソルダーペースト4と分離されるか、又はキャビティ2が変形するのを防止できるようになる。したがって、セラミック基板10とチップ素子40との信頼性を向上させることができるようになる。
本発明において拘束層60a、60bは、セラミック積層体10の焼成温度で収縮されず、かつ収縮制御が容易な無機材料で製造されうる。また、図2Dでは、示していないが、セラミック積層体10の上部面又は下部面にダミー層をさらに積層した後、拘束層60a、60bを積層することもできる。この場合、ダミー層は、必要に応じて選択的に追加されることができる。
図2Eによれば、焼成によりセラミック積層体10が収縮されると、拘束層60a、60bを除去する。拘束層60a、60bは、平板研磨、バフ研磨及びサンドブラストのように通常の技術を利用して除去できる。この後、セラミック積層体10の上部及び下部に導体ペーストをスクリーン印刷して、外部電極70を形成する。この場合、セラミック積層体10と外部電極70の固着のために焼成を行うことができる。
一方、図2Eでは、セラミック積層体10を焼成した後、外部電極70を形成することと示したが、セラミック積層体10上に外部電極70をまず形成し、セラミック積層体10と外部電極70とを同時に焼成することもできる。
このような方法で製造された多層セラミック基板100は、キャビティ20内にチップ素子40を実装した後、セラミックスラリー50でキャビティ20を充填することによって、チップ素子40が外部に露出しなくなる。また、セラミックスラリー50によりチップ素子40及びソルダーペースト30が固定されているから、チップ素子40が分離されるのを防止できるようになる。それだけでなく、焼成時に、セラミックスラリー50がセラミック積層体10と共に厚さ方向に収縮されることによって、キャビティ20の変形を防止できるようになる。結果的に、多層セラミック基板100の寸法精度及び信頼性が向上する。
以上では、本発明の好ましい実施の形態に対して図示し説明したが、本発明は、上述した特定の実施の形態に限定されず、特許請求の範囲で請求する本発明の要旨から逸脱せずに当該発明の属する技術分野における通常の知識を有した者により多様な変形実施が可能であることはもちろんで、このような変形実施は、本発明の技術的思想又は展望から個別的に理解されてはならない。
10 セラミック積層体
20 キャビティ
30 ソルダーペースト
40 チップ素子
50 セラミックスラリー
60a、60b 拘束層
70 外部電極
100 多層セラミック基板
20 キャビティ
30 ソルダーペースト
40 チップ素子
50 セラミックスラリー
60a、60b 拘束層
70 外部電極
100 多層セラミック基板
Claims (8)
- キャビティの形成された未焼結セラミック積層体を用意するステップと、
前記キャビティにチップ素子を実装するステップと、
前記チップ素子の実装されたキャビティにセラミックスラリーを充填させるステップと、
前記セラミック積層体の上面及び下面のうち、少なくとも一面に拘束層を付着するステップと、
前記セラミック積層体を焼成するステップとを含む多層セラミック基板の製造方法。 - 前記セラミックスラリーを充填させるステップは、
スクリーン印刷方式を利用して、前記キャビティの形成された領域にのみ行われることを特徴とする請求項1に記載の多層セラミック基板の製造方法。 - 前記セラミックスラリーを充填させるステップは、
前記セラミック積層体及び前記キャビティの全面に行われることを特徴とする請求項1に記載の多層セラミック基板の製造方法。 - 前記セラミックスラリーを充填させるステップは、
前記キャビティに前記セラミックスラリーを塗布し乾燥する工程が繰り返し的に行われることを特徴とする請求項1乃至3のうちの何れか1項に記載の多層セラミック基板の製造方法。 - 前記セラミックスラリーは、
焼成温度が前記セラミック積層体の焼成温度と±100℃以内の差を有する無機材料から製造されたことを特徴とする請求項1から請求項4の何れかに記載の多層セラミック基板の製造方法。 - 前記セラミックスラリーは、
焼成時に収縮率が前記セラミック積層体の収縮率と±10%以内の差を有する無機材料から製造されたことを特徴とする請求項1から請求項5の何れかに記載の多層セラミック基板の製造方法。 - 前記チップ素子は、
積層セラミックコンデンサであることを特徴とする請求項1から請求項6の何れかに記載の多層セラミック基板の製造方法。 - 前記チップ素子は、
前記セラミック積層体の焼成温度より高い温度で既に焼結された素子であることを特徴とする請求項1から請求項7の何れかに記載の多層セラミック基板の製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070110096A KR100896609B1 (ko) | 2007-10-31 | 2007-10-31 | 다층 세라믹 기판의 제조 방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009111394A true JP2009111394A (ja) | 2009-05-21 |
Family
ID=40581316
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008281445A Pending JP2009111394A (ja) | 2007-10-31 | 2008-10-31 | 多層セラミック基板の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20090107616A1 (ja) |
JP (1) | JP2009111394A (ja) |
KR (1) | KR100896609B1 (ja) |
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- 2007-10-31 KR KR1020070110096A patent/KR100896609B1/ko active IP Right Grant
-
2008
- 2008-10-30 US US12/262,104 patent/US20090107616A1/en not_active Abandoned
- 2008-10-31 JP JP2008281445A patent/JP2009111394A/ja active Pending
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KR20090044146A (ko) | 2009-05-07 |
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|
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