JP2001257473A

JP2001257473A - 多層セラミック基板およびその製造方法

Info

Publication number: JP2001257473A
Application number: JP2000064381A
Authority: JP
Inventors: Isao Kato; 功加藤
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2000-03-09
Filing date: 2000-03-09
Publication date: 2001-09-21

Abstract

(57)【要約】【課題】配線導体を形成するための導電性ペースト体
を備える生の積層体を焼成したとき、得られた多層セラ
ミック基板の外表面において、導電性ペースト体が設け
られた位置に関連して隆起が生じることがある。【解決手段】多層セラミック基板２２を得るために焼
成される生の積層体２１において、セラミックグリーン
シート２３が低温焼結セラミック材料を含む組成とし、
セラミックグリーンシート２３に含まれる低温焼結セラ
ミック材料の焼結温度では焼結しない収縮抑制用セラミ
ック材料を含む収縮抑制用グリーン層２５を、導電性ペ
ースト体２４に関連して形成する。このような構成の生
の積層体２１を、低温焼結セラミック材料が焼結する温
度で焼成すると、収縮抑制用グリーン層２５は、導電性
ペースト体２４を厚み方向にのみ実質的に収縮させるよ
うに作用し、それによって隆起の発生を抑制する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、多層セラミック
基板およびその製造方法に関するもので、特に、たとえ
ば導体膜やビアホール導体のような配線導体を形成する
ための導電性ペーストの、焼成工程における挙動によっ
てもたらされる、多層セラミック基板の表面での凹凸を
低減するための改良に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】多層セラミック基板は、複数の積層され
たセラミック層を備えている。このような多層セラミッ
ク基板には、種々の態様の配線導体が設けられている。
配線導体としては、たとえば、多層セラミック基板の内
部においてセラミック層間の特定の界面に沿って延びる
内部導体膜や、特定のセラミック層を貫通するように延
びるビアホール導体や、多層セラミック基板の外表面上
に形成される外部導体膜などがある。

【０００３】上述した内部導体膜やビアホール導体の一
部は、たとえばコンデンサ素子やインダクタ素子のよう
な受動部品を構成されるために利用されることがある。
また、外部導体膜は、他の電子部品との電気的接続のた
めに利用されたり、この多層セラミック基板をマザーボ
ード上に実装するために利用されたりしている。

【０００４】このような多層セラミック基板を得るため
には、生の積層体が用意され、これを焼成することが行
なわれる。生の積層体には、上述したような配線導体、
たとえば内部導体膜やビアホール導体を形成するための
導電性ペースト体が予め設けられている。

【０００５】図４には、この発明にとって興味ある多層
セラミック基板１を製造するための従来の方法に備える
典型的な工程が順次断面図で示されている。

【０００６】まず、図４（１）に示すような生の積層体
２が用意される。生の積層体２は、複数の積層されたセ
ラミックグリーンシート３と、導電性ペーストからな
り、かつセラミックグリーンシート３の特定のものに関
連して設けられる、配線導体を形成するための導電性ペ
ースト体４とを備えている。

【０００７】上述の導電性ペースト体４としては、より
具体的には、セラミックグリーンシート３の特定の界面
に沿って形成される膜状の導電性ペースト膜５および６
があり、また、特定のセラミックグリーンシート３を貫
通するように形成されるビアホール導体用の柱状の導電
性ペースト柱７がある。また、複数の導電性ペースト膜
５が、生の積層体２の積層方向に重なるように形成され
ている。

【０００８】次に、上述の生の積層体２は、積層方向に
プレスされた後、焼成工程に付される。図４（２）に
は、焼成後の焼結積層体８が示されている。

【０００９】図４（２）に示すように、焼結積層体８
は、前述したセラミックグリーンシート３に由来するセ
ラミック層９、導電性ペースト膜５および６に由来する
内部導体膜１０および１１、ならびに導電性ペースト柱
７に由来するビアホール導体１２を備えている。

【００１０】図４（１）に示した生の積層体２にあって
は、プレス工程を経ることによって、その外表面が平坦
であるにも関わらず、図４（２）に示した焼結積層体８
にあっては、内部導体膜１０および１１ならびにビアホ
ール導体１２が設けられた位置において、隆起１３、１
４および１５が生じている。

【００１１】次に、上述した隆起１３、１４および１５
を除去することによって、外表面を平坦にするため、焼
結積層体８は研磨される。この研磨後の状態が、図４
（３）に示されている。

【００１２】次に、研磨後の焼結積層体８の外表面上
に、図４（４）に示すように、外部導体膜１６が、導電
性ペーストを印刷によって付与し、再び焼成することに
よって形成される。図示した外部導体膜１６は、ビアホ
ール導体１２と接続された状態となっている。

【００１３】このようにして、目的とする多層セラミッ
ク基板１が完成される。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】上述した多層セラミッ
ク基板１の製造方法によれば、外部導体膜６を形成すべ
き面を平坦にするため、焼成後の焼結積層体８に対して
研磨を実施しているが、この焼結積層体８には、焼成後
の段階で、反りやうねり等の不所望な変形が生じている
ことが多い。そのため、研磨における研磨代が変動し、
その結果、研磨後において、焼結積層体８の厚みが小さ
くなりすぎたり、内部導体膜１０の一部が露出してしま
ったりするなどの問題を引き起こすことがある。

【００１５】また、研磨によって、焼結積層体８にチッ
ピングや欠けなどの損傷がもたらされることもある。

【００１６】また、外部導体膜１６は、内部導体膜１０
および１１のように、生の積層体２の段階で形成してお
くことができず、焼成および研磨の各工程を終えた後に
形成する必要があるため、外部導体膜１６の形成のため
の工程が煩雑になる。

【００１７】そこで、この発明の目的は、上述したよう
な問題を解決し得る、多層セラミック基板の製造方法お
よびその製造方法によって得られた多層セラミック基板
を提供しようとすることである。

【００１８】

【課題を解決するための手段】この発明は、焼成後の段
階で、焼結積層体の外表面に隆起が生じにくくすること
によって、上述したような技術的課題を解決しようとす
るものである。

【００１９】この発明に係る多層セラミック基板の製造
方法は、上述した技術的課題を解決するため、低温焼結
セラミック材料を含む、複数の積層されたセラミックグ
リーンシートと、導電性ペーストからなり、かつセラミ
ックグリーンシートの特定のものに関連して設けられ
る、配線導体を形成するための導電性ペースト体とを備
える、生の積層体を用意する工程と、この生の積層体
を、低温焼結セラミック材料が焼結する温度で焼成する
工程とを備え、上述したように用意される生の積層体に
は、低温焼結セラミック材料の焼結温度では焼結しない
収縮抑制用セラミック材料を含む、収縮抑制用グリーン
層が、導電性ペースト体の少なくとも一部を覆い、かつ
セラミックグリーンシートの特定の界面の一部に沿うよ
うにさらに形成されていることを特徴としている。

【００２０】この発明において、上述した導電性ペース
ト体としては、種々の態様のものがある。

【００２１】導電性ペースト体が、セラミックグリーン
シートの特定の界面に沿って形成される膜状の導電性ペ
ースト膜である場合には、収縮抑制用グリーン層は、こ
の導電性ペースト膜の少なくとも一部に接するように形
成されることが好ましい。

【００２２】また、生の積層体において、上述したよう
な複数の導電性ペースト膜が積層方向に重なるように形
成されているとき、この発明の意義がより顕著なものと
なる。

【００２３】導電性ペースト膜が形成された生の積層体
を用意する場合、好ましくは、複数のセラミックグリー
ンシートを用意する工程と、特定のセラミックグリーン
シート上に、導電性ペースト膜を形成する工程と、導電
性ペースト膜の少なくとも一部を覆うようにセラミック
グリーンシート上に収縮抑制用グリーン層を形成する工
程とが実施される。

【００２４】また、他の実施態様として、複数のセラミ
ックグリーンシートを用意する工程と、特定のセラミッ
クグリーンシート上に、収縮抑制用グリーン層を形成す
る工程と、収縮抑制用グリーン層の少なくとも一部を覆
うようにセラミックグリーンシート上に導電性ペースト
膜を形成する工程とが実施されてもよい。

【００２５】前述した導電性ペースト膜が、特定のセラ
ミックグリーンシートを貫通するように形成されるビア
ホール導体用の柱状の導電性ペースト柱である場合に
は、収縮抑制用グリーン層は、この導電性ペースト柱の
少なくとも一方端側を覆うように形成されることが好ま
しい。

【００２６】上述したように導電性ペースト柱が形成さ
れた生の積層体を用意する場合には、複数のセラミック
グリーンシートを用意する工程と、特定のセラミックグ
リーンシートに貫通孔を設ける工程と、貫通孔内に導電
性ペーストを付与することによって導電性ペースト柱を
形成する工程と、導電性ペースト柱の一方端側を覆うよ
うにセラミックグリーンシート上に収縮抑制用グリーン
層を形成する工程とが実施される。

【００２７】また、この発明において、生の積層体に
は、キャビティが設けられていてもよい。このようにキ
ャビティが設けられている場合には、導電性ペースト体
として、キャビティの底面上に形成される膜状の導電性
ペースト膜を含んでいてもよい。

【００２８】また、この発明において、導電性ペースト
体は、生の積層体の外表面上に形成される膜状の導電性
ペースト膜を含んでいてもよい。

【００２９】この発明は、また、上述したような製造方
法によって得られた、多層セラミック基板にも向けられ
る。

【００３０】このようなこの発明に係る多層セラミック
基板は、低温焼結セラミック材料の焼結体からなる、複
数の積層されたセラミック層と、セラミック層の特定の
ものに関連して設けられた、配線導体と、配線導体の少
なくとも一部を覆い、かつセラミック層の特定の界面の
一部に沿うように形成された、収縮抑制層とを備え、収
縮抑制層は、低温焼結セラミック材料の焼結温度では焼
結しない収縮抑制用セラミック材料を含み、かつ、収縮
抑制層の少なくとも一部には、セラミック層に含まれる
材料の一部が浸透している。

【００３１】上述した多層セラミック基板において、配
線導体が、セラミック層の特定の界面に沿って形成され
る内部導体膜を含む場合には、収縮抑制層は、この内部
導体膜の少なくとも一部に接するように形成されること
が好ましい。

【００３２】また、配線導体が、特定のセラミック層を
貫通するように形成されるビアホール導体を含む場合に
は、収縮抑制層は、このビアホール導体の少なくとも一
方端側を覆うように形成されることが好ましい。

【００３３】また、この発明に係る多層セラミック基板
には、キャビティが設けられていてもよい。このよう
に、キャビティが設けられている場合、配線導体は、キ
ャビティの底面上に形成される導電ランドを含んでいて
もよい。

【００３４】また、配線導体は、この多層セラミック基
板の外表面上に形成される外部導体膜を含んでいてもよ
い。

【００３５】

【発明の実施の形態】図１は、この発明の一実施形態に
よる多層セラミック基板の製造方法に含まれる典型的な
工程を順次示す断面図である。

【００３６】図１を参照して、この実施形態による製造
方法を簡単に説明すると、図１（１）に示すような生の
積層体２１が用意され、この生の積層体２１が焼成され
ることによって、図１（２）に示すような多層セラミッ
ク基板２２が得られる。

【００３７】図１（１）に示した生の積層体２１は、低
温焼結セラミック材料を含む、複数の積層されたセラミ
ックグリーンシート２３と、導電性ペーストからなり、
かつセラミックグリーンシート２３の特定のものに関連
して設けられる、配線導体を形成するための導電性ペー
スト体２４とを備えている。

【００３８】また、生の積層体２１には、上述した低温
焼結セラミック材料の焼結温度では焼結しない収縮抑制
用セラミック材料を含む、収縮抑制用グリーン層２５
が、導電性ペースト体２４の少なくとも一部を覆い、か
つセラミックグリーンシート２３の特定の界面の一部に
沿うようにさらに形成されている。

【００３９】上述した導電性ペースト体２４としては、
種々の態様のものがあり、図示の実施形態では、セラミ
ックグリーンシートの特定の界面に沿って形成される膜
状の導電性ペースト膜２６および２７、特定のセラミッ
クグリーンシート２３を貫通するように形成されるビア
ホール導体用の柱状の導電性ペースト柱２８、ならびに
生の積層体２１の外表面上に形成される膜状の導電性ペ
ースト膜２９がある。また、複数の導電性ペースト膜２
６が、積層方向に重なるように並んで配列されている。

【００４０】導電性ペースト膜２６および２７に対して
は、収縮抑制用グリーン層２５が、これら導電性ペース
ト膜２６および２７の各々に接するように形成されてい
る。また、導電性ペースト柱２８に対しては、導電性ペ
ースト膜２７に接するように形成された収縮抑制用グリ
ーン層２５の状態からわかるように、この収縮抑制用グ
リーン層２５が、導電性ペースト柱２８の一方端側を覆
うように形成されている。

【００４１】このような生の積層体２１を得るため、た
とえば、次のような工程が実施される。なお、図２に
は、図１（１）に示した複数のセラミックグリーンシー
ト２３のうちの特定のセラミックグリーンシート２３
（Ａ）に関連する製造工程が順次示されている。

【００４２】まず、複数のセラミックグリーンシート２
３が用意される。セラミックグリーンシート２３は、前
述したように、低温焼結セラミック材料を含むものであ
るが、低温焼結セラミック材料としては、たとえば１０
００℃以下の温度で焼結され得るものが用いられる。こ
のような低温焼結セラミック材料は、たとえば、結晶化
ガラス、またはガラスとセラミックとの混合物をもって
構成され、より具体的には、ＢａＯ−Ａｌ₂Ｏ₃−Ｓｉ
Ｏ₂系低温焼結セラミック材料が有利に用いられる。図
２（１）には、前述したように、特定のセラミックグリ
ーンシート２３（Ａ）が示されている。

【００４３】次に、図２（２）に示すように、特定のセ
ラミックグリーンシート２３（Ａ）に、貫通孔３０が設
けられる。

【００４４】次に、図２（３）に示すように、貫通孔３
０内に導電性ペーストを付与することによって導電性ペ
ースト柱２８が形成される。

【００４５】次に、図２（４）に示すように、セラミッ
クグリーンシート２３（Ａ）上に、導電性ペースト膜２
６および２７が、導電性ペーストをたとえばスクリーン
印刷することによって形成される。

【００４６】なお、導電性ペースト膜２６および２７の
形成と導電性ペースト柱２８の形成とを同時に行なって
もよい。

【００４７】次に、図２（５）に示すように、導電性ペ
ースト膜２６および２７の各々を覆うようにセラミック
グリーンシート２３（Ａ）上に収縮抑制用グリーン層２
５が形成される。収縮抑制用グリーン層２５は、収縮抑
制用セラミック材料を含むセラミックペーストをたとえ
ばスクリーン印刷によって付与することによって形成さ
れる。収縮抑制用グリーン層２５の厚みは、たとえば、
１〜２０μｍの範囲内に選ばれる。

【００４８】上述の収縮抑制用セラミック材料として
は、前述した低温焼結セラミック材料が１０００℃以下
の温度で焼結され得るものである場合には、たとえばア
ルミナまたはジルコニアを主成分とするものが有利に用
いられる。さらに、ＭｇＯ、ＴｉＯ₂、ＢａＴｉＯ₃、
ＳｉＣまたはＡｌＮを主成分とするものを、収縮抑制用
セラミック材料として用いてもよい。

【００４９】なお、収縮抑制用グリーン層２５は、図示
したように、導電性ペースト膜２６および２７の各々を
全面的に覆うように形成するのではなく、その一部のみ
を覆うように形成してもよい。たとえば、導電性ペース
ト膜が、比較的広い面積のランド部と細線状のライン部
とを有している場合、ランド部のみを収集抑制用グリー
ン層で覆うようにしてもよい。

【００５０】また、図２に示した製造手順では、導電性
ペースト膜２６および２７を形成した後に、収縮抑制用
グリーン層２５を形成するようにしたが、ビアホール導
体用の導電性ペースト柱２８に接続される導電性ペース
ト膜２７を除く、導電性ペースト膜２６については、先
に収縮抑制用グリーン層２５をセラミックグリーンシー
ト２３（Ａ）上に形成し、次いで、収縮抑制用グリーン
層２５を覆うようにセラミックグリーンシート２３
（Ａ）上に導電性ペースト膜２６を形成するようにして
もよい。

【００５１】図１（１）に示した他のセラミックグリー
ンシート２３についても、図２に示した工程と実質的に
同様な工程を経て処理され、これら複数のセラミックグ
リーンシート２３が積層され、次いで、積層方向にプレ
スされることによって、生の積層体２１が得られる。

【００５２】なお、図１（１）に示した生の積層体２１
にあっては、導電性ペースト膜２６および２７のすべて
にそれぞれ関連して収縮抑制用グリーン層２３が形成さ
れたが、生の積層体に形成される導電性ペースト膜のい
くつかについては、収縮抑制用グリーン層が形成されな
い場合も、この発明の範囲内にあるものと理解すべきで
ある。

【００５３】次に、生の積層体２１は、セラミックグリ
ーンシート２３に含まれる低温焼結セラミック材料が焼
結する温度で焼成され、それによって、図１（２）に示
すような多層セラミック基板２２が得られる。

【００５４】この多層セラミック基板２２は、前述した
セラミックグリーンシート２３に由来するセラミック層
３１と、導電性ペースト膜２６および２７に由来する内
部導体膜３２および３３と、導電性ペースト柱２８に由
来するビアホール導体３４と、導電性ペースト膜２９に
由来する外部導体膜３５とを備えている。また、収縮抑
制用グリーン層２５は、収縮抑制層３６として残存して
いる。

【００５５】多層セラミック基板２２を得るための焼成
工程において、収縮抑制用グリーン層２５は、それ自身
実質的に収縮しないため、導電性ペースト膜２６および
２７ならびに導電性ペースト柱２８に対して、セラミッ
クグリーンシート２３の主面方向での収縮を抑制するよ
うな拘束力を及ぼす。他方、導電性ペースト膜２６およ
び２７ならびに導電性ペースト柱２８においては、あく
までも焼結が進み、体積収縮が生じる。

【００５６】しかしながら、上述のように体積収縮が生
じようとしている導電性ペースト膜２６および２７なら
びに導電性ペースト柱２８は、前述したように、収縮抑
制用グリーン層２５による拘束力のために、その主面方
向での収縮が抑制されるため、実質的にセラミックグリ
ーンシート２３の厚み方向にのみ収縮することになる。

【００５７】他方、導電性ペースト膜２６および２７な
らびに導電性ペースト柱２８の周囲に存在するセラミッ
クグリーンシート２３にあっては、その大部分が収縮抑
制用グリーン層２５によって拘束されることがないの
で、主面方向および厚み方向の双方に関して収縮する。

【００５８】ここで、厚み方向の収縮について注目する
と、厚み方向にのみ収縮する導電性ペースト膜２６およ
び２７ならびに導電性ペースト柱２８の方が、主面方向
および厚み方向の双方に収縮するセラミックグリーンシ
ート２３に比べて、その収縮の度合いが高い。

【００５９】このような焼成時の収縮の挙動の差によっ
て、図４（２）に示した隆起１３〜１５のような隆起
が、焼成後の多層セラミック基板２２において生じよう
とする傾向が減じられ、そのため、得られた多層セラミ
ック基板２２において、その外表面をより平坦な状態に
近づけることができる。

【００６０】したがって、焼成後の研磨工程を省略する
ことが可能となり、この実施形態のように、外部導体膜
３５となるべき導電性ペースト膜２９を生の積層体２１
の段階で形成しておくことが可能になる。

【００６１】また、得られた多層セラミック基板２２に
おいて、収縮抑制層３６は、収縮抑制用セラミック材料
を含むが、その少なくとも一部には、セラミック層３１
に含まれる材料の一部が浸透することによって、固着さ
れた状態となっている。

【００６２】図３は、この発明の他の実施形態による多
層セラミック基板の製造方法を説明するためのもので、
キャビティ４０が設けられた生の積層体４１を断面図で
示している。

【００６３】生の積層体４１は、図１（１）に示した生
の積層体２１の場合と同様、低温焼結セラミック材料を
含む、複数の積層されたセラミックグリーンシート４２
および４３を備えている。ここで、セラミックグリーン
シート４２には、キャビティ４０を与えるための貫通孔
４４が設けられている点で、図１（１）に示した生の積
層体２１と異なっている。

【００６４】また、生の積層体４１は、導電性ペースト
からなる導電性ペースト体４５として、セラミックグリ
ーンシート４３の特定の界面に沿って形成される膜状の
導電性ペースト膜４６を備えている。この実施形態で
は、複数の導電性ペースト膜４６が、キャビティ４０の
下方において、積層方向に重なるように形成されてい
る。

【００６５】また、生の積層体４１には、収縮抑制用セ
ラミック材料を含む収縮抑制用グリーン層４７が、導電
性ペースト膜４６に接するように形成されている。

【００６６】さらに、キャビティ４０の底面上には、導
電性ペースト体４５としての膜状の導電性ペースト膜４
８が形成されている。この導電性ペースト膜４８は、焼
成後において、キャビティ４０の底面上に形成される導
電ランドを与えるものである。なお、導電性ペースト膜
４８に関連して収縮抑制用グリーン層が形成されていな
いが、このような導電性ペースト膜４８に接するよう
に、収集抑制用グリーン層が形成されていてもよい。

【００６７】生の積層体４１は、低温焼結セラミック材
料が焼結する温度で焼成されることによって、目的とす
る多層セラミック基板が得られる。この多層セラミック
基板においても、導電性ペースト膜４６等に起因する隆
起の発生が抑制され、したがって、キャビティ４０の底
面においても、平坦な面を与えることができる。キャビ
ティ４０の底面は、通常の方法では、研磨を行なうこと
が不可能であるので、焼成後の段階で、平坦な面が与え
られていることには大きな意義がある。

【００６８】すなわち、キャビティ４０内に収容される
電子部品（図示せず。）と導電性ペースト膜４８によっ
て与えられる導電ランドとの間で適正な電気的接続を達
成することができる。

【００６９】なお、図３に示した実施形態とは異なり、
焼成後において、導電性ペースト膜４８を形成すること
によって導電ランドを設けるようにする場合にあって
は、導電性ペースト膜４８の形成のための印刷を問題な
く行なうことが可能になる。

【００７０】以上、この発明を、図示した実施形態に関
連して説明したが、この発明の範囲内において、その
他、種々の変形例が可能である。

【００７１】たとえば、図示の実施形態では、図１に示
すように、外部導体膜３５となるべき導電性ペースト膜
２９が生の積層体２１の段階で形成されていたが、この
ような外部導体膜の少なくとも一部は、焼成後の段階
で、多層セラミック基板２２の外表面上に形成するよう
にしてもよい。この場合であっても、多層セラミック基
板２２において隆起が生じることが抑制されるので、研
磨工程を経ずに、外部導体膜を形成することが可能にな
る。

【００７２】また、たとえば生の積層体２１を得るた
め、各々別個に用意された複数のセラミックグリーンシ
ート２３を積層することを行なったが、セラミックスラ
リーの印刷を繰り返すことによって、生の積層体を得る
ようにしてもよい。この場合、繰り返されるセラミック
スラリーの印刷工程の間に、導電性ペーストの印刷や収
縮抑制用セラミック材料の印刷が実施されることにな
る。

【００７３】また、図示した配線導体は、典型的なもの
のみを図示したものと理解すべきである。すなわち、実
際の多層セラミック基板にあっては、配線導体がより複
雑な形態をもって形成されていることが多い。

【００７４】

【発明の効果】以上のように、この発明に係る多層セラ
ミック基板の製造方法によれば、焼成されるべき生の積
層体には、収縮抑制用グリーン層が、導電性ペースト体
の少なくとも一部を覆い、かつセラミックグリーンシー
トの特定の界面の一部に沿うように形成されているの
で、焼成工程において、収縮抑制用グリーン層による収
縮抑制効果が導電性ペースト体に及ぼされることによっ
て、導電性ペースト体の主面方向での収縮が抑制され
る。そのため、導電性ペースト体の厚み方向の収縮の度
合いを、周囲のセラミックグリーンシートの厚み方向の
収縮の度合いよりも高くすることができ、その結果、導
電性ペースト体が形成された位置において、多層セラミ
ック基板の表面に隆起を生じにくくすることができる。

【００７５】したがって、焼成後において、研磨工程を
省略することが可能になるので、前述したような研磨工
程に起因する問題、たとえば、研磨代の変動、それによ
る多層セラミック基板の厚みの過度の減少、内部導体膜
の露出、さらには、チッピングや欠けなどの損傷等の問
題に遭遇することはない。

【００７６】この発明に係る多層セラミック基板の製造
方法において、導電性ペースト体として、セラミックグ
リーンシートの特定の界面に沿って形成される膜状の導
電性ペースト膜が形成される場合、収縮抑制用グリーン
層が、この導電性ペースト膜の少なくとも一部に接する
ように形成されると、上述したような隆起発生を抑制す
る効果がより高められる。

【００７７】また、複数の導電性ペースト膜が積層方向
に重なるように形成されている場合には、より隆起が生
じやすいので、この発明による効果がより顕著に現れ
る。

【００７８】また、導電性ペースト膜として、特定のセ
ラミックグリーンシートを貫通するように形成されるビ
アホール導体用の柱状の導電性ペースト柱が形成される
場合、収縮抑制用グリーン層が、この導電性ペースト柱
の少なくとも一方端側を覆うように形成されると、前述
したような隆起抑制の効果がより高められる。

【００７９】また、生の積層体にキャビティが設けられ
ている場合、この発明に係る製造方法を適用すれば、キ
ャビティの底面での平坦性を確保することができる。し
たがって、キャビティの底面上に膜状の導電性ペースト
膜を形成しておけば、焼成後において、この導電性ペー
スト膜によって平坦な導電ランドを与えることができ、
他の電子部品との適正な電気的接続を達成することがで
きる。

【００８０】また、生の積層体の外表面上に膜状の導電
性ペースト膜を形成しておけば、得られた多層セラミッ
ク基板の外表面に隆起が生じにくいので、この導電性ペ
ースト膜をもって適正な外部導体膜を形成することが可
能となる。したがって、焼成後における外部導体膜を形
成する煩雑さを解消することができる。

【００８１】また、この発明に係る多層セラミック基板
によれば、配線導体に関連して設けられる収縮抑制層に
対して、セラミック層とは異なる電気的特性を与えるこ
とが可能であるので、多層セラミック基板において特性
の調整または多様化を、このような収縮抑制層によって
図ることも可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施形態による多層セラミック基
板の製造方法に含まれる典型的な工程を順次図解的に示
す断面図である。

【図２】図１に示した特定のセラミックグリーンシート
２３（Ａ）に関連して施される処理を順次図解的に示す
断面図である。

【図３】この発明の他の実施形態による多層セラミック
基板の製造方法において用意される生の積層体４１を図
解的に示す断面図である。

【図４】この発明にとって興味ある多層セラミック基板
の従来の製造方法に含まれる典型的な工程を順次図解的
に示す断面図である。

【符号の説明】

２１，４１生の積層体２２多層セラミック基板２３，４２，４３セラミックグリーンシート２４，４５導電性ペースト体２５，４７収縮抑制用グリーン層２６，２７，２９，４６，４８導電性ペースト膜２８導電性ペースト柱３０貫通孔３１セラミック層３２，３３内部導体膜３４ビアホール導体３５外部導体膜３６収縮抑制層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】低温焼結セラミック材料を含む、複数の
積層されたセラミックグリーンシートと、導電性ペース
トからなり、かつ前記セラミックグリーンシートの特定
のものに関連して設けられる、配線導体を形成するため
の導電性ペースト体とを備える、生の積層体を用意する
工程と、前記生の積層体を、前記低温焼結セラミック材料が焼結
する温度で焼成する工程とを備え、用意される前記生の積層体には、前記低温焼結セラミッ
ク材料の焼結温度では焼結しない収縮抑制用セラミック
材料を含む、収縮抑制用グリーン層が、前記導電性ペー
スト体の少なくとも一部を覆い、かつ前記セラミックグ
リーンシートの特定の界面の一部に沿うようにさらに形
成されていることを特徴とする、多層セラミック基板の
製造方法。
【請求項２】前記導電性ペースト体は、前記セラミッ
クグリーンシートの特定の界面に沿って形成される膜状
の導電性ペースト膜を含み、前記収縮抑制用グリーン層
は、前記導電性ペースト膜の少なくとも一部に接するよ
うに形成される、請求項１に記載の多層セラミック基板
の製造方法。
【請求項３】前記生の積層体において、複数の前記導
電性ペースト膜が積層方向に重なるように形成されてい
る、請求項２に記載の多層セラミック基板の製造方法。
【請求項４】前記生の積層体を用意する工程は、複数
の前記セラミックグリーンシートを用意する工程と、特
定の前記セラミックグリーンシート上に、前記導電性ペ
ースト膜を形成する工程と、前記導電性ペースト膜の少
なくとも一部を覆うように前記セラミックグリーンシー
ト上に前記収縮抑制用グリーン層を形成する工程とを備
える、請求項２または３に記載の多層セラミック基板の
製造方法。
【請求項５】前記生の積層体を用意する工程は、複数
の前記セラミックグリーンシートを用意する工程と、特
定の前記セラミックグリーンシート上に、前記収縮抑制
用グリーン層を形成する工程と、前記収縮抑制用グリー
ン層の少なくとも一部を覆うように前記セラミックグリ
ーンシート上に前記導電性ペースト膜を形成する工程と
を備える、請求項２または３に記載の多層セラミック基
板の製造方法。
【請求項６】前記導電性ペースト体は、特定の前記セ
ラミックグリーンシートを貫通するように形成されるビ
アホール導体用の柱状の導電性ペースト柱を含み、前記
収縮抑制用グリーン層は、前記導電性ペースト柱の少な
くとも一方端側を覆うように形成される、請求項１ない
し５のいずれかに記載の多層セラミック基板の製造方
法。
【請求項７】前記生の積層体を用意する工程は、複数
の前記セラミックグリーンシートを用意する工程と、特
定の前記セラミックグリーンシートに貫通孔を設ける工
程と、前記貫通孔内に導電性ペーストを付与することに
よって前記導電性ペースト柱を形成する工程と、前記導
電性ペースト柱の一方端側を覆うように前記セラミック
グリーンシート上に前記収縮抑制用グリーン層を形成す
る工程とを備える、請求項６に記載の多層セラミック基
板の製造方法。
【請求項８】前記生の積層体には、キャビティが設け
られている、請求項１ないし７のいずれかに記載の多層
セラミック基板の製造方法。
【請求項９】前記導電性ペースト体は、前記キャビテ
ィの底面上に形成される膜状の導電性ペースト膜を含
む、請求項８に記載の多層セラミック基板の製造方法。
【請求項１０】前記導電性ペースト体は、前記生の積
層体の外表面上に形成される膜状の導電性ペースト膜を
含む、請求項１ないし９のいずれかに記載の多層セラミ
ック基板の製造方法。
【請求項１１】請求項１ないし１０のいずれかに記載
の製造方法によって得られた、多層セラミック基板。
【請求項１２】低温焼結セラミック材料の焼結体から
なる、複数の積層されたセラミック層と、前記セラミック層の特定のものに関連して設けられた、
配線導体と、前記配線導体の少なくとも一部を覆い、かつ前記セラミ
ック層の特定の界面の一部に沿うように形成された、収
縮抑制層とを備え、前記収縮抑制層は、前記低温焼結セラミック材料の焼結
温度では焼結しない収縮抑制用セラミック材料を含み、
かつ、前記収縮抑制層の少なくとも一部には、前記セラ
ミック層に含まれる材料の一部が浸透している、多層セ
ラミック基板。
【請求項１３】前記配線導体は、前記セラミック層の
特定の界面に沿って形成される内部導体膜を含み、前記
収縮抑制層は、前記内部導体膜の少なくとも一部に接す
るように形成されている、請求項１２に記載の多層セラ
ミック基板。
【請求項１４】前記配線導体は、特定の前記セラミッ
ク層を貫通するように形成されるビアホール導体を含
み、前記収縮抑制層は、前記ビアホール導体の少なくと
も一方端側を覆うように形成されている、請求項１２ま
たは１３に記載の多層セラミック基板。
【請求項１５】当該多層セラミック基板には、キャビ
ティが設けられている、請求項１２ないし１４のいずれ
かに記載の多層セラミック基板。
【請求項１６】前記配線導体は、前記キャビティの底
面上に形成される導電ランドを含む、請求項１５に記載
の多層セラミック基板。
【請求項１７】前記配線導体は、当該多層セラミック
基板の外表面上に形成される外部導体膜を含む、請求項
１２ないし１６のいずれかに記載の多層セラミック基
板。