JPH08279438A - セラミック積層電子部品の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 内部電極重なり部分と内部電極が重なり合っ
ていない部分との段差を解消し、デラミネーションの発
生を効果的に防止することができ、かつ比較的簡単な方
法により特性の安定なセラミック積層電子部品を得る方
法を提供する。 【構成】 ＰＥＴフィルム１１上に第１の金属膜１２を
形成し、第１の金属膜１２上に部分的に、第１の金属膜
１２よりも厚みの大きな第２の金属膜１４を形成して多
層金属膜を得、その上にセラミックグリーンシート１６
を成形して得た金属膜一体化グリーンシート１７を積層
して、多層金属膜を内部に含有するセラミック積層体１
８を形成し、セラミック積層体中の第２の金属膜１４の
下方に位置しない第１の金属膜部分を、構成金属成分が
セラミックス中に拡散するように絶縁物化するととも
に、セラミックスを焼成するセラミック積層電子部品の
製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、薄膜形成法により形成
された内部電極を有するセラミック積層電子部品の製造
方法に関し、特に、内部電極の形成から焼成に至るまで
の工程が改良されたセラミック積層電子部品の製造方法
に関する。本発明は、例えば、積層コンデンサ、積層圧
電部品、セラミック多層基板などの種々のセラミック積
層電子部品の製造方法に利用することができる。

【０００２】

【従来の技術】例えば、積層コンデンサなどのような内
部電極を有するセラミック積層電子部品の製造に際して
は、金属−セラミックス一体焼成技術が用いられてい
る。すなわち、セラミックグリーンシート上に導電ペー
ストをパターン印刷し、内部電極を形成する。次に、内
部電極が形成されたセラミックグリーンシートを複数枚
積層し、上下に内部電極の印刷されていないセラミック
グリーンシートを適宜の枚数積層し、セラミック積層体
を得る。あるいは、セラミックスペーストと導電ペース
トとを順次所定の形状に印刷し、セラミック積層体を得
る。しかる後、上記のようにして得られたセラミック積
層体を厚み方向に加圧し、セラミック層同士を密着させ
る。しかる後、セラミック積層体を焼成し、焼結体を得
る。得られた焼結体の外表面に、適宜の外部電極を形成
し、セラミック積層電子部品を得る。

【０００３】近年、電子部品においては一層の小型化が
求められており、セラミック積層電子部品においても小
型化及び薄型化が強く求められている。セラミック積層
電子部品の小型化及び薄型化を進める場合、内部電極間
に挟まれているセラミック層の厚みを薄くすることが必
要となり、従って、より薄いセラミックグリーンシート
を用いてセラミック積層体を作製しなければならない。

【０００４】しかしながら、セラミックグリーンシート
の厚みを薄くするにも限度があり、薄くなり過ぎた場合
にはセラミックグリーンシートを単体で扱うことができ
なくなる。加えて、セラミック積層体を得た段階で、内
部電極が重なり合っている部分では、内部電極が存在し
ない部分に比べて厚みが大きくなり、両者の間で段差が
生じがちであった。特に、焼結に先立って厚み方向にセ
ラミック積層体を加圧した段階で、上記段差が生じてい
るため、内部電極の重なり合っている部分においてのみ
上下の層が加圧され、他の領域では十分に加圧されない
ことがあった。その結果、焼結体においてデラミネーシ
ョンと称されている層間剥離現象が生じがちであった。
さらに、セラミックグリーンシート中の溶剤により、内
部電極が膨潤し、所望の形状の内部電極を正確に形成す
ることができないこともあった。

【０００５】従って、セラミックグリーンシートの厚み
を６μｍ程度以下とすることは非常に困難であった。上
記のような問題は、セラミックスペーストと導電ペース
トを交互に印刷しセラミック積層体を得る方法でも同様
であった。

【０００６】そこで、上記のような問題を解決するため
に、薄膜形成法により形成された金属膜を内部電極とし
て用いる方法、例えば下記の第１，第２の方法が提案さ
れている。

【０００７】第１の方法では、例えば、図１に示すよう
に、支持体１上にスパッタリングなどの薄膜形成法によ
り金属膜を全面に形成する。次に、上記金属膜上に電極
形状に応じた開口を有するレジスト層を形成し、フォト
リソグラフィーにより金属膜をパターン化する。このよ
うにして、図１に示されている金属膜２を形成する。し
かる後、金属膜２上において、セラミックグリーンシー
ト３を形成する。上記金属膜２及びセラミックグリーン
シート３の形成工程を繰り返すことにより、積層体４を
得る。

【０００８】第２の方法では、特開昭６４−４２８０９
号公報に開示されているように、合成樹脂からなる第１
のフィルム上にセラミックグリーンシートを形成し、他
方、第２の支持フィルム上に薄膜形成法により金属膜を
形成する。しかる後、第２の支持フィルムに支持された
金属膜を第１の支持フィルム上にセラミックグリーンシ
ート上に転写し、金属膜一体化グリーンシートを得る。
上記のようにして得た金属膜一体化グリーンシートを複
数枚積層することにより、セラミック積層体を得る。

【０００９】上述した薄膜形成法により形成された金属
膜を内部電極として用いる第１〜第２の方法では、導電
ペーストを用いた内部電極形成方法に比べて、内部電極
の厚みを薄くすることができる。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た第１，第２の方法のいずれにおいても、内部電極の厚
みはある程度薄くし得るものの、より一層セラミック積
層電子部品の薄型化を進めた場合には、積層数が増大
し、内部電極間で挟まれているセラミック層の厚みに対
して内部電極の厚みが大きくなってくる。そのため、第
１の方法では、図２に示すように、得られた積層体５に
おいて、セラミックグリーンシートのみが積層されてい
る部分６と内部電極８が重なり合っている部分７とで、
やはり厚みの差が生じてくる。従って、得られた積層体
を厚み方向に加圧した場合、内部電極８が重なり合って
いる部分にのみ圧力が加わりがちとなり、内部電極が重
なり合っていない領域におけるセラミック層同士の密着
性が損なわれる。よって、最終的に得られた焼結体にお
いて、デラミネーションが生じ易くなるという問題があ
った。

【００１１】また、上記第１の方法では、金属膜を支持
体上に形成した後に、レジスト層によるパターン形成及
びエッチング、レジスト層の除去等の複雑な処理を必要
とし、従って工程が煩雑となるという問題もあった。

【００１２】また、転写法を用いた第２の方法において
も、やはり、薄型化の進行に伴い、内部電極が重なり合
っている部分の厚みが、内部電極の重なり合っていない
領域の厚みに比べて厚くなる。従って、同様に、得られ
た積層体において、デラミネーションが生じがちである
という問題があった。加えて、セラミックグリーンシー
トの厚みを薄くした場合には、やはり、金属膜一体化グ
リーンシートの厚みが薄くなり、取扱いが困難となる。
さらに、セラミックグリーンシート上に金属膜を転写し
て金属膜一体化グリーンシートを形成しているため、金
属膜のパターン精度が十分でないことがあった。

【００１３】のみならず、金属膜とセラミックグリーン
シートとを一体化するに際し、金属膜が存在しない部分
では、セラミックグリーンシートが第２の支持フィルム
に接触されることになる。従って、一体化後に第２の支
持フィルムを金属膜一体化グリーンシートから剥離する
必要があるので、金属膜及びセラミックグリーンシート
の双方に対しての第２の支持フィルムの剥離性が良好な
ことが要求される。しかしながら、そのような要求を満
たすことは難しく、従って、第２の支持フィルムの剥離
に際しセラミックグリーンシートが破損しがちであっ
た。

【００１４】本発明の目的は、内部電極が形成されてい
る領域と形成されていない領域との間のセラミック積層
体段階における厚みの差を低減し、従ってデラミネーシ
ョン等の発生を効果的に抑制することができるセラミッ
ク積層電子部品の製造方法を提供することにある。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明は、薄膜形成法に
より内部電極を形成する工程を含むセラミック積層電子
部品の製造方法であり、以下の工程を備えることを特徴
とする。

【００１６】すなわち、本発明は、支持体上に第１の金
属膜を薄膜形成法により形成する工程と、前記第１の金
属膜上に、部分的に、前記第１の金属膜よりも厚みの大
きな第２の金属膜を薄膜形成法により形成して多層金属
膜を形成する工程と、前記多層金属膜を内部に含むセラ
ミック積層体を形成する工程と、前記セラミック積層体
中の第２の金属膜の下方に位置していない第１の金属膜
部分を、構成金属成分がセラミックス中に拡散するよう
にして絶縁物化するとともに、前記セラミックスを焼成
する工程とを備えることを特徴とする、セラミック積層
電子部品の製造方法である。

【００１７】本発明のある特定的な局面では、上記第１
の金属膜の厚みは１００ｎｍ以下、第２の金属膜の厚み
は３００ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下とされる。これ
は、第１の金属膜は、セラミックスの焼成に際し、上記
のように第２の金属膜の下方に位置しない第１の金属膜
部分が絶縁物化されるように構成される必要があるから
である。すなわち、第１の金属膜の厚みを１００ｎｍ以
下とすることにより、第１の金属膜を構成している金属
成分を加熱によりセラミックス中に酸化物イオンの形態
で容易に拡散することができる。また、第２の金属膜の
厚みを３００ｎｍ以上とするのは、上記第１の金属膜部
分の絶縁物化に際し、第２の金属膜の酸化を防止するた
めにある。すなわち、第２の金属膜は、あくまでも内部
電極として機能する部分であるため、酸化されてはなら
ず、従って上記のように好ましくは、３００ｎｍ以上の
厚みに形成される。なお、第２の金属膜の厚みの上限は
特に限定されるものではないが、セラミック積層電子部
品の内部電極として用いるため及び本発明の目的である
段差を低減するためには、通常、１０００ｎｍ以下とさ
れる。

【００１８】また、本発明の別の特定的な局面では、上
記第１の金属膜部分の絶縁物化及びセラミックスの焼成
は、第１の金属膜が酸化し、第２の金属膜が酸化しない
酸素分圧下でセラミック積層体を焼成することにより行
われる。すなわち、酸素分圧を上記のように制御するこ
とにより、セラミックスの焼成に際し、第１の金属膜を
酸化させ、第２の金属膜の下方に位置していない第１の
金属膜部分を絶縁物化し、他方第２の金属膜の酸化を防
止することができる。この場合の酸素分圧の値は、第
１，第２の金属膜を構成するための材料、第１，第２の
金属膜の厚み、焼成に際しての温度及び時間等によって
異なるため、一義的には定め得ない。

【００１９】なお、本発明において、上記多層金属膜を
形成する工程は、適宜のフォトリソグラフィ技術を用い
て実施し得るが、例えば、第１の金属膜上にパターン孔
が設けられたレジスト層を形成する段階と、次に、レジ
スト層のパターン孔内に第２の金属膜を薄膜形成法によ
り形成する段階と、上記レジスト層を除去する段階とを
実施することにより行い得る。

【００２０】また、上記多層金属膜を内部に有するセラ
ミック積層体を得る工程についても、従来から公知の転
写法などを用いて実施することができる。本発明のある
特定の局面によれば、上記セラミック積層体を形成する
工程は、多層金属膜上にセラミックグリーンシートを適
宜の方法で成形し、金属膜一体化グリーンシートを得る
段階と、上記金属膜一体化グリーンシートを積層する段
階とを実施することにより行われる。また、本発明の別
の特定の局面によれば、上記セラミック積層体を形成す
る工程は、第２の支持体上にセラミックグリーンシート
を形成する段階と、セラミックグリーンシート上に上記
支持体に支持されている多層金属膜を転写し、金属膜一
体化グリーンシートを得る段階と、複数の金属膜一体化
グリーンシートを順次転写することにより積層し、セラ
ミック積層体を得る段階とを備える転写法により行われ
る。この転写法の場合、好ましくは、ロール状プレスを
用いて多層金属膜がセラミックグリーンシート上に転写
され得る。

【００２１】

【発明の作用及び効果】本発明のセラミック積層電子部
品の製造方法では、第１の金属膜が全面に形成され、該
第１の金属膜を設けたことにより、内部電極が重なり合
う領域（第２の金属膜が重なり合う領域）と、内部電極
が重なり合わない領域との段差を小さくすることができ
る。従って、得られた焼結体におけるデラミネーション
の発生を効果的に低減することができる。

【００２２】しかも、第１層目の金属膜は、セラミック
スの焼成工程において絶縁物化される。従って、段差を
低減するために形成されている第１の金属膜は、最終的
には導体として機能しない。よって、第１の金属膜を形
成したとしても、短絡不良などは生じない。加えて、第
１の金属膜を後工程においてエッチング等により部分的
に除去する必要がないため、多層金属膜を得るのに余分
な工程を必要としない。

【００２３】さらに、第１の金属膜は、セラミックス中
に酸化物イオンの形態で拡散されるが、この第１の金属
膜の組成を制御することにより、セラミックスの組成を
制御することも可能となる。よって、所望の特性を発揮
し得るセラミック積層電子部品を提供することが可能と
なる。

【００２４】さらに、多層金属膜は支持体に支持されて
いるが、この状態では、支持体に対して第１の金属膜の
みが接触されている。よって、支持体に対する多層金属
膜の離型性を考慮する場合、第１の金属膜に対する離型
性のみを考慮して支持体を選択すればよいため、支持体
の離型性の設計を容易に行うことができる。従って、例
えば第２の支持体上に形成されたセラミックグリーンシ
ート上に、多層金属膜を転写する場合には、支持体から
多層金属膜を円滑に剥離することができる。加えて、第
２の支持体はセラミックグリーンシートとのみ接触され
ているため、第２の支持体の離型性についても、セラミ
ックグリーンシートに対する離型性のみを考慮すればよ
いため、第２の支持体の離型性の設計も容易となる。

【００２５】本発明は、積層コンデンサ、積層セラミッ
ク圧電部品、セラミック多層基板などの種々の内部電極
含有セラミック積層電子部品の製造方法に適用すること
ができる。

【００２６】

【実施例の説明】以下、本発明の非限定的な実施例を説
明することにより、本発明を明らかにする。

【００２７】なお、以下の実施例は、積層コンデンサの
製造に適用した例であるが、未焼成のセラミック積層体
を得る段階までは、マザーの多層金属膜及びマザーのセ
ラミックグリーンシートを用いて行われている。

【００２８】実施例１ 図３（ａ）に示すように、第１の支持体としてのポリエ
チレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム１１を用意し
た。ＰＥＴフィルム１１の上面には、シリコン樹脂（図
示せず）がコーティングされている。上記ＰＥＴフィル
ム１１上に、第１の金属膜１２を形成する。ここでは、
第１の金属膜１２は、蒸着法により厚み７０ｎｍのＡｇ
膜を全面に形成することにより構成されている。

【００２９】次に、第１の金属膜１２上に、１μｍの厚
みのレジスト層を塗布し、露光及び現像処理を行うこと
により、図３（ｂ）に示すように、パターニングされた
レジスト層１３を形成する。

【００３０】次に、レジスト層１３のパターン孔１３ａ
内に、第２の金属膜１４を薄膜形成法により形成する。
本実施例では、第２の金属膜１４は、０．５μｍの厚み
となるようにＰｄを電気メッキすることにより形成され
ている。

【００３１】次に、レジスト層１３をレジスト剥離液な
どにより除去する。このようにして、図４に示す多層金
属膜１５が得られる。多層金属膜１５では、第１の金属
膜１２上に部分的に第２の金属膜１４が形成されてい
る。従って、多層金属膜１５は、第１の金属膜１２の下
面においてのみ、ＰＥＴフィルム１１と接触されてい
る。よって、ＰＥＴフィルム１１の離型性は、第１の金
属膜１２のみを考慮して設定すればよいため、ＰＥＴフ
ィルム１１の上面における離型性の設計が容易であるこ
とがわかる。

【００３２】なお、上記第２の金属膜１４が、最終的に
内部電極として用いられる部分に相当し、第１の金属膜
１２は後述の処理により絶縁物化される。次に、上記Ｐ
ＥＴフィルム１１上において、多層金属膜１５上にセラ
ミックグリーンシートを形成する。本実施例では、セラ
ミックスラリーを、マイクログラビア法により厚み８μ
ｍとなるようにシート成形することにより、セラミック
グリーンシート１６が成形されている（図５参照）。

【００３３】図５に示すように、上記セラミックグリー
ンシート１６の形成により、金属膜一体化グリーンシー
ト１７がＰＥＴフィルム１１に支持された状態で用意さ
れる。

【００３４】次に、上記金属膜一体化グリーンシート１
７を順次積層することにより、図６に示す積層体１８が
得られる。なお、図６においては、積層体１８の下方の
幾つかの層のみが図示されているが、実際には、上方
に、さらに複数の金属膜一体化グリーンシートが積層さ
れている。また、１９は積層に際しての支持フィルムを
示す。

【００３５】上記のようにして得たマザーのセラミック
積層体１８を、個々の積層コンデンサ単位の未焼成のセ
ラミック積層体となるように厚み方向に切断し、個々の
積層コンデンサ用セラミック積層体を得る。

【００３６】次に、得られたセラミック積層体を大気中
において、１２００℃の温度で４時間維持することによ
り焼成する。この焼成において、未焼成のセラミックス
が焼成されるだけでなく、第１の金属膜１２が絶縁物化
される。すなわち、第１の金属膜１２を構成している金
属成分が酸化物イオンとなって周囲のセラミックス中に
拡散し絶縁物化する。従って、得られた焼結体の横断面
を図７で示すように、得られた焼結体２０においては、
第２の金属膜１４からなる内部電極のみが焼結体２０中
において残存している。なお、図７においても、幾つか
の第２の金属膜１４のみを示しているが、実際には、上
方に、多数の第２の金属膜が内部電極としてセラミック
層を介して重なり合っている。

【００３７】上記のようにして得た焼結体２０の両端面
に一対の外部電極を形成することにより、図８に示す積
層コンデンサ２１を得る。積層コンデンサ２１において
は、焼結体２０内において第２の金属膜１４からなる複
数の内部電極がセラミック層を介して重なり合ってい
る。なお、２２ａ，２２ｂは外部電極を示し、外部電極
２２ａ，２２ｂは、導電ペーストの塗布・焼き付けある
いはメッキなどの適宜の方法により形成することができ
る。

【００３８】上記のようにして得た積層コンデンサにつ
いて、内部電極が重なり合っている部分と、重ねられて
いない部分との段差を調べたところ、第１の金属膜の厚
み×第１の金属膜の積層枚数の分だけ段差が小さくされ
得ることが確かめられた。

【００３９】また、上記積層コンデンサを２０個用意
し、図８に示す断面が露出するように切断し、デラミネ
ーションの有無を観察したところ、デラミネーションは
認められなかった。同様に、図８に示されている断面と
直交する断面が露出するように２０個の積層コンデンサ
を切断し、断面を観察したところ、やはりデラミネーシ
ョンは認められなかった。

【００４０】比較のために、従来法、すなわち従来技術
の説明の項で記載した第１の方法に従って得た相当の積
層コンデンサについて、デラミネーションの有無を観察
したところ、図８に示す断面と同方向の断面を観察した
場合、２０個の積層コンデンサ中、５個の積層コンデン
サにおいてデラミネーションが認められた。

【００４１】また、第１の金属膜の融点が約９６０℃で
あり、上記焼成温度１２００℃に対して十分低いため、
第１の金属膜は確実に絶縁物化されており、従って実施
例の積層コンデンサでは、短絡不良は発生していなかっ
た。

【００４２】実施例２ 実施例１と同様にして積層コンデンサを作製した。但
し、第１の金属膜をＣｕにより、第２の金属膜をＮｉに
より構成した。また、セラミックスラリーについては、
ＢａＴｉＯ₃ 系セラミックスにＣｕを含有させていない
ものを用いた。焼成工程の初期、すなわち焼成最高温度
に維持した期間の１／２の期間、酸素分圧を、Ｎｉメッ
キ膜は酸化されず、Ｃｕ蒸着膜は酸化するような値と
し、焼成を行った。具体的には、酸素分圧は、焼成工程
初期において１０^-4Ｐａとした。また、上記１０^-4Ｐａ
の酸素分圧で焼成工程初期を実施した後は、還元雰囲気
中において焼成を行った。その他については、実施例１
と同様にして、積層コンデンサを作製した。

【００４３】実施例２において得られた積層コンデンサ
の焼結体を分析した結果、セラミックス中にＣｕが均一
に存在していることが確かめられた。すなわち、第１の
金属膜を構成しているＣｕがセラミックス中に拡散され
ていることが確かめられた。

【００４４】さらに、得られた積層コンデンサの電気的
特性を測定したところ、ＢａＴｉＯ ₃ 系セラミックスに
Ｃｕ粉末を添加した場合と同様の結果が得られた。ま
た、実施例１と同様に、積層コンデンサの断面を観察し
たところ、デラミネーションの発生は見られなかった。

【００４５】なお、実施例２では、第１の金属膜を構成
しているＣｕを拡散させるのに、上記のように焼成初期
の酸素分圧を制御したが、第１の金属膜に酸化拡散剤を
含有させておいたり、あるいは拡散促進剤を含有させて
おくことにより、第１の金属膜を構成している金属成分
をセラミックス中に拡散させてもよい。

【００４６】実施例３ 図９に示すように、第２の支持体としてのＰＥＴフィル
ム３１を用意する。ＰＥＴフィルム３１の上面はシリコ
ン樹脂（図示されず）でコーティングされている。

【００４７】ＰＥＴフィルム３１上に、セラミックスラ
リーをドクターブレード法により成形し、乾燥すること
により、厚さ８μｍのセラミックグリーンシート３２を
形成する。

【００４８】他方、第１の支持体として、図１０に示す
ＰＥＴフィルム３３を用意する。ＰＥＴフィルム３３の
上面には、シリコン樹脂（図示されず）がコーティング
されている。

【００４９】ＰＥＴフィルム３３上に、実施例１と同様
にして、第１の金属膜３４及び第２の金属膜３５を形成
する。本実施例では、第１の金属膜３４はＡｇよりな
り、第２の金属膜３５はＰｄよりなる。このようにし
て、多層金属膜３６が形成される。

【００５０】次に、図１１に示すように、カレンダーロ
ール３７を用いて、上記多層金属膜３６をセラミックグ
リーンシート３２上に転写する。次に、ＰＥＴフィルム
３１を剥離することにより図１２に示す金属膜一体化グ
リーンシート３８を得る。

【００５１】さらに、上記のようにして得られた金属膜
一体化グリーンシート３８を積層することにより積層体
が得られる。すなわち、金属膜一体化グリーンシート３
８を転写法により転写しつつ、ＰＥＴフィルム３３を剥
離して積層していくことにより、実施例１で得られたの
と同様のセラミック積層体を得ることができる。

【００５２】上記のようにして得られたセラミック積層
体を用い、実施例１と同様にして、積層コンデンサを作
製した。得られた実施例３の積層コンデンサにつき、実
施例１と同様にデラミネーションの有無を観察したとこ
ろ、デラミネーションの発生は認められなかった。

【００５３】また、従来の転写法を用いた積層コンデン
サの製造方法では、支持フィルムに対し、セラミックス
及び金属膜の２種類が接触していたため、支持フィルム
の離型性を考慮するとき、セラミックスに対する離型性
と金属に対する離型性の双方を考慮しなければならなか
った。これに対して、実施例３では、ＰＥＴフィルム３
３は第１の金属膜３４にのみ接触されているため、ＰＥ
Ｔフィルム３３の離型性は、第１の金属膜３４に対する
離型性のみを考慮して設計することができる。

【００５４】また、実施例１〜３では、第１の金属膜１
２，３４が、焼成工程において部分的に拡散し、絶縁物
化される。従って、第２の金属膜の下方に位置しない第
１の金属膜部分をエッチング等により除去する煩雑な工
程を実施する必要のないことがわかる。

【００５５】なお、上記実施例１〜３では、第１の金属
膜をＡｇまたはＣｕにより、第２の金属膜をＰｄまたは
Ｎｉで構成したが、本発明の効果を発揮し得る限り、他
の金属材料を用いることも可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来の積層コンデンサの製造方法を説明するた
めの断面図。

【図２】従来の積層コンデンサの製造方法における問題
点を説明するための焼結体の断面図。

【図３】（ａ），（ｂ）は、それぞれ、実施例において
第１の金属膜を形成した状態及びレジストのパターン孔
内に第２の金属膜を形成した状態を示す各断面図。

【図４】実施例において多層金属膜を支持体上に形成し
た状態を示す断面図。

【図５】多層金属膜上にセラミックグリーンシートを成
形して金属膜一体化グリーンシートを形成した状態を示
す断面図。

【図６】セラミック積層体を説明するための断面図。

【図７】焼結体の断面図。

【図８】積層コンデンサを示す断面図。

【図９】実施例３において第２の支持体上にセラミック
グリーンシートを形成した状態を示す断面図。

【図１０】多層金属膜が形成された状態を示す断面図。

【図１１】実施例３において多層金属膜をセラミックグ
リーンシートに転写する工程を説明するための断面図。

【図１２】実施例３において得られた金属膜一体化グリ
ーンシートを説明するための断面図。

【符号の説明】

１１…ＰＥＴフィルム（第１の支持体） １２…第１の金属膜 １３…レジスト層 １３ａ…パターン孔 １４…第２の金属膜 １５…多層金属膜 １６…セラミックグリーンシート １７…金属膜一体化グリーンシート １８…セラミック積層体 ２０…焼結体 ２１…積層コンデンサ ３１…ＰＥＴフィルム（第２の支持体） ３２…セラミックグリーンシート ３３…ＰＥＴフィルム（第１の支持体） ３４…第１の金属膜 ３５…第２の金属膜 ３６…多層金属膜 ３８…金属膜一体化グリーンシート

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｈ０１Ｌ 23/14 Ｃ

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 支持体上に第１の金属膜を薄膜形成法に
   より形成する工程と、 前記第１の金属膜上に、部分的に、前記第１の金属膜よ
   りも厚みの大きな第２の金属膜を薄膜形成法により形成
   して多層金属膜を形成する工程と、 前記多層金属膜を内部に含むセラミック積層体を形成す
   る工程と、 前記セラミック積層体中の第２の金属膜の下方に位置し
   ていない第１の金属膜部分を、構成金属成分がセラミッ
   クス中に拡散するようにして絶縁物化するとともに、前
   記セラミックスを焼成する工程とを備えることを特徴と
   する、セラミック積層電子部品の製造方法。
2. 【請求項２】 前記第１の金属膜の厚みが１００ｎｍ以
   下、第２の金属膜の厚みが３００ｎｍ以上、１０００ｎ
   ｍ以下である、請求項１に記載のセラミック積層電子部
   品の製造方法。
3. 【請求項３】 前記第１の金属膜部分を絶縁物化すると
   ともにセラミックスを焼成する工程は、第１の金属膜が
   酸化し、第２の金属膜が酸化しない酸素分圧下におい
   て、前記セラミック積層体を焼成することにより行われ
   る、請求項１または２に記載のセラミック積層電子部品
   の製造方法。
4. 【請求項４】 前記多層金属膜を形成する工程は、前記
   第１の金属膜上にパターン孔が設けられたレジスト層を
   形成する段階と、前記レジスト層のパターン孔内に、第
   １の金属膜よりも厚みの大きな第２の金属膜を薄膜形成
   法により形成する段階と、前記レジスト層を除去する段
   階とを備える、請求項１〜３の何れかに記載のセラミッ
   ク積層電子部品の製造方法。
5. 【請求項５】 前記セラミック積層体を形成する工程
   が、前記多層金属膜上にセラミックグリーンシートを成
   形して金属膜一体化グリーンシートを得る段階と、前記
   金属膜一体化グリーンシートを積層する工程とを備え
   る、請求項１〜４の何れかに記載のセラミック積層電子
   部品の製造方法。
6. 【請求項６】 前記セラミック積層体を形成する工程
   が、第２の支持体上にセラミックグリーンシートを形成
   する段階と、 前記セラミックグリーンシート上に、前記支持体に支持
   された多層金属膜を転写し、金属膜一体化グリーンシー
   トを形成する段階と、 複数の前記金属膜一体化グリーンシートを順次転写する
   ことにより積層してセラミック積層体を得る段階とを備
   える、請求項１〜４の何れかに記載のセラミック積層電
   子部品の製造方法。
7. 【請求項７】 前記多層金属膜をセラミックグリーンシ
   ート上に転写するにあたり、ロール状プレスを用いる、
   請求項６に記載のセラミック積層電子部品の製造方法。