JP3161325B2 - セラミック積層電子部品の製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜形成法により
形成された内部電極を有するセラミック積層電子部品の
製造方法に関し、特に、内部電極の形成から焼成に至る
までの工程が改良されたセラミック積層電子部品の製造
方法に関する。本発明は、例えば、積層コンデンサ、積
層圧電部品、セラミック多層基板などの種々のセラミッ
ク積層電子部品の製造方法に利用することができる。

【０００２】

【従来の技術】例えば、積層コンデンサなどのような内
部電極を有するセラミック積層電子部品の製造に際して
は、金属−セラミックス一体焼成技術が用いられてい
る。すなわち、セラミックグリーンシート上に導電ペー
ストをパターン印刷し、内部電極を形成する。次に、内
部電極が形成されたセラミックグリーンシートを複数枚
積層し、上下に内部電極の印刷されていないセラミック
グリーンシートを適宜の枚数積層し、セラミック積層体
を得る。あるいは、セラミックスペーストと導電ペース
トとを順次所定の形状に印刷し、セラミック積層体を得
る。しかる後、上記のようにして得られたセラミック積
層体を厚み方向に加圧し、セラミック層同士を密着させ
る。しかる後、セラミック積層体を焼成し、焼結体を得
る。得られた焼結体の外表面に、適宜の外部電極を形成
し、セラミック積層電子部品を得る。

【０００３】近年、電子部品においては一層の小型化が
求められており、セラミック積層電子部品においても小
型化及び薄型化が強く求められている。セラミック積層
電子部品の小型化及び薄型化を進める場合、内部電極間
に挟まれているセラミック層の厚みを薄くすることが必
要となり、従って、より薄いセラミックグリーンシート
を用いてセラミック積層体を作製しなければならない。

【０００４】しかしながら、セラミックグリーンシート
の厚みを薄くするにも限度があり、薄くなり過ぎた場合
にはセラミックグリーンシートを単体で扱うことができ
なくなる。加えて、セラミック積層体を得た段階で、内
部電極が重なり合っている部分では、内部電極が存在し
ない部分に比べて厚みが大きくなり、両者の間で段差が
生じがちであった。特に、焼結に先立って厚み方向にセ
ラミック積層体を加圧した段階で、上記段差が生じてい
るため、内部電極の重なり合っている部分においてのみ
上下の層が加圧され、他の領域では十分に加圧されず、
デラミネーションと称されている層間剥離現象が生じが
ちであった。さらに、セラミックグリーンシート中の溶
剤により、内部電極が膨潤し、所望の形状の内部電極を
正確に形成することができないこともあった。

【０００５】従って、セラミックグリーンシートの厚み
を６μｍ程度以下とすることは非常に困難であった。上
記のような問題は、セラミックスペーストと導電ペース
トを交互に印刷しセラミック積層体を得る方法でも同様
であった。

【０００６】そこで、上記のような問題を解決するため
に、薄膜形成法により形成された金属膜を内部電極とし
て用いる方法、例えば下記の第１〜第３の方法が提案さ
れている。

【０００７】第１の方法では、例えば、図１に示すよう
に、支持体１上にスパッタリングなどの薄膜形成法によ
り金属膜を全面に形成する。次に、上記金属膜上に電極
形状に応じた開口を有するレジスト層を形成し、フォト
リソグラフィーにより金属膜をパターン化する。このよ
うにして、図１に示されている金属膜２を形成する。し
かる後、金属膜２上において、セラミックグリーンシー
ト３を形成する。上記金属膜２及びセラミックグリーン
シート３の形成工程を繰り返すことにより、積層体４を
得る。

【０００８】第２の方法では、特開昭６４−４２８０９
号公報に開示されているように、合成樹脂からなる第１
のフィルム上にセラミックグリーンシートを形成し、他
方、第２の支持フィルム上に薄膜形成法により金属膜を
形成する。しかる後、第２の支持フィルムに支持された
金属膜を第１の支持フィルム上にセラミックグリーンシ
ート上に転写し、金属膜一体化グリーンシートを得る。
上記のようにして得た金属膜一体化グリーンシートを複
数枚積層することにより、セラミック積層体を得る。

【０００９】第３の方法では、支持フィルム上に薄膜形
成法により金属膜を全面に形成する。次に、フォトリソ
グラフィー法により上記金属膜をパターニングする。し
かる後、パターニングされた金属膜を有する上記支持フ
ィルム上において、セラミックグリーンシートを成形
し、金属膜一体化グリーンシートを得る。次に、支持フ
ィルムに支持された金属膜一体化グリーンシートを積層
ステージ上において熱転写しつつ積層することにより、
セラミック積層体を得る。

【００１０】上述した薄膜形成法により形成された金属
膜を内部電極として用いる第１〜第３の方法では、導電
ペーストを用いた内部電極形成方法に比べて、内部電極
の厚みを薄くすることができる。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た第１，第２の方法のいずれにおいても、内部電極の厚
みはある程度薄くし得るものの、より一層セラミック積
層電子部品の薄型化を進めた場合には、積層数が増大
し、内部電極間で挟まれているセラミック層の厚みに対
して内部電極の厚みが大きくなってくる。そのため、第
１の方法では、図２に示すように、得られた積層体５に
おいて、セラミックグリーンシートのみが積層されてい
る部分６と内部電極８が重なり合っている部分７とで、
やはり厚みの差が生じてくる。従って、得られた積層体
を厚み方向に加圧した場合、内部電極８が重なり合って
いる部分にのみ圧力が加わりがちとなり、内部電極が重
なり合っていない領域におけるセラミック層同士の密着
性が損なわれる。よって、最終的に得られた焼結体にお
いて、デラミネーションが生じ易くなるという問題があ
った。

【００１２】また、上記第１の方法では、金属膜を支持
体上に形成した後に、レジスト層によるパターン形成及
びエッチング、レジスト層の除去等の複雑な処理を必要
とし、従って工程が煩雑となるという問題もあった。

【００１３】また、転写法を用いた第２の方法において
も、やはり、薄型化の進行に伴い、内部電極が重なり合
っている部分の厚みが、内部電極の重なり合っていない
領域の厚みに比べて厚くなる。従って、同様に、得られ
た積層体において、デラミネーションが生じがちである
という問題があった。加えて、セラミックグリーンシー
トの厚みを薄くした場合には、やはり、金属膜一体化グ
リーンシートの厚みが薄くなり、取扱いが困難となる。
さらに、セラミックグリーンシート上に金属膜を転写し
て金属膜一体化グリーンシートを形成しているため、金
属膜のパターン精度が十分でないことがあった。

【００１４】のみならず、金属膜とセラミックグリーン
シートとを一体化するに際し、金属膜が存在しない部分
では、セラミックグリーンシートが第２の支持フィルム
に接触されることになる。従って、一体化後に第２の支
持フィルムを金属膜一体化グリーンシートから剥離する
必要があるので、金属膜及びセラミックグリーンシート
の双方に対しての第２の支持フィルムの剥離性が良好な
ことが要求される。しかしながら、そのような要求を満
たすことは難しく、従って、第２の支持フィルムの剥離
に際しセラミックグリーンシートが破損しがちであっ
た。

【００１５】第３の方法では、金属膜を薄膜形成法によ
り形成してから、上記フォトリソグラフィーによりパタ
ーニングするため、工程が複雑となりがちであった。ま
た、金属膜及びセラミックグリーンシートが支持フィル
ムに接しているため、支持フィルムから転写する際に、
金属膜及びセラミックスの双方の支持フィルムに対する
剥離性が十分であることが必要であるが、このような要
求を満たすことが困難であった。

【００１６】本発明の目的は、内部電極が形成されてい
る領域と形成されていない領域との間のセラミック積層
体段階における厚みの差を解消し、従ってデラミネーシ
ョン等の発生を効果的に抑制することができ、従来の薄
膜形成法により内部電極を形成する工程を含むセラミッ
ク積層電子部品の製造方法に比べて比較的簡単な工程で
安定にセラミック積層電子部品を製造することを可能と
する方法を提供することにある。

【００１７】

【課題を解決するための手段】本発明は、薄膜形成法に
より内部電子部品を形成する工程を含むセラミック積層
電子部品の製造方法であり、先の工程を備えることを特
徴とする。すなわち、本発明は、支持体上に第１層目の
金属膜を薄膜形成法により形成する工程と、前記第１層
目の金属膜上にパターン孔が設けられたレジスト層を形
成する工程と、前記レジスト層のパターン孔内に第１層
目の金属膜より厚みの大きい第２の金属膜を薄膜形成法
により形成する工程と、前記レジスト層及び第１，第２
の金属膜を内部に有するセラミック積層体を形成する工
程と、前記セラミック積層体を加熱しセラミックスを焼
成するとともに、第１層目の金属膜を絶縁物化し、かつ
前記レジスト層を消滅させる工程とを備えることを特徴
とする、セラミック積層電子部品の製造方法である。

【００１８】また、本発明のある特定的な局面では、前
記セラミック積層体を形成する工程が、第２の支持体上
にセラミックグリーンシートを形成するステップと、前
記第１の支持体上に支持された第１，第２の金属膜とレ
ジストとを含む金属膜レジストを積層体と、第２の支持
体上に支持された前記セラミックグリーンシートとを、
第１，第２の支持体から剥離して積層ステージ上にて交
互に積層するステップとを備える。

【００１９】また、本発明の別の特定的の局面では、前
記セラミック積層体を形成する工程が、第２の支持体上
にセラミックグリーンシートを形成するステップと、前
記セラミックグリーンシート上に第１の支持体上に支持
された金属膜レジスト積層体を転写し、金属膜一体化グ
リーンシートを形成するステップと、複数の前記金属膜
一体化グリーンシートを順次転写することにより積層し
てセラミック積層体を得るステップとを備える。

【００２０】また、上記のように転写法により金属膜一
体化グリーンシートを形成するステップを有する方法で
は、好ましくは、ロールプレスを用いて上記金属膜の転
写が行われ、それによって薄い金属膜が容易にかつ無理
なくセラミックグリーンシート上に転写され得る。

【００２１】また、本発明では、第１層目の金属膜は、
第２層目の金属膜より薄く形成されてりおり、この厚み
は、焼成に際して第１層目の金属膜が絶縁物化し得る程
度とされる。この第１層目の金属膜の絶縁物化は、該金
属膜を構成している金属が酸化物イオンの形態で周囲の
セラミックスに拡散することにより果たされる。この第
１層目の金属膜が絶縁物化される厚みは、第１層目の金
属膜を構成する材料及び焼成温度等の焼成条件によって
も異なるため一義的には定め得ないが、好ましくは、
０．１μｍ以下とされ、それによって確実に第１層目の
金属膜が絶縁物化される。

【００２２】また、上記レジスト層は、焼成に際して消
滅するレジスト樹脂を主体とするものであるが、本発明
では、焼成に際してレジスト層が消滅するため、レジス
ト層の除去のための工程を実施する必要がない。さら
に、レジスト層が消滅した部分には、焼成工程において
周囲のセラミックスが移動する。従って、空隙等の欠陥
は生じない。

【００２３】また、上記レジスト層は、焼成に際して消
滅するレジスト樹脂を含有するものであるが、好ましく
は、該レジスト樹脂に加えて、無機成分が添加される。
無機成分は、焼成により消滅しない無機材料、例えばセ
ラミックスあるいはガラス等により構成され、レジスト
層が消滅した部分における強度の低下を防止する機能を
果たす。上記のような無機成分がレジスト層に含有され
ている場合には、焼成に際してレジスト樹脂が飛散した
後に生じた部分に、周囲のセラミックスが円滑に移動
し、結果として、他のセラミック部分と同じ焼成状態が
実現される。従って、レジスト層に上記無機成分を含有
させておくことにより、より均一かつ緻密な焼結体を得
ることができる。

【００２４】また、第１層目の金属膜及び第２層目の金
属膜を構成する材料は特に限定されるものではないが、
本発明のより特定的な局面では、第１層目の金属膜がＣ
ｕで構成され、第２層目の金属膜がＮｉで構成される。
Ｃｕよりなる第１層目の金属膜は、焼成に際し、容易に
酸化物となって絶縁物化する。また、第２層目の金属膜
をＮｉで構成することにより、内部電極コストを低減す
ることができる。

【００２５】

【発明の作用及び効果】本発明では、第１層目の金属膜
を形成した後に、レジスト層を形成し、レジスト層のパ
ターン孔内に第２の金属膜を形成することにより、金属
膜レジスト層積層体が得られ、この段階までにエッチン
グやレジスト層の除去等のような煩雑な作業を必要とし
ない。すなわち、第１層目の金属膜をエッチングする工
程及びレジストを剥離する工程を省略することができ
る。従って、薄膜形成法により形成された金属膜を加工
する総時間を大幅に短縮することができ、かつエッチン
グ液の洗浄部分により不良品発生率を低下することも可
能となる。また、レジストの耐エッチング性を考慮する
必要がないため、レジストを構成する樹脂の選択幅を広
がり、材料コストの削減を果たすことができる。

【００２６】しかも、金属膜レジスト積層体を内部に有
するセラミック積層体を焼成する工程において、セラミ
ックスが焼成されるだけでなく、レジスト層の消滅及び
第１層目の金属膜の絶縁物化が進行する。従って、付加
的な工程を実施することなく、第２層目の金属膜により
構成された内部電極が内部に積層されたセラミック積層
電子部品用焼結体を容易にかつ安定に得ることができ
る。

【００２７】さらに、第１層目の金属膜は、全面に形成
されるため、第１層目の金属膜を設けたことにより、内
部電極が重なり合う領域と、内部電極が重なり合わない
領域との段差を小さくすることができ、それによってデ
ラミネーションの発生を低減することができる。

【００２８】また、上記セラミック積層体を形成する工
程を、第２の支持体上にセラミックグリーンシートを形
成するステップと、第１の支持体上に支持された金属膜
−レジスト積層体と、第２の支持体に支持されたセラミ
ックグリーンシートとを積層ステージ上において交互に
積層するステップにより行う場合には、各々の支持体か
ら剥離するものが単体、すなわち、第１の支持体からは
第１の金属膜、第２の支持体からはグリーンシートであ
るため、剥離力の制御がし易い。さらに、上記セラミッ
ク積層体を形成する工程を、転写法により行う場合に
は、すなわち、第２の支持体上にセラミックグリーンシ
ートを形成しておき、該セラミックグリーンシート上に
金属膜レジスト積層体を転写して金属膜一体化グリーン
シートを形成する場合には積層に際し支持体から剥離す
る部分がセラミックグリーンシートのみとなる。従っ
て、支持体に対する離型性を容易にかつ確実に制御する
ことができる。よって、転写法を用いて、より厚みの薄
いセラミックグリーンシートや電極材料を用いてセラミ
ック積層電子部品を形成することができ、かつ積層不良
や圧着不良によるデラミネーションも抑制することがで
きる。

【００２９】よって、本発明によれば、セラミック積層
電子部品の製造にあたり、薄型化及び内部電極積層数の
増大を図ったとしても、デラミネーション等による不良
品発生率を低減することができ、かつ比較的簡単な工程
でセラミック積層電子部品を安定に供給することが可能
となる。

【００３０】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ実施例を
説明することにより、本発明を明らかにする。

【００３１】実施例１ 図３（ａ）に示すように、第１の支持体としてのポリエ
チレンテレフタレートフィルム１１上にシリコン樹脂
（図示せず）をコーティングし、該ポリエチレンテレフ
タレートフィルム１１上に第１層目の金属膜１２を形成
する。ここでは、第１層目の金属膜として、厚み０．１
μｍのＡｇ膜が蒸着法により全面に形成されている。

【００３２】次に、上記第１の金属膜１２上に、ＢａＴ
ｉＯ₃ 粉末を１０体積％含有しているキノン、ジアザイ
ド化ホルマリン樹脂を主成分とするレジストを０．８μ
ｍの厚みに塗布し、レジスト層を形成する。しかる後、
露光及び現像処理により、図３（ｂ）に示すように、パ
ターン孔１３ａが形成されたレジスト層１３を得る。

【００３３】次に、レジスト層１３のパターン孔１３ａ
内に、第１層目の金属膜１２上に第２層目の金属膜を１
４を形成する。第２層目の金属膜１４は、電気めっきに
よりＰｄを０．８μｍの厚みに成膜することにより形成
されている。この第２層目の金属膜１４が後述の内部電
極を構成することになる。

【００３４】他方、第２の支持体として、図４に示すポ
リエチレンテレフタレートフィルム１５を用意し、該ポ
リエチレンテレフタレートフィルム１５上にＢａＴｉＯ
₃ を主成分とするセラミックスラリーを６μｍの厚みに
なるようにシート成形し、セラミックグリーンシート１
６を得る。

【００３５】次に、図３（ｂ）に示した金属膜レジスト
層積層体１７と、上記セラミックグリーンシート１６と
を交互に積層し、積層体を得る。この積層体を得るに際
しては、最初に、図４に示したセラミックグリーンシー
ト１６上に、第１の支持体としてのポリエチレンテレフ
タレートフィルム１１に支持された金属膜レジスト層積
層体１７を第２の金属膜１６側から重ね、８０℃程度の
温度で熱圧着した後、第１の支持体としてのポリエチレ
ンテレフタレートフィルム１１を剥離する。さらに、上
記と同様に熱圧着によりセラミックグリーンシート１６
及び金属膜レジスト層積層体１７を順次積層する。この
ようにして、図５に示す積層体１８が得られる。

【００３６】上記積層体１８を所定の積層コンデンサ用
積層体を得るように、厚み方向に切断し、得られた積層
体チップを大気中において１３００℃の温度で焼成し
た。上記のようにして、図６に示す焼結体１９が得られ
る。この焼結体１９では、第２の金属膜１４からなる内
部電極２０が焼結体内において重なりあっている。な
お、第１層目の金属膜１２は、上記焼成工程において加
熱されて絶縁物化されている。また、上記レジスト層に
ついてもレジスト樹脂が焼成に際して飛散し、他方レジ
スト層に含有されているセラミック粉末と、レジスト層
の周囲から移動してきたセラミックスにより、残りの焼
結体部分と同様に緻密な焼結構造を構成している。よっ
て、図６に示すように、内部電極２０の周囲は、緻密な
セラミックスで囲まれる。

【００３７】上記のようにして得た焼結体の外表面に、
図７に側面断面図で示すように、外部電極２１ａ，２１
ｂを形成し、積層コンデンサ２２を得た。なお、図６
は、図７の焼結体のＸ−Ｘ線に沿う断面を示している。

【００３８】得られた積層コンデンサ２２を図７に示し
たＸ−Ｘ方向に切断して観察した。その結果、従来の積
層コンデンサに比べて、内部電極が重なり合っている部
分と、内部電極が重なり合っていない部分とにおける段
差が低減していることが認められた。

【００３９】また、上記のようにして得た積層コンデン
サの電気的特性を測定したところ、設計値どおりの特性
を示すことが確かめられた。さらに、上記観察におい
て、焼結体内においてデラミネーションの発生はなかっ
た。

【００４０】また、従来法で作製された積層コンデンサ
の特性を測定したところ、電極取り出し部、すなわち外
部電極が形成される焼結体端面近傍において、デラミネ
ーションの発生が見られた。このデラミネーションが発
生していた積層コンデンサの割合は、２５％程度であっ
た。

【００４１】上記のようにして得た実施例の積層コンデ
ンサにおいて、レジスト層が形成されている領域を焼結
体を切断して観察したところ、レジスト成分が飛散して
おり、含有されていたＢａＴｉＯ₃ 成分は残存している
ことが確かめられた。また、この部分は他のセラミック
部分とほぼ同じ焼結状態となっていることが認められ
た。従って、周囲のセラミックスが焼成に際してこの部
分に移動し、緻密な焼結構造が実現されていると考えら
れる。

【００４２】さらに、第１層目の金属膜１２について
は、焼成後に消失していることが確かめられた。従っ
て、第１層目の金属膜を上記のように形成していたとし
ても、得られた積層コンデンサにおいて短絡などの問題
が生じないことがわかる。

【００４３】実施例２ 第１層目の金属膜として、Ａｇ膜に代えてＣｕ膜を、第
２層目の金属膜としてＰｄ膜に代えてＮｉ膜を用いてレ
ジストとして、Ａｌ₂ Ｏ₃ 粉末１０体積％及びガラス粉
末５体積％を含有してなるレジスト樹脂を用い、さらに
還元雰囲気中で１２００℃の温度で焼成したことを除い
ては、実施例１と同様の工程を経て、セラミック多層基
板を作製した。

【００４４】得られたセラミック多層基板では、実施例
１の場合と同様に、内部電極が重なり合っている部分
と、重なり合っていない部分との間の段差が低減してい
ることが確かめられた。

【００４５】また、得られたセラミック多層基板の特性
を測定したところ、設計値通りの特性を示すことが確か
められた。さらに、得られたセラミック多層基板を厚み
方向に切断して内部を観察したところ、デラミネーショ
ンによる欠陥は見られなかった。

【００４６】また、レジストの形成されていた領域は、
他のセラミック部分とほぼ同じ焼結状態となっているこ
とが認められた。すなわち、レジスト成分が蒸発し、含
有されていたガラス成分が融解し、アルミナ成分が残存
しており、さらに周囲のセラミックスが加熱に際して移
動してきたことにより、上記焼結状態が実現されている
と考えられる。また、実施例１と同様に、第１層目の金
属膜を構成しているＣｕは、大部分が消失しており、従
って絶縁不良やボイドなどの不良は発生しなかった。

【００４７】実施例３ レジストとして、セラミック粉末やガラス粉末などの無
機粉末を添加していないレジスト樹脂からなるレジスト
を用いたことを除いては、実施例１と同様にして積層コ
ンデンサを得た。

【００４８】得られた積層コンデンサでは、焼成後にお
ける内部電極重なり部分と、内部電極が重なり合ってい
ない部分との段差はあまり小さくなっていなかったが、
積層した後の加圧工程においては圧力が均一に加わった
せいか、デラミネーションの発生は従来法で得られた積
層コンデンサに比べて低減していることが確かめられ
た。

【００４９】なお、上述した実施例１〜３では、第１層
目の金属膜と第２層目の金属膜とを異種の金属材料で構
成したが、同種の金属材料を用いて第１層目の金属膜及
び第２層目の金属膜を形成してもよい。

【００５０】実施例４ 図８に示すように、第１の支持体として、ＰＥＴフィル
ム３１上にシリコン離型剤（図示されず）をコーティン
グしたものを用意し、該シリコン離型剤層上に第１層目
の金属膜３２を形成した。第１層目の金属膜３２として
は、０．１μｍの厚みのＣｕ膜を蒸着法により全面に形
成した。

【００５１】次に、上記第１層目の金属膜３２上に、厚
み０．８μｍのレジスト層を塗布した。用いたレジスト
層は、レジスト樹脂に、ＢａＴｉＯ₃ 粉末が５０体積％
の割合で含有されているものを使用した。しかる後、露
光・現像処理を行ない、レジスト層にパターン孔を形成
した。上記のようにして、図９に示すパターン孔３３ａ
が形成されたレジスト層３３を形成した。

【００５２】次に、パターン孔３３ａ内に、第２の金属
膜３４（図１０参照）を形成した。第２の金属膜３４
は、電気メッキにより０．８μｍの厚みのＮｉ膜を形成
することにより形成した。

【００５３】他方、第２の支持体として、厚み５０μｍ
のＰＥＴフィルムを用意し、該ＰＥＴフィルム上にＢａ
ＴｉＯ₃ 粉末を主成分とするセラミックスラリーをシー
ト成形し、セラミックグリーンシートを作製した。

【００５４】しかる後、上記セラミックグリーンシート
上に、図１１に示すように、ロール状のプレス３５を用
い、金属膜レジスト層積層体３６（図１０参照）を、第
２の支持体としてＰＥＴフィルム３９上に支持されてい
るセラミックグリーンシート３７上に転写し、ＰＥＴフ
ィルム３９を剥離し、金属膜一体化グリーンシート３８
を形成した。次に、第３の支持体として、ＰＥＴフィル
ム４２を用意し、この上に上記金属膜一体化グリーンシ
ート３８同士をその相対的な位置を高精度にコントロー
ルして積み重ね、１枚の金属膜一体化グリーンシートを
重ねる毎に熱圧着し、熱圧着後に第１の支持体としての
ＰＥＴフィルム３１を剥離し、積層体を得た。得られた
積層体を図１２に示す。

【００５５】次に、上記のようにして得られた積層体４
１を厚み方向に切断し、個々の積層体コンデンサ単位の
積層体チップを得、該積層体チップを焼成して焼結体を
得た。以下、実施例１と同様にして外部電極を形成し、
積層コンデンサを作製した。

【００５６】実施例５ 無機粉末が含有されていないレジストを用いたことを除
いては、実施例４と同様にして積層コンデンサを作製し
た。

【００５７】実施例４，５の評価 実施例４の製造工程において、得られた積層体チップを
切断し、焼成に先立って内部を観察したその結果、内部
電極を構成する第２層目の金属膜が重なり合っている部
分とその他の部分とで、段差はほとんど生じていなかっ
た。

【００５８】また、得られた積層コンデンサにおける焼
結体を外部電極が形成されている端面と平行に切断し、
内部を観察した。その結果、内部電極が重なり合ってい
る部分と、重なり合っていない部分との段差はほとんど
生じていなかった。すなわち、レジスト層中にセラミッ
ク粉末が含有されているためか、焼成時に発生する段差
も生じ難いことがわかる。

【００５９】また、レジスト層が形成されていた部分で
は、レジストを構成している樹脂が飛散しており、含有
されていたセラミック粉末は残存していた。また、この
部分は他のセラミック部分とほぼ同じ焼結状態を示して
いた。従って、セラミック粉末が残存し、かつ周囲のセ
ラミックスが焼成に際し、移動し、周囲と同じ焼結状態
が実現されたものと考えられる。

【００６０】さらに、レジストが塗布されていた第１層
目の金属膜は、厚みが０．１μｍ以下であるためか、上
記焼成により絶縁物化していた。従って、短絡や絶縁不
良、ボイドもしくはデラミネーションなどの不良の発生
し難い積層体コンデンサを安定に供給し得ることがわか
る。

【００６１】また、実施例５においても、焼結体を得る
前の積層体チップを厚み方向に切断し、内部電極を構成
する第２層目の金属膜が重なり合っている部分とその他
の部分との間の段差を観察したところ、実施例４で得ら
れた積層体チップに比べて段差は大きいものの、従来法
で得られた積層コンデンサの場合の積層体チップに比べ
て段差が著しく小さいことが確かめられた。

【００６２】また、得られた焼結体の内部を実施例４の
評価と同様にして分析したところ、第１層目の金属膜部
分は焼成により絶縁物化していることが認められた。ま
た、得られた積層コンデンサでは、短絡、絶縁不良、ボ
イドの発生及びデラミネーションの発生などの不良は発
生していなかった。

【００６３】実施例４，５の製造方法において、積層に
際しては、支持フィルムに接触しているのはセラミック
グリーンシートだけであった。従って、上記フィルムの
離型剤層についてはセラミックグリーンシート対する離
型性のみを考慮すればよいため、市販されている適宜の
離型剤を用いて、上記離型剤層を容易に設計することが
できる。

【００６４】上記離型剤層を最適化した場合の積層に際
しての支持フィルムを剥離する際の面剥離力を測定し
た。結果を式の表１に示す。

【００６５】

【表１】

【００６６】表１から明らかなように、従来に比べ、実
施例４，５のセラミックグリーンシートから、１／３の
力で剥離することが可能であった。従って、転写不良の
問題が生じ難く、従って、デラミネーションの発生を著
しく低減し得ることがわかる。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来の積層コンデンサの製造方法を説明するた
めの断面図。

【図２】従来の積層コンデンサにおけるセラミック積層
体の断面図。

【図３】（ａ）及び（ｂ）は、実施例１で用意した第１
の支持体上に第１層目の金属膜を形成した状態及びレジ
スト層及び第２層目の金属膜を形成した状態を示す各断
面図。

【図４】第２の支持体上にセラミックグリーンシートを
成形した状態を示す断面図。

【図５】焼成前の積層体を説明するための断面図。

【図６】積層体チップを焼成して得られた焼結体の横断
面図。

【図７】実施例１で得られた積層コンデンサを説明する
ための模式的断面図。

【図８】実施例４で用意した第１の支持体上に第１層目
の金属膜を形成した状態を示す断面図。

【図９】第１層目の金属膜上にパターン孔を有するレジ
スト層を形成した状態を示す断面図。

【図１０】レジスト層のパターン孔内に第２層目の金属
膜を形成した状態を示す断面図。

【図１１】ロールプレスを用いてグリーンシート一体化
金属シートを得る工程を説明するための部分切欠断面
図。

【図１２】積層体を説明するための断面図。

【符号の説明】

１１…第１の支持体（ＰＥＴフィルム） １２…第１層目の金属膜 １３…レジスト層 １３ａ…パターン孔 １４…第２の金属膜 １５…第２の支持体（ＰＥＴフィルム） １６…セラミックグリーンシート １７…金属一体化グリーンシート ３１…第１の支持体（ＰＥＴフィルム） ３２…第１層目の金属膜 ３３…レジスト層 ３３ａ…パターン孔 ３４…第２層目の金属膜 ３５…金属一体化グリーンシート ３７…ロール状プレス

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−126206（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−302469（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−166666（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−116810（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−226139（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01G 4/00 - 4/40 H01G 13/00 - 13/06

Claims (9)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 支持体上に第１層目の金属膜を薄膜形成
   方法により形成する工程と、 前記第１層目の金属膜上にパターン孔が設けられたレジ
   スト層を形成する工程と、 前記レジスト層のパターン孔内に、第１層目の金属膜よ
   り厚みの大きい第２の金属膜を薄膜形成方法により形成
   する工程と、 前記レジスト層及び第１，第２の金属膜を内部に有する
   セラミック積層体を形成する工程と、 前記セラミック積層体を加熱しセラミックスを焼成する
   とともに、第１層目の金属膜を絶縁物化し、かつ前記レ
   ジスト層を消滅させる工程とを備えることを特徴とす
   る、セラミック積層電子部品の製造方法。
2. 【請求項２】 前記セラミック積層体を形成する工程
   が、 第２の支持体上にセラミックグリーンシートを形成する
   ステップと、 前記第１の支持体上に支持された第１，第２の金属膜と
   レジストとを含む金属膜レジスト積層体と、第２の支持
   体上に支持された前記セラミックグリーンシートとを、
   第１，第２の支持体から剥離して積層ステージ上にて交
   互に積層するステップとを備える、請求項１に記載のセ
   ラミック積層電子部品の製造方法。
3. 【請求項３】 前記積層体を形成する工程が、 第２の支持体上にセラミックグリーンシートを形成する
   ステップと、 前記セラミックグリーンシート上に第１の支持体上に支
   持された第１，第２の金属膜とレジストとを含む金属膜
   レジスト積層体を転写し、金属膜一体化グリーンシート
   を形成するステップと、 複数の前記金属膜一体化グリーンシートを順次転写する
   ことにより積層してセラミック積層体を得るステップと
   を備える、請求項１に記載のセラミック積層電子部品の
   製造方法。
4. 【請求項４】 前記金属膜レジスト積層体をセラミック
   グリーンシート上に転写するに当たり、ロール状プレス
   を用いる、請求項３に記載のセラミック積層電子部品製
   造方法。
5. 【請求項５】 前記第１層目の金属膜の厚みが０．１μ
   ｍ以下となるように第１層目の金属膜を形成する、請求
   項１〜４のいずれかに記載のセラミック積層電子部品の
   製造方法。
6. 【請求項６】 前記レジスト層が、レジスト樹脂と、無
   機成分とを含む、請求項１〜５のいずれかに記載のセラ
   ミック積層電子部品の製造方法。
7. 【請求項７】 前記無機成分としてセラミックスを用い
   る、請求項６に記載のセラミック積層電子部品の製造方
   法。
8. 【請求項８】 前記無機成分としてガラスを用いる、請
   求項６に記載のセラミック積層電子部品の製造方法。
9. 【請求項９】 前記第１層目の金属膜がＣｕからなり、
   第２層目の金属膜がＮｉからなる、請求項１〜８のいず
   れかに記載のセラミック積層電子部品の製造方法。