JPH06232000A - 積層セラミックコンデンサの製造方法 - Google Patents
積層セラミックコンデンサの製造方法Info
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- JPH06232000A JPH06232000A JP2015693A JP2015693A JPH06232000A JP H06232000 A JPH06232000 A JP H06232000A JP 2015693 A JP2015693 A JP 2015693A JP 2015693 A JP2015693 A JP 2015693A JP H06232000 A JPH06232000 A JP H06232000A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 積層セラミックコンデンサの製造方法におい
て、薄膜形成法により形成された内部電極を容易に所定
の形状に転写することを可能とし、大容量積層セラミッ
クコンデンサを歩留まり良く製造すること。 【構成】 フィルム３上に薄膜形成法により内部電極７
を形成する。別途、キャリアフィルム２上にセラミック
誘電体層１を形成し、セラミック誘電体層１上に内部電
極７をフィルム３側から加圧することにより転写する。
内部電極７を転写したセラミック誘電体層１をキャリア
フィルム２側から加圧することにより、積層を行う。
て、薄膜形成法により形成された内部電極を容易に所定
の形状に転写することを可能とし、大容量積層セラミッ
クコンデンサを歩留まり良く製造すること。 【構成】 フィルム３上に薄膜形成法により内部電極７
を形成する。別途、キャリアフィルム２上にセラミック
誘電体層１を形成し、セラミック誘電体層１上に内部電
極７をフィルム３側から加圧することにより転写する。
内部電極７を転写したセラミック誘電体層１をキャリア
フィルム２側から加圧することにより、積層を行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は積層セラミックコンデン
サの製造方法に関するものである。
サの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】昨今、電子機器の小型化、高性能化にと
もなって積層チップコンデンサは小型化、大容量化への
要望がますます増大している。従来、積層セラミックコ
ンデンサは、次のようなステップを経て製造されてい
る。まず、ドクターブレード等によりシート状に成形さ
れたセラミックグリーンシートが準備され、その上に、
内部電極となる金属、たとえばパラジウム，銀−パラジ
ウム，ニッケルが、所定のパターンをもってスクリーン
印刷または薄膜形成方法によって形成され、さらに、薄
膜形成法により作製された内部電極をグリーンシートに
転写する方法としては、内部電極となる所定のパターン
のみを転写する手段として、エッチング，所定部分のみ
を押圧する，あるいはマスキング等が用いられる(例え
ば特開昭64−42809号公報)。この時、内部電極厚みは、
スクリーン印刷では約４μm、薄膜形成方法では0.1〜1.
0μmである。なお、通常、セラミックグリーンシート
は、後で切断されて複数個の積層セラミックコンデンサ
を得ることが意図されており、したがって、内部電極と
なる部分は、セラミックグリーンシート上において、複
数個の箇所に分布して形成される。
もなって積層チップコンデンサは小型化、大容量化への
要望がますます増大している。従来、積層セラミックコ
ンデンサは、次のようなステップを経て製造されてい
る。まず、ドクターブレード等によりシート状に成形さ
れたセラミックグリーンシートが準備され、その上に、
内部電極となる金属、たとえばパラジウム，銀−パラジ
ウム，ニッケルが、所定のパターンをもってスクリーン
印刷または薄膜形成方法によって形成され、さらに、薄
膜形成法により作製された内部電極をグリーンシートに
転写する方法としては、内部電極となる所定のパターン
のみを転写する手段として、エッチング，所定部分のみ
を押圧する，あるいはマスキング等が用いられる(例え
ば特開昭64−42809号公報)。この時、内部電極厚みは、
スクリーン印刷では約４μm、薄膜形成方法では0.1〜1.
0μmである。なお、通常、セラミックグリーンシート
は、後で切断されて複数個の積層セラミックコンデンサ
を得ることが意図されており、したがって、内部電極と
なる部分は、セラミックグリーンシート上において、複
数個の箇所に分布して形成される。
【０００３】次に、上述のように内部電極を形成したセ
ラミックグリーンシートが積層され、プレスすることに
より圧着された後、個々の積層セラミックコンデンサの
ためのチップを得るように切断される。そして、上述の
チップは焼成される。その後、チップの表面の所定の領
域に、外部電極となる金属ペーストが塗布され、これが
焼成されることによって、積層セラミックコンデンサが
完成される。
ラミックグリーンシートが積層され、プレスすることに
より圧着された後、個々の積層セラミックコンデンサの
ためのチップを得るように切断される。そして、上述の
チップは焼成される。その後、チップの表面の所定の領
域に、外部電極となる金属ペーストが塗布され、これが
焼成されることによって、積層セラミックコンデンサが
完成される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】一般に、積層セラミッ
クコンデンサを小型化，大容量化するための工法上の手
段として、上記のセラミックグリーンシートを薄層化
し、内部電極間の距離を短くすることや、規定寸法内で
上記のセラミックグリーンシートをできるだけ多く積層
することが有効である。しかし、内部電極に金属ペース
トを用いた場合、内部電極厚みが大きいためセラミック
グリーンシート上に大きな凸部が存在することになる。
したがって、セラミックグリーンシートを積層し、圧着
する時に、内部電極が形成されていない部分に十分な圧
力がかからず、特に大容量品の場合には、多くのセラミ
ックグリーンシートを積層することになるのでシート間
の接着性が低下し、チップ焼成後、クラックが発生して
しまうといった問題点がある。
クコンデンサを小型化，大容量化するための工法上の手
段として、上記のセラミックグリーンシートを薄層化
し、内部電極間の距離を短くすることや、規定寸法内で
上記のセラミックグリーンシートをできるだけ多く積層
することが有効である。しかし、内部電極に金属ペース
トを用いた場合、内部電極厚みが大きいためセラミック
グリーンシート上に大きな凸部が存在することになる。
したがって、セラミックグリーンシートを積層し、圧着
する時に、内部電極が形成されていない部分に十分な圧
力がかからず、特に大容量品の場合には、多くのセラミ
ックグリーンシートを積層することになるのでシート間
の接着性が低下し、チップ焼成後、クラックが発生して
しまうといった問題点がある。
【０００５】また、内部電極形成法に薄膜形成法を用い
た場合、一般的にセラミックグリーンシート上ではなく
フィルム上に薄膜を形成し、それをセラミックグリーン
シート上に転写する方法が採用される。しかし、金属薄
膜は大きな内部応力を有しているため、それをフィルム
に付着させる場合には大きな付着強度が必要となるが、
一方、後の転写工程で不都合が生じない程度に抑制しな
ければならない。その結果、部分的に内部応力に耐えき
れず付着強度が非常に小さい部分が生じ、グリーンシー
トへの転写の際に不要部分まで転写される、逆に所定部
分に転写されず、容量値のばらつきが生じるといった問
題がある。不要部分まで転写される問題を防ぐ手段とし
て、エッチングを行う場合があるが、レジスト塗布、不
要部分の除去、レジストの除去といった工程が付加され
るため、内部電極形成コストが大きくなるという問題が
ある。本発明は上記従来の問題を解決するものであり、
薄膜形成法により作製された内部電極をセラミックグリ
ーンシートに圧着する際の転写性を向上させ、さらに容
易に一定面積の内部電極を得ることができる積層セラミ
ックコンデンサの製造方法を提供することを目的とする
ものである。
た場合、一般的にセラミックグリーンシート上ではなく
フィルム上に薄膜を形成し、それをセラミックグリーン
シート上に転写する方法が採用される。しかし、金属薄
膜は大きな内部応力を有しているため、それをフィルム
に付着させる場合には大きな付着強度が必要となるが、
一方、後の転写工程で不都合が生じない程度に抑制しな
ければならない。その結果、部分的に内部応力に耐えき
れず付着強度が非常に小さい部分が生じ、グリーンシー
トへの転写の際に不要部分まで転写される、逆に所定部
分に転写されず、容量値のばらつきが生じるといった問
題がある。不要部分まで転写される問題を防ぐ手段とし
て、エッチングを行う場合があるが、レジスト塗布、不
要部分の除去、レジストの除去といった工程が付加され
るため、内部電極形成コストが大きくなるという問題が
ある。本発明は上記従来の問題を解決するものであり、
薄膜形成法により作製された内部電極をセラミックグリ
ーンシートに圧着する際の転写性を向上させ、さらに容
易に一定面積の内部電極を得ることができる積層セラミ
ックコンデンサの製造方法を提供することを目的とする
ものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的を達
成するために、まず、以下に示すステップの少なくとも
１つ以上を備える特徴を有するものである。
成するために、まず、以下に示すステップの少なくとも
１つ以上を備える特徴を有するものである。
【０００７】(1）フィルム上に内部電極となる所定の部
分に離形処理を施すステップと、金属箔を薄膜形成法に
より形成するステップと、キャリアフィルム上にセラミ
ックグリーンシートを形成するステップと、前記グリー
ンシート上に前記金属箔を押圧して離形処理を施した部
分のみを転写するステップ。
分に離形処理を施すステップと、金属箔を薄膜形成法に
より形成するステップと、キャリアフィルム上にセラミ
ックグリーンシートを形成するステップと、前記グリー
ンシート上に前記金属箔を押圧して離形処理を施した部
分のみを転写するステップ。
【０００８】(2）フィルム上に薄膜形成法により金属箔
を形成するステップと、キャリアフィルム上にセラミッ
クグリーンシートを形成するステップと、前記セラミッ
クグリーンシート上に内部電極となる所定のパターン状
に接着剤を塗布した後、前記金属箔を押圧して接着剤を
塗布した部分のみを転写するステップ。さらに、生セラ
ミックからなるベースを準備するステップと、前記ベー
ス上に前記金属箔を転写したキャリアフィルムを外側に
向けてベースとグリーンシートを圧着するステップと、
前記キャリアフィルムを除去するステップの後に、前記
除去されたキャリアフィルムと置き換わるように、前記
金属箔を転写したキャリアフィルムを配置し、前記と同
様にグリーンシートを圧着するステップの繰り返しによ
り、誘電体と内部電極の積層を行うステップ。また、必
要に応じて、金属箔を転写する際に内部電極となる所定
のパターン状に切り込みを入れると良い。
を形成するステップと、キャリアフィルム上にセラミッ
クグリーンシートを形成するステップと、前記セラミッ
クグリーンシート上に内部電極となる所定のパターン状
に接着剤を塗布した後、前記金属箔を押圧して接着剤を
塗布した部分のみを転写するステップ。さらに、生セラ
ミックからなるベースを準備するステップと、前記ベー
ス上に前記金属箔を転写したキャリアフィルムを外側に
向けてベースとグリーンシートを圧着するステップと、
前記キャリアフィルムを除去するステップの後に、前記
除去されたキャリアフィルムと置き換わるように、前記
金属箔を転写したキャリアフィルムを配置し、前記と同
様にグリーンシートを圧着するステップの繰り返しによ
り、誘電体と内部電極の積層を行うステップ。また、必
要に応じて、金属箔を転写する際に内部電極となる所定
のパターン状に切り込みを入れると良い。
【０００９】
【作用】したがって、本発明においては、内部電極に金
属箔を用いることから、セラミックグリーンシート表面
の内部電極による凸部は激減し、シート圧着時にシート
全体に圧力が加わるので、シート間の接着性が向上す
る。その結果、より多くのセラミックグリーンシートを
積層することができる。さらに、部分的に離形処理層あ
るいは接着層を設けることから、内部電極となる所定の
部分のみを精度良くセラミックグリーンシートに転写で
き、容量値のばらつきを抑えることができる。以上のこ
とから本発明は、セラミック誘電体層の薄層化，高積層
化，容量命中率の向上の点で積層セラミックコンデンサ
の小型化，大容量化，生産性の向上の要求を容易に満た
し得ることができる。
属箔を用いることから、セラミックグリーンシート表面
の内部電極による凸部は激減し、シート圧着時にシート
全体に圧力が加わるので、シート間の接着性が向上す
る。その結果、より多くのセラミックグリーンシートを
積層することができる。さらに、部分的に離形処理層あ
るいは接着層を設けることから、内部電極となる所定の
部分のみを精度良くセラミックグリーンシートに転写で
き、容量値のばらつきを抑えることができる。以上のこ
とから本発明は、セラミック誘電体層の薄層化，高積層
化，容量命中率の向上の点で積層セラミックコンデンサ
の小型化，大容量化，生産性の向上の要求を容易に満た
し得ることができる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら説明する。図１は本発明の第１の実施例における
セラミックグリーンシートの作製法を、また図２は作製
されたセラミックグリーンシートを示したものである。
図１および図２において、セラミック誘電体層、２はキ
ャリアフィルム、３はフィルム、４はマスクフィルム、
６は離形処理層、７は金属箔からなる内部電極を示す。
ながら説明する。図１は本発明の第１の実施例における
セラミックグリーンシートの作製法を、また図２は作製
されたセラミックグリーンシートを示したものである。
図１および図２において、セラミック誘電体層、２はキ
ャリアフィルム、３はフィルム、４はマスクフィルム、
６は離形処理層、７は金属箔からなる内部電極を示す。
【００１１】まず、チタン酸バリウムを主成分とする誘
電体粉末120重量部、ポリビニルブチラール樹脂30重量
部、ブチルカルビトール150重量部、フタル酸ジオクチ
ル４重量部を配合し、ボールミルで20時間混練して、セ
ラミック誘電体層用スラリーを作製し、図１(a)に示す
ように、このスラリーを用いてリバースロール法でセラ
ミック誘電体層１をキャリアフィルム２の上に形成す
る。但し、図では厚み方向が強調されている。
電体粉末120重量部、ポリビニルブチラール樹脂30重量
部、ブチルカルビトール150重量部、フタル酸ジオクチ
ル４重量部を配合し、ボールミルで20時間混練して、セ
ラミック誘電体層用スラリーを作製し、図１(a)に示す
ように、このスラリーを用いてリバースロール法でセラ
ミック誘電体層１をキャリアフィルム２の上に形成す
る。但し、図では厚み方向が強調されている。
【００１２】別途、フィルム上に内部電極となる所定の
パターン状に離形処理層を形成する。離形処理層の形成
方法は、図１(b)に示すように、所定のパターンで内部
電極に寄与する部分のみに孔をあけたマスクフィルム４
を準備し、フィルムと重ね合わせる。この重ね合わせた
２枚組のフィルムのマスクフィルム４側からシリコン系
樹脂、メラミン系樹脂あるいはエポキシ樹脂等の離形処
理用の樹脂を溶解した有機溶剤を噴霧する。その後、マ
スクフィルム４を除去することで、図１(c)に示すよう
に、離形処理層６を所定のパターンでフィルム上に形成
することができる。マスクフィルムを使用する代わり
に、スクリーン印刷で離形処理層を形成してもよい。こ
れに、活性化処理を施し、ヒドラジンあるいはホウ素系
で還元剤を用いた無電解ニッケルメッキによりニッケル
金属箔からなる内部電極を厚み０．１〜０．７μmの範
囲で図１(d)のように形成する。
パターン状に離形処理層を形成する。離形処理層の形成
方法は、図１(b)に示すように、所定のパターンで内部
電極に寄与する部分のみに孔をあけたマスクフィルム４
を準備し、フィルムと重ね合わせる。この重ね合わせた
２枚組のフィルムのマスクフィルム４側からシリコン系
樹脂、メラミン系樹脂あるいはエポキシ樹脂等の離形処
理用の樹脂を溶解した有機溶剤を噴霧する。その後、マ
スクフィルム４を除去することで、図１(c)に示すよう
に、離形処理層６を所定のパターンでフィルム上に形成
することができる。マスクフィルムを使用する代わり
に、スクリーン印刷で離形処理層を形成してもよい。こ
れに、活性化処理を施し、ヒドラジンあるいはホウ素系
で還元剤を用いた無電解ニッケルメッキによりニッケル
金属箔からなる内部電極を厚み０．１〜０．７μmの範
囲で図１(d)のように形成する。
【００１３】これを先に作製したセラミック誘電体層１
上に、金型を100〜120℃に加熱しながら、50〜700kg／c
m2の圧力でフィルム側から押圧し転写する。その後フィ
ルム３を除去し、図２に示すセラミックグリーンシート
が作製される。その後、このセラミックグリーンシート
を複数枚準備し、図３に示すように転写によって積層を
行う。まず生セラミックからなる生セラミックベース11
上にセラミックグリーンシートのキャリアフィルム側を
上にして配置し、上部より金型８で加圧し、内部電極７
の所定の部分(離形処理層６)のみが転写されたセラミッ
ク誘電体層１を転写する。なおこの時の転写は、金型８
を100〜120℃に加熱した状態で、50〜200kg／cm2に加圧
して行う。以後、セラミックグリーンシートを同様の手
順で所望の積層数まで転写を繰り返した後、所望の寸法
で切断し、1300℃で焼成する。
上に、金型を100〜120℃に加熱しながら、50〜700kg／c
m2の圧力でフィルム側から押圧し転写する。その後フィ
ルム３を除去し、図２に示すセラミックグリーンシート
が作製される。その後、このセラミックグリーンシート
を複数枚準備し、図３に示すように転写によって積層を
行う。まず生セラミックからなる生セラミックベース11
上にセラミックグリーンシートのキャリアフィルム側を
上にして配置し、上部より金型８で加圧し、内部電極７
の所定の部分(離形処理層６)のみが転写されたセラミッ
ク誘電体層１を転写する。なおこの時の転写は、金型８
を100〜120℃に加熱した状態で、50〜200kg／cm2に加圧
して行う。以後、セラミックグリーンシートを同様の手
順で所望の積層数まで転写を繰り返した後、所望の寸法
で切断し、1300℃で焼成する。
【００１４】離形処理層を設けずに作製したチップ、本
方法で作製したチップ、および、本方法に基づき金属箔
を形成した後所定のパターンに切り込みを入れて作製し
たチップとで、内部電極厚み0.4μm、セラミック誘電体
層厚み10μm、積層数100層で1.6×1.6×3.2mm、容量値
3.3μＦのチップをそれぞれ100個ずつ作製し、その容量
値のばらつきを比較した。その結果、離形処理層を設け
なかったものが±19.2％、本方法で作製したものが±4.
9％、本方法にさらに金属箔に所定の切り込みを入れて
作製したものが±3.6％であった。このことから明らか
なように、本方法は内部電極が精度良く転写されている
ため、100層以上の積層を行っても容量のばらつきが小
さく、製品の歩留まりの向上に有効であることが分か
る。さらに、内部電極となる所定の部分に切り込みを形
成すると、所定の形状をさらに精度良く転写することが
可能となり、容量のばらつきが小さくなることが分か
る。
方法で作製したチップ、および、本方法に基づき金属箔
を形成した後所定のパターンに切り込みを入れて作製し
たチップとで、内部電極厚み0.4μm、セラミック誘電体
層厚み10μm、積層数100層で1.6×1.6×3.2mm、容量値
3.3μＦのチップをそれぞれ100個ずつ作製し、その容量
値のばらつきを比較した。その結果、離形処理層を設け
なかったものが±19.2％、本方法で作製したものが±4.
9％、本方法にさらに金属箔に所定の切り込みを入れて
作製したものが±3.6％であった。このことから明らか
なように、本方法は内部電極が精度良く転写されている
ため、100層以上の積層を行っても容量のばらつきが小
さく、製品の歩留まりの向上に有効であることが分か
る。さらに、内部電極となる所定の部分に切り込みを形
成すると、所定の形状をさらに精度良く転写することが
可能となり、容量のばらつきが小さくなることが分か
る。
【００１５】図４は本発明の第２の実施例におけるセラ
ミックグリーンシートの作製方法を示すものである。図
４において、図１に示す部分と同一の部分については同
一の番号を付し、製造工程についても同一の工程につい
ては説明を省略する。なお、10は接着層を示す。第２の
実施例の製造方法が第１の実施例と異なる点は、フィル
ム上に直接活性化処理を施し、ヒドラジンあるいはホウ
素系還元剤を用いた無電解ニッケルメッキによりニッケ
ル金属箔からなる内部電極を厚み0.1〜0.7μmの範囲で
図４(a)のように形成する。次に、フィルム上にスクリ
ーン印刷により、フェノール系樹脂、ケトン系樹脂また
はブチラール系樹脂からなる、接着層10を形成すること
である。接着層を形成する手段として、第１の実施例に
示したようにマスクフィルムを用い、接着剤を噴霧して
もよい。
ミックグリーンシートの作製方法を示すものである。図
４において、図１に示す部分と同一の部分については同
一の番号を付し、製造工程についても同一の工程につい
ては説明を省略する。なお、10は接着層を示す。第２の
実施例の製造方法が第１の実施例と異なる点は、フィル
ム上に直接活性化処理を施し、ヒドラジンあるいはホウ
素系還元剤を用いた無電解ニッケルメッキによりニッケ
ル金属箔からなる内部電極を厚み0.1〜0.7μmの範囲で
図４(a)のように形成する。次に、フィルム上にスクリ
ーン印刷により、フェノール系樹脂、ケトン系樹脂また
はブチラール系樹脂からなる、接着層10を形成すること
である。接着層を形成する手段として、第１の実施例に
示したようにマスクフィルムを用い、接着剤を噴霧して
もよい。
【００１６】これをセラミック誘電体層１上に、金型８
を100〜120℃に加熱しながら、50〜700kg／cm2の圧力で
フィルム側から押圧し転写する。その後フィルム３を除
去し、図２に示すセラミックグリーンシートが作製され
る。以降のセラミックグリーンシートの積層からチップ
の完成にいたる製造工程は第１の実施例と同様である。
を100〜120℃に加熱しながら、50〜700kg／cm2の圧力で
フィルム側から押圧し転写する。その後フィルム３を除
去し、図２に示すセラミックグリーンシートが作製され
る。以降のセラミックグリーンシートの積層からチップ
の完成にいたる製造工程は第１の実施例と同様である。
【００１７】第２の実施例では、内部電極となる所定の
部分に接着層を設けたことにより、所定の部分のみを転
写することが可能となり、歩留まりが向上する。本方法
で作製したチップ、および、第１および第２の実施例を
併用して作製したチップとで、内部電極厚み0.2μm、セ
ラミック誘電体層厚み10μm、積層数100層で1.6×1.6×
3.2mm、容量値3.3μＦのチップをそれぞれ100個ずつ作
製し、その容量値のばらつきを比較した。その結果、本
方法で作製したものが±4.8％、第１および第２の実施
例を併用して作製したものが±3.1％であった。このこ
とから明らかなように、本発明は離形処理層を設ける代
わりとして、内部電極となる所定の部分に接着層を設け
ることにより第１の実施例と同様の効果が得られ、さら
に、これらを併用することでさらに容量のばらつきを小
さくすることができる。
部分に接着層を設けたことにより、所定の部分のみを転
写することが可能となり、歩留まりが向上する。本方法
で作製したチップ、および、第１および第２の実施例を
併用して作製したチップとで、内部電極厚み0.2μm、セ
ラミック誘電体層厚み10μm、積層数100層で1.6×1.6×
3.2mm、容量値3.3μＦのチップをそれぞれ100個ずつ作
製し、その容量値のばらつきを比較した。その結果、本
方法で作製したものが±4.8％、第１および第２の実施
例を併用して作製したものが±3.1％であった。このこ
とから明らかなように、本発明は離形処理層を設ける代
わりとして、内部電極となる所定の部分に接着層を設け
ることにより第１の実施例と同様の効果が得られ、さら
に、これらを併用することでさらに容量のばらつきを小
さくすることができる。
【００１８】なお、本実施例ではニッケルを内部電極と
する積層セラミックコンデンサについて示したが、本発
明は、銅，パラジウム，銀，白金，金，あるいはこれら
の合金を内部電極とする積層セラミックコンデンサにつ
いても同様に適用できることは言うまでもない。さら
に、薄膜形成法として本実施例では無電解メッキを上げ
ているが、蒸着およびスパッタリング等の真空系による
薄膜形成法についても同様に適用できることは言うまで
もない。
する積層セラミックコンデンサについて示したが、本発
明は、銅，パラジウム，銀，白金，金，あるいはこれら
の合金を内部電極とする積層セラミックコンデンサにつ
いても同様に適用できることは言うまでもない。さら
に、薄膜形成法として本実施例では無電解メッキを上げ
ているが、蒸着およびスパッタリング等の真空系による
薄膜形成法についても同様に適用できることは言うまで
もない。
【００１９】
【発明の効果】上記実施例からも明らかなように本発明
は、内部電極を薄膜形成法により作製することで、セラ
ミックグリーンシート表面の凸部を激減させることがで
きる。また、フィルム上の所定部分に離形処理層を形成
する、または、セラミックグリーンシート上の所定部分
に接着層を形成することにより、容易に一定面積の内部
電極を得ることができる。よって、高積層化、薄層化を
必要とする大容量積層セラミックコンデンサを、精度良
く且つ歩留まり良く容易に製造することが可能となる効
果を有する。
は、内部電極を薄膜形成法により作製することで、セラ
ミックグリーンシート表面の凸部を激減させることがで
きる。また、フィルム上の所定部分に離形処理層を形成
する、または、セラミックグリーンシート上の所定部分
に接着層を形成することにより、容易に一定面積の内部
電極を得ることができる。よって、高積層化、薄層化を
必要とする大容量積層セラミックコンデンサを、精度良
く且つ歩留まり良く容易に製造することが可能となる効
果を有する。
【図１】本発明の第１の実施例におけるセラミックグリ
ーンシートの作製法を示す図であり、(a)はセラミック
誘電体層を形成したキャリアフィルムの断面図、(b)は
フィルム上にマスクフィルムを重ねた上面図、(c)は離
形処理層が形成された上面図、(d)は内部電極となる金
属箔が形成されたフィルムの断面図、(e)は内部電極の
セラミック誘電体層への転写工程を示す側面図である。
ーンシートの作製法を示す図であり、(a)はセラミック
誘電体層を形成したキャリアフィルムの断面図、(b)は
フィルム上にマスクフィルムを重ねた上面図、(c)は離
形処理層が形成された上面図、(d)は内部電極となる金
属箔が形成されたフィルムの断面図、(e)は内部電極の
セラミック誘電体層への転写工程を示す側面図である。
【図２】本発明におけるセラミックグリーンシートの上
面図である。
面図である。
【図３】本発明の第１および第２の実施例における積層
工程を示す側面図である。
工程を示す側面図である。
【図４】本発明の第２の実施例におけるセラミックグリ
ーンシートの作製法を示す図であり、(a)は内部電極と
なる金属箔が形成されたフィルムの上面図、(b)は内部
電極上に接着層を形成したフィルムの上面図、(c)は内
部電極のセラミック誘電体層への転写工程を示す側面図
である。
ーンシートの作製法を示す図であり、(a)は内部電極と
なる金属箔が形成されたフィルムの上面図、(b)は内部
電極上に接着層を形成したフィルムの上面図、(c)は内
部電極のセラミック誘電体層への転写工程を示す側面図
である。
１…セラミック誘電体層、 ２…キャリアフィルム、
３…フィルム、 ４…マスクフィルム、 ５…孔、 ６
…離形処理層、 ７…内部電極、 ８…金型、９…ヒー
ター、 10…接着層、 11…生セラミックベース、 12
…ベースフィルム。
３…フィルム、 ４…マスクフィルム、 ５…孔、 ６
…離形処理層、 ７…内部電極、 ８…金型、９…ヒー
ター、 10…接着層、 11…生セラミックベース、 12
…ベースフィルム。
フロントページの続き (72)発明者 加藤 純一 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (6)
- 【請求項１】 内部電極となる所定のパターン状に離形
処理を施したフィルム上に薄膜形成法により金属箔を形
成するステップと、キャリアフィルム上にセラミックグ
リーンシートを形成するステップと、前記セラミックグ
リーンシート上に前記金属箔を押圧して離形処理を施し
た部分のみを転写するステップとを有し、さらに、生セ
ラミックからなるベースを準備するステップと、前記ベ
ース上に前記金属箔を転写したグリーンシートを圧着し
て積み重ねるステップを有する積層セラミックコンデン
サの製造方法。 - 【請求項２】 フィルム上に薄膜形成法により金属箔を
形成するステップと、キャリアフィルム上にセラミック
グリーンシートを形成するステップと、前記セラミック
グリーンシート上に内部電極となる所定のパターン状に
接着剤を塗布した後、前記金属箔を押圧して接着剤を塗
布した部分のみを転写するステップとを有し、さらに、
生セラミックからなるベースを準備するステップと、前
記ベース上に前記金属箔を転写したグリーンシートを圧
着して積み重ねるステップを有する積層セラミックコン
デンサの製造方法。 - 【請求項３】 内部電極となる所定のパターン状に離形
処理を施したフィルム上に薄膜形成法により金属箔を形
成するステップと、キャリアフィルム上にセラミックグ
リーンシートを形成するステップと、前記セラミックグ
リーンシート上に内部電極となる所定のパターン状に接
着剤を塗布した後、前記グリーンシート上に前記金属箔
を押圧して離形処理を施した部分のみを転写するステッ
プとを有し、さらに、生セラミックからなるベースを準
備するステップと、前記ベース上に前記金属箔を転写し
たグリーンシートを圧着して積み重ねるステップを有す
る積層セラミックコンデンサの製造方法。 - 【請求項４】 前記金属箔に内部電極となる所定のパタ
ーン状に切り込みを形成し、所定の部分のみを転写す
る、あるいは転写前に不要な部分をはぎ取った後転写す
る請求項１，請求項２または請求項３記載の積層セラミ
ックコンデンサの製造方法。 - 【請求項５】 内部電極となる部分に施す離形処理剤が
シリコン系樹脂またはメラミン系樹脂またはエポキシ系
樹脂からなることを特徴とする請求項１または請求項３
記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。 - 【請求項６】 前記接着層がフェノール系樹脂またはケ
トン系樹脂またはブチラール系樹脂からなることを特徴
とする請求項２または請求項３記載の積層セラミックコ
ンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05020156A JP3097007B2 (ja) | 1993-02-08 | 1993-02-08 | 積層セラミックコンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05020156A JP3097007B2 (ja) | 1993-02-08 | 1993-02-08 | 積層セラミックコンデンサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06232000A true JPH06232000A (ja) | 1994-08-19 |
| JP3097007B2 JP3097007B2 (ja) | 2000-10-10 |
Family
ID=12019302
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05020156A Expired - Fee Related JP3097007B2 (ja) | 1993-02-08 | 1993-02-08 | 積層セラミックコンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3097007B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004061880A1 (ja) * | 2002-12-27 | 2004-07-22 | Tdk Corporation | 積層型電子部品の製造方法 |
| WO2004061879A1 (ja) * | 2002-12-27 | 2004-07-22 | Tdk Corporation | 内部電極を持つ電子部品の製造方法 |
| US6954350B2 (en) | 2002-10-15 | 2005-10-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Ceramic layered product and method for manufacturing the same |
| CN112277493A (zh) * | 2020-10-28 | 2021-01-29 | 中科传感技术(青岛)研究院 | 一种多层压电陶瓷片底面电极转印方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4146467B2 (ja) | 2005-10-31 | 2008-09-10 | 株式会社東芝 | デジタルチューナユニットを実装した電子機器 |
-
1993
- 1993-02-08 JP JP05020156A patent/JP3097007B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6954350B2 (en) | 2002-10-15 | 2005-10-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Ceramic layered product and method for manufacturing the same |
| WO2004061880A1 (ja) * | 2002-12-27 | 2004-07-22 | Tdk Corporation | 積層型電子部品の製造方法 |
| WO2004061879A1 (ja) * | 2002-12-27 | 2004-07-22 | Tdk Corporation | 内部電極を持つ電子部品の製造方法 |
| US7491283B2 (en) | 2002-12-27 | 2009-02-17 | Tdk Corporation | Production method of multilayer electronic device |
| US7517418B2 (en) | 2002-12-27 | 2009-04-14 | Tdk Corporation | Production method of electronic device having internal electrode |
| CN112277493A (zh) * | 2020-10-28 | 2021-01-29 | 中科传感技术(青岛)研究院 | 一种多层压电陶瓷片底面电极转印方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3097007B2 (ja) | 2000-10-10 |
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