JP3709453B2 - セラミックス多層配線基板の製造方法 - Google Patents
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Description
【産業上の利用分野】
本発明はセラミックス多層配線基板の製造方法に関し、より詳細には半導体LSI、チップ部品などが実装され、それらを相互配線するためのセラミックス多層配線基板の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、電子機器はますます小型化、高密度化、高速動作化が進んできており、現在さらなる小型化等の要求がなされている。そして、これらの要求に答えるため、最近ではマルチチップモジュール(MCM)の採用が検討され始めている。MCMは、高密度配線が形成された多層配線基板に、複数のベアチップ(パッケージ化されていない裸のLSI)が実装されたものである。このMCMは配線基板の構成や材料によって、MCM−L、MCM−C、MCM−Dの3つに大別される。
【0003】
MCM−Lはガラス/エポキシ系プリント配線基板を基板として使用するものであり、低コストで生産が可能であるが、貫通ビアホールの存在により配線面積が増大するために高密度化が図れないという問題点を有しており、低速領域(動作周波数が50MHz程度)で使用されている。MCM−Cはセラミックスを基板に使用し、その上に厚膜法により配線層を形成したものであり、中程度のコストで生産が可能であるが、厚膜技術に起因する配線ピッチの限界から高密度化にも限界があり、中速領域(動作周波数が50〜100MHz)で使用されている。MCM−Dは、絶縁層としてポリイミドを使用し、シリコン基板等の半導体上に薄膜工程により高密度配線を形成したものであり、高速領域(動作周波数が100MHzを超えたもの)で使用することができる。しかし、MCM−Dは薄膜形成工程での工程数が他の方法と比較して多く、また薄膜形成装置が高価である等の理由から製造コストが高く付くという問題がある。
【0004】
従って、現在エンジニアリングワークステーション等の民生用の電子機器で実験搭載されているのは、主にMCM−Cである。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
近年、民生用の電子機器に対しても動作周波数が100MHzを超える領域での使用が要求されるようになってきている。しかしながら、前述のようにMCM−Dはコストが高く付くので民生用の電子機器に使用することが難しく、他方MCM−Cは配線ピッチの限界から集積度の向上を図ることができず、高速領域での使用が難しい。すなわち、現在のMCM−Cの配線ルールでは、配線幅が100μm、配線間隔が100μm程度であり、動作周波数が100μmを超える高速領域では、配線幅や配線間隔をさらに微細化する必要がある。
【0006】
通常、MCM−Cとして使用されるセラミックス多層配線基板は、グリーンシート上にスクリーン印刷法により導体パターンを塗布、印刷し、これら導体パターンを有するグリーンシートを積層し、焼成することにより製造しているが、スクリーン印刷に使用するメッシュスクリーンはメッシュ開口率に限界があるため、前記した配線ルールが100μm以下のオーダーのものを印刷しようとすると導体ペーストに印刷不良(にじみ、かすれ等)が発生するという問題があった。また、グリーンシートに導体ペーストを塗布、印刷した後、導体ペーストを乾燥させるために前記グリーンシートを加熱するが、この加熱処理によりグリーンシートが収縮してしまうことがある。このため、導体パターンの寸法精度の低下やグリーンシート積層時の位置ずれが発生するという問題があった。
【0007】
またグリーンシートに形成されたビアホールに導体ペーストを充填する際には、前記グリーンシートをスクリーン印刷機の下地板に載せ、スクリーン印刷法により前記ビアホール内部への導体ペーストの充填を行う。しかし、導体ペースト充填後にグリーンシートを下地板より取りはずす際、ビアホールに充填された導体ペーストが下地板に付着してしまい、ビアホール内部に導体ペーストの充填不良が生じるという問題があった。
【0008】
さらに、導体パターンが形成されたグリーンシートを積層することにより形成された多層積層体を焼成すると体積収縮が発生するが、その際場所による収縮率にばらつきが±0.3%程度発生すること、及びグリーンシート内のセラミックスと導体である金属との収縮率の相違から焼成後の基板に「そり」が発生すること等のため、配線パターンの精度が低下するという問題もあった。
【0009】
そこで、焼成されたセラミックス基板を使用し、このセラミックス基板上に厚膜導体と絶縁体のペーストを交互に印刷し、焼成する方法も試みられているが、この方法では導体ペーストの上に積層される絶縁層に凹凸を生じ、配線層を重ねるにつれ、この凹凸が大きくなるため、精密な配線層を形成することができないという課題があった。
【0010】
本発明はこのような課題に鑑みなされたものであり、積層体に凹凸や反り等がなく、その内部に断線や未充填部が発生せず、多段にわたり微細で精密な配線パターンを形成することが可能なセラミックス多層配線基板の製造方法を提供することを目的としている。
【0012】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明に係るセラミックス多層配線基板の製造方法は、ドライフィルムレジスト上にグリーンシートを形成するグリーンシート形成工程と、該グリーンシートにビアホールを形成するビアホール形成工程と、前記ドライフィルムレジストを上側にして、ビアホールが形成されたグリーンシートをセラミックス基板に圧着する圧着工程と、前記ドライフィルムレジストに導体パターン状の凹部を形成する凹部形成工程と、導体ペーストを該凹部及び前記ビアホールに充填する導体ペースト充填工程と、前記ドライフィルムレジストを消失させる消失工程とを少なくとも1回以上繰り返すことを特徴としている(1)。
【0014】
本発明に係るセラミックス多層配線基板の製造方法(1)について、以下図面に基づいて詳細に説明する。以下、参考例に係るセラミックス多層配線基板の製造方法を第1の製造方法、本発明に係るセラミックス多層配線基板の製造方法(1)を第2の製造方法、別の参考例に係るセラミックス多層配線基板の製造方法を第3の製造方法ともいう。
【0015】
まず、参考例に係る第1の製造方法について説明する。図1(a)〜(i)は第1の製造方法における各製造工程を概略的に示した断面図である。
【0016】
本方法においては、まず圧着工程として、セラミックス基板11上にビアホール12が形成されたグリーンシート14を圧着する(図1(a))。
【0017】
参考例、及び本発明に使用するセラミックス基板11は、配線基板として使用することができるものであれば特に限定されず、その具体例としては、例えばセラミックス基板として通常使用されるアルミナセラミックス基板、ムライトセラミックス基板、ガラスセラミックス基板、窒化アルミニウムセラミックス基板等が挙げられる。セラミックス基板11は、その内部や表面に配線等が形成された基板であってもよい。
【0018】
グリーンシート14は、通常用いられるセラミックス粒子やガラス粒子、例えばアルミナ、ムライト、コージェライト、窒化アルミニウム、窒化珪素、ホウ珪酸ガラス等の粒子60〜70wt%、ブチラール樹脂、アクリル樹脂等の熱可塑性樹脂(バインダ)5〜10wt%、トルエン、キシレン、i−ブタノール、n−ブタノール等の溶剤15〜20wt%及びジオクチルフタレート(DOP)、ジブチルフタレート(DBP)等の可塑剤2〜10wt%等から構成されている。このグリーンシート14は公知の方法により作製することができる。その方法としては、例えば前記組成からなるスラリを調製した後、ポリエステル、ポリエチレン等の柔軟性を有する樹脂製のフィルム基材13の上にドクターブレード法等によりグリーンシート14を形成する方法が挙げられる。グリーンシート14は樹脂製のバインダ及び可塑剤が含まれているので、形状保持性及び柔軟性を有する。このグリーンシート14の厚さは、通常10〜400μm程度である。
【0019】
グリーンシート14へのビアホール12の形成方法としては、通常行われている方法、すなわちパンチング法により貫通孔を形成する方法が挙げられる。なお、パンチングを行う際には、フィルム基材13を剥離せず、フィルム基材13上に存在するグリーンシート14とフィルム基材13とに同時に貫通孔を形成する方法が、グリーンシート14の伸縮が生じないので好ましい。
【0020】
このようにしてビアホール12が形成されたグリーンシート14を、セラミックス基板11に圧着するが、前記圧着の方法は熱圧着法が好ましい。熱圧着の条件としては、加熱温度が80〜120℃、圧力が5〜30kg/cm2 、熱圧着時間が10秒〜1分程度が好ましい。圧着する際に、フィルム基材13とグリーンシート14とは剥離せず、フィルム基材13を付けたまま、フィルム基材13を上側にしてセラミックス基板11に圧着する方法をとるのが、グリーンシート14の伸縮が生じないので好ましく、またゴム板をグリーンシート14の上に載置して圧着する方法が、セラミックス基板11に多少の反り等が存在する場合でもセラミックス基板11を破損する虞れがないので好ましい。
【0021】
圧着する際のグリーンシート14の位置合わせは、例えばセラミックス基板11上に予め複数の位置合わせマーク11aをスクリーン印刷等により形成しておき、他方グリーンシート14には位置合わせのための貫通孔を形成しておき、前記グリーンシート14を圧着する際に、セラミックス基板11上の位置合わせマーク11aがグリーンシート14に形成された貫通孔の中に位置するようにグリーンシート14をセラミックス基板11上に載置し、熱圧着すればよい。
【0022】
この後、フィルム基材13はグリーンシート14より剥離する(図1(b))。剥離性を向上させるために、グリーンシート14を形成する前に、フィルム基材13にシリコンオイルをコーティングしておいてもよい。
【0023】
次に、接着工程として、グリーンシート14上にドライフィルムレジスト15を接着する(図1(c))。
【0024】
ドライフィルムレジスト15としては、公知のネガ型のものを使用することができ、その具体例としては、例えばデュポン社製のリストン、三菱レイヨン社製のダイヤロン等が挙げられる。ドライフィルムレジスト15の厚さは、15〜50μmの範囲が好ましい。ドライフィルムレジスト15の厚さが15μm未満であると後工程において導体ペーストの充填が難しくなり、他方その厚さが50μmを超えると解像度が低下する。ドライフィルムレジスト15の接着方法は、熱圧着法をとるのが好ましい。熱圧着の条件としては、加熱温度80〜110℃、圧力1〜3kg/cm2 が好ましい。
【0025】
次に、凹部形成工程として、ドライフィルムレジスト15に導体パターン状の凹部18を形成する。この場合、ドライフィルムレジスト15の導体パターン以外の部分に紫外線17が露光されるように設計されたフォトマスク16を介して紫外線17を照射し(図1(d))、その後現像処理を施すことにより、セラミックス基板11上に導体パターン状の凹部18を形成する(図1(e))。
【0026】
紫外線17による露光処理の条件は特に限定されないが、露光量は通常20〜50mJ/cm2 が好ましい。前記露光量が20mJ/cm2 未満であると現像によりセラミックス基板11の表面まで達する凹部18を完全に形成することが難しく、他方前記露光量が50mJ/cm2 を超えるとオーバー露光となり、凹部18の断面形状が逆台形になるため好ましくない。
【0027】
前記現像処理の条件も特に限定されるものではなく、通常行われるスプレー法又は浸漬揺動法等の方法により現像処理を施すことができる。現像液は0.1〜1.0wt%の炭酸ナトリウム水溶液が好ましい。
【0028】
次に、導体ペースト充填工程として、導体ペースト19を導体パターン状の凹部18(配線部及びビアカバー部)及びビアホール12に充填する(図1(f))。
【0029】
通常、導体ペースト19は導体粉末、溶剤、及び樹脂(バインダ)より構成される。
前記導体粉末用の材料としては、通常基板等の配線に使用される公知の導体材料を使用することができ、その具体例としては、例えばW、Mo−Mn、Au、Ag、Ag−Pd、Cu、Ni、Pd等が挙げられる。
【0030】
また導体ペースト19用の溶剤としては、例えばテルピネオール、ジブチルフタレート(DBP)等、公知の溶剤が挙げられる。
【0031】
導体ペースト19用のバインダーは、後工程で用いられるフォトレジスト層消失液に溶解しないものである必要がある。これは、ドライフィルムレジスト15に形成された凹部18及びグリーンシート14のビアホール12に導体ペースト19を充填した後、このドライフィルムレジスト15を現像液に接触させて溶解、消失させる工程において、導体ペースト19がフォトレジスト層消失液に溶解しないようにするためである。前記フォトレジスト層消失液は通常水溶液であるので、導体ペースト19に用いられる樹脂は非水溶性の樹脂である必要がある。前記樹脂の具体例としては、例えばエチルセルロース、アクリル樹脂、メタクリル樹脂等が挙げられる。
【0032】
以上の理由から参考例、及び本発明に使用される導体ペースト19としては、例えば前記導体粉末が84〜96wt%、前記アクリル樹脂等の樹脂(バインダ)が2〜6wt%、前記テルピネオール等の溶剤が2〜16wt%の組成からなるものが好ましい。導体ペースト19の調製は3本ロールを使用する方法等、公知の調製方法を用いて調製することができる。
【0033】
なお、焼成後に導体とセラミックス基板11との接着性を高めるために、上記導体粉末に対し、ガラス、SiO2 、TiO2 等の無機結合粉末を1〜10wt添加してもよい。
【0034】
上記した組成の導体ペースト19をドライフィルムレジストの凹部18及びビアホール12に充填するには、スキージを用い、導体ペースト19を凹部18に直接擦り込むように充填する方法をとるのが好ましい。この場合に用いるスキージの材質は、ゴム又はフッ素樹脂が好ましい。凹部18以外のドライフィルムレジスト15の表面に導体ペースト19が多少残存する場合もあるが、この場合は導体ペースト19の付着していないスキージを用いて掻き取ることにより殆ど除去することができ、ドライフィルムレジスト15が傷つくこともない。さらに、前記操作によっても除去できない極薄い導体ペースト19の層が存在する場合は、導体ペースト19を乾燥させた後、ラッピングフィルム(砥粒として粒径1μmのアルミナが被着しているもの)を用いて研磨することにより除去することができる。また、凹部18内及びビアホール12内に導体ペースト19の充填不良が生じた場合には、充填方向を初期の充填方向より90度変えて再度充填すれば、完全に充填することができる。
【0035】
導体ペースト19を充填した後は、乾燥工程として、前記工程を経たセラミックス基板11に加熱処理を施し、導体ペースト19中の溶剤等を揮発させる。加熱処理は、約90〜120℃で10〜20分程度行うのが好ましい。
【0036】
次に、消失工程として、導体ペースト19が充填されたドライフィルムレジスト15をフォトレジスト層消失液で処理して溶解し、ドライフィルムレジスト15を消失させる(図1(g))。前記フォトレジスト層消失液は、ドライフィルムレジスト15を溶解し、かつ導体ペースト19に使用されている樹脂、グリーンシート14に使用されている樹脂及びセラミックス基板11を溶解しない必要がある。このようなフォトレジスト層消失液としては、例えば1〜5wt%の水酸化ナトリウム水溶液、水酸化カリウム水溶液等が挙げられる。前記フォトレジスト層消失液の濃度が1wt%未満では、フォトレジスト層の溶解速度が遅く、他方前記フォトレジスト層消失液の濃度が5wt%を超えるとセラミックス基板11を溶解する虞れがある。前記フォトレジスト層消失液として、フォトレジストメーカーの剥離液を使用してもよい。
【0037】
前記した諸工程を経ることにより、セラミックス基板11上に貼着されたグリーンシート14に導体ペースト乾燥体19’からなる導体パターン(ビア、ビアカバー部、配線部)が形成される。そして、これを焼成処理すれば、グリーンシート14や導体ペースト乾燥体19’中の有機分が分解、消失し、グリーンシート14に含まれているセラミックス粒子等、及び導体ペースト乾燥体19’に含まれている金属導体が焼結して、セラミックス多層配線基板が製造されるが、通常はセラミックス基板11上に複数層のグリーンシート14及び導体ペースト19からなる導体パターン(以下、これらを多層積層体と記す)を形成した後、焼成処理を行う。
【0038】
この場合には、前記圧着工程、前記接着工程、前記凹部形成工程及び前記導体ペースト充填工程、及び前記消失工程を複数回繰り返し、前述した諸工程により導体ペースト乾燥体19からなる導体パターンが形成されたグリーンシート14上に、同様の形状を有するグリーンシート14及び前記導体パターンを複数層積層し、多層積層体を形成する(図1(i))。
【0039】
なお、2回目以降の圧着工程においては、前記導体パターンが形成されたグリーンシート14上に、熱圧着等によりグリーンシート14を貼着する(図1(h))。この熱圧着によりグリーンシート14上の導体パターンが形成されていない部分(溝部)にグリーンシート14が充填されるため、下層のグリーンシート14と上層のグリーンシート14との間に空隙が生じることはない。
【0040】
これらの工程が終了した後、多層積層体が形成されたセラミックスを焼成することにより、セラミックス多層配線基板の製造が完了する。焼成条件は、含まれている導体の種類により異なるが、グリーンシート14や金属導体が焼結してセラミックス基板11にしっかり接着する雰囲気及び温度条件等が好ましい。
【0041】
次に、本発明に係る第2の製造方法(1)について説明する。
本方法においては、前記第1の製造方法においてグリーンシート14を形成する際に用いられたフィルム基材13の代わりに、ドライフィルムレジスト15を用いる。従って、グリーンシート形成工程においては、ドライフィルムレジスト15上にグリーンシート14を形成し、そのままドライフィルムレジスト15の剥離を行わずにセラミックス基板11上にグリーンシート14を圧着する。圧着方法は、前記第1の製造方法と同様でよい。この方法を前記第1の製造方法と比較すると、フィルム基材13をグリーンシート14から剥離する必要がなく、またドライフィルムレジスト15をグリーンシート14に接着する工程を省略することができる。
【0042】
その後は、前記第1の製造方法と同様に凹部形成工程、導体ペースト充填工程及び消失工程を行い、必要であれば前記諸工程を複数回繰り返す。これらの方法については、前記第1の製造方法において詳述したので、ここでは詳細な説明は省略する。
【0043】
次に、別の参考例に係る第3の製造方法について説明する。
図2(a)〜(i)は、前記第3の製造方法における各製造工程を概略的に示した断面図である。なお、(e)の工程以降は前記第1の製造方法と同様であるので、ここではその説明を省略する。
【0044】
前記第3の製造方法においては、まず初めに第1の製造方法と同様に圧着工程を行い(図2(a))、次にフィルム基材13の剥離を行う(図2(b))。
【0045】
次に、フォトレジスト層形成工程として、グリーンシート14に液状のフォトレジストを塗布し、乾燥させてフォトレジスト層25を形成する(図1(c))。
【0046】
前記塗布方法としては、例えばロールコーター法、バーコーター法、ディップ法、ホイラー法(スピンナー法)等が挙げられ、これらの方法によりグリーンシート14上に液状のフォトレジストを塗布した後、セラミックス基板11をオーブンに入れて約87〜90℃で30〜40分程度加熱し、フォトレジストを乾燥、固化させる。この工程によりグリーンシート14に形成されたビアホール12にもフォトレジストが充填され、固化する。次工程の凹部形成工程では、ビアホール12内に充填されたフォトレジストを完全に除去する必要があり、この場合、以下のような理由からネガ型フォトレジストの方が好ましい。すなわち、ネガ型フォトレジストを使用した場合、導体パターン形成部分を未感光部とするため、最適露光量で紫外線露光を行うことができ、現像液による溶解も容易である。他方ポジ型フォトレジストを使用した場合は、導体パターンの部分を感光部としなければならないので、ビアホール12内部まで感光させる必要があり、そのため露光量を大幅に増加させなければならない。従って、正確なパターンニングが難しくなる。ネガ型フォトレジストとしては、東京応化工業(株)製 PMER
N−H600等が挙げられる。
【0047】
次に、前記したように導体パターン部分が未感光部となるように設計されたフォトマスク16を使用して紫外線17による露光処理を行う(図2(d))。 紫外線17による露光量は通常200〜400mJ/cm2 が好ましい。前記露光量が200mJ/cm2 未満であると現像により下の層の表面まで達する凹部18を完全に形成することが難しく、他方前記露光量が400mJ/cm2 を超えるとオーバー露光となり、凹部18の断面形状が逆台形になるため好ましくない。
【0048】
その後は、第1の製造方法と同様の条件で同様の工程を行うことによりセラミックス多層配線基板を製造することができる。
【0050】
【作用】
上記構成のセラミックス多層配線基板の製造方法(1)によれば、ドライフィルムレジスト上にグリーンシートを形成するグリーンシート形成工程と、該グリーンシートにビアホールを形成するビアホール形成工程と、前記ドライフィルムレジストを上側にして、ビアホールが形成されたグリーンシートをセラミックス基板に圧着する圧着工程と、前記ドライフィルムレジストに導体パターン状の凹部を形成する凹部形成工程と、導体ペーストを前記凹部及び前記ビアホールに充填する導体ペースト充填工程と、前記ドライフィルムレジストを消失させる消失工程とを少なくとも1回以上繰り返すので、前記圧着工程、前記接着工程及び前記凹部形成工程によりセラミックス基板に貼着されたグリーンシート上に高精度で微細な導体パターン状の凹部が形成され、前記導体ペースト充填工程によりセラミックス基板に固定されたグリーンシートのビアホールを含む凹部に充填性よく導体ペーストが充填され、消失工程によりドライフィルムレジストが完全に消失してグリーンシート上に導体ペースト乾燥体のみが残留する。また、前記工程を少なくとも1回以上繰り返すが、積層するグリーンシートが柔軟性を有するため、多層積層体に凹凸や未充填部分が生じることはない。また、グリーンシートはセラミックス基板に固定されているため、焼成時に平面方向に収縮することはなく反り等も生じないため、高精度で微細な多層配線パターンを有するセラミックス多層配線基板が製造される他、フィルム基材の剥離工程及びドライフィルムレジストの接着工程を省略することができ、より容易にセラミックス多層配線基板が製造される。
【0052】
【実施例及び比較例】
以下、本発明に係るセラミックス多層配線基板の製造方法の実施例、参考例、及び比較例を説明する。
【0053】
[参考例1]
まず、アルミナセラミックス基板上に、直径50μmのビアホールが形成されたグリーンシートをフィルム基材を付けたまま、所定の位置に熱圧着した。熱圧着の条件は加熱温度100℃、圧力2kg/cm2、加圧保持時間30秒であった。グリーンシートの位置合わせは、アルミナセラミックス基板上にスクリーン印刷により形成した位置合わせマークと、グリーンシートに形成した位置合わせ用の貫通孔部分とが一致するように行った。またグリーンシートの熱圧着時には厚さ2mmのゴム板をフィルム基材の上に載置して圧着を行った。グリーンシートはアルミナ粉末(平均粒径 2μm)60wt%、及びCaO−Al2O3−B2O3−SiO2系のガラス粉末(平均粒径 4.2μm)40wt%からなる混合粉末100重量部に、有機樹脂バインダとしてメタクリル酸エステル樹脂が13重量部、可塑剤としてDOPが5重量部、及び溶剤としてトルエンとキシレン(1:1)が合計で27重量部添加されているものを用いた。前記グリーンシートの厚さは80μmであった。
【0054】
次に、フィルム基材をグリーンシートより剥離し、厚さが33μmのドライフィルムレジスト(デュポン社製 リストン4713)を前記グリーンシート上に加熱温度105℃、圧力2kg/cm2 で積層した。
【0055】
次に、配線ルールが線幅50μm、線間隔50μmの導体パターンが形成されたフォトマスクを介して前記ドライフィルムレジストに露光量が30mJ/cm2 になるように紫外線14による露光処理を施した。
【0056】
次に、1.0wt%の炭酸ナトリウム水溶液よりなる現像液(液温30℃)に前記工程を経たアルミナセラミックス基板を25秒間浸漬し、導体パターン状の凹部をポジ型フォトレジスト層12に形成した。
【0057】
次に、フッ素樹脂製のスキージを用い、導体ペーストを前記凹部に擦り込むようにして充填した。この導体ペーストは、Ag粉末(平均粒径2.0μm):85wt%、アクリル樹脂:4wt%、及びテルピネオール:11wt%から構成されていた。導体ペーストに充填不良が生じた場合には、再度充填処理を施した。
【0058】
その後、前記工程を経たアルミナセラミックス基板をオーブンに入れ、導体ペースト乾燥処理として、100℃で10分間熱処理を施し、溶剤を揮発させると共に、導体ペーストをグリーンシートやアルミナセラミックス基板に結着させた。その後、ラッピングフィルム(メッシュ#4000)を用いてドライフィルムレジストの表面を約10秒間研磨し、余剰の導体ペーストを除去した。この工程で、グリーンシートに形成されたビアホールの内部にも導体ペーストが充填された。
【0059】
次に、前記工程を経たアルミナセラミックス基板を、3wt%の水酸化ナトリウム水溶液からなるフォトレジスト層消失液に1分間浸漬して、残ったドライフィルムレジストを消失させた。この結果、アルミナセラミックス基板には、グリーンシートと導体パターン状の導体ペースト乾燥体が残った。
【0060】
次に、初めと同様に、ビアホールが形成されたグリーンシートをフィルム基材を付けたまま、所定の位置に熱圧着した。前工程でドライフィルムレジストが消失することにより形成された導体ペースト乾燥体間の溝部には、この圧着工程における熱圧着で柔軟性を有するグリーンシートが食い込み、空隙部は形成されなかった。
【0061】
次に、前記した接着工程、凹部形成工程、導体ペースト充填工程、及び消失工程を4回繰り返すことによりセラミックス基板上に多層積層体を形成した。
【0062】
最後に、前記工程を経たアルミナセラミックス基板を、大気中、900℃で10分間焼成することにより、グリーンシート及び導体ペースト乾燥体中の有機分を分解、消失させると共に、グリーンシート及び導体粉末の焼結とアルミナセラミックス基板への接着を行い、セラミックス多層配線基板の製造を完了した。
【0063】
製造されたセラミックス多層配線基板の断面組織を走査型電子顕微鏡(SEM)にて調査したところ、内部には配線幅50μm、配線間隔50μmの配線が形成され、ビアホールの部分も導体層が緻密に形成されていた。また、グリーンシートより形成された絶縁層は各層ともその厚さが均一で、お互いに平行に形成されていることを確認した。さらに、このセラミックス多層配線基板にLSIを実際に実装し、正常に動作することを確認した。
【0064】
[実施例1]
フィルム基材として参考例1で使用したドライフィルムレジストを用い、前記ドライフィルムレジスト上にグリーンシートを形成し、さらにこのグリーンシートに参考例1と同様にしてビアホールを形成した。
【0065】
その後、参考例1と同様に接着工程、凹部形成工程、導体ペースト充填工程、及び消失工程を4回繰り返すことによりセラミックス基板上に多層積層体を形成し、焼成によりセラミックス多層配線基板を製造した。なお、ドライフィルムレジストをフィルム基材として使用しているので、フィルム基材の剥離工程は必要なく、そのまま前記ドライフィルムレジストに導体パターン状の凹部を形成すればよかった。
【0066】
製造されたセラミックス多層配線基板を参考例1と同様にSEM観察し、参考例1と同様の優れた特性を有するセラミックス多層配線基板が形成されていることを確認した。また、このセラミックス多層配線基板にLSIを実際に実装し、正常に動作することを確認した。
【0067】
[参考例2]
ドライフィルムレジストの代わりに液状のフォトレジストを使用し、グリーンシート上にフォトレジスト層を形成した他は、参考例1とほぼ同様にセラミックス多層配線基板を製造した。なお、液状のフォトレジストを使用すると、グリーンシートのビアホールの内部にもフォトレジストが充填されるため、この部分も消失工程において溶解除去する必要がある。従って、消失工程までの工程について、以下に説明する。
【0068】
液状のネガ型フォトレジスト(東京応化工業(株)製 PMER N−H600)をバーコータ(巻線ミルNo.40)を用いて塗布し、70℃で30分間温風乾燥することにより厚さ25μmのフォトレジスト層をグリーンシート上に形成した。前記工程によりグリーンシートに形成されたビアホールの内部にもネガ型フォトレジスト層が形成された。
【0069】
次に、配線ルールが線幅50μm、線間隔50μmの導体パターンが形成されたフォトマスクを介して前記ネガ型フォトレジスト層に露光量が250mJ/cm2 になるように紫外線14による露光処理を施した。
【0070】
次に、1.0wt%の炭酸ナトリウム水溶液よりなる現像液(液温30℃)に前記工程を経たアルミナセラミックス基板を30分間浸漬し、導体パターン状の凹部をネガ型フォトレジスト層に形成した。この工程で、グリーンシートのビアホール内部に形成されていたネガ型フォトレジスト層は完全に除去されたことを、SEMによる断面観察で確認した。この工程の後は、前記したように参考例1と同様の工程を行うことによりセラミックス多層配線基板を製造した。
【0071】
製造されたセラミックス多層配線基板を参考例1と同様にSEM観察し、参考例1と同様の優れた特性を有するセラミックス多層配線基板が形成されていることを確認した。
【0072】
[比較例1]
アルミナセラミックス基板上に参考例1と同様にグリーンシートを圧着した。
【0073】
次に、参考例1で使用した導体ペーストを用い、グリーンシート上にスクリーン印刷法により導体パターンを形成し、参考例1と同様の条件で乾燥を行った。
【0074】
次に、導体ペースト乾燥体からなる導体パターンを有するグリーンシート上に再度グリーンシートを圧着する工程、導体ペーストを印刷する工程を同様に4回繰り返し、アルミナセラミックス基板上に積層体を形成し、参考例1と同様の条件で焼成した。
【0075】
製造されたセラミックス多層配線基板を参考例1と同様にSEM観察したところ、配線が断線している部分、配線間がショートしている部分、及びビアホール内部での導体未充填部分が多数存在することが確認された。
【0077】
【発明の効果】
以上詳述したように本発明に係るセラミックス多層配線基板の製造方法(1)にあっては、ドライフィルムレジスト上にグリーンシートを形成するグリーンシート形成工程と、該グリーンシートにビアホールを形成するビアホール形成工程と、前記ドライフィルムレジストを上側にして、ビアホールが形成されたグリーンシートをセラミックス基板に圧着する圧着工程と、前記ドライフィルムレジストに導体パターン状の凹部を形成する凹部形成工程と、導体ペーストを前記凹部及び前記ビアホールに充填する導体ペースト充填工程と、前記ドライフィルムレジストを消失させる消失工程とを少なくとも1回以上繰り返すので、前記圧着工程、前記接着工程及び前記凹部形成工程によりセラミックス基板に貼着されたグリーンシート上に高精度で微細な導体パターン状の凹部を形成することができ、前記導体ペースト充填工程によりセラミックス基板に固定されたグリーンシートのビアホールを含む凹部に充填性よく導体ペーストを充填することができ、消失工程によりドライフィルムレジストを完全に消失させて導体ペースト乾燥体のみを残留させることができる。また、前記工程を少なくとも1回以上繰り返すが、積層するグリーンシートが柔軟性を有するため、多層積層体の凹凸や未充填部分の発生を防止することができる。また、グリーンシートをセラミックス基板に固定させているため、焼成時のグリーンシートの平面方向への収縮や反り等の発生を防止することができ、その結果高精度で微細な多層配線パターンを有するセラミックス多層配線基板を製造することができる他、フィルム基材の剥離工程及びドライフィルムレジストの接着工程を省略することができ、より容易にセラミックス多層配線基板の製造を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 (a)〜(i)は参考例に係るセラミックス多層配線基板の製造方法(第1の製造方法)における各工程を模式的に示した断面図である。
【図2】 (a)〜(i)は別の参考例に係るセラミックス多層配線基板の製造方法(第3の製造方法)における各工程を模式的に示した断面図である。
Claims (1)
- ドライフィルムレジスト上にグリーンシートを形成するグリーンシート形成工程と、該グリーンシートにビアホールを形成するビアホール形成工程と、前記ドライフィルムレジストを上側にして、ビアホールが形成されたグリーンシートをセラミックス基板に圧着する圧着工程と、前記ドライフィルムレジストに導体パターン状の凹部を形成する凹部形成工程と、導体ペーストを該凹部及び前記ビアホールに充填する導体ペースト充填工程と、前記ドライフィルムレジストを消失させる消失工程とを少なくとも1回以上繰り返すことを特徴とするセラミックス多層配線基板の製造方法。
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