JP5075234B2 - 光学素子、および表示装置 - Google Patents
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Description
表面を有する基体と、
基体の表面に可視光の波長以下の微細ピッチで多数配置された、凸部からなる複数の構造体と
を備え、
構造体を形成する材料の弾性率が、1MPa以上188MPa以下であり、
構造体のアスペクト比が、0.6以上1.5以下であり、
構造体が、頂部の傾きが緩やかで中央部から底部に徐々に急峻な傾きの錐体形状、または放物面状を有し、
構造体の変形により、隣接する構造体同士が接触する、反射防止機能を有する光学素子である。
可視光の波長以下の微細ピッチで多数配置された、凸部からなる複数の構造体を備え、
隣り合う構造体の下部同士が接合されており、
構造体を形成する材料の弾性率が、1MPa以上188MPa以下であり、
構造体のアスペクト比が、0.6以上1.5以下であり、
構造体が、頂部の傾きが緩やかで中央部から底部に徐々に急峻な傾きの錐体形状、または放物面状を有し、
構造体の変形により、隣接する構造体同士が接触する、反射防止機能を有する光学素子である。
表面を有する基体と、
基体の表面に可視光の波長以下の微細ピッチで多数配置された、凸部からなる複数の構造体と
を備え、
構造体を形成する材料の弾性率が、1MPa以上188MPa以下であり、
構造体のアスペクト比が、0.2以上5以下であり、
構造体が、頂部の傾きが緩やかで中央部から底部に徐々に急峻な傾きの錐体形状、または放物面状を有し、
構造体の変形により、隣接する構造体同士が接触する、反射防止機能を有する光学素子である。
第4の発明は、
可視光の波長以下の微細ピッチで多数配置された、凸部からなる複数の構造体を備え、
隣り合う構造体の下部同士が接合されており、
構造体を形成する材料の弾性率が、1MPa以上188MPa以下であり、
構造体のアスペクト比が、0.2以上5以下であり、
構造体が、頂部の傾きが緩やかで中央部から底部に徐々に急峻な傾きの錐体形状、または放物面状を有し、
構造体の変形により、隣接する構造体同士が接触する、反射防止機能を有する光学素子である。
例えば、構造体が直線上に配置されている場合には、準四方格子とは、正四角形状の格子を直線状の配列方向(トラック方向)に引き伸ばして歪ませた四方格子のことをいう。構造体が蛇行して配列されている場合には、準四方格子とは、正四角形状の格子を構造体の蛇行配列により歪ませた四方格子をいう。または、正四角形状の格子を直線状の配列方向(トラック方向)に引き伸ばして歪ませ、かつ、構造体の蛇行配列により歪ませた四方格子のことをいう。
例えば、構造体が直線上に配置されている場合には、準六方格子とは、正六角形状の格子を直線状の配列方向(トラック方向)に引き伸ばして歪ませた六方格子のことをいう。構造体が蛇行して配列されている場合には、準六方格子とは、正六角形状の格子を構造体の蛇行配列により歪ませた六方格子をいう。または、正六角形状の格子を直線状の配列方向(トラック方向)に引き伸ばして歪ませ、かつ、構造体の蛇行配列により歪ませた六方格子のことをいう。
1.第1の実施形態(直線状でかつ六方格子状に構造体を2次元配列した例:図1参照)
2.第2の実施形態(直線状でかつ四方格子状に構造体を2次元配列した例:図15参照)
3.第3の実施形態(円弧状でかつ六方格子状に構造体を2次元配列した例:図18参照)
4.第4の実施形態(構造体を蛇行させて配列した例:図21参照)
5.第5の実施形態(凹形状の構造体を基体表面に形成した例:図22参照)
6.第6の実施形態(表面処理層を設けた例:図24参照)
7.第7の実施形態(基体レスの光学素子の例:図29参照)
8.第8の実施形態(表示装置に対する第1の適用例:図25参照)
9.第9の実施形態(表示装置に対する第2の適用例:図26参照)
10.第10の実施形態(基体および構造体の両方が柔軟性を有している例)
[光学素子の構成]
図1Aは、本発明の第1の実施形態に係る光学素子の構成の一例を示す概略平面図である。図1Bは、第1Aに示した光学素子の一部を拡大して表す平面図である。図1Cは、図1BのトラックT1、T3、・・・における断面図である。図1Dは、図1BのトラックT2、T4、・・・における断面図である。図1Eは、図1BのトラックT1、T3、・・・に対応する潜像形成に用いられるレーザー光の変調波形を示す略線図である。図1Fは、図1BのトラックT2、T4、・・・に対応する潜像形成に用いられるレーザー光の変調波形を示す略線図である。図2、図4〜図6は、図1Aに示した光学素子1の一部を拡大して表す斜視図である。図3Aは、図1Aに示した光学素子のトラックの延在方向(X方向(以下、適宜トラック方向ともいう))の断面図である。図3Bは、図1Aに示した光学素子のθ方向の断面図である。
以下、光学素子1に備えられる基体2、および構造体3について順次説明する。
基体2は、例えば、透明性を有する透明基体である。基体2の材料としては、例えば、ポリカーボネート(PC)やポリエチレンテレフタレート(PET)などの透明性合成樹脂、ガラスなどを主成分とするものが挙げられるが、これらの材料に特に限定されるものではない。基体2の形状としては、例えば、シート状、プレート状、ブロック状を挙げることができるが、特にこれらの形状に限定されるものではない。ここで、シートにはフィルムが含まれるものと定義する。基体2の形状は、カメラなどの光学機器などにおいて、所定の反射防止機能が必要とされる部分の形状などに合わせて適宜選択することが好ましい。
基体2の表面には、凸部である構造体3が多数配列されている。この構造体3は、反射の低減を目的とする光の波長帯域以下の短い配置ピッチ、例えば可視光の波長と同程度の配置ピッチで周期的に2次元配置されている。ここで、配置ピッチとは、配置ピッチP1および配置ピッチP2を意味する。反射の低減を目的とする光の波長帯域は、例えば、紫外光の波長帯域、可視光の波長帯域または赤外光の波長帯域である。ここで、紫外光の波長帯域とは10nm〜360nmの波長帯域、可視光の波長帯域とは360nm〜830nmの波長帯域、赤外光の波長帯域とは830nm〜1mmの波長帯域をいう。具体的には、配置ピッチは、175nm以上350nm以下であることが好ましい。配置ピッチが175nm未満であると、構造体3の作製が困難となる傾向がある。一方、配置ピッチが350nmを超えると、可視光の回折が生じる傾向がある。
また、構造体3のアスペクト比は、反射特性をより向上させる観点からすると、0.94〜1.46の範囲に設定することが好ましい。また、構造体3のアスペクト比は、透過特性をより向上させる観点からすると、0.81〜1.28の範囲に設定することが好ましい。
アスペクト比=H/P・・・(1)
但し、H:構造体の高さ、P:平均配置ピッチ(平均周期)
ここで、平均配置ピッチPは以下の式(2)により定義される。
平均配置ピッチP=(P1+P2+P2)/3 ・・・(2)
但し、P1:トラックの延在方向の配置ピッチ(トラック延在方向周期)、P2:トラックの延在方向に対して±θ方向(但し、θ=60°−δ、ここで、δは、好ましくは0°<δ≦11°、より好ましくは3°≦δ≦6°)の配置ピッチ(θ方向周期)
まず、光学素子1の表面を走査型電子顕微鏡(SEM:Scanning Electron Microscope)を用いてTop Viewで撮影する。次に、撮影したSEM写真から無作為に単位格子Ucを選び出し、その単位格子Ucの配置ピッチP1、およびトラックピッチTpを測定する(図1B参照)。また、その単位格子Ucの中央に位置する構造体3の底面の面積Sを画像処理により測定する。次に、測定した配置ピッチP1、トラックピッチTp、および底面の面積Sを用いて、以下の式(3)より充填率を求める。
充填率=(S(hex.)/S(unit))×100 ・・・(3)
単位格子面積:S(unit)=P1×2Tp
単位格子内に存在する構造体の底面の面積:S(hex.)=2S
図10は、上述の構成を有する光学素子を作製するためのロールマスタの構成の一例を示す。図10に示すように、ロールマスタ11は、例えば、原盤12の表面に凹部である構造体13が可視光などの光の波長と同程度のピッチで多数配置された構成を有している。原盤12は、円柱状または円筒状の形状を有する。原盤12の材料は、例えばガラスを用いることができるが、この材料に特に限定されるものではない。後述するロール原盤露光装置を用い、2次元パターンが空間的にリンクし、1トラック毎に極性反転フォマッター信号と記録装置の回転コントロラーを同期させ信号を発生し、CAVで適切な送りピッチでパターニングする。これにより、六方格子パターンまたは準六方格子パターンを記録することができる。極性反転フォマッター信号の周波数とロールの回転数を適切に設定することにより、所望の記録領域に空間周波数が一様な格子パターンを形成する。
次に、図11〜図13を参照しながら、以上のように構成される光学素子1の製造方法について説明する。
まず、図11を参照して、モスアイパターンの露光工程に用いるロール原盤露光装置の構成について説明する。このロール原盤露光装置は、光学ディスク記録装置をベースとして構成されている。
まず、図12Aに示すように、円柱状の原盤12を準備する。この原盤12は、例えばガラス原盤である。次に、図12Bに示すように、原盤12の表面にレジスト層14を形成する。レジスト層14の材料としては、例えば有機系レジスト、および無機系レジストのいずれを用いてもよい。有機系レジストとしては、例えばノボラック系レジストや化学増幅型レジストを用いることができる。
次に、図12Cに示すように、上述したロール原盤露光装置を用いて、原盤12を回転させると共に、レーザー光(露光ビーム)15をレジスト層14に照射する。このとき、レーザー光15を原盤12の高さ方向(円柱状または円筒状の原盤12の中心軸に平行な方向)に移動させながら、レーザー光15を間欠的に照射することで、レジスト層14を全面にわたって露光する。これにより、レーザー光15の軌跡に応じた潜像16が、可視光波長と同程度のピッチでレジスト層14の全面にわたって形成される。
次に、原盤12を回転させながら、レジスト層14上に現像液を滴下して、図13Aに示すように、レジスト層14を現像処理する。図示するように、レジスト層14をポジ型のレジストにより形成した場合には、レーザー光15で露光した露光部は、非露光部と比較して現像液に対する溶解速度が増すので、潜像(露光部)16に応じたパターンがレジスト層14に形成される。
次に、原盤12の上に形成されたレジスト層14のパターン(レジストパターン)をマスクとして、原盤12の表面をエッチング処理する。これにより、図13Bに示すように、トラックの延在方向に長軸方向をもつ楕円錐形状または楕円錐台形状の凹部、すなわち構造体13を得ることができる。エッチング方法は、例えばドライエッチングによって行われる。このとき、エッチング処理とアッシング処理を交互に行うことにより、例えば、錐体状の構造体13のパターンを形成することができる。また、レジスト層14の3倍以上の深さ(選択比3以上)のガラスマスターを作製でき、構造体3の高アスペクト比化を図ることができる。
次に、例えば、ロールマスタ11と転写材料を塗布したシートなどの基体2を密着させ、紫外線を照射し硬化させながら剥離する。これにより、図13Cに示すように、凸部である複数の構造体が基体2の第1の主面に形成され、モスアイ紫外線硬化複製シートなどの光学素子1が作製される。
単官能モノマーとしては、例えば、カルボン酸類(アクリル酸)、ヒドロキシ類(2−ヒドロキシエチルアクリレート、2−ヒドロキシプロピルアクリレート、4−ヒドロキシブチルアクリレート)、アルキル、脂環類(イソブチルアクリレート、t−ブチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、ラウリルアクリレート、ステアリルアクリレート、イソボニルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート)、その他機能性モノマー(2−メトキシエチルアクリレート、メトキシエチレングリコールアクリレート、2−エトキシエチルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、ベンジルアクリレート、エチルカルビトールアクリレート、フェノキシエチルアクリレート、N,N-ジメチルアミノエチルアクリレート、N,N-ジメチルアミノプロピルアクリルアミド、N,N−ジメチルアクリルアミド、アクリロイルモルホリン、N−イソプロピルアクリルアミド、N,N−ジエチルアクリルアミド、N−ビニルピロリドン、2−(パーフルオロオクチル)エチル アクリレート、3−パーフルオロヘキシル−2−ヒドロキシプロピルアクリレート、3−パーフルオロオクチルー2−ヒドロキシプロピル アクリレート、2−(パーフルオロデシル)エチル アクリレート、2−(パーフルオロー3−メチルブチル)エチル アクリレート)、2,4,6−トリブロモフェノールアクリレート、2,4,6−トリブロモフェノールメタクリレート、2−(2,4,6−トリブロモフェノキシ)エチルアクリレート)、2−エチルヘキシルアクリレートなどを挙げることができる。
[光学素子の構成]
図15Aは、本発明の第2の実施形態に係る光学素子の構成の一例を示す概略平面図である。図15Bは、図15Aに示した光学素子の一部を拡大して表す平面図である。図15Cは、図15BのトラックT1、T3、・・・における断面図である。図15Dは、図15BのトラックT2、T4、・・・における断面図である。図15Eは、図15BのトラックT1、T3、・・・に対応する潜像形成に用いられるレーザー光の変調波形を示す略線図である。図15Fは、図15BのトラックT2、T4、・・・に対応する潜像形成に用いられるレーザー光の変調波形を示す略線図である。
まず、光学素子1の表面を走査型電子顕微鏡(SEM:Scanning Electron Microscope)を用いてTop Viewで撮影する。次に、撮影したSEM写真から無作為に単位格子Ucを選び出し、その単位格子Ucの配置ピッチP1、およびトラックピッチTpを測定する(図15B参照)。また、その単位格子Ucに含まれる4つの構造体3のいずれかの底面の面積Sを画像処理により測定する。次に、測定した配置ピッチP1、トラックピッチTp、および底面の面積Sを用いて、以下の式(4)より充填率を求める。
充填率=(S(tetra)/S(unit))×100 ・・・(2)
単位格子面積:S(unit)=2×((P1×Tp)×(1/2))=P1×Tp
単位格子内に存在する構造体の底面の面積:S(tetra)=S
ロール原盤露光装置を用い、2次元パターンが空間的にリンクし、1トラック毎に極性反転フォマッター信号と記録装置の回転コントロラーを同期させ信号を発生し、CAVで適切な送りピッチでパターニングする。これにより、四方格子パターン、または準四方格子パターンを記録することができる。極性反転フォマッター信号の周波数とロールの回転数を適切に設定することにより、所望の記録領域に空間周波数が一様な格子パターンをレーザー光の照射により原盤12上のレジストに形成することが好ましい。
[光学素子の構成]
図18Aは、本発明の第3の実施形態に係る光学素子の構成の一例を示す概略平面図である。図18Bは、図18Aに示した光学素子の一部を拡大して表す平面図である。図18Cは、図18BのトラックT1、T3、・・・における断面図である。図18Dは、図18BのトラックT2、T4、・・・における断面図である。
上述した以外の光学素子1の構成は、第1の実施形態と同様であるので説明を省略する。
図19A、図19Bは、上述の構成を有する光学素子を作製するためのディスクマスタの構成の一例を示す。図19A、図19Bに示すように、ディスクマスタ41は、円盤状の原盤42の表面に凹部である構造体43が多数配列された構成を有している。この構造体43は、光学素子1の使用環境下の光の波長帯域以下、例えば可視光の波長と同程度のピッチで周期的に2次元配列されている。構造体43は、例えば、同心円状またはスパイラル状のトラック上に配置されている。
上述した以外のディスクマスタ41の構成は、第1の実施形態のロールマスタ11と同様であるので説明を省略する。
まず、図20を参照して、上述した構成を有するディスクマスタ41を作製するための露光装置について説明する。
まず、上述した構成を有する露光装置を用いて、円盤状の原盤上に形成されたレジスト層を露光する以外は、第1の実施形態と同様にしてディスクマスタ41を作製する。次に、このディスクマスタ41と、紫外線硬化樹脂を塗布したアクリルシートなどの基体2とを密着させ、紫外線を照射し紫外線硬化樹脂を硬化させた後、ディスクマスタ41から基体2を剥離する。これにより、複数の構造体3が表面に配列された円盤状の光学素子1が得られる。次に、この円盤状の光学素子1から、矩形状などの所定形状の光学素子1を切り出す。これにより、目的とする光学素子1が作製される。
図21Aは、本発明の第4の実施形態に係る光学素子の構成の一例を示す概略平面図である。図21Bは、図21Aに示した光学素子の一部を拡大して表す平面図である。
この第4の実施形態において、上記以外のことは、第1の実施形態と同様である。
図22Aは、本発明の第5の実施形態に係る光学素子の構成の一例を示す概略平面図である。図22Bは、図22Aに示した光学素子の一部を拡大して表す平面図である。図22Cは、図22BのトラックT1、T3、・・・における断面図である。図22Dは、図22BのトラックT2、T4、・・・における断面図である。図23は、図22Aに示した光学素子の一部を拡大して表す斜視図である。
この第5の実施形態では、第1の実施形態における凸形状の構造体3の形状を反転して凹形状としているので、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。
これらの物質を構造体表面に含ませることは、指紋が拭き取れるかどうかには影響しないものの、指紋付着後の指紋濡れ広がりを抑制できる。そのため、弾性率とアスペクト比を一定の範囲に保ち、なおかつオレイン酸の接触角を高くすることで、防汚性に優れた反射防止構造体3とすることができる。
シリコーン系化合物としては、シリコーンオイル、シリコーン界面活性剤などが挙げられる。シリコーンオイルは、ケイ素原子に結合した有機基の種類によって、ストレートシリコーンオイルと変性シリコーンオイルに大別できる。
フッ素含有化合物としては、フッ素系樹脂が挙げられる。フッ素系樹脂としては、例えば、パ−フルオロポリエーテル基またはフルオロアルキル基を持つアルコキシシラン化合物などが挙げられる。
表面処理層を形成する方法としては、シリコン系化合物、フッ素含有化合物を溶剤に溶解させた溶液をグラビアコーター、ディッピング法、スピンコート法、または噴霧により塗布する方法、シリコン系化合物、フッ素含有化合物を溶剤に溶解させた溶液を擦り付けて塗布した後乾燥する方法などが挙げられる。また、LB法、PVD法、CVD法、自己組織化法、スパッタ法などが挙げられる。また、シリコーン系化合物、フッ素化合物を紫外線硬化樹脂と混合して塗布した後、UV照射して硬化する方法などが挙げられる。
図29は、第7の実施形態に係る光学素子の構成の一例を示す。図29に示すように、この光学素子1は、基体2を備えていない点において、第1の実施形態とは異なっている。光学素子1は、可視光の波長以下の微細ピッチで多数配置された、凸部からなる複数の構造体3を備え、隣り合う構造体の下部同士が接合されている。下部同士が接合された複数の構造体が、全体として網目状を有していてもよい。
[液晶表示装置の構成]
図25は、本発明の第8の実施形態に係る液晶表示装置の構成の一例を示す。図25に示すように、この液晶表示装置は、光を出射するバックライト53と、バックライト53から出射された光を時間的空間的に変調して画像を表示する液晶パネル51とを備える。液晶パネル51の両面にはそれぞれ、光学部品である偏光子51a、51bが設けられている。液晶パネル51の表示面側に設けられた偏光子51bには、光学素子1が設けられている。ここでは、光学素子1が一主面に設けられた偏光子51bを反射防止機能付き偏光子52と称する。この反射防止機能付き偏光子52は、反射防止機能付き光学部品の一例である。
バックライト53としては、例えば直下型バックライト、エッジ型バックライト、平面光源型バックライトを用いることができる。バックライト53は、例えば、光源、反射板、光学フィルムなどを備える。光源としては、例えば、冷陰極蛍光管(Cold Cathode Fluorescent Lamp:CCFL)、熱陰極蛍光管(Hot Cathode Fluorescent Lamp:HCFL)、有機エレクトロルミネッセンス(Organic ElectroLuminescence:OEL)、無機エレクトロルミネッセンス(IEL:Inorganic ElectroLuminescence)および発光ダイオード(Light Emitting Diode:LED)などが用いられる。
液晶パネル51としては、例えば、ツイステッドネマチック(Twisted Nematic:TN)モード、スーパーツイステッドネマチック(Super Twisted Nematic:STN)モード、垂直配向(Vertically Aligned:VA)モード、水平配列(In-Plane Switching:IPS)モード、光学補償ベンド配向(Optically Compensated Birefringence:OCB)モード、強誘電性(Ferroelectric Liquid Crystal:FLC)モード、高分子分散型液晶(Polymer Dispersed Liquid Crystal:PDLC)モード、相転移型ゲスト・ホスト(Phase Change Guest Host:PCGH)モードなどの表示モードのものを用いることができる。
液晶パネル51の両面には、例えば偏光子51a、51bがその透過軸が互いに直交するようにして設けられる。偏光子51a、51bは、入射する光のうち直交する偏光成分の一方のみを通過させ、他方を吸収により遮へいするものである。偏光子51a、51bとしては、例えば、ポリビニルアルコール系フィルム、部分ホルマール化ポリビニルアルコール系フィルム、エチレン・酢酸ビニル共重合体系部分ケン化フィルムなどの親水性高分子フィルムに、ヨウ素や二色性染料などの二色性物質を吸着させて一軸延伸させたものを用いることができる。偏光子51a、51bの両面には、トリアセチルセルロース(TAC)フィルムなどの保護層を設けることが好ましい。このように保護層を設ける場合、光学素子1の基体2が保護層を兼ねる構成とすることが好ましい。このような構成とすることで、反射防止機能付き偏光子52を薄型化できるからである。
光学素子1は、上述の第1〜第4の実施形態のいずれかのものと同様であるので説明を省略する。
[液晶表示装置の構成]
図26は、本発明の第9の実施形態に係る液晶表示装置の構成の一例を示す。この液晶表示装置は、液晶パネル51の前面側に前面部材54を備え、液晶パネル51の前面、前面部材54の前面および裏面の少なくとも1つの面に、光学素子1を備える点において、第8の実施形態のものとは異なっている。図26では、液晶パネル51の前面、ならびに前面部材54の前面および裏面のすべての面に、光学素子1を備える例が示されている。液晶パネル51と前面部材54との間には、例えば空気層が形成されている。上述の第8の実施形態と同様の部分には同一の符号を付して説明を省略する。なお、本発明において、前面とは表示面となる側の面、すなわち観察者側となる面を示し、裏面とは表示面と反対となる側の面を示す。
第10の実施形態に係る光学素子1は、基体2および構造体3の両方が柔軟性を有している点において、第1の実施形態とは異なっている。構造体3を形成する材料の弾性率は、第1の実施形態において説明したように、1MPa以上1200MPa以下である。基体2は、例えば単層構造または2層以上の多層構造を有している。
まず、外径126mmのガラスロール原盤を準備し、このガラス原盤の表面に以下のようにしてレジストを着膜した。すなわち、シンナーでフォトレジストを1/10に希釈し、この希釈レジストをディップによりガラスロール原盤の円柱面上に厚さ130nm程度に塗布することにより、レジストを着膜した。次に、記録媒体としてのガラス原盤を、図11に示したロール原盤露光装置に搬送し、レジストを露光することにより、1つの螺旋状に連なるとともに、隣接する3列のトラック間において準六方格子パターンをなす潜像がレジストにパターニングされた。
ポリエステルアクリレートオリゴマー 80質量部
(サートマー社製、商品名CN2271E)
低粘度モノアクリレートオリゴマー 20質量部
(サートマー社製、商品名CN152)
光重合開始剤 4wt%
(チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製、商品名DAROCUR1173)
1トラック毎に極性反転フォマッター信号の周波数と、ロールの回転数と、適切な送りピッチとを調整して、レジスト層をパターニングすることにより、サンプル1−1とピッチおよびアスペクト比が異なる準六方格子パターンをレジスト層に記録した。これ以外のことは、サンプル1−1と同様にしてサンプル1−2の光学素子を作製した。
1トラック毎に極性反転フォマッター信号の周波数と、ロールの回転数と、適切な送りピッチとを調整して、レジスト層をパターニングすることにより、サンプル1−1とピッチおよびアスペクト比が異なる準六方格子パターンをレジスト層に記録した。これ以外のことは、サンプル1−1と同様にして光学素子を作製した。
下記の組成を有する紫外線硬化樹脂組成物を用いた点以外は、サンプル1−1〜サンプル1−3のそれぞれと同様にして、サンプル2−1〜サンプル2−3の光学素子を作製した。
ポリエステルアクリレートオリゴマー 30質量部
(サートマー社製、商品名CN2271E)
2官能アクリレート 70質量部
(大阪有機化学工業株式会社製、商品名ビスコート310HP)
光重合開始剤 4wt%
(チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製、商品名DAROCUR1173)
下記の組成を有する紫外線硬化樹脂組成物を用いた点以外は、サンプル1−1〜サンプル1−3のそれぞれと同様にして、サンプル3−1〜サンプル3−3の光学素子を作製した。
ポリエステルアクリレートオリゴマー 15質量部
(サートマー社製、商品名CN2271E)
2官能アクリレート 85質量部
(大阪有機化学工業株式会社製、商品名ビスコート310HP)
光重合開始剤 4wt%
(チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製、商品名DAROCUR1173)
下記の組成を有する紫外線硬化樹脂組成物を用いた点以外は、サンプル1−1〜サンプル1−3のそれぞれと同様にして、サンプル4−1〜サンプル4−3の光学素子を作製した。
ポリエステルアクリレートオリゴマー 5質量部
(サートマー社製、商品名CN2271E)
2官能アクリレート 95質量部
(大阪有機化学工業株式会社製、商品名ビスコート310HP)
光重合開始剤 4wt%
(チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製、商品名DAROCUR1173)
下記の組成を有する紫外線硬化樹脂組成物を用いた点以外は、サンプル1−1〜サンプル1−3のそれぞれと同様にして、サンプル5−1〜サンプル5−3の光学素子を作製した。
2官能アクリレート 80質量部
(大阪有機化学工業株式会社製、商品名ビスコート310HP)
5官能ウレタンアクリレート 20質量部
(共栄社化学株式会社製、商品名UA510H)
光重合開始剤 4wt%
(チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製、商品名DAROCUR1173)
光学素子のモスアイパターンが形成された面に、フッ素処理をする工程を省略する点以外は、サンプル1−1〜サンプル1−3のそれぞれと同様にして、サンプル6−1〜サンプル6−3の光学素子を作製した。
作製したサンプル1−1〜サンプル6−3の光学素子について、原子間力顕微鏡(AFM:Atomic Force Microscope)により観察を行った。そして、AFMの断面プロファイルから各サンプルの構造体のピッチとアスペクト比を求めた。その結果を表1に示す。
接触角計(協和界面化学社製 製品名CA−XE型)で、光学素子のモスアイパターン形成側の面の接触角を測定した。接触角を測定する液体には、オレイン酸を用いた。
光学素子のモスアイパターンの形成側の面に指紋を付着した後、コットンシーガル(千代田製紙(株)製)を用いて、18kPa程度の圧力で5秒間、10往復の乾拭きを行った。拭き取り性の評価は、指紋を付着させる前と乾拭きした後での反射率を比較することにより行い、反射率が指紋を付着させる前と乾拭きした後で同一の値であった場合を乾拭き可能とみなした。なお、表1では、乾拭き可能を○と表記し、乾拭き不可能を×と表記する。反射率は、評価装置(日本分光社製 商品名V−550)を用いて、波長532nmの可視光の反射率を測定した。その結果を表1に示す。
(引っ張り試験機による測定)
光学素子の作製に用いた紫外線硬化樹脂組成物と同様の材料で平坦膜を作製し(UV硬化)、幅14mm長さ50mm厚さ約200μmの形状のフィルム試料に切り出して使用した。このフィルム試料の弾性率を、JIS K7127に則って、引っ張り試験機(株式会社島津製作所製 製品名AG-X)を用いて測定した。その結果を表1に示す。
表1に示すように、サンプル5−1〜サンプル5−3では、拭き取り性評価において、乾拭きが不可能であった。これは、光学素子の弾性率が、5MPa〜1200MPaから外れているからである。
また、サンプル1−1〜サンプル1−3と、サンプル6−1〜サンプル6−3との比較によれば、サンプル1−1〜サンプル1−3では、拭き取り性評価において、コットンシーガルがすべりやすく、指紋が拭き取りやすかった。一方、サンプル6−1〜サンプル6−3では、コットンシーガルがすべりにくく、指紋がつくと、指紋がついた場所よりも大きく染み広がった。これは、サンプル1−1〜サンプル1−3では、光学素子のモスアイパターン形成面にフッ素コートを行っており、サンプル6−1〜サンプル6−3では、フッ素コートを行っていないからである。
図27Aは、構造体を六方格子状に配列したときの充填率を説明するための図である。図27Aに示すにように、構造体を六方格子状に配列した場合において、比率((2r/P1)×100)(但し、P1:同一トラック内における構造体の配置ピッチ、r:構造体底面の半径)を変化させたときの充填率を以下の式(2)により求めた。
充填率=(S(hex.)/S(unit))×100 ・・・(2)
単位格子面積:S(unit)=2r×(2√3)r
単位格子内に存在する構造体の底面の面積:S(hex.)=2×πr2
(但し、2r>P1のときは作図上から求める。)
S(unit)=6.9282
S(hex.)=6.28319
(2r/P1)×100=100.0%
充填率=(S(hex.)/S(unit))×100=90.7%
図27Bは、構造体を四方格子状に配列したときの充填率を説明するための図である。図27Bに示すにように、構造体を四方格子状に配列した場合において、比率((2r/P1)×100)、比率((2r/P2)×100)、(但し、P1:同一トラック内における構造体の配置ピッチ、P2:トラックに対して45度方向の配置ピッチ、r:構造体底面の半径)を変化させたときの充填率を以下の式(3)により求めた。
充填率=(S(tetra)/S(unit))×100 ・・・(3)
単位格子面積:S(unit)=2r×2r
単位格子内に存在する構造体の底面の面積:S(tetra)=πr2
(但し、2r>P1のときは作図上から求める。)
S(unit)=4
S(tetra)=3.14159
(2r/P1)×100=141.4%
(2r/P2)×100=100.0%
充填率=(S(tetra)/S(unit))×100=78.5%
また、四方格子の配置ピッチP1とP2との関係はP1=√2×P2となる。
配置ピッチP1に対する構造体底面の直径2rの比率((2r/P1)×100)を80%、85%、90%、95%、99%の大きさにして、以下の条件で反射率をシミュレーションにより求めた。その結果のグラフを図28に示す。
構造体形状:釣鐘型
偏光:無偏光
屈折率:1.48
配置ピッチP1:320nm
構造体の高さ:415nm
アスペクト比:1.30
構造体の配列:六方格子
光学素子を切断し、その断面を走査型電子顕微鏡(SEM:scanning electron microscope)にて撮影し、撮影したSEM写真から、基体、基材または基底層の厚さを測定した。
JIS K7311に規定されたダンベル状試験片(有効試料幅5mm)を作製し、株式会社 島津製作所製 精密万能試験機オートグラフAG-5kNXで測定した。上記試料を得られない小型試料場合は、微小硬度計、例えばFischer インストルメンツ PICODENTOR HM500を用いて測定することも可能である。また、さらに小型の場合はAFMによる測定も可能である(共立出版株式会社発行、高分子ナノ材料P.81-P.111参照)。
まず、外径126mmのガラスロール原盤を準備し、このガラス原盤の表面に以下のようにしてレジストを着膜した。すなわち、シンナーでフォトレジストを1/10に希釈し、この希釈レジストをディップによりガラスロール原盤の円柱面上に厚さ130nm程度に塗布することにより、レジストを着膜した。次に、記録媒体としてのガラス原盤を、図11に示したロール原盤露光装置に搬送し、レジストを露光することにより、1つの螺旋状に連なるとともに、隣接する3列のトラック間において準六方格子パターンをなす潜像がレジストにパターニングされた。
ポリエステルアクリレートオリゴマー 80質量部
(サートマー社製、商品名CN2271E)
低粘度モノアクリレートオリゴマー 20質量部
(サートマー社製、商品名CN152)
光重合開始剤 4質量%
(チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製、商品名DAROCUR1173)
構造体の配列:準六方格子
高さ:250
ピッチ:250
アスペクト比:1
ウレタンフィルムの塗布面に対するモスアイガラスロールマスタの圧力を調整することにより、構造体とウレタンフィルムとの間に厚さ60μmの基底層を形成した以外は、サンプル7−1と同様にして、サンプル7−2の光学素子を作製した。
ウレタンフィルムの塗布面に対するモスアイガラスロールマスタの圧力を調整することにより、構造体とウレタンフィルムとの間に厚さ120μmの基底層を形成した以外は、サンプル7−1と同様にして、サンプル7−3の光学素子を作製した。
ウレタンフィルムの塗布面に対するモスアイガラスロールマスタの圧力を調整することにより、構造体とウレタンフィルムとの間に厚さ150μmの基底層を形成した以外は、サンプル7−1と同様にして、サンプル7−4の光学素子を作製した。
ウレタンフィルムの厚さを20μmとした以外は、サンプル8−1と同様にして、サンプル7−4の光学素子を作製した。
ウレタンフィルムの厚さを40μmとした以外は、サンプル8−1と同様にして、サンプル7−4の光学素子を作製した。
ウレタンフィルムの厚さを80μmとした以外は、サンプル8−1と同様にして、サンプル7−4の光学素子を作製した。
ウレタンフィルムの厚さを120μmとした以外は、サンプル8−1と同様にして、サンプル7−4の光学素子を作製した。
ウレタンフィルムの厚さを200μmとした以外は、サンプル8−1と同様にして、サンプル7−4の光学素子を作製した。
ウレタンフィルムの厚さを400μmとした以外は、サンプル8−1と同様にして、サンプル7−4の光学素子を作製した。
まず、作製したサンプル7−1〜7−4、8−1〜8−6について、JISK5600-5-4の試験方法に準拠して引っ掻き試験を行った。具体的には、手押し式引掻き硬度試験機(株式会社安田精機製作所製、商品名:NO.553-S)を用いて、2Hの鉛筆でサンプル表面を引掻いた。次に、鉛筆の引いた痕を柔らかい布でふき取り、鉛筆の粉を除去した後、目視にてサンプル表面を観察した。次に、微細形状測定装置(KLA-Tencor社製、商品名Alpha-Step500)で塑性変形深さを測定した。それらの結果を表4、表5および図33A、図33Bに示す。なお、表4、表5中の「塑性変形」および「凝集破壊」における「○」印、「△」印、および「×」印は以下の評価結果を示す。
◎:塑性変形の深さが0nm以上350nm未満であり、反射性能に変化がなく、目視で窪みが全く観察されない。
○:塑性変形の深さが350nm以上1000nm未満であり、反射性能に変化がなく、目視で窪みが殆ど観察されない。
×:塑性変形の深さが1000nm以上であり、反射性能が低下し、目視で窪みが明らかに観察される。
◎:反射性能に変化がなく、目視で傷および剥離が全く観察されない。
○:反射性能に変化がなく、目視で傷および剥離が殆ど観察されない。
×:反射性能が低下し、目視で傷および剥離が明らかに観察される。
基材と基底層との総厚を60μm以上にすると、塑性変形および凝集破壊の視認を抑制することができる。
基材として厚さ400μmのウレタンフィルムに代えて厚さ150μmのPMMA(ポリメチルメタアクリレート)フィルムを用いた以外は、サンプル7−1と同様にして、サンプル9−1の光学素子を作製した。なお、PMMAフィルムの材料の弾性率は、3300MPaであった。
ウレタンフィルムの塗布面に対するモスアイガラスロールマスタの圧力を調整することにより、構造体とPMMAフィルムとの間に厚さ60μmの基底層を形成した以外は、サンプル9−1と同様にして、サンプル9−2の光学素子を作製した。
ウレタンフィルムの塗布面に対するモスアイガラスロールマスタの圧力を調整することにより、構造体とPMMAフィルムとの間に厚さ120μmの基底層を形成した以外は、サンプル9−1と同様にして、サンプル9−3の光学素子を作製した。
作製したサンプル9−1〜9−3について、上述のサンプル7−1〜7−4と同様の引っ掻き試験を行い、サンプル表面の観察、および塑性変形深さの測定を行った。その結果を表6および図34Aに示す。
基材として弾性率が1MPa以上3000MPa以下の範囲から外れるものを用いた場合には、基底層の厚さを60μm以上とすることで、塑性変形および凝集破壊の発生を抑制することができる。
まず、成形面となる領域が一様に窪んだ、外径126mmのガラスロール原盤を準備した。次に、このガラスロール原盤を用いた以外はサンプル7−1と同様にして、準六方格子パターンのモスアイガラスロールマスタを得た。次に、シクロオレフィン系フィルム上に下記の組成を有する紫外線硬化樹脂組成物を塗布した後、この塗布面に対してモスアイガラスロールマスタを密着させ、紫外線を照射し硬化させながら剥離することにより、光学素子を作製した。この際、塗布面に対するモスアイガラスロールマスタの圧力を調整することにより、構造体とシクロオレフィン系フィルムとの間に、基体となる20μmの樹脂層を形成した。
ポリエステルアクリレートオリゴマー 80質量部
(サートマー社製、商品名CN2271E)
低粘度モノアクリレートオリゴマー 20質量部
(サートマー社製、商品名CN152)
光重合開始剤 4質量%
(チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製、商品名DAROCUR1173)
基体と構造体とを一体成形し、基体の厚さを60μmとする以外はサンプル7−1と同様にして、サンプル10−1の光学素子を作製した。
基体と構造体とを一体成形し、基体の厚さを120μmとする以外はサンプル7−1と同様にして、サンプル10−1の光学素子を作製した。
基体と構造体とを一体成形し、基体の厚さを250μmとする以外はサンプル7−1と同様にして、サンプル10−1の光学素子を作製した。
基体と構造体とを一体成形し、基体の厚さを500μmとする以外はサンプル7−1と同様にして、サンプル10−1の光学素子を作製した。
基体と構造体とを一体成形し、基体の厚さを750μmとする以外はサンプル7−1と同様にして、サンプル10−1の光学素子を作製した。
基体と構造体とを一体成形し、基体の厚さを1000μmとする以外はサンプル7−1と同様にして、サンプル10−1の光学素子を作製した。
作製したサンプル10−1〜10−7について、上述のサンプル7−1〜7−4と同様の引っ掻き試験を行い、サンプル表面の観察、および塑性変形深さの測定を行った。その結果を表7および図34Bに示す。
構造体と基体とを一体成形した場合には、基体の厚さを60μm以上とすることで、塑性変形および凝集破壊の発生を抑制することができる。
シミュレーションにより、光学フィルム表面を鉛筆により押圧したときの塑性変形領域の深さを、以下のようにして求めた。
まず、図35に示す2層構造の光学フィルムを設定した。この光学フィルムの物性値の設定条件を以下に示す。なお、プログラムとしては、ANSYS Structural(ANSYS,INC.製)を用いた。
基材
厚さD:40μm
弾性率:0〜10000MPa
表面層
厚さd:20μm
弾性率:20MPa
押圧の加重:0.75kg
押圧の面積(斜線領域の面積):2mm×0.5mm
◎:塑性変形の深さが0nm以上350nm未満である。なお、塑性変形の深さをこの範囲にすることで、反射性能に変化がなく、目視で窪みが全く観察されなくなる。
○:塑性変形の深さが350nm以上1000nm未満である。なお、塑性変形の深さをこの範囲にすることで、反射性能に変化がなく、目視で窪みが殆ど観察されなくなる。
×:塑性変形の深さが1000nm以上である。なお、塑性変形の深さがこの範囲になると、反射性能が低下し、かつ、目視で窪みが観察されるようになってしまう。
基材の弾性率を3000MPa以下にすることとで、塑性変形の深さを350nm以上1000nm未満の範囲内とすることができる。すなわち、反射性能の低下を抑制し、かつ、目視による窪みの観察を防ぐことができる。
また、基材の弾性率を1500MPa以下にすることで、塑性変形の深さを0nm以上350nm未満の範囲内にすることができる。すなわち、反射性能の低下を抑制し、目視による窪みの観察を更に防ぐことができる。
シミュレーションにより、光学フィルム表面を鉛筆により押圧したときの塑性変形領域の深さを、以下のようにして求めた。
まず、図35に示す2層構造の光学フィルムを設定した。この光学フィルムの物性値の設定条件を以下に示す。なお、プログラムとしては、ANSYS Structural(ANSYS,INC.製)を用いた。
基材
厚さD:400μm
弾性率:20MPa
表面層
厚さd:20μm、60μm、120μm、200μm
弾性率:20MPa
押圧の加重:0.75kg
押圧の面積(斜線領域の面積):2mm×0.5mm
光学フィルムの物性値の設定条件を以下のようにした以外は試験例4−1〜4−4と同様にして、シミュレーションを行った。
基材
厚さD:400μm
弾性率:40MPa
表面層
厚さd:20μm、60μm、120μm、200μm
弾性率:20MPa
光学フィルムの物性値の設定条件を以下のようにした以外は試験例4−1〜4−4と同様にして、シミュレーションを行った。
基材
厚さD:135μm
弾性率:3000MPa
表面層
厚さd:20μm、60μm、120μm、200μm
弾性率:20MPa
基材の弾性率に依らず、表面層の厚さを60μm以上にすることにより、塑性変形の発生を抑制することができる。したがって、光学素子(モスアイフィルム)の基底層の厚さを60μm以上とすることにより、塑性変形の発生を抑制することができる。
シミュレーションにより、光学フィルム表面を鉛筆により押圧したときの伸び率を、以下のようにして求めた。
まず、図35に示す2層構造の光学フィルムを設定した。この光学フィルムの物性値の設定条件を以下に示す。なお、プログラムとしては、ANSYS Structural(ANSYS,INC.製)を用いた。
基材
厚さD:400μm
弾性率:1MPa
表面層
厚さd:20μm
弾性率:1MPa
押圧の加重:0.75kg
押圧の面積(斜線領域の面積):2mm×0.5mm
シミュレーションにより、構造体同士が密着するための伸び率を以下のようにして求めた。
まず、図37に示す光学素子を設定した。この光学素子の設定条件を以下に示す。なお、プログラムとしては、ANSYS Structural(ANSYS,INC.製)を用いた。
基体
厚さ:750nm
弾性率:100MPa
ナノ構造体
形状:放物面状
高さ:250nm
ピッチ:200nm
アスペクト:1.25
構造体の個数:3個
シミュレーションの結果から、中央の構造体の頂部を、隣接する構造体の側面に接触させたきの伸び率の最大値は50%であることがわかった。
したがって、隣接する構造体同士を接触または密着させるためには、構造体の材料の伸び率を50%以上とすることが好ましい。
シミュレーションにより、ピッチPに対する構造体頂点の変位量ΔXの変化率((ΔX/P)×100)[%]を以下のようにして求めた。
まず、図37に示す光学素子を設定した。この光学素子の設定条件を以下に示す。なお、プログラムとしては、ANSYS Structural(ANSYS,INC.製)を用いた。
基体
厚さD:750nm
弾性率:100MPa
ナノ構造体
高さ:250nm
ピッチ:125nm〜312.5nm
アスペクト:0.8〜2.0
構造体の個数:3個
(1)高アスペクト化により、構造体の高さに対する構造体のピッチ幅が相対的に狭くなり、わずかなナノ構造体の変形でも効果的に油の押し出しが可能となるため、拭き取り性が向上したものと考えられる。
(2)高アスペクト化により、より小さい力でナノ構造体を変形することが可能となったため、拭き取り性が向上したものと考えられる。
RCWA法による光学シミュレーションにより、光学素子の視感反射率を求めた。
以下に、シミュレーションの条件を示す。
構造体の形状:放物面状
構造体の配置パターン:準六方格子
構造体の高さ:125〜1250nm
構造体の配置ピッチ:250nm
構造体のアスペクト比:0.5〜5
2 基体
3 構造体
4 凸部
11 ロールマスタ
12 基体
13 構造体
14 レジスト層
15 レーザー光
16 潜像
21 レーザー
22 電気光学変調器
23,31 ミラー
24 フォトダイオード
26 集光レンズ
27 音響光学変調器
28 コリメータレンズ
29 フォマッター
30 ドライバ
32 移動光学テーブル系
33 ビームエキスパンダ
34 対物レンズ
35 スピンドルモータ
36 ターンテーブル
37 制御機構
Claims (20)
- 表面を有する基体と、
上記基体の表面に可視光の波長以下の微細ピッチで多数配置された、凸部からなる複数の構造体と
を備え、
上記構造体を形成する材料の弾性率が、1MPa以上188MPa以下であり、
上記構造体のアスペクト比が、0.6以上1.5以下であり、
上記構造体が、頂部の傾きが緩やかで中央部から底部に徐々に急峻な傾きの錐体形状、または放物面状を有し、
上記構造体の変形により、隣接する上記構造体同士が接触する、反射防止機能を有する光学素子。 - 可視光の波長以下の微細ピッチで多数配置された、凸部からなる複数の構造体を備え、
隣り合う上記構造体の下部同士が接合されており、
上記構造体を形成する材料の弾性率が、1MPa以上188MPa以下であり、
上記構造体のアスペクト比が、0.6以上1.5以下であり、
上記構造体が、頂部の傾きが緩やかで中央部から底部に徐々に急峻な傾きの錐体形状、または放物面状を有し、
上記構造体の変形により、隣接する上記構造体同士が接触する、反射防止機能を有する光学素子。 - 表面を有する基体と、
上記基体の表面に可視光の波長以下の微細ピッチで多数配置された、凸部からなる複数の構造体と
を備え、
上記構造体を形成する材料の弾性率が、1MPa以上188MPa以下であり、
上記構造体のアスペクト比が、0.2以上5以下であり、
上記構造体が、頂部の傾きが緩やかで中央部から底部に徐々に急峻な傾きの錐体形状、または放物面状を有し、
上記構造体の変形により、隣接する上記構造体同士が接触する、反射防止機能を有する光学素子。 - 可視光の波長以下の微細ピッチで多数配置された、凸部からなる複数の構造体を備え、
隣り合う上記構造体の下部同士が接合されており、
上記構造体を形成する材料の弾性率が、1MPa以上188MPa以下であり、
上記構造体のアスペクト比が、0.2以上5以下であり、
上記構造体が、頂部の傾きが緩やかで中央部から底部に徐々に急峻な傾きの錐体形状、または放物面状を有し、
上記構造体の変形により、隣接する上記構造体同士が接触する、反射防止機能を有する光学素子。 - 上記構造体を形成する材料の弾性率が、1MPa以上29MPa以下である請求項1〜4のいずれかに記載の光学素子。
- 上記構造体同士の接触により、上記構造体の間に付着した汚れが外部に押し出された後、弾性力によって上記構造体の形状が元の状態に復元される請求項1〜5のいずれかに記載の光学素子。
- 上記構造体上に形成された表面処理層をさらに備え、
上記表面処理層は、フッ素、およびケイ素のうちの少なくとも一種を含む化合物を含有し、
上記表面処理層が形成された上記基体の表面におけるオレイン酸の接触角が、30度以上である請求項1〜6のいずれかに記載の光学素子。 - 上記表面処理層が形成された上記基体の表面におけるオレイン酸の接触角が、50度以上である請求項7記載の光学素子。
- 上記構造体は、上記基体の表面において複数列のトラックをなすように配置されているとともに、六方格子パターン、準六方格子パターン、四方格子パターンまたは準四方格子パターンを形成し、
上記構造体は、上記トラックの延在方向に長軸方向を有する楕円錐または楕円錐台形状である請求項1〜8のいずれかに記載の光学素子。 - 上記トラックが、直線状、または円弧状を有する請求項9記載の光学素子。
- 上記トラックが、蛇行している請求項9記載の光学素子。
- 上記構造体は、上記基体の表面において複数列のトラックをなすように配置されているとともに、準六方格子パターンを形成し、
上記トラックの延在方向における上記構造体の高さまたは深さは、上記トラックの列方向における上記構造体の高さまたは深さよりも小さい請求項1〜8のいずれかに記載の光学素子。 - 上記構造体は、上記基体の表面において複数列のトラックをなすように配置されているとともに、四方格子パターンまたは準四方格子パターンを形成し、
上記トラックの延在方向に対して斜めとなる配列方向における上記構造体の高さまたは深さは、上記トラックの延在方向における上記構造体の高さまたは深さよりも小さい請求項1〜8のいずれかに記載の光学素子。 - 同一トラック内における上記構造体の配置ピッチP1は、隣接する2つのトラック間における上記構造体の配置ピッチP2よりも長い請求項9、12および13のいずれかに記載の光学素子。
- 上記基体を形成する材料の弾性率が、1MPa以上3000MPa以下であり、
上記基体の厚さが、60μm以上である請求項1または3に記載の光学素子。 - 上記基体が、2層以上の層構造を有し、
上記2層以上の層構造のうち、上記構造体と隣接して形成された基底層の弾性率が、1MPa以上3000MPa以下であり、
上記基底層の厚さが、60μm以上である請求項1または3に記載の光学素子。 - 上記基体が、上記構造体と隣接して形成された基底層と、該基底層と隣接して形成された基材とを備え、
上記基底層および上記基材の弾性率が、1MPa以上3000MPa以下であり、
上記基底層と上記基材との総厚が、60μm以上である請求項1または3に記載の光学素子。 - 上記構造体を形成する材料の伸び率が50%以上である請求項1〜17のいずれかに記載の光学素子。
- 上記基体を形成する材料の伸び率が20%以上である請求項1または3に記載の光学素子。
- 請求項1〜19のいずれか1項に記載された光学素子を備える表示装置。
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