CN102326137A - 导电光学元件 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了能够实现大范围的表面电阻，并且能够实现优良的透射特性的导电光学元件。该导电光学元件包括：基板，具有表面；多个结构体，以小于等于可见光的波长的微小间距配置在基板的表面上；以及透明导电膜，形成在结构体上。透明导电膜具有模仿结构体的形状的形状。结构体的纵横比为0.2以上且1.28以下，并且透明导电膜的膜厚为9nm以上且50nm以下。

Description

导电光学元件
技术领域
本发明涉及导电光学元件。具体地，本发明涉及具有防反射功能的导电光学元件。
背景技术
近年来，已在移动设备或移动电话设备所包括的显示装置上安装了用于输入信息的电阻式触摸板(resistive touch panel)。电阻式触摸板具有这样的结构，其中相对配置两个导电光学元件。导电光学元件用作触摸板的电极，并且包括诸如高分子膜或玻璃基板的透明基板、以及在基板上形成并且由诸如ITO(铟锡氧化物)的具有高折射率(例如大约1.9至2.1)的材料制成的透明导电膜。
如上所述，因为触摸板通常安装在显示装置上，所以要求不降低显示装置的显示质量。然而，因为导电光学元件的折射率大约在2.0附近，所以当在显示装置的显示表面上安装触摸板时，增加了反射光，劣化了显示装置的显示质量。
此外，在触摸板用途的导电光学元件中，所需的表面电阻值根据不同的触摸板系统而不同。例如，在数字电阻式触摸板或模拟电阻式面板中，要求一百Ω/□至数百Ω/□的大范围的表面电阻。由于表面电阻值取决于导电光学元件的透明导电膜的厚度，所以，为了获得上述范围的表面电阻，需要使导电膜厚度更大。然而，当膜厚如上所述地变大时，反射光就增加，而显示装置的图像质量劣化。即，难以使大范围的表面电阻与高透射特性同时得以满足。
通常，为了提高导电光学元件的透射特性，采用形成防反射膜的技术。例如，在专利文献1中，提出了一种触摸板用途的透明导电光学元件，其中在基板和透明导电膜之间设置了防反射膜。通过连续层压多个具有不同折射率的介电膜形成该防反射膜。然而，通过使用该技术，难以使大范围的表面电阻与高透射特性同时得以满足；而所期望的是，这两种特性能同时得以满足。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利申请公开第2003-136625号
发明内容
本发明要解决的问题
因此，本发明的目标是提供一种导电光学元件，其能够实现大范围的表面电阻，并且能够实现优良的透射特性。
解决问题的手段
为了解决上述问题，
第一发明为
一种导电光学元件，其具有防反射功能，包括：
基板，具有表面，
多个结构体，以小于等于可见光波长的微小间距配置在基板的表面上，以及
透明导电膜，形成在结构体上，其中
透明导电膜具有模仿结构体的形状的形状，
结构体的纵横比为0.2以上且1.28以下，以及
透明导电膜的膜厚为9nm以上且50nm以下。
第二发明为
一种触摸板，包括：
第一导电光学元件，以及
第二导电光学元件，面向该第一导电光学元件，其中
第一导电光学元件和第二导电光学元件中至少一个包括
基板，具有表面，
多个结构体，以小于等于可见光波长的微小间距配置在基板的表面上，以及
透明导电膜，形成在结构体上，
透明导电膜具有模仿结构体的形状的形状，
结构体的纵横比为0.2以上且1.28以下，以及
透明导电膜的膜厚为9nm以上且50nm以下。
第三发明为
一种液晶显示装置，包括：
液晶单元，包括第一主表面和第二主表面，
第一偏光器，形成在第一主表面上，
第二偏光器，形成在第二主表面上，以及
触摸板，配置在液晶单元和第一偏光器之间，其中
触摸板包括
第一导电光学元件，以及
第二导电光学元件，面向该第一导电光学元件，
第一导电光学元件和第二导电光学元件中的至少一个包括
基板，具有表面，
多个结构体，以小于等于可见光波长的微小间距配置在基板的表面上，以及
透明导电膜，形成在该结构体上，
透明导电膜具有模仿结构体的形状的形状，
结构体的纵横比为0.2以上且1.28以下，以及
透明导电膜的膜厚为9nm以上且50nm以下。
第四发明为
一种导电光学元件，包括：
基板，具有表面，以及
透明导电层，形成在基板的表面上，其中
透明导电层具有这样的表面，多个结构体以小于等于可见光波长的微小间距在该表面上形成，以及
该结构体具有透明导电性。
在本发明中，优选以四方点阵状或类四方点阵状周期性地配置主结构体。此处，四方点阵表示具有正四方形状的点阵。类四方点阵与具有正四方形状的点阵不同，并且表示具有变形(扭曲，distorted)的四方点阵状的点阵。
例如，在结构体成直线配置的情况下，类四方点阵表示这样的变形的四方点阵，其通过沿轨迹的直线配置方向(轨迹方向)扩大具有正四方形状的点阵获得。在结构体以曲折方式排列的情况下，类四方点阵表示这样的四方点阵，其通过沿结构体的曲折排列而变形具有正四方形状的点阵获得。可选地，其表示这样的四方点阵，其通过以下方法变形具有正四方形状的点阵而获得，即沿直线配置方向(轨迹方向)将其扩大、并且沿结构体的曲折排列而将其变形。
在本发明中，优选以六方点阵或类六方点阵状周期性地配置结构体。此处，六方点阵表示具有正六方形状的点阵。类六方点阵与具有正六方形状的点阵不同，并且表示具有变形的正六方形状的点阵。
例如，在结构体成直线配置的情况下，类六方点阵表示这样的变形的六方点阵，其通过沿轨迹的直线配置方向(轨迹方向)扩大具有正六方形状的点阵获得。在结构体以曲折方式排列的情况下，类六方点阵表示这样的六方点阵，其通过沿结构体的曲折排列而变形具有正六方形状的点阵获得。可选地，其表示这样的六方点阵，其通过以下方法变形具有正六方形状的点阵而获得，即沿直线配置方向(轨迹方向)将其扩大、并且沿结构体的曲折排列而将其变形。
在本发明中，椭圆不仅包括数学定义的标准椭圆，而且也包括添加一些变形的椭圆。圆形形状不仅包括数学定义的标准圆(正圆)，而且也包括添加一些变形的圆形。此外，结构体为凸状或凹状的结构体。
在本发明中，由于透明导电膜的膜厚在9nm以上且50nm以下的范围内，所以能够实现大范围的表面电阻。此外，由于结构体的纵横比在0.63以上且1.12以下的范围内，并且透明导电膜的表面形状模仿结构体的形状，所以能够实现优良的透射特性。
本发明的效果
如上所述，根据本发明，能够实现大范围的表面电阻，并且能够实现优良的透射特性。
附图说明
图1A是示出了根据本发明第一实施方式的导电光学元件的结构的一个实例的示意性平面图。图1B是示出了图1A所示的导电光学元件的局部放大平面图。图1C是图1B的轨迹T1、T3、…的截面图。图1D是图1B的轨迹T2、T4、…的截面图。图1E是示出了用于形成对应于图1B的轨迹T1、T3、…的潜像的激光的调制波形的简化线图。图1F是示出了用于形成对应于图1B的轨迹T2、T4、…的潜像的激光的调制波形的简化线图。
图2是示出了图1A中所示导电光学元件的局部放大透视图。
图3A是图1A中所示导电光学元件在轨迹的延伸方向上的截面图。图3B是图1A中所示导电光学元件在θ方向上的截面图。
图4是示出了图1A中所示导电光学元件的局部放大透视图。
图5是示出了图1A中所示导电光学元件的局部放大透视图。
图6是示出了图1A中所示导电光学元件的局部放大透视图。
图7是用于说明在结构体的边界不清楚的情况下结构体底面的设置方法的示图。
图8A至图8D是示出了当结构体底面的椭圆率变化时的底面形状的示图。
图9A示出了具有圆锥形状或圆锥台形状(截顶圆锥形状)的结构体的配置的一个实例的示图。图9B示出了具有椭圆锥形状或椭圆锥台形状(截顶椭圆锥形状)的结构体的配置的一个实例的示图。
图10A是示出了用于制造导电光学元件的辊型母版(roll master)的结构的一个实例的透视图。图10B是示出了图10A所示的辊型母版的局部放大平面图。
图11是示出了辊型母版曝光装置的结构的一个实例的示意图。
图12A至图12C是用于说明制造根据本发明第一实施方式的导电光学元件的方法的步骤图。
图13A至图13C是用于说明制造根据本发明第一实施方式的导电光学元件的方法的步骤图。
图14A至图14B是用于说明制造根据本发明第一实施方式的导电光学元件的方法的步骤图。
图15A是示出了根据本发明第二实施方式导电光学元件的结构的一个实例的示意性平面图。图15B是示出了图15A所示的导电光学元件的局部放大平面图。图15C是图15B的轨迹T1、T3、…的截面图。图15D是图15B的轨迹T2、T4、…的截面图。图15E是示出了用于形成对应于图15B的轨迹T1、T3、…的潜像的激光的调制波形的简化线图。图15F是示出了用于形成对应于图15B的轨迹T2、T4、…的潜像的激光的调制波形的简化线图。
图16是示出了当结构体底面的椭圆率变化时的底面形状的示图。
图17A是示出了用于制造导电光学元件的辊型母版的结构的一个实例的透视图。图17B是示出了图17A所示的辊型母版的局部放大平面图。
图18A是示出了根据本发明第三实施方式的导电光学元件的结构的一个实例的示意性平面图。图18B是示出了图18A所示的导电光学元件的局部放大平面图。图18C是图18B的轨迹T1、T3、…的截面图。图18D是图18B的轨迹T2、T4、…的截面图。
图19A是示出了用于制造导电光学元件的盘状母版(disk master)的结构的一个实例的透视图。图19B是示出了图19A所示的盘状母版的局部放大平面图。
图20是示出了盘状母版曝光装置的结构的一个实例的示意图。
图21是示出了根据本发明第四实施方式的导电光学元件的结构的一个实例的示意平面图。图21B是示出了图21A所示的导电光学元件的局部放大平面图。
图22A是示出了根据本发明第五实施方式的导电光学元件的结构的一个实例的示意性平面图。图22B是示出了图22A所示的导电光学元件的局部放大平面图。图22C是图22B的轨迹T1、T3、…的截面图。图22D是图22B的轨迹T2、T4、…的截面图。
图23是示出了图22A所示的导电光学元件的局部放大透视图。
图24A是示出了根据本发明第六实施方式的导电光学元件的结构的一个实例的示意性平面图。图24B是示出了图24A所示的导电光学元件的局部放大平面图，而图24C是图24B的轨迹T1、T3、…的截面图。图24D是图24B的轨迹T2、T4、…的截面图。
图25是示出了图24A所示的导电光学元件的局部放大透视图。
图26是示出了根据本发明的第六实施方式的导电光学元件的折射率分布的一个实例的示图。
图27示出了结构体的形状的一个实例的截面图。
图28A至图28C是用于说明变化点的定义的示图。
图29是示出了根据本发明的第七实施方式的导电光学元件的结构的一个实例的截面图。
图30是示出了根据本发明的第八实施方式的导电光学元件的结构的一个实例的截面图。
图31A是示出了根据本发明的第九实施方式的触摸板的结构的一个实例的透视图。图31B是示出了根据本发明的第九实施方式的触摸板的结构的一个实例的截面图。
图32A是示出了根据本发明的第九实施方式的触摸板的结构的修改例的透视图。图32B是示出了根据本发明的第九实施方式的触摸板的结构的修改例的截面图。
图33A是示出了根据本发明的第十实施方式的触摸板的结构的一个实例的透视图。图33B是示出了根据本发明的第十实施方式的触摸板的结构的一个实例的截面图。
图34是示出了根据本发明的第十一实施方式的液晶显示装置的结构的一个实例的截面图。
图35是示出了根据实施例1至3的导电光学片(conductive opticalsheet)的表面电阻与膜厚之间的关系的示图。
图36是示出了根据实施例1至3的导电光学片的透射特性的示图。
图37是示出了根据实施例4至11的导电光学片的“ITO膜厚×表面电阻”与“纵横比”之间的关系的示图。
图38是示出了当将ITO膜的膜厚换算为30nm时，“ITO膜厚×表面电阻”与“纵横比”之间的关系的示图。
图39是示出了实施例12至17和比较例1至5的导电光学片的平均反射率的示图。
图40是示出了实施例12至17和比较例1至5的导电光学片的平均透射率的示图。
具体实施方式
将参考附图以下列顺序描述本发明的实施方式。
1.第一实施方式(结构体以直线并且以六方点阵方式二维排列的实例：参见图1)
2.第二实施方式(结构体以直线并且以四方点阵方式二维排列的实例：参见图15)
3.第三实施方式(结构体以弧形方式并且以六方点阵方式二维排列的实例：参见图18)
4.第四实施方式(结构体曲折排列的实例：参见图21)
5.第五实施方式(在基板表面上形成凹状结构体的实例：参见图22)
6.第六实施方式(折射率分布具有S形状的实例：参见图24)
7.第七实施方式(排列了具有透明导电性的结构体的实例：参见图29)
8.第八实施方式(在导电光学元件的两个主表面上形成结构体的实例：参见图30)
9.第九实施方式(对触摸板的应用例：参见图31A和图31B)
10.第十实施方式(在触摸板的触摸表面上形成结构体的实例：参见图33A和图33B)
11.第十一实施方式(内部触摸板的实例：参见图34)
<1.第一实施方式>
[导电光学元件的结构]
图1A是示出了根据本发明第一实施方式的导电光学元件的结构的一个实例的示意性平面图。图1B是示出了图1A所示的导电光学元件的局部放大平面图。图1C是图1B中轨迹T1、T3、…的截面图。图1D是图1B中轨迹T2、T4、…的截面图。图1E是示出了用于形成对应于图1B的轨迹T1、T3、…的潜像的激光的调制波形的简化线图。图1F是示出了用于形成对应于图1B的轨迹T2、T4、…的潜像的激光的调制波形的简化线图。图2和图4至图6是示出了图1A中所示的导电光学元件的局部放大透视图。图3A是示出了图1A中所示的导电光学元件在轨迹的延伸方向(X方向(下文中也适当地称为轨迹方向))上的截面图。图3B是示出了图1A中所示的导电光学元件在θ方向上的截面图。
导电光学元件1为具有透明性的导电光学元件，并且优选应用于触摸板等。导电光学元件1包括基板2、为了减少反射的多个结构体3和透明导电膜4，基板2具有两个相对的主表面，多个结构体3为在一个主表面上以小于等于可见光波长的微小间距配置的凸部，而透明导电膜4在这些结构体3上形成。透明导电膜4具有模仿基板2的形成结构体3的凹凸表面的形状。此外，从降低表面电阻的角度考虑，优选进一步设置在结构体3上形成的金属膜5。导电光学元件1具有这样的功能，其防止在图2的Z方向上穿过基板2的光从结构体3和其附近的空气之间的界面反射。
结构体3的纵横比(高度H/平均配置间距(pitch)P)优选在0.2以上且1.78以下的范围内，更优选在0.2以上且1.28以下的范围内，进一步优选在0.63以上且1.28以下的范围内。透明导电膜4的膜厚优选在9nm以上且50nm以下的范围内。在结构体3的纵横比小于0.2并且透明导电膜4的膜厚超过50nm的情况下，结构体之间的凹部被透明导电膜4填充，并且存在这样的趋势，即防反射性及透射特性降低。同时，在结构体3的纵横比超过1.78并且透明导电膜4的膜厚小于9nm的情况下，结构体3的斜面变陡，并且透明导电膜4的膜厚变得更小，因此存在这样的趋势，即表面电阻降低。即，在纵横比和膜厚满足上述数值范围的情况下，能够实现大范围的表面电阻(例如100Ω/□以上且5000Ω/□以下)，并且能够实现优良的防反射特性和透射特性。
在处于结构体3的顶部的透明导电膜4的膜厚为D1，处于结构体3的斜面的透明导电膜4的膜厚为D2，并且在结构体之间的透明导电膜4的膜厚为D3的情况下，优选满足以下关系：D1＞D3＞D2。在结构体3的斜面上的膜厚D2优选在9nm以上且30nm以下的范围内。在透明导电膜4的膜厚D1、D2、D3满足上述关系并且透明导电膜4的膜厚D2满足上述数值范围的情况下，能够实现大范围的表面电阻，并且能够实现优良的防反射特性和透射特性。
从能够实现大范围的表面电阻并实现优良的防反射特性和透射特性的角度考虑，优选在结构体3的顶部的膜厚D1在25nm以上且50nm以下的范围内，在结构体3的斜面上的膜厚D2在9nm以上且30nm以下的范围内，并且在结构体之间的膜厚D3在9nm以上且50nm以下的范围内。
在使用根据第一实施方式的导电光学元件作为数字式触摸板的上部电极或下部电极的情况下，导电光学元件1的表面电阻优选在500Ω/□以下的范围内。为了满足表面电阻范围并且实现优良的透射特性，优选结构体3的纵横比在0.2以上且1.28以下的范围内，并且透明导电膜4的膜厚在9nm以上且50nm以下的范围内。结构体3的高度H优选处于100nm以上且320nm以下的范围内。结构体3的平均配置间距P优选在180nm以上且350nm以下的范围内。
在使用根据第一实施方式的导电光学元件作为模拟式触摸板的上部电极或下部电极的情况下，导电光学元件1的表面电阻优选在200Ω/□以上且1000Ω/□以下的范围内。为了满足表面电阻范围并且实现优良的透射特性，优选结构体3的纵横比在0.2以上且1.28以下的范围内，并且透明导电膜4的膜厚在9nm以上且50nm以下的范围内。结构体3的高度H优选在100nm以上且320nm以下的范围内。结构体3的平均配置间距P优选在180nm以上且350nm以下的范围内。
在使用根据第一实施方式的导电光学元件作为静电式触摸板的上部电极或下部电极的情况下，导电光学元件1的表面电阻优选在250Ω/□以上且3000Ω/□以下的范围内。为了满足表面电阻范围并且实现优良的透射特性，优选结构体3的纵横比在0.2以上且1.28以下的范围内，并且透明导电膜4的膜厚在9nm以上且50nm以下的范围内。结构体3的高度H优选在100nm以上且320nm以下的范围内。结构体3的平均配置间距P优选在大于等于180nm以上且350nm以下的范围内。
透明导电膜4的表面电阻优选在100Ω/□以上且5000Ω/□以下的范围内。这是因为，通过该范围的表面电阻，透明导电光学元件1能够用作各种类型的触摸板中每一种的上部电极或下部电极。
在下文中，将依次描述构成导电光学元件1的基板2、结构体3、透明导电膜4和金属膜5。
(基板)
基板2例如为具有透明性的透明基板。基板2的材料例如主要包含具有透明性的塑料材料或玻璃，但是不特别限于这些材料。
作为玻璃，例如使用钠钙玻璃、铅玻璃、硬玻璃、石英玻璃、液晶玻璃等(参见“Kagaku Binran(Handbook of Chemistry)”，Pure Chemistry，P.I-537，The Chemical Society of Japan编辑)。作为塑料材料，从诸如光学性质(如透明性、反射率和散射)，此外耐冲击性、耐热性以及耐久性的角度考虑，优选(甲基)丙烯酸类树脂，如聚甲基丙烯酸甲酯或甲基丙烯酸甲酯与乙烯基单体(例如其他烷基(甲基)丙烯酸酯或苯乙烯)的共聚物；聚碳酸酯类树脂，如聚碳酸酯或二甘醇双烯丙基碳酸酯(CR-39)；以及热固性(甲基)丙烯酸类树脂，如(溴化)双酚A型二(甲基)丙烯酸酯的均聚物或共聚物，或(溴化)双酚A单(甲基)丙烯酸酯的乙烷改性单体的聚合物和共聚物；聚酯(特别是聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯和不饱和聚酯)、丙烯腈-苯乙烯共聚物、聚氯乙烯、聚氨酯、环氧树脂、多芳基化合物、聚醚砜、聚醚酮、环烯烃聚合物(产品名称：ARTON，ZEONOR)等。此外，考虑到耐热性，可以使用芳纶类树脂。
在使用塑料材料作为基板2的情况下，为了进一步提高塑料表面的表面能、涂覆特性、滑动特性、平坦性等，可设置基底涂层作为表面处理。作为基底涂层，例如可使用有机烷氧基金属化合物、聚酯、丙烯酸改性聚酯、聚氨酯等。此外，为了实现类似于提供基底涂层的效果，可对结构体2的表面进行电晕放电或UV照射处理。
在基板2为塑料膜的情况下，可以通过以下方法获得基板2：例如，涂覆上述树脂，在将其用溶液稀释后以膜的形式形成膜并干燥等。此外，基板2的厚度例如为大约25μm至500μm。
作为基板2的形状，例如可以采用片状、板状或块状，但不限于这些形状。此处，将“片”定义为包括“膜”。
(基板)
在基板2的表面上，排列多个作为凸部的结构体3。结构体3以小于等于为了减少反射的光的波段的小配置间距(例如，与可见光的波长相同程度的配置间距)周期性且二维地排列。此处，配置间距指的是平均配置间距P。为了减少反射的光的波段例如为紫外光的波段、可见光的波段或者红外光的波段。此处，紫外光的波段为10nm至360nm的波段，可见光的波段为360nm至830nm的波段，而红外光的波段为830nm至1mm的波段。具体地，结构体3的平均配置间距优选在180nm以上且350nm以下的范围内，更优选在100nm以上且320nm以下的范围内，进一步优选在110nm以上且280nm以下的范围内。当配置间距小于180nm时，存在难以制造结构体3的趋势。同时，当配置间距超过350nm时，存在可能产生可见光衍射的趋势。
导电光学元件1的各个结构体3具有在基板2的表面上构成多列轨迹T1、T2、T3、…(下文中，也统称为“轨迹T”)的配置模式。在本发明中，轨迹表示结构体3排列并且形成连续的直线的部分。此外，列方向表示与在基板2的成型表面上的轨迹延伸方向(X方向)正交的方向。
结构体3在相邻轨迹T之间以半间距交错构造的位置而配置。具体地，在两个相邻轨迹T之间，在一个轨迹(例如T1)上配置的结构体3的中间位置(半间距交错位置)处，配置另一个轨迹(例如T2)的结构体3。结果，如图1B所示，结构体3被配置为使得在三列相邻轨迹(Ti至T3)中形成六方点阵图案或类六方点阵图案，其中结构体3的中心位于各个点a1至a7。在该实施方式中，六方点阵图案表示具有正六方形状的点阵。此外，类六方点阵图案与具有正六方形状的点阵图案不同，并且表示将其沿轨迹延伸方向(X轴方向)扩大的变形的六方点阵图案。
在结构体3被配置为形成类六方点阵图案的情况下，如图1B所示，在一个轨迹(例如T1)上的结构体3的配置间距P1(a1与a2之间的距离)优选比两个相邻轨迹(例如T1和T2)之间的结构体3的配置间距(即结构体3在相对于轨迹延伸方向的±θ方向上的配置间距P2(例如，a1与a7、a2与a7之间的距离))更大。通过如上所述配置结构体3，能够获得结构体3的填充密度的进一步提高。
从易于形成的角度考虑，结构体3优选具有锥体形状，或者通过沿轨迹方向扩大或缩小锥体形状而获得的锥体形状。结构体3优选具有轴对称锥体形状，或者通过沿轨迹方向扩大或缩小锥体形状而获得的锥体形状。在接合相邻结构体3的情况下，除了接合于相邻结构体3的底部，结构体3优选具有轴对称锥体形状，或者通过沿轨迹方向扩大或缩小锥体形状而获得的锥体形状。作为锥体形状，例如可采用圆锥形状、圆锥台形状、椭圆锥形状以及椭圆锥台形状。此处，如上所述，除了圆锥形状和圆锥台形状之外，锥体形状在概念上还包括椭圆锥形状和椭圆锥台形状。此外，圆锥台形状表示通过截去圆锥形状的顶部获得的形状，而椭圆锥台形状表示截去椭圆锥的顶部而获得的形状。
结构体3优选具有这样的锥体形状，其所具有的底面的在轨迹的延伸方向上的宽度比在与延伸方向正交的列方向上的宽度更大。具体地，如图2和图4所示，结构体3优选具有这样的锥体结构，其所具有的底面具有包括长轴和短轴的椭圆形状、长圆形状或卵形形状，并且该结构体3具有椭圆锥形状，其包括具有曲面的顶部。此外，如图5所示，其优选具有这样的锥体结构，其所具有的底面具有包括长轴和短轴的椭圆形状、长圆形状或卵形形状，并且其具有包括平坦顶部的圆锥台形状。这是因为这样的形状能够提高列方向上的填充率。
从提高反射性的角度考虑，优选这样的锥体形状，其包括具有轻微倾斜的顶部，并且斜度从中部至底部(参见图4)逐渐变陡。此外，从提高反射特性和透射特性的角度考虑，优选这样的锥体形状，其中部的斜度比底部和顶部的斜度更陡(参见图2)，或者优选这样的锥体形状，其具有平坦的顶部(参见图5)。在结构体3具有圆锥形状或圆锥台形状的情况下，底面的长轴方向优选平行于轨迹的延伸方向。在图2等图中，结构体3具有相同的形状，但是结构体3的形状不限于此，并且可在基板表面上形成具有两种以上形状的结构体3。此外，结构体3可与基板2整体形成。
此外，如图2和图4至图6所示，优选在结构体3的部分或全部周边设置突出部6。这是由于，通过该方式，即使结构体3的填充率低，也能够将反射率抑制为低。特别地，例如图2、图4和图5所示，在相邻结构体3之间设置突出部6。此外，如图6所示，可在结构体3的部分或全部周边设置细长的突出部6。细长的突出部6例如在从结构体3的顶部至底部的方向上延伸。突出部6的形状可以为三角形截面、矩形截面等，但是不限于这些特定形状，并且能够考虑易于成形而选择。此外，结构体3的周边的部分或所有表面可做得不平坦，并且可形成微细的凹凸。特别地，例如，相邻结构体3之间的表面可做得不平坦，并且可形成微细的凹凸。此外，例如，可在在结构体3的表面上，在顶部形成微孔。
结构体3在轨迹的延伸方向上的高度H1优选小于结构体3在列方向上的高度H2。即，结构体3的高度H1、H2优选满足关系H1＜H2。这是因为，如果结构体3被配置为满足关系H1≥H2，则在轨迹延伸方向上的配置间距P1应更长，并且因此在轨迹延伸方向上的结构体3的填充率降低。当填充率如上所述降低时，反射特性可能降低。
应注意，并非所有结构体3的纵横比总是相同，而它们可被构造为使得各结构体3具有一定的高度分布(例如，纵横比的范围大约为0.2至1.78)。通过设置具有该高度分布的结构体3，能够降低反射特性对波长的依赖性。因此，能够获得具有优良的防反射特性的导电光学元件1。
此处，高度分布意思是在基板2的表面上设置具有两种以上高度(深度)的结构体3。即，其是指在基板2的表面上设置具有作为基准的高度的结构体3以及具有与这些结构体3的高度不同的高度的结构体3。例如，在基板2的表面上周期性或非周期性(随机)设置具有与基准不同的高度的结构体3。周期性的方向例如为轨迹的延伸方向、列方向等。
优选在结构体3的周边部分上提供襟(hem)部3a。这是因为，在导电光学元件的制造过程中，结构体3能够容易地从模具等剥离。此处，襟部3a指的是设置在结构体3的底部的周边部分上的突出部。从上述剥离特性的角度考虑，襟部3a优选具有这样的曲面，其具有在从结构体3的顶部至底部的方向上逐渐减小的高度。应注意，可只在结构体3的部分周边部分上设置襟部3a，但是从提高上述剥离特性的角度考虑，优选在结构体3的所有周边部分上设置襟部3a。此外，在结构体3为凹部的情况下，襟部为设置在作为结构体3的凹部的开口周边上的曲面。
结构体3的高度(深度)优选设置在70nm以上且320nm以下的范围内，更优选在70nm以上且320nm以下的范围内，进一步优选在110nm以上且280nm以下的范围内。在结构体3的高度小于70nm的情况下，存在反射率增加的趋势。在结构体3的高度超过320nm的情况下，存在难以获得预定电阻的趋势。
应注意，在本发明中，纵横比由下式(1)定义。
纵横比＝H/P    (1)
其中，H：结构体的高度，P：平均配置间距(平均周期)
此处，平均配置间距P由下式(2)定义。
平均配置间距P＝(P1+P2+P2)/3    (2)
其中，P1：轨迹的延伸方向(轨迹延伸方向周期)上的配置间距，P2：与轨迹的延伸方向成±θ角的方向上的配置间距(应注意，θ＝60°-δ，此处δ优选为0°＜δ≤11°，更优选3°≤δ≤6°)(θ方向周期)。
在结构体3被配置为形成六方点阵图案或类六方点阵图案的情况下，将结构体3的高度H作为结构体3在列方向上的高度。由于结构体3在轨迹延伸方向(X方向)上的高度比其在列方向(Y方向)上的高度小，并且此外，结构体3的除了在轨迹延伸方向上的部分之外的部分的高度大约与其在列方向上的高度相同，所以亚波长结构体的高度由列方向上的高度来表示。应注意，在结构体3为凹部的情况下，假定上述公式(1)中的结构体的高度H为结构体的深度H。
当假定同一轨迹中的结构体3的配置间距为P1，并且相邻两个轨迹之间的结构体3的配置间距为P2时，比率P1/P2优选满足关系1.00≤P1/P2≤1.2或1.00＜P1/P2≤1.2，并且更优选满足关系1.00≤P1/P2≤1.1或1.00＜P1/P2≤1.1。根据该数值范围，能够提高具有椭圆锥形或椭圆锥台形状的结构体3的填充率，因此能够提高防反射性。
基板表面上的结构体3的填充率范围在65％以上，优选73％以上，更优选86％以上，其中上限为100％。当填充率在该范围时，能够提高防反射特性。为了提高填充率，优选地，通过接合相邻结构体3的底部、调节结构体底面的椭圆率等，为结构体3增加变形。
此处，结构体3的填充率(平均填充率)具有如下所述获得的值。
首先，通过使用扫描电子显微镜(SEM：Scanning Electron Microscope)以顶视图拍摄导电光学元件1的表面的照片。然后，从拍摄的SEM照片中随机选择单位点阵Uc，并且测量单位点阵Uc的配置间距P1和轨迹间距Tp(参见图1B)。此外，通过图像处理，测量位于单位点阵Uc中间的结构体3的底面的面积S。然后，通过使用测得的配置间距P1、轨迹配置间距Tp、底面的面积S，基于下式(3)获得填充率。
填充率＝(S(hex.)/S(unit))×100    (3)
单位点阵面积：S(unit)＝P1×2Tp
单位点阵中结构体的底面的面积：S(hex.)＝2S
对于从拍摄的SEM照片中随机选取的十个单位点阵执行上述填充率计算处理。然后，简单平均(算术平均)测得的值，从而获得填充率的平均率作为基板表面的结构体3的填充率。
关于当结构体3相互重叠或者当结构体3之间存在诸如突出部6的副结构体时的填充率，能够通过以下方法获得填充率，即，将相对于结构体3的高度的5％高度的部分作为阈值，判定面积比。
图7是用于说明结构体3的边界不清晰的情况下的填充率计算方法的示图。在结构体3的边界不清晰的情况下，通过截面SEM观察，如图7所示，在对应于结构体3的高度H的5％(＝(d/h)×100)的部分作为阈值的情况下，高度d被换算为结构体3的直径，从而获得填充率。在结构体3的底面为椭圆的情况下，对长轴和短轴执行相同的处理。
图8是示出了当结构体3的底面的椭圆率改变时的底面形状的示图。图8A至图8D中所示的椭圆的椭圆率分别为100％、110％、120％和141％。通过以该方式改变椭圆率，能够改变基板表面上的结构体的填充率。在基板3形成类六方点阵图案的情况下，结构体底面的椭圆率e优选为100％＜e＜150％以下。这是因为，根据该范围，能够提高结构体3的填充率，并且能够实现优良的防反射特性。
此处，在结构体底面在轨迹方向(X方向)上的直径为a、而在与其正交的列方向(Y方向)上的直径为b的情况下，椭圆率e定义为(a/b)×100。应注意，结构体3的直径a、b为如下获得的值。通过使用扫描电子显微镜(SEM：Scanning Electron Microscope)以顶视图拍摄导电光学元件1的表面的照片，然后从拍摄的SEM照片中随机提取十个结构体3。然后，测量各个所提取的结构体3的底面的直径a、b。此外，简单平均(算术平均)各个所测量的值a、b，从而获得直径a、b的平均值，并且将它们作为结构体3的直径a、b。
图9A示出了具有圆锥形状或圆锥台形状的结构体3的配置的一个实例。图9B示出了具有椭圆锥形状或椭圆锥台形状的结构体3的配置的一个实例。如图9A和图9B所示，结构体3优选接合为使得它们的底部相互重叠。特别地，结构体3的底部优选与部分或全部相邻结构体3的底部相接合。更特别地，结构体3的底部优选在轨迹方向、在θ方向或者这两个方向上相互接合。更特别地，结构体3的底部优选在轨迹方向、在θ方向或者这两个方向上相互接合。图9A和图9B示出了相邻结构体3的所有底部都接合的实例。通过以该方式接合结构体3，能够提高结构体3的填充率。考虑到折射率，结构体优选以在光路长度的使用环境下的光的波段的最大值的1/4以下的部分接合。结果，能够实现优良的防反射特性。
如图9B所示，同一轨迹中的相邻结构体3的底部相互重叠，并且形成第一接合部，并且，相邻轨迹中的相邻结构体3的底部相互重叠，并且形成第二接合部。在第一接合部a和第二接合部b的交点上形成交点部c。交点部c的位置例如低于第一接合部a和第二接合部b的位置。在具有圆锥形状或圆锥台形状的结构体3的底部接合的情况下，例如，高度以接合部a、接合部b和交点部c的顺序减小。
直径2r与配置间距P1的比率((2r/P1)×100)为85％以上，优选90％以上，而更优选95％以上。这是因为，通过这些范围，能够提高结构体3的填充率，并且能够提高防反射特性。当该比率((2r/P1)×100)变大，而结构体3的重叠变得太大时，存在防反射特性降低的趋势。因此，为了考虑到折射率、以在光路长度的使用环境下的光的波长的最大值的1/4以下的部分接合结构体，优选设置比率((2r/P1)×100)的上限值。此处，配置间距P1为结构体3在轨迹方向上的配置间距，而直径2r为结构体底面在轨迹方向上的直径。应注意，在结构体底面具有圆形的情况下，直径2r为直径，并且，在结构体底面具有椭圆形状的情况下，直径2r为长轴直径。
(透明导电膜)
作为构成透明导电膜4的材料，例如采用铟锡氧化物(ITO)、锌氧化物(ZnO)、AZO(Al2O3，ZnO)、SZO、FTO、SnO2、GZO、IZO(In2O3，ZnO)等，并且从高可靠性、低电阻等的角度考虑，优选ITO。优选地，透明导电膜4模仿结构体3的表面形状形成，从而不会抑制结构体3的防反射效果，并且结构体3和透明导电膜4的表面形状具有大致相同的形状。这是因为，可以抑制由于透明导电膜4的形成而引起的折射率分布的变化，并且能够保持优良的防反射特性和/或透射特性。构成透明导电膜4的材料优选是非晶和多晶的混合状态。这是因为，在结构体3的高度小的情况下，也能够形成具有不会抑制结构体3的防反射效果的膜厚的透明导电膜4。即，这是因为透明导电膜4能够保持模仿结构体3的形状的形状。
透明导电膜4的膜厚优选在9nm以上且50nm以下的范围内。在本说明书中，透明导电膜4的膜厚是在结构体3的顶部的透明导电膜4的平均膜厚。具体地，通过以下步骤获得透明导电膜4的膜厚。首先，切割导电光学元件1，以包括结构体3的顶部，通过透射电子显微镜(TEM：Transmission Electron Microscope)拍摄其截面照片，并且从该拍摄的TEM照片测量在结构体3的顶部的透明导电膜4的膜厚。对于从该导电光学元件1中随机选取的十个位置重复执行该测量，将所测得的值简单平均(算术平均)从而获得平均膜厚，并且将该平均膜厚作为透明导电膜4的膜厚。
(金属膜)
优选还在结构体3上设置金属膜5。这是因为，电阻能够降低，可以使透明导电膜4更薄，或者，在仅通过透明导电膜4导电性未达到足够值时，能够弥补导电性。金属膜5例如在结构体3和透明导电膜4之间的界面上、透明导电膜4的表面、以及这两者上形成。此外，可使用透明导电膜4隔着金属膜4层压的层压结构。金属膜5的膜厚没有特别限制，但例如可选择大约几nm。由于金属膜5的导电性高，所以通过几nm的膜厚就能够实现足够的表面电阻。此外，几nm几乎不会引起诸如金属膜5的吸收和反射的光学效果。作为构成金属膜5的材料，优选使用具有高导电性的金属类材料。作为这样的材料，例如可以采用选自由Ag、Al、Cu、Ti、Au、Pt和Nb组成的组中的至少一种。在这些材料中，从高导电性、使用经验等角度考虑，优选Ag。在金属膜自身能够保证表面电阻但是非常薄的情况下，金属膜5具有岛状结构，并且难以确保导电性。在该情况下，为了电连接岛上的金属膜5，在金属膜5的上层上形成透明导电膜4也很重要。作为在结构体上层压的透明导电膜4和金属膜5的具体实例，例如使用ITO膜/Ag膜和ITO膜/Ag膜/ITO膜。
[辊型母版的结构]
图10示出了用于制造具有上述结构的导电光学元件的辊型母版的结构的一个实例。如图10所示，辊型母版11具有这样的结构，其中，例如多个作为凹部的结构体13在母版12的表面上以与诸如可见光的光的波长相同程度的间距配置。母版12具有圆柱形或筒形。作为母版12的材料，例如可以使用玻璃，但是不特别限于该材料。使用随后描述的辊型母版曝光装置，空间连接二维图案，对于一个轨迹同步极性反转格式器信号(polarity-reversion formatter)和记录装置的旋转控制器以产生信号，并且以CAV和适当的进给间距执行图案化。结果，能够记录六方点阵图案或类六方点阵图案。通过适当设置极性反转格式器信号的频率和辊的rpm，可以在期望的记录区域上形成具有恒定的空间频率的点阵图案。
[导电光学元件的制造方法]
然后，参考图11至图14，将描述如上所述构造的导电光学元件1的制造方法。
根据第一实施方式的导电光学元件的制造方法包括在母版上形成抗蚀层的抗蚀膜形成步骤、通过使用辊型母版曝光装置在抗蚀膜上形成蛾眼图案潜像的曝光步骤、对形成有潜像的抗蚀层进行显影的显影步骤。此外，包括通过使用等离子体蚀刻的制造辊型母版的蚀刻步骤、利用紫外线固化树脂制造复制基板的复制步骤、以及在复制基板上的执行透明导电膜的膜形成的膜形成步骤。
(曝光装置的结构)
首先，将参考图11，描述在蛾眼图案的曝光步骤中使用的辊型母版曝光装置的结构。辊型母版曝光装置基于光盘记录装置构造。
激光源21是用于对作为记录介质的母版12的表面上形成的抗蚀膜曝光的光源，并且振荡具有例如波长λ＝266nm的用于记录的激光15。从激光源21输出的作为平行光束的激光15以直线传播，并且进入电光调制器(EOM：电光调制器)22。穿过电光调制器22的激光15由反光镜23反射，并且被引导至调制光学系统25。
反光镜23由偏光分束器构成，并且具有反射一种偏光分量而允许另一种偏光分量穿过的功能。穿过反光镜23的偏光分量被光电二极管24接收，并且基于所接收的信号，控制电光调制器22，并且执行激光15的相位调制。
在调制光学系统25中，激光15被聚光镜26会聚在由玻璃((SiO2)等制成的声光调制器(AOM：声光调制器)27上。在由声光调制器27进行强度调制并发散后，激光15通过透镜28变为平行光束。从调制光学系统25输出的激光15被反光镜31反射，并且在移动光学台32上被水平且平行地引导。
移动光学台32包括扩束器33和物镜34。被引导至移动光学台32的激光15通过扩束器33而形成所期望的光束形状，并且此后，经由物镜34照射到母版12上的抗蚀层上。母版12安装在连接主轴马达的转台36上。而且，当旋转母版12并且在母版12的高度方向上移动激光15时，用激光15间歇地照射抗蚀层，从而执行抗蚀层的曝光步骤。形成的潜像具有大致椭圆形状，其在圆周方向上具有长轴。激光15的移动由移动光学台32在箭头R方向上的移动来执行。
曝光装置包括控制机构37，其用于在抗蚀层上形成与图1B所示的六方点阵或类六方点阵的二维图案相对应的潜像。控制机构37包括格式器29和驱动器30。格式器29包括极性反转部，并且该极性反转部控制激光15对抗蚀层的照射定时。一接收到极性反转部的输出后，驱动器30就控制声光调制器27。
在辊型母版曝光装置中，为一个轨迹同步极性反转格式器信号和记录装置的旋转控制器，以产生信号，从而空间连接二维图案，并且声光调制器27执行强度调制。通过以恒定角速度(CAV)、适当的rpm、适当的调制频率以及适当的进给间距进行图案化，可以记录六方点阵或类六方点阵图案。例如，如图10B所示，为了获得圆周方向上的315nm的周期，以及与圆周方向成大约60°方向(大约-60°方向)上的300nm的周期，进给间距可为251nm(毕达哥拉斯法则，Pythagorean law)。极性反转格式器信号的频率通过辊的rpm改变(例如1800rpm、900rpm、450rpm、225rpm)。例如，相对于1800rpm、900rpm、450rpm和225rpm的辊的rpm，极性反转格式器信号的频率分别为37.70MHz、18.85MHz、9.34MHz和4.71MHz。在所期望的记录区域中，能够通过以下方法形成具有均匀空间频率(圆周方向315nm周期，对于圆周方向大约60°的方向(大约-60°方向)300nm周期)的类六方点阵图案：通过移动光学台32上的扩束器(BEX)33将远紫外激光扩大至五倍光束直径，利用经由具有数值孔径(NA)0.9的物镜34的光照射母版12上的抗蚀层，并且形成微细的潜像。
(抗蚀膜形成步骤)
首先，如图12A所示，准备筒形母版12。母版12例如为玻璃母版。然后，如图12B所示，在母版12的表面上形成抗蚀层14。作为抗蚀层14的材料，例如可使用任何有机抗蚀剂和无机抗蚀剂。作为有机抗蚀剂，例如可使用酚醛树脂类抗蚀剂或化学增强抗蚀剂。此外，作为无机抗蚀剂，例如可使用由一种或两种以上过渡金属(例如钨和钼)制成的金属氧化物。
(曝光步骤)
然后，如图12C所示，通过使用上述辊型母版曝光装置，旋转母版12，并且用激光(曝光光束)15照射抗蚀层14。在该情况下，当在母版12的高度方向(平行于圆柱形或筒形母版12的中心轴的方向)上移动激光15的同时，间歇地执行激光15的照射，由此将抗蚀层14的整个表面都曝光。结果，在抗蚀层14的整个表面上以与可见光波长相同程度的间距形成对应于激光15的路径的潜像16。
以例如这样的方式配置潜像16，即在母版表面上形成多个轨迹，并且形成六方点阵图案或类六方点阵图案。潜像16具有例如椭圆形状，其具有沿轨迹延伸方向的长轴方向。
(显影步骤)
然后，在旋转母版12的同时，将显影剂滴落在抗蚀层14上，并且如图13A所示，对抗蚀层14进行显影处理。如图所示，在通过正型抗蚀剂(positive resist)形成抗蚀层14时，暴露给激光15的曝光部分相比于非曝光部分具有更快的显影剂分解速度，从而在抗蚀层14上形成对应于潜像(曝光部分)16的图案。
(蚀刻步骤)
然后，在母版12上形成的抗蚀层14的图案(抗蚀图案)被用作掩模，并且蚀刻处理母版12的表面。结果，如图13B所示，形成具有椭圆锥形状或椭圆锥台形状并且具有沿轨迹延伸方向的长轴方向的凹部，即结构体13。蚀刻方法例如通过干蚀刻执行。在该情况下，通过可选地执行蚀刻处理和灰化(磨光，ashing)处理，可以形成例如锥体状结构体13的图案。此外，可以制造具有抗蚀层14的3倍以上深度(选择比3以上)的玻璃母版，并且可以获得结构体3的高纵横比。作为于干蚀刻，优选通过使用辊蚀刻装置的等离子体蚀刻。辊蚀刻装置是具有圆柱形电极的等离子体蚀刻装置，并且被构造为使得圆柱形电极插入筒形母版12的中空腔内，并且对母版12的柱表面执行等离子体蚀刻。
如上所述，例如，可以获得这样的辊型母版11，其具有包括深度为大约120nm至大约350nm的凹状的六方点阵图案或类六方点阵图案。
(复制步骤)
然后，例如，辊型母版11和基板2(诸如在其上涂有转印材料的片)互相紧密接触，并且在它们被紫外线照射并固化时剥离。结果，如图13C所示，在基板2的一个主表面上形成作为凸部的多个结构体，并且形成了诸如蛾眼紫外线固化复制片的导电光学元件1。
转印材料例如由紫外线固化材料和引发剂制成，并且根据需要可包括填料、功能添加剂等。
紫外线固化材料例如由单官能团单体、双官能团单体、多官能团单体等制成，并且具体地，由以下材料中的一种制成或其中多种进行混合而获得。作为单官能团单体，例如采用羧酸(丙烯酸)、羟基(2-羟乙基丙烯酸酯、2-羟丙基丙烯酸酯、4-羟丁基丙烯酸酯)、烷基、脂环(异丁基丙烯酸酯、叔丁基丙烯酸酯、异辛基丙烯酸酯、十二烷丙烯酸酯、十八烷丙烯酸酯、异冰片丙烯酸酯、环己基丙烯酸酯)、其他官能团单体(2-甲氧基乙基丙烯酸酯、甲氧基乙二醇丙烯酸酯、2-乙氧基乙基烯丙酸酯、四氢化糠基丙烯酸酯、苯偶酰丙烯酸酯、乙基卡必醇丙烯酸酯、苯氧基乙基丙烯酸酯、N，N-二甲基氨基乙基丙烯酸酯、N，N-二甲基氨基丙基丙烯酰胺、N，N-二甲基丙烯酰胺、丙烯酰吗啉、N-异丙基丙烯酰胺、N，N-二乙基丙烯酰胺、N-乙烯基吡咯烷酮、2-(全氟丁基)乙基丙烯酸酯、3-全氟己基-2-羟丙基丙烯酸酯、3-全氟丁基-2-羟丙基丙烯酸酯、2-(全氟癸基)乙基丙烯酸酯、2-(全氟-3-甲基丁基)乙基丙烯酸)、2，4，6-三溴苯丙烯酸酯、2，4，6-三溴苯甲基丙烯酸酯、2-(2，4，6-三溴苯氧基)乙基丙烯酸酯)、2-乙基己基丙烯酸酯等。
作为双官能团单体，例如采用三(丙二醇)二丙烯酸酯、三羟甲基丙烷二烯丙基醚、尿烷丙烯酸酯等。
作为多官能团单体，例如采用三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、二季戊四醇五丙烯酸酯和二季戊四醇六丙烯酸酯、二三羟甲基丙烷四丙烯酸酯等。
作为引发剂，例如采用2，2-二甲氧基-1，2-二苯乙烷-1-酮、1-羟基-环己基苯基酮、2-羟基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮等。
作为填料，能够使用任何无机颗粒和有机颗粒。作为无机颗粒，例如采用金属氧化物颗粒，如SiO2、TiO2、ZrO2、SnO2或Al2O3。
作为功能添加剂，例如使用均化剂(leveling agent)、表面调节剂、消泡剂等。作为基板2的材料，例如采用甲基丙烯酸甲酯(共)聚物、聚碳酸酯、苯乙烯(共)聚物、甲基丙烯酸甲酯-苯乙烯共聚物、纤维素二乙酸酯、纤维素三乙酸酯、纤维素乙酸丁酸酯、聚酯、聚酰胺、聚酰亚胺、聚醚砜、聚砜、聚丙烯、聚甲基戊烯、聚氯乙烯、聚乙烯醇缩醛、聚醚酮、聚氨酯、玻璃等。
基板2的成型方法没有限制，其可为注射成型体、挤出成型体或铸塑成型体。根据需要，可在基板表面上施加表面处理，如电晕处理。
(金属膜的膜形成步骤)
然后，如图14A所示，根据需要，在形成有结构体3的基板2的凹凸表面上，形成金属膜5。作为金属膜5的膜形成方法，除了CVD方法(Chemical Vapor Deposition(化学气相沉积方法)：用于通过使用化学反应从气相沉积薄膜的技术)，诸如热CVD、等离子体CVD以及光学CVD之外，还例如使用PVD方法(Physical Vapor Deposition(物理气相沉积方法)：用于通过在基板上在真空中絮凝物理蒸发的材料形成薄膜的技术)，如真空沉积、等离子体辅助沉积、溅射以及离子镀。
(透明导电膜的膜形成步骤)
然后，如图14B所示，在形成有结构体3的基板2的凹凸表面上，形成透明导电膜。作为透明导电层4的膜形成方法，例如采用类似于上述金属膜的膜形成方法的方法。然后，根据需要，对透明导电膜4执行退火处理。结果，透明导电膜4为非晶和多晶的混合状态。如上所述，获得了所需的导电光学元件1。
根据第一实施方式，由于在形成有结构体3的基板2的凹凸表面上形成了膜厚为9nm以上且50nm以下的透明导电膜4，所以能够实现大范围的表面电阻。此外，由于结构体4的纵横比在0.63以上且1.28以下的范围内，并且透明导电膜4的表面形状模仿结构体3的形状，所以能够实现优良的透射特性。
优选地，在基板2上配置多个结构体3，以使得它们被配置为在基板2的表面上形成多个轨迹，并且使它们形成六方点阵图案或类六方点阵图案。结果，能够提供具有高透射性、低反射光以及较少反射的导电光学元件1。由于通过在表面上形成多个结构体3获得了防反射功能，所以波长依赖性低。角度依赖性比光学膜型透明导电膜的更低。不使用多层光学膜、使用纳米压印技术、并且采用高产膜结构，由此能够实现优良的量产性和低成本。
优选地，统一轨迹中的结构体3的配置间距P1比两个相邻轨迹之间的结构体3的配置间距P2更大。通过该方式，能够提高具有椭圆锥或椭圆锥台形状的结构体3的填充率，因此可以提高防反射特性。
在各个结构体3在基板表面上形成六方点阵图案或类六方点阵图案的情况下，比率P1/P2优选满足关系1.00≤P1/P2≤1.2或1.00＜P1/P2≤1.2，更优选1.00≤P1/P2≤1.1或1.00＜P1/P2≤1.1，其中，在同一轨迹中的结构体3的配置间距为P1，并且两个相邻轨迹之间的结构体3的配置间距为P2。通过该数值范围，可以提高具有椭圆锥或椭圆锥台形状的结构体3的填充率，因而可以提高防反射特性。
在各个结构体3在基板表面上形成六方点阵图案或类六方点阵图案的情况下，优选每个结构体3都具有椭圆锥或椭圆锥台形状(具有沿轨迹延伸方向的长轴方向)，并且中部的斜度形成为比端部和底部的斜度更陡。通过该形状，可以提高防反射特性和透射特性。
在各个结构体3在基板表面上形成六方点阵图案或类六方点阵图案的情况下，优选结构体3在轨迹的延伸方向上的高度或深度比结构体3在轨迹的列方向上的高度或深度更小。在该关系不满足的情况下，由于需要使轨迹的延伸方向上的配置间距更长，所以在轨迹延伸方向上的结构体的填充率降低。填充率以该方式降低导致反射特性降低。
在各个结构体3在基板表面上形成四方点阵图案或类四方点阵图案的情况下，优选同一轨迹中的结构体3的配置间距P1比两个相邻轨迹之间的结构体3的配置间距P2更大。通过该方式，可以提高具有椭圆锥或椭圆锥台形状的结构体3的填充率，因此可以提高防反射特性。
在各个结构体3在基板表面上形成四方点阵图案或类四方点阵图案的情况下，比率P1/P2优选满足关系1.4≤P1/P2≤1.5，其中，在同一轨迹中的结构体3的配置间距为P1，并且两个相邻轨迹之间的结构体3的配置间距为P2。通过该数值范围，可以提高具有椭圆锥或椭圆锥台形状的结构体3的填充率，因而可以提高防反射特性。
在各个结构体3在基板表面上形成四方点阵图案或类四方点阵图案的情况下，优选每个结构体3都具有椭圆锥或椭圆锥台形状(具有沿轨迹延伸方向的长轴方向)，并且中部的斜度形成为比端部和底部的斜度更陡。通过该形状，可以提高防反射特性和透射特性。
在各个结构体3在基板表面上形成四方点阵图案或类四方点阵图案的情况下，优选结构体3在相对于轨迹的45°方向或大约45°方向上的高度或深度比结构体3在轨迹的列方向上的高度或深度更小。在该关系不满足的情况下，因为在相对于轨迹的45°方向或大约45°方向上的配置间距应更长，所以在相对于轨迹的45°方向或大约45°方向上的结构体3的填充率降低。填充率以该方式降低会导致反射特性降低。
在基板表面上以微小间距设置的多个结构体3优选形成多列轨迹，并且在三列相邻轨迹中形成六方点阵图案、类六方点阵图案、四方点阵图案或类四方点阵图案。通过这样的图案，可以增加表面上的结构体3的填充密度，由此增加可见光等的防反射效率，并且可以实现防反射特性优良且透射性极高的导电光学元件。
透明光学元件1优选通过结合光盘状母版制造处理和蚀刻处理的方法来制造。能够在短时间内高效率地制造光学装置的母版，并且可以响应基板2的尺寸增大，由此可增加导电光学元件1的生产率。
<2.第二实施方式>
[导电光学元件的结构]
图15A是示出了根据本发明第二实施方式的导电光学元件的结构的一个实例的示意性平面图。图15B是示出了图15A所示的导电光学元件的局部放大平面图。图15C是图15B的轨迹T1、T3、…的截面图。图15D是图15B的轨迹T2、T4、…的截面图。图15E是示出了用于形成对应于图15B的轨迹T1、T3、…的潜像的激光的调制波形的简化线图。图15F是示出了用于形成对应于图15B的轨迹T2、T4、…的潜像的激光的调制波形的简化线图。
根据第二实施方式的导电光学元件1与第一实施方式的导电光学元件1不同在于，各个结构体3在三列相邻轨迹中形成四方点阵图案或类四方点阵图案。在该实施方式中，类四方点阵图案与正四方点阵图案不同，并且表示在轨迹的延伸方向(X轴方向)上进行扩大的变形的四方点阵图案。
结构体3的高度和深度没有限制，并且例如为大约100nm至280nm。在相对于轨迹(大约)45°方向上的间距P2例如为大约200nm至300nm。结构体3的纵横比(高度/配置间距)例如为大约0.54至1.13。此外，各个结构体3的所有纵横比不限于相同，而是它们可被构造为使得各个结构体3具有一定的高度分布。
优选在同一轨迹中的结构体3的配置间距P1比两个相邻轨迹之间的结构体3的配置间距P2更大。此外，P1/P2优选满足关系1.4＜P1/P2≤1.5，其中，在同一轨迹中的结构体3的配置间距为P1，而在相邻两个轨迹之间的结构体3的配置间距为P2。通过该数值范围，能够提高具有椭圆锥或椭圆锥台形状的结构体3的填充率，因此可以提高防反射特性。此外，优选结构体3在相对于轨迹的45°方向或大约45°方向上的高度或深度比结构体3在轨迹延伸方向上的高度或深度更小。
优选结构体3在倾斜于轨迹延伸方向的配置方向(θ方向)上的高度H2比结构体3在轨迹延伸方向上的高度H1更小。既，结构体3的高度H1、H2满足关系H1＞H2。在结构体3配置为形成四方点阵图案或类四方点阵图案的情况下，结构体3的高度H为结构体3在延伸方向(轨迹方向)上的高度。
图16是示出了当结构体3的底面的椭圆率变化时的底面形状的示图。椭圆31、32和33的椭圆率分别为100％、163.3％和141％。通过以该方式改变椭圆率，可以改变基板表面上的结构体3的填充率。在结构体3形成四方点阵或类四方点阵图案的情况下，结构体底面的椭圆率优选为150％≤e≤180％。这是因为，通过该范围，可以提高结构体3的填充率，并且可以实现优良的防反射特性。
基板表面上的结构体3的填充率的范围在65％以上，优选73％以上，更优选86％以上，其中上限为100％。在填充率在该范围内的情况下，可以提高防反射性。
此处，结构体3的填充率(平均填充率)为按照以下方法获得的值。
首先，使用扫描电子显微镜(SEM：Scanning Electron Microscope)以顶视图拍摄导电光学元件1的表面的照片。然后，从拍摄的SEM照片中随机选择单位点阵Uc，并且测量单位点阵Uc的配置间距P1和轨迹间距Tp(参见图15B)。然后，通过图像处理测量包括在单位点阵Uc中的四个结构体3任何一个的底面的面积S。然后，通过使用所测得的配置间距P1、轨迹间距Tp、底面的面积S，基于下式(3)获得填充率。
填充率＝(S(tetra)/S(unit))×100    (2)
单位点阵面积：S(unit)＝2×((P1×Tp)×(1/2))＝P1×Tp
单位点阵中结构体的底面的面积：S(tetra)＝S
对于从拍摄的SEM照片中随机选取的十个单位点阵执行上述填充率计算处理。然后，简单平均(算术平均)所测得的值，从而获得填充率的平均率作为基板表面的结构体3的填充率。
直径2r与配置间距P1的比率((2r/P1)×100)为64％以上，优选为69％以上，并且更优选为73％以上。这是因为，通过该范围，能够提高结构体3的填充率，并且能够提高防反射特性。此处，配置间距P1为在轨迹方向上的结构体3的配置间距，而直径2r为结构体底面在轨迹方向上的直径。应注意，当结构体底面具有圆形时，直径2r为直径，而在结构体底面具有椭圆形状时，直径2r为长轴直径。
[辊型母版的结构]
图17示出了用于制造具有上述结构体的导电光学元件的辊型母版的结构体的一个实例的示图。该辊型母版与第一实施方式中的不同在于，凹状结构体13在其表面上形成四方点阵图案或类四方点阵图案。
使用辊型母版曝光装置，空间连接二维图案，对于一个轨迹同步极性反转格式器信号和记录装置的旋转控制器以生成信号，并且以CAV和适当的进给间距执行图案化。结果，可以记录四方点阵图案或类四方点阵图案。通过适当设置极性反转格式器信号的频率和辊的rpm，优选在母版12的抗蚀层的所期望的记录区域上、通过激光照射形成具有恒定的空间频率的点阵图案。
<3.第三实施方式>
[导电光学元件的结构]
图18A是示出了根据本发明第三实施方式的导电光学元件的结构的一个实例的示意性平面图。图18B是示出了图18A所示的导电光学元件的局部放大平面图。图18C是图18B的轨迹T1、T3、…的截面图。图18D是图18B的轨迹T2、T4、…的截面图。
根据第三实施方式的导电光学元件1与第一实施方式的不同在于，轨迹T具有弧形形状，并且结构体3以弧形形状方式配置。如图18B所示，结构体3被配置为使得在三列相邻轨迹(T1至T3)中，形成类六方点阵图案，其中结构体3的中心位于各个点a1至a7中。此处，类六方点阵图案与正六方点阵图案不同，并且表示沿轨迹T的弧形形状的变形的六方点阵图案。可选地，其与正六方点阵图案不同，并且表示沿轨迹T的弧形形状变形并沿轨迹的延伸方向(X轴方向)进行放大的六方点阵图案。
除了以上说明以外，导电光学元件1的结构与第一实施方式的类似，所以省略其说明。
[盘状母版结构体]
图19A和图19B示出了用于制造具有上述结构体的导电光学元件的盘状母版的结构的一个实例。如图19A和图19B所示，盘状母版41具有这样的结构，其中在圆盘形的母版42的表面上排列了多个作为凹部的结构体43。结构体13以小于导电光学元件1的使用环境下的光的波段的间距(例如与可见光的波长的程度相同)二维地排列。结构体43例如以同心或螺旋形轨迹配置。
除了以上说明以外，盘状母版41的结构与第一实施方式的辊型母版11的类似，所以省略其说明。
[导电光学元件的制造方法]
首先，将参考图20，描述用于制造具有上述结构体的盘状母版41的曝光装置。
移动光学台32包括扩束器33、反光镜38和物镜34。被引导至移动光学台32的激光15通过扩束器33而形成所期望的光束形状，并且此后，经由物镜34照射到圆盘形的母版42上的抗蚀层上。母版42安装在连接至主轴马达35的转台(未示出)上。此外，在旋转母版42并且在母版42的旋转半径方向上移动激光15的同时，用激光间歇地照射母版42上的抗蚀层，由此执行抗蚀层的曝光步骤。形成的潜像具有大致椭圆形状，其具有沿圆周方向的长轴。激光15的移动由移动光学台32在箭头R方向上的移动来进行。
图20中所示的曝光装置包括控制机构37，其用于在抗蚀层上形成如图18B所示的六方点阵或类六方点阵的二维图案化潜像。控制机构37包括格式器29和驱动器30。格式器29包括极性反转部，该极性反转部控制激光15对于抗蚀层的照射定时。在接收到极性反转部的输出后，驱动器30就控制声光调制器27。
控制机构37分别对于一个轨迹同步AOM 27对激光15的强度调制、主轴马达的驱动rpm以及移动光学台32的移动速度，从而空间连接潜像的二维图案。将母版42的旋转控制为恒定的角速度(CAV)。此外，以通过主轴马达的母版42的适当rpm、通过AOM 27的激光强度的适当频率调制以及通过移动光学台32的激光15的适当进给间距，来执行图案化。结果，在抗蚀层上形成六方点阵图案或类六方点阵图案的潜像。
此外，逐渐改变极性反转部的控制信号，以使得空间频率(潜像的图案密度，P1：330，P2：300nm，P1：315nm，P2：275nm或P1：300nm，P2：265nm)均一。更特别地，在对于一个轨迹改变抗蚀层上激光15的照射周期的同时，执行曝光，并且控制机构37执行激光15的频率调制，使得P1在每个轨迹T中都大约为330nm(或315nm，300nm)。即，控制调制，以使得随着轨迹位置远离圆盘形的母版42的中心，激光的照射周期更短。结果，可以在基板的整个表面上形成具有均一空间频率的纳米图案。
下文中，将描述根据本发明第三实施方式的导电光学元件的制造方法的一个实例。
首先，除了使用具有上述结构的曝光装置而对形成在圆盘形的母版上的抗蚀层进行曝光之外，盘状母版41类似于第一实施方式来制造。然后，将盘状母版41和基板2(诸如涂覆有紫外线固化树脂的丙烯酸树脂片)互相紧密接触，并且在将它们用紫外线照射并且紫外线固化树脂固化后，将基板2从盘状母版41剥离。结果，可以获得在表面上排列了多个结构体3的圆盘形光学装置。然后，根据需要，在形成有多个结构体3的光学装置的凹凸表面上形成金属膜5之后，形成透明导电膜4。结果，可以获得圆盘形的导电光学元件1。然后，从圆盘形的导电光学元件1，切出具有预定形状(如矩形)的导电光学元件1。结果，制造了所需的导电光学元件1。
根据第三实施方式，类似于结构体3直线排列的情况，其生产率高，并且可以实现具有优良的防反射特性的导电光学元件1。
<4.第四实施方式>
图21是示出了根据本发明第四实施方式的导电光学元件的结构的一个实例的示意性平面图。图21B是示出了图21A所示的导电光学元件的局部放大平面图。
根据第四实施方式的导电光学元件1与第一实施方式的不同在于，以曲折轨迹(下文中，称为波动轨迹)排列结构体3。基板2上各个轨迹的波动优选互相同步。换句话说，这些波动优选为同步的波动。通过使波动互相同步，保持了六方点阵或类六方点阵的单位点阵形状，并且能够保持高的填充率。波动轨迹的波形例如为正弦波、三角波等。波动轨迹的波形不限于周期性波形，并且可为非周期性波形。波动轨迹的波动振幅选择为例如约±10μm。
除了上述说明以外，第四实施方式类似于第一实施方式。
根据第四实施方式，由于结构体3排列在波动轨迹上，所以可以抑制产生外观上的凹凸(不均匀)。
<5.第五实施方式>
图22A是示出了根据本发明第五实施方式的导电光学元件的结构的一个实例的示意性平面图。图22B是示出了图22A所示的导电光学元件的局部放大平面图。图22C是图22B的轨迹T1、T3、…的截面图。图22D是图22B的轨迹T2、T4、…的截面图。图23是示出了图22A所示的导电光学元件的局部放大透视图。
根据第五实施方式的导电光学元件1与第一实施方式的不同在于，在基板表面上排列了多个作为凹部的结构体3。结构体3的形状是通过反转第一实施方式的结构体3的凸状而获得的凹状。应注意，在结构体3为上述凹部的情况下，作为凹部的结构体3的开口部(凹部的口部)被定义为底部，而基板2的深度方向上的最低部(凹部的最深部)被定义为顶部。即，通过作为非实体的空间的结构体3定义顶部和底部。此外，根据第五实施方式，由于结构体为凹部，式(1)等中的结构体3的高度H为结构体3的深度H。
除了上述说明以外，第五实施方式类似于第一实施方式。
在第五实施方式中，在第一实施方式中为凸状的结构体3的形状被反转为凹状，因此其可以实现类似于第一实施方式的效果。
<6.第六实施方式>
图24A是示出了根据本发明第六实施方式的导电光学元件的结构的一个实例的示意性平面图。图24B示出图24A所示的导电光学元件的局部放大平面图。图24C是图24B的轨迹T1、T3、…的截面图。图24D是图24B的轨迹T2、T4、…的截面图。图25是示出了图24A所示的导电光学元件的局部放大透视图。
导电光学元件1包括基板2、形成在基板2的表面上的多个结构体3、以及形成在这些结构体3上的透明导电膜4。此外，从提高表面电阻的角度考虑，优选在结构体3和透明导电膜4之间进一步设置金属膜5。结构体3为锥体形状的凸部。相邻结构体3的底部接合，以使得它们的底部相互重叠。在相邻的结构体3中，最相邻的结构体3优选在轨迹方向上配置。这是因为，在以下所述的制造方法中，易于在该位置配置最相邻的结构体3。导电光学元件1具有防止进入设置有结构体3的基板表面的光被反射的功能。在下文中，如图24A所示，在基板2的一个主表面上的两个正交的轴被称为X轴和Y轴，并且垂直于基板2的一个主表面的轴被称为Z轴。此外，在结构体3之间存在间隙部2a的情况下，优选在间隙部2a上设置微细的凹凸形状。通过设置微细的凹凸形状，能够进一步降低导电光学元件1的反射率。
图26示出了根据本发明的第六实施方式的导电光学元件的折射率分布的一个实例的示图。如图26所示，结构体3的相对于深度方向(在图24A中的-Z轴方向)的有效折射率变化为朝向基板2逐渐增加，并且画出S形状的曲线。即，折射率分布具有一个拐点N。该拐点对应于结构体3的侧面的形状。通过改变有效折射率，对于光的边界变得不清晰，由此减少了反射光，并且可以提高导电光学元件1的防反射特性。有效折射率相对于深度方向的改变优选单调递增。此处，S形状包括反S形状，即Z形状。
此外，有效折射率相对于深度方向的改变优选比结构体3的顶部侧和基板侧中至少一侧的有效折射率的斜度的平均值更快，并且更优选比结构体3的顶部侧和基板侧这两侧的上述平均值都更快。结果，可以实现优良的防反射特性。
结构体3的底部例如接合至相邻结构体3的部分或全部底部。通过接合结构体的底部，结构体3的有效折射率相对于深度方向的改变能够平滑。结果，可以获得S形状的折射率分布。此外，通过接合结构体的底部，可以增加结构体的填充率。应注意，在图24B中，当所有的相邻结构体3都接合时接合部的位置都由黑点标记“●”表示。具体地，接合部形成在所有的相邻结构体3之间、同一轨迹中的相邻结构体3之间(例如，a1和a2之间)、或相邻轨迹中的结构体3之间(例如，a1和a7之间，a2和a7之间)。为了获得平滑的折射率分布并且实现优良的防反射特性，优选在所有的相邻结构体3之间形成接合部。为了通过使用下述制造方法容易地形成接合部，接合部优选在同一轨迹的相邻结构体3之间形成。在结构体3以六方点阵图案或类六方点阵图案周期性地配置的情况下，例如，它们以结构体3六次对称的方位接合。
优选结构体3接合为使得它们的底部相互重叠。通过以该方式接合结构体3，可以获得具有S形状的折射率分布，并且可以提高结构体3的填充率。结构体优选以考虑到折射率的光路长度的使用环境下的光的波段的最大值的1/4以下的部分来接合。结果，可以实现优良的防反射特性。
适当地，结构体3的高度优选相应于透射光的波长范围来设置。具体地，结构体3的高度优选为使用环境下的光的波段的最大值的5/14以上且10/7以下，更优选为上述最大值的2/5以上且10/7以下，并且进一步优选为上述最大值的3/7以上且10/7以下。当其被设为最大值的5/14以上时，在可见光范围400nm至700nm中的几乎全部范围内，反射率都被抑制为0.3％以下。当其被设为最大值的2/5以上时，在可见光范围400nm至700nm中的几乎全部范围内，反射率都被抑制为0.1％以下。在上述制造方法中，当被设置为最大值的10/7以下时，易于形成结构体3。在透射可见光的情况下，结构体3的高度优选为100nm至320nm。结构体3的纵横比(高度H/平均配置间距P)优选设置在0.2以上且1.78以下的范围内。
作为结构体3的材料，例如优选主要包含可由紫外线或电子束固化的电离放射线固化树脂、或者可通过加热固化的热固性树脂的材料，并且最优选主要包含能够由紫外线固化的紫外线固化树脂的材料。
图27是示出了结构体的形状的一个实例的放大截面图。结构体3的侧面优选朝向基板2逐渐扩大，并且优选以绘出图26所示的S形曲线的平方根形状的方式变化。通过该侧面形状，可以实现优良的防反射性，并且可以提高结构体3的转印特性。
结构体3的顶部3t例如具有平面(平坦)形状或渐缩至尖端的凸状。在结构体3的顶部3t具有平面形状的情况下，优选使得结构体顶部的平面面积St与单位点阵的面积S的面积比(St/S)随着结构体3的高度增加而更小。通过该方式，可以提高导电光学元件1的防反射特性。此处，单位点阵例如为六方点阵、类六方点阵等。结构体底面的面积比(结构体底面的面积Sb与单位点阵S的面积比(Sb/S))优选接近顶部3t的面积比。此外，在结构体3的顶部3t上，可形成折射率比结构体3更低的低折射率层，并且通过形成该低折射率层，可以降低反射率。
不包括顶部3t和底部3b的结构体3的侧面优选包括在从顶部3t至底部3b的方向上顺次的一对第一变化点Pa和第二变化点Pb。结果，结构体3的相对于深度方向(图24A中的-Z轴方向)的有效折射率可以包括一个拐点。
此处，如下定义第一变化点和第二变化点。
如图28A和图28B所示，当结构体3的顶部3t和底部3b之间的侧面通过多个曲面从结构体3的顶部3t至底部3b不连续地接合的方式形成的情况下，接合点为变化点。变化点对应于拐点。虽然无法在接合点准确地执行微分，但这样的极限的拐点也称作拐点。在结构体3具有上述曲面的情况下，优选地，在从结构体3的顶部3t至底部3b的斜度从作为界限的第一变化点Pa起变得更缓之后，其从作为界限的第二变化点Pb起变得更陡。
如图28C所示，当结构体3的侧面从顶部3t至底部3b通过多个平滑曲面从结构体3的顶部3t至底部3b连续并平滑地接合的方式形成的情况下，变化点定义如下。如图28C所示，曲面上最接近于存在于结构体的侧面上的两个拐点上的各切线互相交叉的交点的点称为变化点。
结构体3优选在顶部3t和底部3b之间的侧面上包括台阶St。通过如上所述设置台阶St，可以获得上述折射率曲线。即，结构体3的相对于深度方向的有效折射率可以朝向基板2逐渐增加，并且能够改变为绘出S形的曲线。作为台阶，例如采用倾斜台阶或平行台阶，并且优选倾斜台阶。这是因为，如果台阶St为倾斜台阶，能够获得比台阶St为平行台阶的情况下更好的转印特性。
倾斜台阶表示，其不是平行于基板表面的台阶，而是以侧面在从结构体3的顶部至底部的方向上伸展的方式倾斜的台阶。平行台阶表示平行于基板表面的台阶。此处，台阶St为通过上述第一变化点Pa和第二变化点Pb设置的部分。应注意，假定台阶St不包括顶部3t的平坦表面以及结构体之间的曲面或平坦表面。
从易于形成的角度考虑，结构体3优选具有轴对称锥体形状(除了接合至相邻结构体3的底部之外)，或者为通过在轨迹方向上扩大或缩小锥体形状而获得的锥体形状。作为锥体形状，例如可采用圆锥形状、圆锥台形状、椭圆锥形状、椭圆锥台形状等。此处，如上所述，除了圆锥形状和圆锥台形状之外，锥体形状还概念地包括椭圆锥形状和椭圆锥台形状。此外，圆锥台形状表示通过截去圆锥形状的顶部所获得的形状，而椭圆锥台形状表示通过截去椭圆锥的顶部获得的形状。应注意，结构体3的整体形状不限于这些形状，并且可以为结构体3的相对于深度方向的有效折射率朝向基板2逐渐增加并且以S形状改变的形状。此外，锥体形状不仅包括完全的锥体形状，而是如上所述，还包括在侧面上具有台阶St的锥体形状。
具有椭圆锥形状的结构体3具有包括椭圆形状、长圆形状或卵形形状的锥体结构(其具有包括长轴和短轴的底面)，并且具有包括顶部变窄并渐缩至尖端的凸状的结构。具有椭圆锥台形状的结构体3为具有包括椭圆形状、长圆形状或卵形形状的底面(其具有长轴和短轴)的锥体结构的结构体，并且具有作为平坦表面的顶部。在结构体3为圆锥形状或圆锥台形状的情况下，结构体3优选通过结构体3的底面的长轴方向为轨迹延伸方向(X轴方向)的方式而在基板表面上形成。
[0147]结构体3的截面面积在结构体3的深度方向上改变，以对应于上述折射率分布。结构体3的截面面积优选在结构体3的深度方向上单调递增。此处，结构体3的截面面积表示与排列有结构体3的基板表面平行的截面面积。结构体的截面面积优选在深度方向上变化，以使得在不同深度的位置的结构体3截面面积比率相应于上述与该位置对应的有效折射率分布。
包括上述台阶的结构体3例如为使用如下制造的母版、通过形状转印而获得的。即，在制造母版的蚀刻步骤中，适当地通过调整蚀刻处理以及灰化处理的处理时间，制造具有形成在结构体(凹部)的侧面上的台阶的母版。
根据第六实施方式，结构体3具有锥体形状，并且结构体3的相对于深度方向的有效折射率朝向基板2逐渐增加，并改变以绘制S形的曲线。结果，由于结构体3的形状效果，对于光的边界变得不清晰，因而减少了反射光。结果，可以实现优良的防反射特性。特别地，在结构体3的高度大的情况下，可以实现优良的防反射特性。具体地，在结构体3的高度优选为使用环境下的光的波段的最大值的5/14以上且10/7以下、更优选2/5以下且10/7以下、进一步优选3/7以上且10/7以下的情况下，能够实现特别优良的防反射特性。此外，由于相邻结构体3的底部以底部相互重叠的方式互相接合，所以能够增加结构体3的填充率，并且可以容易地形成结构体3。
结构体3的相对于深度方向的有效折射率曲线优选以S形状改变，并且结构体优选以(类)六方点阵或(类)四方点阵阵列配置。此外，各个结构体3优选具有轴对称结构，或者通过在轨迹方向上放大或缩小轴对称结构而获得的结构。此外，相邻结构体3优选在基板附近接合。通过该结构，易于制造防反射结构体，并且可以制造高性能防反射结构体。
在使用结合光盘母版制造处理和蚀刻处理的方法制造导电光学元件1的情况下，与通过使用电子束曝光制造导电光学元件1的情况相比，能够显著缩短母版制造处理(曝光时间)所需的时间。因此，可以显著提高导电光学元件1的生产率。
在结构体3的顶部的形状不是尖锐的而是平面形状时，可以提高导电光学元件1的耐久性。此外，也可以提高结构体3对于辊型母版11的剥离特性。在结构体3的台阶为倾斜台阶时，与平行台阶的情况相比，可以提高转印特性。
<7.第七实施方式>
图29是示出了根据本发明的第七实施方式的导电光学元件的结构的一个实例的截面图。如图29所示，导电光学元件1与第一实施方式的不同在于，其在基板2上包括透明导电层8，并且在透明导电层8的表面上形成了多个具有透明导电性的结构体3。透明导电层8包括选自由导电高分子、银类填料、碳纳米管以及ITO粉末组成的组中的至少一种材料。作为导电高分子，例如可以使用导电高分子材料，如聚噻吩类、聚苯胺类、聚吡咯类等，并且优选使用聚噻吩类导电高分子材料。作为聚噻吩类导电高分子材料，优选使用通过在PEDOT(聚乙烯二氧噻吩)中掺杂PSS(聚苯乙烯磺酸盐)获得的PEDOT/PSS类材料。
第七实施方式能够实现类似于上述第一实施方式的效果。
<8.第八实施方式>
图30是示出了根据本发明第八实施方式的导电光学元件的结构的一个实例的截面图。如图30所示，导电光学元件1与第一实施方式不同在于，其在与形成有结构体3的一个主表面(第一主表面)相反的另一主表面(第二主表面)上也具有结构体3。
在导电光学元件1的两个主表面上的结构体3的配置图案、纵横比等并不需要相同，而是可根据期望的特性选择不同的配置图案、纵横比等。例如，主表面的配置图案可为类六方点阵图案，而另一主表面的配置图案可为类四方点阵图案。
根据第七实施方式，因为在基板2的两个主表面上都形成了多个结构体3，所以可以将防光反射的功能赋予导电光学元件1的光入射表面和光出射表面。结果，可进一步提高光透射特性。
<9.第九实施方式>
图31A是示出了根据本发明的第九实施方式的触摸板的结构的一个实例的透视图。图31B是示出了根据本发明的第九实施方式的触摸板的结构的一个实例的截面图。触摸板50是所谓的电阻式触摸板。作为电阻式触摸板，可以采用模拟电阻式触摸板和数字电阻式触摸板中的任一种。
触摸板50包括第一导电光学元件51和面向该第一导电光学元件51的第二导电光学元件52。第一导电光学元件51和第二导电光学元件52通过配置在它们的周边部分之间的接合单元55而结合在一起。对于结合单元55，例如使用粘浆、胶带等。从提高耐磨损性的角度考虑，触摸板50优选在第一导电光学元件51的触摸侧表面上包括硬涂层7。优选向硬涂层7的表面赋予耐污性。触摸板50例如通过结合层53结合至显示装置54。作为结合层53的材料，例如可以使用丙烯酸树脂、橡胶或硅类粘合剂等，而从透光性的角度考虑，优选丙烯酸树脂粘合剂。
(显示装置)
作为显示装置54，例如可以使用各种显示装置，如液晶显示器、CRT(阴极射线管)显示器、等离子体显示器(Plasma Display Panel：PDP)、电致发光(Electro Luminescence：EL)显示器、表面传导型电子发射显示器(Surface-conduction Electron-emitter Display：SED)
(导电光学元件)
作为第一导电光学元件51和第二导电光学元件52中的至少一个，使用根据第一至第七实施方式中的任何一种导电光学元件1。在使用根据第一至第七实施方式中的任何一种导电光学元件1作为两个导电光学元件的情况下，作为两个导电光学元件，可使用根据不同实施方式的导电光学元件1。
第一导电光学元件51包括第一基板2，该第一基板具有面对第二导电光学元件52的对向表面；以及第一透明导电膜4，其形成在第一基板2的对向表面上。第二导电光学元件52包括第二基板2，该第二基板具有面对第一导电光学元件51的对向表面；以及第二透明导电膜4，其形成在第二基板的对向表面上。在第一和第二基板2的对向表面中的至少一个上，形成通过凸部或凹部以小于等于可见光的波长的微小间距构成的多个结构体3。从防反射特性和透射特性的角度考虑，优选在两个导电光学元件上都形成结构体3。在结构体3上形成的第一或第二透明导电膜4具有模仿结构体3的形状的形状。
根据第九实施方式，由于在第一导电光学元件51和第二导电光学元件52的对向表面中的至少一个上形成了多个结构体3，所以可以实现具有优良的防反射特性和透射特性的触摸板50。因此，可以提高显示装置54的可视性。特别地，可以提高在室外显示装置54的可视性。
(修改例)
图32A是示出了根据本发明的第九实施方式的触摸板的修改例的透视图。图32B是示出了根据本发明的第九实施方式的触摸板的修改例的截面图。
触摸板50优选包括通过结合层60等结合至第一导电光学元件51的触摸侧表面的偏光器58。在以该方式设置偏光器58的情况下，作为第一导电光学元件51和第二导电光学元件52的基板2，优选使用λ/4相位差膜。通过以该方式使用偏光器58和作为λ/4相位差膜的基板2，可以降低反射率，并且可以增加可视性。
在第一导电光学元件51的触摸侧表面上，优选形成单层或多层的防反射层(未示出)。这是因为可以降低反射率，并且可以增加可视性。此外，在第一导电光学元件51的触摸侧表面上，可进一步设置通过结合层61等结合在一起的前面板(表面构件)59。在前面板59的两个主表面中的至少一个上，类似于第一导电光学元件51，可形成多个结构体3。此外，可通过结合层57将玻璃基板56结合至第二导电光学元件52的结合至显示装置54等的表面上。
在第一导电光学元件51和第二导电光学元件52中至少一个的周边部分上，也优选形成多个结构体3。这是因为，由于固着效应(anchor effect)，可以提高第一导电光学元件51或第二导电光学元件52与结合层55之间的紧密接触特性。
此外，在第二导电光学元件52结合显示装置54等的表面上，也优选形成多个结构体3。这是因为，由于多个结构体3的固着效应，所以可以提高触摸板50和结合层53之间的粘附性。
<10.第十实施方式>
图33A是示出了根据本发明的第十实施方式的触摸板的结构的一个实例的透视图。图33B是示出了根据本发明的第十实施方式的触摸板的结构的一个实例的截面图。第十实施方式与第九实施方式的不同在于，对于作为接触表面侧的第一导电光学元件51，根据第八实施方式的导电光学元件1。
作为在显示装置54侧的第二导电光学元件52，也优选设置根据第八实施方式的导电光学元件1。这是因为，可以提高触摸板50和结合层53之间的紧密接触性。
根据第十实施方式，由于多个结构体3也在第一导电光学元件51的触摸表面侧上形成，所以能够实现比第九实施方式更好的优良的防反射特性和透射特性。
优选这样的结构，其中，在形成有多个结构体3的基板2的凹凸表面上，形成诸如透明导电膜4的导电膜、具有高导电性的金属膜、或金属膜5和透明导电膜4的层压膜。通过调整结构体3的设计及导电膜的膜厚，实现低反射特性和高透射特性，并且能够实现期望的电阻。
例如，通过调整结构体3的纵横比以及透明导电膜的膜厚等，可以将导电光学元件1的表面电阻控制在几百Ω/□至几千Ω/□的大表面电阻范围内。此外，在保持上述表面电阻的范围的同时，能够实现低反射特性和高透射特性。因此，可以抑制由于安装触摸板所导致的显示装置的显示质量下降。
在形成导电膜的配线的诸如数字式电阻式触摸板或静电式触摸板的传统的触摸板中，由于导电膜和基板的反射率彼此不同，所以导电膜的配线可见，并且显示装置的显示质量可能降低。相反，根据第一实施方式的触摸板，不管导电膜是否存在，由于实现低反射特性和高透射特性，所以配线不可见，或者配线不明显可见得足以将其忽视。
<11.第十一实施方式>
图34是示出了根据本发明的第十一实施方式的液晶显示装置的结构的一个实例的截面图。如图34所示，液晶显示装置70包括液晶面板(液晶单元)和触摸板50，该液晶面板包括第一和第二主表面、形成在第一主表面上的第一偏光器72、形成在第二主表面上的第二偏光器73，该触摸板配置在液晶面板71和第一偏光器72之间。触摸板50为液晶显示器集成型触摸板(称为内部触摸板)。
(液晶面板)
作为液晶面板71，例如可以使用采用诸如扭转向列(Twisted Nematic：TN)模式、超扭转向列(Super Twisted Nematic：STN)模式、垂直取向(VerticallyAligned：VA)模式、平行阵列(IN-Plane Switching：IPS)模式、光学补偿弯曲取向(Optically Compensated Birefringence：OCB)模式、铁电(Ferroelectric Liquid Crystal：FLC)模式、高分子分散型液晶(PolymerDispersed Liquid Crystal：PDLC)或相变宾主(Phase Change Guest Host：PCGH)模式的显示模式的液晶面板。
(偏光器)
第一偏光器72和第二偏光器73通过结合层74、75以它们的透射轴彼此正交的方式结合至液晶面板71的第一和第二主表面。第一偏光器72和第二偏光器73使入射光的一种正交偏光分量透过，并且通过吸收而截止另一分量。作为第一偏光器72和第二偏光器73，例如，可以使用在聚乙烯醇(PVA)类膜上以单轴方向排列的碘络合物或二色性染料的偏光器。在第一偏光器72和第二偏光器73的两个表面上，优选设置诸如三醋酸纤维素(TAC)膜的保护层。
(触摸板)
作为触摸板50，可以使用类似于第九或第十实施方式的触摸板。
根据第十一实施方式，采用了这样的结构，其中偏光器72由液晶面板71和触摸板50所共用，因此可以提高光学性质。
实施例
下文中，将通过实施例具体描述本发明，但是本发明并不限于这些实施例。
(高度H、平均配置间距P、纵横比)
在以下实施例中，如下获得导电光学片的结构体的高度H、配置间距P和纵横比。
首先，在未形成ITO膜的状态中，通过原子力显微镜(AFM：AtomicForce Microscope)拍摄光学片的表面形状的照片。然后，基于拍摄的AFM图像及其截面轮廓，获得结构体的配置间距P1、配置间距P2以及高度H。对于从光学片随机选择的十个位置重复执行这些测量，测得的值经简单平均(算术平均)从而获得平均配置间距P1、平均配置间距P2和平均高度H，并且这些平均值分别被用作为配置间距P1、配置间距P2和高度H。然后，通过使用这些(平均)配置间距P1、(平均)配置间距P2和(平均)高度H，获得了纵横比(＝高度H/平均配置间距P)。此处，平均配置间距P＝(P1+P2+P3)/3。
在以下实施例中，如下获得透明导电膜的膜厚。
首先，切割导电光学片，以包括结构体的顶部，通过透射电子显微镜(TEM：Transmission Electron Microscope)拍摄截面照片，并且基于拍摄的TEM照片，测量结构体顶部的透明导电膜的膜厚。对于从导电光学片随机选取的十个位置重复执行测量，测得值经简单平均(算术平均)从而获得平均膜厚，并且将该平均膜厚作为透明导电膜的膜厚。
<1.导电光学片的光学性质>
(实施例1)
首先，制备具有126nm外径的玻璃辊型母版，并且如下将抗蚀层附着至玻璃辊型母版的表面。即，用稀释剂将光致抗蚀剂稀释至1/10，并且通过浸渍法将稀释的抗蚀剂以大约70nm的厚度涂在玻璃辊型母版的圆柱表面上，由此附着了抗蚀层。然后，通过将作为记录介质的玻璃辊型母版运送至图11所示的辊型母版曝光装置，并且将抗蚀层曝光，在抗蚀层上图案化形成了作为一个螺旋连续并且在三列相邻轨迹中形成六方点阵图案的潜像图案。
具体地，用具有0.50mW/m功率的激光照射要形成六方点阵曝光图案的区域，其中玻璃辊型母版表面通过该激光曝光以形成凹状六方点阵曝光图案。应注意，在轨迹列的列方向上的抗蚀层的厚度大约为60nm，而在轨迹延伸方向上的抗蚀层厚度大约为50nm。
然后，对玻璃辊型母版的抗蚀层执行显影处理，并且曝光部分的抗蚀层溶解从而执行显影。具体地，在未示出的显影机器的转台上安装未显影的玻璃辊型母版，并且在将其与转台一起旋转时，将显影剂滴加在玻璃辊型母版的表面上，从而将表面的抗蚀层显影。结果，获得了抗蚀层具有六方点阵图案的开口的抗蚀玻璃母版。
然后，通过使用辊型蚀刻设备，在CHF3气氛环境中执行等离子体蚀刻。结果，在玻璃辊型母版的表面上，仅在从抗蚀层露出的六方点阵图案部分中进行蚀刻，而不在抗蚀层起掩模作用的其他区域进行蚀刻，并且在玻璃辊型母版上形成椭圆锥形状的凹部。在该情况下，由蚀刻时间期间调整蚀刻量(深度)。最后，通过由O2灰化完全除去抗蚀层，获得具有凹状六方点阵图案的蛾眼玻璃辊型母版。在列方向上的凹部的深度比在轨迹延伸方向上的凹部的深度更大。
然后，上述蛾眼玻璃辊型母版和涂有紫外线固化树脂的TAC(三醋酸纤维素)片相互紧密接触，并且在它们被紫外线照射并固化时剥离。结果，获得了在一个主表面上排列多个结构体的光学片。光学片上的结构体的高度H为170nm，配置间距为270nm，并且纵横比为0.63。然后通过溅射方法，在结构体上形成具有20nm膜厚的ITO膜。
通过上述方式，制造了所需的导电光学片。
(实施例2)
除了调整曝光步骤和蚀刻步骤的条件，结构体高度H为200nm、配置间距为240nm、并且纵横比为0.83以外，类似于实施例1来制造导电光学片。
(实施例3)
除了调整曝光步骤和蚀刻步骤的条件，结构体高度H为280nm、配置间距为250nm、并且纵横比为1.12以外，类似于实施例1来制造导电光学片。
(表面电阻的评价)
如上所述制造的导电光学片的表面电阻由四端子法测量。图35示出表面电阻和ITO膜厚之间的关系。
(透射率的评价)
如上所述制造的导电光学片的透射率通过使用JASCO Corporation制造的评价设备(V-550)来评价。结果如图36所示。
(透明导电膜的状态评价)
如下评价如上所述制造的导电光学片的导电膜的状态。首先，切割光学导电片，并且通过使用透射电子显微镜(TEM)观察其截面。此外基于以下基准，评价ITO膜的膜形成状态。
O：ITO膜模仿TAC膜的凹凸表面形成。
X：ITO膜未模仿TAC膜的凹凸表面形成。
表1示出了根据实施例1至3的导电光学元件的结构。
[表1]
参考表1和图35，应理解，通过在0.63至1.12的范围内改变结构体的纵横比，能够实现300Ω/□至2000Ω/□的大范围的表面电阻。
参考表1和图36，应理解，通过使ITO膜具有模仿TAC膜的凹凸表面的形状，虽然在导电光学片的一个主表面上形成了透明导电膜，但可以抑制反射率的增加，并且可以获得大约95％的高透射率。
如上所述，通过在0.63至1.12的范围内改变结构体的纵横比，并且通过引起ITO膜具有模仿TAC膜的凹凸表面的形状，可以实现300Ω/□至2000Ω/□的大范围的表面电阻，并且可以实现优良的透射特性。
(实施例4)
首先，类似于实施例1来制造光学片，只是调整曝光步骤和蚀刻步骤的条件，且结构体的结构为如下。
配置图案：六方点阵图案
配置间距P：270nm
高度H：170nm
纵横比：0.63
然后，通过溅射方法，在光学片的凹凸表面上形成透明导电膜，从而制造导电光学片。以下，示出了透明导电膜的膜形成条件。
输入功率：3kW
膜厚：32.50nm
(实施例5)
类似于实施例4来制造光学片，只是结构体的结构为如下。
配置图案：六方点阵图案
配置间距P：240nm
高度H：150nm
纵横比：0.63
(实施例6)
类似于实施例4来制造光学片，只是结构体的结构为如下。
配置图案：六方点阵图案
配置间距P：240nm
高度H：200nm
纵横比：0.83
(实施例7)
类似于实施例4来制造光学片，只是结构体的结构为如下。
配置图案：六方点阵图案
配置间距P：225nm
高度H：240nm
纵横比：1.07
(实施例8)
类似于实施例4来制造光学片，只是结构体的结构为如下。
配置图案：六方点阵图案
配置间距P：270nm
高度H：170nm
纵横比：0.63
然后，通过溅射方法，在光学片的凹凸表面上形成透明导电膜，从而制造导电光学片。以下，示出了透明导电膜的膜形成条件。
输入功率：3kW
膜厚：43.50nm
(实施例9)
类似于实施例8来制造光学片，只是结构体的结构为如下。
配置图案：六方点阵图案
配置间距P：240nm
高度H：150nm
纵横比：0.63
(实施例10)
类似于实施例4来制造光学片，只是结构体的结构为如下。
配置图案：六方点阵图案
配置间距P：250nm
高度H：320nm
纵横比：1.28
然后，通过溅射方法，在光学片的凹凸表面上形成透明导电膜，从而制造导电光学片。以下，示出了透明导电膜的膜形成条件。
输入功率：4kW
膜厚：56.96nm
(实施例11)
类似于实施例4来制造光学片，只是结构体的结构为如下。
配置图案：六方点阵图案
配置间距P：270nm
高度H：300nm
纵横比：1.11
然后，通过溅射方法，在光学片的凹凸表面上形成透明导电膜，从而制造导电光学片。以下，示出了透明导电膜的膜形成条件。
输入功率：4kW
膜厚：42.72nm
(表面电阻)
如上所述制造的导电光学片的表面电阻通过四端子法测量。然后，获得通过以30nm膜厚将所测得的表面电阻标准化而获得的值。然后，获得膜厚和表面电阻的乘积。结果如表2所示。图37示出了实施例4至11的导电光学片的“ITO膜厚×表面电阻”与“纵横比”之间的关系。图38示出了当ITO膜的膜厚被换算为30nm时，实施例4至11的导电光学片的“ITO膜厚×表面电阻”与“纵横比”之间的关系。
表2示出了实施例4至11的导电光学片的结构和评价结果。
表2
Figure BDA0000084786950000581
参考表2和图37，应理解以下。
应理解，电阻值与纵横比有关系，并且当膜厚(顶部膜厚)不改变时，在希望降低电阻值的情况下，需要降低纵横比，而相反，在希望增加电阻值的情况下，需要增加纵横比。
(实施例12)
首先，类似于实施例1来制造光学片，只是调整曝光步骤和蚀刻步骤的条件，并且结构体的结构为如下。
平均配置间距P：270nm
高度H：170nm
纵横比：0.63
然后，通过溅射方法，在光学片的凹凸表面上形成ITO膜，并且测量膜形成后(asdepo：沉积时)即刻的ITO膜的表面电阻。应注意，ITO膜的膜厚为32.5nm。然后，ITO膜经受130℃的退火30分钟，并且通过四端子方法测量退火后的ITO膜的表面电阻。通过该方式，制造所需的导电光学片。
(实施例13)
类似于实施例1来制造光学片，只是调整曝光步骤和蚀刻步骤的条件，并且结构体的结构为如下。应注意，在导电光学片的制造步骤中，类似于实施例12，在膜形成和退火后立刻测量ITO膜的表面电阻。
平均配置间距P：240nm
高度H：200nm
纵横比：0.83
(实施例14)
类似于实施例1来制造光学片，只是调整曝光步骤和蚀刻步骤的条件，并且结构体的结构为如下。应注意，在导电光学片的制造步骤中，类似于实施例12，在膜形成和退火后立刻测量ITO膜的表面电阻。
平均配置间距P：220nm
高度H：250nm
纵横比：0.83
(实施例15)
类似于实施例1来制造光学片，只是ITO膜厚为43.5nm。应注意，在导电光学片的制造步骤中，类似于实施例12，在膜形成和退火后立刻测量ITO膜的表面电阻。
(实施例16)
类似于实施例1来制造光学片，只是ITO膜厚为43.5nm。应注意，在导电光学片的制造步骤中，类似于实施例12，在膜形成和退火后立刻测量ITO膜的表面电阻。
(实施例17)
类似于实施例1来制造光学片，只是ITO膜厚为43.5nm。应注意，在导电光学片的制造步骤中，类似于实施例12，在膜形成和退火后立刻测量ITO膜的表面电阻。
(透射率、反射率)
如上所述制造的导电光学片的平均透射率和平均反射率通过使用JASCO Corporation制造的评价设备(V-550)来评价。结果如图39和图40所示。应注意，平均透射率和平均反射率为400nm至750nm波段内的平均透射率和平均反射率。
(比较例1)
通过模拟获得当在具有平滑平坦表面的玻璃基板上形成具有10nm厚度的ITO膜时的平均透射率和平均反射率。应注意，平均透射率和平均反射率为400nm至750nm波段内的平均透射率和平均反射率。
(比较例2)
类似于比较例1，通过模拟获得平均透射率和平均反射率，只是ITO膜的膜厚为15nm。
(比较例3)
类似于比较例1，通过模拟获得平均透射率和平均反射率，只是ITO膜的膜厚为20nm。
(比较例4)
类似于比较例1，通过模拟获得平均透射率和平均反射率，只是ITO膜的膜厚为25nm。
(比较例5)
类似于比较例1，通过模拟获得平均透射率和平均反射率，只是ITO膜的膜厚为30nm。
表3和表4示出了实施例12至17的导电光学片的结构体和评价结果。表5示出了比较例1至5的模拟条件和评价结果。
图39是示出了实施例12-17和比较例1-5的导电光学片的平均反射率图。图40示出实施例12-17和比较例1-5的导电光学片的平均透射率的示图。
[表3]
Figure BDA0000084786950000611
Asdepo：膜形成后即刻(沉积时)
[表4]
Asdepo：膜形成后即刻(沉积时)
[表5]
Figure BDA0000084786950000622
参考表3至表5和图39及图40，应理解以下。
在比较例1至5中，存在这样的趋势，即随着ITO膜的膜厚增加及表面电阻减小，平均反射率增加而平均透射率下降。相反，在实施例12至17中，存在这样的趋势，即使ITO膜的膜厚增加并且表面电阻减小，平均反射率和平均透射率也几乎不改变。
以上，虽然已具体描述本发明的实施例和实施方式，但是本发明不限于上述实施方式和实施例，并且基于本发明的技术思想可以进行各种修改。
例如上述实施方式和实施例中的数值、形状、材料、结构等仅为示例，并且根据需要，可使用不同的数值、形状、材料、结构等。
此外，本发明的主旨内，上述实施方式的各个结构可以互相结合。
此外，在上述实施方式中，光学装置还可包括作为形成有结构体的一侧的凹凸表面上的低折射率层。低折射率层优选主要包括折射率比构成基板、结构体和突出部的材料更低的材料。作为这样的低折射率层的材料，例如可使用诸如氟类树脂的有机材料或诸如LiF或MgF2的无机低折射率材料。
此外，在上述实施方式中，可通过热转印制造光学装置。具体地，可采用这样的方法，其包括加热主要包含热塑性树脂的基板，并且在由于加热而足够软的基板上按压诸如辊型母版或盘状母版的压模(模具)，从而制造光学装置。
虽然在上述实施方式中，已描述了本发明应用于电阻式触摸板的实例，但是本发明不限于该实例，而可应用于静电式、超声波式或光学式触摸板。
参考标号的说明
1：光学装置
2：基板
3：结构体
4：透明导电膜
5：金属膜
6：突出部
7：硬涂层
8：透明导电层
11：辊型母版
12：基板
13：结构体
14：抗蚀层
15：激光
16：潜像
41：盘状母版
42：母版
43：结构体
51：第一导电光学元件
52：第二导电光学元件
53、55、57、60、61、74、75：结合层
54：液晶显示装置
56，72，73：玻璃基板
58：偏光器
59：顶板(前构件)
71：液晶面板(液晶单元)

Claims (11)

1.一种导电光学元件，具有防反射功能，包括：
基板，具有表面；
多个结构体，以小于等于可见光的波长的微小间距配置在所述基板的表面上；以及
透明导电膜，形成在所述结构体上，其中，
所述透明导电膜具有模仿所述结构体的形状的形状，
所述结构体的纵横比为0.2以上且1.28以下，以及
所述透明导电膜的膜厚为9nm以上且50nm以下。
2.根据权利要求1所述的导电光学元件，其中，
所述透明导电膜的表面电阻为100Ω/□以上且5000Ω/□以下。
3.根据权利要求1所述的导电光学元件，其中，
所述透明导电膜包含铟锡氧化物或锌氧化物。
4.根据权利要求1所述的导电光学元件，其中，
所述透明导电膜处于非晶和多晶的混合状态。
5.根据权利要求1所述的导电光学元件，其中，
满足关系D1＞D3＞D2，其中在所述结构体的顶部的膜厚是D1，在所述结构体的斜面的膜厚是D2，在所述结构体之间的膜厚是D3，以及
在所述结构体的斜面的膜厚D2为9nm以上且30nm以下。
6.根据权利要求5所述的导电光学元件，其中，
在所述结构体的顶部的透明导电膜的膜厚D1在25nm以上且50nm以下的范围内，
在所述结构体的斜面的透明导电膜的膜厚D2在9nm以上且30nm以下的范围内，以及
在所述结构体之间的透明导电膜的膜厚D3在9nm以上且50nm以下的范围内。
7.根据权利要求1所述的导电光学元件，还包括：
导电膜，形成在所述结构体上，其中，
所述导电膜包括具有高导电性的金属类材料，并且具有模仿所述结构体的形状的形状。
8.根据权利要求8所述的导电光学元件，其中，
所述金属包括选自由Ag、Pt、Al、Au和Cu组成的组中的至少一种。
9.根据权利要求1所述的导电光学元件，其中，
所述结构体被配置为在所述基板的所述表面上形成多个轨迹，并且形成六方点阵图案、类六方点阵图案、四方点阵图案或类四方点阵图案，以及
所述结构体具有椭圆锥或椭圆锥台形状，所述椭圆锥或椭圆锥台形状具有沿所述轨迹的延伸方向的长轴方向。
10.一种导电光学元件，包括：
基板，具有表面；以及
透明导电层，形成在所述基板的表面上，其中，
所述透明导电层具有这样的表面，多个结构体以小于等于可见光的波长的微小间距形成在所述表面上，以及
所述结构体具有透明导电性。
11.根据权利要求10所述的导电光学元件，其中，
所述透明导电层和所述结构体包括选自由导电高分子、银类填料、碳纳米管以及铟锡氧化物粉末组成的组中的至少一种材料。
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