CN108919998A - 触控面板及其制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种触控面板及其制作方法，所述触控面板包括：基底，所述基底具有不平坦的上表面，以及触控层，所述触控层位于所述基底的上表面，且所述触控层面向所述基底一侧的表面具有与所述基底不平坦上表面相匹配的结构。本发明中通过将基底的上表面设置为不平坦表面，使得触控层与所述基底的不平坦表面相接触，增加了触控层与基底的粘附力，解决了触控层与基底粘附性差的问题，从而无需OC的使用，节省了工艺时间及工艺成本；同时，本发明中，由于无需使用OC，触控层直接与后续的走线层连接，其导电性能优异。

Description

触控面板及其制作方法

技术领域

本发明涉及触控技术领域，具体涉及一种触控面板及其制作方法。

背景技术

触控设备因其便于操作、成像效果好、功能多元化等优点逐渐受到电子通讯行业的青睐，并广泛应用于资讯系统设备、家电设备、通讯设备、个人便携设备等产品上。而伴随近年来触控面板在通讯行业的迅速崛起，特别是在手机通讯行业的蓬勃发展，触控面板一举成为现今成像显示设备的首选产品。使用率最高的触控面板主要是电阻式触控面板和电容式触控面板，但是使用者出于可控性，易用性和表面外观的考虑，大多会选用电容式触控面板作为其最佳首选设备。

在传统智能手机的电容式触控面板中，触控电极的材料通常为氧化铟锡(简称为ITO)。ITO的透光率很高，导电性能较好。但随着触控面板尺寸的逐步增大，特别是应用于15寸以上的面板时，ITO的缺陷越来越突出，其中最明显的缺陷就是ITO的面电阻过大，价格昂贵，无法保证大尺寸触控面板良好的导电性能与足够的灵敏度，也无法适用于电子产品不断低价化的发展趋势。

正因如此，产业界一直在致力于开发ITO的替代材料，其中纳米银线(silver nanowires，简称SNW)作为一种新兴材料开始替代ITO成为优选的导电材料。纳米银线具有银优良的导电性，同时由于其纳米级别的尺寸效应，使得其具有优异的透光性与耐曲挠性，因此可用作替代ITO作为触控电极的材料，实现基于纳米银线的触控面板。然而，纳米银线与基底的粘附性不够理想。

发明内容

本发明的目的在于提供一种触控面板及其制作方法，无需使用OC，解决了触控层与基底粘附性差的问题。

为实现上述目的，本发明提供一种触控面板，包括：

基底，所述基底具有不平坦的上表面；以及

触控层，所述触控层位于所述基底的上表面，且所述触控层面向所述基底一侧的表面具有与所述基底不平坦上表面相匹配的结构。

可选的，所述基底的上表面设置有若干凹槽。

可选的，所述凹槽的至少一个侧壁具有若干凹陷。

可选的，所述凹槽的深度为所述基底厚度的1/3-1/2。

可选的，所述触控层至少填充部分所述凹槽。

可选的，所述触控层填满所述凹槽。

可选的，所述基底为柔性基底，所述触控层为纳米银电极层。

相应的，本发明名还提供一显示装置，包含如上述的触控面板。

相应的，本发明还提供一种触控面板的制作方法，包括：

提供一基底，所述基底具有不平坦的上表面；以及

在所述基底的上表面上形成触控层，所述触控层面向所述基底一侧的表面具有与所述基底不平坦上表面相匹配的结构。

可选的，形成所述基底的不平坦上表面的步骤包括：

在所述基底上形成图形化的掩膜层；

以所述图形化的掩膜层为掩膜，对所述基底进行刻蚀，以形成凹槽，并去除所述图形化的掩膜层。

可选的，采用Bosh刻蚀工艺对所述基底进行刻蚀，使形成的所述凹槽的至少一个侧壁具有若干凹陷。

与现有技术相比，本发明提供的触控面板及其制作方法具有以下有益效果：

所述触控面板包括：基底，所述基底具有不平坦的上表面，以及触控层，所述触控层位于所述基底的上表面，且所述触控层面向所述基底一侧的表面具有与所述基底不平坦上表面相匹配的结构。本发明中通过将基底的上表面设置为不平坦表面，使得触控层与所述基底的不平坦表面相接触，增加了触控层与基底的粘附力，解决了触控层与基底粘附性差的问题，从而无需OC的使用，节省了工艺时间及工艺成本；同时，本发明中，由于无需使用OC，触控层直接直接与后续的走线层连接，其导电性能优异。

进一步的，由于触控层直接形成于凹槽内，避免了对OC以及触控层的图形化工艺，进一步节省了工艺时间及工艺成本；

进一步的，形成于基底内的凹槽的至少一个侧壁具有若干凹陷，能够进一步加大触控层与基底的附着力，最终提高了器件的性能。

附图说明

图1为本发明一实施例所提供的触控面板的制作方法的流程图；

图2～6为本发明一实施例所提供的触控面板的制作方法的各步骤的剖面结构示意图；

图7为图4是虚线框处的放大示意图。

具体实施方式

在背景技术中已经提及，纳米银线与柔性基底如PI(聚酰亚胺)的粘附能力较差。由于存在这个问题，需要使用over coater(简称OC)作为介质，以使得纳米银线与柔性基底如PI紧密粘附。但是OC粘附之后，欲使得纳米银线组成的导电膜图形化，就必须使用激光图形化工艺或传统银刻蚀工艺。但是激光图形化工艺形成的导电膜图形存在类似锯齿不均的问题，传统银刻蚀液刻蚀存在不能穿透OC刻蚀纳米银线等问题。

基于上述研究，本发明实施例提出一种触控面板，包括：基底，所述基底具有不平坦的上表面；以及触控层，所述触控层位于所述基底的上表面，且所述触控层面向所述基底一侧的表面具有与所述基底不平坦上表面相匹配的结构。

本发明实施例还提出一种触控面板的制作方法，首先提供一基底，所述基底具有不平坦的上表面，然后在所述基底的上表面上形成触控层，所述触控层面向所述基底一侧的表面具有与所述基底不平坦上表面相匹配的结构。

本发明实施例中通过将基底的上表面设置为不平坦表面，使得触控层与所述基底的不平坦表面相接触，增加了触控层与基底的粘附力，解决了触控层与基底粘附性差的问题，从而无需OC的使用，节省了工艺时间及工艺成本；同时，本发明中，由于无需使用OC，触控层直接与后续的走线层连接，其导电性能优异。

为使本发明的内容更加清楚易懂，以下结合说明书附图，对本发明的内容做进一步说明。当然本发明并不局限于该具体实施例，本领域的技术人员所熟知的一般替换也涵盖在本发明的保护范围内。

显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。其次，本发明利用示意图进行了详细的表述，在详述本发明实例时，为了便于说明，示意图不依照一般比例局部放大，不应对此作为本发明的限定。

请参考图5所示，本发明实施例提供的触控面板包括：基底10，所述基底10具有不平坦的上表面；以及触控层14，所述触控层14位于所述基底10的上表面，且所述触控层14面向所述基底10一侧的表面具有与所述基底不平坦上表面相匹配的结构。

本实施例中通过将所述基底10的上表面设置为不平坦表面，使得触控层14与所述基底10的不平坦表面相接触，增加了触控层14与基底10的粘附力，解决了触控层14与基底10粘附性差的问题，从而无需OC的使用，节省了工艺时间及工艺成本；同时，本实施例中，由于无需使用OC，触控层14直接与后续的走线层连接，其导电性能优异。

本实施例中，所述基底10的上表面设置有若干凹槽12，从而使得所述基底10具有不平坦的上表面。所述凹槽12的深度小于所述基底10的厚度，并且所述凹槽12的至少一个侧壁具有若干凹陷，例如所述凹槽12具有内螺纹，请参考图7所示，所述凹槽12的内部侧壁上具有螺纹，使得所述纳触控层14与所述基底10具有更好的附着力，从而提高器件的性能。

请参考图6所示，优选的，所述触控层14位于所述凹槽12内，所述凹槽12的位置即为需要形成的图形化的触控层的位置，从而避免了对OC以及触控层的图形化工艺，进一步节省了工艺时间及工艺成本。且更优选的，所述触控层14填满所述凹槽12，从而形成平坦化表面，以便于后续工艺制程。

所述基底10优选为柔性基底，所述触控层14优选为纳米金属电极层。所述纳米金属电极层可以是金(Au)、银(Ag)、铂(Pt)、铜(Cu)、钴(Co)、钯(Pd)等的纳米线。由于银具有导电性和透光性好等特点，所述纳米金属电极层优选为即纳米银线，则所述触控层14优选为纳米银电极层，所述纳米银电极层中的纳米银线的线长可以在10微米至300微米之间，纳米银线的线径(或线宽)可以小于500纳米，且其长宽比(线长与线径之比)可以大于10。

所述触控面板可以用于手机、游戏机、平板电脑等移动终端，也可以用于笔记本电脑、台式电脑、公共信息查询设备、多媒体教学设备等各种电子产品。

请参考图1所示，其为本发明一实施例所提供的触控面板的制作方法的流程图，如图1所示，本发明实施例提出一种触控面板的制作方法，包括以下步骤：

步骤S01：提供一基底，所述基底具有不平坦的上表面；

步骤S02：在所述基底的上表面上形成触控层，所述触控层面向所述基底一侧的表面具有与所述基底不平坦上表面相匹配的结构。

图2～6为本发明一实施例所提供的触控面板的制作方法的各步骤的剖面结构示意图，下文将参考图2～6所示，并结合图3，详细说明本发明实施例提出的触控面板的制作方法。

在步骤S01中，请参考图2至图4所示，提供一基底10，所述基底具有不平坦的上表面。

具体的，首先，提供一基底10，在所述基底10上形成图形化的掩膜层11，形成如图2所示的结构。

所述基底10为柔性基底，即采用柔性材料制作而成，如选用可绕性柔性材料制成，是指在工业上具有一定强度并具有一定可绕行的材料。所述基底10的材质包含但不限于压克力、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚丙烯腈-丁二烯-苯乙烯(ABS)、聚酰胺(PA)、聚酰亚胺(PI)、聚苯并咪唑聚丁烯(PB)、聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)、聚碳酸酯(PC)、聚醚醚酮(PEEK)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚醚砜(PES)、聚乙烯(PE)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯四氟乙烯(ETFE)、聚环氧乙烷、聚乙醇酸(PGA)、聚甲基戊烯(PMP)、聚甲醛(POM)、聚苯醚(PPE)、聚丙烯(PP)、聚苯乙烯(PS)、聚四氟乙烯(PTFE)、聚氨酯(PU)、聚氯乙烯(PVC)、聚氟乙烯(PVF)、聚偏二氯乙烯(PVDC)、聚偏二氟乙烯(PVDF)或苯乙烯-丙烯腈(SAN)等。本实施例中，所述柔性基底20的材质为PI。所述掩膜层的材质包含但不限于光刻胶。

在所述基底10上涂覆一层光刻胶，形成光刻胶层。然后对所述光刻胶层进行图形化，即进行曝光与显影，形成图形化的光刻胶层11。如图2所示。所述图形化的光刻胶层11所具有的图形与需要形成的纳米银线的图形一致，以保证后续形成的纳米银线导电膜的图形符合要求。

所述光刻胶层的厚度需要大于后续形成的凹槽的深度，即所述光刻胶层的厚度大于后续形成的纳米银线的厚度。这是因为所述基底10与所述光刻胶层的材质类似或相同，在后续以所述图形化的光刻胶层11为掩膜对所述基底10进行刻蚀的过程中，不可避免的会对所述图形化的光刻胶层11造成刻蚀，为了防止凹槽还没有刻蚀到预定的深度，而所述图形化的光刻胶层11被完全刻蚀而缺少了掩膜版，所述图形化的光刻胶层11的厚度需要大于所述凹槽的深度。当然，若所述基底10与所述光刻胶层的材质不类似，或者所述光刻胶层与所述基底10具有高选择刻蚀比，即对所述基底10进行刻蚀的过程中，对所述光刻胶层的刻蚀比较缓慢，则所述光刻胶层的厚度与所述凹槽的深度无需满足上述的条件，即对所述光刻胶层的厚度没有要求，只需要满足工艺条件即可。

接着，请参考图3所示，以所述图形化的掩膜层11为掩膜，对所述基底10进行刻蚀，以形成凹槽12；然后，请参考图4所示，去除所述图形化的掩膜层11，形成具有凹槽12的基底10。

本实施例中，以所述图形化的掩膜层11为掩膜，采用氧等离子体对所述基底10进行刻蚀，刻蚀厚度为所述纳米银线导电膜需求的厚度，以形成具有与所述纳米银线导电膜厚度一致的深度的凹槽12，然后去除所述图形化的掩膜层11。所述凹槽12的深度小于所述基底10的厚度。

本实施例中，采用Bosh刻蚀工艺对所述基底进行刻蚀，形成的所述凹槽12的至少一个侧壁具有若干凹陷，例如，所述凹槽12具有内螺纹，请参照图7所示，其为图4在虚线框处的放大图。所述凹槽12的内部侧壁上具有螺纹，这样，后续在所述凹槽12内填充纳米银线溶液，之后通过固化，纳米银线通过所述凹槽12附着于所述基底10内，由于凹槽具有内螺纹，使得纳米银线与基底的附着力增加，可以进一步提高器件的性能。可以理解的是，内螺纹仅是其中一种情形，在其他实施例中，所述凹槽12的侧壁可以具有不同形状的凹陷，本发明对此不做限定。

本实施例中，所述凹槽12的纵截面可以为方形，此处的纵截面是指垂直于所述基底10进行剖切后，所看到的凹槽12的截面形状，即图4所示的形状。在其他实施例中，所述凹槽12的纵截面也可以为正梯形、倒梯形、倒三角形、不规则形状等。优选的，所述凹槽12的顶部开口尺寸需要大于或等于所述凹槽12的底部的尺寸，比如说梯形的长边会设置在所述凹槽12的顶部，而短边设置在所述凹槽12的底部，如此设置是基于在口大底小的形状结构时，涂布纳米银线溶液时更容易灌入到所述凹槽12内，使得所述纳米银线溶液能够均匀完整的溶入在所述基底10内，形成良率较高的纳米银线导电膜。当然，所述凹槽12的形状首先需要满足所述纳米银线导电膜14对于形状的要求，其次再满足所述纳米银线溶液13的填充、增加纳米银线导电膜与基底的附着力或其他要求。

在步骤S02中，如图5与图6所示，在所述基底10的上表面上形成触控层14，所述触控层14面向所述基底10一侧的表面具有与所述基底10不平坦上表面相匹配的结构。

所述触控层14优选为纳米金属电极层。所述纳米金属电极层可以是金(Au)、银(Ag)、铂(Pt)、铜(Cu)、钴(Co)、钯(Pd)等的纳米线。由于银具有导电性和透光性好等特点，所述纳米金属电极层优选为银纳米线(即纳米银线)，则所述触控层14优选为纳米银电极层。

具体的，首先，在所述基底10上涂布纳米银线溶液13，根据溶液自流平原理，所述纳米银线溶液13会自动沉积于所述基底10的凹槽12内。优选的，所述纳米银线溶液13的涂布厚度大于所述凹槽12的深度，以保证所述纳米银线溶液13能够填满所述凹槽12，这样不可避免的在所述基底10上未形成所述凹槽12的位置处也涂布有所述纳米银线溶液13。然后，固化所述纳米银线溶液13，形成如图5所示的结构，固化方法可以为自然晾干、简单烘烤或加热固化等，将所述凹槽12内的所述纳米银线溶液13固化为纳米银线。

接着，采用氧等离子体轰击所述基底10，去除所述基底10表面多余的纳米银线，至暴露出所述基底10，只保留所述凹槽12内的纳米银线，从而形成触控层14，如图6所示。

在其他实施例中，也可以选择抛光工艺来去除所述基底10表面多余的纳米银线，例如所述抛光工艺可以采用机械抛光、化学电解或化学腐蚀中的任意一种或组合。

本发明所提供的触控面板的制作方法中，首先提供一基底10，所述基底10具有不平坦的上表面，然后在所述基底10的上表面上形成触控层14，所述触控层14面向所述基底10一侧的表面具有与所述基底不平坦上表面相匹配的结构。本发明中通过将所述基底10的上表面设置为不平坦表面，使得触控层14与所述基底10的不平坦表面相接触，增加了触控层14与基底10的粘附力，解决了触控层14与基底10粘附性差的问题，从而无需OC的使用，节省了工艺时间及工艺成本；同时，本发明中，由于无需使用OC，触控层14直接与后续的走线层连接，其导电性能优异。

进一步的，由于触控层14直接形成于凹槽12内，避免了对OC以及触控层的图形化工艺，进一步节省了工艺时间及工艺成本。

进一步的，形成于基底10内的凹槽12的至少一个侧壁具有若干凹陷，能够进一步加大触控层14与基底10的附着力，最终提高了器件的性能。

综上所述，本发明提供的触控面板及其制作方法中，所述触控面板包括：基底，所述基底具有不平坦的上表面，以及触控层，所述触控层位于所述基底的上表面，且所述触控层面向所述基底一侧的表面具有与所述基底不平坦上表面相匹配的结构。本发明中通过将基底的上表面设置为不平坦表面，使得触控层与所述基底的不平坦表面相接触，增加了触控层与基底的粘附力，解决了触控层与基底粘附性差的问题，从而无需OC的使用，节省了工艺时间及工艺成本；同时，本发明中，由于无需使用OC，触控层直接与后续的走线层连接，其导电性能优异。

进一步的，由于触控层直接形成于凹槽内，避免了对OC以及触控层的图形化工艺，进一步节省了工艺时间及工艺成本；

进一步的，形成于基底内的凹槽的至少一个侧壁具有若干凹陷，能够进一步加大触控层与基底的附着力，最终提高了器件的性能。

上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明范围的任何限定，本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。

Claims (10)

1.一种触控面板，其特征在于，包括：

基底，所述基底具有不平坦表面；以及

触控层，所述触控层位于所述基底的不平坦表面上方，且所述触控层与所述基底的相贴表面结构匹配。

2.如权利要求1所述的触控面板，其特征在于，所述基底不平坦上表面设置有若干凹槽。

3.如权利要求2所述的触控面板，其特征在于，所述凹槽的至少一个侧壁具有若干凹陷。

4.如权利要求2所述的触控面板，其特征在于，所述凹槽的深度为所述基底厚度1/3-1/2。

5.如权利要求2所述的触控面板，其特征在于，所述触控层至少填充部分所述凹槽。

6.如权利要求5所述的触控面板，其特征在于，所述触控层填满所述凹槽。

7.如权利要求1～6中任一项所述的触控面板，其特征在于，所述基底为柔性基底，所述触控层为纳米银电极层。

8.一种显示装置，其特征在于，包含如权利要求1-7任一项所述的触控面板。

9.一种触控面板的制作方法，其特征在于，包括：

提供一基底，所述基底具有不平坦的上表面；以及

在所述基底的上表面上形成触控层，所述触控层面向所述基底一侧的表面具有与所述基底不平坦上表面相匹配的结构。

10.如权利要求8所述的触控面板的制作方法，其特征在于，形成所述基底的不平坦上表面的步骤包括：

在所述基底上形成图形化的掩膜层；

以所述图形化的掩膜层为掩膜，对所述基底进行刻蚀，以形成凹槽，并去除所述图形化的掩膜层。

优选地，采用Bosh刻蚀工艺对所述基底进行刻蚀，使形成的所述凹槽的至少一个侧壁具有若干凹陷。