JP2013037369A

JP2013037369A - 透明導電性素子、入力装置、および表示装置

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Publication number: JP2013037369A
Application number: JP2012177984A
Authority: JP
Inventors: Shunichi Kajitani; 俊一梶谷; Kazuya Hayashibe; 和弥林部; Minoru Muramoto; 穣村本
Original assignee: Dexerials Corp
Current assignee: Dexerials Corp
Priority date: 2012-08-10
Filing date: 2012-08-10
Publication date: 2013-02-21

Abstract

【課題】波長依存性が少なく、視認性の優れた光学調整機能を有し、かつ、優れた電気的信頼性を有する透明導電性素子を提供する。
【解決手段】透明導電性素子１は、可視光の波長以下の平均波長を有する波面Ｓｗが設けられた光学層２と、波面上に該波面に倣うように形成された透明導電層６とを備える。波面の平均波長をλｍとし、波面の振動の平均幅をＡｍとしたき、比率（Ａｍ／λｍ）が、０．２以上１．０以下であり、波面のうち斜面の平均角度が、３０°以上６０°以下の範囲内であり、波面が最も高くなる位置における透明導電層６の膜厚をＤ１とし、波面が最も低くなる位置における膜厚をＤ３としたとき、比率Ｄ３／Ｄ１が０．８以下の範囲内である。
【選択図】図１

Description

本発明は、透明導電性素子、入力装置、および表示装置に関する。詳しくは、反射防止機能を有する透明導電性素子に関する。

電子ペーパーなどの表示装置、およびタッチパネルなどの入力装置には、透明導電層を基体の平坦面上に形成した透明導電性素子が用いられている。この透明導電性素子に使用されている透明導電層の材料としては、屈折率が約２．０程度である高屈折率材料（例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide））が用いられている。このため、透明導電層の厚さによっては反射率が高くなってしまい、表示装置および入力装置の品質を損ねてしまうことがある。

従来、透明導電性素子の透過特性を向上するためには、光学多層膜を形成する技術が用いられている。例えば特許文献１では、基材と透明導電層との間に光学多層膜を設けたタッチパネル用の透明導電性素子が提案されている。この光学多層膜は、屈折率の異なる複数の誘電体膜を順次積層して形成されている。しかし、この技術では、光学調整機能に波長依存性が生じてしまう。ここで、光学調整機能とは、透過特性および/または反射特性の光学調整機能を示す。また、近年では、透明導電性素子は種々の表示装置などや入力装置に用いられるため、優れた電気的信頼性を有することが望まれている。

特開２００３−１３６６２５号公報

したがって、本発明の目的は、波長依存性が少なく、視認性の優れた光学調整機能を有し、かつ、優れた電気的信頼性を有する透明導電性素子、入力装置、および表示装置を提供することにある。

本発明は、可視光の波長以下の平均波長を有する波面が設けられた光学層と、
波面上に該波面に倣うように形成された透明導電層と
を備え、
波面の平均波長をλｍとし、波面の振動の平均幅をＡｍとしたき、比率（Ａｍ／λｍ）が、０．２以上１．０以下であり、
波面のうち斜面の平均角度が、３０°以上６０°以下の範囲内であり、
波面が最も高くなる位置における透明導電層の膜厚をＤ１とし、波面が最も低くなる位置における膜厚をＤ３としたとき、比率Ｄ３／Ｄ１が０．８以下の範囲内である透明導電性素子である。

本発明に係る透明導電性素子は、入力装置および表示装置などに適用して好適なものである。

本発明において、楕円、円（真円）、球体、楕円体などの形状には、数学的に定義される完全な楕円、円、球体、楕円体のみならず、多少の歪みが付与された楕円、円、球体、楕円体などの形状も含まれる。

本発明において、光学層の波面は、複数の構造体を基体表面に配列することにより形成されていることが好ましい。構造体は、凸状または凹状を有し、所定の格子状に配置されていることが好ましい。格子状としては、四方格子状もしくは準四方格子状、または六方格子状もしくは準六方格子状を用いることが好ましい。

本発明において、同一トラック内における構造体の配置ピッチＰ１は、隣接する２つのトラック間における構造体の配置ピッチＰ２よりも長いことが好ましい。このようにすることで、楕円錐または楕円錐台形状を有する構造体の充填率を向上することができるので、光学調整機能を向上することができる。

本発明において、各構造体が、基体表面において六方格子パターン、または準六方格子パターンを形成している場合には、同一トラック内における構造体の配置ピッチをＰ１、隣接する２つのトラック間における構造体の配置ピッチをＰ２としたとき、比率Ｐ１／Ｐ２が、１．００≦Ｐ１／Ｐ２≦１．１、または１．００＜Ｐ１／Ｐ２≦１．１の関係を満たすことが好ましい。このような数値範囲にすることで、楕円錐または楕円錐台形状を有する構造体の充填率を向上することができるので、光学調整機能を向上することができる。

本発明において、各構造体が、基体表面において六方格子パターン、または準六方格子パターンを形成している場合には、各構造体は、トラックの延在方向に長軸方向を有し、中央部の傾きが先端部および底部の傾きよりも急峻に形成された楕円錐または楕円錐台形状であることが好ましい。このような形状にすることで、反射および透過特性の光学調整機能を向上することができる。

本発明において、各構造体が、基体表面において六方格子パターン、または準六方格子パターンを形成している場合には、トラックの延在方向における構造体の高さまたは深さは、トラックの列方向における構造体の高さまたは深さよりも小さいことが好ましい。このような関係を満たさない場合には、トラックの延在方向の配置ピッチを長くする必要が生じるため、トラックの延在方向における構造体の充填率が低下する。このように充填率が低下すると、反射特性の低下を招くことになる。

本発明において、構造体が、基体表面において四方格子パターンまたは準四方格子パターンを形成している場合には、同一トラック内における構造体の配置ピッチＰ１は、隣接する２つのトラック間における構造体の配置ピッチＰ２よりも長いことが好ましい。このようにすることで、楕円錐または楕円錐台形状を有する構造体の充填率を向上することができるので、光学調整機能を向上することができる。

構造体が、基体表面において四方格子パターンまたは準四方格子パターンを形成している場合には、同一トラック内における構造体の配置ピッチをＰ１、隣接する２つのトラック間における構造体の配置ピッチをＰ２としたとき、比率Ｐ１／Ｐ２が、１．４＜Ｐ１／Ｐ２≦１．５の関係を満たすことが好ましい。このような数値範囲にすることで、楕円錐または楕円錐台形状を有する構造体の充填率を向上することができるので、光学調整機能を向上することができる。

構造体が、基体表面において四方格子パターンまたは準四方格子パターンを形成している場合には、各構造体は、トラックの延在方向に長軸方向を有し、中央部の傾きが先端部および底部の傾きよりも急峻に形成された楕円錐または楕円錐台形状であることが好ましい。このような形状にすることで、反射および透過特性の光が調整機能を向上することができる。

構造体が、基体表面において四方格子パターンまたは準四方格子パターンを形成している場合には、トラックに対して４５度方向または約４５度方向における構造体の高さまたは深さは、トラックの列方向における構造体の高さまたは深さよりも小さいことが好ましい。このような関係を満たさない場合には、トラックに対して４５度方向または約４５度方向における配置ピッチを長くする必要が生じるため、トラックに対して４５度方向または約４５度方向における構造体の充填率が低下する。このように充填率が低下すると、反射特性の低下を招くことになる。

本発明において、微細ピッチで基体表面に多数配設けられた構造体が、複数列のトラックをなしていると共に、隣接する３列のトラック間において、六方格子パターン、準六方格子パターン、四方格子パターンまたは準四方格子パターンをなしていることが好ましい。これにより、表面における構造体の充填密度を高くすることができ、これにより可視光の反射および透過特性の光学調整機能を高めた光学素子を得ることができる。

本発明において、光ディスクの原盤作製プロセスとエッチングプロセスとを融合した方法を用いて光学素子を作製することが好ましい。光学素子作製用原盤を短時間で効率良く製造することができるとともに基体の大型化にも対応でき、これにより、光学素子の生産性の向上を図ることができる。

本発明では、可視光の波長以下の平均波長を有する波面が設けられた光学層上に、該波面に倣うように所定パターンの透明導電層を形成しているので、波長依存性の少ない、視認性の優れた光学調整機能を得ることができる。

また、波面のうち斜面の平均角度を３０°以上６０°以下の範囲内としているので、優れた電気的信頼性を得ることができる。

以上説明したように、本発明によれば、波長依存性が少なく、視認性の優れた光学調整機能を有し、かつ、優れた電気的信頼性を有する透明導電性素子を実現できる。

図１Ａは、本発明の第１の実施形態に係る透明導電性素子の構成の一例を示す断面図である。図１Ｂは、図１Ａに示した第１の領域Ｒ１を拡大して表す拡大断面図である。図１Ｃは、図１Ａに示した第２の領域Ｒ２を拡大して表す拡大断面図である。図２Ａは、本発明の第１の実施形態に係る透明導電性素子の構成の他の例を示す断面図である。図２Ｂは、図２Ａに示した第１の領域Ｒ１を拡大して表す拡大断面図である。図２Ｃは、図２Ａに示した第２の領域Ｒ２を拡大して表す拡大断面図である。図３Ａは、複数の構造体が形成された光学層表面の一例を示す平面図である。図３Ｂは、図３Ａに示した光学層表面の一部を拡大して表す平面図である。図３Ｃは、図３Ａに示した光学層表面の一部を拡大して表す斜視図である。図４は、構造体の境界が不明瞭な場合の構造体底面の設定方法について説明するための概略図である。図５Ａは、透明導電層の表面形状の一例を説明するための拡大断面図である。図５Ｂは、凸状の構造体上に形成された透明導電層の膜厚を説明するための拡大断面図である。図６Ａは、ロール原盤の構成の一例を示す斜視図である。図６Ｂは、図６Ａに示したロール原盤の一部を拡大して表す平面図である。図６Ｃは、図６ＢのトラックＴにおける断面図である。図７は、ロール原盤露光装置の構成の一例を示す概略図である。図８Ａ〜図８Ｄは、本発明の第１の実施形態に係る透明導電性素子の製造方法の一例を説明するための工程図である。図９Ａ〜図９Ｄは、本発明の第１の実施形態に係る透明導電性素子の製造方法の一例を説明するための工程図である。図１０Ａは、本発明の第２の実施形態に係る透明導電性素子の光学層表面の一例を示す平面図である。図１０Ｂは、図１０Ａに示した光学層表面の一部を拡大して表す平面図である。図１１Ａは、本発明の第３の実施形態に係る透明導電性素子の構成の一例を示す断面図である。図１１Ｂは、本発明の第３の実施形態に係る透明導電性素子の光学層表面の一例を示す平面図である。図１１Ｃは、図１１Ｂに示した光学層表面の一部を拡大して表す平面図である。図１２Ａは、本発明の第４の実施形態に係る透明導電性素子の構成の一例を示す断面図である。図１２Ｂは、図１２Ａに示した透明導電性素子の一部を拡大して表す拡大断面図である。図１２Ｃは、本発明の第４の実施形態に係る透明導電性素子の構成の他の例を示す断面図である。図１２Ｄは、図１２Ｃに示した透明導電性素子の一部を拡大して表す拡大断面図である。図１３Ａは、本発明の第５の実施形態に係る情報入力装置の構成の一例を説明するための断面図である。図１３Ｂは、図１３Ａに示した領域Ａ１および領域Ａ２を拡大して表す拡大断面図である。図１４Ａは、図１３Ａに示した領域Ａ₁をさらに拡大して表す拡大断面図である。図１４Ｂは、図１３Ａに示した領域Ａ₂をさらに拡大して表す拡大断面図である。図１５Ａは、本発明の第５の実施形態に係る情報入力装置の構成の一例を説明するための分解斜視図である。図１５Ｂは、本発明の第５の実施形態に係る情報入力装置に備えられる第１の透明導電性素子の構成の一例を説明するための分解斜視図である。図１６Ａは、本発明の第６の実施形態に係る情報入力装置の構成の一例を説明するための断面図である。図１６Ｂは、図１６Ａに示した情報入力装置の一部を拡大して表す拡大断面図である。図１７Ａは、本発明の第７の実施形態に係る情報入力装置の構成の一例を説明するための断面図である。図１７Ｂは、透明導電層が形成された波面が対向する領域を拡大して表す断面図である。図１７Ｃは、透明導電層が形成されておらず露出した波面が対向する領域を拡大して表す断面図である。図１８Ａは、本発明の第７の実施形態に係る情報入力装置の構成の一例を説明するための分解斜視図である。図１８Ｂは、本発明の第７の実施形態に係る情報入力装置に備えられる透明導電性素子の構成の一例を説明するための分解斜視図である。図１９Ａは、本発明の第８の実施形態に係る情報入力装置の構成の一例を説明するための断面図である。図１９Ｂは、図１９Ａに示した情報入力装置の一部を拡大して表す拡大断面図である。図２０は、本発明の第９の実施形態に係る液晶表示装置の構成の一例を説明するための断面図である。図２１Ａは、本発明の第１０の実施形態に係る情報表示装置の構成の一例を説明するための斜視図である。図２１Ｂは、透明導電層が形成された波面が対向する領域を拡大して表す断面図である。図２１Ｃは、透明導電層が形成されておらず露出した波面が対向する領域を拡大して表す断面図である。図２２Ａは、本発明の第１１の実施形態に係る情報表示装置の構成の一例を説明するための断面図である。図２２Ｂは、透明導電層が形成された波面が対向する領域を拡大して表す断面図である。図２２Ｃは、透明導電層が形成されておらず露出した波面が対向する領域を拡大して表す断面図である。図２３Ａは、サンプル１−１〜１−３の基体表面に配列された複数の構造体を示す平面図である。図２３Ｂは、サンプル１−１〜１−３の透明導電性素子の反射スペクトルを示すグラフである。図２４は、サンプル２−１〜２−３の透明導電性素子の透過スペクトルの測定結果を示すグラフである。図２５Ａは、サンプル３−１〜３−３の透明導電性素子の反射スペクトルを示すグラフである。図２５Ｂは、サンプル３−１〜３−３の透明導電性素子の透過スペクトルを示すグラフである。図２６は、サンプル４−１〜４−４の透明導電性素子の反射スペクトルを示すグラフである。図２７は、サンプル６−１、６−２およびサンプル６−３、６−４の透明導電性素子の反射率の差ΔＲを示すグラフである。図２８Ａは、サンプル７−１の透明導電性素子の反射スペクトルを示すグラフである。図２８Ｂは、サンプル７−２の透明導電性素子の反射スペクトルを示すグラフである。図２８Ｃは、サンプル７−３の透明導電性素子の反射スペクトルを示すグラフである。図２９Ａは、サンプル７−２の透明導電層の厚さＤ１、Ｄ２、Ｄ３を示す断面図である。図２９Ｂは、サンプル７−３の透明導電層の厚さＤ１、Ｄ２、Ｄ３を示す断面図である。図３０は、サンプル９−１〜１０−５の透明導電性シートの表面抵抗値の測定結果を示すグラフである。

本発明の実施形態について図面を参照しながら以下の順序で説明する。なお、以下の実施形態の全図においては、同一または対応する部分には同一の符号を付す。
１．第１の実施形態（構造体を六方格子状に配列した透明導電性素子の例）
２．第２の実施形態（構造体を四方格子状に配列した透明導電性素子の例）
３．第３の実施形態（構造体をランダムに配列した透明導電性素子の例）
４．第４の実施形態（波面全体に透明導電層を連続的に形成した透明導電性素子の例）
５．第５の実施形態（情報入力装置に対する透明導電性素子の第１の適用例）
６．第６の実施形態（情報入力装置に対する透明導電性素子の第２の適用例）
７．第７の実施形態（情報入力装置に対する透明導電性素子の第３の適用例）
８．第８の実施形態（情報入力装置に対する透明導電性素子の第４の適用例）
９．第９の実施形態（情報表示装置に対する透明導電性素子の第１の適用例）
１０．第１０の実施形態（情報表示装置に対する透明導電性素子の第２の適用例）
１１．第１１の実施形態（情報表示装置に対する透明導電性素子の第３の適用例）

＜１．第１の実施形態＞
本発明者らは、従来技術が有する上述の課題を解決すべく、鋭意検討を行った。その結果、（１）可視光の波長以下の平均波長を有する波面が設けられた光学層上に、該波面に倣うように透明導電層を形成することで、波長依存性が少ない光学調整機能を実現することができる、（２）上記波面のうち斜面の平均角度を３０°以上６０°以下の範囲内とすることで、優れた電気的信頼性を得ることができる、ことを見出すに至った。

［透明導電性素子の構成］
図１Ａは、本発明の第１の実施形態に係る透明導電性素子の構成の一例を示す断面図である。図１Ｂは、図１Ａに示した第１の領域Ｒ₁を拡大して表す拡大断面図である。図１Ｃは、図１Ａに示した第２の領域Ｒ₂を拡大して表す拡大断面図である。透明導電性素子１は、一主面に波面Ｓｗを有する光学層（第１の光学層）２と、波面Ｓｗ上にこの波面Ｓｗに倣うように形成された透明導電層６とを備える。光学層２の波面Ｓｗには、透明導電層６が形成された第１の領域Ｒ₁と、透明導電層６が形成されていない第２の領域Ｒ₂とが交互に設けられ、透明導電層６は所定パターンを有している。また、必要に応じて、図２Ａ〜図２Ｃに示すように、透明導電層６上に形成された光学層（第２の光学層）７をさらに備え、透明導電層６の両主面がそれぞれ光学層２、光学層７により覆われた構成としてもよい。透明導電性素子１は可撓性を有していることが好ましい。

（光学層）
光学層２は、例えば、基体３と、基体３の表面に形成された複数の構造体４とを備える。基体３の表面に複数の構造体４を形成することにより、波面Ｓｗが形成されている。構造体４と基体３とは、例えば、別成形または一体成形されている。構造体４と基体３とが別成形されている場合には、必要に応じて構造体４と基体３との間に基底層５をさらに備えるようにしてもよい。基底層５は、構造体４の底面側に構造体４と一体成形される層であり、構造体４と同様のエネルギー線硬化性樹脂組成物などを硬化してなる。

光学層７は、例えば、基体３と、基体３と透明導電層６との間に設けられた貼合層８とを備え、この貼合層８を介して基体３が透明導電層６上に貼り合わされる。光学層７はこの例に限定されるものではなく、ＳｉＯ₂などのセラミックコート（オーバーコート）とすることも可能である。

波面Ｓｗの平均波長λｍに対する波面Ｓｗの振動の平均幅Ａｍの比率（Ａｍ／λｍ）が、好ましくは０．２以上１．０以下、より好ましくは０．３以上０．８以下の範囲内である。比率（Ａｍ／λｍ）が０．２未満であると、波面Ｓｗによる光学調整機能が低下する傾向がある。一方、比率（Ａｍ／λｍ）が１．０を超えると、電気的信頼性が低下する傾向がある。

波面Ｓｗの平均波長λｍは、光学調整機能を目的とする光の波長帯域以下であることが好ましい。光学調整機能を目的とする光の波長帯域は、例えば、紫外光の波長帯域、可視光の波長帯域または赤外光の波長帯域である。ここで、紫外光の波長帯域とは１０ｎｍ〜３６０ｎｍの波長帯域、可視光の波長帯域とは３６０ｎｍ〜８３０ｎｍの波長帯域、赤外光の波長帯域とは８３０ｎｍ〜１ｍｍの波長帯域をいう。具体的には、波面Ｓｗの平均波長λｍは、好ましくは１４０ｎｍ以上３００ｎｍ以下、より好ましくは１５０ｎｍ以上２７０ｎｍ以下の範囲内である。波面Ｓｗの振動の平均幅Ａｍが１４０ｎｍ未満であると、電気特性が悪化する傾向がある。一方、波面Ｓｗの振動の平均幅Ａｍが３００ｎｍを超えると、視認性が悪化する傾向がある。

波面Ｓｗの振動の平均幅Ａｍは、好ましくは２８ｎｍ以上３００ｎｍ以下、より好ましくは５０ｎｍ以上２４０ｎｍ以下、さらに好ましくは８０ｎｍ以上２４０ｎｍ以下の範囲内である。波面Ｓｗの振動の平均幅Ａｍが２８ｎｍ未満であると、光学調整機能が劣化する傾向がある。一方、波面Ｓｗの振動の平均幅Ａｍが３００ｎｍを超えると、電気特性が劣化する傾向がある。

ここで、波面Ｓｗの平均波長λｍ、振動の平均幅Ａｍ、および比率（Ａｍ／λｍ）は、以下のようにして求めたものである。まず、波面Ｓｗの振動の幅が最大となる位置を含むようにして透明導電性素子１を一方向に切断し、その断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Transmission Electron Microscope）にて撮影する。次に、撮影したＴＥＭ写真から、波面Ｓｗの波長λおよび振動の幅Ａを求める。この測定を透明導電性素子１から無作為に選び出された１０箇所で繰り返し行い、測定値を単純に平均（算術平均）して波面Ｓｗの平均波長λｍ、および振動の平均幅Ａｍを求める。次に、これらの平均波長λｍ、および振動の平均幅Ａｍを用いて、比率（Ａｍ／λｍ）を求める。

波面Ｓｗのうち斜面の平均角度が、好ましくは６０°以下、より好ましくは３０°以上６０°以下の範囲内である。平均角度が３０°未満であると、波面Ｓｗによる電気的信頼性が低下する傾向がある。一方、平均角度が６０°を超えると、電気的信頼が低下する傾向がある。また、平均角度が６０°を超えると、透明導電層６のエッチング耐性が低下する傾向にある。

図２Ａ〜図２Ｃに示すように、透明導電層６上に光学層７がさらに形成されている場合、透明導電層６が形成された第１の領域Ｒ₁の反射率Ｒ１と、透明導電層６が形成されてない第２の領域Ｒ₂の反射率Ｒ２との反射率差ΔＲ（＝Ｒ２−Ｒ１）が、好ましくは５％以下、より好ましくは３％以下、さらに好ましくは１％以下の範囲内である。反射率差ΔＲを５％以下にすることで、所定パターンを有する透明導電層６の視認を抑制することができる。

図１Ａ〜図１Ｃに示すように、透明導電層６が露出している場合、透明導電性素子１の両主面のうち光学層２側の主面でのＬ＊ａ＊ｂ＊色度系における透過色相が、好ましくは｜ａ＊｜≦１０かつ｜ｂ＊｜≦１０、より好ましくは｜ａ＊｜≦５かつ｜ｂ＊｜≦５、さらに好ましくは｜ａ＊｜≦３かつ｜ｂ＊｜≦３である。透過色相を｜ａ＊｜≦１０かつ｜ｂ＊｜≦１０とすることで、視認性を向上できる。

図２Ａ〜図２Ｃに示すように、透明導電層６上に光学層７がさらに形成されている場合、透明導電性素子１の両主面のうち光学層２側の主面でのＬ＊ａ＊ｂ＊色度系における透過色相が、好ましくは｜ａ＊｜≦５かつ｜ｂ＊｜≦５、より好ましくは｜ａ＊｜≦３かつ｜ｂ＊｜≦３、さらに好ましくは｜ａ＊｜≦２かつ｜ｂ＊｜≦２である。透過色相を｜ａ＊｜≦５かつ｜ｂ＊｜≦５とすることで、視認性を向上できる。

図１Ａ〜図１Ｃに示すように、透明導電層６が露出している場合、透明導電性素子１の両主面のうち透明導電層６側の主面でのＬ＊ａ＊ｂ＊色度系における反射色相が、好ましくは｜ａ＊｜≦１０かつ｜ｂ＊｜≦１０、反射色相を｜ａ＊｜≦１０かつ｜ｂ＊｜≦１０とすることで、視認性を向上できる。

図２Ａ〜図２Ｃに示すように、透明導電層６上に光学層７がさらに形成されている場合、透明導電性素子１の両主面のうち透明導電層６側の主面でのＬ＊ａ＊ｂ＊色度系における反射色相が、好ましくは｜ａ＊｜≦１０かつ｜ｂ＊｜≦１０、より好ましくは｜ａ＊｜≦５かつ｜ｂ＊｜≦５、さらに好ましくは｜ａ＊｜≦３かつ｜ｂ＊｜≦３である。反射色相を｜ａ＊｜≦１０かつ｜ｂ＊｜≦１０とすることで、視認性を向上できる。

（基体）
基体３、８は、例えば、透明性を有する透明基体である。基体３、８の材料としては、例えば、透明性を有するプラスチック材料、ガラスなどを主成分とするものが挙げられるが、これらの材料に特に限定されるものではない。

ガラスとしては、例えば、ソーダライムガラス、鉛ガラス、硬質ガラス、石英ガラス、液晶化ガラスなど（「化学便覧」基礎編、P.I-537、日本化学会編参照）が用いられる。プラスチック材料としては、透明性、屈折率、および分散などの光学特性、さらには耐衝撃性、耐熱性、および耐久性などの諸特性の観点から、ポリメチルメタアクリレート、メチルメタクリレートと他のアルキル（メタ）アクリレート、スチレンなどといったビニルモノマーとの共重合体などの（メタ）アクリル系樹脂；ポリカーボネート、ジエチレングリコールビスアリルカーボネート（CR-39）などのポリカーボネート系樹脂；（臭素化）ビスフェノールＡ型のジ（メタ）アクリレートの単独重合体ないし共重合体、（臭素化）ビスフェノールＡモノ（メタ）アクリレートのウレタン変性モノマーの重合体及び共重合体などといった熱硬化性（メタ）アクリル系樹脂；ポリエステル特にポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートおよび不飽和ポリエステル、アクリロニトリル−スチレン共重合体、ポリ塩化ビニル、ポリウレタン、エポキシ樹脂、ポリアリレート、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、シクロオレフィンポリマー（商品名：アートン、ゼオノア）、シクロオレフィンコポリマーなどが好ましい。また、耐熱性を考慮したアラミド系樹脂の使用も可能である。

基体３、８としてプラスチック材料を用いる場合、プラスチック表面の表面エネルギー、塗布性、すべり性、平面性などをより改善するために、表面処理として下塗り層を設けるようにしてもよい。この下塗り層としては、例えば、オルガノアルコキシメタル化合物、ポリエステル、アクリル変性ポリエステル、ポリウレタンなどが挙げられる。また、下塗り層を設けるのと同様の効果を得るために、基体３、８の表面に対してコロナ放電、ＵＶ照射処理を行うようにしてもよい。

基体３、８がプラスチックフィルムである場合には、基体３、８は、例えば、上述の樹脂を伸延、あるいは溶剤に希釈後フィルム状に成膜して乾燥するなどの方法で得ることができる。また、基体３、８の厚さは、導電性素子２１１の用途に応じて適宜選択することが好ましく、例えば２５μｍ〜５００μｍ程度である。

基体３、８の形状としては、例えば、シート状、プレート状、ブロック状を挙げることができるが、特にこれらの形状に限定されるものではない。ここで、シートにはフィルムが含まれるものと定義する。

（構造体）
図３Ａは、複数の構造体が形成された光学層表面の一例を示す平面図である。図３Ｂは、図３Ａに示した光学層表面の一部を拡大して表す平面図である。図３Ｃは、図３Ａに示した光学層表面の一部を拡大して表す斜視図である。以下では、透明導電性素子１の主面の面内で互いに直交する２方向をそれぞれＸ軸方向、およびＹ軸方向とし、その主面に垂直な方向をＺ軸方向と称する。構造体４は、例えば、基体３の表面に対して凸状または凹状を有し、基体３の表面に対して２次元配列されている。構造体４は、反射の低減を目的とする光の波長帯域以下の短い平均配置ピッチで周期的に２次元配列されていることが好ましい。

複数の構造体４は、基体３の表面において複数列のトラックＴ１，Ｔ２，Ｔ３，・・・（以下総称して「トラックＴ」ともいう。）をなすような配置形態を有する。本発明において、トラックとは、構造体４が列をなして連なった部分のことをいう。トラックＴの形状としては、直線状、円弧状などを用いることができ、これらの形状のトラックＴをウォブル（蛇行）させるようにしてもよい。このようにトラックＴをウォブルさせることで、外観上のムラの発生を抑制できる。

トラックＴをウォブルさせる場合には、基体３上における各トラックＴのウォブルは、同期していることが好ましい。すなわち、ウォブルは、シンクロナイズドウォブルであることが好ましい。このようにウォブルを同期させることで、六方格子または準六方格子の単位格子形状を保持し、充填率を高く保つことができる。ウォブルしたトラックＴの波形としては、例えば、サイン波、三角波などを挙げることができる。ウォブルしたトラックＴの波形は、周期的な波形に限定されるものではなく、非周期的な波形としてもよい。ウォブルしたトラックＴのウォブル振幅は、例えば±１０ｎｍ程度に選択される。

構造体４は、例えば、隣接する２つのトラックＴ間において、半ピッチずれた位置に配置されている。具体的には、隣接する２つのトラックＴ間において、一方のトラック（例えばＴ１）に配列された構造体４の中間位置（半ピッチずれた位置）に、他方のトラック（例えばＴ２）の構造体４が配置されている。その結果、図３Ｂに示すように、隣接する３列のトラック（Ｔ１〜Ｔ３）間においてａ１〜ａ７の各点に構造体４の中心が位置する六方格子パターンまたは準六方格子パターンを形成するように構造体４が配置されている。

ここで、六方格子とは、正六角形状の格子のことをいう。準六方格子とは、正六角形状の格子とは異なり、歪んだ正六角形状の格子のことをいう。例えば、構造体４が直線上に配置されている場合には、準六方格子とは、正六角形状の格子を直線状の配列方向（トラック方向）に引き伸ばして歪ませた六方格子のことをいう。構造体４が蛇行して配列されている場合には、準六方格子とは、正六角形状の格子を構造体４の蛇行配列により歪ませた六方格子、または正六角形状の格子を直線状の配列方向（トラック方向）に引き伸ばして歪ませ、かつ、構造体４の蛇行配列により歪ませた六方格子のことをいう。

構造体４が準六方格子パターンを形成するように配置されている場合には、図３Ｂに示すように、同一トラック（例えばＴ１）内における構造体４の配置ピッチＰ１（例えばａ１〜ａ２間距離）は、隣接する２つのトラック（例えばＴ１およびＴ２）間における構造体４の配置ピッチ、すなわちトラックの延在方向に対して±θ方向における構造体４の配置ピッチＰ２（例えばａ１〜ａ７、ａ２〜ａ７間距離）よりも長くなっていることが好ましい。このように構造体４を配置することで、構造体４の充填密度の更なる向上を図れるようになる。

構造体４の具体的な形状としては、例えば、錐体状、柱状、針状、半球体状、半楕円体状、多角形状などが挙げられるが、これらの形状に限定されるものではなく、他の形状を採用するようにしてもよい。錐体状としては、例えば、頂部が尖った錐体形状、頂部が平坦な錐体形状、頂部に凸状または凹状の曲面を有する錐体形状が挙げられ、電気的信頼性の観点からすると、頂部に凸状の曲面を有する錐体形状が好ましいが、これらの形状に限定されるものではない。頂部に凸状の曲面を有する錐体形状としては、放物面状などの２次曲面状などが挙げられる。また、錐体状の錐面を凹状または凸状に湾曲させるようにしてもよい。後述するロール原盤露光装置（図７参照）を用いてロール原盤を作製する場合には、構造体４の形状として、頂部に凸状の曲面を有する楕円錐形状、または頂部が平坦な楕円錐台形状を採用し、それらの底面を形成する楕円形の長軸方向をトラックＴの延在方向と一致させることが好ましい。

光学調整機能の向上の観点からすると、頂部の傾きが緩やかで中央部から底部に徐々に急峻な傾きの錐体形状が好ましい。また、反射特性および透過特性の光学調整機能の向上の観点からすると、中央部の傾きが底部および頂部より急峻な錐形形状、または、頂部が平坦な錐体形状であることが好ましい。構造体４が楕円錐形状または楕円錐台形状を有する場合、その底面の長軸方向が、トラックの延在方向と平行となることが好ましい。

構造体４は、その底部の周縁部に、頂部から下部の方向に向かってなだらかに高さが低下する曲面部４ｂを有することが好ましい。透明導電性素子１の製造工程において透明導電性素子１を原盤などから容易に剥離することが可能になるからである。なお、曲面部４ｂは、構造体４の周縁部の一部にのみ設けてもよいが、上記剥離特性の向上の観点からすると、構造体４の周縁部の全部に設けることが好ましい。

構造体４の周囲の一部または全部に突出部４ａを設けることが好ましい。このようにすると、構造体４の充填率が低い場合でも、反射率を低く抑えることができるからである。突出部４ａは、成形の容易さの観点からすると、隣り合う構造体４の間に設けることが好ましい。また、構造体４の周囲の一部または全部の表面を荒らし、微細の凹凸を形成するようにしてもよい。具体的には例えば、隣り合う構造体４の間の表面を荒らし、微細な凹凸を形成するようにしてもよい。また、構造体４の表面、例えば頂部に微小な穴を形成するようにしてもよい。

なお、図３Ｂおよび図３Ｃでは、各構造体４がそれぞれ同一の大きさ、形状および高さを有しているが、構造体４の形状はこれに限定されるものではなく、基体表面に２種以上の大きさ、形状および高さを有する構造体４が形成されていてもよい。

トラックの延在方向における構造体４の高さＨ１は、列方向における構造体４の高さＨ２よりも小さいことが好ましい。すなわち、構造体４の高さＨ１、Ｈ２がＨ１＜Ｈ２の関係を満たすことが好ましい。Ｈ１≧Ｈ２の関係を満たすように構造体４を配列すると、トラックの延在方向の配置ピッチＰ１を長くする必要が生じるため、トラックの延在方向における構造体４の充填率が低下するためである。このように充填率が低下すると、光学調整機能の低下を招くことになる。

なお、構造体４のアスペクト比は全て同一である場合に限らず、各構造体４が一定の高さ分布をもつように構成されていてもよい。高さ分布を有する構造体４を設けることで、光学調整機能の波長依存性を低減することができる。したがって、優れた光学調整機能を有する透明導電性素子１を実現することができる。

ここで、高さ分布とは、２種以上の高さを有する構造体４が基体３の表面に設けられていることを意味する。例えば、基準となる高さを有する構造体４と、この構造体４とは異なる高さを有する構造体４とが基体３の表面に設けるようにしてもよい。この場合、基準とは異なる高さを有する構造体４は、例えば基体３の表面に周期的または非周期的（ランダム）に設けられる。その周期性の方向としては、例えばトラックの延在方向、列方向などが挙げられる。

構造体４の平均配置ピッチＰｍ、平均高さＨｍおよびアスペクト比（平均高さまたは平均深さＨｍ／平均配置ピッチＰｍ）はそれぞれ、波面Ｓｗの平均波長λｍ、振動の平均幅Ａｍおよび比率（振動の平均幅Ａｍ／平均波長λｍ）と同様である。

同一トラック内における構造体４の配置ピッチをＰ１、隣接する２つのトラック間における構造体４の配置ピッチをＰ２としたとき、比率Ｐ１／Ｐ２が、１．００≦Ｐ１／Ｐ２≦１．１、または１．００＜Ｐ１／Ｐ２≦１．１の関係を満たすことが好ましい。このような数値範囲にすることで、楕円錐または楕円錐台形状を有する構造体４の充填率を向上することができるので、光学調整機能を向上することができる。

波面Ｓｗの面積Ｓ１に対する平坦部の面積Ｓ２の比率Ｒ_s（（Ｓ２／Ｓ１）×１００）が、好ましくは０％以上５０％以下、より好ましくは０％以上４５％以下、さらに好ましくは０％以上３０％以下の範囲内である。面積比率Ｒ_sを５０％以下にすることで、光学調整機能を向上することができる。

ここで、波面Ｓｗの面積Ｓ１に対する平坦部の面積Ｓ２の比率Ｒ_s（（Ｓ２／Ｓ１）×１００）は以下のようにして求めた値である。

まず、透明導電性素子１の表面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：Scanning Electron Microscope）を用いてＴｏｐＶｉｅｗで撮影する。次に、撮影したＳＥＭ写真から無作為に単位格子Ｕｃを選び出し、その単位格子Ｕｃの配置ピッチＰ１、およびトラックピッチＴｐを測定する（図３Ｂ参照）。また、その単位格子Ｕｃの中央に位置する構造体４の底面の面積Ｓ（structure）を画像処理により測定する。次に、測定した配置ピッチＰ１、トラックピッチＴｐ、および底面の面積Ｓ（structure）を用いて、以下の式より比率Ｒを求める。
比率Ｒ＝［（Ｓ（lattice）−Ｓ（structure））／Ｓ（lattice）］×１００
単位格子面積：Ｓ（lattice）＝Ｐ１×２Ｔｐ
単位格子内に存在する構造体の底面の面積：Ｓ（structure）＝２Ｓ

上述した比率Ｒの算出処理を、撮影したＳＥＭ写真から無作為に選び出された１０箇所の単位格子Ｕｃについて行う。そして、測定値を単純に平均（算術平均）して比率Ｒの平均率を求め、これを比率Ｒ_sとする。

構造体４が重なっているときや、構造体４の間に突出部４などの副構造体があるときの充填率は、構造体４の高さに対して５％の高さに対応する部分を閾値として面積比を判定する方法で比率Ｒ_sを求めることができる。

図４は、構造体４の境界が不明瞭な場合の比率Ｒ_sの算出方法について説明するための図である。構造体４の境界が不明瞭な場合には、断面ＳＥＭ観察により、図４に示すように、構造体４の高さｈの５％（＝（ｄ／ｈ）×１００）に相当する部分を閾値とし、その高さｄで構造体４の径を換算し比率Ｒ_sを求めるようにする。構造体４の底面が楕円である場合には、長軸および短軸で同様の処理を行う。

構造体４が、その下部同士を重ね合うようにして繋がっていることが好ましい。具体的には、隣接関係にある構造体４の一部または全部の下部同士が重なり合っていることが好ましく、トラック方向、θ方向、またはそれら両方向において重なり合っていることが好ましい。このように構造体４の下部同士を重なり合わせることで、構造体４の充填率を向上することができる。構造体同士は、屈折率を考慮した光路長で使用環境下の光の波長帯域の最大値の１／４以下の部分で重なり合っていることが好ましい。これにより、優れた光学調整機能を得ることができるからである。

配置ピッチＰ１に対する径２ｒの比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）が、好ましくは８５％以上、より好ましくは９０％以上、さらに好ましくは９５％以上の範囲内である。このような範囲にすることで、構造体４の充填率を向上し、光学調整機能を向上できるからである。比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）が大きくなり、構造体４の重なりが大きくなりすぎると光学調整機能が低減する傾向にある。したがって、屈折率を考慮した光路長で使用環境下の光の波長帯域の最大値の１／４以下の部分で構造体同士が接合されるように、比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）の上限値を設定することが好ましい。ここで、配置ピッチＰ１は、図３Ｂに示すように、構造体４のトラック方向の配置ピッチであり、径２ｒは、図３Ｂに示すように、構造体底面のトラック方向の径である。なお、構造体底面が円形である場合、径２ｒは直径となり、構造体底面が楕円形である場合、径２ｒは長径となる。

構造体４が準六方格子パターンを形成する場合には、構造体底面の楕円率ｅは、１００％＜ｅ＜１５０％以下であることが好ましい。この範囲にすることで、構造体４の充填率を向上し、優れた光学調整機能を得ることができるからである。

（透明導電層）
図５Ａは、透明導電層の表面形状の例を説明するための拡大断面図である。透明導電層６は、互いに同期する第１の波面Ｓｗ１と第２の波面Ｓｗ２とを有する。第１の波面Ｓｗ１と第２の波面Ｓｗ２との振動の平均幅が異なっていることが好ましい。第１の波面Ｓｗ１の振動の平均幅Ａ１は、第２の波面Ｓｗ２の振動の平均幅Ａ２よりも小さいことがより好ましい。振動の幅が最大となる位置を含むようにして、第１の波面Ｓｗ１または第２の波面Ｓｗ２を一方向に向かって切断したときの断面形状は、例えば、三角波形状、正弦波形状、２次曲線もしくは２次曲線の一部を繰り返した波形状、またはこれらに近似する形状などである。２次曲線としては、円、楕円、放物線などが挙げられる。

透明導電層６は、例えば、有機透明導電層または無機透明導電層である。有機透明導電層は、導電性高分子またはカーボンナノチューブを主成分としていることが好ましい。導電性高分子としては、例えば、ポリチオフェン系、ポリアニリン系、ポリピロール系などの導電性高分子材料を用いることができ、ポリチオフェン系の導電性高分子材料を用いることが好ましい。ポリチオフェン系の導電性高分子材料としては、ＰＥＤＯＴ（ポリエチレンジオキシチオフェン）にＰＳＳ（ポリスチレンスルホン酸）をドーピングしたＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ系の材料を用いることが好ましい。

無機透明導電層は、透明酸化物半導体を主成分としていることが好ましい。透明酸化物半導体としては、例えば、ＳｎＯ₂、ＩｎＯ₂、ＺｎＯおよびＣｄＯなどの二元化合物、二元化合物の構成元素であるＳｎ、Ｉｎ、ＺｎおよびＣｄのうちの少なくとも一つの元素を含む三元化合物、または多元系（複合）酸化物を用いることができる。透明酸化物半導体の具体例としては、例えばインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、アルミドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ（Ａｌ₂Ｏ₃、ＺｎＯ））、ＳＺＯ、フッ素ドープ酸化錫（ＦＴＯ）、酸化錫（ＳｎＯ₂）、ガリウムドープ酸化亜鉛（ＧＺＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ（Ｉｎ₂Ｏ₃、ＺｎＯ））などが挙げられる。特に、信頼性の高さ、および抵抗率の低さなどの観点から、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）が好ましい。無機透明導電層を構成する材料は、導電性の向上の観点からすると、アモルファスと多結晶との混合状態であることが好ましい。

透明導電層６を構成する材料としては、生産性の観点からすると、導電性高分子、金属ナノ粒子、およびカーボンナノチューブからなる群より選ばれる少なくとも１種を主成分とするものが好ましい。これらの材料を主成分とすることで、高価な真空装置などを用いずに、ウエットコーティングにより透明導電層６を容易に形成することができる。

図５Ｂは、透明導電層の膜厚を説明するための拡大断面図である。図５Ｂに示すように、構造体４の頂部における透明導電層６の膜厚をＤ１、構造体４の傾斜面における透明導電層６の膜厚をＤ２、構造体間における透明導電層６の膜厚をＤ３としたときに、膜厚Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３が、好ましくはＤ１＞Ｄ３、より好ましくはＤ１＞Ｄ３＞Ｄ２の関係を満たしている。構造体４の頂部における透明導電層６の膜厚Ｄ１に対する、構造体間の透明導電層６の膜厚Ｄ３の比率（Ｄ３／Ｄ１）が、好ましくは０．８以下、より好ましくは０．７以下の範囲内である。比率（Ｄ３／Ｄ１）を０．８以下にすることで、比率（Ｄ３／Ｄ１）を１とした場合に比して光学調整機能を向上することができる。したがって、透明導電層６が形成された第１の領域Ｒ₁と、透明導電層６が形成されていない第２の領域Ｒ₂との反射率差ΔＲを低減することができる。すなわち、所定パターンを有する透明導電層６の視認を抑制することができる。

なお、構造体４の頂部における透明導電層６の膜厚Ｄ１、構造体４の傾斜面における透明導電層６の膜厚Ｄ２、構造体間における透明導電層６の膜厚Ｄ３はそれぞれ、波面Ｓｗが最も高くなる位置における透明導電層６の膜厚Ｄ１、波面Ｓｗの傾斜面における透明導電層６の膜厚Ｄ２、波面Ｓｗが最も低くなる位置における透明導電層６の膜厚Ｄ３と等しい。

構造体４の頂部における透明導電層６の膜厚Ｄ１は、好ましくは１００ｎｍ以下、より好ましく１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下、さらに好ましくは１０ｎｍ以上８０ｎｍ以下の範囲内である。１００ｎｍを超えると、視認性が悪化する傾向がある。一方、１０ｎｍ未満であると、電気特性が悪化する傾向がある。

上述した透明導電層６の膜厚Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３は以下のようにして求めたものである。
まず、透明導電性素子１を構造体４の頂部を含むようにトラックの延在方向に切断し、その断面をＴＥＭにて撮影する。次に、撮影したＴＥＭ写真から、構造体４の頂部における透明導電層６の膜厚Ｄ１を測定する。次に、構造体４の傾斜面の位置のうち、構造体４の半分の高さ（Ｈ／２）の位置の膜厚Ｄ２を測定する。次に、構造体間の凹部の位置のうち、その凹部の深さが最も深くなる位置の膜厚Ｄ３を測定する。
なお、透明導電層６の膜厚Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３が上記関係を有しているか否かは、このようにして求めた透明導電層の膜厚Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３により確認することができる。

透明導電層６の表面抵抗は、５０Ω／□以上４０００Ω／□以下の範囲であることが好ましく、より好ましくは５０Ω／□以上５００Ω／□以下の範囲内である。このような範囲の表面抵抗にすることで、静電容量方式のタッチパネルの上部電極、または下部電極として透明導電性素子１を用いることができるからである。ここで、透明導電層６の表面抵抗は、４探針法（ＪＩＳＫ７１９４）により求めたものである。透明導電層６の比抵抗は、１×１０^-3Ω・ｃｍ以下であることが好ましい。１×１０^-3Ω・ｃｍ以下であると、上記表面抵抗範囲を実現することができるからである。

（貼合層）
貼合層８は、例えば、アクリル系、ゴム系、シリコン系などの粘着剤を用いることができ、透明性の観点からすると、アクリル系粘着剤が好ましい。

［ロール原盤の構成］
図６Ａは、ロール原盤の構成の一例を示す斜視図である。図６Ｂは、図６Ａに示したロール原盤の一部を拡大して表す平面図である。図６Ｃは、図６ＢのトラックＴ１、Ｔ３、・・・における断面図である。ロール原盤１１は、上述した構成を有する透明導電性素子１を作製するための原盤、より具体的には、上述した基体表面に複数の構造体４を成形するための原盤である。ロール原盤１１は、例えば、円柱状または円筒状の形状を有し、その円柱面または円筒面が基体表面に複数の構造体４を成形するための成形面とされる。この成形面には複数の構造体１２が２次元配列されている。構造体１２は、例えば、成形面に対して凹状を有している。ロール原盤１１の材料としては、例えばガラスを用いることができるが、この材料に特に限定されるものではない。

ロール原盤１１の成形面に配置された複数の構造体１２と、上述の基体３の表面に配置された複数の構造体４とは、反転した凹凸関係にある。すなわち、ロール原盤１１の構造体１２の形状、配列、配置ピッチなどは、基体３の構造体４と同様である。

［露光装置の構成］
図７は、ロール原盤を作製するためのロール原盤露光装置の構成の一例を示す概略図である。このロール原盤露光装置は、光学ディスク記録装置をベースとして構成されている。

レーザー光源２１は、記録媒体としての原盤ロール１１の表面に着膜されたレジストを露光するための光源であり、例えば波長λ＝２６６ｎｍの記録用のレーザー光１４を発振するものである。レーザー光源２１から出射されたレーザー光１４は、平行ビームのまま直進し、電気光学素子（ＥＯＭ：Electro Optical Modulator）２２へ入射する。電気光学素子２２を透過したレーザー光１４は、ミラー２３で反射され、変調光学系２５に導かれる。

ミラー２３は、偏光ビームスプリッタで構成されており、一方の偏光成分を反射し他方の偏光成分を透過する機能をもつ。ミラー２３を透過した偏光成分はフォトダイオード２４で受光され、その受光信号に基づいて電気光学素子２２を制御してレーザー光１４の位相変調を行う。

変調光学系２５において、レーザー光１４は、集光レンズ２６により、ガラス（ＳｉＯ₂）などからなる音響光学素子（ＡＯＭ：Acousto-Optic Modulator）２７に集光される。レーザー光１４は、音響光学素子２７により強度変調され発散した後、レンズ２８によって平行ビーム化される。変調光学系２５から出射されたレーザー光１４は、ミラー３１によって反射され、移動光学テーブル３２上に水平かつ平行に導かれる。

移動光学テーブル３２は、ビームエキスパンダ３３、および対物レンズ３４を備えている。移動光学テーブル３２に導かれたレーザー光１４は、ビームエキスパンダ３３により所望のビーム形状に整形された後、対物レンズ３４を介して、ロール原盤１１上のレジスト層へ照射される。ロール原盤１１は、スピンドルモータ３５に接続されたターンテーブル３６の上に載置されている。そして、ロール原盤１１を回転させるとともに、レーザー光１４をロール原盤１１の高さ方向に移動させながら、レジスト層へレーザー光１４を間欠的に照射することにより、レジスト層の露光工程が行われる。形成された潜像は、円周方向に長軸を有する略楕円形になる。レーザー光１４の移動は、移動光学テーブル３２の矢印Ｒ方向への移動によって行われる。

露光装置は、図３Ｂに示した六方格子または準六方格子の２次元パターンに対応する潜像をレジスト層に形成するための制御機構３７を備えている。制御機構３７は、フォマッター２９とドライバ３０とを備える。フォマッター２９は、極性反転部を備え、この極性反転部が、レジスト層に対するレーザー光１４の照射タイミングを制御する。ドライバ３０は、極性反転部の出力を受けて、音響光学素子２７を制御する。

このロール原盤露光装置では、２次元パターンが空間的にリンクするように１トラック毎に極性反転フォマッター信号と回転コントロラーを同期させて信号を発生し、音響光学素子２７により強度変調している。角速度一定（ＣＡＶ）で適切な回転数と適切な変調周波数と適切な送りピッチでパターニングすることにより、六方格子または準六方格子パターンを記録することができる。

［透明導電性素子の製造方法］
次に、図８Ａ〜図９Ｄを参照しながら、本発明の第１の実施形態に係る透明導電性素子１の製造方法について説明する。
（レジスト成膜工程）
まず、図８Ａに示すように、円柱状または円筒状のロール原盤１１を準備する。このロール原盤１１は、例えばガラス原盤である。次に、図８Ｂに示すように、ロール原盤１１の表面にレジスト層１３を形成する。レジスト層１３の材料としては、例えば有機系レジスト、および無機系レジストのいずれを用いてもよい。有機系レジストとしては、例えばノボラック系レジストや化学増幅型レジストを用いることができる。また、無機系レジストとしては、例えば、１種または２種以上含む金属化合物を用いることができる。

（露光工程）
次に、図８Ｃに示すように、ロール原盤１１の表面に形成されたレジスト層１３に、レーザー光（露光ビーム）１４を照射する。具体的には、図７に示したロール原盤露光装置のターンテーブル３６上に載置し、ロール原盤１１を回転させると共に、レーザー光（露光ビーム）１４をレジスト層１３に照射する。このとき、レーザー光１４をロール原盤１１の高さ方向（円柱状または円筒状のロール原盤１１の中心軸に平行な方向）に移動させながら、レーザー光１４を間欠的に照射することで、レジスト層１３を全面にわたって露光する。これにより、レーザー光１４の軌跡に応じた潜像１５が、例えば可視光波長と同程度のピッチでレジスト層１３の全面にわたって形成される。

潜像１５は、例えば、ロール原盤表面において複数列のトラックをなすように配置されるとともに、六方格子パターンまたは準六方格子パターンを形成する。潜像１５は、例えば、トラックの延在方向に長軸方向を有する楕円形状である。

（現像工程）
次に、例えば、ロール原盤１１を回転させながら、レジスト層１３上に現像液を滴下して、レジスト層１３を現像処理する。これにより、図８Ｄに示すように、レジスト層１３に複数の開口部が形成される。レジスト層１３をポジ型のレジストにより形成した場合には、レーザー光１４で露光した露光部は、非露光部と比較して現像液に対する溶解速度が増すので、図８Ｄに示すように、潜像（露光部）１６に応じたパターンがレジスト層１３に形成される。開口部のパターンは、例えば六方格子パターンまたは準六方格子パターンなどの所定の格子パターンである。

（エッチング工程）
次に、ロール原盤１１の上に形成されたレジスト層１３のパターン（レジストパターン）をマスクとして、ロール原盤１１の表面をエッチング処理する。これにより、図９Ａに示すように、トラックの延在方向に長軸方向をもつ楕円錐形状または楕円錐台形状の凹部、すなわち構造体１２を得ることができる。エッチングとしては、例えばドライエッチング、ウエットエッチングを用いることができる。このとき、エッチング処理とアッシング処理とを交互に行うことにより、例えば、錐体状の構造体１２のパターンを形成することができる。
以上により、目的とするロール原盤１１が得られる。

（転写工程）
次に、図９Ｂに示すように、ロール原盤１１と、基体３上に塗布された転写材料１６とを密着させた後、紫外線などのエネルギー線をエネルギー線源１７から転写材料１６に照射して転写材料１６を硬化させた後、硬化した転写材料１６と一体となった基体３を剥離する。これにより、図９Ｃに示すように、複数の構造体４を基体表面に有する光学層２が作製される。

エネルギー線源１７としては、電子線、紫外線、赤外線、レーザー光線、可視光線、電離放射線（Ｘ線、α線、β線、γ線など）、マイクロ波、または高周波などエネルギー線を放出可能なものであればよく、特に限定されるものではない。

転写材料１６としては、エネルギー線硬化性樹脂組成物を用いることが好ましい。エネルギー線硬化性樹脂組成物としては、紫外線硬化性樹脂組成物を用いることが好ましい。エネルギー線硬化性樹脂組成物が、必要に応じてフィラーや機能性添加剤などを含んでいてもよい。

紫外線硬化性樹脂組成物は、例えばアクリレートおよび開始剤を含んでいる。紫外線硬化性樹脂組成物は、例えば、単官能モノマー、二官能モノマー、多官能モノマーなどを含み、具体的には、以下に示す材料を単独または、複数混合したものである。

単官能モノマーとしては、例えば、カルボン酸類（アクリル酸）、ヒドロキシ類（２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、４−ヒドロキシブチルアクリレート）、アルキル、脂環類（イソブチルアクリレート、ｔ−ブチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、ラウリルアクリレート、ステアリルアクリレート、イソボニルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート）、その他機能性モノマー（２−メトキシエチルアクリレート、メトキシエチレンクリコールアクリレート、２−エトキシエチルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、ベンジルアクリレート、エチルカルビトールアクリレート、フェノキシエチルアクリレート、Ｎ，Ｎ-ジメチルアミノエチルアクリレート、Ｎ，Ｎ-ジメチルアミノプロピルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、アクリロイルモルホリン、Ｎ−イソプロピルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアクリルアミド、Ｎ−ビニルピロリドン、２−（パーフルオロオクチル）エチルアクリレート、３−パーフルオロヘキシル−２−ヒドロキシプロピルアクリレート、３−パーフルオロオクチルー２−ヒドロキシプロピルアクリレート、２−（パーフルオロデシル）エチルアクリレート、２−（パーフルオロー３−メチルブチル）エチルアクリレート）、２，４，６−トリブロモフェノールアクリレート、２，４，６−トリブロモフェノールメタクリレート、２−（２，４，６−トリブロモフェノキシ）エチルアクリレート）、２−エチルヘキシルアクリレートなどを挙げることができる。
二官能モノマーとしては、例えば、トリ（プロピレングリコール）ジアクリレート、トリメチロールプロパンジアリルエーテル、ウレタンアクリレートなどを挙げることができる。

多官能モノマーとしては、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ及びヘキサアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレートなどを挙げることができる。

開始剤としては、例えば、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、１−ヒドロキシ−シクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オンなどを挙げることができる。

フィラーとしては、例えば、無機微粒子および有機微粒子のいずれも用いることができる。無機微粒子としては、例えば、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂、ＺｒＯ₂、ＳｎＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃などの金属酸化物微粒子を挙げることができる。

機能性添加剤としては、例えば、レベリング剤、表面調整剤、消泡剤などを挙げることができる。基体３の材料としては、例えば、メチルメタクリレート（共）重合体、ポリカーボネート、スチレン（共）重合体、メチルメタクリレート−スチレン共重合体、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートブチレート、ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアセタール、ポリエーテルケトン、ポリウレタン、ガラスなどが挙げられる。

基体３の成形方法は特に限定されず、射出成形体でも押し出し成形体でも、キャスト成形体でもよい。必要に応じて、コロナ処理などの表面処理を基体表面に施すようにしてもよい。

（透明導電層の成膜工程）
次に、図９Ｄに示すように、複数の構造体４が形成された光学層２の波面Ｓｗ上に、透明導電層６を成膜する。透明導電層６を成膜する際に、光学層２を加熱しながら成膜を行うようにしてもよい。透明導電層６の成膜方法としては、例えば、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、光ＣＶＤなどのＣＶＤ法（Chemical Vapor Deposition（化学蒸着法）：化学反応を利用して気相から薄膜を析出させる技術）のほか、真空蒸着、プラズマ援用蒸着、スパッタリング、イオンプレーティングなどのＰＶＤ法（Physical Vapor Deposition（物理蒸着法）：真空中で物理的に気化させた材料を基板上に凝集させ、薄膜を形成する技術）を用いることができる。次に、必要に応じて、透明導電層６に対してアニール処理を施す。これにより、透明導電層６が、例えばアモルファスと多結晶との混合状態となる。

（透明導電層のパターニング工程）
次に、例えばフォトエッチングにより透明導電層６をパターニングすることで、所定パターンを有する透明導電層６を形成する。
以上により、目的とする透明導電性素子１が得られる。

＜２．第２の実施形態＞
［透明導電性素子の構成］
図１０Ａは、本発明の第２の実施形態に係る透明導電性素子の光学層表面の一例を示す平面図である。図１０Ｂは、図１０Ａに示した光学層表面の一部を拡大して表す平面図である。第２の実施形態に係る透明導電性素子１は、複数の構造体４が、隣接する３列のトラックＴ間において四方格子パターンまたは準四方格子パターンをなしている点において、第１の実施形態のものとは異なっている。

ここで、四方格子とは、正四角形状の格子のことをいう。準四方格子とは、正四角形状の格子とは異なり、歪んだ正四角形状の格子のことをいう。例えば、構造体４が直線上に配置されている場合には、準四方格子とは、正四角形状の格子を直線状の配列方向（トラック方向）に引き伸ばして歪ませた四方格子のことをいう。構造体４が蛇行して配列されている場合には、準四方格子とは、正四角形状の格子を構造体４の蛇行配列により歪ませた四方格子をいう。または、正四角形状の格子を直線状の配列方向（トラック方向）に引き伸ばして歪ませ、かつ、構造体４の蛇行配列により歪ませた四方格子のことをいう。

同一トラック内における構造体４の配置ピッチＰ１は、隣接する２つのトラック間における構造体４の配置ピッチＰ２よりも長いことが好ましい。また、同一トラック内における構造体４の配置ピッチをＰ１、隣接する２つのトラック間における構造体４の配置ピッチをＰ２としたとき、Ｐ１/Ｐ２が１．４＜Ｐ１／Ｐ２≦１．５の関係を満たすことが好ましい。このような数値範囲にすることで、楕円錐または楕円錐台形状を有する構造体４の充填率を向上することができるので、光学調整機能を向上することができる。また、トラックに対して４５度方向または約４５度方向における構造体４の高さまたは深さは、トラックの延在方向における構造体４の高さまたは深さよりも小さいことが好ましい。

トラックの延在方向に対して斜となる構造体４の配列方向（θ方向）の高さＨ２は、トラックの延在方向における構造体４の高さＨ１よりも小さいことが好ましい。すなわち、構造体４の高さＨ１、Ｈ２がＨ１＞Ｈ２の関係を満たすことが好ましい。

構造体４が四方格子または準四方格子パターンを形成する場合には、構造体底面の楕円率ｅは、１５０％≦ｅ≦１８０％であることが好ましい。この範囲にすることで、構造体４の充填率を向上し、優れた光学調整機能を得ることができるからである。

波面Ｓｗの面積Ｓ１に対する平坦部の面積Ｓ２の比率Ｒ_s（（Ｓ２／Ｓ１）×１００）が、好ましくは０％以上５０％以下、より好ましくは０％以上４５％以下、さらに好ましくは０％以上３０％以下の範囲内である。比率Ｒ_sを５０％以下にすることで、光学調整機能を向上することができる。

ここで、波面Ｓｗの面積Ｓ１に対する平坦部の面積Ｓ２の比率Ｒ_s（（Ｓ２／Ｓ１）×１００）は以下のようにして求めた値である。
まず、透明導電性素子１の表面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：Scanning Electron Microscope）を用いてＴｏｐＶｉｅｗで撮影する。次に、撮影したＳＥＭ写真から無作為に単位格子Ｕｃを選び出し、その単位格子Ｕｃの配置ピッチＰ１、およびトラックピッチＴｐを測定する（図１０Ｂ参照）。また、その単位格子Ｕｃに含まれる４つの構造体４のいずれかの底面の面積Ｓ（structure）を画像処理により測定する。次に、測定した配置ピッチＰ１、トラックピッチＴｐ、および底面の面積Ｓ（structure）を用いて、以下の式より比率Ｒを求める。
比率Ｒ＝［（Ｓ（lattice）−Ｓ（structure））／Ｓ（lattice）］×１００
単位格子面積：Ｓ（lattice）＝２×（（Ｐ１×Ｔｐ）×（１／２））＝Ｐ１×Ｔｐ
単位格子内に存在する構造体の底面の面積：Ｓ（structure）＝Ｓ

上述した比率Ｒの算出の処理を、撮影したＳＥＭ写真から無作為に選び出された１０箇所の単位格子Ｕｃについて行う。そして、測定値を単純に平均（算術平均）して比率Ｒの平均率を求め、これを比率Ｒ_sとする。

配置ピッチＰ１に対する径２ｒの比率（（２ｒ／Ｐ１）×１００）が、６４％以上、好ましくは６９％以上、より好ましくは７３％以上である。このような範囲にすることで、構造体４の充填率を向上し、光学調整機能を向上できるからである。ここで、配置ピッチＰ１は、構造体４のトラック方向の配置ピッチ、径２ｒは、構造体底面のトラック方向の径である。なお、構造体底面が円形である場合、径２ｒは直径となり、構造体底面が楕円形である場合、径２ｒは長径となる。

第２の実施形態によれば、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。

＜第３の実施形態＞
図１１Ａは、本発明の第３の実施形態に係る透明導電性素子の構成の一例を示す断面図である。図１１Ｂは、本発明の第３の実施形態に係る透明導電性素子の光学層表面の一例を示す平面図である。図１１Ｃは、図１１Ｂに示した光学層表面の一部を拡大して表す平面図である。

第３の実施形態に係る透明導電性素子１は、複数の構造体４がランダム（不規則）に２次元配列されている点において、第１の実施形態とは異なっている。また、構造体２１の形状、大きさおよびは高さの少なくとも１つをさらにランダムに変化させるようにしてもよい。

この第３の実施形態において、上記以外のことは、第１の実施形態と同様である。

この透明導電性素子１を作製するための原盤は、例えばアルミニウム基材の表面を陽極酸化する方法を用いることができるが、この方法に限定されるものではない。

第３の実施形態では、複数の構造体４をランダムに２次元配列しているので、外観上のムラの発生を抑制できる。

＜４．第４の実施形態＞
図１２Ａは、本発明の第４の実施形態に係る透明導電性素子の構成の一例を示す断面図である。図１２Ｂは、図１２Ａに示した透明導電性素子の一部を拡大して表す拡大断面図である。図１２Ｃは、本発明の第４の実施形態に係る透明導電性素子の構成の他の例を示す断面図である。図１２Ｄは、図１２Ｃに示した透明導電性素子の一部を拡大して表す拡大断面図である。

図１２Ａおよび図１２Ｂに示すように、第４の実施形態に係る透明導電性素子１は、透明導電層６が光学層（第１の光学層）２の波面Ｓｗのほぼ全体に渡って連続的に形成されている点において、第１の実施形態とは異なっている。

また、必要に応じて、図１２Ｃおよび図１２Ｄに示すように、透明導電層６上に形成された光学層（第２の光学層）７をさらに備え、透明導電層６の両主面がそれぞれ光学層２、光学層７により覆われた構成としてもよい。なお、構造体４の凹凸の向きが逆であってもかまわない。

この第４の実施形態において、上記以外のことは、第１の実施形態と同様である。

＜５．第５の実施形態＞
図１３Ａは、本発明の第５の実施形態に係る情報入力装置の構成の一例を説明するための断面図である。図１３Ａに示すように、情報入力装置１０１は、表示装置１０２の表示面上に設けられる。情報入力装置１０１は、例えば貼合層１１１により表示装置１０２の表示面に貼り合わされている。情報入力装置１０１が適用される表示装置１０２は特に限定されるものではないが、例示するならば、液晶ディスプレイ、ＣＲＴ（Cathode Ray Tube）ディスプレイ、プラズマディスプレイ（Plasma Display Panel：ＰＤＰ）、エレクトロルミネッセンス（Electro Luminescence：ＥＬ）ディスプレイ、表面伝導型電子放出素子ディスプレイ（Surface-conduction Electron-emitter Display：ＳＥＤ）などの各種表示装置が挙げられる。

情報入力装置１０１は、いわゆる投影型静電容量方式タッチパネルであり、第１の透明導電性素子１₁と、第１の透明導電性素子１₁上に設けられた第２の透明導電層１₂と、第２の透明導電層１₂上に設けられた光学層７とを備える。第１の透明導電性素子１₁と第２の透明導電層１₂とは、第１の透明導電性素子１₁の透明導電層６₁側の面と第２の透明導電性素子１₂の基体３側の面とが対向するように貼合層１１２を介して貼り合わされている。光学層７は、貼合層８を介して基体３を第２の透明導電性素子１₂の透明導電層８側の面に貼り合わせることにより形成される。

図１３Ｂは、図１３Ａに示した領域Ａ１および領域Ａ₂を拡大して表す拡大断面図である。図１４Ａは、図１３Ａに示した領域Ａ₁をさらに拡大して表す拡大断面図である。図１４Ｂは、図１３Ａに示した領域Ａ₂をさらに拡大して表す拡大断面図である。

図１３Ｂに示すように、第１の透明導電性素子１₁の透明導電層６₁と第２の透明導電性素子１₂の透明導電層６₂とは、情報入力装置１０１の厚さ方向に重ならないように設けられていることが好ましい。すなわち、第１の透明導電性素子１₁の第１の領域Ｒ₁と第２の透明導電性素子１₂の第２の領域Ｒ₂とが情報入力装置１０１の厚さ方向に重なり、第２の透明導電性素子１₁の第２の領域Ｒ₂と第２の透明導電性素子１₂の第１の領域Ｒ₁とが情報入力装置１０１の厚さ方向に重なっていることが好ましい。このようにすることで、第１の透明導電性素子１₁と第２の透明導電性素子１₂との重ね合わせによる透過率差を低減することができる。なお、図１３Ａおよび図１３Ｂでは、第１の透明導電性素子１₁の透明導電層６₁と、第２の透明導電性素子１₂の透明導電層６₂とがいずれも入力面側となるように、第１の透明導電性素子１₁および第２の透明導電性素子１₂の向きが設定されている場合を例として示しているが、第１の透明導電性素子１₁および第２の透明導電性素子１₂の向きは特に限定されるものではなく、情報入力装置１０１の設計に応じて適宜設定可能である。

図１４Ａに示すように、領域Ａ₁では、第１の透明導電性素子１₁の波面Ｓｗには透明導電層６₁が形成されていないのに対して、第２の透明導電性素子１₂の波面Ｓｗには透明導電層６₂が形成されていることが好ましい。また、図１４Ｂに示すように、領域Ａ₂では、第１の透明導電性素子１₁の波面Ｓｗには透明導電層６₁が形成されているのに対して、第２の透明導電性素子１₂の波面Ｓｗには透明導電層６₂が形成されていないことが好ましい。

第１の透明導電性素子１₁および第２の透明導電性素子１₂としては、第１〜第３の実施形態の透明導電性素子１のうちの１種を用いることができる。すなわち、第１の透明導電性素子１₁の光学層２₁、基体３₁、構造体４₁、基底層５₁および透明導電層６₁はそれぞれ、第１〜第３の実施形態のうちの１種の光学層２、基体３、構造体４、基底層５および透明導電層６と同様である。また、第２の透明導電性素子１₂の光学層２₂、基体３₂、構造体４₂、基底層５₂および透明導電層６₂はそれぞれ、第１〜第３の実施形態のうちの１種の光学層２、基体３、構造体４、基底層５および透明導電層６と同様である。

図１５Ａは、本発明の第５の実施形態に係る情報入力装置の構成の一例を説明するための分解斜視図である。この情報入力装置１０１は、ＩＴＯＧｒｉｄ方式の投影型静電容量方式タッチパネルである。第１の透明導電性素子１₁の透明導電層６₁は、例えば、所定のパターンを有するＸ電極（第１の電極）である。第２の透明導電性素子１₂の透明導電層６₂は、例えば、所定のパターンを有するＹ電極（第２の電極）である。これらのＸ電極とＹ電極とは、例えば互いに直交する関係にある。

図１５Ｂは、本発明の第５の実施形態に係る情報入力装置に備えられる第１の透明導電性素子の構成の一例を説明するための分解斜視図である。なお、第２の透明導電性素子１₂は、透明導電層６₂からなるＹ電極の形成方向以外の点では第１の透明導電性素子１₁と同様であるので、分解斜視図の図示を省略する。

光学層２₁の波面Ｓｗの領域Ｒ₁には、透明導電層６₁からなる複数のＸ電極が配列されている。光学層２₂の波面Ｓｗの領域Ｒ₂には、透明導電層６₁からなる複数のＹ電極が配列されている。Ｘ軸方向に延びるＸ電極は、単位形状体Ｃ₁をＸ軸方向に繰り返し連結してなる。Ｙ軸方向に延びるＹ電極は、単位形状体Ｃ₂をＹ軸方向に繰り返し連結してなる。単位形状体Ｃ₁および単位形状体Ｃ₂の形状としては、例えば菱形形状（ダイヤモンド形状）、三角形状、四角形状などが挙げられるが、これらの形状に限定されるものではない。

第１の透明導電性素子１₁と第２の透明導電性素子１₂とを重ね合わせた状態において、第１の透明導電性素子１₁の第１の領域Ｒ₁と、第２の透明導電性素子１₂の第２の領域Ｒ₂とが重ね合わされ、第１の透明導電性素子１₁の第２の領域Ｒ₂と、第２の透明導電性素子１₂の第１の領域Ｒ₁とが重ね合わされる。したがって、情報入力装置１０１を入力面側から見た場合には、単位形状体Ｃ₁および単位形状体Ｃ₂が重ならず、一主面に敷き詰められて細密充填された状態として見える。

＜６．第６の実施形態＞
図１６Ａは、本発明の第６の実施形態に係る情報入力装置の構成の一例を説明するための断面図である。図１６Ｂは、図１６Ａに示した情報入力装置の一部を拡大して表す拡大断面図である。

情報入力装置１０１は、いわゆる表面型静電容量方式タッチパネルであり、透明導電性素子１を備える。透明導電性素子１としては、第４の実施形態に係る透明導電性素子１が用いられ、透明導電層６上には光学層（第２の光学層）７が設けられる。

第６の実施形態において、上記以外のことは第５の実施形態と同様である。

＜７．第７の実施形態＞
図１７Ａは、本発明の第７の実施形態に係る情報入力装置の構成の一例を説明するための断面図である。図１７Ｂは、透明導電層が形成された波面が対向する領域を拡大して表す断面図である。図１７Ｃは、透明導電層が形成されておらず露出した波面が対向する領域を拡大して表す断面図である。

図１７Ａに示すように、情報入力装置１０１は、いわゆるマトリックス対向膜方式タッチパネルであり、第１の透明導電性素子１₁と、第２の透明導電性素子１₂と、貼合１２１とを備える。第１の透明導電性素子１と第２の透明導電性素子１₂とは、互いの透明導電層６₁および透明導電層６₂が対向するように所定間各離して対向配置されている。貼合層１２１は、第１の透明導電性素子１₁および第２の透明導電性素子１₂の周縁部間に配置されて、貼合層１２１を介して第１の透明導電性素子１₁および第２の透明導電性素子１₂の対向面の周縁部が貼り合わされる。貼合層１２１としては、例えば、粘着ペースト、粘着テープなどが用いられる。

情報入力装置１０１の両主面のうち、第２の透明導電性素子１₂の側の主面が情報を入力するタッチ面（情報入力面）となる。このタッチ面上にハードコート層１２２をさらに設けることが好ましい。タッチパネル５０のタッチ面の耐擦傷性を向上することができるからである。

図１７Ｂおよび図１７Ｃに示すように、第１の透明導電性素子１₁と第２の透明導電性素子１₂との波面Ｓｗが所定間隔離して対向配置されている。マトリックス対向膜方式タッチパネルである情報入力装置１０１では、第１の透明導電性素子１₁および第２の透明導電性素子１₂の波面Ｓｗにはそれぞれ、所定パターンを有する透明導電層６₁および透明導電層６₂が形成されている。このため、情報入力装置１０１では、透明導電層６₁が形成された波面Ｓｗと透明導電層６₂が形成された波面Ｓｗとが対向する領域（図１７Ｂ）、透明導電層６₁が形成されておらず露出した波面Ｓｗと透明導電層６₂が形成されておらず露出した波面Ｓｗとが対向する領域（図１７Ｃ）、および透明導電層６₁または透明導電層６₂が形成された波面Ｓｗと透明導電層６₁または透明導電層６₂が形成されておらず露出した波面Ｓｗとが対向する領域（図示省略）とが存在する。

図１８Ａは、本発明の第７の実施形態に係る情報入力装置の構成の一例を説明するための分解斜視図である。図１８Ｂは、本発明の第７の実施形態に係る情報入力装置に備えられる透明導電性素子の構成の一例を説明するための分解斜視図である。第１の透明導電性素子１₁の透明導電層６₁は、例えば、ストライプ形状を有するＸ電極（第１の電極）である。第２の透明導電性素子１₂の透明導電層６₁は、例えば、ストライプ形状を有するＹ電極（第２の電極）である。これらのＸ電極とＹ電極とが互いに対向するとともに直交するように、第１の透明導電性素子１₁と第２の透明導電性素子１₂とは対向配置される。

第７の実施形態において、上記以外のことは第５の実施形態と同様である。

＜８．第８の実施形態＞
図１９Ａは、本発明の第８の実施形態に係る情報入力装置の構成の一例を説明するための断面図である。図１９Ｂは、図１９Ａに示した情報入力装置の一部を拡大して表す拡大断面図である。

図１９Ａに示すように、第８の実施形態に係る情報入力装置１０１は、第１の透明導電性素子１₁および第２の透明導電性素子１₂としては第４の実施形態に係る透明導電性素子１を用いている点において、第７の実施形態に係る情報入力装置１０１とは異なっている。

図１９Ｂに示すように、第１の透明導電性素子１₁および第２の透明導電性素子１₂との波面Ｓｗが対向配置され、この対向配置された波面それぞれに透明導電層６₁、透明導電層６₂が形成されている。

第８の実施形態において、上記以外のことは第７の実施形態と同様である。

＜９．第９の実施形態＞
図２０は、本発明の第９の実施形態に係る液晶表示装置の構成の一例を説明するための断面図である。図２０に示すように、第９の実施形態に係る液晶表示装置は、第１の主面および第２の主面を有する液晶パネル（液晶層）１３１と、第１の主面上に形成された第１の偏光子１３２と、第２の主面上に形成された第２の偏光子１３３と、液晶パネル１３１と第２の偏光子１３３との間に配置された情報入力装置１０１とを備える。情報入力装置１０１は、液晶ディスプレイ一体型タッチパネル（いわゆるインナータッチパネル）である。光学層２₂を省略して、第２の偏光子１３３の表面に複数の構造体４を直接形成するようにしてもよい。第２の偏光子１３３が、ＴＡＣ（トリアセチルセルロース）フィルムなどの保護層を表面に備えている場合には、保護層上に複数の構造体４を直接形成することが好ましい。このように第２の偏光子１３３に複数の構造体４を形成し、これらの構造体４上に透明導電層６₂を形成することで、液晶表示装置をさらに薄型化することができる。

（液晶パネル）
液晶パネル１３１としては、例えば、ツイステッドネマチック（Twisted Nematic：ＴＮ）モード、スーパーツイステッドネマチック（Super Twisted Nematic：ＳＴＮ）モード、垂直配向（Vertically Aligned：ＶＡ）モード、水平配列（In-Plane Switching：ＩＰＳ）モード、光学補償ベンド配向（Optically Compensated Birefringence：ＯＣＢ）モード、強誘電性（Ferroelectric Liquid Crystal：ＦＬＣ）モード、高分子分散型液晶（Polymer Dispersed Liquid Crystal：ＰＤＬＣ）モード、相転移型ゲスト・ホスト（Phase Change Guest Host：ＰＣＧＨ）モードなどの表示モードのものを用いることができる。

（偏光子）
第１の偏光子１３２および第２の偏光子１３３は、その透過軸が互いに直交するようにして液晶パネル１３１の第１の主面および第２の主面上に対してそれぞれ、貼合層１３４および貼合層１３６を介して貼り合わされる。第１の偏光子１３２および第２の偏光子１３３は、入射する光のうち直交する偏光成分の一方のみを通過させ、他方を吸収により遮へいするものである。第１の偏光子１３２および第２の偏光子１３３としては、例えば、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）系フィルムに、ヨウ素錯体や二色性染料を一軸方向に配列させたものを用いることができる。第１の偏光子１３２および第２の偏光子１３３の両面には、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）フィルムなどの保護層を設けることが好ましい。

（タッチパネル）
情報入力装置１０１は、第５〜第８の実施形態のいずれかのものを用いることができる。

第９の実施形態では、第２の偏光子１３３を液晶パネル１３５と情報入力装置１０１とで共用した構成としているので、光学特性を向上することができる。

＜１０．第１０の実施形態＞
図２１Ａは、本発明の第１０の実施形態に係る情報表示装置の構成の一例を説明するための斜視図である。図２１Ｂは、透明導電層が形成された波面が対向する領域を拡大して表す断面図である。図２１Ｃは、透明導電層が形成されておらず露出した波面が対向する領域を拡大して表す断面図である。

図２１Ａに示すように、この情報表示装置は、パッシブマトリックス駆動方式（単純マトリックス駆動方式ともいう。）の液晶表示装置であり、第１の透明導電性素子１₁と、第２の透明導電性素子１₂と、液晶層１４１とを備える。第１の透明導電性素子１₁と第２の透明導電性素子１₂とは、互いの透明導電層６₁および透明導電層６₂が対向するように所定間隔離して対向配置されている。液晶層１４１は、所定間隔離して配置された第１の透明導電性素子１₁と第２の透明導電性素子１₂との間に設けられる。第１の透明導電性素子１₁および第２の透明導電性素子１₂としては、第１〜第３の実施形態の透明導電性素子１のうちの１種を用いることができる。すなわち、第１の透明導電性素子１₁の光学層２₁、基体３₁、構造体４₁、基底層５₁および透明導電層６₁はそれぞれ、第１〜第３の実施形態のうちの１種の光学層２、基体３、構造体４、基底層５および透明導電層６と同様である。また、第２の透明導電性素子１₂の光学層２₂、基体３₂、構造体４₂、基底層５₂および透明導電層６₂はそれぞれ、第１〜第３の実施形態のうちの１種の光学層２、基体３、構造体４、基底層５および透明導電層６と同様である。ここでは、パッシブマトリックス駆動方式の液晶表示装置に対して本発明を適用した例について説明するが、情報表示装置はこの例に限定されるものではなく、パッシブマトリックス駆動方式などの所定の電極パターンを有する情報表示装置であれば本発明を適用可能である。例えば、パッシブマトリックス駆動方式のＥＬ表示装置などにも適用可能である。

図２１Ｂおよび図２１Ｃに示すように、第１の透明導電性素子１₁および第２の透明導電性素子１₂との波面Ｓｗが所定間隔離して対向配置されている。パッシブマトリックス駆動方式の液晶表示装置では、第１の透明導電性素子１₁および第２の透明導電性素子１₂の波面Ｓｗにはそれぞれ、所定パターンを有する透明導電層６₁および透明導電層６₂が形成されている。このため、透明導電層６₁が形成された波面Ｓｗと透明導電層６₂が形成された波面Ｓｗとが対向する領域（図２１Ｂ）、透明導電層６₁が形成されておらず露出した波面Ｓｗと透明導電層６₂が形成されておらず露出した波面Ｓｗとが対向する領域（図２１Ｃ）、および透明導電層６₁または透明導電層６₂が形成された波面Ｓｗと透明導電層６₁または透明導電層６₂が形成されておらず露出した波面Ｓｗとが対向する領域（図示省略）とが存在する。

第１の透明導電性素子１₁の透明導電層６₁は、例えば、ストライプ形状を有するＸ電極（第１の電極）である。第２の透明導電性素子１₂の透明導電層６₂は、例えば、ストライプ形状を有するＹ電極（第２の電極）である。これらのＸ電極とＹ電極とが互いに対向するとともに直交するように、第１の透明導電性素子１₁と第２の透明導電性素子１₂とは対向配置される。

＜１１．第１１の実施形態＞
図２２Ａは、本発明の第１１の実施形態に係る情報入力装置の構成の一例を説明するための断面図である。図２２Ｂは、透明導電層が形成された波面が対向する領域を拡大して表す断面図である。図２２Ｃは、透明導電層が形成されておらず露出した波面が対向する領域を拡大して表す断面図である。

図２２Ａに示すように、この情報表示装置は、いわゆるマイクロカプセル電気泳動方式の電子ペーパーであり、第１の透明導電性素子１₁と、第２の透明導電性素子１₂と、マイクロカプセル層（媒質層）１５１とを備える。第１の透明導電性素子１₁と第２の透明導電性素子１₂とは、互いの透明導電層６₁および透明導電層６₂が対向するように所定間隔離して対向配置されている。マイクロカプセル層１５１は、所定間隔離して配置された第１の透明導電性素子１₁と第２の透明導電性素子１₂との間に設けられる。

また、必要に応じて、粘着剤などの貼合層１５３を介して第２の透明導電性素子１₂をガラスなどの支持体１５４に貼り合わせるようにしてもよい。ここでは、マイクロカプセル電気泳動方式の電子ペーパーに対して本発明を適用した例について説明するが、電子ペーパーはこの例に限定されるものではなく、対向配置された導電性素子間に媒質層が設けられた構成であれば本発明は適用可能である。ここで、媒質には液体および固体以外に、空気などの気体も含まれる。また、媒質には、カプセル、顔料および粒子などの部材が含まれていてもよい。

マイクロカプセル電気泳動方式以外に本発明を適用可能な電子ペーパーとしては、例えばツイストボール方式、サーマルリライタブル方式、トナーディスプレイ方式、Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ型電気泳動方式、電子粉粒方式の電子パーパーなどが挙げられる。マイクロカプセル層１５１は、多数のマイクロカプセル１５２を含んでいる。マイクロカプセル内には、例えば、黒色粒子おび白色粒子が分散された透明な液体（分散媒）が封入されている。

第１の透明導電性素子１₁の透明導電層６₁、および第２の透明導電性素子１₂の透明導電層６₂は、電子ペーパーである情報表示装置の駆動方式に応じて所定の電極パターン状に形成されている。駆動方式としては、例えば単純マトリックス駆動方式、アクティブマトリックス駆動方式、セグメント駆動方式などが挙げられる。

図２２Ｂおよび図２２Ｃに示すように、第１の透明導電性素子１₁および第２の透明導電性素子１₂との波面Ｓｗが所定間隔離して対向配置されている。パッシブマトリックス駆動方式電子ペーパーでは、第１の透明導電性素子１₁および第２の透明導電性素子１₂の波面Ｓｗにはそれぞれ、所定パターンを有する透明導電層６₁および透明導電層６₂が形成されている。このため、透明導電層６₁が形成された波面Ｓｗと透明導電層６₂が形成された波面Ｓｗとが対向する領域（図２２Ｂ）、透明導電層６₁が形成されておらず露出した波面Ｓｗと透明導電層６₂が形成されておらず露出した波面Ｓｗとが対向する領域（図２２Ｃ）、および透明導電層６₁または透明導電層６₂が形成された波面Ｓｗと透明導電層６₁または透明導電層６₂が形成されておらず露出した波面Ｓｗとが対向する領域（図示省略）とが存在する。

この第１１の実施形態において、上記以外のことは、第１０の実施形態と同様である。

以下、サンプルにより本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらのサンプルのみに限定されるものではない。

（平均高さＨｍ、平均配置ピッチＰｍ、アスペクト比（Ｈｍ／Ｐｍ））
以下において、透明導電性シートなどの構造体の平均高さＨｍ、平均配置ピッチＰｍ、およびアスペクト比（Ｈｍ／Ｐｍ）は次のようにして求めた。

まず、透明導電性シートを構造体の頂部を含むように切断し、その断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）にて撮影した。次に、撮影したＴＥＭ写真から、構造体の配置ピッチＰ、構造体の高さＨを求めた。この測定を透明導電性シートから無作為に選び出された１０箇所で繰り返し行い、測定値を単純に平均（算術平均）して、平均配置ピッチＰｍ、および平均高さＨｍを求めた。次に、これらの平均配置ピッチＰｍ、および平均高さＨｍを用いて、アスペクト比（Ｈｍ／Ｐｍ）を求めた。

なお、構造体の平均高さＨｍ、平均配置ピッチＰｍ、およびアスペクト比（Ｈｍ／Ｐｍ）はそれぞれ、波面の振動の平均幅Ａｍ、波面の平均波長をλｍ、および比率（Ａｍ／λｍ）に対応する。

（ＩＴＯ膜の膜厚）
以下において、ＩＴＯ膜の膜厚は次のようにして求めた。
まず、透明導電性シートを構造体の頂部を含むように切断し、その断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）にて撮影し、撮影したＴＥＭ写真から、構造体の頂部におけるＩＴＯ膜の膜厚を測定した。

（構造体斜面の平均角度）
以下において、構造体斜面の平均角度は次のようにして求めた。
まず、透明導電性シートを構造体の頂部を含むように切断し、その断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）にて撮影した。次に、撮影したＴＥＭ写真から、底部から頂部への斜面の角度の平均値（１個の構造体の斜面角度の平均値）を求めた。このような平均値を求める処理を透明導電性シートから無作為に選び出された１０箇所で繰り返し行い、１０個の構造体の斜面角度の平均値を単純に平均（算術平均）して、構造体斜面の平均角度とした。

サンプル１−１〜１０−５について以下の順序で説明する。
１．平坦部面積比（サンプル１−１〜１−３）
２．色調（サンプル２−１〜２−３）
３．透明導電層の膜厚比（サンプル３−１〜３−３）
４．アスペクト比（サンプル４−１〜４−４）
５．電気的信頼性（サンプル５−１〜５−６）
６．反射率差ΔＲ（サンプル６−１〜６−４）
７．構造体の形状（サンプル７−１〜７−３）
８．パターン歪み（サンプル８−１、８−２）
９．エッチング耐性（サンプル９−１〜１０−５）

＜１．平坦部面積比＞
サンプル１−１〜１−３では、ＲＣＷＡ（Rigorous Coupled Wave Analysis）による光学シミュレーションにより、平坦部面積比と反射率との関係について検討を行った。

（サンプル１−１）
光学シミュレーションにより、透明導電性素子の反射スペクトルを求めた。その結果のグラフを図２３Ｂに示す。

以下に、光学シミュレーションの条件を示す。
（透明導電性素子の構成）
透明導電性素子は以下の積層構造体とした。
（入射側）基体／構造体／透明導電層／光学層（出射側）

図２３Ａは、基体表面に配列された複数の構造体を示す平面図である。図２３Ａにおいて、円形状は構造体底面を示し、Ｕｃは単位格子、ｒ_sは構造体底面の半径を示す。基体表面には、図２３Ａに示すように、複数の構造体が配列されている。

（基体）
屈折率ｎ：１．５２
（構造体）
構造体の配列：六方格子
構造体の形状：釣鐘型
構造体の底面：円形
配置ピッチ（波長λ）Ｐ：２５０ｎｍ
構造体の高さ（振幅Ａ）Ｈ：１５０ｎｍ
アスペクト比（Ｈ／Ｐ）：０．６
単位格子Ｕｃの面積Ｓ（lattice）：２×２√３
構造体の底面の半径ｒ_s：０．９
構造体の底面の面積Ｓ（structure）：２×πｒ_s ²＝２×π×０．９²
平坦部の面積比率Ｒ_s：［（Ｓ（lattice）−Ｓ（structure））／Ｓ（lattice）］×１００＝２６．５４％
（透明導電層）
透明導電層の屈折率ｎ：２．０
透明導電層の厚さｔ：６０〜７５ｎｍ
構造体頂部の透明導電層の厚さＤ１：７５ｎｍ
構造体間の透明導電層の厚さＤ３：６０ｎｍ
膜厚比Ｄ３／Ｄ１：０．８
（光学層）
屈折率ｎ：１．５２
（入射光）
偏光：無偏光
入射角：５度（透明導電性素子の法線に対して）

（サンプル１−２）
以下の条件を変更する以外はサンプル１−１と同様にして、光学シミュレーションにより、透明導電性素子の反射スペクトルを求めた。その結果のグラフを図２３Ｂに示す。

（構造体）
構造体の底面の半径ｒ_s：０．８
構造体の底面の面積Ｓ（structure）：２×πｒ_s ²＝２×π×０．８²
平坦部の面積比率：［（Ｓ（lattice）−Ｓ（structure））／Ｓ（lattice）］×１００＝４１．９６％

（サンプル１−３）
以下の条件を変更する以外はサンプル１−１と同様にして、光学シミュレーションにより、透明導電性素子の反射スペクトルを求めた。その結果のグラフを図２３Ｂに示す。

（構造体）
構造体の底面の半径ｒ_s：０．７
構造体の底面の面積Ｓ（structure）：２×πｒ_s ²＝２×π×０．７²
平坦部の面積比率：［（Ｓ（lattice）−Ｓ（structure））／Ｓ（lattice）］×１００＝５５．５６％

図２３Ｂから以下のことがわかる。

透明導電性素子の表面において平坦部の面積比率を５０％以下とすることで、視感反射率（波長５５０ｎｍにおける反射率）を２％以下にすることができる。
視感反射率２％以下にすることで、視認性を向上することができる。

なお、構造体の底面の半径ｒ_s、構造体の底面の面積Ｓ（structure）、および平坦部の面積比率Ｒ_sを以下のように設定した場合には、サンプル１−１に比して反射率をさらに低減することができる。
構造体の底面の半径ｒ_s：１．０
構造体の底面の面積Ｓ（structure）：２×πｒ_s ²＝２×π×１．０²
平坦部の面積比率Ｒ_s：［（Ｓ（lattice）−Ｓ（structure））／Ｓ（lattice）］×１００＝９．３１％

＜２．色調＞
サンプル２−１〜２−３では、透明導電性シートを実際に作製することにより、色調について検討を行った。

（サンプル２−１）
まず、外径１２６ｍｍのガラスロール原盤を準備し、このガラスロール原盤の表面に以下のようにしてレジスト層を着膜した。すなわち、シンナーでフォトレジストを１／１０に希釈し、この希釈レジストをディッピング法によりガラスロール原盤の円柱面上に厚さ７０ｎｍ程度に塗布することにより、レジスト層を着膜した。次に、記録媒体としてのガラスロール原盤を、図７に示したロール原盤露光装置に搬送し、レジスト層を露光することにより、１つの螺旋状に連なるとともに、隣接する３列のトラック間において六方格子パターンをなす潜像がレジスト層にパターニングされた。

具体的には、六方格子状の露光パターンが形成されるべき領域に対して、前記ガラスロール原盤表面まで露光するパワー０．５０ｍＷ／ｍのレーザー光を照射し六方格子状の露光パターンを形成した。なお、トラック列の列方向のレジスト層の厚さは６０ｎｍ程度、トラックの延在方向のレジスト厚さは５０ｎｍ程度であった。

次に、ガラスロール原盤上のレジスト層に現像処理を施して、露光した部分のレジスト層を溶解させて現像を行った。具体的には、図示しない現像機のターンテーブル上に未現像のガラスロール原盤を載置し、ターンテーブルごと回転させつつガラスロール原盤の表面に現像液を滴下してその表面のレジスト層を現像した。これにより、レジスト層が六方格子パターンに開口しているレジストガラス原盤が得られた。

次に、ロールエッチング装置を用い、ＣＨＦ₃ガス雰囲気中でのプラズマエッチングを行った。これにより、ガラスロール原盤の表面において、レジスト層から露出している六方格子パターンの部分のみエッチングが進行し、その他の領域はレジスト層がマスクとなりエッチングはされず、楕円錐形状の凹部がガラスロール原盤に形成された。この際、エッチング量（深さ）は、エッチング時間によって調整した。最後に、Ｏ₂アッシングにより完全にレジスト層を除去することにより、凹形状の六方格子パターンを有するモスアイガラスロールマスタが得られた。列方向における凹部の深さは、トラックの延在方向における凹部の深さより深かった。

次に、上記モスアイガラスロールマスタを用いて、ＵＶインプリントにより複数の構造体を厚さ１２５μｍのＰＥＴシート上に作製した。具体的には、上記モスアイガラスロールマスタと、紫外線硬化樹脂を塗布したＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）シートを密着させ、紫外線を照射し硬化させながら剥離した。これにより、以下の構造体が一主面に複数配列された光学シートが得られた。
構造体の配列：六方格子
構造体の形状：釣鐘型
構造体の平均配置ピッチ（波長λ）Ｐｍ：２５０ｎｍ
構造体の平均高さ（振幅Ａ）Ｈｍ：１２５ｎｍ
構造体のアスペクト比（Ｈｍ／Ｐｍ）：０．５

次に、スパッタリング法により、複数の構造体が形成されたＰＥＴシート表面に、ＩＴＯ層を成膜することにより、透明導電性シートを作製した。

以下にＩＴＯ層の成膜条件を示す。
ガス種：ＡｒガスとＯ₂ガスとの混合ガス
混合ガスの混合比率（体積比率）：Ａｒ：Ｏ₂＝２００：１０
ＩＴＯ層の膜厚：７５ｎｍ
ここで、ＩＴＯ層の膜厚は構造体の頂部における膜厚である。

次に、透明導電性シートを屈折率１．５のガラス基板上に、粘着シートを介してＩＴＯ層側の面がガラス基板の面側になるように接着した。

以上により、目的とする透明導電性シートが作製された。

（サンプル２−２）
以下の構造体をＰＥＴシートの一主面に複数配列する以外のことは、サンプル２−１と同様にして光学シートを作製した。
構造体の配列：六方格子
構造体の形状：釣鐘型
構造体の平均配置ピッチＰｍ：２５０ｎｍ
構造体の構造体の平均高さＨｍ：１５０ｎｍ
アスペクト比（Ｈｍ／Ｐｍ）：０．６

以下にＩＴＯ層の成膜条件を示す。
ガス種：ＡｒガスとＯ₂ガスとの混合ガス
混合ガスの混合比率（体積比率）：Ａｒ：Ｏ₂＝２００：１０
ＩＴＯ層の膜厚：１００ｎｍ
ここで、ＩＴＯ層の膜厚は構造体の頂部における膜厚である。

次に、透明導電性シートを屈折率１．５のガラス基板上に、粘着シートを介してＩＴＯ層側の面がガラス基板の面側になるように接着した。
以上により、目的とする透明導電性シートが作製された。

（サンプル２−３）
まず、ＩＴＯ層の形成を省略する以外は、サンプル２−１と同様にして光学シートを作製した。

次に、光学シートを屈折率１．５のガラス基板上に、粘着シートを介して複数の構造体が形成された側の面がガラス基板の面側になるように接着した。
以上により、目的とする透明導電性シートが作製された。

（透過色相）
上述のようにして作製した透明導電性シートおよび光学シートを測定試料として、分光光度計により可視周辺の波長域（３５０ｎｍ〜８００ｎｍ)での透過スペクトルを測定し、その透過スペクトルから透過色相ａ＊、ｂ＊を算出した。透過スペクトルの測定結果を図２４に示す。透過色相ａ＊、ｂ＊の算出結果を表１に示す。

表１は、サンプル２−１〜２−３の透過色相の算出結果を示す。

表１から以下のことがわかる。
サンプル２−１、２−２の透明導電性シートでは、ａ＊、ｂ＊ともに３より小さい値となり、無色透明で良好な特性を有していることがわかる。

＜３．透明導電層の膜厚比＞
サンプル３−１〜３−３では、ＲＣＷＡによる光学シミュレーションにより、透明導電層の膜厚比（Ｄ３／Ｄ１）と反射率との関係について検討を行った。

（サンプル３−１）
光学シミュレーションにより透明導電性素子の反射スペクトルを求め、この反射スペクトルから反射色相ａ＊、ｂ＊および反射Ｙ値を求めた。その結果のグラフを図２５Ａおよび表２に示す。

同様に、光学シミュレーションにより透明導電性素子の透過スペクトルを求め、この透過スペクトルから透過色相ａ＊、ｂ＊を求めた。その結果のグラフを図２５Ｂおよび表３に示す。

（基体）
屈折率ｎ：１．５２
（構造体）
構造体の配列：六方格子
構造体の形状：釣鐘型
構造体の底面：円形
配置ピッチ（波長λ）Ｐ：２５０ｎｍ
構造体の高さ（振幅Ａ）Ｈ：１５０ｎｍ
アスペクト比（Ｈ／Ｐ）：０．６
単位格子Ｕｃの面積Ｓ（lattice）：２×２√３
平坦部の面積比率Ｒ_s：［（Ｓ（lattice）−Ｓ（structure））／Ｓ（lattice）］×１００＝４２％
（透明導電層）
透明導電層の屈折率ｎ：２．０
透明導電層の厚さｔ：５０ｎｍ
構造体頂部の透明導電層の厚さＤ１：５０ｎｍ
構造体間の透明導電層の厚さＤ３：５０ｎｍ
膜厚比Ｄ３／Ｄ１：１
（光学層）
屈折率ｎ：１．５２
（入射光）
偏光：無偏光
入射角：５度（透明導電性素子の法線に対して）

（サンプル３−２）
以下の光学シミュレーション条件を変更する以外のことは、サンプル３−１と同様にして光学シミュレーションを行い、反射スペクトルを求め、この反射スペクトルから反射色相ａ＊、ｂ＊および反射Ｙ値を求めた。その結果のグラフを図２５Ａおよび表２に示す。

（透明導電層）
透明導電層の厚さｔ：４０〜５０ｎｍ
構造体頂部の透明導電層の厚さＤ１：５０ｎｍ
構造体間の透明導電層の厚さＤ３：４０ｎｍ
膜厚比Ｄ３／Ｄ１：０．８

（サンプル３−３）
以下の光学シミュレーション条件を変更する以外のことは、サンプル３−１と同様にして光学シミュレーションを行い、反射スペクトルを求め、この反射スペクトルから反射色相ａ＊、ｂ＊および反射Ｙ値を求めた。その結果のグラフを図２５Ａおよび表２に示す。

（透明導電層）
透明導電層の厚さｔ：３０ｎｍ〜５０ｎｍ
構造体頂部の透明導電層の厚さＤ１：５０ｎｍ
構造体間の透明導電層の厚さＤ３：３０ｎｍ
膜厚比Ｄ３／Ｄ１：０．６

図２５Ａから以下のことがわかる。
膜厚比Ｄ３／Ｄ１を１未満とすることで反射特性を向上することができる。具体的には膜厚比Ｄ３／Ｄ１が、好ましくは０．８以下、より好ましくは０．６以下である。

＜４．アスペクト比＞
サンプル４−１〜４−４では、ＲＣＷＡによる光学シミュレーションにより、構造体のアスペクト比と反射率との関係について検討を行った。

（サンプル４−１）
光学シミュレーションにより、透明導電性素子の反射スペクトルを求め、この反射スペクトルから反射色相ａ＊、ｂ＊および反射Ｙ値を求めた。その結果を図２６および表４に示す。

（基体）
屈折率ｎ：１．５２
（構造体）
構造体の配列：六方格子
構造体の形状：釣鐘型
構造体の底面：円形
配置ピッチ（波長λ）Ｐ：２５０ｎｍ
構造体の高さ（振幅Ａ）Ｈ：２００ｎｍ
アスペクト比（Ｈ／Ｐ）：０．８
単位格子Ｕｃの面積Ｓ（lattice）：２×２√３
平坦部の面積比率Ｒ_s：［（Ｓ（lattice）−Ｓ（structure））／Ｓ（lattice）］×１００＝４２％
（透明導電層）
透明導電層の屈折率ｎ：２．０
透明導電層の厚さｔ：６０〜７５ｎｍ
構造体頂部の透明導電層の厚さＤ１：７５ｎｍ
構造体間の透明導電層の厚さＤ３：６０ｎｍ
膜厚比Ｄ３／Ｄ１：０．８
（光学層）
屈折率ｎ：１．５２
（入射光）
偏光：無偏光
入射角：５度（透明導電性素子の法線に対して）

（サンプル４−２）
以下の光学シミュレーション条件を変更する以外のことは、サンプル４−１と同様にして光学シミュレーションを行い、反射スペクトルを求め、この反射スペクトルから反射色相ａ＊、ｂ＊および反射Ｙ値を求めた。その結果のグラフを図２６および表４に示す。

（構造体）
配置ピッチ（波長λ）Ｐ：２５０ｎｍ
構造体の高さ（振幅Ａ）Ｈ：１５０ｎｍ
アスペクト比（Ｈ／Ｐ）：０．６

（サンプル４−３）
以下の光学シミュレーション条件を変更する以外のことは、サンプル４−１と同様にして光学シミュレーションを行い、反射スペクトルを求め、この反射スペクトルから反射色相ａ＊、ｂ＊および反射Ｙ値を求めた。その結果のグラフを図２６および表４に示す。

（構造体）
配置ピッチ（波長λ）Ｐ：２５０ｎｍ
構造体の高さ（振幅Ａ）Ｈ：１００ｎｍ
アスペクト比（Ｈ／Ｐ）：０．４

（サンプル４−４）
以下の光学シミュレーション条件を変更する以外のことは、サンプル４−１と同様にして光学シミュレーションを行い、反射スペクトルを求め、この反射スペクトルから反射色相ａ＊、ｂ＊および反射Ｙ値を求めた。その結果のグラフを図２６および表４に示す。

（構造体）
配置ピッチ(波長λ)Ｐ：４００ｎｍ
構造体の高さ（振幅Ａ）Ｈ：６０ｎｍ
アスペクト比（Ｈ／Ｐ）：０．１５

図２６から以下のことがわかる。
構造体のアスペクトを０．２以上１．０以下の範囲内にすると、優れた光学調整機能を得ることができる。

＜５．電気的信頼性＞
サンプル５−１〜５−５では、透明導電性シートを実際に作製することにより、構造体斜面の平均角度と電気的信頼性との関係について検討を行った。

（サンプル５−１）
以下の構造体をＰＥＴシートの一主面に複数配列する以外のことは、サンプル２−１と同様にして光学シートを作製した。
構造体の配列：六方最密
構造体の形状：円錐台形状
構造体の平均配置ピッチＰｍ：２２０ｎｍ
構造体の平均高さＨｍ：２４０ｎｍ
構造体のアスペクト比（Ｈｍ／Ｐｍ）：１．０９１
構造体斜面の平均角度θｍ：６５度

以下にＩＴＯ層の成膜条件を示す。
ガス種：ＡｒガスとＯ₂ガスとの混合ガス
混合ガスの混合比率（体積比率）：Ａｒ：Ｏ₂＝２００：１３
ＩＴＯ層の膜厚：３６ｎｍ〜４０ｎｍ
ここで、ＩＴＯ層の膜厚は構造体の頂部における膜厚である。

（サンプル５−２）
以下の構造体をＰＥＴシートの一主面に複数配列する以外のことは、サンプル５−１と同様にして透明導電性シートを作製した。
構造体の配列：六方最密
構造体の形状：円錐台形状
構造体の平均配置ピッチＰｍ：２５０ｎｍ
構造体の平均高さＨｍ：１８０ｎｍ
構造体のアスペクト比（Ｈｍ／Ｐｍ）：０．７２
構造体斜面の平均角度θｍ：５５度

（サンプル５−３）
以下の構造体をＰＥＴシートの一主面に複数配列する以外のことは、サンプル５−１と同様にして透明導電性シートを作製した。
構造体の配列：六方最密
構造体の形状：円錐台形状
構造体の平均配置ピッチＰｍ：２７０ｎｍ
構造体の平均高さＨｍ：１５０ｎｍ
構造体のアスペクト比（Ｈｍ／Ｐｍ）：０．５５
構造体斜面の平均角度θｍ：７０度

（サンプル５−４）
以下の構造体をＰＥＴシートの一主面に複数配列する以外のことは、サンプル５−１と同様にして透明導電性シートを作製した。
構造体の配列：六方最密
構造体の形状：円錐台形状
構造体の平均配置ピッチＰｍ：２５０ｎｍ
構造体の平均高さＨｍ：１３５ｎｍ
構造体のアスペクト比（Ｈｍ／Ｐｍ）：０．５４
構造体斜面の平均角度θｍ：５０度

（サンプル５−５）
構造体の形成を省略し、ＰＥＴシートの平坦な一主面に厚さ２０ｎｍのＩＴＯ層を成膜する以外は、サンプル５−１と同様にして透明導電性シートを作製した。

（サンプル５−６）
構造体の形成を省略し、ＰＥＴシートの平坦な一主面に、厚さ２０ｎｍのＮｂＯ層、厚さ９０ｎｍのＳｉＯ₂層、厚さ２０ｎｍのＩＴＯ層を順次成膜する以外は、サンプル５−１と同様にして透明導電性シートを作製した。

（ヒートショック試験）
まず、上述のようにして作製した透明導電性シートを、大気中雰囲気下において１５０度、３０分間エージングした。次に、−３０度の低温環境下に３０分間保持した後、７０度の高温環境下に３０分間保持する環境試験を透明導電性シートに５０サイクル行った。次に、透明導電性シートの表面抵抗を４探針法（ＪＩＳＫ７１９４）により測定した。その結果を表５に示す。

（高温試験）
まず、上述のようにして作製した透明導電性シートを、大気中雰囲気下において１５０度、３０分間エージングした。次に、透明導電性シートを８０度の低温環境下に２４０時間保持した後、透明導電性シートの表面抵抗を４探針法（ＪＩＳＫ７１９４）により測定した。その結果を表５に示す。

表５は、サンプル５−１〜５−６のヒートショック試験および高温試験（以下信頼性試験という。）の結果を示す。

表５から以下のことがわかる。
単層ＩＴＯ、多層ＩＴＯの構成を有するサンプル５−５、５−６では、信頼性試験により表面抵抗が１０％以上上昇する。
高アスペクト１．０９の構造体を表面に形成したサンプル５−１では、傾斜角度が６５度と大きいため、信頼性試験により表面抵抗が大きく上昇する。
低アスペクト０．５５の構造体を形成したサンプル５−３でも、構造体の形状が楕円錐台であるため、射面傾斜角度が７０度と大きくなり、信頼性試験により表面抵抗が上昇する。
１．０以下の低アスペクトであり、６０度以下の緩やかな射面傾斜角度であるサンプル５−２、５−４では、信頼製試験による表面抵抗の抵抗が極めて少ない。

ＩＴＯ層が数１０ｎｍの膜厚であると、基材の膨張収縮率による変化に応力を受けて一部断線すると考えられるが、構造体を基材表面に付与することで応力が緩和されて信頼性が飛躍的に向上すると考えられる。

したがって、構造体の形状としては、電気的信頼性の観点から、頂部に凸状の曲面を有する錐体状が好ましい。また、電気的信頼性の観点から、構造体の平均傾斜角度は、６０度以下であることが好ましい。

＜６．反射率差ΔＲ＞
（サンプル６−１）
まず、以下の構造体をＰＥＴシートの一主面に複数配列する以外のことは、サンプル１−１と同様にして透明導電性シートを作製した。
構造体の配列：六方格子
構造体の形状：釣鐘型
構造体の平均配置ピッチＰｍ：２５０ｎｍ
構造体の平均構造体の高さＨｍ：９０ｎｍ
構造体のアスペクト比（Ｈｍ／Ｐｍ）：０．３６
構造体の傾斜部平均角度θｍ：３６ｄｅｇ

以下にＩＴＯ層の成膜条件を示す。
ガス種：ＡｒガスとＯ₂ガスとの混合ガス
混合ガスの混合比率（体積比率）：Ａｒ：Ｏ₂＝２００：１３
ＩＴＯ層の膜厚：３０ｎｍ
ここで、ＩＴＯ層の膜厚は構造体の頂部における膜厚である。

（サンプル６−２）
まず、ＩＴＯ層の形成を省略する以外は、サンプル６−１と同様にして光学シートを作製した。

次に、光学シートを屈折率１．５のガラス基板上に、粘着シートを介して複数の構造体が形成された面がガラス基板の面側になるように接着した。
以上により、目的とする光学シートが作製された。

（サンプル６−３）
構造体の形成を省略し、ＰＥＴシートの平坦な一主面に３０ｎｍの厚さのＩＴＯ層を成膜する以外は、サンプル６−１と同様にして透明導電性シートを作製した。

（サンプル６−４）
ＩＴＯ層の形成を省略する以外は、サンプル６−３と同様にして光学シートを作製した。

（反射スペクトル）
まず、上述のようにして作製した透明導電性シートおよび光学シートのガラス基板を貼り合わせた側とは反対側の面に黒色テープを貼り合わせることにより、測定試料を作製した。次に、この測定試料の可視周辺の波長域（３５０ｎｍ〜７００ｎｍ)での反射スペクトルを、分光光度計（日本分光株式会社製、商品名：Ｖ−５５０）により測定した。次に、以下の式により反射率の差ΔＲを算出した。反射率の差ΔＲの算出結果を図２７に示す。視感反射率の差ΔＲの算出結果を表６に示す。ここで、視感反射率とは、波長５５０ｎｍにおける反射率である。
ΔＲ＝（（サンプル６−２の反射率）−（サンプル６−１の反射率））
ΔＲ＝（（サンプル６−４の反射率）−（サンプル６−３の反射率））

（反射色相）
上述のようにして測定した反射スペクトルから反射色相ａ＊、ｂ＊を算出した。その結果を表６に示す。

表６は、サンプル６−１〜６−４の視感反射率の差ΔＲおよび反射色相の算出結果を示す。

図２７および表６から以下のことがわかる。
傾斜角度が制御された構造体上に透明導電層を形成することで、視感反射率の差ΔＲを抑制することができる。また、ａ＊、ｂ＊の値の絶対値を小さくできる。

＜７．構造体の形状＞
サンプル７−１〜７−３では、ＲＣＷＡ（Rigorous Coupled Wave Analysis）による光学シミュレーションにより、構造体の形状と反射率との関係について検討を行った。

（サンプル７−１）
光学シミュレーションにより、透明導電性素子の反射スペクトルを求め、この反射スペクトルから反射色相ａ＊、ｂ＊を算出した。その結果を図２８Ａおよび表７に示す。

以下に、光学シミュレーションの条件を示す。
（透明導電性素子の構成）
透明導電性素子は以下の積層構造体とした。
（入射側）基体／透明導電層／光学層（出射側）

（基体）
屈折率ｎ：１．５２
（透明導電層）
透明導電層の屈折率ｎ：２．０
透明導電層の厚さｔ：７０ｎｍ
（出射面側の樹脂層）
屈折率ｎ：１．５２
（入射光）
偏光：無偏光
入射角：５度（透明導電性素子の法線に対して）

（サンプル７−２）
図２９Ａは、サンプル７−２の透明導電層の厚さＤ１、Ｄ２、Ｄ３を示す断面図である。図２９Ａ中、ｎ₁、ｎ₂およびｎ₃はそれぞれ、構造体頂部、構造体斜面および構造体間の垂線方向を示す。膜厚Ｄ１、膜厚Ｄ２、および膜厚Ｄ３はそれぞれ、構造体頂部における垂線ｎ₁方向の透明導電層の厚さ、構造体斜面における垂線ｎ₂方向の透明導電層の厚さ、および構造体間における垂線ｎ₃方向の透明導電層の厚さを示す。

光学シミュレーションにより、透明導電性素子の反射スペクトルを求め、この反射スペクトルから反射色相ａ＊、ｂ＊を算出した。その結果を図２８Ｂおよび表７に示す。

（基体）
屈折率ｎ：１．５２
（構造体）
構造体の配列：正方格子
構造体の形状：四角錐（底面の辺の長さ：１００ｎｍ、上面の辺の長さ：４０ｎｍ）
構造体の底面：四角形
構造体の屈折率ｎ：１．５２
配置ピッチＰ：１２０ｎｍ
構造体の高さＨ：１００ｎｍ
アスペクト比（Ｈ／Ｐ）：０．８３

（透明導電層）
図２９Ａに示すように、構造体頂部における垂線方向ｎ₁の透明導電層の厚さＤ１、構造体斜面における垂線方向ｎ₂の透明導電層の厚さＤ２が７０ｎｍとなるように透明導電層を設定した。

透明導電層の屈折率ｎ：２．０
構造体頂部の透明導電層の厚さＤ１：７０ｎｍ
構造体斜面の透明導電層の厚さＤ２：７０ｎｍ
膜厚比Ｄ３／Ｄ１：１以上
（出射面側の樹脂層）
屈折率ｎ：１．５２
（入射光）
偏光：無偏光
入射角：５度（透明導電性素子の法線に対して）

（サンプル７−３）
図２９Ｂは、サンプル７−３の透明導電層の厚さＤ１、Ｄ２、Ｄ３を示す断面図である。図２９Ｂ中、ｎ₀は、透明導電性素子表面（または基体表面）の垂線方向を示す。膜厚Ｄ１、膜厚Ｄ２、および膜厚Ｄ３はそれぞれ、構造体頂部における垂線方向ｎ₀の透明導電層の厚さ、構造体斜面における垂線方向ｎ₀の透明導電層の厚さ、および構造体間における垂線ｎ₀方向の透明導電層の厚さを示す。

以下の光学シミュレーション条件を変更する以外のことは、試験例１と同様にして光学シミュレーションを行い、反射スペクトルを求め、この反射スペクトルから反射色相ａ＊、ｂ＊を算出した。その結果を図２８Ｃおよび表７に示す。

（透明導電層）
図２９Ｂに示すように、構造体頂部における垂線方向ｎ₀の透明導電層の厚さＤ１、構造体斜面における垂線方向ｎ₀の透明導電層の厚さＤ２、構造体間における垂線方向ｎ₀の透明導電層の厚さＤ３がすべて７０ｎｍとなるように透明導電層を設定した。

透明導電層の屈折率ｎ：２．０
構造体頂部の透明導電層の厚さＤ１：７０ｎｍ
構造体間の透明導電層の厚さＤ３：７０ｎｍ
膜厚比Ｄ３／Ｄ１：１

表７は、サンプル７−１〜７−３の視感反射率および透過色相の算出結果を示す。

図２８Ａ〜図２８Ｃおよび表７から以下のことがわかる。
平坦面上に透明導電層を形成した構成を有するサンプル７−１では、ａ＊、ｂ＊の絶対値は小さいが、視感反射率が高くなってしまう。
構造体上に透明導電層を一定の厚さで形成したサンプル７−２では、視感反射率をある程度低減することはできるが、ａ＊、ｂ＊の絶対値が大きくなってしまう。
構造体上に、この構造体が形成された表面の垂線方向に一定の厚さで透明導電層を形成したサンプル７−３では、視感反射率を低減することはできるが、ａ＊、ｂ＊の絶対値が大きくなってしまう。

＜８．電極パターン歪み＞
サンプル８−１、８−２では、透明導電性シートを実際に作製することにより、構造体の有無と電極パターン歪みとの関係について検討した。

（サンプル８−１）
以下の構造体をＰＥＴシートの一主面に複数配列する以外のことは、サンプル１−１と同様にして光学シートを作製した。
構造体の配列：六方最密
構造体の形状：円錐台形状
配置ピッチＰ：２５０ｎｍ
構造体の高さＨ：１５０ｎｍ
アスペクト比：０．６
傾斜部平均角度：５０ｄｅｇ

次に、スパッタリング法により、複数の構造体が形成されたＰＥＴシート表面に、ＩＴＯ層を成膜した。

以下にＩＴＯ層の成膜条件を示す。
ガス種：ＡｒガスとＯ₂ガスとの混合ガス
混合ガスの混合比率（体積比率）：Ａｒ：Ｏ₂＝２００：１０
ＩＴＯ層の膜厚：３０ｎｍ
ここで、ＩＴＯ層の膜厚は構造体の頂部における膜厚である。

次に、ＩＴＯ層をパターニングしてダイヤモンド形状が繋がった複数の電極を形成することにより、透明導電性シートを作製した。次に、上述のようにして作製した２枚の透明導電性シートを、複数の電極が形成された面が上側となるようするとともに、互いのダイヤモンド形状の電極が重ならないようにして、紫外線硬化樹脂により貼り合わせた。次に、上側に位置する透明導電性シートを、屈折率１．５のガラス基板に粘着シートを介してＩＴＯ層側の面がガラス基板の面側になるように接着した。
以上により、目的とする入力素子が得られた。

（サンプル８−２）
構造体の形成を省略し、ＰＥＴシートの平坦な一主面にＩＴＯ層を成膜する以外は、サンプル８−１と同様にして入力素子を作製した。

（パターン歪み評価）
上述のようにして作製した入力素子表面に蛍光灯を写し込み、入力素子表面に電極パターンに応じた歪みが生じているか否かを観察した。その結果、サンプル８−１では歪みが観察されなかったのに対して、サンプル８−２では歪みが観察された。

＜９.エッチング耐性＞
（サンプル９−１）
（転写工程）
以下の構造体をＰＥＴシートの一主面に複数配列する以外のことは、サンプル２−１と同様にして光学シートを作製した。
構造体の配列：六方最密
構造体の形状：釣鐘型
配置ピッチＰ：２５０ｎｍ
構造体の高さＨ：１８０ｎｍ
アスペクト比：０．５５
斜面の平均角度：５５度

（成膜工程）
次に、スパッタリング法により、複数の構造体が形成されたＰＥＴシート表面に、ＩＴＯ層を成膜した。

（アニール工程）
次に、ＩＴＯ層を形成したＰＥＴシートに対して、大気中にて１５０℃、１２０分間のアニールを施した。これにより、ＩＴＯ層の多結晶化が促進された。次に、この促進の状態を確認すべく、Ｘ線回折（X‐ray diffraction：ＸＲＤ）でＩＴＯ層を測定したところ、Ｉｎ₂Ｏ₃のピークが確認された。
以上により、目的とする透明導電性シートが作製された。

（サンプル９−２）
（転写工程、成膜工程、アニール工程）
まず、サンプル９−１と同様にして転写工程、成膜工程およびアニール工程を順次行い、アニール処理が施されたＩＴＯ層を有するＰＥＴフィルムを作製した。

（エッチング工程）
次に、アニール処理を施したＰＥＴフィルムを、ＨＣｌ１０％希釈溶液に２０秒間浸漬させて、ＩＴＯ層をエッチングした。

（洗浄工程）
次に、エッチング処理を施したＰＥＴシートに対して純水洗浄を行った。
以上により、目的とする透明導電性シートが作製された。

（サンプル９−３）
浸漬時間を４０秒間に変更する以外はサンプル９−２と同様にして透明導電性シートを作製した。

（サンプル９−４）
浸漬時間を６０秒間に変更する以外はサンプル９−２と同様にして透明導電性シートを作製した。

（サンプル９−５）
浸漬時間を１００秒間に変更する以外はサンプル９−２と同様にして透明導電性シートを作製した。

（サンプル１０−１）
以下の構造体をＰＥＴシートの一主面に複数配列する以外のことは、サンプル９−１と同様にして透明導電性シートを作製した。
構造体の配列：六方最密
構造体の形状：釣鐘型
配置ピッチＰ：２００ｎｍ
構造体の高さＨ：１８０ｎｍ
アスペクト比：０．６２
斜面の平均角度：６１度

（サンプル１０−２）
（転写工程、成膜工程、アニール工程）
まず、サンプル１０−１と同様にして転写工程、成膜工程およびアニール工程を順次行い、アニール処理が施されたＩＴＯ層を有するＰＥＴフィルムを作製した。

（サンプル１０−３）
浸漬時間を４０秒間に変更する以外はサンプル１０−２と同様にして透明導電性シートを作製した。

（サンプル１０−４）
浸漬時間を６０秒間に変更する以外はサンプル１０−２と同様にして透明導電性シートを作製した。

（サンプル１０−５）
浸漬時間を１００秒間に変更する以外はサンプル１０−２と同様にして透明導電性シートを作製した。

（表面抵抗）
上述のようにして得られたサンプル９−１〜１０−５の透明導電性シート表面の表面抵抗値を４端針法にて測定した。その結果を表８および図３０に示す。

（初期変化率の逆数）
上述のようにして得られたサンプル９−１〜１０−５の透明導電性シート表面の初期変化率の逆数（仮想厚さの変化）を以下の式より求めた。その結果を表９に示す。
（初期表面抵抗に対する変化率の逆数）＝（エッチング前のサンプルの表面抵抗）／（エッチング後のサンプルの表面抵抗）

表８は、サンプル９−１〜１０−５に係る透明導電性シートの表面抵抗の評価結果を示す。

表９は、サンプル９−１〜１０−５に係る透明導電性シートの初期変化率の逆数の評価結果を示す。

表８、表９および図３０から以下のことがわかる。

斜面の平均角度が６０度を超えると、ＩＴＯ層のエッチング耐性が低下し、エッチング時間の経過に伴って表面抵抗が上昇する傾向がある。

以上、本発明の実施形態について具体的に説明したが、本発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。

例えば、上述の実施形態において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値などはあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値などを用いてもよい。

また、上述の実施形態の構成、方法、工程、形状、材料および数値などは、本発明の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。

１透明導電性素子
１₁ 第１の透明導電性素子
１₂ 第２の透明導電性素子
２、２₁、２₂ 光学層
３、３₁、３₂ 基体
４、１２構造体
５、５₁、５₂ 基底層
６、６₁、６₂ 透明導電層
７光学層
８貼合層
１１ロール原盤
１０１情報入力装置
Ｓｗ波面

Claims

可視光の波長以下の平均波長を有する波面が設けられた光学層と、
上記波面上に該波面に倣うように形成された透明導電層と
を備え、
上記波面の平均波長をλｍとし、上記波面の振動の平均幅をＡｍとしたき、比率（Ａｍ／λｍ）が、０．２以上１．０以下であり、
上記波面のうち斜面の平均角度が、３０°以上６０°以下の範囲内であり、
上記波面が最も高くなる位置における透明導電層の膜厚をＤ１とし、上記波面が最も低くなる位置における膜厚をＤ３としたとき、比率Ｄ３／Ｄ１が０．８以下の範囲内である透明導電性素子。
上記波面のうち平坦部の面積が、５０％以下である請求項１記載の透明導電性素子。
上記波面が最も高くなる位置における透明導電層の膜厚が、１００ｎｍ以下である請求項１記載の透明導電性素子。
上記波面の平均波長λｍが、１４０ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、
上記波面の振動の平均幅Ａｍが、２８ｎｍ以上３００ｎｍ以下である請求項１記載の透明導電性素子。
上記透明導電層が、所定パターンを有する電極である請求項１記載の透明導電性素子。
上記光学層の波面のうち上記電極が形成された部分と、上記電極が形成されてない部分との反射率差ΔＲが５％以下である請求項５記載の透明導電性素子。
上記光学層が、
表面を有する基体と、
上記基体の表面に可視光の波長以下の微細ピッチで配置された複数の構造体と
を備え、
上記複数の構造体の配列により、上記波面が形成されている請求項１記載の透明導電性素子。
上記構造体が、頂部に凸状の曲面を有する錐体である請求項７記載の透明導電性素子。
請求項１〜８のいずれか１項に記載された透明導電性素子を備える入力装置。
請求項１〜８のいずれか１項に記載された透明導電性素子を備える表示装置。
請求項１〜８のいずれか１項に記載された透明導電性素子を作製するための原盤。