JPWO2015159805A1 - 積層体、導電性積層体、および電子機器 - Google Patents
積層体、導電性積層体、および電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2015159805A1 JPWO2015159805A1 JP2016513750A JP2016513750A JPWO2015159805A1 JP WO2015159805 A1 JPWO2015159805 A1 JP WO2015159805A1 JP 2016513750 A JP2016513750 A JP 2016513750A JP 2016513750 A JP2016513750 A JP 2016513750A JP WO2015159805 A1 JPWO2015159805 A1 JP WO2015159805A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tin oxide
- indium tin
- oxide layer
- less
- heat treatment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B9/00—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B5/00—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
- H01B5/14—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive layers or films on insulating-supports
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Human Computer Interaction (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Abstract
熱処理によるインジウムスズ酸化物膜の結晶化が良好で、かつ結晶化後のインジウムスズ酸化物膜のシート抵抗が小さくなる積層体を提供する。積層体は、透明基材およびインジウムスズ酸化物層を有する。インジウムスズ酸化物層は、透明基材上に積層され、非晶質のインジウムスズ酸化物から主としてなる。インジウムスズ酸化物層は、0.60at%以下の水素濃度を有する。また、インジウムスズ酸化物層は、熱処理温度150℃および熱処理時間30分の熱処理後のシート抵抗が200Ω/□以下となる。
Description
本発明は、積層体、導電性積層体、および電子機器に関する。
透明導電膜は、導電性と光学的な透明性とを有することから、透明電極、電磁波遮蔽膜、面状発熱膜、反射防止膜等として使用され、近年ではタッチパネル用電極として注目されている。タッチパネルには、抵抗膜式、静電容量結合式、光学式等、多様な方式が存在する。透明導電膜は、例えば、上下の電極が接触することでタッチ位置を特定する抵抗膜式、静電容量の変化を感知する静電容量結合方式に用いられる。抵抗膜式に用いられる透明導電膜は、動作原理上、透明導電膜同士が機械的に接触することから、高い耐久性が求められる。また、静電容量結合方式や一部の抵抗膜式に用いられる透明導電膜は、特定のパターンとなるようにエッチングにより多数の透明電極が形成されることから、エッチング性が良好であることが求められる。また、透明導電膜は、表示部の前面に配置されることから、高い光透過性が求められる。
透明導電膜として、インジウムスズ酸化物膜が代表的なものとして知られている。インジウムスズ酸化物膜の場合、非晶質のときにエッチング性が良好となり、結晶質のときに耐久性が良好となる。このため、エッチング性、耐久性等を良好にする方法として、非晶質のインジウムスズ酸化物膜を成膜した後、エッチングを行い、さらに熱処理して結晶質のインジウムスズ酸化物膜とする方法が知られている。このような方法の場合、インジウムスズ酸化物膜には、熱処理によりインジウムスズ酸化物膜全体が非晶質から結晶質へと変化すること(以下、これを良好な結晶化ともいう)が求められる。
また、インジウムスズ酸化物膜には、比抵抗が小さいことも求められる。比抵抗が小さい場合、厚さを薄くでき、これにより透過率を高くできる。インジウムスズ酸化物膜の場合、スズの酸化物換算での割合が高くなるほどキャリア密度が増加して比抵抗が小さくなる。一方、スズの酸化物換算での割合が高くなるほど、熱処理により結晶化しにくくなる。このため、比抵抗が小さく、かつ熱処理による結晶化が良好なものが求められている。
従来、非晶質のインジウムスズ酸化物膜を熱処理して、結晶質のインジウムスズ酸化物膜とする方法が知られている(例えば、特許文献1、2参照)。また、インジウムスズ酸化物膜の耐湿信頼性を向上させるために、インジウムスズ酸化物膜が形成される基材の温度と成膜雰囲気中の水分圧とを所定の範囲内に調整して、スパッタリング法により成膜を行うことが知られている(例えば、特許文献3参照)。
本発明は、熱処理によるインジウムスズ酸化物膜の結晶化が良好で、かつ結晶化後のインジウムスズ酸化物膜のシート抵抗が十分に小さくなる積層体の提供を目的とする。また、本発明は、インジウムスズ酸化物膜が良好に結晶化され、かつインジウムスズ酸化物膜のシート抵抗が十分に小さい導電性積層体の提供を目的とする。さらに、本発明は、このような導電性積層体を有する電子機器の提供を目的とする。
本発明の積層体は、透明基材およびインジウムスズ酸化物層を有する。インジウムスズ酸化物層は、透明基材上に積層され、非晶質のインジウムスズ酸化物から主としてなる。また、インジウムスズ酸化物層は、0.60at%以下の水素濃度を有する。さらに、インジウムスズ酸化物層は、熱処理温度150℃および熱処理時間30分の熱処理後のシート抵抗が200Ω/□以下となる。
本発明の導電性積層体は、透明基材およびインジウムスズ酸化物層を有する。インジウムスズ酸化物層は、透明基材上に積層され、結晶質のインジウムスズ酸化物から主としてなる。また、インジウムスズ酸化物層は、0.60at%以下の水素濃度を有する。さらに、インジウムスズ酸化物層は、200Ω/□以下のシート抵抗を有する。
本発明の電子機器は、本発明の導電性積層体を有する。
本発明の積層体は、水素濃度が0.60at%以下のインジウムスズ酸化物層を有する。これにより、インジウムスズ酸化物層の熱処理による結晶化が良好となり、かつインジウムスズ酸化物層の熱処理後のシート抵抗も十分に小さくなる。
以下、本発明について詳細に説明する。
図1は、積層体の一実施形態を示す断面図である。
積層体10は、例えば、透明基材11、下地層12、および非晶質のインジウムスズ酸化物層13をこの順に有する。ここで、インジウムスズ酸化物層13は、熱処理により結晶質のインジウムスズ酸化物層となる。
積層体10は、例えば、透明基材11、下地層12、および非晶質のインジウムスズ酸化物層13をこの順に有する。ここで、インジウムスズ酸化物層13は、熱処理により結晶質のインジウムスズ酸化物層となる。
なお、インジウムスズ酸化物層が非晶質、結晶質のいずれであるかについては、以下のようにして判定する。まず、HCl溶液(濃度1.5mol/L)に評価対象物を5分間浸漬する。浸漬前後のシート抵抗値から、抵抗変化率(浸漬後のシート抵抗/浸漬前のシート抵抗)を求める。抵抗変化率が200%以下のものを結晶質とし、抵抗変化率が200%を超えるものを非晶質とする。良好な結晶化をしたインジウムスズ酸化物層は抵抗変化率が小さい。
インジウムスズ酸化物層13の熱処理による結晶化のし易さと、比抵抗の大きさ(ただしインジウムスズ酸化物層13の膜厚は所定値に固定と仮定)とは、インジウムスズ酸化物層13におけるスズの酸化物換算での含有量に依存して一般的にトレードオフの関係にある。しかし、積層体10が、インジウムスズ酸化物層13の水素濃度が0.60at%以下であることにより、インジウムスズ酸化物層13におけるスズの酸化物換算での含有量が多い場合であっても、熱処理による結晶化が良好となり、耐久性も良好となる。しかも、シート抵抗を小さくできる。具体的には、熱処理後のインジウムスズ酸化物層13のシート抵抗が200Ω/□以下となる。熱処理の方法としては、積層体が所望の温度まで加熱されればよく、例えば赤外線ヒーターや熱風循環式オーブン等を利用できる。熱処理条件としては、例えば、熱処理温度が150℃であり、熱処理時間は30分である。
(透明基材)
透明基材11は、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ナイロン6、ナイロン66等のポリアミド、ポリイミド、ポリアリレート、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリエーテルサルフォン、ポリサルフォン、これらの共重合体の無延伸または延伸されたプラスチックフィルムが好ましい。なお、透明基材11には、透明性の高い他のプラスチックフィルム、ガラス基材を用いることもできる。また、透明基材は、単層構造でもよいし、2以上の組成が異なる層を有する積層構造でもよい。透明基材11としては、特に、ポリエチレンテレフタレートフィルムが好ましい。
透明基材11は、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ナイロン6、ナイロン66等のポリアミド、ポリイミド、ポリアリレート、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリエーテルサルフォン、ポリサルフォン、これらの共重合体の無延伸または延伸されたプラスチックフィルムが好ましい。なお、透明基材11には、透明性の高い他のプラスチックフィルム、ガラス基材を用いることもできる。また、透明基材は、単層構造でもよいし、2以上の組成が異なる層を有する積層構造でもよい。透明基材11としては、特に、ポリエチレンテレフタレートフィルムが好ましい。
透明基材11の一方または両方の面には、ハードコート層、プライマー層、アンダーコート層等が設けられてもよい。ここで、ハードコート層は、透明基材11に傷がつきにくくするものである。プライマー層は、有機材料と無機材料との付着力を向上させるものである。アンダーコート層は、インジウムスズ酸化物層13に形成されたエッチングパターンの視認性を低下させる屈折率調整層等である。また、透明基材11には、易接着処理、プラズマ処理、コロナ処理等の表面処理が施されていてもよい。透明基材11の厚さは、可撓性、耐久性等の観点から、10μm以上200μm以下が好ましく、25μm以上180μm以下がより好ましい。
(下地層)
下地層12は、必須構成ではないが、熱処理によるインジウムスズ酸化物層13の結晶化を促進するために設けられることが好ましい。下地層12の構成材料としては、金属、その酸化物、硫化物、フッ化物等の無機化合物が挙げられる。これらの中でも、酸化ケイ素、酸化アルミニウムが好ましく、酸化ケイ素がさらに好ましく、特にSiOx(xは1.5〜2)が好ましい。酸化ケイ素は、基材からのオリゴマーや水分などの溶出物を遮蔽する観点から好ましい。下地層12は、単層構造でもよいし、2以上の組成が異なる層を有する積層構造でもよい。
下地層12は、必須構成ではないが、熱処理によるインジウムスズ酸化物層13の結晶化を促進するために設けられることが好ましい。下地層12の構成材料としては、金属、その酸化物、硫化物、フッ化物等の無機化合物が挙げられる。これらの中でも、酸化ケイ素、酸化アルミニウムが好ましく、酸化ケイ素がさらに好ましく、特にSiOx(xは1.5〜2)が好ましい。酸化ケイ素は、基材からのオリゴマーや水分などの溶出物を遮蔽する観点から好ましい。下地層12は、単層構造でもよいし、2以上の組成が異なる層を有する積層構造でもよい。
下地層12の厚さは、1nm以上が好ましく、3nm以上がより好ましく、5nm以上がさらに好ましい。下地層12の厚さが1nm以上の場合、結晶化を促進する効果が顕著となる。下地層12の厚さは、10nm程度もあれば結晶化には十分であり、これ以下とすることで下地層12の生産性や透明性が良好になる。
(インジウムスズ酸化物層)
インジウムスズ酸化物層13は、非晶質であり、熱処理により結晶質となる。非晶質であることから、エッチング性が良好となる。また、熱処理により結晶質となることで、耐久性も良好となる。インジウムスズ酸化物層13には、エッチングによりパターン形成を行って、インジウムスズ酸化物層13が存在する部分13aと、インジウムスズ酸化物層13が存在しない部分13bとを設けてもよい。なお、インジウムスズ酸化物層13は、単層構造でもよいし、2以上の組成が異なる層を有する積層構造でもよい。インジウムスズ酸化物層13は、熱処理による結晶化が良好となることから、下地層12に接触することが好ましい。
インジウムスズ酸化物層13は、非晶質であり、熱処理により結晶質となる。非晶質であることから、エッチング性が良好となる。また、熱処理により結晶質となることで、耐久性も良好となる。インジウムスズ酸化物層13には、エッチングによりパターン形成を行って、インジウムスズ酸化物層13が存在する部分13aと、インジウムスズ酸化物層13が存在しない部分13bとを設けてもよい。なお、インジウムスズ酸化物層13は、単層構造でもよいし、2以上の組成が異なる層を有する積層構造でもよい。インジウムスズ酸化物層13は、熱処理による結晶化が良好となることから、下地層12に接触することが好ましい。
インジウムスズ酸化物層13は、インジウムおよびスズの酸化物であるインジウムスズ酸化物から主としてなる。インジウムスズ酸化物を構成する酸化物としては、酸化インジウム、酸化スズ、酸化インジウムと酸化スズの複合酸化物などが挙げられる。
インジウムスズ酸化物層13の水素濃度は、0.60at%(原子%)以下である。ここで、水素濃度は、インジウムスズ酸化物層13に含まれる水素元素の割合である。水素濃度が0.60at%以下の場合、スズの酸化物換算での含有量が多くても、熱処理による結晶化が良好となる。このため、スズの酸化物換算での含有量を多くして、シート抵抗を小さくし、かつ耐久性も良好にできる。水素濃度は、熱処理による結晶化がさらに良好となることから、0.55at%以下が好ましく、0.50at%以下がより好ましい。水素濃度は、低いほど好ましく、0at%でもよい。
水素濃度は、二次イオン質量分析法(SIMS)や、高分解能反跳散乱分析法(ERDA)等により、定量的に測定できる。なお、インジウムスズ酸化物層13中の水素は、透明基材から出た水分、炭化水素化合物や、成膜室中の水素が成膜中に取り込まれたものであると考えられる。
また、インジウムスズ酸化物層13は、熱処理後のシート抵抗が200Ω/□以下となる。シート抵抗が200Ω/□以下の場合、電子機器に好適に用いられる。シート抵抗は、170Ω/□以下が好ましく、140Ω/□以下がより好ましく、100Ω/□以下がさらに好ましい。シート抵抗を小さくするにはインジウムスズ酸化物層13の厚さを厚くすることが有効であるが、インジウムスズ酸化物層13の厚さが過度に厚くなることを抑制する観点から、シート抵抗は10Ω/□以上が好ましく、20Ω/□以上がより好ましく、30Ω/□以上がさらに好ましく、40Ω/□以上が特に好ましい。熱処理条件としては、インジウムスズ酸化物層13が良好に結晶化する程度に加熱されればよく、例えば、熱処理温度が150℃であり、熱処理時間が30分である。
インジウムスズ酸化物は、スズを酸化物換算で5質量%以上15質量%以下含有することが好ましい。スズを酸化物換算で5質量%以上含有する場合、結晶化後のキャリア密度が増加して比抵抗が低くなる。一方、スズを酸化物換算で15質量%以下含有する場合、結晶化が容易となる。インジウムスズ酸化物は、結晶化のしやすさと比抵抗の観点とからスズを酸化物換算で、6質量%以上含有することがより好ましく、7質量%以上含有することがさらに好ましい。また、インジウムスズ酸化物は、スズを酸化物換算で、13質量%以下含有することがより好ましく、10質量%以下含有することがさらに好ましい。なお、結晶化のしやすさについて、本願では、熱処理条件として低温かつ短時間で結晶化可能であるほど結晶化し易いという。
なお、インジウムスズ酸化物層13が積層構造の場合は、上記のスズの酸化物換算濃度は、インジウムスズ酸化物層を構成する全ての層のスズの酸化物換算濃度の加重平均をとったもので読み替える。
インジウムスズ酸化物層13は、インジウムスズ酸化物のみからなることが好ましいが、必要に応じて、かつ本発明の趣旨に反しない限度において、インジウムスズ酸化物以外の成分を含有できる。インジウムスズ酸化物以外の成分としては、例えば、アルミニウム、ジルコニウム、ガリウム、ケイ素、タングステン、亜鉛、チタン、マグネシウム、セリウム、ゲルマニウム等の酸化物が挙げられる。インジウムスズ酸化物層13におけるインジウムスズ酸化物以外の成分の含有量は、インジウムスズ酸化物層13の全体中、10質量%以下であり、5質量%以下が好ましく、3質量%以下がより好ましく、1質量%以下が特に好ましい。
インジウムスズ酸化物層13の厚さは、15nm以上が好ましい。厚さが15nm以上の場合、熱処理による結晶化が容易となるとともに、結晶化後のシート抵抗も低くなる。インジウムスズ酸化物層13の厚さは、18nm以上がより好ましい。一方、インジウムスズ酸化物層13の厚さは、40nm以下が好ましい。厚さが40nm以下の場合、成膜時間が少なくなり、かつ透過率も高くなる。インジウムスズ酸化物層13の厚さは、30nm以下がより好ましく、27nm以下がさらに好ましい。
インジウムスズ酸化物層13は、熱処理により結晶化される。熱処理は、通常、大気中で行うことができる。インジウムスズ酸化物層13の結晶化が良好となることから、熱処理温度は100℃以上が好ましく、熱処理時間は30分以上が好ましい。一方、透明基材11の損傷が抑制され、かつ生産性も良好となることから、熱処理温度は170℃以下が好ましく、熱処理時間は180分以下が好ましい。
次に、導電性積層体20について説明する。
図2は、導電性積層体20の一例を示す断面図である。導電性積層体20は、積層体10を熱処理して得られる。導電性積層体20は、例えば、透明基材11、下地層12、および結晶質のインジウムスズ酸化物層21を順に有する。透明基材11および下地層12は、積層体10における透明基材11および下地層12と同様である。
図2は、導電性積層体20の一例を示す断面図である。導電性積層体20は、積層体10を熱処理して得られる。導電性積層体20は、例えば、透明基材11、下地層12、および結晶質のインジウムスズ酸化物層21を順に有する。透明基材11および下地層12は、積層体10における透明基材11および下地層12と同様である。
インジウムスズ酸化物層21は、結晶質であることから、耐久性が良好となる。インジウムスズ酸化物層21には、エッチングによるパターン形成により、インジウムスズ酸化物層21が存在する部分21aと、インジウムスズ酸化物層21が存在しない部分21bとが設けられていてもよい。エッチングパターンとしては、多数の透明電極等が挙げられる。インジウムスズ酸化物層21は、結晶化の観点から、下地層12に接触することが好ましい。
インジウムスズ酸化物層21は、インジウムおよびスズの酸化物であるインジウムスズ酸化物から主としてなる。インジウムスズ酸化物を構成する酸化物としては、酸化インジウム、酸化スズ、酸化インジウムと酸化スズの複合酸化物などが挙げられる。なお、インジウムスズ酸化物層21は、単層構造でもよいし、2以上の組成が異なる層を有する積層構造でもよい。
インジウムスズ酸化物層21の水素濃度は、0.60at%以下である。水素濃度が0.60at%以下の場合、スズの酸化物換算での含有量が多くても、熱処理による結晶化が良好となる。このため、スズの酸化物換算での含有量を多くして、シート抵抗を小さくしつつ、耐久性も良好にできる。水素濃度は、熱処理による結晶化がさらに良好になることから、0.55at%以下が好ましく、0.50以下がより好ましい。水素濃度は、低いほど好ましく、0at%でもよい。
水素濃度は、二次イオン質量分析法(SIMS)や、高分解能反跳散乱分析法(ERDA)等により、定量的に測定できる。なお、インジウムスズ酸化物層13中の水素は、透明基材からでた水分、炭化水素化合物や、成膜室中の水素が成膜中に取り込まれたものであると考えられる。
インジウムスズ酸化物層21のシート抵抗は、200Ω/□以下である。シート抵抗が200Ω/□以下の場合、電子機器に好適なものとなる。シート抵抗は、170Ω/□以下が好ましく、140Ω/□以下がより好ましく、100Ω/□以下がさらに好ましい。シート抵抗を小さくするにはインジウムスズ酸化物層13の厚さを大きくすることが有効であるが、インジウムスズ酸化物層13の厚さが過度に大きくなることを抑制する観点から、シート抵抗は10Ω/□以上が好ましく、20Ω/□以上がより好ましく、30Ω/□以上がさらに好ましく、40Ω/□以上が特に好ましい。
インジウムスズ酸化物は、スズを酸化物換算で5質量%以上15質量%以下含有することが好ましい。スズを酸化物換算で5質量%以上含有する場合、キャリア密度が増加して比抵抗が低くなる。一方、スズを酸化物換算で15質量%以下含有する場合、結晶性が良好となる。インジウムスズ酸化物は、結晶化のしやすさと比抵抗の観点とからスズを酸化物換算で、6質量%以上含有することがより好ましく、7質量%以上含有することがさらに好ましい。また、インジウムスズ酸化物は、スズを酸化物換算で、13質量%以下含有することがより好ましく、10質量%以下含有することがさらに好ましい。
インジウムスズ酸化物層21は、インジウムスズ酸化物のみからなることが好ましいが、必要に応じて、かつ本発明の趣旨に反しない限度において、インジウムスズ酸化物以外の成分を含有できる。インジウムスズ酸化物以外の成分としては、例えば、アルミニウム、ジルコニウム、ガリウム、ケイ素、タングステン、亜鉛、チタン、マグネシウム、セリウム、ゲルマニウム等の酸化物が挙げられる。インジウムスズ酸化物層21におけるインジウムスズ酸化物以外の成分の含有量は、インジウムスズ酸化物層21の全体中、10質量%以下であり、5質量%以下が好ましく、3質量%以下がより好ましく、1質量%以下が特に好ましい。
インジウムスズ酸化物層21の厚さは、15nm以上が好ましい。厚さが15nm以上の場合、熱処理による結晶化が容易となるとともに、シート抵抗も低くなる。インジウムスズ酸化物層21の厚さは、18nm以上がより好ましい。一方、インジウムスズ酸化物層21の厚さは、40nm以下が好ましい。厚さが40nm以下の場合、成膜時間が少なくなり、透過率が高くなる。かつ反射率差が低くなる。インジウムスズ酸化物層21の厚さは、30nm以下がより好ましく、27nm以下がさらに好ましい。
導電性積層体20は、以下の反射率差ΔRが1%以下であることが好ましい。反射率差ΔRが1%以下である場合、インジウムスズ酸化物層21に形成されたエッチングパターンの視認性が十分に低下する。反射率差ΔRは、0.8%以下が好ましく、0.7%以下がより好ましく、0.6%以下が最も好ましい。
反射率差ΔRは、透明基材11側を光の入射面とし、インジウムスズ酸化物層21が存在する位置での波長480nm以上650nm以下における平均反射率R1[%]と、インジウムスズ酸化物層21が存在しない位置での波長480nm以上650nm以下における平均反射率R2[%]との差の絶対値(ΔR=|R1−R2|)である。なお、導電性積層体20が下地層12を有する場合、平均反射率R2は、下地層12を有する状態で測定される。反射率差ΔRの調整は、各層の厚さ、屈折率等の調整により行うことができる。
導電性積層体20は、電子機器に好適に用いられ、特に表示部とこの表示部の前面に配置されるタッチパネルとを有する電子機器に好適に用いられる。特に、導電性積層体20は、タッチパネルにおける透明電極を有する基板として用いられる。タッチパネルとしては、上下の電極が接触することでタッチ位置を特定する抵抗膜式、静電容量の変化を感知する静電容量結合方式が挙げられる。
次に、積層体10、導電性積層体20の製造方法について説明する。
積層体10は、透明基材11上に、必要に応じて下地層12を形成した後、インジウムスズ酸化物層13を成膜して製造できる。成膜方法は、必ずしも限定されず、スパッタリング法、イオンプレーティング法、真空蒸着法を適用でき、特にスパッタリング法が好ましい。
積層体10は、透明基材11上に、必要に応じて下地層12を形成した後、インジウムスズ酸化物層13を成膜して製造できる。成膜方法は、必ずしも限定されず、スパッタリング法、イオンプレーティング法、真空蒸着法を適用でき、特にスパッタリング法が好ましい。
インジウムスズ酸化物層13は、例えば、インジウムスズ酸化物からなるスパッタリングターゲットを用いたスパッタリングにより成膜する。スパッタリングターゲットは、インジウムスズ酸化物中、スズを酸化物換算で5質量%以上15質量%以下含有することが好ましい。スパッタリングターゲットにおけるインジウムスズ酸化物は、酸化スズ(SnO2)と酸化インジウム(In2O3)とを混合し焼結された焼結体からなることが好ましい。
インジウムスズ酸化物層13の成膜は、例えば、アルゴンガスに0.5〜10体積%、好ましくは0.8〜6体積%の酸素ガスを混合した混合ガスを導入しながらスパッタリングを行うことが好ましい。このような混合ガスを導入しながらスパッタリングを行うことで、非晶質であり、熱処理による結晶化が良好で、結晶化後のシート抵抗が低くなるものを成膜できる。
この際、成膜雰囲気中の水素濃度を十分に低くすることで、インジウムスズ酸化物層13の水素濃度を0.60at%以下にできる。成膜雰囲気中の水素濃度を十分に低くする手段として、例えば成膜室を成膜前にベーキングして成膜室の壁面に吸着した水分および炭化水素化合物を十分排気しておくこと、成膜室に水分および炭化水素化合物を吸着するコールドトラップを配置すること、透明基材11を事前に加熱して基材中に含まれる水分および炭化水素化合物を十分脱ガスしておくこと等があげられる。
導電性積層体20は、積層体10を熱処理して得られる。熱処理は、通常、大気中で行うことができる。インジウムスズ酸化物層13の結晶化が良好となることから、熱処理温度は100℃以上が好ましく、熱処理時間は30分以上が好ましい。一方、透明基材11の損傷が抑制され、かつ生産性も良好となることから、熱処理温度は170℃以下が好ましく、熱処理時間は180分以下が好ましい。なお、水素濃度は、熱処理の前後で変化しないと考えられる。このため、非晶質のインジウムスズ酸化物層13の水素濃度が0.60at%以下である場合、結晶質のインジウムスズ酸化物層21の水素濃度も0.60at%以下としてよい。
以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明する。例1、2、5〜7、10〜14が本発明の実施例、例3、4、8、9、15が本発明の比較例である。なお、本発明はこれらの実施例によって限定されない。また、各層の厚さは、光学特性、または成膜速度と基材の搬送速度とから求められるものであり、実際に測定されたものではない。
(例1)
透明基材として、厚さ100μmのポリエチレンテレフタレートフィルムの両面に厚さ8μmのアクリル樹脂からなるハードコート層が形成されたものを用意した。この透明基材上に、下地層として厚さ70オングストローム程度の酸化ケイ素層(SiO2層)を形成した。このSiO2層は、ボロンドープポリシリコンターゲットを用いて、アルゴンガスに28体積%の酸素ガスを混合した混合ガスを導入しつつ、0.2Paの圧力でACマグネトロンスパッタを行って形成した。なお、SiO2層の厚さは、電力密度とスパッタ時間とにより調整した。
透明基材として、厚さ100μmのポリエチレンテレフタレートフィルムの両面に厚さ8μmのアクリル樹脂からなるハードコート層が形成されたものを用意した。この透明基材上に、下地層として厚さ70オングストローム程度の酸化ケイ素層(SiO2層)を形成した。このSiO2層は、ボロンドープポリシリコンターゲットを用いて、アルゴンガスに28体積%の酸素ガスを混合した混合ガスを導入しつつ、0.2Paの圧力でACマグネトロンスパッタを行って形成した。なお、SiO2層の厚さは、電力密度とスパッタ時間とにより調整した。
この下地層が形成された透明基材上に、非晶質のインジウムスズ酸化物からなり、298オングストロームの厚さを有し、水素濃度が測定機器の検出限界未満であるインジウムスズ酸化物層(ITO層)を成膜して試験片とした。
ITO層の成膜は、DCマグネトロンスパッタにより行った。ターゲットには、12.5質量%の酸化スズ(SnO2)と87.5質量%の酸化インジウム(In2O3)とを混合して焼結させたターゲット(以下、12.5ITOターゲットと記す)を用いた。また、雰囲気は、アルゴンガスに1.4体積%の酸素ガスを混合した混合ガスとし、0.25Paの圧力とした。ITO層の厚さは、電力密度とスパッタ時間とにより調整した。ITO層におけるスズの酸化物換算での含有量は、およそ12.5質量%と推定される。
(例2〜15)
表1に示すように、ターゲットの組成、ITO層の水素濃度および厚さを変更した以外は例1と同様にしてITO層を成膜して試験片を製造した。
表1に示すように、ターゲットの組成、ITO層の水素濃度および厚さを変更した以外は例1と同様にしてITO層を成膜して試験片を製造した。
なお、表中、「12.5ITO」はスズを酸化物換算で12.5質量%含有するもの、「10ITO」はスズを酸化物換算で10質量%含有するもの、「7.5ITO」はスズを酸化物換算で7.5質量%含有することを示す。
次に、各例の試験片に対して、大気中で120℃、130℃、140℃、150℃、30分間の熱処理を行った。熱処理後の試験片について、以下の評価を行った。結果を表1に示す。
[水素濃度]
熱処理後のITO層の水素濃度を高分解能ERDAにより測定した。なお、汚染物の影響を排除するために、ITO層の表面から厚さ方向に5nmの位置から10nmの位置までの範囲について測定を行った。表には、これらの測定値の平均値を水素濃度として表示した。なお、水素濃度は、熱処理により変化しないことから、熱処理前のITO層の水素濃度も同様と考えられる。また、表中、「―」は、水素濃度が測定機器の検出限界未満であることを示す。測定機器の検出限界は、0.3at%である。
熱処理後のITO層の水素濃度を高分解能ERDAにより測定した。なお、汚染物の影響を排除するために、ITO層の表面から厚さ方向に5nmの位置から10nmの位置までの範囲について測定を行った。表には、これらの測定値の平均値を水素濃度として表示した。なお、水素濃度は、熱処理により変化しないことから、熱処理前のITO層の水素濃度も同様と考えられる。また、表中、「―」は、水素濃度が測定機器の検出限界未満であることを示す。測定機器の検出限界は、0.3at%である。
[シート抵抗]
試験片を100mm×100mmのサイズに切断して、Lorester(三菱化学社製、商品名)を用いて四探針法によりシート抵抗を測定した。なお、シート抵抗は、熱処理前の試験片および熱処理後の試験片について行った。また、表中、「ND」は、測定データがないことを示す。
試験片を100mm×100mmのサイズに切断して、Lorester(三菱化学社製、商品名)を用いて四探針法によりシート抵抗を測定した。なお、シート抵抗は、熱処理前の試験片および熱処理後の試験片について行った。また、表中、「ND」は、測定データがないことを示す。
[結晶性]
熱処理後の試験片をHCl溶液(濃度1.5mol/L)に5分間浸漬した。浸漬前後のITO層のシート抵抗値から、抵抗変化率((浸漬後のシート抵抗/浸漬前のシート抵抗)×100[%])を求めた。抵抗変化率が200%以下のものを結晶質とし、抵抗変化率が200%を超えるものを非晶質とした。表中、抵抗変化率が200%を超えるもの(非結晶質であるもの)について、シート抵抗の結果に「×」の表示を併記した。シート抵抗は、試験片を100mm×100mmのサイズに切断して、Lorester(三菱化学社製、商品名)を用いて四探針法により測定した。なお、熱処理前の試験片についても、同様にしてITO層の抵抗変化率を測定したところ、いずれも非晶質であることが確認された。
熱処理後の試験片をHCl溶液(濃度1.5mol/L)に5分間浸漬した。浸漬前後のITO層のシート抵抗値から、抵抗変化率((浸漬後のシート抵抗/浸漬前のシート抵抗)×100[%])を求めた。抵抗変化率が200%以下のものを結晶質とし、抵抗変化率が200%を超えるものを非晶質とした。表中、抵抗変化率が200%を超えるもの(非結晶質であるもの)について、シート抵抗の結果に「×」の表示を併記した。シート抵抗は、試験片を100mm×100mmのサイズに切断して、Lorester(三菱化学社製、商品名)を用いて四探針法により測定した。なお、熱処理前の試験片についても、同様にしてITO層の抵抗変化率を測定したところ、いずれも非晶質であることが確認された。
[反射率差ΔR]
150℃30分の熱処理後の試験片について、透明基材側を光の入射面とし、ITO層が存在する位置での波長480nm以上650nm以下における平均反射率R1[%]と、ITO層が存在しない位置での波長480nm以上650nm以下における平均反射率R2[%]とを測定した。なお、平均反射率R2を求めるためのITO層が存在しない部分は、透明基材と下地層とからなるものとした。これらの測定値から反射率差ΔR(ΔR=|R1−R2|)を求めた。測定は、分光光度計UV3150(島津製作所製、商品名)を用いて測定した。
150℃30分の熱処理後の試験片について、透明基材側を光の入射面とし、ITO層が存在する位置での波長480nm以上650nm以下における平均反射率R1[%]と、ITO層が存在しない位置での波長480nm以上650nm以下における平均反射率R2[%]とを測定した。なお、平均反射率R2を求めるためのITO層が存在しない部分は、透明基材と下地層とからなるものとした。これらの測定値から反射率差ΔR(ΔR=|R1−R2|)を求めた。測定は、分光光度計UV3150(島津製作所製、商品名)を用いて測定した。
表1から明らかなように、インジウムスズ酸化物層の水素濃度が0.60at%以下の場合、スズを酸化物換算で5質量%以上含有し、かつ厚さが40nm以下でも、熱処理による結晶化が良好となり、シート抵抗も200Ω/□以下になる。
10…積層体、11…透明基材、12…下地層、13…非晶質のインジウムスズ酸化物層、20…導電性積層体、21…結晶質のインジウムスズ酸化物層。
Claims (10)
- 透明基材と、
前記透明基材上に積層され、非晶質のインジウムスズ酸化物から主としてなるインジウムスズ酸化物層と
を有し、
前記インジウムスズ酸化物層は、水素濃度が0.60at%以下、かつ、熱処理温度150℃および熱処理時間30分の熱処理後のシート抵抗が200Ω/□以下となる積層体。 - 前記インジウムスズ酸化物層は、40nm以下の厚さを有する請求項1記載の積層体。
- 前記インジウムスズ酸化物層は、スズを酸化物換算で5質量%以上15質量%以下含有する請求項1または2記載の積層体。
- 前記透明基材と前記インジウムスズ酸化物層との間に酸化ケイ素層を有する請求項1乃至3のいずれか1項記載の積層体。
- 透明基材と、
前記透明基材上に積層され、結晶質のインジウムスズ酸化物から主としてなるインジウムスズ酸化物層と
を有し、
前記インジウムスズ酸化物層は、水素濃度が0.60at%以下、かつ、シート抵抗が200Ω/□以下である導電性積層体。 - 前記インジウムスズ酸化物層は、40nm以下の厚さを有する請求項5記載の導電性積層体。
- 前記インジウムスズ酸化物層は、スズを酸化物換算で5質量%以上15質量%以下含有する請求項5または6項記載の導電性積層体。
- 前記透明基材と前記インジウムスズ酸化物層との間に酸化ケイ素層を有する請求項5乃至7のいずれか1項記載の導電性積層体。
- 前記透明基材側を光の入射面としたとき、前記インジウムスズ酸化物層が存在する位置での波長480nm以上650nm以下における平均反射率R1[%]と、前記インジウムスズ酸化物層が存在しない位置での波長480nm以上650nm以下における平均反射率R2[%]との差の絶対値である反射率差ΔRが1%以下である請求項5乃至8のいずれか1項記載の導電性積層体。
- 請求項5乃至9のいずれか1項記載の導電性積層体を有する電子機器。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014083461 | 2014-04-15 | ||
JP2014083461 | 2014-04-15 | ||
PCT/JP2015/061145 WO2015159805A1 (ja) | 2014-04-15 | 2015-04-09 | 積層体、導電性積層体、および電子機器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2015159805A1 true JPWO2015159805A1 (ja) | 2017-04-13 |
Family
ID=54324014
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016513750A Pending JPWO2015159805A1 (ja) | 2014-04-15 | 2015-04-09 | 積層体、導電性積層体、および電子機器 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPWO2015159805A1 (ja) |
CN (1) | CN106165025A (ja) |
TW (1) | TW201545176A (ja) |
WO (1) | WO2015159805A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7058581B2 (ja) * | 2018-09-26 | 2022-04-22 | 日東電工株式会社 | 電波吸収体及び電波吸収体用積層体 |
CN115315537A (zh) * | 2020-03-19 | 2022-11-08 | 日东电工株式会社 | 氮化物层叠体及氮化物层叠体的制造方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004011014A (ja) * | 2002-06-11 | 2004-01-15 | Konica Minolta Holdings Inc | 金属原子含有膜、金属原子含有膜材料及び金属原子含有膜の形成方法 |
JP2004014401A (ja) * | 2002-06-10 | 2004-01-15 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機el表示装置用透明導電性基材 |
JP2005259628A (ja) * | 2004-03-15 | 2005-09-22 | Konica Minolta Holdings Inc | 透明導電膜形成方法、該方法により形成された透明導電膜および該透明導電膜を有する物品 |
JP2012111225A (ja) * | 2010-11-04 | 2012-06-14 | Nitto Denko Corp | 透明導電性フィルムおよびタッチパネル |
WO2012161095A1 (ja) * | 2011-05-20 | 2012-11-29 | 旭硝子株式会社 | 導電膜用素材、導電膜積層体、電子機器、及びそれらの製造方法 |
JP2013037369A (ja) * | 2012-08-10 | 2013-02-21 | Dexerials Corp | 透明導電性素子、入力装置、および表示装置 |
JP2013084376A (ja) * | 2011-10-06 | 2013-05-09 | Nitto Denko Corp | 透明導電性フィルム |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0877845A (ja) * | 1994-09-01 | 1996-03-22 | Hitachi Ltd | 膜の作製方法および膜の改質方法 |
US20020084455A1 (en) * | 1999-03-30 | 2002-07-04 | Jeffery T. Cheung | Transparent and conductive zinc oxide film with low growth temperature |
JP4438271B2 (ja) * | 2002-06-10 | 2010-03-24 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | タッチパネル用透明導電性基材の製造方法 |
JP2004012991A (ja) * | 2002-06-10 | 2004-01-15 | Konica Minolta Holdings Inc | 透明導電膜付き液晶表示装置用カラーフィルタ基材 |
JP4168675B2 (ja) * | 2002-06-10 | 2008-10-22 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | プラズマディスプレイパネル用透明導電性基材およびプラズマディスプレイパネル用透明導電性基材の製造方法 |
KR100808790B1 (ko) * | 2003-05-23 | 2008-03-03 | 주식회사 엘지화학 | 질소 플라즈마 처리된 ito 필름 및 이를 양극으로사용한 유기 발광 소자 |
JP2005096158A (ja) * | 2003-09-24 | 2005-04-14 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 透明導電性フィルムの製造方法 |
JP5762552B2 (ja) * | 2011-10-27 | 2015-08-12 | 三菱電機株式会社 | 光電変換装置とその製造方法 |
-
2015
- 2015-04-09 JP JP2016513750A patent/JPWO2015159805A1/ja active Pending
- 2015-04-09 CN CN201580019590.5A patent/CN106165025A/zh active Pending
- 2015-04-09 WO PCT/JP2015/061145 patent/WO2015159805A1/ja active Application Filing
- 2015-04-15 TW TW104112113A patent/TW201545176A/zh unknown
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004014401A (ja) * | 2002-06-10 | 2004-01-15 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機el表示装置用透明導電性基材 |
JP2004011014A (ja) * | 2002-06-11 | 2004-01-15 | Konica Minolta Holdings Inc | 金属原子含有膜、金属原子含有膜材料及び金属原子含有膜の形成方法 |
JP2005259628A (ja) * | 2004-03-15 | 2005-09-22 | Konica Minolta Holdings Inc | 透明導電膜形成方法、該方法により形成された透明導電膜および該透明導電膜を有する物品 |
JP2012111225A (ja) * | 2010-11-04 | 2012-06-14 | Nitto Denko Corp | 透明導電性フィルムおよびタッチパネル |
WO2012161095A1 (ja) * | 2011-05-20 | 2012-11-29 | 旭硝子株式会社 | 導電膜用素材、導電膜積層体、電子機器、及びそれらの製造方法 |
JP2013084376A (ja) * | 2011-10-06 | 2013-05-09 | Nitto Denko Corp | 透明導電性フィルム |
JP2013037369A (ja) * | 2012-08-10 | 2013-02-21 | Dexerials Corp | 透明導電性素子、入力装置、および表示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201545176A (zh) | 2015-12-01 |
WO2015159805A1 (ja) | 2015-10-22 |
CN106165025A (zh) | 2016-11-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO2017212970A1 (ja) | 積層膜、表示装置及び入力装置 | |
KR101227752B1 (ko) | 투명 도전성 필름, 그 제조 방법 및 그것을 구비한 터치 패널 | |
TWI381401B (zh) | Transparent conductive film and manufacturing method thereof | |
US20140079927A1 (en) | Material for conductive film, conductive film laminate, electronic device, and processes for their production | |
JP5872064B2 (ja) | 電気的特性に優れた透明導電性フィルム及びこれを用いたタッチパネル | |
JP6106756B2 (ja) | 透明導電性基材及び透明導電性基材の製造方法 | |
US10175397B2 (en) | Optical film including an infrared absorption layer | |
WO2014115770A1 (ja) | 透明導電性基材ならびにその製造方法 | |
JP2007163995A (ja) | 透明導電膜付き基板およびその製造方法 | |
WO2015159805A1 (ja) | 積層体、導電性積層体、および電子機器 | |
JP4406237B2 (ja) | 導電性を有する多層膜付透明基板の製造方法。 | |
JP3850865B2 (ja) | 導電性積層体 | |
KR20200001441A (ko) | Ito 필름 및 투명 도전성 필름 | |
KR102032011B1 (ko) | 전도성 적층체 및 이를 포함하는 투명 전극 | |
WO2015072321A1 (ja) | 透明導電性積層体およびタッチパネル | |
WO2015159804A1 (ja) | 積層体、導電性積層体、および電子機器 | |
JP2004175074A (ja) | 導電性を有する多層膜付透明基板 | |
WO2023112716A1 (ja) | 透明導電性フィルム | |
JP2016177940A (ja) | 透明導電体の製造方法 | |
JP2023088847A (ja) | 透明導電性フィルム | |
Kim et al. | Effect of O2 Flow Rate on Properties of Mn–SnO2/Ag/Mn–SnO2 Multilayer Film | |
KR20200102932A (ko) | 광 투과성 도전 필름 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180214 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190416 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20190617 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20191015 |