KR102032011B1 - 전도성 적층체 및 이를 포함하는 투명 전극 - Google Patents

전도성 적층체 및 이를 포함하는 투명 전극

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Abstract

본 명세서는 전도성 적층체 및 이를 포함하는 투명 전극에 관한 것이다.

Description

전도성 적층체 및 이를 포함하는 투명 전극{CONDUCTIVE LAMINATE AND TRANSPARENT ELECTRODE COMPRISING THEREOF}
본 명세서는 전도성 적층체 및 이를 포함하는 투명 전극에 관한 것이다.
첨단 정보기술산업과 함께 신재생 에너지산업이 급부상하면서 전기 전도성과 광투과성을 동시에 갖춘 투명전극에 관한 관심이 높아지고 있다. 유기 전자소자에서의 투명전극은 얇은 투명기판으로 빛이 투과해야 되고, 동시에 전기 전도성도 우수해야 한다.
투명전극 소재로는 얇은 막 형태로 제조된 투명 전도성 산화물(Transparent Conducting Oxide: TCO)이 대표적이다. 투명 전도성 산화물은 가시광선 영역에서의 높은 광학적 투과도(85% 이상)와 낮은 비저항(1×10-3 Ω㎝)을 동시에 갖는 산화물계의 축퇴된(degenerate) 반도체 전극을 총칭하는 것으로, 면저항 크기에 따라 정전기 방지막, 전자파 차폐 등의 기능성 박막과 평판 디스플레이, 태양전지, 터치패널, 투명 트랜지스터, 플렉시블 광전소자, 투명 광전소자 등의 핵심 전극 재료로 사용되고 있다.
다만, 투명 전도성 산화물을 소재로 하여 제조된 투명전극은 전기 전도도가 낮아 소자의 효율이 저하되는 문제가 있다.
한국 공개 공보 10-2010-0036957호
본 명세서는 전도성 적층체 및 이를 포함하는 투명 전극을 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태는 제1 금속 산화물층; 상기 제1 금속 산화물층 상에 구비된 금속층; 및 상기 금속층 상에 구비된 제2 금속 산화물층을 포함하는 전도성 적층체에 있어서, 상기 금속층은 은-알루미늄 합금을 포함하고, 상기 금속층의 Al 원자 함량은 상기 금속층의 Ag 원자에 대하여 0.1 % 초과 15 % 이하이며, 상기 전도성 적층체의 광투과도는 550 nm 파장의 빛에서 80 % 이상인 전도성 적층체를 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태는 상기 전도성 적층체를 포함하는 투명 전극을 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태는 상기 투명 전극을 포함하는 전자소자를 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 적층체는 높은 광 투과도 및 낮은 면저항 값을 갖는 장점이 있다. 또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 적층체는 우수한 내구성을 가진다. 구제척으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 적층체는 가혹한 환경 조건에서도 성능의 저하가 최소화될 수 있으므로, 제품의 신뢰도가 우수한 장점이 있다.
도 1은 본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 적층체의 적층 구조를 도시한 것이다.
도 2는 상기 실험예 1에 따라 진행된 시간에 따른 전도성 적층체의 면저항 값의 변화를 나타낸 것이다.
도 3은 상기 실험예 1에 따라 진행된 시간에 따른 전도성 적층체의 헤이즈 값의 변화를 나타낸 것이다.
본 명세서에서 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.
본 명세서에서 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
이하, 본 명세서에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.
본 명세서는 제1 금속 산화물층; 상기 제1 금속 산화물층 상에 구비된 금속층; 및 상기 금속층 상에 구비된 제2 금속 산화물층을 포함하는 전도성 적층체에 관한 것이다.
본 발명자들은 2개의 금속 산화물층 사이에 은으로 이루어진 금속층이 구비된 전도성 적층체에 있어서, 금속층의 성능이 저하(degradation)되는 문제점을 발견하였다. 이와 같은 문제점은 금속층을 형성하는 은이 표면 자유 에너지(surface free energy)를 줄이기 위한 성질에 의하여, 은 입자간에 응집(agglomeration)하는 형상 및 외부환경에 의한 부식 등에 의하여 발생할 수 있다. 나아가, 고온, 다습한 조건에서는 금속층의 성능 저하가 더 가속화되어 전도성 적층체의 광투과도, 헤이즈 및 전기 전도성과 같은 성능의 하락 원인이 될 수 있다.
이에 본 발명자들은 상기와 같은 문제점을 해결할 수 있는 전도성 적층체를 발명하였다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 적층체는 금속층을 은-알루미늄 합금을 이용하여 형성하고, 상기 금속층의 알루미늄의 함량은 0.1 % 초과 15 % 이하인 것을 특징으로 한다.
본 명세서에 있어서, 전도성은 전기 전도성을 의미한다.
본 명세서의 일 실시상태는 제1 금속 산화물층; 상기 제1 금속 산화물층 상에 구비된 금속층; 및 상기 금속층 상에 구비된 제2 금속 산화물층을 포함하는 전도성 적층체에 있어서, 상기 금속층은 은-알루미늄 합금을 포함하고, 상기 금속층의 Al 원자 함량은 상기 금속층의 Ag 원자에 대하여 0.1 % 초과 15 % 이하이며, 상기 전도성 적층체의 광투과도는 550 nm 파장의 빛에서 80 % 이상인 전도성 적층체를 제공한다.
상기 금속층은 우수한 전기 전도도 및 낮은 비저항에 의하여 상기 전도성 적층체의 저저항을 구현하는 역할을 할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 금속층의 Al 원자 함량은 상기 금속층의 Ag 원자에 대하여 1 % 이상 10 % 이하일 수 있다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 금속층의 Al 원자 함량은 상기 금속층의 Ag 원자에 대하여 1 % 이상 7 % 이하, 또는 1 % 이상 5 % 이하일 수 있다.
상기 금속층의 Al 원자 함량이 상기 범위 내에 있는 경우, 금속층 내의 은의 응집 현상을 최소화할 수 있으며, 나아가, 금속층의 환경에 대한 내구성을 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 금속층의 Al 원자 함량이 상기 범위 내에 있는 경우, 상기 전도성 적층체는 우수한 광투과도 및 전도성을 가질 수 있다. 구체적으로, 상기 금속층의 Al 원자 함량이 상기 범위 내에 있는 경우, 80% 이상의 우수한 광투과도 및 10 Ω/□ 이하의 낮은 면저항 값을 가지는 전도성 적층체의 구현이 가능하다. 또한, 상기 금속층의 Al 원자 함량이 상기 범위 내에 있는 경우, 상기 전도성 적층체는 환경에 대한 내구성이 우수한 장점이 있다. 구체적으로, 상기 전도성 적층체는 시간에 따른 성능 저하가 최소화될 수 있고, 고온, 다습한 환경에 대하여 우수한 내구성을 가질 수 있다.
상기 Al 원자 함량은 XPS(x-ray photoelectron spectroscopy) 분석을 통하여, 상기 금속층의 Ag 원자에 대한 Al 원자의 비를 통하여 측정할 수 있다. 구체적으로, 상기 Al 원자 함량(%)은 XPS 분석을 통하여 구하여지는 Ag 원자의 수에 대한 Al 원자의 수를 통하여 구하여질 수 있다.
도 1은 본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 적층체의 적층 구조를 도시한 것이다. 구체적으로, 도 1은 제1 금속 산화물층(101); 금속층(301); 및 제2 금속 산화물층(201)이 순차적으로 구비된 전도성 적층체를 도시한 것이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 금속층의 두께는 5 ㎚ 이상 20 ㎚ 이하일 수 있다.
상기 금속층의 두께가 상기 범위 내에 있는 경우, 상기 전도성 적층체는 우수한 전기 전도도 및 낮은 저항값을 가질 수 있는 장점이 있다. 구체적으로, 상기 금속층의 두께가 5 nm 미만인 경우 연속적인 막이 형성되기 어려우므로 저저항을 구현하기 곤란한 문제점이 있으며, 20 nm 초과인 경우 전도성 적층체의 광투과도가 낮아지는 문제점이 발생할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제2 금속 산화물층은 알루미늄으로 도핑된 것일 수 있다. 즉, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제2 금속 산화물층은 알루미늄을 더 포함하는 것일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 도핑되는 알루미늄의 농도는 상기 제2 금속 산화물층에 대하여 0.1 중량% 이상 10 중량% 이하일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제2 금속 산화물층은 상기 알루미늄을 더 포함하여 전자 소자 내에서의 전자 이동성을 향상 시킬 수 있으며, 고굴절의 특성을 가지고 있으므로, 광학 설계를 통하여 상기 전도성 적층체의 광투과도를 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 제2 금속 산화물층은 전기 전도성을 가지고 있으므로, 금속층의 전기 전도성을 저해하지 않으며, 상기 전도성 적층체를 다양한 전자소자에서 투명 전극으로서의 역할을 할 수 있게 한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 금속 산화물층 및 상기 제2 금속 산화물층은 각각, Sb, Ba, Ga, Ge, Hf, In, La, Ma, Se, Si, Ta, Se, Ti, V, Y, Zn 및 Zr로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상을 포함하는 산화물을 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 금속 산화물층의 두께 및 상기 제2 금속 산화물층의 두께는 각각, 20 ㎚ 이상 80 ㎚ 이하일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 금속 산화물층의 두께는 20 nm 이상 60 nm 이하일 수 있다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 금속 산화물층의 두께는 30 nm 이상 40 nm 이하일 수 있다.
상기 제1 금속 산화물층의 두께가 상기 범위 내에 있는 경우 다층 박막 형태의 상기 전도성 적층체의 광투과도이 우수한 장점이 있다. 구체적으로, 상기 제1 금속 산화물층의 두께가 상기 범위를 벗어나는 경우, 전도성 적층체의 광투과도가 낮아지는 문제가 발생한다. 또한, 상기 두께 범위를 벗어나는 경우, 증착된 금속층의 불량률이 높아질 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제2 금속 산화물층의 두께는 20 nm 이상 80 nm 이하일 수 있다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제2 금속 산화물층의 두께는 40 nm 이상 50 nm 이하일 수 있다.
상기 제2 금속 산화물층의 두께가 상기 범위 내에 있는 경우, 상기 전도성 적층체는 우수한 전기 전도도 및 낮은 저항값을 가질 수 있는 장점이 있다. 구체적으로, 상기 제2 금속 산화물층의 두께 범위는 광학 설계를 통하여 얻어진 것으로서, 상기 두께 범위를 벗어나는 경우 전도성 적층체의 광투과도가 낮아지는 문제가 있다.
상기 제1 금속 산화물층은 고굴절 물질로서, 금속층을 이용한 다층막의 전도성 적층체의 광투과도을 높이는 역할 및 금속층의 증착이 용이하도록 하는 역할을 할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 금속 산화물층 및 상기 제2 금속 산화물층의 굴절율은 각각, 550 ㎚ 파장의 빛에서 1.2 이상 3 이하일 수 있다.
본 명세서에서, 상기 굴절율은 광굴절율을 의미한다.
상기 제1 금속 산화물층은 고굴절 물질로서, 금속층을 이용한 다층막의 전도성 적층체의 광투과율을 높이는 역할 및 금속층의 증착이 용이하도록 하는 역할을 할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 금속 산화물층의 굴절율은 550 nm 파장의 빛에서 1.2 이상 2.8 이하일 수 있다. 구체적으로, 상기 제1 금속 산화물층의 굴절율은 1.9 이상 2.75 이하일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제2 금속 산화물층의 굴절율은 550 nm 파장의 빛에서 1.5 이상 2.5 이하일 수 있다.
상기 각 층의 굴절률은 상기 전도성 적층체의 광투과도를 80 % 이상으로 구현할 수 있도록, 광설계를 통하여 얻어진 것이다. 그러므로, 상기 굴절률의 범위를 벗어나는 경우, 전도성 적층체의 광투과도가 80 % 이하로 떨어지는 문제가 있다.
또한, 상기 각 층의 굴절율은 두께에 의하여 조절되는 것 외에도, 증착 공정을 조절하는 것에 의하여 조절될 수 있다. 구체적으로, 각 층의 증착 조건을 조절하여 결정화도를 조절할 수 있으며, 이에 따라 동일한 두께 및 재료라고 하더라도 굴절율이 상이할 수 있게 된다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전도성 적층체는 투명 지지체를 더 포함하고, 상기 투명 지지체 상에 상기 제1 금속 산화물층이 구비될 수 있다.
상기 지지체는 투명성, 표면평활성, 취급용이성 및 방수성이 우수한 유리기판 또는 투명 플라스틱 기판이 될 수 있으나, 이에 한정되지 않으며, 전자소자에 통상적으로 사용되는 기판이면 제한되지 않는다. 구체적으로, 상기 기재로는 유리; 우레탄 수지; 폴리이미드 수지; 폴리에스테르수지; (메타)아크릴레이트계 고분자 수지; 폴리에틸렌 또는 폴리프로필렌 등의 폴리 올레핀계 수지 등으로 이루어진 것이 될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전도성 적층체의 R/R0는 1.2 이하일 수 있다.
상기 R0는 전도성 적층체의 초기 면저항 값이고, R은 85 ℃ 및 85 RH%의 분위기에서 312 시간 경과 후의 전도성 적층체의 면저항 값이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전도성 적층체의 H/H0는 14 이하일 수 있다.
상기 H0는 전도성 적층체의 초기 헤이즈 값이고, H는 85 ℃ 및 85 RH%의 분위기에서 312 시간 경과 후의 전도성 적층체의 헤이즈 값이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 적층체는 85 ℃ 온도와 85 RH% 에서 128 시간을 경과하는 조건에도 불구하고, 면저항값 및/또는 헤이즈 값이 크게 변하지 않을 수 있다. 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 금속층 내의 알루미늄에 의하여, 금속층 내의 은의 응집 현상 및 산화를 최소화될 수 있기 때문이다.
그러므로, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 적층체는 가혹한 환경 조건에서도 성능의 저하가 최소화될 수 있으므로, 제품의 신뢰도가 우수한 장점이 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전도성 적층체의 면저항 값은 20 Ω/□ 이하일 수 있다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 투명전극의 면저항 값은 10 Ω/□ 이하일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 투명전극의 면저항 값은 0.1 Ω/□ 이상 20 Ω/□ 이하의 값을 가질 수 있다. 상기 투명전극의 면저항 값은 상기 금속층에 의하여 결정될 수 있으며, 상기 금속층의 두께 범위 및 상기 제2 금속 산화물층의 두께 범위에 의하여 낮은 값의 면저항 값이 구현 가능하다.
상기 투명 전극은 낮은 면저항 값에 의하여 전자소자에 적용하는 경우, 전자소자의 효율을 높일 수 있는 장점이 있다. 나아가, 낮은 면저항 값에도 불구하고, 높은 광투과도를 가지고 있는 장점이 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전도성 적층체의 전체 두께는 50 ㎚ 이상 300 ㎚ 이하일 수 있다.
상기 전도성 적층체의 두께는 광설계를 통하여 결정할 수 있다. 광설계를 위하여 상기 전도성 적층체의 각 층별 굴절률이 필요하며, 이 값을 통하여 각 층의 두께를 결정할 수 있다. 즉, 상기 전도성 적층체의 광투과도를 80 % 이상으로 구현하기 위하여는 상기 전도성 적층체의 전체 두께가 50 nm 이상 300 nm 이하일 수 있으며, 보다 구체적으로 70 nm 이상 200 nm 이하일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전도성 적층체의 광투과도는 550 nm 파장의 빛에서 80 % 이상일 수 있다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전도성 적층체의 광투과도는 550 nm 파장의 빛에서 85 % 이상 또는 90 % 이상일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전도성 적층체의 헤이즈 값은 1 이하일 수 있다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전기 전도성층의 헤이즈 값은 0.5 이하일 수 있다.
본 명세서에서 "헤이즈 값"은 Murakami사의 color research laboratory HM-150 Hazemeter 를 이용하여 측정한 값이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 적층체는 광투과도가 우수하고, 헤이즈 값이 낮으므로, 전자소자의 투명 전극의 용도로 사용이 가능하다. 나아가, 상기 전도성 적층체는 높은 광투과도로 인하여 광손실율이 적어 전자소자의 효율을 높일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태는 상기 전도성 적층체를 포함하는 투명 전극을 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태는 투명 전극을 포함하는 전자소자를 제공한다. 상기 전도성 적층체를 포함하는 투명 전극을 포함하는 전자소자는 높은 광투과율 및 낮은 면저항의 상기 전도성 적층체로 인하여, 높은 반응 속도를 구현할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전자 소자는 터치 패널, 발광 유리, 발광 소자, 태양 전지 또는 트랜지스터일 수 있다.
상기 터치 패널, 발광 유리, 발광 소자, 태양 전지 및 트랜지스터는 당업계에 일반적으로 알려져 있는 것일 수 있으며, 전극을 본 명세서의 투명전극으로 사용한 것일 수 있다.
이하, 본 명세서를 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 명세서에 따른 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 명세서의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않는다. 본 명세서의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 명세서를 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다.
[실시예 1]
유리 기판 상에 RF sputter 방식을 이용하여 Nb 산화물을 30 nm의 두께로 증착하여 제1 금속 산화물층을 형성하였다. 상기 제1 금속 산화물층 상에 DC sputter 방식을 이용하여 Al 원자 함량이 Ag 원자에 대하여 1 %인 Ag-Al 합금으로 이루어진 금속층을 10 nm 증착하고, 상기 금속층 상에 제2 금속 산화물층으로서 Ga을 도핑한 산화 아연층(GZO)을 50 nm 두께로 증착하여 전도성 적층체를 제조하였다.
상기 실시예 1에 따라 제조된 전도성 적층체를 UV-vis spectrometer를 이용하여 가시광 투과율을 측정한 결과 550 nm 의 파장에서 90.0 %의 투과율을 나타내었다. 또한, 상기 실시예 1에 따라 제조된 전도성 적층체의 면저항을 면저항 측정기로 측정한 결과 6.97 Ω/□ 이하의 값을 나타내었고, 헤이즈 값의 측정 결과는 0.1이었다.
[실시예 2]
유리 기판 상에 RF sputter 방식을 이용하여 Nb 산화물을 30 nm의 두께로 증착하여 제1 금속 산화물층을 형성하였다. 상기 제1 금속 산화물층 상에 DC sputter 방식을 이용하여 Al 원자 함량이 Ag 원자에 대하여 2 %인 Ag-Al 합금으로 이루어진 금속층을 10 nm 증착하고, 상기 금속층 상에 제2 금속 산화물층으로서 Ga을 도핑한 산화 아연층(GZO)을 50 nm 두께로 증착하여 전도성 적층체를 제조하였다.
상기 실시예 2에 따라 제조된 전도성 적층체를 UV-vis spectrometer를 이용하여 가시광 투과율을 측정한 결과 550 nm 의 파장에서 89.2 %의 투과율을 나타내었다. 또한, 상기 실시예 2에 따라 제조된 전도성 적층체의 면저항을 면저항 측정기로 측정한 결과 7.38 Ω/□ 이하의 값을 나타내었고, 헤이즈 값의 측정 결과는 0.1이었다.
상기 실시예 2 및 3에 따라 제조된 전도성 적층체의 금속층을 광전자분광법(XPS)을 이용하여 Al과 Ag의 조성을 측정한 결과는 하기와 같다.
[실시예 3]
유리 기판 상에 RF sputter 방식을 이용하여 Nb 산화물을 30 nm의 두께로 증착하여 제1 금속 산화물층을 형성하였다. 상기 제1 금속 산화물층 상에 DC sputter 방식을 이용하여 Al 원자 함량이 Ag 원자에 대하여 5 %인 Ag-Al 합금으로 이루어진 금속층을 10 nm 증착하고, 상기 금속층 상에 제2 금속 산화물층으로서 Ga을 도핑한 산화 아연층(GZO)을 50 nm 두께로 증착하여 전도성 적층체를 제조하였다.
상기 실시예 3에 따라 제조된 전도성 적층체를 UV-vis spectrometer를 이용하여 가시광 투과율을 측정한 결과 550 nm 의 파장에서 86.4 %의 투과율을 나타내었다. 또한, 상기 실시예 3에 따라 제조된 전도성 적층체의 면저항을 면저항 측정기로 측정한 결과 13.55 Ω/□ 이하의 값을 나타내었고, 헤이즈 값의 측정 결과는 0.1이었다.
광전자분광법(XPS)을 이용하여, 상기 실시예 2 및 3에서의 금속층의 Al과 Ag의 원자 함량을 측정한 결과는 하기 표 1과 같다.
Al Ag Al/Ag
실시예 2 4.58 56.5 0.08
실시예 3 5.61 38.85 0.14
[비교예 1]
유리 기판 상에 RF sputter 방식을 이용하여 Nb 산화물을 30 nm의 두께로 증착하여 제1 금속 산화물층을 형성하였다. 상기 제1 금속 산화물층 상에 DC sputter 방식을 이용하여 Ag로 이루어진 금속층을 10 nm 증착하고, 상기 금속층 상에 제2 금속 산화물층으로서 Ga을 도핑한 산화 아연층(GZO)을 50 nm 두께로 증착하여 전도성 적층체를 제조하였다.
상기 비교예 1에 따라 제조된 전도성 적층체를 UV-vis spectrometer를 이용하여 가시광 투과율을 측정한 결과 550 nm 의 파장에서 90.4 %의 투과율을 나타내었다. 또한, 상기 비교예 1에 따라 제조된 전도성 적층체의 면저항을 면저항 측정기로 측정한 결과 6.89 Ω/□ 이하의 값을 나타내었고, 헤이즈 값의 측정 결과는 0.1이었다.
[실험예 1] - 내환경성 평가
상기 실시예에 따라 제조된 전도성 적층체 및 상기 비교예에 따라 제조된 전도성 적층체의 내구성을 측정하기 위하여, 85 ℃ 및 85 RH%의 분위기에서 시간의 경과에 따른 면저항값의 변화를 측정하였다.
도 2는 상기 실험예 1에 따라 진행된 시간에 따른 전도성 적층체의 면저항(Rs) 값의 변화를 나타낸 것이다.
[실험예 2] - 내환경성 평가
상기 실시예에 따라 제조된 전도성 적층체 및 상기 비교예에 따라 제조된 전도성 적층체의 내구성을 측정하기 위하여, 85 ℃ 및 85 RH%의 분위기에서 시간의 경과에 따른 헤이즈 값의 변화를 측정하였다.
도 3은 상기 실험예 1에 따라 진행된 시간에 따른 전도성 적층체의 헤이즈 값의 변화를 나타낸 것이다.
101: 제1 금속 산화물층
201: 제2 금속 산화물층
301: 금속층

Claims (16)

  1. 제1 금속 산화물층; 상기 제1 금속 산화물층 상에 구비된 금속층; 및 상기 금속층 상에 구비된 제2 금속 산화물층을 포함하는 전도성 적층체에 있어서,
    상기 금속층은 은-알루미늄 합금을 포함하고,
    상기 금속층의 Al 원자 함량은 상기 금속층의 Ag 원자에 대하여 1 % 이상 10 % 이하이며,
    상기 전도성 적층체의 광투과도는 550 nm 파장의 빛에서 80 % 이상이고,
    상기 전도성 적층체의 R/R0는 1.2 이하이고,
    상기 R0는 전도성 적층체의 초기 면저항 값이고, R은 85 ℃ 및 85 RH%의 분위기에서 312 시간 경과 후의 전도성 적층체의 면저항 값이며,
    상기 제1 금속 산화물층은 Nb 산화물층이고,
    상기 제2 금속 산화물층은 Ga를 도핑한 산화 아연층(GZO)인 것인 전도성 적층체.
  2. 삭제
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 금속층의 두께는 5 ㎚ 이상 20 ㎚ 이하인 것인 전도성 적층체.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 금속 산화물층의 두께 및 상기 제2 금속 산화물층의 두께는 각각, 20 ㎚ 이상 80 ㎚ 이하인 것인 전도성 적층체.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 금속 산화물층 및 상기 제2 금속 산화물층의 굴절율은 각각, 550 ㎚ 파장의 빛에서 1.2 이상 3 이하인 것인 전도성 적층체.
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 전도성 적층체는 투명 지지체를 더 포함하고, 상기 투명 지지체 상에 상기 제1 금속 산화물층이 구비되는 것인 전도성 적층체.
  10. 삭제
  11. 청구항 1에 있어서,
    상기 전도성 적층체의 H/H0는 14 이하이고,
    상기 H0는 전도성 적층체의 초기 헤이즈 값이고, H는 85 ℃ 및 85 RH%의 분위기에서 312 시간 경과 후의 전도성 적층체의 헤이즈 값인 것인 전도성 적층체.
  12. 청구항 1에 있어서,
    상기 전도성 적층체의 면저항 값은 20 Ω/□ 이하인 것인 전도성 적층체.
  13. 청구항 1에 있어서,
    상기 전도성 적층체의 헤이즈 값은 1 이하인 것인 전도성 적층체.
  14. 청구항 1에 있어서,
    상기 전도성 적층체의 전체 두께는 50 ㎚ 이상 300 ㎚ 이하인 것인 전도성 적층체.
  15. 청구항 1, 3, 7 내지 9 및 11 내지 14 중 한 항에 따른 전도성 적층체를 포함하는 투명 전극.
  16. 청구항 15에 따른 투명 전극을 포함하는 전자소자.
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