KR20150135977A - 투명 전극 및 이를 포함하는 전자 소자 - Google Patents

투명 전극 및 이를 포함하는 전자 소자 Download PDF

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KR20150135977A
KR20150135977A KR1020140063305A KR20140063305A KR20150135977A KR 20150135977 A KR20150135977 A KR 20150135977A KR 1020140063305 A KR1020140063305 A KR 1020140063305A KR 20140063305 A KR20140063305 A KR 20140063305A KR 20150135977 A KR20150135977 A KR 20150135977A
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김수진
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민진혁
구자필
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주식회사 엘지화학
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Abstract

본 출원은 투명 전극 및 이를 포함하는 전자 소자에 대한 것이다. 본 출원에 따른 투명 전극은 제1 금속 산화물층; 상기 제1 금속 산화물층 상에 구비된 금속층; 상기 금속층 상에 구비된 제2 금속 산화물층을 포함하고, 상기 제1 금속 산화물층 및 제2 금속 산화물층 중 적어도 하나의 금속 산화물층은 수소 도핑된 금속 산화물층인 것을 특징으로 한다.

Description

투명 전극 및 이를 포함하는 전자 소자{TRANSPARENT ELECTODE AND ELECTRONIC DEVICE COMPRISING THE SAME}
본 출원은 투명 전극 및 이를 포함하는 전자 소자에 관한 것이다.
첨단 정보기술산업과 함께 신재생 에너지산업이 급부상하면서 전기 전도성과 광투과성을 동시에 갖춘 투명 전극에 관한 관심이 높아지고 있다. 유기 전자소자에서의 투명 전극은 얇은 투명 기판으로 빛이 투과해야 되고, 동시에 전기 전도성도 우수해야 한다.
투명 전극 소재로는 얇은 막 형태로 제조된 투명 전도성 산화물(Transparent Conducting Oxide: TCO)이 대표적이다. 투명 전도성 산화물은 가시광선 영역에서의 높은 광학적 투과도(85% 이상)와 낮은 비저항(1 × 10-3 Ωcm)을 동시에 갖는 산화물계의 축퇴된(degenerate) 반도체 전극을 총칭하는 것으로, 면저항 크기에 따라 정전기 방지막, 전자파 차폐 등의 기능성 박막과 평판 디스플레이, 태양전지, 터치패널, 투명 트랜지스터, 플렉시블 광전소자, 투명 광전소자 등의 핵심 전극 재료로 사용되고 있다.
다만, 투명 전도성 산화물을 소재로 하여 제조된 투명 전극은 전기 전도도가 낮아 소자의 효율이 저하되는 문제가 있다.
투명 전극 물질로는 현재 인듐 주석 산화물(ITO)이 가장 범용으로 쓰이고 있는데, 재료 자체의 특성상 저항값이 70옴/sq. 정도가 가장 낮출 수 있는 한계치로 알려져 있어, 대면적으로 응용하기 위해서 요구되는 더 낮은 저저항 특성을 충족시키지 못하고 있는 실정이다. 또한, 투명 전극을 플렉서블(flexible) 산업에 적용하기 위해서는 플라스틱 기판 위에서도 깨짐 없이 유지되는 특징이 필요한데, ITO는 취성이 강해서 벤딩 사이클(Bending cycle) 하에서 쉽게 깨지는 단점이 있다. 이러한 이유 때문에 새로운 투명 전극의 개발이 요구되고 있으며, 산화물-금속-산화물의 다층 구조의 경우 저저항 및 벤딩 특성(Bending property)에 있어서 큰 장점을 가진다고 할 수 있다.
대한민국 공개특허공보 제10-2010-0036957호
본 출원이 해결하고자 하는 과제는 투명 전극 및 이를 포함하는 전자 소자를 제공하는 것이다.
본 출원의 일 실시상태는 제1 금속 산화물층; 상기 제1 금속 산화물층 상에 구비된 금속층; 상기 금속층 상에 구비된 제2 금속 산화물층을 포함하고, 상기 제1 금속 산화물층 및 제2 금속 산화물층 중 적어도 하나의 금속 산화물층은 수소 도핑된 금속 산화물층인 것을 특징으로 하는 투명 전극을 제공한다.
또한, 본 출원의 일 실시상태는 상기 투명 전극을 포함하는 전자 소자를 제공한다.
본 출원에 따른 투명 전극은 높은 광 투과도 및 낮은 면저항 값을 갖는다. 또한, 본 출원에 따른 투명 전극은 우수한 내구성을 가진다. 그러므로, 상기 투명 전극을 포함하는 전자 소자는 높은 효율 및 우수한 내구성을 가진다.
또한, 본 출원에 따른 투명 전극은 모든 가시광 파장대 영역에서 고른 투과율 값을 가질 수 있고, 이에 따라 색차값을 낮출 수 있는 특징이 있다.
도 1은 본 출원의 일 실시상태에 따른 투명 전극을 개략적으로 나타낸 도이다.
도 2는 본 출원의 일 실시상태로서, 가스분위기 변화에 따른 제1 금속 산화물층 또는 제2 금속 산화물층의 증착속도 변화를 나타낸 도이다.
도 3은 본 출원의 일 실시상태로서, 수소 인입량의 변화에 따른 제1 금속 산화물층 또는 제2 금속 산화물층의 전기적 특성 변화를 나타낸 도이다.
도 4는 본 출원의 일 실시상태로서, 수소 인입량의 변화에 따른 투명 전극의 전기 광학적 특성 변화를 나타낸 도이다.
도 5는 본 출원의 일 실시상태로서, 수소 인입량의 변화에 따른 제1 금속 산화물층 또는 제2 금속 산화물층의 전기적 특성 변화를 나타낸 도이다.
도 6은 본 출원의 일 실시상태로서, 수소 인입량의 변화에 따른 제1 금속 산화물층 또는 제2 금속 산화물층의 조성 변화를 나타낸 도이다.
도 7은 본 출원의 일 실시상태로서, 수소 인입량의 변화에 따른 투명 전극의 광투과도 변화를 나타낸 도이다.
이하, 본 출원에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.
기존에 투명 전극으로 사용되는 물질들은 색차값이 높아서 색을 띠고 있다는 단점을 가지고 있다. 빛이 투과되는 정도인 투과도와는 별도로, 색을 띤다는 것은 최종 제품 제작시 사용자 관점에서 바람직하지 않은 것이다. 예를 들어, 현재 범용으로 가장 많이 사용되고 있는 인듐 주석 산화물(ITO)의 경우에는, 많은 개선의 노력에도 불구하고 여전히 높은 b*값으로 인한 노란 색상의 발현이 문제되고 있다.
이러한 색차값은 빛의 파장대별로 다른 광투과율의 값을 갖기 때문인데, 이를 해결하기 위해서는 모든 가시광 파장대 영역에서 고른 투과율 값을 가질 필요가 있다.
현재까지 가장 많이 사용되고 있는 투명 전극 물질로는 인듐 주석 산화물(ITO)을 들 수 있다. 상기 인듐 주석 산화물은 100 Ω/sq 대의 면저항과 90% 수준의 광투과율을 보인다.
최근 디스플레이의 대면적화가 진행되면서 10 Ω/sq 대의 낮은 면저항값을 갖는 투명 전극의 개발이 요구되고 있다. 또한, 플렉서블 디스플레이의 수요로 인해 휘어지는 특성도 요구되고 있다. 따라서, 저저항 구현과 유연성 관점에서 재료 자체의 한계를 지니는 ITO를 대체하기 위한 시도가 많아지고 있다.
본 출원의 일 실시상태에 따른 투명 전극은, 제1 금속 산화물층; 상기 제1 금속 산화물층 상에 구비된 금속층; 상기 금속층 상에 구비된 제2 금속 산화물층을 포함하고, 상기 제1 금속 산화물층 및 제2 금속 산화물층 중 적어도 하나의 금속 산화물층은 수소 도핑된 금속 산화물층인 것을 특징으로 한다.
본 출원에 있어서, 상기 금속층의 굴절율은 550nm의 파장의 빛에서 0.1 내지 1이고, 상기 금속층의 두께는 5 내지 20nm 일 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
상기 금속층은 우수한 전기 전도도 및 낮은 비저항에 의하여 상기 투명전극의 저저항을 구현하는 역할을 할 수 있다.
상기 금속층의 두께가 상기 범위 내에 있는 경우, 상기 투명 전극은 우수한 전기 전도도 및 낮은 저항값을 가질 수 있는 장점이 있다. 구체적으로, 상기 금속층의 두께가 5nm 미만인 경우에는 연속적인 막이 형성되기 어려우므로 저저항을 구현하기 곤란한 문제점이 있으며, 20nm를 초과하는 경우에는 투명 전극의 투과율이 낮아지는 문제점이 있다.
도 1은 본 출원의 일 실시상태에 따른 투명전극의 일 예를 도시한 것이다. 구체적으로, 도 1은 제1 금속 산화물층(101); 금속층(201); 및 제2 금속 산화물층(301)이 순차적으로 구비된 투명 전극을 개략적으로 나타낸 도이다. 상기 제1 금속 산화물층(101) 및 제2 금속 산화물층(301) 중 적어도 하나의 금속 산화물층은 수소 도핑된 금속 산화물층인 것을 특징으로 한다.
상기 제1 금속 산화물층은 고굴절 물질로서, 금속층을 이용한 다층막의 투명 전극의 광투과율을 높이는 역할 및 금속층의 증착이 용이하도록 하는 역할을 할 수 있다.
본 출원에 있어서, 상기 제1 금속 산화물층의 굴절율은 550nm 파장의 빛에서 1.2 내지 2.8 일 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다. 구체적으로, 상기 제1 금속 산화물층의 굴절율은 1.9 내지 2.75 일 수 있다.
본 출원에 있어서, 상기 제2 금속 산화물층의 굴절율은 550nm 파장의 빛에서 1.5 내지 2.5 일 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
상기 각 층의 굴절률은 상기 투명 전극의 투과율을 80% 이상으로 구현할 수 있도록, 광설계를 통하여 얻어진 것이다. 그러므로, 상기 굴절률의 범위를 벗어나는 경우, 투명 전극의 광투과율이 80% 이하로 떨어지는 문제가 있다.
또한, 상기 각 층의 굴절율은 두께에 의하여 조절되는 것 외에도, 증착 공정을 조절하는 것에 의하여 조절될 수 있다. 구체적으로, 각 층의 증착 조건을 조절하여 결정화도를 조절할 수 있으며, 이에 따라 동일한 두께 및 재료라고 하더라도 굴절율이 상이할 수 있게 된다.
본 출원에 있어서, 상기 제1 금속 산화물층의 두께는 20 내지 60nm 일 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다. 구체적으로, 상기 제1 금속 산화물층의 두께는 30 내지 40nm 일 수 있다.
상기 제1 금속 산화물층의 두께가 상기 범위 내에 있는 경우 다층 박막 형태의 상기 투명 전극의 투과율이 우수한 장점이 있다. 구체적으로, 상기 제1 금속 산화물층의 두께가 상기 범위를 벗어나는 경우, 투명 전극의 투과율이 낮아지는 문제가 발생한다. 또한, 상기 두께 범위를 벗어나는 경우, 증착된 금속층의 불량률이 높아질 수 있다.
본 출원에 있어서, 상기 제1 금속 산화물층 및 상기 제2 금속 산화물층은 각각 독립적으로 Nb, Sb, Ba, Ga, Ge, Hf, In, La, Ma, Se, Si, Ta, Se, Ti, V, Y, Zn 및 Zr로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상을 포함하는 산화물을 포함할 수 있다.
본 출원에 있어서, 상기 제2 금속 산화물층의 두께는 20 내지 80nm 일 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다. 구체적으로, 상기 제2 금속 산화물층의 두께는 40 내지 50nm 일 수 있다.
상기 제2 금속 산화물층의 두께가 상기 범위 내에 있는 경우, 상기 투명 전극은 우수한 전기 전도도 및 낮은 저항값을 가질 수 있는 장점이 있다. 구체적으로, 상기 제2 금속 산화물층의 두께 범위는 광학 설계를 통하여 얻어진 것으로서, 상기 두께 범위를 벗어나는 경우 투명전극의 광투과율이 낮아지는 문제가 있다.
본 출원에 있어서, 상기 제1 금속 산화물층 또는 제2 금속 산화물층은 전술한 금속 산화물 이외에, 갈륨(Ga), 알루미늄(Al), 지르코늄(Zr), 티타늄(Ti), 니오븀(Nb), 탄탈(Ta), 인듐(In), 및 바나듐(V)으로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상의 금속을 더 포함할 수 있다.
본 출원에 있어서, 상기 제1 금속 산화물층 또는 제2 금속 산화물층에서의 상기 추가의 금속의 함량은 0.1 내지 10 중량% 일 수 있다.
본 출원에 있어서, 상기 제1 금속 산화물층 또는 제2 금속 산화물층에 포함되는 상기 추가의 금속은 도핑 물질일 수 있다.
상기 제1 금속 산화물층 또는 제2 금속 산화물층은 상기 금속을 더 포함하여 전자 소자 내에서의 전자 이동성을 향상 시킬 수 있으며, 고굴절의 특성을 가지고 있으므로, 광학 설계를 통하여 상기 투명 전극의 광투과율을 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 제1 금속 산화물층 또는 제2 금속 산화물층은 전기 전도성을 가지고 있으므로, 금속층의 전기 전도성을 저해하지 않으며, 상기 투명 전극을 다양한 전기 소자에서 전극으로서의 역할을 할 수 있게 한다.
상기 제1 금속 산화물층 또는 제2 금속 산화물층은 상기 추가의 금속의 함량에 의하여 굴절률이 변화할 수 있다. 그러므로, 상기 투명 전극의 투과율을 최대로 구현할 수 있도록 상기 제1 금속 산화물층 또는 제2 금속 산화물층의 상기 추가의 금속의 함량을 조절할 필요가 있다. 또한, 상기 제1 금속 산화물층 또는 제2 금속 산화물층에 포함되는 추가의 금속은 제1 금속 산화물층 또는 제2 금속 산화물층의 전기 전도도에 큰 영향을 미칠 수 있다. 그러므로, 본 발명자들은 상기 제1 금속 산화물층 또는 제2 금속 산화물층의 굴절률이 최적의 범위 내에 있으면서, 상기 제1 금속 산화물층 또는 제2 금속 산화물층의 전기 전도도를 최대로 구현할 수 있는 범위를 찾아내었다. 즉, 상기 추가의 금속의 함량 범위 내에서 상기 제1 금속 산화물층 또는 제2 금속 산화물층의 최적의 굴절률 및 전기 전도도가 구현될 수 있다.
상기 제1 금속 산화물층 또는 제2 금속 산화물층의 캐리어 농도(carrier concentration) 값은 1 × 1015 ~ 1 × 1021 cm-3일 수 있고, 1 × 1017 ~ 1 × 1019 cm-3일 수 있다. 또한, 상기 제1 금속 산화물층 또는 제2 금속 산화물층의 비저항(resistivity) 값은 1 × 10-5 ~ 1 × 105 Ωcm일 수 있고, 1 × 10-3 ~ 1 × 103 Ωcm일 수 있다.
특히, 본 출원에 있어서, 상기 제1 금속 산화물층 및 제2 금속 산화물층 중 적어도 하나의 금속 산화물층은 수소 도핑된 금속 산화물층인 것을 특징으로 한다.
본 출원에 있어서, 상기 금속층은 은, 또는 은과 은 산화물로 이루어질 수 있다. 구체적으로, 상기 금속층은 은만으로 이루어질 수 있다. 또는, 상기 투명 전극의 제조과정 또는 상기 투명전극이 전자소자에 포함되어 사용되는 과정에서 공기 및 수분과의 접촉에 의하여, 금속층 내에 은 산화물이 일부 포함될 수 있다.
본 출원에 있어서, 상기 금속층이 은 및 은 산화물로 이루어지는 경우, 상기 은 산화물은 상기 금속층 총중량을 기준으로 0.1 내지 50 중량%일 수 있다.
본 출원에 있어서, 상기 투명 전극은 투명 지지체를 더 포함하고, 상기 투명 지지체 상에 상기 제1 금속 산화물층이 구비될 수 있다.
상기 지지체는 투명성, 표면평활성, 취급용이성 및 방수성이 우수한 유리기판 또는 투명 플라스틱 기판이 될 수 있으나, 이에 한정되지 않으며, 전자 소자에 통상적으로 사용되는 기판이면 제한되지 않는다. 구체적으로, 상기 기재로는 유리; 우레탄 수지; 폴리이미드 수지; 폴리에스테르수지; (메타)아크릴레이트계 고분자 수지; 폴리에틸렌 또는 폴리프로필렌 등의 폴리올레핀계 수지 등으로 이루어진 것이 될 수 있다.
본 출원에 있어서, 상기 투명 전극의 면저항 값은 20 Ω/□ 이하일 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다. 구체적으로, 상기 투명전극의 면저항 값은 10 Ω/□ 이하일 수 있다.
본 출원에 있어서, 상기 투명 전극의 면저항 값은 0.1 내지 20 Ω/□의 값을 가질 수 있다. 상기 투명 전극의 면저항 값은 상기 금속층에 의하여 결정될 수 있으며, 상기 금속층의 두께 범위 및 상기 제2 금속 산화물층의 두께 범위에 의하여 낮은 값의 면저항 값이 구현 가능하다.
상기 투명 전극은 낮은 면저항 값에 의하여 전자 소자에 적용하는 경우, 전자 소자의 효율을 높일 수 있는 장점이 있다. 나아가, 낮은 면저항 값에도 불구하고, 높은 광투과도를 가지고 있는 장점이 있다.
본 출원에 있어서, 상기 투명 전극 전체 두께는 50 내지 300nm 일 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
상기 투명 전극의 두께는 광설계를 통하여 결정할 수 있다. 광설계를 위하여 상기 투명 전극의 각 층별 굴절률이 필요하며, 이 값을 통하여 각 층의 두께를 결정할 수 있다. 즉, 상기 투명 전극의 광 투과도를 80% 이상으로 구현하기 위하여는 상기 투명 전극 전체 두께가 50 내지 300nm 일 수 있으며, 보다 구체적으로 70 내지 200nm 일 수 있다.
본 출원에 있어서, 상기 투명 전극의 투과율은 550nm 파장의 빛에서 80% 이상일 수 있다. 구체적으로, 상기 투명전극의 투과율은 550nm 파장의 빛에서 85% 이상 또는 90% 이상일 수 있다.
본 출원에 있어서, 상기 투명 전극은 450 내지 800nm 파장의 빛에서 투과율의 편차가 10% 이내일 수 있다.
또한, 본 출원의 일 실시상태에 따른 전자 소자는 상기 투명 전극을 포함한다.
상기 전자 소자는 터치 패널, 발광 유리, 발광 소자, 태양 전지 또는 트랜지스터일 수 있다.
상기 터치 패널, 발광 유리, 발광 소자, 태양 전지 및 트랜지스터는 당업계에 일반적으로 알려져 있는 것일 수 있으며, 전극을 본 명세서의 투명 전극으로 사용한 것일 수 있다.
이하, 본 명세서를 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 명세서에 따른 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 명세서의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않는다. 본 명세서의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 명세서를 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다.
< 실시예 >
본 출원의 일 실시상태로서, 가스분위기 변화에 따른 제1 금속 산화물층 또는 제2 금속 산화물층의 증착속도 변화를 하기 도 2에 나타내었다. 보다 구체적으로, 상기 가스분위기 변화는 아르곤 및 수소를 포함하는 경우와 아르곤, 산소 및 수소를 포함하는 경우를 비교하였다. 상기 아르곤 및 수소를 포함하는 경우에서는 아르곤의 유량을 50sccm으로 고정하였고 수소의 유량을 변화시켰다. 또한, 상기 아르곤, 산소 및 수소를 포함하는 경우에는 아르곤의 유량을 49sccm으로 고정하였고 산소의 유량을 2sccm으로 고정하였으며 수소의 유량을 변화시켰다.
< 실시예 1 ~ 4 및 비교예 >
상기 아르곤 및 수소를 포함하는 경우로서, 본 출원에 따른 투명 전극의 적층 구조 및 두께는 하기 표 1과 같이 수행하였다.
[표 1]
Figure pat00001
상기 아르곤 및 수소를 포함하는 경우로서, 수소 인입량의 변화에 따른 AZO의 전기적 특성 변화를 하기 도 3에 나타내었다.
또한, 수소 인입량의 변화에 따른 AZO의 결정구조적 특성 변화를 XRD로 분석하여 하기 표 2에 나타내었다.
[표 2]
Figure pat00002
또한, 수소 인입량의 변화에 따른 투명 전극의 전기 광학적 특성 변화를 분석하여 하기 표 3 및 도 4에 나타내었다.
[표 3]
Figure pat00003
< 실시예 1 ~ 6 및 비교예 >
상기 아르곤, 산소 및 수소를 포함하는 경우로서, 본 출원에 따른 투명 전극의 적층 구조 및 두께는 하기 표 4와 같이 수행하였다.
[표 4]
Figure pat00004
상기 아르곤, 산소 및 수소를 포함하는 경우로서, 수소 인입량의 변화에 따른 AZO의 전기적 특성 변화를 하기 도 5에 나타내었다.
또한, 수소 인입량의 변화에 따른 AZO의 결정구조적 특성 변화를 XRD로 분석하여 하기 표 2에 나타내었다.
[표 5]
Figure pat00005
또한, 수소 인입량의 변화에 따른 AZO의 조성 변화를 하기 도 6에 나타내었다.
또한, 수소 인입량의 변화에 따른 투명 전극의 전기 광학적 특성 변화를 분석하여 하기 표 6 및 도 7에 나타내었다.
[표 6]
Figure pat00006
상기 결과와 같이, 본 출원에 따른 투명 전극은 높은 광 투과도 및 낮은 면저항 값을 갖는다. 또한, 본 출원에 따른 투명 전극은 우수한 내구성을 가진다. 그러므로, 상기 투명 전극을 포함하는 전자 소자는 높은 효율 및 우수한 내구성을 가진다.
또한, 본 출원에 따른 투명 전극은 모든 가시광 파장대 영역에서 고른 투과율 값을 가질 수 있고, 이에 따라 색차값을 낮출 수 있는 특징이 있다.
101: 제1 금속 산화물층
201: 금속층
301: 제2 금속 산화물층

Claims (14)

  1. 제1 금속 산화물층; 상기 제1 금속 산화물층 상에 구비된 금속층; 상기 금속층 상에 구비된 제2 금속 산화물층을 포함하고,
    상기 제1 금속 산화물층 및 제2 금속 산화물층 중 적어도 하나의 금속 산화물층은 수소 도핑된 금속 산화물층인 것을 특징으로 하는 투명 전극.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 금속층의 굴절율은 550nm의 파장의 빛에서 0.1 내지 1이고, 상기 금속층의 두께는 5 내지 20nm 인 것을 특징으로 하는 투명 전극.
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 제1 금속 산화물층의 굴절율은 550nm 파장의 빛에서 1.2 내지 2.8인 것을 특징으로 하는 투명 전극.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 제2 금속 산화물층의 굴절율은 550nm 파장의 빛에서 1.5 내지 2.5인 것을 특징으로 하는 투명 전극.
  5. 청구항 1에 있어서, 상기 제1 금속 산화물층의 두께는 20 내지 60nm인 것을 특징으로 하는 투명 전극.
  6. 청구항 1에 있어서, 상기 제2 금속 산화물층의 두께는 20 내지 80nm인 것을 특징으로 하는 투명 전극.
  7. 청구항 1에 있어서, 상기 제1 금속 산화물층 및 상기 제2 금속 산화물층은 각각 독립적으로 Nb, Sb, Ba, Ga, Ge, Hf, In, La, Ma, Se, Si, Ta, Se, Ti, V, Y, Zn 및 Zr로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상을 포함하는 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 전극.
  8. 청구항 7에 있어서, 상기 제1 금속 산화물층 또는 제2 금속 산화물층은 갈륨(Ga), 알루미늄(Al), 지르코늄(Zr), 티타늄(Ti), 니오븀(Nb), 탄탈(Ta), 인듐(In), 및 바나듐(V)으로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상의 금속을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 전극.
  9. 청구항 1에 있어서, 상기 금속층은 은 및 은 산화물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 전극.
  10. 청구항 1에 있어서, 상기 투명 전극은 투명 지지체를 더 포함하고,
    상기 투명 지지체 상에 상기 제1 금속 산화물층이 구비되는 것을 특징으로 하는 투명 전극.
  11. 청구항 1에 있어서, 상기 투명 전극의 면저항 값은 20 Ω/□ 이하인 것을 특징으로 하는 투명 전극.
  12. 청구항 1에 있어서, 상기 투명 전극의 총두께는 50 내지 300nm인 것을 특징으로 하는 투명 전극.
  13. 청구항 1에 있어서, 상기 투명 전극의 투과율은 550nm 파장의 빛에서 80% 이상인 것을 특징으로 하는 투명 전극.
  14. 청구항 1 내지 13 중 어느 한 항의 투명 전극을 포함하는 전자 소자.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20180000181A (ko) * 2016-06-22 2018-01-02 고려대학교 산학협력단 다층 투명전극 및 그 제조방법
KR20180057196A (ko) * 2016-11-22 2018-05-30 고려대학교 산학협력단 페로브스카이트 발광소자
KR20180057197A (ko) * 2016-11-22 2018-05-30 고려대학교 산학협력단 페로브스카이트 발광소자

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