CN101458975B - 电子元件 - Google Patents

电子元件 Download PDF

Info

Publication number
CN101458975B
CN101458975B CN2007101251026A CN200710125102A CN101458975B CN 101458975 B CN101458975 B CN 101458975B CN 2007101251026 A CN2007101251026 A CN 2007101251026A CN 200710125102 A CN200710125102 A CN 200710125102A CN 101458975 B CN101458975 B CN 101458975B
Authority
CN
China
Prior art keywords
carbon nano
electronic component
transparency conducting
conducting layer
tube
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN2007101251026A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101458975A (zh
Inventor
李群庆
姜开利
刘亮
范守善
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tsinghua University
Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd
Original Assignee
Tsinghua University
Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tsinghua University, Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd filed Critical Tsinghua University
Priority to CN2007101251026A priority Critical patent/CN101458975B/zh
Priority to US12/286,143 priority patent/US9040159B2/en
Priority to KR1020080124106A priority patent/KR101297525B1/ko
Priority to EP20080253920 priority patent/EP2071631A3/en
Priority to JP2008317354A priority patent/JP4648451B2/ja
Publication of CN101458975A publication Critical patent/CN101458975A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101458975B publication Critical patent/CN101458975B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
    • B82B3/00—Manufacture or treatment of nanostructures by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0443—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a single layer of sensing electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1884—Manufacture of transparent electrodes, e.g. TCO, ITO
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having a potential-jump barrier or a surface barrier
    • H10K10/80—Constructional details
    • H10K10/82—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/80—Constructional details
    • H10K30/81—Electrodes
    • H10K30/82—Transparent electrodes, e.g. indium tin oxide [ITO] electrodes
    • H10K30/821—Transparent electrodes, e.g. indium tin oxide [ITO] electrodes comprising carbon nanotubes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/20—Carbon compounds, e.g. carbon nanotubes or fullerenes
    • H10K85/221—Carbon nanotubes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24058—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including grain, strips, or filamentary elements in respective layers or components in angular relation
    • Y10T428/24124—Fibers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24628—Nonplanar uniform thickness material
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24942—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including components having same physical characteristic in differing degree
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/249921—Web or sheet containing structurally defined element or component
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
    • Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/30—Self-sustaining carbon mass or layer with impregnant or other layer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T442/00—Fabric [woven, knitted, or nonwoven textile or cloth, etc.]
    • Y10T442/60—Nonwoven fabric [i.e., nonwoven strand or fiber material]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T442/00—Fabric [woven, knitted, or nonwoven textile or cloth, etc.]
    • Y10T442/60—Nonwoven fabric [i.e., nonwoven strand or fiber material]
    • Y10T442/659—Including an additional nonwoven fabric
    • Y10T442/67—Multiple nonwoven fabric layers composed of the same inorganic strand or fiber material

Abstract

本发明涉及一种电子元件，该电子元件包括一基体；一透明导电层，该透明导电层设置于上述基体的一表面上。其中，所述的透明导电层包括一碳纳米管层。

Description

电子元件
技术领域
本发明涉及一种电子元件，尤其涉及一种用于偏振片、电极电池、场发射显示等领域的含有透明导电层的电子元件。
背景技术
从1991年日本科学家Iijima首次发现碳纳米管(Carbon Nanotube，CNT)以来(Iilima S.，Nature，vol 354，p56(1991))，以碳纳米管为代表的纳米材料以其独特的结构和性质引起了人们极大的关注。近几年来，随着碳纳米管及纳米材料研究的不断深入，其广阔应用前景不断显现出来。例如，由于碳纳米管所具有的独特的电磁学、光学、力学、化学性能等，大量有关其在场发射电子源、传感器、新型光学材料、软铁磁材料等领域的应用研究不断被报道。
碳纳米管层是碳纳米管实际应用的一种重要形式。具体地，碳纳米管层已被研究用作场发射源、光电和生物传感器、电池电极、吸波材料、水净化材料、发光材料等。
现有技术中的液晶显示器(LCD)、等离子显示器(PDP)、电致发光显示器(EL/OLED)、触摸屏(Touch Panel)、太阳能电池以及其它电子仪表通常需要一个具有透明导电层的电子元件，该电子元件通常包括一基体和一透明导电层。上述的透明导电层通常采用ITO层。上述的ITO层目前主要采用溅射或蒸镀等方法制备，在制备的过程，需要较高的真空环境及加热到200～300℃，因此，使得ITO层的制备成本较高，从而相应地使的电子元件得成本较高。另外，由于ITO层的机械和化学耐用性不够好及ITO层作透明导电层存在电阻阻值分布不均匀等缺点，导致了现有的电子元件的性能不好。
因此，确有必要提供一种电子元件，该电子元件的透明导电层具有成本低、机械性能优异、阻值分布均匀及透光性好等优点。
发明内容
一种电子元件，该电子元件包括一基体；一透明导电层，该透明导电层设置于上述基体的一表面上。其中，所述透明导电层为由多个碳纳米管组成的至少一碳纳米管层，所述碳纳米管层中的碳纳米管沿固定方向择优取向排列。
与现有技术的电子元件相比较，本技术方案提供的电子元件具有以下优点：其一，由于碳纳米管层具有很好的韧性和机械强度，故，采用碳纳米管层作透明导电层，可以相应的提高电子元件的耐用性。其二，由于碳纳米管层具有较均匀的结构，故，采用碳纳米管层作透明导电层，可使得透明导电层具有均匀的电阻，从而提高电子元件的性能。其三，由于本技术方案的碳纳米管层可通过直接铺设作透明导电层，而无需溅射和加热等工艺，故，降低了电子元件的制作成本。
附图说明
图1是本技术方案实施例的电子元件的结构示意图。
图2是沿图1所示的线II-II’的剖视图。
图3是本技术方案实施例的透明导电层的碳纳米管薄膜的扫描电镜图。
具体实施方式
以下将结合附图详细说明本技术方案的触摸屏及显示装置。
请参阅图1和图2，本技术方案实施例提供一种电子元件30包括一基体22和一透明导电层24。透明导电层24设置在基体22的至少一个表面上。
所述基体22为一曲面型或平面型的结构。该基体22由玻璃、石英、金刚石或塑料等硬性材料或柔性材料形成。所述基体22主要起支撑的作用。
所述透明导电层24包括至少一个碳纳米管层，该碳纳米管层包括无序或有序排列的多个碳纳米管。当碳纳米管层包括多个有序碳纳米管时，所述的多个碳纳米管沿同一方向择优取向排列或沿不同方向择优取向排列或各向同性。具体地，上述碳纳米管层为一个碳纳米管薄膜或多个平行且无间隙铺设的碳纳米管薄膜。
此外，上述的透明导电层24包括至少两个重叠设置的碳纳米管层。每个碳纳米管层中的碳纳米管沿固定方向择优取向排列，相邻的两个碳纳米管层中的沿同一方向排列或沿不同方向排列，具体地，相邻的两个碳纳米管层 中的碳纳米管层具有一交叉角度α，0≤α≤90度，具体可依据实际需求制备。可以理解，由于上述透明导电层24中的碳纳米管层可重叠设置，故，上述透明导电层24的厚度不限，可根据实际需要制成具有任意厚度的透明导电层24。
本实施例中，该碳纳米管薄膜的宽度与碳纳米管阵列所生长的基底的尺寸有关，该碳纳米管薄膜的长度不限，可根据实际需求制得。由于采用CVD法生长在4英寸的基底生长超顺排碳纳米管阵列，并进行进一步地处理所得一碳纳米管薄膜，故该碳纳米管薄膜的宽度可为0.01厘米～10厘米，该碳纳米管薄膜的厚度为10纳米～100微米。上述碳纳米管薄膜包括单壁碳纳米管、双壁碳纳米管和多壁碳纳米管。当碳纳米管薄膜中的碳纳米管为单壁碳纳米管时，该单壁碳纳米管的直径为0.5纳米～50纳米。当碳纳米管薄膜中的碳纳米管为双壁碳纳米管时，该双壁碳纳米管的直径为1.0纳米～50纳米。当碳纳米管薄膜中的碳纳米管为多壁碳纳米管时，该多壁碳纳米管的直径为1.5纳米～50纳米。
本技术方案实施例透明导电层24包括至少两个重叠设置的碳纳米管层，每一碳纳米管层包括多个定向排列的碳纳米管，且相邻的两个碳纳米管层中的碳纳米管沿不同方向排列或沿同一方向排列。上述的透明导电层24的制备方法主要包括以下步骤：
步骤一：提供一碳纳米管阵列，优选地，该阵列为超顺排碳纳米管阵列。
本技术方案实施例提供的碳纳米管阵列为单壁碳纳米管阵列或多壁碳纳米管阵列中。本实施例中，超顺排碳纳米管阵列的制备方法采用化学气相沉积法，其具体步骤包括：(a)提供一平整基底，该基底可选用P型或N型硅基底，或选用形成有氧化层的硅基底，本实施例优选为采用4英寸的硅基底；(b)在基底表面均匀形成一催化剂层，该催化剂层材料可选用铁(Fe)、钴(Co)、镍(Ni)或其任意组合的合金之一；(c)将上述形成有催化剂层的基底在700～900℃的空气中退火约30分钟～90分钟；(d)将处理过的基底置于反应炉中，在保护气体环境下加热到500～740℃，然后通入碳源气体反应约5～30分钟，生长得到超顺排碳纳米管阵列，其高度为200～400微米。该超顺排碳纳米管阵列为多个彼此平行且垂直于基底生长的碳纳米管形成的纯碳纳米管阵列。通过上述控制生长条件，该超顺排碳纳米管阵列中基本 不含有杂质，如无定型碳或残留的催化剂金属颗粒等。该碳纳米管阵列中的碳纳米管彼此通过范德华力紧密接触形成阵列。该碳纳米管阵列与上述基底面积基本相同。
本实施例中碳源气可选用乙炔、乙烯、甲烷等化学性质较活泼的碳氢化合物，本实施例优选的碳源气为乙炔；保护气体为氮气或惰性气体，本实施例优选的保护气体为氩气。
可以理解，本实施例提供的碳纳米管阵列不限于上述制备方法。也可为石墨电极恒流电弧放电沉积法、激光蒸发沉积法等。
步骤二：采用一拉伸工具从碳纳米管阵列中拉取获得一碳纳米管薄膜。其具体包括以下步骤：(a)从上述碳纳米管阵列中选定一定宽度的多个碳纳米管片断，本实施例优选为采用具有一定宽度的胶带接触碳纳米管阵列以选定一定宽度的多个碳纳米管片断；(b)以一定速度沿基本垂直于碳纳米管阵列生长方向拉伸该多个碳纳米管片断，以形成一连续的碳纳米管薄膜。
在上述拉伸过程中，该多个碳纳米管片段在拉力作用下沿拉伸方向逐渐脱离基底的同时，由于范德华力作用，该选定的多个碳纳米管片断分别与其他碳纳米管片断首尾相连地连续地被拉出，从而形成一碳纳米管薄膜。该碳纳米管薄膜包括多个首尾相连且定向排列的碳纳米管束。该碳纳米管薄膜中碳纳米管的排列方向基本平行于碳纳米管薄膜的拉伸方向。
步骤三：制备上述的两个碳纳米管薄膜，并重叠且交叉设置，从而形成透明导电层24。
取上述制备的两个碳纳米管薄膜，每一个碳纳米管薄膜作为一个碳纳米管层。重叠设置上述的两个碳纳米管层，从而使得到上述两个碳纳米管层中的定向排列的碳纳米管之间具有一交叉角度α，0≤α≤90°。可以理解，由于碳纳米管薄膜中碳纳米管的排列方向基本平行于碳纳米管薄膜的拉伸方向，故，可以使得上述的两个碳纳米管层之间的碳纳米管成一交叉角度α设置。
请参阅图3，该碳纳米管薄膜为择优取向排列的多个碳纳米管束首尾相连形成的具有一定宽度的碳纳米管薄膜。该碳纳米管薄膜中碳纳米管的排列方向基本平行于碳纳米管薄膜的拉伸方向。该直接拉伸获得的择优取向排列的碳纳米管薄膜比无序的碳纳米管薄膜具有更好的均匀性，即具有更均匀的厚度以及具有均匀的导电性能。同时该直接拉伸获得碳纳米管薄膜的方法简 单快速，适宜进行工业化应用。故，采用本技术方案的碳纳米管层作透明导电层24，可以降低了电子元件30的制作。
可以理解，由于本实施例超顺排碳纳米管阵列中的碳纳米管非常纯净，且由于碳纳米管本身的比表面积非常大，所以该碳纳米管薄膜本身具有较强的粘性。因此，采用本实施例中的碳纳米管薄膜形成碳纳米管层，并作为透明导电层24时，可直接粘附在基体22的一个表面上。
另外，可使用有机溶剂处理上述粘附在基体22上的碳纳米管层。具体地，可通过试管将有机溶剂滴落在碳纳米管层表面浸润整个碳纳米管层。该有机溶剂为挥发性有机溶剂，如乙醇、甲醇、丙酮、二氯乙烷或氯仿，本实施例中采用乙醇。所述至少两个碳纳米管层经有机溶剂浸润处理后，在挥发性有机溶剂的表面张力的作用下，每一碳纳米管层中的平行的碳纳米管片断会部分聚集成碳纳米管束，因此，该碳纳米管层表面体积比小，无粘性，且具有良好的机械强度及韧性。
此外，根据实际需要，还可在透明导电层24的一个表面上设置有至少两个电极26。优选地，上述的至少两个电极26间隔设置在透明导电层24远离基体22的一个表面上。可以理解，上述的电极26也可以设置在透明导电层24的不同表面上，其关键在于确保上述的电极26与透明导电层24形成电连接即可。上述至少两个电极26的材料可以是铜、银、金、石墨或碳纳米管丝。具体地，在本实施例中，基体22为玻璃基板，所述至少两个电极26为由铜的镀层或者箔片组成的条状电极。所述电极26可以采用溅射、电镀、化学镀等沉积方法直接形成在透明导电层24上。另外，也可用银胶等导电粘结剂将上述的至少两个电极26粘结在透明导电层24上。
可以理解，在本技术方案提供的电子元件30的透明导电层24上采用光刻或激光刻蚀的方法，形成布线后，所述电子元件30可以用作透明电极或电路用于平面显示、光电、触摸屏、电致发光和电磁屏蔽(EMI)中。
具体地，当电子元件30用于作热源时，该电子元件30可包括两个电极，上述的两个电极间隔设置在透明导电层24的远离基体22的一个表面上。上述的两个电极分别连接导线后，接入电源。由于上述的两个电极间隔一定距离设置。故，在上述两个电极之间的透明导电层24上接入了一定的阻值，防止了短路现象的发生。因此，当电源接入后，电子元件30的透明导电层 24可辐射出一定波长范围的电磁波。
当用于触摸屏时，电子元件30可包括四个电极，上述的四个电极间隔设置在透明导电层24的远离基体22的一个表面上。上述的四个电极分别连接导线，接入电源。由于上述的四个电极间隔一定距离设置，且上述的透明导电层24包括一碳纳米管层，该碳纳米管层中的碳纳米管有序排列，从而使得透明导电层24具有均匀的阻值分布。故，接入电源后，在透明导电层24上形成均匀分布的等电位面。当手指或导电笔等触摸物触摸或靠近触摸屏的透明导电层24时，触摸物与透明导电层24之间形成一耦合电容。对于高频电流来说，电容是直接导体，于是手指从接触点吸走了一部分电流。这个电流分别从触摸屏20上的电极中流出，并且流经这四个电极的电流与手指到四角的距离成正比，触摸屏控制器通过对这四个电流比例的精确计算，得出触摸点的位置。
本技术方案实施例提供的电子元件30具有以下优点：其一，由于碳纳米管层具有很好的韧性和机械强度，故，采用碳纳米管层作透明导电层24，可以相应的提高电子元件30的耐用性。其二，由于碳纳米管层具有较均匀的结构，故，采用碳纳米管层作透明导电层24，可使得透明导电层24具有均匀的电阻，从而提高电子元件30的性能。其三，由于本技术方案的碳纳米管层可通过直接铺设作透明导电层24，而无需溅射和加热等工艺，故，降低了电子元件30的制作成本。
另外，本领域技术人员还可在本发明精神内做其他变化，当然，这些依据本发明精神所做的变化，都应包含在本发明所要求保护的范围之内。

Claims (13)

1.一种电子元件，包括一基体；一透明导电层，该透明导电层设置于上述基体的至少一个表面，其特征在于，所述透明导电层为由多个碳纳米管组成的至少一碳纳米管层，所述碳纳米管层中的碳纳米管沿固定方向择优取向排列。
2.如权利要求1所述的电子元件，其特征在于，所述碳纳米管层为一个碳纳米管薄膜或多个平行且无间隙铺设的碳纳米管薄膜，上述的碳纳米管薄膜包括多个沿同一方向择优取向排列的碳纳米管。
3.如权利要求2所述的电子元件，其特征在于，所述碳纳米管薄膜进一步包括多个碳纳米管束片段，每个碳纳米管束片段具有大致相等的长度且每个碳纳米管束片段由多个相互平行的碳纳米管束构成，碳纳米管束片段两端通过范德华力相互连接。
4.如权利要求2所述的电子元件，其特征在于，所述碳纳米管薄膜的厚度为0.01微米～100微米，所述碳纳米管薄膜的宽度为0.01厘米～10厘米。
5.如权利要求4所述的电子元件，其特征在于，所述碳纳米管包括单壁碳纳米管、双壁碳纳米管和多壁碳纳米管。
6.如权利要求5所述的电子元件，其特征在于，所述单壁碳纳米管的直径为0.5纳米～50纳米，双壁碳纳米管的直径为1.0纳米～50纳米，多壁碳纳米管的直径为1.5纳米～50纳米。
7.如权利要求1所述的电子元件，其特征在于，所述透明导电层包括至少两个重叠设置的碳纳米管层，每个碳纳米管层中的碳纳米管沿固定方向择优取向排列。
8.如权利要求7所述的电子元件，其特征在于，所述相邻两个碳纳米管层之间的碳纳米管沿不同方向排列或沿同一方向排列，即具有一交叉角度α，α大于等于0度且小于等于90度。
9.如权利要求1所述的电子元件，其特征在于，所述电子元件进一步包括至少两个电极，该至少两个电极间隔设置在上述透明导电层的一表面或基体的一表面，并与该透明导电层电连接。
10.如权利要求9所述的电子元件，其特征在于，所述至少两电极的材料为铜、银、金、钼或石墨。
11.如权利要求9所述的电子元件，其特征在于，所述至少两个电极通过一导电银胶设置在透明导电层上。
12.如权利要求1所述的电子元件，其特征在于，所述基体是平面基体或曲面基体。
13.如权利要求1所述的电子元件，其特征在于，所述基体的材料为玻璃、石英、金刚石或塑料。
CN2007101251026A 2007-12-12 2007-12-12 电子元件 Active CN101458975B (zh)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2007101251026A CN101458975B (zh) 2007-12-12 2007-12-12 电子元件
US12/286,143 US9040159B2 (en) 2007-12-12 2008-09-29 Electronic element having carbon nanotubes
KR1020080124106A KR101297525B1 (ko) 2007-12-12 2008-12-08 전자부품
EP20080253920 EP2071631A3 (en) 2007-12-12 2008-12-08 Electronic element having carbon nanotubes
JP2008317354A JP4648451B2 (ja) 2007-12-12 2008-12-12 電子素子

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2007101251026A CN101458975B (zh) 2007-12-12 2007-12-12 电子元件

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101458975A CN101458975A (zh) 2009-06-17
CN101458975B true CN101458975B (zh) 2012-05-16

Family

ID=40491498

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2007101251026A Active CN101458975B (zh) 2007-12-12 2007-12-12 电子元件

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9040159B2 (zh)
EP (1) EP2071631A3 (zh)
JP (1) JP4648451B2 (zh)
KR (1) KR101297525B1 (zh)
CN (1) CN101458975B (zh)

Families Citing this family (66)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101437663B (zh) 2004-11-09 2013-06-19 得克萨斯大学体系董事会 纳米纤维带和板以及加捻和无捻纳米纤维纱线的制造和应用
CN101458975B (zh) * 2007-12-12 2012-05-16 清华大学 电子元件
US8249279B2 (en) * 2008-04-28 2012-08-21 Beijing Funate Innovation Technology Co., Ltd. Thermoacoustic device
US8259967B2 (en) * 2008-04-28 2012-09-04 Tsinghua University Thermoacoustic device
US8452031B2 (en) * 2008-04-28 2013-05-28 Tsinghua University Ultrasonic thermoacoustic device
US8270639B2 (en) * 2008-04-28 2012-09-18 Tsinghua University Thermoacoustic device
US8259968B2 (en) * 2008-04-28 2012-09-04 Tsinghua University Thermoacoustic device
CN101656907B (zh) * 2008-08-22 2013-03-20 清华大学 音箱
CN101715155B (zh) * 2008-10-08 2013-07-03 清华大学 耳机
CN101715160B (zh) * 2008-10-08 2013-02-13 清华大学 柔性发声装置及发声旗帜
US8325947B2 (en) * 2008-12-30 2012-12-04 Bejing FUNATE Innovation Technology Co., Ltd. Thermoacoustic device
CN101771922B (zh) * 2008-12-30 2013-04-24 清华大学 发声装置
US8300855B2 (en) * 2008-12-30 2012-10-30 Beijing Funate Innovation Technology Co., Ltd. Thermoacoustic module, thermoacoustic device, and method for making the same
CN101922755A (zh) * 2009-06-09 2010-12-22 清华大学 取暖墙
CN101943850B (zh) * 2009-07-03 2013-04-24 清华大学 发声银幕及使用该发声银幕的放映系统
CN101990152B (zh) * 2009-08-07 2013-08-28 清华大学 热致发声装置及其制备方法
CN102006542B (zh) 2009-08-28 2014-03-26 清华大学 发声装置
CN102024524B (zh) * 2009-09-11 2012-08-29 群康科技(深圳)有限公司 透光薄膜的制造方法及透光薄膜
CN102023297B (zh) * 2009-09-11 2015-01-21 清华大学 声纳系统
CN102034467B (zh) * 2009-09-25 2013-01-30 北京富纳特创新科技有限公司 发声装置
CN102056064B (zh) * 2009-11-06 2013-11-06 清华大学 扬声器
CN102056065B (zh) * 2009-11-10 2014-11-12 北京富纳特创新科技有限公司 发声装置
CN102065363B (zh) * 2009-11-16 2013-11-13 北京富纳特创新科技有限公司 发声装置
KR101622683B1 (ko) * 2009-12-15 2016-05-19 엘지전자 주식회사 휴대 단말기
TW201203041A (en) * 2010-03-05 2012-01-16 Canatu Oy A touch sensitive film and a touch sensing device
FI125151B (fi) 2010-03-05 2015-06-15 Canatu Oy Menetelmä konformisen elementin valmistamiseksi
CN101880035A (zh) 2010-06-29 2010-11-10 清华大学 碳纳米管结构
CN101976594A (zh) * 2010-08-31 2011-02-16 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 一种碳纳米管纤维的复合导线应用及其制备方法
CN101963864B (zh) * 2010-10-14 2013-03-13 北京富纳特创新科技有限公司 触摸屏
CN102479015B (zh) * 2010-11-26 2015-04-08 群康科技(深圳)有限公司 电容式触摸屏
TWI581135B (zh) * 2011-09-30 2017-05-01 加拿都公司 觸感薄膜、觸感裝置及電子裝置
US9068283B2 (en) * 2011-10-28 2015-06-30 Board Of Trustees Of The University Of Arkansas Strain sensors, methods of making same, and applications of same
CN103293341B (zh) * 2012-02-23 2015-07-01 清华大学 原子力显微镜探针
CN103377755B (zh) 2012-04-25 2015-12-09 北京富纳特创新科技有限公司 导电元件
CN103373719B (zh) 2012-04-25 2015-11-25 北京富纳特创新科技有限公司 碳纳米管膜的制备方法
CN103377749B (zh) * 2012-04-25 2016-08-10 北京富纳特创新科技有限公司 电子元件
CN103377774B (zh) 2012-04-25 2015-11-25 北京富纳特创新科技有限公司 导电元件的制备装置及制备方法
US9086523B2 (en) * 2012-05-29 2015-07-21 The Boeing Company Nanotube signal transmission system
CN103576356A (zh) * 2012-07-23 2014-02-12 天津富纳源创科技有限公司 具有触控功能的液晶模组的制备方法
CN103576352A (zh) * 2012-07-23 2014-02-12 天津富纳源创科技有限公司 具有触控功能的液晶模组
CN103576351A (zh) * 2012-07-23 2014-02-12 天津富纳源创科技有限公司 具有触控功能的液晶模组
JP6228605B2 (ja) 2012-08-01 2017-11-08 ザ ボード オブ リージェンツ，ザ ユニバーシティ オブ テキサス システム コイル状および非コイル状ナノファイバー撚糸およびポリマーファイバーのねじりおよび引張アクチュエータ
CN103838440B (zh) * 2012-11-23 2016-08-10 北京富纳特创新科技有限公司 触摸屏
CN103854804B (zh) * 2012-11-28 2016-10-26 清华大学 透明导电元件的制备方法
CN103489506A (zh) * 2013-10-14 2014-01-01 广州天极电子科技有限公司 表面覆金微波电路用短路片及其制造方法
WO2014135067A1 (zh) * 2013-10-22 2014-09-12 中兴通讯股份有限公司 模式切换方法及装置
CN104779346B (zh) * 2014-01-15 2017-04-12 清华大学 相变存储单元的制备方法
CN104944406B (zh) * 2014-03-31 2018-02-27 清华大学 碳纳米管结构的制备方法
CN104944409B (zh) 2014-03-31 2018-03-02 清华大学 碳纳米管阵列的转移方法及碳纳米管结构的制备方法
CN104944408B (zh) 2014-03-31 2017-06-06 清华大学 碳纳米管阵列的转移方法及碳纳米管结构的制备方法
CN104944407B (zh) 2014-03-31 2017-06-06 清华大学 碳纳米管阵列的转移方法及碳纳米管结构的制备方法
CN104973584B (zh) 2014-04-14 2018-03-02 清华大学 碳纳米管阵列的转移方法及碳纳米管结构的制备方法
CN104973585B (zh) 2014-04-14 2017-04-05 清华大学 碳纳米管膜的制备方法
CN104973586B (zh) 2014-04-14 2017-06-06 清华大学 碳纳米管膜的制备方法
CN104973583B (zh) 2014-04-14 2017-04-05 清华大学 碳纳米管阵列的转移方法及碳纳米管结构的制备方法
CN104973587B (zh) 2014-04-14 2017-05-17 清华大学 碳纳米管膜的制备方法
CN105399044B (zh) 2014-06-13 2017-07-07 清华大学 碳纳米管膜的制备方法
CN105271105B (zh) * 2014-06-13 2017-01-25 清华大学 碳纳米管阵列的转移方法及碳纳米管结构的制备方法
CN105329872B (zh) * 2014-06-16 2017-04-12 清华大学 碳纳米管阵列的转移方法及碳纳米管结构的制备方法
CN105197875B (zh) 2014-06-19 2017-02-15 清华大学 图案化碳纳米管阵列的制备方法及碳纳米管器件
CN105329842B (zh) 2014-06-18 2017-06-06 清华大学 碳纳米管阵列的转移方法及碳纳米管结构的制备方法
CN105338460B (zh) 2014-07-21 2018-05-01 清华大学 热致发声装置及其制备方法
CN105712314B (zh) 2014-12-05 2017-12-01 清华大学 碳纳米管阵列的制备方法和碳纳米管膜的制备方法
US9968004B2 (en) 2015-09-25 2018-05-08 Laird Technologies, Inc. Thermal interface materials including electrically-conductive material
CN107083556B (zh) * 2017-04-22 2019-01-01 富吉一纯 水的电分解用电极及该电极的制造方法
CN109971373B (zh) * 2017-12-28 2021-01-26 清华大学 一种粘结方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1483667A (zh) * 2002-09-16 2004-03-24 �廪��ѧ 一种碳纳米管绳及其制造方法
CN1501317A (zh) * 2002-11-14 2004-06-02 Lg.������Lcd���޹�˾ 显示设备的触摸屏
CN1543399A (zh) * 2001-03-26 2004-11-03 含碳纳米管的涂层
CN1948144A (zh) * 2006-11-10 2007-04-18 清华大学 一种超长定向的碳纳米管丝/薄膜及其制备方法

Family Cites Families (192)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5752916A (en) 1980-09-09 1982-03-29 Toyota Motor Corp Constant-speed running device
US4461793A (en) 1983-02-07 1984-07-24 W. H. Brady Co. Printable coating for heatshrinkable materials
JPS60218274A (ja) 1984-04-12 1985-10-31 三菱電機株式会社 エレベ−タの位置検出回路
JPH0628090B2 (ja) 1985-01-30 1994-04-13 ティーディーケイ株式会社 磁気記録媒体
JPS61231626A (ja) 1985-04-05 1986-10-15 Asahi Chem Ind Co Ltd 位置検出用導電性シ−ト
JPH0667788B2 (ja) 1985-05-28 1994-08-31 松下電工株式会社 無機硬化体組成物
JPS61283918A (ja) 1985-06-11 1986-12-13 Shin Etsu Polymer Co Ltd タツチ式座標入力装置
US4659873A (en) * 1985-07-19 1987-04-21 Elographics, Inc. Fabric touch sensor and method of manufacture
JPS62139028A (ja) 1985-12-13 1987-06-22 Hitachi Ltd タツチ入力パネル
JPS62182916A (ja) 1986-02-07 1987-08-11 Shin Etsu Polymer Co Ltd 透明図形入力タブレツト
JPH0778706B2 (ja) 1986-02-17 1995-08-23 セイコーエプソン株式会社 入力装置およびその製造方法
JPH01214919A (ja) 1988-02-24 1989-08-29 Canon Inc タッチパネル
US4853498A (en) * 1988-06-13 1989-08-01 Tektronix, Inc. Position measurement apparatus for capacitive touch panel system
US4933660A (en) * 1989-10-27 1990-06-12 Elographics, Inc. Touch sensor with touch pressure capability
DE69032091T2 (de) * 1989-12-28 1998-08-20 Gunze Kk Eingabesystem mit berührungsempfindlicher Widerstandsfilmtafel
US5861583A (en) * 1992-06-08 1999-01-19 Synaptics, Incorporated Object position detector
JPH06339252A (ja) 1993-05-27 1994-12-06 Mabuchi Motor Co Ltd 小型直流モータの回転検出装置
TW242732B (en) 1993-06-29 1995-03-11 Victor Company Of Japan Digital chrominance signal processing circuit
JPH08222893A (ja) 1995-02-17 1996-08-30 Japan Tobacco Inc ワーク実装機の吸着ノズル
JPH08287775A (ja) 1995-04-17 1996-11-01 Brother Ind Ltd タッチパネル
US6373472B1 (en) * 1995-10-13 2002-04-16 Silviu Palalau Driver control interface system
US5853877A (en) * 1996-05-31 1998-12-29 Hyperion Catalysis International, Inc. Method for disentangling hollow carbon microfibers, electrically conductive transparent carbon microfibers aggregation film amd coating for forming such film
JP3861333B2 (ja) 1996-08-27 2006-12-20 松下電器産業株式会社 座標位置入力装置
JPH10246605A (ja) 1997-03-05 1998-09-14 Kanto Bussan Kk 感圧入力パネルセンサ
US7663607B2 (en) 2004-05-06 2010-02-16 Apple Inc. Multipoint touchscreen
JP3309851B2 (ja) * 1998-05-15 2002-07-29 東洋紡績株式会社 透明導電性フィルムおよびタッチパネル
US5931764A (en) 1998-06-24 1999-08-03 Viztec, Inc. Wearable device with flexible display
KR100300431B1 (ko) 1999-06-23 2001-11-01 김순택 터치 패널
US6664950B1 (en) * 1999-11-17 2003-12-16 L-3 Communications Resistive touch panel using removable, tensioned top layer
JP2001222378A (ja) * 2000-02-10 2001-08-17 Nec Saitama Ltd タッチパネル入力装置
JP2001267782A (ja) 2000-03-21 2001-09-28 Shimadzu Corp 電磁波吸収遮蔽材料
TW521227B (en) 2000-03-31 2003-02-21 Sharp Kk Electrode substrate, method for producing the same and display device including the same
KR100698898B1 (ko) 2000-08-03 2007-03-22 한국터치스크린(주) 터치판넬
US6423583B1 (en) * 2001-01-03 2002-07-23 International Business Machines Corporation Methodology for electrically induced selective breakdown of nanotubes
TW521259B (en) * 2001-01-11 2003-02-21 Atouch Co Ltd Flat panel display with input device
JP2002278701A (ja) 2001-03-21 2002-09-27 Nissha Printing Co Ltd タッチパネル
US6706402B2 (en) * 2001-07-25 2004-03-16 Nantero, Inc. Nanotube films and articles
JP2003099193A (ja) 2001-09-21 2003-04-04 Tohoku Pioneer Corp 画面表示入力装置
JP2003099192A (ja) 2001-09-21 2003-04-04 Aiphone Co Ltd 静電容量式タッチパネル装置
TW508652B (en) 2001-10-03 2002-11-01 Taiwan Semiconductor Mfg Device and method for wafer drying
JP3798287B2 (ja) * 2001-10-10 2006-07-19 Ｓｍｋ株式会社 タッチパネル入力装置
US7462498B2 (en) 2001-10-19 2008-12-09 Applied Nanotech Holdings, Inc. Activation of carbon nanotubes for field emission applications
KR100840670B1 (ko) 2001-12-27 2008-06-24 엘지디스플레이 주식회사 터치패널 일체형 액정표시패널
KR20030055856A (ko) 2001-12-27 2003-07-04 엘지.필립스 엘시디 주식회사 필름 타입 터치패널 일체형 액정표시장치의 제조방법
KR100796489B1 (ko) 2001-12-28 2008-01-21 엘지.필립스 엘시디 주식회사 터치패널장치 및 그의 제조방법
US7189430B2 (en) * 2002-02-11 2007-03-13 Rensselaer Polytechnic Institute Directed assembly of highly-organized carbon nanotube architectures
JP4051988B2 (ja) 2002-04-09 2008-02-27 富士ゼロックス株式会社 光電変換素子および光電変換装置
CN2539375Y (zh) 2002-04-15 2003-03-05 湖南三才光电信息材料有限公司 一种高稳定的柔性透明导电复合膜
WO2003099709A2 (en) * 2002-05-21 2003-12-04 Eikos, Inc. Method for patterning carbon nanotube coating and carbon nanotube wiring
JP3877302B2 (ja) 2002-06-24 2007-02-07 本田技研工業株式会社 カーボンナノチューブの形成方法
WO2004019119A1 (en) 2002-08-20 2004-03-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Light guide plate and liquid crystal display having the same
CN1281982C (zh) 2002-09-10 2006-10-25 清华大学 一种偏光元件及其制造方法
KR100451773B1 (ko) 2002-11-20 2004-10-08 엘지.필립스 엘시디 주식회사 디지털 저항막 방식의 터치 패널
CA2511771A1 (en) 2002-12-06 2004-06-24 Eikos, Inc. Optically transparent nanostructured electrical conductors
JP2004189573A (ja) 2002-12-13 2004-07-08 Jfe Engineering Kk カーボンナノチューブ集合体およびこれを設置したカーボンナノチューブ設置装置
CN1286715C (zh) * 2002-12-21 2006-11-29 清华大学 一种碳纳米管阵列结构及其生长方法
KR100685954B1 (ko) * 2002-12-24 2007-02-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 터치 패널
CN1321885C (zh) 2003-01-23 2007-06-20 南昌大学 在软基底上制造定向碳纳米管膜方法
JP2007112133A (ja) 2003-01-30 2007-05-10 Takiron Co Ltd 導電性成形体
JP2004230690A (ja) * 2003-01-30 2004-08-19 Takiron Co Ltd 制電性透明樹脂板
JP4471346B2 (ja) 2003-01-31 2010-06-02 タキロン株式会社 電磁波シールド体
JP4572543B2 (ja) 2003-02-14 2010-11-04 東レ株式会社 電界効果型トランジスタ並びにそれを用いた液晶表示装置
KR100509763B1 (ko) * 2003-03-11 2005-08-25 엘지전자 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널의 전면필터
CN1186745C (zh) 2003-03-18 2005-01-26 中国电子科技集团公司第五十五研究所 高可靠的触摸屏及其制作工艺
US7150865B2 (en) 2003-03-31 2006-12-19 Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha Method for selective enrichment of carbon nanotubes
JP4586334B2 (ja) * 2003-05-07 2010-11-24 ソニー株式会社 電界効果型トランジスタ及びその製造方法
CN2638143Y (zh) 2003-05-24 2004-09-01 江阴市华丽计算机网络工程有限公司 多功能pda
GB0313808D0 (en) * 2003-06-14 2003-07-23 Binstead Ronald P Improvements in touch technology
JP2005037851A (ja) 2003-06-24 2005-02-10 Seiko Epson Corp 電気泳動分散液、電気泳動表示装置、電気泳動表示装置の製造方法および電子機器
CN1315362C (zh) 2003-06-27 2007-05-09 中国科学院上海硅酸盐研究所 具有微波吸收功能的碳纳米管/陶瓷复合材料及制备方法
JP4325479B2 (ja) * 2003-07-17 2009-09-02 セイコーエプソン株式会社 有機トランジスタの製造方法、アクティブマトリクス装置の製造方法、表示装置の製造方法および電子機器の製造方法
TWI249134B (en) 2003-07-23 2006-02-11 Wintek Corp Touch panel structure
JP2005056604A (ja) * 2003-08-06 2005-03-03 Hitachi Displays Ltd 自発光型平面表示装置
JP2005067976A (ja) 2003-08-27 2005-03-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd ナノチューブの製造方法
JP2005085485A (ja) 2003-09-04 2005-03-31 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置とその駆動方法並びに電子機器
JP4614645B2 (ja) 2003-10-06 2011-01-19 ソニー株式会社 携帯通信端末
JP4415653B2 (ja) 2003-11-19 2010-02-17 セイコーエプソン株式会社 薄膜トランジスタの製造方法
JP4804711B2 (ja) * 2003-11-21 2011-11-02 株式会社 日立ディスプレイズ 画像表示装置
JP4038685B2 (ja) 2003-12-08 2008-01-30 独立行政法人科学技術振興機構 アクチュエータ素子
US20050209392A1 (en) * 2003-12-17 2005-09-22 Jiazhong Luo Polymer binders for flexible and transparent conductive coatings containing carbon nanotubes
JP2005182339A (ja) 2003-12-18 2005-07-07 Kawaguchiko Seimitsu Co Ltd タッチパネル及びそれを備えた画面入力型表示装置
US7307626B2 (en) * 2004-01-27 2007-12-11 Tyco Electronics Corporation Capacitive touch sensor
JP4336592B2 (ja) 2004-02-04 2009-09-30 シチズンホールディングス株式会社 位置入力装置
JP2005286158A (ja) 2004-03-30 2005-10-13 Seiko Epson Corp パターン形成方法、電子デバイス及びその製造方法並びに電子機器
JP4512750B2 (ja) * 2004-04-19 2010-07-28 独立行政法人科学技術振興機構 炭素系微細構造物群、炭素系微細構造物の集合体、その利用およびその製造方法
KR100832259B1 (ko) 2004-04-20 2008-05-28 타키론 가부시기가이샤 터치 패널용 투명 전기전도 성형체 및 터치 패널
CN1690915A (zh) 2004-04-28 2005-11-02 秦建忠 双屏笔记本电脑
TWI261716B (en) 2004-05-13 2006-09-11 Quanta Display Inc Liquid crystal display apparatus and fabrication thereof
WO2005113432A1 (en) * 2004-05-14 2005-12-01 Sony Deutschland Gmbh Composite materials comprising carbon nanotubes and metal carbonates
CN2706973Y (zh) 2004-06-30 2005-06-29 陈凯 掐指式手套手机
JP5178192B2 (ja) 2004-07-06 2013-04-10 マリミルズ オサケ ユキチュア 電界検出用センサ製品
CN1998067B (zh) 2004-07-06 2010-07-14 毫微-专卖股份有限公司 在场致发射应用中对碳纳米管的激活
US7194912B2 (en) * 2004-07-13 2007-03-27 United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Carbon nanotube-based sensor and method for continually sensing changes in a structure
US7129097B2 (en) * 2004-07-29 2006-10-31 International Business Machines Corporation Integrated circuit chip utilizing oriented carbon nanotube conductive layers
JP4539241B2 (ja) * 2004-09-02 2010-09-08 パナソニック株式会社 タッチパネル及びその製造方法
TWI249708B (en) 2004-09-09 2006-02-21 Ind Tech Res Inst Analog resistive touch panel without bias
US7345296B2 (en) 2004-09-16 2008-03-18 Atomate Corporation Nanotube transistor and rectifying devices
WO2006030981A1 (ja) 2004-09-17 2006-03-23 National Institute Of Advanced Industrial Scienceand Technology 透明導電性カーボンナノチューブフィルムとその製造方法
JP4639714B2 (ja) * 2004-09-17 2011-02-23 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置及びこの液晶表示装置を備えた携帯情報端末
US7573547B2 (en) * 2004-09-27 2009-08-11 Idc, Llc System and method for protecting micro-structure of display array using spacers in gap within display device
JP2006171336A (ja) 2004-12-15 2006-06-29 Takiron Co Ltd 画像表示用透明電極体および画像表示装置
US8223444B2 (en) * 2005-01-07 2012-07-17 Olympus Corporation Medium exhibiting negative refraction, optical element, and optical system
US20060262055A1 (en) * 2005-01-26 2006-11-23 Toshiba Matsushita Display Technology Plane display device
TWI258708B (en) 2005-01-27 2006-07-21 Apex Material Technology Corp Resistive touch panel, and it manufacturing method
JP5028744B2 (ja) 2005-02-15 2012-09-19 富士通株式会社 カーボンナノチューブの形成方法および電子デバイスの製造方法
TWI267014B (en) * 2005-02-21 2006-11-21 Au Optronics Corp Organic light emitting diode display
US20060188721A1 (en) 2005-02-22 2006-08-24 Eastman Kodak Company Adhesive transfer method of carbon nanotube layer
JP4679182B2 (ja) 2005-03-04 2011-04-27 株式会社シーズ・ラボ 地図表示方法、地図表示プログラムおよび地図表示装置
US20060213251A1 (en) * 2005-03-24 2006-09-28 University Of Florida Research Foundation, Inc. Carbon nanotube films for hydrogen sensing
JP2006269311A (ja) 2005-03-25 2006-10-05 Toray Ind Inc 金属を担持した担体と炭素含有化合物を接触させて得たカーボンナノチューブを含む透明導電性フィルム
TWI253846B (en) * 2005-03-28 2006-04-21 Ind Tech Res Inst Photo-sensing display unit
JP2006285068A (ja) 2005-04-04 2006-10-19 Nikkiso Co Ltd 導電性偏光フィルム
KR100770258B1 (ko) * 2005-04-22 2007-10-25 삼성에스디아이 주식회사 유기 박막트랜지스터 및 그의 제조 방법
JP2006310154A (ja) * 2005-04-28 2006-11-09 Bussan Nanotech Research Institute Inc 透明導電膜および透明導電膜用コーティング組成物
WO2006120803A1 (ja) 2005-05-10 2006-11-16 Sumitomo Precision Products Co., Ltd 高熱伝導複合材料とその製造方法
DE102006023993A1 (de) * 2005-05-23 2007-03-08 Wang, Ran-Hong, Tustin Polarisationssteuerung für Flüssigkristallanzeigen
KR101192391B1 (ko) * 2005-05-26 2012-10-17 군제 가부시키가이샤 투명 평면체 및 투명 터치스위치
US7645497B2 (en) * 2005-06-02 2010-01-12 Eastman Kodak Company Multi-layer conductor with carbon nanotubes
US7593004B2 (en) * 2005-06-02 2009-09-22 Eastman Kodak Company Touchscreen with conductive layer comprising carbon nanotubes
US7535462B2 (en) * 2005-06-02 2009-05-19 Eastman Kodak Company Touchscreen with one carbon nanotube conductive layer
US8545790B2 (en) * 2005-06-04 2013-10-01 Gregory Konesky Cross-linked carbon nanotubes
US20090032777A1 (en) * 2005-06-07 2009-02-05 Kuraray Co., Ltd. Carbon nanotube dispersion liquid and transparent conductive film using same
JP2007011997A (ja) 2005-07-04 2007-01-18 Fujitsu Component Ltd タッチパネル
JP2007018226A (ja) 2005-07-07 2007-01-25 Three M Innovative Properties Co タッチパネルセンサー
WO2007012899A1 (en) 2005-07-25 2007-02-01 Plastic Logic Limited Flexible touch screen display
CN1903793A (zh) 2005-07-26 2007-01-31 中国科学院物理研究所 一种碳硅复合材料及其制备方法和用途
JP4982980B2 (ja) 2005-07-29 2012-07-25 ソニー株式会社 金属的カーボンナノチューブの分離方法、半導体的カーボンナノチューブ薄膜の製造方法、薄膜トランジスタの製造方法および電子素子の製造方法
AU2006279590A1 (en) 2005-08-12 2007-02-22 Cambrios Technologies Corporation Nanowires-based transparent conductors
CN100336192C (zh) 2005-08-18 2007-09-05 上海交通大学 纳米材料键合在金属电极上的方法
JP2007073706A (ja) 2005-09-06 2007-03-22 Seiko Epson Corp 配線基板、電気光学装置、電子機器、および配線基板の製造方法
JP2007123870A (ja) 2005-09-29 2007-05-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 平板表示装置およびその製造方法
CN100543905C (zh) * 2005-09-30 2009-09-23 北京富纳特创新科技有限公司 一种场发射装置及其制备方法
US7995777B2 (en) * 2005-10-03 2011-08-09 Xun Yu Thin film transparent acoustic transducer
US20070085838A1 (en) 2005-10-17 2007-04-19 Ricks Theodore K Method for making a display with integrated touchscreen
CN100412654C (zh) * 2005-10-27 2008-08-20 清华大学 液晶显示装置及其制造方法
CN100427388C (zh) 2005-11-25 2008-10-22 清华大学 一种大面积的超薄碳纳米管膜及其制备工艺
EP1973089B1 (en) 2005-11-29 2010-12-29 Seiko Instruments Inc. Process for producing display and method of laminating
CN101326207B (zh) 2005-12-06 2010-12-01 三菱丽阳株式会社 含碳纳米管组合物、复合体及它们的制造方法
JP4908136B2 (ja) 2005-12-06 2012-04-04 三菱レイヨン株式会社 カーボンナノチューブ含有組成物、複合体、およびそれらの製造方法
CN2844974Y (zh) 2005-12-08 2006-12-06 比亚迪股份有限公司 触摸型液晶显示器
CN100462301C (zh) 2005-12-09 2009-02-18 清华大学 一种碳纳米管阵列的制备方法
CN100500556C (zh) 2005-12-16 2009-06-17 清华大学 碳纳米管丝及其制作方法
US8264137B2 (en) * 2006-01-03 2012-09-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Curing binder material for carbon nanotube electron emission cathodes
JP5050352B2 (ja) 2006-01-10 2012-10-17 Ｎｏｋ株式会社 炭素材料薄膜の後処理方法
US8421755B2 (en) * 2006-01-17 2013-04-16 World Properties, Inc. Capacitive touch sensor with integral EL backlight
JP4779681B2 (ja) 2006-02-07 2011-09-28 パナソニック株式会社 タッチパネル
KR20070081902A (ko) 2006-02-14 2007-08-20 삼성전자주식회사 액정 표시 장치
JP2007229989A (ja) 2006-02-28 2007-09-13 Takiron Co Ltd 導電性成形体及びその製造方法
WO2007099975A1 (ja) 2006-02-28 2007-09-07 Toyo Boseki Kabushiki Kaisha カーボンナノチューブ集合体、カーボンナノチューブ繊維及びカーボンナノチューブ繊維の製造方法
TWM306694U (en) 2006-03-15 2007-02-21 Ushine Photonics Corp Durable resistive touch screen
TWI308290B (en) * 2006-03-17 2009-04-01 Innolux Display Corp Touch panel
JP4799237B2 (ja) 2006-03-27 2011-10-26 三洋電機株式会社 変位検出センサ、変位検出装置及び端末装置
US20090056854A1 (en) * 2006-04-04 2009-03-05 Top-Nanosis, Inc. Method for manufacturing conductive composite material
JP2007310869A (ja) 2006-04-17 2007-11-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 入力装置の制御方法およびこれに用いる入力装置
CN101059738A (zh) 2006-04-20 2007-10-24 铼宝科技股份有限公司 向上发光型有机发光二极管的透明触摸屏幕
GB2437827B (en) 2006-05-05 2008-03-26 Harald Philipp Touch screen element
KR20070113763A (ko) 2006-05-26 2007-11-29 삼성전자주식회사 탄소나노튜브 패턴 형성방법 및 그에 의해 수득된탄소나노튜브 패턴
US7796123B1 (en) 2006-06-20 2010-09-14 Eastman Kodak Company Touchscreen with carbon nanotube conductive layers
US7630041B2 (en) * 2006-06-23 2009-12-08 Tsinghua University Liquid crystal cell assembly for liquid crystal display
US20080048996A1 (en) * 2006-08-11 2008-02-28 Unidym, Inc. Touch screen devices employing nanostructure networks
KR20060129977A (ko) 2006-09-08 2006-12-18 아이티엠 주식회사 고 내구성을 갖는 저항막 방식 터치스크린 패널 및 그제조방법
KR100790216B1 (ko) 2006-10-17 2008-01-02 삼성전자주식회사 전도성 분산제를 이용한 ｃｎｔ 투명전극 및 그의 제조방법
JP4350740B2 (ja) 2006-12-05 2009-10-21 レノボ・シンガポール・プライベート・リミテッド 携帯式電子機器、画面の表示方向の変更方法、プログラムおよび記憶媒体
CN100405617C (zh) 2006-12-29 2008-07-23 清华大学 基于碳纳米管薄膜的太阳能电池及其制备方法
US20080192014A1 (en) * 2007-02-08 2008-08-14 Tyco Electronics Corporation Touch screen using carbon nanotube electrodes
CN101239712B (zh) 2007-02-09 2010-05-26 清华大学 碳纳米管薄膜结构及其制备方法
WO2008127780A2 (en) * 2007-02-21 2008-10-23 Nantero, Inc. Symmetric touch screen system with carbon nanotube-based transparent conductive electrode pairs
CN101276012B (zh) 2007-03-30 2016-04-27 清华大学 偏光元件及其制备方法
CN101280161B (zh) 2007-04-06 2013-01-09 清华大学 导电胶带及其制造方法
WO2008133999A1 (en) * 2007-04-24 2008-11-06 White Electronic Designs Corp. Interactive display system
KR20090023803A (ko) * 2007-09-03 2009-03-06 삼성전자주식회사 액정 표시 패널 및 이의 제조 방법
CN101419519B (zh) * 2007-10-23 2012-06-20 清华大学 触摸屏
CN101458606B (zh) * 2007-12-12 2012-06-20 清华大学 触摸屏、触摸屏的制备方法及使用该触摸屏的显示装置
CN101620454A (zh) * 2008-07-04 2010-01-06 清华大学 便携式电脑
CN101419518B (zh) 2007-10-23 2012-06-20 清华大学 触摸屏
CN101458593B (zh) * 2007-12-12 2012-03-14 清华大学 触摸屏及显示装置
CN101458594B (zh) * 2007-12-12 2012-07-18 清华大学 触摸屏及显示装置
CN101458597B (zh) * 2007-12-14 2011-06-08 清华大学 触摸屏、触摸屏的制备方法及使用该触摸屏的显示装置
EP2053495A3 (en) * 2007-10-23 2011-04-27 Tsinghua University Touch panel, method for making the same, and display device adopting the same
CN101458975B (zh) * 2007-12-12 2012-05-16 清华大学 电子元件
TWI351119B (en) 2007-12-14 2011-10-21 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Touch panel and displaying device using the same
TWI357167B (en) 2007-12-21 2012-01-21 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Touch panel, method for making the same, and displ
CN101470565B (zh) * 2007-12-27 2011-08-24 清华大学 触摸屏及显示装置
TWI364860B (en) 2007-12-21 2012-05-21 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Touch panel, method for making the same, and displaying device adopting the same
JP2008102968A (ja) 2007-12-28 2008-05-01 Fujitsu Component Ltd タッチパネル
TWI354921B (en) 2007-12-31 2011-12-21 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Touch panel and displaying device using the same
CN101582448B (zh) 2008-05-14 2012-09-19 清华大学 薄膜晶体管
US8132468B2 (en) * 2008-05-29 2012-03-13 Zoran Radivojevic Flexural deformation sensing device and a user interface using the same
US8237677B2 (en) 2008-07-04 2012-08-07 Tsinghua University Liquid crystal display screen
US8390580B2 (en) 2008-07-09 2013-03-05 Tsinghua University Touch panel, liquid crystal display screen using the same, and methods for making the touch panel and the liquid crystal display screen
TWI373727B (en) 2008-07-25 2012-10-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Portable computer
CN101989136B (zh) 2009-08-07 2012-12-19 清华大学 触摸屏及显示装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1543399A (zh) * 2001-03-26 2004-11-03 含碳纳米管的涂层
CN1483667A (zh) * 2002-09-16 2004-03-24 �廪��ѧ 一种碳纳米管绳及其制造方法
CN1501317A (zh) * 2002-11-14 2004-06-02 Lg.������Lcd���޹�˾ 显示设备的触摸屏
CN1948144A (zh) * 2006-11-10 2007-04-18 清华大学 一种超长定向的碳纳米管丝/薄膜及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
US9040159B2 (en) 2015-05-26
JP2009146898A (ja) 2009-07-02
CN101458975A (zh) 2009-06-17
EP2071631A2 (en) 2009-06-17
JP4648451B2 (ja) 2011-03-09
EP2071631A3 (en) 2014-10-01
KR101297525B1 (ko) 2013-08-16
KR20090063105A (ko) 2009-06-17
US20110171419A1 (en) 2011-07-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101458975B (zh) 电子元件
CN101470558B (zh) 触摸屏及显示装置
CN101458593B (zh) 触摸屏及显示装置
CN101470559B (zh) 触摸屏及显示装置
CN101470560B (zh) 触摸屏及显示装置
CN101458594B (zh) 触摸屏及显示装置
CN101458601B (zh) 触摸屏及显示装置
CN101458600B (zh) 触摸屏及显示装置
CN101400198B (zh) 面热光源,其制备方法及应用其加热物体的方法
CN101466252B (zh) 电磁屏蔽层及其制备方法
CN101458603B (zh) 触摸屏及显示装置
CN101458596B (zh) 触摸屏及显示装置
CN101458598A (zh) 触摸屏及显示装置
CN101458595B (zh) 触摸屏及显示装置
CN101458604B (zh) 触摸屏及显示装置
TW200926471A (en) Touch panel and displaying device using the same
TWI386831B (zh) 觸摸屏及顯示裝置
CN101471210B (zh) 热电子源
TWI436957B (zh) 電子元件
CN101458605B (zh) 触摸屏及显示装置
TWI423084B (zh) 觸摸屏及顯示裝置
TW200926472A (en) Touch panel and displaying device using the same

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant