KR100770258B1 - 유기 박막트랜지스터 및 그의 제조 방법 - Google Patents
유기 박막트랜지스터 및 그의 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100770258B1 KR100770258B1 KR1020050033663A KR20050033663A KR100770258B1 KR 100770258 B1 KR100770258 B1 KR 100770258B1 KR 1020050033663 A KR1020050033663 A KR 1020050033663A KR 20050033663 A KR20050033663 A KR 20050033663A KR 100770258 B1 KR100770258 B1 KR 100770258B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- thin film
- film transistor
- organic
- organic thin
- organic semiconductor
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/20—Carbon compounds, e.g. carbon nanotubes or fullerenes
- H10K85/221—Carbon nanotubes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having a potential-jump barrier or a surface barrier
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/466—Lateral bottom-gate IGFETs comprising only a single gate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having a potential-jump barrier or a surface barrier
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/484—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the channel regions
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having a potential-jump barrier or a surface barrier
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/484—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the channel regions
- H10K10/488—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the channel regions the channel region comprising a layer of composite material having interpenetrating or embedded materials, e.g. a mixture of donor and acceptor moieties, that form a bulk heterojunction
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
- H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/70—Nanostructure
- Y10S977/734—Fullerenes, i.e. graphene-based structures, such as nanohorns, nanococoons, nanoscrolls or fullerene-like structures, e.g. WS2 or MoS2 chalcogenide nanotubes, planar C3N4, etc.
- Y10S977/742—Carbon nanotubes, CNTs
Abstract
Description
Claims (20)
- 기판;상기 기판 상부에 형성되는 게이트 전극;상기 게이트 전극 상부에 형성되는 게이트 절연막;상기 게이트 절연막 상부에 형성되는 소오스/드레인 전극; 및상기 소오스/드레인 전극 상부에 형성되며 2종의 물질로 형성되는 유기 반도체층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터.
- 제 1 항에 있어서,상기 유기 반도체층은 탄소나노튜브와 유기 반도체 물질이 혼합되어이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터.
- 제 1 항에 있어서,상기 유기 반도체층은 탄소나노튜브 상부에 유기 반도체 물질을 코팅하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터.
- 제 2 항 또는 제 3항에 있어서,상기 탄소나노튜브는 금(Au), 백금(Pt), 실리콘(Si), 은(Ag), 철(Fe), 니켈(Ni), 코발트(Co) 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택되는 1종인 것을 특징 으로 하는 유기 박막트랜지스터.
- 제 4 항에 있어서,상기 탄소나노튜브는 단일벽(Single Walled), 다중벽(Multi Walled) 또는 다발형(Rope Type) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터.
- 제 4 항에 있어서,상기 탄소나노튜브는 지그재그, 암체어 또는 키랄 중 어느 하나의 구조인 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터.
- 제 4 항에 있어서,상기 탄소나노튜브는 직경이 0을 초과하고, 200㎚이내인 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터.
- 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,상기 유기 반도체 물질은 펜타센(Pentacene), 올리고티오펜(Oligo-Thiophene), 폴리알킬티오펜(Poly(Alkyl-Thiophene)) 및 폴리티에닐렌비닐렌(Poly(Thienylenevinylene))으로 이루어진 군에서 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터.
- 기판을 제공하고;상기 기판 상부에 게이트 전극을 형성하고;상기 게이트 전극 상부에 게이트 절연막을 형성하고;상기 게이트 전극 상부에 소오스/드레인 전극을 형성하고;상기 소오스/드레인 전극 상부에 탄소나노튜브와 유기 반도체 물질을 혼합한 유기막을 형성하고; 및상기 유기막을 소성하여 유기 반도체층을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터의 제조 방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 탄소나노튜브는 금(Au), 백금(Pt), 실리콘(Si), 은(Ag), 철(Fe), 니켈(Ni), 코발트(Co) 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터의 제조 방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 유기 반도체 물질은 펜타센(Pentacene), 올리고티오펜(Oligo-Thiophene), 폴리알킬티오펜(Poly(Alkyl-Thiophene)) 및 폴리티에닐렌비닐렌(Poly(Thienylenevinylene))으로 이루어진 군에서 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터의 제조 방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 유기막은 페이스트 상태를 스핀 코팅, 잉크젯 프린팅 또는 스크린 프린팅 방법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터의 제조 방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 소성 공정은 300℃ 이내의 온도로 진행하는 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터의 제조 방법.
- 기판을 제공하고;상기 기판 상부에 게이트 전극을 형성하고;상기 게이트 전극 상부에 게이트 절연막을 형성하고;상기 게이트 절연막 상부에 소오스/드레인 전극을 형성하고;상기 소오스/드레인 전극 상부에 탄소나노튜브층을 형성하고 ; 및상기 탄소나노튜브층 상부에 유기 반도체 물질을 코팅하여 유기 반도체층을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터의 제조 방법.
- 제 14 항에 있어서,상기 탄소나노튜브층은 금(Au), 백금(Pt), 실리콘(Si), 은(Ag), 철(Fe), 니켈(Ni), 코발트(Co) 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택되는 1종으로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터의 제조 방법.
- 제 14 항에 있어서,상기 탄소나노튜브층은 페이스트를 300℃ 이내의 온도에서 소성하여 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터의 제조 방법.
- 제 14 항에 있어서,상기 탄소나노튜브층은 산세(Acid Rinse) 또는 테이프를 이용하는 액티베이션 공정을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터의 제조 방법.
- 제 14 항에 있어서,상기 유기 반도체 물질은 펜타센(Pentacene), 올리고티오펜(Oligo-Thiophene), 폴리알킬티오펜(Poly(Alkyl-Thiophene)) 및 폴리티에닐렌비닐렌(Poly(Thienylenevinylene))으로 이루어진 군에서 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터의 제조 방법.
- 제 14 항에 있어서,상기 유기 반도체 물질은 진공증착법 또는 유기 기상증착법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터의 제조 방법.
- 제 19 항에 있어서,상기 유기 반도체 물질은 0 내지 5×10-4Torr의 진공도에서 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터의 제조 방법.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050033663A KR100770258B1 (ko) | 2005-04-22 | 2005-04-22 | 유기 박막트랜지스터 및 그의 제조 방법 |
JP2006116920A JP4435751B2 (ja) | 2005-04-22 | 2006-04-20 | 有機薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
US11/408,544 US7537975B2 (en) | 2005-04-22 | 2006-04-21 | Organic thin film transistor and method of fabricating the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050033663A KR100770258B1 (ko) | 2005-04-22 | 2005-04-22 | 유기 박막트랜지스터 및 그의 제조 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20060111203A KR20060111203A (ko) | 2006-10-26 |
KR100770258B1 true KR100770258B1 (ko) | 2007-10-25 |
Family
ID=37187477
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020050033663A KR100770258B1 (ko) | 2005-04-22 | 2005-04-22 | 유기 박막트랜지스터 및 그의 제조 방법 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7537975B2 (ko) |
JP (1) | JP4435751B2 (ko) |
KR (1) | KR100770258B1 (ko) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101001603B1 (ko) * | 2008-06-04 | 2010-12-17 | 경희대학교 산학협력단 | 유기 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
KR20180036891A (ko) * | 2016-09-30 | 2018-04-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막트랜지스터 어레이 기판 및 이를 포함하는 표시장치 |
KR20180036897A (ko) * | 2016-09-30 | 2018-04-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막트랜지스터 어레이 기판 및 이를 포함하는 표시장치 |
Families Citing this family (84)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5015438B2 (ja) * | 2005-08-30 | 2012-08-29 | 独立行政法人理化学研究所 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
US8138075B1 (en) | 2006-02-06 | 2012-03-20 | Eberlein Dietmar C | Systems and methods for the manufacture of flat panel devices |
KR100756817B1 (ko) * | 2006-04-06 | 2007-09-07 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
KR100730223B1 (ko) * | 2006-07-21 | 2007-06-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 박막 트랜지스터의 제조방법 |
KR101357042B1 (ko) * | 2007-03-12 | 2014-02-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치의 제조방법 |
JPWO2008155930A1 (ja) | 2007-06-20 | 2010-08-26 | 日本電気株式会社 | スイッチング素子 |
US20100140600A1 (en) * | 2007-06-28 | 2010-06-10 | 3M Innovative Properties Company | Thin film transistors incorporating interfacial conductive clusters |
JP5333221B2 (ja) * | 2007-09-07 | 2013-11-06 | 日本電気株式会社 | カーボンナノチューブ構造物及び薄膜トランジスタ |
US8309992B2 (en) | 2007-09-07 | 2012-11-13 | Nec Corporation | Switching element including carbon nanotubes and method for manufacturing the same |
CN101656769B (zh) * | 2008-08-22 | 2012-10-10 | 清华大学 | 移动电话 |
CN101458600B (zh) * | 2007-12-14 | 2011-11-30 | 清华大学 | 触摸屏及显示装置 |
CN101464763B (zh) * | 2007-12-21 | 2010-09-29 | 清华大学 | 触摸屏的制备方法 |
CN101458594B (zh) * | 2007-12-12 | 2012-07-18 | 清华大学 | 触摸屏及显示装置 |
CN101458604B (zh) * | 2007-12-12 | 2012-03-28 | 清华大学 | 触摸屏及显示装置 |
CN101458603B (zh) * | 2007-12-12 | 2011-06-08 | 北京富纳特创新科技有限公司 | 触摸屏及显示装置 |
CN101458599B (zh) * | 2007-12-14 | 2011-06-08 | 清华大学 | 触摸屏、触摸屏的制备方法及使用该触摸屏的显示装置 |
CN101458596B (zh) * | 2007-12-12 | 2011-06-08 | 北京富纳特创新科技有限公司 | 触摸屏及显示装置 |
CN101458597B (zh) * | 2007-12-14 | 2011-06-08 | 清华大学 | 触摸屏、触摸屏的制备方法及使用该触摸屏的显示装置 |
CN101458606B (zh) * | 2007-12-12 | 2012-06-20 | 清华大学 | 触摸屏、触摸屏的制备方法及使用该触摸屏的显示装置 |
CN101419518B (zh) * | 2007-10-23 | 2012-06-20 | 清华大学 | 触摸屏 |
CN101458609B (zh) * | 2007-12-14 | 2011-11-09 | 清华大学 | 触摸屏及显示装置 |
CN101419519B (zh) * | 2007-10-23 | 2012-06-20 | 清华大学 | 触摸屏 |
CN101676832B (zh) * | 2008-09-19 | 2012-03-28 | 清华大学 | 台式电脑 |
CN101458602B (zh) * | 2007-12-12 | 2011-12-21 | 清华大学 | 触摸屏及显示装置 |
CN101470559B (zh) * | 2007-12-27 | 2012-11-21 | 清华大学 | 触摸屏及显示装置 |
CN101458605B (zh) * | 2007-12-12 | 2011-03-30 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 触摸屏及显示装置 |
CN101458593B (zh) * | 2007-12-12 | 2012-03-14 | 清华大学 | 触摸屏及显示装置 |
CN101470566B (zh) * | 2007-12-27 | 2011-06-08 | 清华大学 | 触摸式控制装置 |
CN101655720B (zh) * | 2008-08-22 | 2012-07-18 | 清华大学 | 个人数字助理 |
CN101470560B (zh) * | 2007-12-27 | 2012-01-25 | 清华大学 | 触摸屏及显示装置 |
CN101620454A (zh) * | 2008-07-04 | 2010-01-06 | 清华大学 | 便携式电脑 |
CN101458595B (zh) * | 2007-12-12 | 2011-06-08 | 清华大学 | 触摸屏及显示装置 |
CN101470558B (zh) * | 2007-12-27 | 2012-11-21 | 清华大学 | 触摸屏及显示装置 |
CN101458598B (zh) * | 2007-12-14 | 2011-06-08 | 清华大学 | 触摸屏及显示装置 |
CN101458608B (zh) * | 2007-12-14 | 2011-09-28 | 清华大学 | 触摸屏的制备方法 |
US8319206B2 (en) * | 2007-11-29 | 2012-11-27 | Xerox Corporation | Thin film transistors comprising surface modified carbon nanotubes |
KR100951946B1 (ko) * | 2007-11-30 | 2010-04-09 | 한양대학교 산학협력단 | 투명하고 플렉서블한 탄소나노튜브 박막 트랜지스터 및이의 제조방법 |
CN101458975B (zh) * | 2007-12-12 | 2012-05-16 | 清华大学 | 电子元件 |
CN101458601B (zh) * | 2007-12-14 | 2012-03-14 | 清华大学 | 触摸屏及显示装置 |
CN101458607B (zh) * | 2007-12-14 | 2010-12-29 | 清华大学 | 触摸屏及显示装置 |
CN101464757A (zh) * | 2007-12-21 | 2009-06-24 | 清华大学 | 触摸屏及显示装置 |
KR100924489B1 (ko) * | 2007-12-17 | 2009-11-03 | 한국전자통신연구원 | 탄소나노튜브를 이용한 투명 전자 소자 및 그 제조 방법 |
CN101470565B (zh) * | 2007-12-27 | 2011-08-24 | 清华大学 | 触摸屏及显示装置 |
CN101464766B (zh) * | 2007-12-21 | 2011-11-30 | 清华大学 | 触摸屏及显示装置 |
CN101464765B (zh) * | 2007-12-21 | 2011-01-05 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 触摸屏及显示装置 |
CN101464764B (zh) * | 2007-12-21 | 2012-07-18 | 清华大学 | 触摸屏及显示装置 |
US8574393B2 (en) * | 2007-12-21 | 2013-11-05 | Tsinghua University | Method for making touch panel |
WO2009151694A2 (en) * | 2008-03-13 | 2009-12-17 | Strategic Polymer Sciences, Inc. | High electrric energy density polymeric compositions, methods of the manufacture therefor, and articles comprising the same |
KR100986148B1 (ko) * | 2008-04-04 | 2010-10-07 | 고려대학교 산학협력단 | 탄소나노튜브층과 유기반도체층이 적층된 구조의 활성층을구비하는 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
CN101582449B (zh) * | 2008-05-14 | 2011-12-14 | 清华大学 | 薄膜晶体管 |
CN101593699B (zh) * | 2008-05-30 | 2010-11-10 | 清华大学 | 薄膜晶体管的制备方法 |
CN101582447B (zh) * | 2008-05-14 | 2010-09-29 | 清华大学 | 薄膜晶体管 |
CN101582448B (zh) * | 2008-05-14 | 2012-09-19 | 清华大学 | 薄膜晶体管 |
CN101582450B (zh) * | 2008-05-16 | 2012-03-28 | 清华大学 | 薄膜晶体管 |
CN101582451A (zh) * | 2008-05-16 | 2009-11-18 | 清华大学 | 薄膜晶体管 |
CN101587839B (zh) * | 2008-05-23 | 2011-12-21 | 清华大学 | 薄膜晶体管的制备方法 |
CN101599495B (zh) * | 2008-06-04 | 2013-01-09 | 清华大学 | 薄膜晶体管面板 |
CN101582444A (zh) * | 2008-05-14 | 2009-11-18 | 清华大学 | 薄膜晶体管 |
CN101582382B (zh) * | 2008-05-14 | 2011-03-23 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 薄膜晶体管的制备方法 |
CN101582445B (zh) * | 2008-05-14 | 2012-05-16 | 清华大学 | 薄膜晶体管 |
CN101582446B (zh) * | 2008-05-14 | 2011-02-02 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 薄膜晶体管 |
CN101582381B (zh) * | 2008-05-14 | 2011-01-26 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 薄膜晶体管及其阵列的制备方法 |
US8465795B2 (en) * | 2008-05-20 | 2013-06-18 | Palo Alto Research Center Incorporated | Annealing a buffer layer for fabricating electronic devices on compliant substrates |
CN101620328B (zh) * | 2008-07-04 | 2012-07-18 | 清华大学 | 触摸式液晶显示屏 |
US8237677B2 (en) * | 2008-07-04 | 2012-08-07 | Tsinghua University | Liquid crystal display screen |
CN101625466B (zh) * | 2008-07-09 | 2012-12-19 | 清华大学 | 触摸式液晶显示屏 |
US8390580B2 (en) * | 2008-07-09 | 2013-03-05 | Tsinghua University | Touch panel, liquid crystal display screen using the same, and methods for making the touch panel and the liquid crystal display screen |
CN101924816B (zh) * | 2009-06-12 | 2013-03-20 | 清华大学 | 柔性手机 |
US8471249B2 (en) * | 2011-05-10 | 2013-06-25 | International Business Machines Corporation | Carbon field effect transistors having charged monolayers to reduce parasitic resistance |
US8729529B2 (en) * | 2011-08-03 | 2014-05-20 | Ignis Innovation Inc. | Thin film transistor including a nanoconductor layer |
US9455421B2 (en) | 2013-11-21 | 2016-09-27 | Atom Nanoelectronics, Inc. | Devices, structures, materials and methods for vertical light emitting transistors and light emitting displays |
US9620728B2 (en) | 2014-01-30 | 2017-04-11 | National Research Council Of Canada | CNT thin film transistor with high K polymeric dielectric |
KR101577896B1 (ko) * | 2014-05-14 | 2015-12-16 | 동국대학교 산학협력단 | 탄소나노튜브 층간층, 이의 제조방법 및 이를 이용한 박막트랜지스터 |
US10957868B2 (en) | 2015-12-01 | 2021-03-23 | Atom H2O, Llc | Electron injection based vertical light emitting transistors and methods of making |
US10541374B2 (en) | 2016-01-04 | 2020-01-21 | Carbon Nanotube Technologies, Llc | Electronically pure single chirality semiconducting single-walled carbon nanotube for large scale electronic devices |
CN105428401B (zh) * | 2016-01-08 | 2017-02-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种碳纳米管薄膜晶体管及其制备方法 |
CN107464880B (zh) * | 2016-06-02 | 2020-04-14 | 清华大学 | 有机薄膜晶体管制备方法和制备装置 |
KR101859222B1 (ko) * | 2016-11-28 | 2018-05-21 | 주식회사 엔디디 | 나노 화합물 전계효과 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
CN108807672B (zh) * | 2017-04-28 | 2020-03-17 | 清华大学 | 有机薄膜晶体管及其制备方法 |
US10847757B2 (en) | 2017-05-04 | 2020-11-24 | Carbon Nanotube Technologies, Llc | Carbon enabled vertical organic light emitting transistors |
WO2018208284A1 (en) * | 2017-05-08 | 2018-11-15 | Atom Nanoelectronics, Inc. | Manufacturing of carbon nanotube thin film transistor backplanes and display integration thereof |
US10978640B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-04-13 | Atom H2O, Llc | Manufacturing of carbon nanotube thin film transistor backplanes and display integration thereof |
US10665796B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-05-26 | Carbon Nanotube Technologies, Llc | Manufacturing of carbon nanotube thin film transistor backplanes and display integration thereof |
WO2019170719A1 (en) * | 2018-03-08 | 2019-09-12 | Basf Se | Organic field effect transistor comprising semiconducting single-walled carbon nanotubes and organic semiconducting material |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20030050096A (ko) * | 2001-12-18 | 2003-06-25 | 삼성전자주식회사 | 트랜치형 소자 분리 방법 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20000074609A (ko) * | 1999-05-24 | 2000-12-15 | 김순택 | 카본 나노 튜브를 이용한 전계 방출 어레이 및 그 제조방법 |
JP5061414B2 (ja) | 2001-09-27 | 2012-10-31 | 東レ株式会社 | 薄膜トランジスタ素子 |
JP4635410B2 (ja) * | 2002-07-02 | 2011-02-23 | ソニー株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
KR100550008B1 (ko) | 2003-02-08 | 2006-02-08 | 한국전자통신연구원 | 펜타센 유도체 및 그 제조 방법과 펜타센 박막 제조 방법 |
JP4572543B2 (ja) | 2003-02-14 | 2010-11-04 | 東レ株式会社 | 電界効果型トランジスタ並びにそれを用いた液晶表示装置 |
JP4036454B2 (ja) * | 2003-05-30 | 2008-01-23 | 独立行政法人理化学研究所 | 薄膜トランジスタ。 |
JP4632952B2 (ja) | 2003-07-17 | 2011-02-16 | パナソニック株式会社 | 電界効果型トランジスタおよびその製造方法 |
KR100965178B1 (ko) | 2003-07-22 | 2010-06-24 | 삼성전자주식회사 | 유기반도체 패턴의 형성 방법과 이를 이용한 유기 박막트랜지스터의 제조 방법 |
JP2005045188A (ja) * | 2003-07-25 | 2005-02-17 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子素子、集積回路およびその製造方法 |
US7638252B2 (en) * | 2005-01-28 | 2009-12-29 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Electrophotographic printing of electronic devices |
-
2005
- 2005-04-22 KR KR1020050033663A patent/KR100770258B1/ko active IP Right Grant
-
2006
- 2006-04-20 JP JP2006116920A patent/JP4435751B2/ja active Active
- 2006-04-21 US US11/408,544 patent/US7537975B2/en active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20030050096A (ko) * | 2001-12-18 | 2003-06-25 | 삼성전자주식회사 | 트랜치형 소자 분리 방법 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101001603B1 (ko) * | 2008-06-04 | 2010-12-17 | 경희대학교 산학협력단 | 유기 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
KR20180036891A (ko) * | 2016-09-30 | 2018-04-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막트랜지스터 어레이 기판 및 이를 포함하는 표시장치 |
KR20180036897A (ko) * | 2016-09-30 | 2018-04-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막트랜지스터 어레이 기판 및 이를 포함하는 표시장치 |
KR102573690B1 (ko) * | 2016-09-30 | 2023-09-04 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막트랜지스터 어레이 기판 및 이를 포함하는 표시장치 |
KR102630595B1 (ko) * | 2016-09-30 | 2024-01-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막트랜지스터 어레이 기판 및 이를 포함하는 표시장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006303507A (ja) | 2006-11-02 |
JP4435751B2 (ja) | 2010-03-24 |
KR20060111203A (ko) | 2006-10-26 |
US7537975B2 (en) | 2009-05-26 |
US20060240605A1 (en) | 2006-10-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100770258B1 (ko) | 유기 박막트랜지스터 및 그의 제조 방법 | |
US8847313B2 (en) | Transparent electronics based on transfer printed carbon nanotubes on rigid and flexible substrates | |
US8946789B2 (en) | Semiconductor device, method of manufacturing the same, and electronic device including the semiconductor device | |
JP5434000B2 (ja) | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 | |
US20110114914A1 (en) | Field effect transistor and circuit device | |
JP2006191044A (ja) | 垂直型有機薄膜トランジスタ、垂直型有機発光トランジスタおよびディスプレイ素子 | |
JP2005089738A (ja) | カーボンナノチューブ分散溶液およびカーボンナノチューブ分散体 | |
JP2004266272A (ja) | 電界効果型トランジスタ並びにそれを用いた液晶表示装置 | |
AU2011338460A1 (en) | Active matrix dilute source enabled vertical organic light emitting transistor | |
WO2015058688A1 (zh) | 碳纳米管薄膜晶体管、amoled像素柔性驱动电路及制作方法 | |
JP2010153794A (ja) | 改善されたドロップ・キャストプリントを利用したアクティブチャネル領域製造方法及びそのアクティブチャネル領域を備えた装置 | |
KR101878748B1 (ko) | 그래핀의 전사 방법 및 이를 이용한 소자의 제조 방법 | |
US9053932B2 (en) | Methods of preparing graphene and device including graphene | |
KR100951946B1 (ko) | 투명하고 플렉서블한 탄소나노튜브 박막 트랜지스터 및이의 제조방법 | |
TW200843118A (en) | Ambipolar transistor design | |
US8389987B2 (en) | Switching element and method for fabricating same | |
US9768400B2 (en) | Method of making N-type semiconductor layer and method of making N-type thin film transistor | |
WO2018166411A1 (zh) | 薄膜晶体管和阵列基板 | |
KR20090089109A (ko) | 나노와이어를 포함하는 박막 트랜지스터 및 그의 제조방법 | |
JP5671911B2 (ja) | 薄膜トランジスタアレイ及び画像表示装置並びに薄膜トランジスタアレイの製造方法 | |
US20140090871A1 (en) | Graphene hybrid structures for transparent conductive electrodes | |
KR101018294B1 (ko) | 수직형 트랜지스터 소자 | |
CN109643659A (zh) | 有机薄膜晶体管及其制造方法以及图像显示装置 | |
KR102061075B1 (ko) | 공유 결합을 이용한 유기 반도체 소자 및 이의 제조방법 | |
KR100988322B1 (ko) | 탄소나노튜브 쇼트키 다이오드 및 그 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E90F | Notification of reason for final refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20121008 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130930 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141001 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150930 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170928 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181001 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20191001 Year of fee payment: 13 |