CN101582444A - 薄膜晶体管 - Google Patents

薄膜晶体管 Download PDF

Info

Publication number
CN101582444A
CN101582444A CNA200810067159XA CN200810067159A CN101582444A CN 101582444 A CN101582444 A CN 101582444A CN A200810067159X A CNA200810067159X A CN A200810067159XA CN 200810067159 A CN200810067159 A CN 200810067159A CN 101582444 A CN101582444 A CN 101582444A
Authority
CN
China
Prior art keywords
thin
film transistor
semiconductor layer
source electrode
drain electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CNA200810067159XA
Other languages
English (en)
Inventor
姜开利
李群庆
范守善
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tsinghua University
Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd
Original Assignee
Tsinghua University
Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tsinghua University, Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd filed Critical Tsinghua University
Priority to CNA200810067159XA priority Critical patent/CN101582444A/zh
Priority to US12/384,292 priority patent/US7923731B2/en
Priority to EP09160164.1A priority patent/EP2120274B1/en
Priority to JP2009117608A priority patent/JP5685367B2/ja
Publication of CN101582444A publication Critical patent/CN101582444A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having a potential-jump barrier or a surface barrier
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/484—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the channel regions
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having a potential-jump barrier or a surface barrier
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/464—Lateral top-gate IGFETs comprising only a single gate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having a potential-jump barrier or a surface barrier
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/466—Lateral bottom-gate IGFETs comprising only a single gate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/20—Carbon compounds, e.g. carbon nanotubes or fullerenes
    • H10K85/221—Carbon nanotubes

Abstract

本发明涉及一种薄膜晶体管，其包括：一源极；一漏极，该漏极与源极间隔设置的；一半导体层，该半导体层与该源极和漏极电连接；以及一栅极，该栅极通过一绝缘层与该半导体层、源极及漏极及绝缘设置；所述半导体层包括一碳纳米管层，该碳纳米管层包括多个碳纳米管，其中，该碳纳米管为半导体性的碳纳米管。

Description

薄膜晶体管
技术领域
本发明涉及一种薄膜晶体管，尤其涉及一种基于碳纳米管的薄膜晶体管。
背景技术
薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)是现代微电子技术中的一种关键性电子元件，目前已经被广泛的应用于平板显示器等领域。薄膜晶体管主要包括栅极、绝缘层、半导体层、源极和漏极。其中，源极和漏极间隔设置并与半导体层电连接，栅极通过绝缘层与半导体层及源极和漏极间隔绝缘设置。所述半导体层位于所述源极和漏极之间的区域形成一沟道区域。薄膜晶体管中的栅极、源极、漏极均由导电材料构成，该导电材料一般为金属或合金。当在栅极上施加一电压时，与栅极通过绝缘层间隔设置的半导体层中的沟道区域会积累载流子，当载流子积累到一定程度，与半导体层电连接的源极漏极之间将导通，从而有电流从源极流向漏极。在实际应用中，对薄膜晶体管的要求是希望得到较大的开关电流比。影响上述开关电流比的因素除薄膜晶体管的制备工艺外，薄膜晶体管半导体层中半导体材料的载流子迁移率为影响开关电流比的最重要的影响因素之一。
现有技术中，薄膜晶体管中形成半导体层的材料有非晶硅、多晶硅或有机半导体聚合物等(R.E.I.Schropp，B.Stannowski，J.K.Rath，New challengesin thin film transistor research，Journal of Non-Crystalline Solids，299-302，1304-1310(2002))。其中，以非晶硅作为半导体层的非晶硅薄膜晶体管的制造技术较为成熟，制造工艺简单且价格低廉，易于实现大面积应用，但由于非晶硅薄膜半导体层中通常含有大量的悬挂键，使得载流子迁移率μ很低(一般小于1cm2V-1s-1)，从而使薄膜晶体管的响应速度也较慢。而以多晶硅作为半导体层的薄膜晶体管相对于以非晶硅作为半导体层的薄膜晶体管，具有较高的载流子迁移率μ(一般大于30cm2V-1s-1)，因此响应速度也较快。但多晶硅薄膜晶体管低温制造成本较高，方法较复杂，大面积制造困难，且由于多晶硅薄膜晶粒界间的影响，多晶硅薄膜晶体管的Ioff较大，电路保持信号的时间短。相较于传统的无机薄膜晶体管，采用有机半导体做半导体层的有机薄膜晶体管具有成本低、制造温度低的优点。但由于有机半导体在常温下多为跳跃式传导，表现出较高的电阻率、较低的载流子迁移率μ，使得有机薄膜晶体管的开态电流较小，器件的响应速度较慢。
碳纳米管具有优异的力学及电学性能。并且，随着碳纳米管螺旋方式的变化，碳纳米管可呈现出金属性或半导体性。半导体性的碳纳米管具有较高的载流子迁移率(一般可达1000～1500cm2V-1s-1)。现有技术中薄膜晶体管的碳纳米管层中，碳纳米管为无序排列或垂直于基底排列，形成一无序碳纳米管层或一碳纳米管阵列。然而，在上述无序碳纳米管层中，由于碳纳米管包括金属性的碳纳米管，使得使用所述碳纳米管层的薄膜晶体管的关态电流较大，造成该薄膜晶体管的开关电流比较小。
综上所述，确有必要提供一种包括碳纳米管层的薄膜晶体管，该薄膜晶体管具有较高的载流子迁移率，以及较低的关态电流和较大的开关电流比。
发明内容
一薄膜晶体管，其包括：一源极；一漏极，该漏极与该源极间隔设置；一半导体层，该半导体层与该源极和漏极电连接；以及一栅极，该栅极通过绝缘层与该半导体层及源极、漏极绝缘设置；所述半导体层包括一碳纳米管层，该碳纳米管层包括多个碳纳米管，其中，该碳纳米管为半导体性的碳纳米管。
本技术方案实施例提供的采用一个碳纳米管层作为半导体层的薄膜晶体管具有以下优点：由于该碳纳米管层中仅包括半导体性的碳纳米管，作为半导体层的半导体性碳纳米管有较高的载流子迁移率10～1500cm2V-1s-1，还具有较大的开关电流比100～100万，从而该薄膜晶体管具有较快的响应速度，从而使得使用该薄膜晶体管的半导体器件具有较快的响应速度。
附图说明
图1是本技术方案第一实施例薄膜晶体管的剖视结构示意图。
图2是本技术方案第一实施例中碳纳米管层的阵列结构示意图。
图3是本技术方案第一实施例中无序碳纳米管层的扫描电镜照片。
图4是本技术方案第一实施例薄膜晶体管工作时的示意图。
图5是本技术方案第二实施例薄膜晶体管的剖视结构示意图。
具体实施方式
以下将结合附图详细说明本技术方案实施例提供的薄膜晶体管。
请参阅图1，本技术方案第一实施例提供一种薄膜晶体管10，该薄膜晶体管10为顶栅型，其包括一栅极120、一绝缘层130、一半导体层140、一源极151及一漏极152，并且，该薄膜晶体管10形成于一绝缘基板110表面。
所述半导体层140设置于该绝缘基板110表面；所述源极151及漏极152间隔设置于所述半导体层140表面并与该半导体层140电连接，且位于该源极151及漏极152之间的半导体层形成一沟道区域156；所述绝缘层130设置于该半导体层140表面；所述栅极120设置于绝缘层130表面，并通过该绝缘层130与源极151、漏极152及半导体层140电绝缘，所述绝缘层130设置于栅极120与半导体层140之间。优选地，该栅极120可以对应沟道区域156设置于所述绝缘层130表面。
可以理解，所述源极151及漏极152可以间隔设置于该半导体层140的上表面位于绝缘层130与半导体层140之间，此时，源极151、漏极152与栅极120设置于半导体层140的同一面，形成一共面型薄膜晶体管。或者，所述源极151及漏极152可以间隔设置于该半导体层140的下表面，位于绝缘基板110与半导体层140之间，此时，源极151、漏极152与栅极120设置于半导体层140的不同面，半导体层140设置于源极151、漏极152与栅极120之间，形成一交错型薄膜晶体管。
可以理解，根据具体的形成工艺不同，所述绝缘层130不必完全覆盖所述源极151、漏极152及半导体层140，只要能保证半导体层140与相对设置的栅极120与半导体层140、源极151、漏极152绝缘即可。如，当所述源极151及漏极152设置于半导体层140上时，所述绝缘层130设置于源极151及漏极152之间，只覆盖于半导体层140之上。
所述绝缘基板110起支撑作用，该绝缘基板110材料不限，可选择为玻璃、石英、陶瓷、金刚石等硬性材料或塑料、树脂等柔性材料。本实施例中，所述绝缘基板110的材料为玻璃。所述绝缘基板110用于对薄膜晶体管10提供支撑，且多个薄膜晶体管10可按照预定规律或图形集成于同一绝缘基板110上，形成TFT面板，或其它TFT半导体器件。
该半导体层140中包括一个碳纳米管层，该碳纳米管层中碳纳米管为无序排列或有序排列。所述半导体层140的长度为1微米～100微米，宽度为1微米～1毫米，厚度为0.5纳米～100微米。所述沟道156的长度为1微米～100微米，宽度为1微米～1毫米。
请参见图2，当该碳纳米管层中碳纳米管为有序排列时，该碳纳米管层为垂直绝缘基板110定向排列的多个碳纳米管组成的超顺排碳纳米管阵列。该碳纳米管层中仅包含半导体性的碳纳米管。该碳纳米管层的厚度为0.5纳米～100微米，其中碳纳米管的直径小于5纳米。优选地，该碳纳米管的直径小于2纳米。
请参见图3，当该碳纳米管层中碳纳米管为无序排列时，该碳纳米管层包括多个相互缠绕且各向同性的半导体性的碳纳米管，所述多个碳纳米管通过范德华力相互吸引、缠绕，形成网络状结构。由于碳纳米管相互缠绕，因此所述碳纳米管层具有很好的韧性，可以弯曲折叠成任意形状而不破裂。该网络状结构包括成大量的微孔结构，该微孔孔径小于50微米。由于该碳纳米管层中包括大量的微孔结构，因此，该碳纳米管层的透光性较好。该碳纳米管层的厚度为0.5纳米～100微米，该碳纳米管为半导体性的碳纳米管，该碳纳米管层中的碳纳米管的直径小于5纳米，该谈纳米管层中的碳纳米管的长度为10纳米～1毫米。优选地，该碳纳米管的直径小于2纳米，长度为2微米～1毫米。
本实施例中，该碳纳米管层中的碳纳米管为单壁碳纳米管时，该单壁碳纳米管的直径为0.5纳米～5纳米。当该碳纳米管层中的碳纳米管为双壁碳纳米管时，该碳纳米管的直径为1.0纳米～5纳米。本技术方案实施例中，该碳纳米管层的厚度为50纳米，该碳纳米管层中碳纳米管的直径为2纳米。所述碳纳米管层的长度为1微米～100微米，宽度为1微米～1毫米，厚度为0.5纳米～100微米。所述沟道156的长度为1微米～100微米，宽度为1微米～1毫米。
本实施例中，源极151、漏极152及栅极120为一导电薄膜。该导电薄膜的材料可以为金属、合金、ITO、ATO、导电银胶、导电聚合物以及导电碳纳米管等。该金属或合金材料可以为铝、铜、钨、钼、金、铯、钯或其任意组合的合金。优选地，该栅极120的面积与所述沟道区域156的面积相当，使用时有利于沟道区域156积累载流子，栅极120的厚度为0.5纳米～100微米。本实施例中，所述栅极120的材料为金属铝，厚度为5纳米；所述源极151、漏极152的材料为金属铯，所述金属铯与碳纳米管具有较好的润湿效果，厚度为5纳米。
所述绝缘层130材料为氮化硅、氧化硅等硬性材料或苯并环丁烯(BCB)、聚酯或丙烯酸树脂等柔性材料。该绝缘层130的厚度为0.5纳米～100微米。本实施例中，所述绝缘层130的材料为氮化硅，其厚度为200纳米。
请参见图4，本技术方案第一实施例的薄膜晶体管10在使用时，在栅极120上施加一电压Vg，将源极151接地，并在漏极152上施加一电压Vds，栅极电压Vg在半导体层140的沟道区域156中产生电场，并在沟道区域156表面处产生载流子。随着栅极电压Vg的增加，沟道区域156转变为载流子积累层，当Vg达到源极151和漏极152之间的开启电压时，源极151与漏极152之间的沟道区域156导通，从而会在源极151和漏极152之间产生电流，电流由源极151通过沟道区域156流向154，从而使得该薄膜晶体管10处于开启状态。由于所述半导体层140中仅包括半导体性的碳纳米管，该半导体性的碳纳米管层具有较高的载流子迁移率10～1500cm2V-1s-1；且该半导体层140中的碳纳米管的直径较小，从而该碳纳米管具有较大的禁带宽度Eg，使得该薄膜晶体管10具有较小的关态电流，从而该薄膜晶体管具有较大的开关电流比100～100万。
请参阅图5，本技术方案第二实施例采用于第一实施例相似的方法提供一种薄膜晶体管20，该薄膜晶体管20为底栅型，其包括一栅极220、绝缘层230一半导体层240、一源极251及一漏极252，并且，该薄膜晶体管20设置于一绝缘基板210表面。本技术方案第二实施例薄膜晶体管20的结构与薄膜晶体管10基本相同，其区别在于第二实施例薄膜晶体管20为底栅型。
所述栅极220设置于该绝缘基板210表面，所述绝缘层230设置于栅极220表面，所述半导体层240设置于该绝缘层230表面，所述绝缘层230设置于栅极220与半导体层240之间；所述源极251、漏极252间隔设置于该半导体层240表面，并通过该半导体层240电连接；所述半导体层240位于所述源极251和漏极252之间的区域形成一沟道256。优选地，该栅极220可以与源极251、漏极252之间的沟道区域256对应设置于绝缘基板210表面，且该栅极220通过该绝缘层230与源极251、漏极252及半导体层240电绝缘。本技术方案第二实施例提供的薄膜晶体管20中，栅极220、源极251、漏极252及绝缘层230的材料与第一实施例中薄膜晶体管10的栅极120、源极151、漏极152及绝缘层130的材料相同。第二实施例提供的薄膜晶体管20中，沟道区域256、半导体层240的形状、面积与第一实施例中薄膜晶体管10的沟道区域156、半导体层240的形状、面积相同。
所述源极251及漏极252可以设置于该半导体层240上表面，此时，源极251、漏极252与栅极220设置于半导体层240的不同面，半导体层240设置于源极251、漏极252与栅极220之间，形成一逆交错结构的薄膜晶体管。或者，所述源极251及漏极252也可以设置于该半导体层240下表面与绝缘层130之间，此时，源极251、漏极252与栅极220设置于半导体层140的同一面，形成一逆共面结构的薄膜晶体管。
本技术方案实施例提供的采用一碳纳米管层作为半导体层的薄膜晶体管具有以下优点：其一，由于碳纳米管具有优异的半导体性，且该碳纳米管层仅包括半导体性的碳纳米管，因此，采用碳纳米管层作为半导体层，可以使薄膜晶体管具有较大的载流子迁移率10～1500cm2V-1s-1，以及较快响应速度。其二，由于该半导体层中的碳纳米管的直径较小，在5纳米以下，该半导体层的禁带宽度Eg较小，从而该薄膜晶体管具有较低的关态电流，从而使该薄膜晶体管具有较大的开关电流比100～100万。其三，该半导体层包括无序的碳纳米管层，该无序碳纳米管层中包括多个相互缠绕的半导体性碳纳米管，由于该碳纳米管的直径较小，且长度较长，该半导体层有较好得韧性；且该碳纳米管层包括多个微孔，因此该碳纳米管层有具有较好得透光性，可以应用于透光性的薄膜晶体管。其三，由于碳纳米米管薄膜组成的半导体层较其它半导体材料更耐高温，因此，该薄膜晶体管可以在较高温度下工作。
另外，本领域技术人员还可在本发明精神内作其它变化，当然这些依据本发明精神所作的变化，都应包含在本发明所要求保护的范围内。

Claims (18)

1.一种薄膜晶体管，包括：
一源极；
一漏极，该漏极与该源极间隔设置；
一半导体层，该半导体层与该源极和漏极电连接；以及
一栅极，该栅极通过一绝缘层与该半导体层、源极及漏极绝缘设置；
所述半导体层包括一碳纳米管层，该碳纳米管层包括多个碳纳米管，其特征在于，该碳纳米管为半导体性的碳纳米管。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述碳纳米管为单壁或双壁碳纳米管，且该碳纳米管的直径小于5纳米。
3.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述碳纳米管层为一碳纳米管阵列。
4.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述碳纳米管层为一无序碳纳米管层，该无序碳纳米管层包括多个相互缠绕且各向同性的碳纳米管，所述多个碳纳米管通过范德华力相互吸引、缠绕，形成网络状结构。
5.如权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述网络状结构包括大量的微孔结构，该微孔孔径小于50微米。
6.如权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述碳纳米管的直径小于2纳米，长度为2微米～1毫米。
7.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述绝缘层设置于栅极与半导体层之间。
8.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极及漏极间隔设置于所述半导体层表面。
9.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管设置于一绝缘基板表面，其中，所述半导体层设置于该绝缘基板表面，所述源极及漏极间隔设置于所述半导体层表面，所述绝缘层设置于该半导体层表面，所述栅极设置于绝缘层表面，并通过该绝缘层与源极、漏极及半导体层电绝缘。
10.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管设置于一绝缘基板表面，其中，所述栅极设置于该绝缘基板表面，所述绝缘层设置于栅极表面，所述半导体层设置于该绝缘层表面，并通过绝缘层与栅极电绝缘，所述源极、漏极间隔设置于该半导体层表面，并通过该绝缘层与栅极电绝缘。
11.如权利要求9或10所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述绝缘基板的材料为玻璃、石英、陶瓷、金刚石、塑料或树脂。
12.如权利要求9或10所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极、漏极与栅极设置于半导体层的同一面。
13.如权利要求9或10所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极、漏极与栅极设置于半导体层的不同面，半导体层设置于源极、漏极与栅极之间。
14.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管的半导体层进一步包括一沟道区域，该沟道区域为所述半导体层位于所述源极和漏极之间的区域，该沟道区域及半导体层的长度为1微米～100微米，宽度为1微米～1毫米，厚度为0.5纳米～100微米。
15.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述绝缘层的材料为氮化硅、氧化硅、苯并环丁烯、聚酯或丙烯酸树脂。
16.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极、源极及漏极的材料为金属、合金、导电聚合物或导电性碳纳米管。
17.如权利要求16所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极、源极及漏极的材料为为铝、铜、钨、钼、金、铯、钯或它们的合金。
18.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管的载流子迁移率为10～1500cm2V-1s-1，开关电流比为100～100万。
CNA200810067159XA 2008-05-14 2008-05-14 薄膜晶体管 Pending CN101582444A (zh)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNA200810067159XA CN101582444A (zh) 2008-05-14 2008-05-14 薄膜晶体管
US12/384,292 US7923731B2 (en) 2008-05-14 2009-04-02 Thin film transistor
EP09160164.1A EP2120274B1 (en) 2008-05-14 2009-05-13 Carbon Nanotube Thin Film Transistor
JP2009117608A JP5685367B2 (ja) 2008-05-14 2009-05-14 薄膜トランジスタ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNA200810067159XA CN101582444A (zh) 2008-05-14 2008-05-14 薄膜晶体管

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN101582444A true CN101582444A (zh) 2009-11-18

Family

ID=41315301

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA200810067159XA Pending CN101582444A (zh) 2008-05-14 2008-05-14 薄膜晶体管

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7923731B2 (zh)
JP (1) JP5685367B2 (zh)
CN (1) CN101582444A (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102593169A (zh) * 2011-01-07 2012-07-18 中国科学院微电子研究所 一种碳基场效应晶体管及其制备方法
CN102856495A (zh) * 2011-06-30 2013-01-02 清华大学 压力调控薄膜晶体管及其应用
CN102103275B (zh) * 2009-12-18 2013-09-18 清华大学 热致变色元件及热致变色显示装置
CN104505370A (zh) * 2014-12-03 2015-04-08 上海蓝沛新材料科技股份有限公司 基于碳纳米管转移和自对准技术的柔性tft背板及其制备方法
CN104505369A (zh) * 2014-12-03 2015-04-08 上海蓝沛新材料科技股份有限公司 用于柔性显示背电极的柔性tft及其制备工艺
WO2017045137A1 (en) * 2015-09-15 2017-03-23 Boe Technology Group Co., Ltd. Thin film transistor, fabrication method thereof, and display apparatus

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9368723B2 (en) * 2014-02-11 2016-06-14 Wisconsin Alumni Research Foundation Dose-controlled, floating evaporative assembly of aligned carbon nanotubes for use in high performance field effect transistors
CN105097428B (zh) * 2014-04-24 2017-12-01 清华大学 碳纳米管复合膜
SG11201700348VA (en) * 2014-07-15 2017-02-27 Illumina Inc Biochemically activated electronic device

Family Cites Families (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6423583B1 (en) 2001-01-03 2002-07-23 International Business Machines Corporation Methodology for electrically induced selective breakdown of nanotubes
US7084507B2 (en) 2001-05-02 2006-08-01 Fujitsu Limited Integrated circuit device and method of producing the same
JP4207398B2 (ja) 2001-05-21 2009-01-14 富士ゼロックス株式会社 カーボンナノチューブ構造体の配線の製造方法、並びに、カーボンナノチューブ構造体の配線およびそれを用いたカーボンナノチューブデバイス
US6814832B2 (en) 2001-07-24 2004-11-09 Seiko Epson Corporation Method for transferring element, method for producing element, integrated circuit, circuit board, electro-optical device, IC card, and electronic appliance
EP1547139A4 (en) 2002-09-30 2009-08-26 Nanosys Inc MACRO-ELECTRONIC SUBSTRATE WITH HIGH NANO-ACTIVATION SURFACE AREA AND USES THEREOF
US7067867B2 (en) 2002-09-30 2006-06-27 Nanosys, Inc. Large-area nonenabled macroelectronic substrates and uses therefor
CN1745468B (zh) 2002-09-30 2010-09-01 纳米系统公司 大面积纳米启动宏电子衬底及其用途
CN1208818C (zh) 2002-10-16 2005-06-29 中国科学院化学研究所 一种阵列碳纳米管薄膜晶体管的制备方法
US7673521B2 (en) 2002-12-09 2010-03-09 Rensselaer Polytechnic Institute Embedded nanotube array sensor and method of making a nanotube polymer composite
US7150865B2 (en) 2003-03-31 2006-12-19 Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha Method for selective enrichment of carbon nanotubes
JP4586334B2 (ja) 2003-05-07 2010-11-24 ソニー株式会社 電界効果型トランジスタ及びその製造方法
JP4632952B2 (ja) 2003-07-17 2011-02-16 パナソニック株式会社 電界効果型トランジスタおよびその製造方法
JP2005101424A (ja) 2003-09-26 2005-04-14 Sony Corp 電界効果半導体装置の製造方法
US20050061496A1 (en) 2003-09-24 2005-03-24 Matabayas James Christopher Thermal interface material with aligned carbon nanotubes
US7399400B2 (en) 2003-09-30 2008-07-15 Nano-Proprietary, Inc. Nanobiosensor and carbon nanotube thin film transistors
US6921684B2 (en) 2003-10-17 2005-07-26 Intel Corporation Method of sorting carbon nanotubes including protecting metallic nanotubes and removing the semiconducting nanotubes
CN100431169C (zh) * 2004-01-15 2008-11-05 松下电器产业株式会社 场效应晶体管及使用该晶体管的显示器件
TWI231153B (en) 2004-02-26 2005-04-11 Toppoly Optoelectronics Corp Organic electroluminescence display device and its fabrication method
US7129097B2 (en) 2004-07-29 2006-10-31 International Business Machines Corporation Integrated circuit chip utilizing oriented carbon nanotube conductive layers
US7285501B2 (en) * 2004-09-17 2007-10-23 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of forming a solution processed device
US20060194058A1 (en) 2005-02-25 2006-08-31 Amlani Islamshah S Uniform single walled carbon nanotube network
JP4636921B2 (ja) 2005-03-30 2011-02-23 セイコーエプソン株式会社 表示装置の製造方法、表示装置および電子機器
KR100770258B1 (ko) 2005-04-22 2007-10-25 삼성에스디아이 주식회사 유기 박막트랜지스터 및 그의 제조 방법
US7538040B2 (en) 2005-06-30 2009-05-26 Nantero, Inc. Techniques for precision pattern transfer of carbon nanotubes from photo mask to wafers
US7687841B2 (en) 2005-08-02 2010-03-30 Micron Technology, Inc. Scalable high performance carbon nanotube field effect transistor
JP2007073706A (ja) 2005-09-06 2007-03-22 Seiko Epson Corp 配線基板、電気光学装置、電子機器、および配線基板の製造方法
US20070069212A1 (en) 2005-09-29 2007-03-29 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Flat panel display and method for manufacturing the same
JP2007123870A (ja) 2005-09-29 2007-05-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 平板表示装置およびその製造方法
WO2007089322A2 (en) 2005-11-23 2007-08-09 William Marsh Rice University PREPARATION OF THIN FILM TRANSISTORS (TFTs) OR RADIO FREQUENCY IDENTIFICATION (RFID) TAGS OR OTHER PRINTABLE ELECTRONICS USING INK-JET PRINTER AND CARBON NANOTUBE INKS
US7559653B2 (en) 2005-12-14 2009-07-14 Eastman Kodak Company Stereoscopic display apparatus using LCD panel
WO2007126412A2 (en) 2006-03-03 2007-11-08 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Methods of making spatially aligned nanotubes and nanotube arrays
US20070273798A1 (en) 2006-05-26 2007-11-29 Silverstein Barry D High efficiency digital cinema projection system with increased etendue
US7458687B2 (en) 2006-05-26 2008-12-02 Eastman Kodak Company High efficiency digital cinema projection system with increased etendue
US20070273797A1 (en) 2006-05-26 2007-11-29 Silverstein Barry D High efficiency digital cinema projection system with increased etendue
US20080134961A1 (en) * 2006-11-03 2008-06-12 Zhenan Bao Single-crystal organic semiconductor materials and approaches therefor
US20080277718A1 (en) 2006-11-30 2008-11-13 Mihai Adrian Ionescu 1T MEMS scalable memory cell
WO2008075642A1 (ja) 2006-12-18 2008-06-26 Nec Corporation 半導体装置及びその製造方法
US20080173864A1 (en) 2007-01-20 2008-07-24 Toshiba America Research, Inc. Carbon nanotube transistor having low fringe capacitance and low channel resistance
WO2008114564A1 (ja) 2007-02-21 2008-09-25 Brother Kogyo Kabushiki Kaisha 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法
US20080252202A1 (en) 2007-04-11 2008-10-16 General Electric Company Light-emitting device and article
KR101365411B1 (ko) 2007-04-25 2014-02-20 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터의 제조 방법과 액정표시장치의 제조 방법
JP2009032894A (ja) 2007-07-26 2009-02-12 Sharp Corp 半導体装置の製造方法
CN101409338A (zh) * 2007-10-10 2009-04-15 清华大学 锂离子电池负极,其制备方法和应用该负极的锂离子电池
US9963781B2 (en) 2007-10-29 2018-05-08 Southwest Research Institute Carbon nanotubes grown on nanostructured flake substrates and methods for production thereof
US20090159891A1 (en) * 2007-12-21 2009-06-25 Palo Alto Research Center Incorporated Modifying a surface in a printed transistor process
JP2009239178A (ja) 2008-03-28 2009-10-15 Nec Corp 半導体装置
US8598569B2 (en) 2008-04-30 2013-12-03 International Business Machines Corporation Pentacene-carbon nanotube composite, method of forming the composite, and semiconductor device including the composite
US20090282802A1 (en) 2008-05-15 2009-11-19 Cooper Christopher H Carbon nanotube yarn, thread, rope, fabric and composite and methods of making the same

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102103275B (zh) * 2009-12-18 2013-09-18 清华大学 热致变色元件及热致变色显示装置
CN102593169A (zh) * 2011-01-07 2012-07-18 中国科学院微电子研究所 一种碳基场效应晶体管及其制备方法
CN102593169B (zh) * 2011-01-07 2015-10-28 中国科学院微电子研究所 一种碳基场效应晶体管及其制备方法
CN102856495A (zh) * 2011-06-30 2013-01-02 清华大学 压力调控薄膜晶体管及其应用
CN102856495B (zh) * 2011-06-30 2014-12-31 清华大学 压力调控薄膜晶体管及其应用
CN104505370A (zh) * 2014-12-03 2015-04-08 上海蓝沛新材料科技股份有限公司 基于碳纳米管转移和自对准技术的柔性tft背板及其制备方法
CN104505369A (zh) * 2014-12-03 2015-04-08 上海蓝沛新材料科技股份有限公司 用于柔性显示背电极的柔性tft及其制备工艺
CN104505370B (zh) * 2014-12-03 2017-12-05 上海量子绘景电子股份有限公司 基于碳纳米管转移和自对准技术的柔性tft背板及其制备方法
CN104505369B (zh) * 2014-12-03 2017-12-15 上海蓝沛信泰光电科技有限公司 用于柔性显示背电极的柔性tft及其制备工艺
WO2017045137A1 (en) * 2015-09-15 2017-03-23 Boe Technology Group Co., Ltd. Thin film transistor, fabrication method thereof, and display apparatus
US10061173B2 (en) 2015-09-15 2018-08-28 Boe Technology Group Co., Ltd. Thin film transistor, fabrication method thereof, and display apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
US20090283770A1 (en) 2009-11-19
JP5685367B2 (ja) 2015-03-18
JP2009278112A (ja) 2009-11-26
US7923731B2 (en) 2011-04-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101582449B (zh) 薄膜晶体管
CN101582448B (zh) 薄膜晶体管
CN101582444A (zh) 薄膜晶体管
CN101997035B (zh) 薄膜晶体管
CN101582447B (zh) 薄膜晶体管
CN101582450B (zh) 薄膜晶体管
CN101582446B (zh) 薄膜晶体管
CN101599495B (zh) 薄膜晶体管面板
CN101582445B (zh) 薄膜晶体管
CN103972296A (zh) 薄膜晶体管
CN104103696A (zh) 双极性薄膜晶体管
CN104103695A (zh) 薄膜晶体管及其制备方法
Chung et al. Low-voltage and short-channel pentacene field-effect transistors with top-contact geometry using parylene-C shadow masks
TW201110354A (en) Thin film transistor
CN101582451A (zh) 薄膜晶体管
TWI377680B (en) Thin film transistor
TWI478348B (zh) 薄膜電晶體
TWI493719B (zh) 薄膜電晶體
TW200950095A (en) Thin film transistor
TW201001706A (en) Thin film transistor panel
TW200950094A (en) Thin film transistor

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C12 Rejection of a patent application after its publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20091118