CN104505370A - 基于碳纳米管转移和自对准技术的柔性tft背板及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种基于碳纳米管转移和自对准技术的柔性TFT背板及其制备方法，在柔性基板上制作由栅极、源极和漏极组成的若干单元并整版喷印碳纳米管；再作第一绝缘层图形，刻蚀裸露的碳纳米管；制备与相邻两个栅极及其间的源极接触的第二绝缘层图形；制备栅极跳线及其上带通孔的绝缘层薄膜；用导电墨水填充通孔且与漏极相接触并固化成导电薄膜；沿单元切割导电薄膜形成若干像素电极单元。本发明可替代复杂昂贵耗时的传统柔性基板制备工艺，提高生产效率，降低生产成本；碳纳米管通过喷印制备，不需要高温工作环境，不会造成柔性基材受热收缩弯曲。整版喷印纳米碳管再利用聚合物材料扮演绝缘层和蚀刻掩膜的角色，制备的碳纳米管的对位精度更高。
Description
技术领域
本发明涉及一种柔性TFT背板及其制作方法，特别是涉及一种基于碳纳米管转移和自对准技术的柔性TFT背板及其制备方法。
背景技术
最普通的液晶显示屏就像计算器的显示面版，其图像元素是由电压直接驱动，当控制一个单元时不会影响到其他单元，当像素数量增加到极大如以百万计时，这种方式就显得不切实际了。如果将像素排成行与列则可将连接线数量减至数以千计，这样问题看起来确实可以得到解决：一列中的所有像素都由一个正电位驱动，而一行中的所有像素都由一个负电位驱动，则行与列的交叉点像素会有最大的电压而被切换状态。然而此法仍有缺陷，即是同一行或同一列的其他像素虽然受到的电压仅为部分值，但这种部份切换仍会使像素变暗。
目前来说最好的解决方法是每个像素都添加一个配属于它的晶体管开关，使得每个像素都可被独立控制。晶体管所拥有的低漏电流特征所代表的意义乃是当画面更新之前，施加在像素的电压不会任意丧失。此种电路布置方式很类似于动态随机存取存储器，只不过整个架构不是建在硅晶圆上，而是建构在玻璃之类的基板上(Thin-Film Transistor，TFT)。
基本上所有的TFT基板都不耐高温，所以TFT的工艺制程必须在相对低温下进行，所用到的硅层是利用硅化物气体制造出的非晶硅或多晶硅层，当代显示技术的发展需要更高性能的TFT以驱动LCD像素及AMOLED像素，非晶硅TFT具有制备工艺简单，均一性好的优点，但其迁移率较低，无法满足对驱动的要求；低温多晶硅虽然迁移较高，但其需要激光辅助退火而制造成本过高，且多晶硅量产均一性差，无法满足大面积高分辨率的显示器生产的需求。
柔性显示具有轻薄、可弯曲的特点，可用于制造电子书、手机等显示设备的显示屏。这类显示器柔软可便携，耐冲击性强，可以实现卷曲显示；但是当前的塑料基底，表面平整性差，表面微米量级的凸起会引起器件损坏，可靠性差；同时晶体管制备过程中由于不同膜层的热膨胀系数不同，薄膜的生长、热处理等都会对其造成弯曲收缩等影响，不利于光刻图形对准，也不利于面板制作。
碳纳米管(Carbon Nanotube，CNT)是一种管状的碳分子，按照管子的层数不同，分为单壁和多壁碳纳米管，管子的半径方向非常细，只有纳米尺度，而在轴向则可长达数十到数百微米。由于其特殊的结构，碳纳米管具有一些特别的电学性质，可以通过改变制造工艺调整碳纳米管内部结构，从而在特定方向上表现出单一的绝缘性、半导体或者金属性，电导率可控且最高可达铜的一万倍。CNT材料力学性质优异，硬度与金刚石相当，防水，耐敲击刮擦；韧性强，可以在拉伸弯曲之后立即恢复原状。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种基于碳纳米管转移和自对准技术的柔性TFT背板及其制备方法，用于解决现有技术中制作碳纳米管阵列图形而使得工艺复杂繁琐的问题，且解决了现有技术中高精密低容错率的问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种基于碳纳米管转移和自对准技术的柔性TFT背板制备方法，所述制备方法至少包括：(1)提供一设有微结构压印图形的柔性基板；所述微结构压印图形包括由栅极、源极和漏极组成的若干单元；所述单元按矩阵分布且该矩阵中每列相邻单元共用一个栅极，每行相邻单元共用一个源极，该源极位于组成该两个相邻单元的栅极、漏极之间并延伸出所述栅极之外；并在所述压印图形所形成的沟槽内填充金属，形成导电线路；(2)在所述若干单元的源极、栅极和漏极所在的范围整版覆盖一层碳纳米管；(3)在所述碳纳米管之上制作若干第一绝缘层图形；所述第一绝缘层图形在所述柔性基板上的投影与每个单元的源极和漏极及其之间的沟道区所在的区域有重叠；(4)刻蚀未被所述第一绝缘层图形覆盖的碳纳米管；(5)在所述每列相邻两个单元的栅极之间制备与该两个单元的栅极及其之间的源极相互接触的第二绝缘层图形；(6)制备横置的T型金属结构作为栅极跳线；所述T型金属结构的双臂位于所述第二绝缘层图形上且与每列中相邻两个单元的栅极相接触；所述T型金属结构的主体部分在该柔性基板上的投影与每个单元的源极和漏极有重叠且其宽度不超出所述第一绝缘层图形的宽度；(7)在所述栅极跳线上制作一层覆盖所述若干单元且带有若干通孔的绝缘层薄膜，所述若干通孔位于所述每个单元的漏极之上；(8)在所述步骤(7)中带有通孔的绝缘层薄膜上利用导电墨水制作一层导电薄膜；导电墨水填充入所述通孔与所述漏极相接触并固化；(9)沿所述单元切割位于所述绝缘层薄膜上的导电薄膜形成若干像素电极单元。
优选地，所述步骤(1)中的微结构压印图形形成的方法是在所述柔性基板上涂覆UV胶，再利用特制模板与固化设备在所述UV胶水上压印出微结构图形。
优选地，所述步骤(1)中在所述压印图形所形成的沟槽内填充金属的方法为利用电镀、刮印或喷印的方法；所填充的金属为铜或银等。
优选地，所述微结构图形的尺度为微纳米级别；所述步骤(2)中整版覆盖所述碳纳米管的方法为喷印、转移或溅射中的任意一种。
优选地，所述步骤(2)中的所述碳纳米管的材料呈半导体特性。
优选地，所述步骤(3)中制作所述第一绝缘层图形的方法是利用喷印技术在所述碳纳米管之上制作聚合物绝缘层而得到。
优选地，所述步骤(3)中的第一绝缘层图形在所述柔性基板上的投影与每个单元的源极和漏极及其之间的沟道区所在的区域部分重叠。
优选地，所述步骤(4)中刻蚀所述碳纳米管的方法为溶液腐蚀法或干法刻蚀。
优选地，所述步骤(5)中的第二绝缘层图形的材料为聚合物绝缘层，制作所述第二绝缘层图形的方法采用喷印的方式。
优选地，所述步骤(6)中制作所述栅极跳线的工艺为喷印技术。
优选地，所述步骤(7)中所述每个单元的漏极上有一个来自所述绝缘层薄膜的所述通孔。
优选地，所述步骤(8)中制作所述导电薄膜的方法为丝网印刷技术或喷墨印刷技术。
优选地，所述步骤(9)中切割所述导电薄膜的方法为镭射切割技术。
本发明还提供一种基于碳纳米管转移和自对准技术的柔性TFT背板，所制备的柔性TFT背板的各个阶段的结构示意图如图1至图9所示。所述柔性TFT背板至少包括：设有微结构压印图形的柔性基板；所述微结构压印图形包括由栅极、源极和漏极组成的若干单元；覆盖于所述每个单元的源极和漏极及其之间的沟道区的碳纳米管；位于所述碳纳米管之上的第一绝缘层图形；所述第一绝缘层图形覆盖于所述单元的源极和漏极所在的区域；位于所述相邻两个单元的栅极之间且与该两个单元的栅极及之间的源极相互接触的第二绝缘层图形；双臂位于所述第二绝缘层图形上且与相邻两个单元的栅极相接触的T型金属结构，该T型金属结构的主体部分在该柔性基板上的投影与每个单元的源极和漏极有重叠；位于所述T型金属结构之上、覆盖于所述若干单元且带有若干通孔的绝缘层薄膜；所述通孔位于所述每个单元的漏极之上；填充于所述通孔与所述栅极相接触并固化的导电薄膜；所述导电薄膜覆盖于所述绝缘层薄膜之上且沿每个所述单元彼此分离。
优选地，所述压印图形所形成的沟槽内填充有金属。
优选地，所述单元按矩阵分布且该矩阵中每列相邻单元共用一个栅极，每行相邻单元共用一个源极。
优选地，所述源极位于组成该两个相邻单元的栅极、漏极之间并延伸出所述栅极之外。
优选地，所述第一绝缘层图形对应覆盖于一个单元的源极和漏极及其之间的沟道区所在的部分区域。
优选地，所述碳纳米管覆盖于所述每个单元源极和漏极的部分区域及源极和漏极之间的沟道区。
优选地，所述第一绝缘层图形与所述碳纳米管在所述柔性基板上的投影完全重叠。
优选地，所述每个单元的漏极上有一个来自所述第二绝缘层薄膜的所述通孔。
优选地，所述T型金属结构的双臂与每列单元中相邻两个单元的栅极相接触。
如上所述，本发明的基于碳纳米管转移和自对准技术的柔性TFT背板及其制备方法，具有以下有益效果：压印技术可以利用高精细度模板在UV胶(紫外压印)和热固胶(热压印)等柔性基材上制备微米级乃至纳米级的微结构，结合导电墨水刮印技术或者精细电镀技术，可以在微结构中填充导电金属制备超精细导电线路，而卷对卷压印技术的引入使产品的大规模批量化低成本生产成为可能；喷印、丝印作为传统制造工艺发展成熟，工序完善，设备健全，将其引入柔性TFT制备工艺没有多余的研发成本，而且可以替代复杂昂贵耗时的传统TFT制备工艺，提高生产效率，降低生产成本；碳纳米管本身优异的电学特性与力学特性。通过改变碳纳米管(CNT)本身的结构构造改变其导电特性使其成为半导体，迁移率高于非晶硅与多晶硅。CNT本身硬度高，韧性强，可以在各类基材上进行工艺处理，不限于玻璃等传统基材。本专利中CNT薄膜层通过喷印制备，不需要高温工作环境，不会造成柔性基材受热收缩弯曲。整版喷印纳米碳管再利用聚合物材料扮演绝缘层和蚀刻掩膜的角色，最后制备的CNT结构更精确。
附图说明
图1显示为本发明的带有微结构压印图形的柔性基板的平面示意图。
图2显示为本发明中在压印图形上喷印有碳纳米管层的柔性基板平面示意图。
图3显示为本发明中在碳纳米管上制作若干第一绝缘层图形的平面示意图。
图4显示为本发明中将裸露的碳纳米管刻蚀后的图形。
图5显示为本发明中相邻两个单元的栅极之间制备的与该两个单元的栅极及其之间的源极相互接触的第二绝缘层图形。
图6显示为本发明中在柔性基板上制备T型栅极跳线的平面示意图。
图7显示为本发明中在栅极跳线上制作带通孔的绝缘层薄膜的平面结构示意图。
图8显示为本发明中在绝缘层薄膜上制作导电薄膜的平面结构示意图。
图9显示为本发明中沿单元切割所述导电薄膜形成若干像素电极单元的平面结构示意图。
元件标号说明
10 柔性基板
101 栅极
102 源极
103 漏极
11 碳纳米管
12 第一绝缘层图形
13 第二绝缘层图形
14 栅极跳线
15 绝缘层薄膜
16 导电薄膜
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
请参阅图1至图9。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
本发明的基于碳纳米管转移和自对准技术的柔性TFT背板制备方法包括以下步骤：
步骤一：如图1所示，图1表示的是带有微结构压印图形的柔性基板的平面示意图。提供一设有微结构压印图形的柔性基板10，所述微结构的压印图形的形成方法优选为：在所述柔性基板上涂覆UV胶，再利用特制模板与固化设备在所述UV胶水上压印出微结构图形。本发明中的所述微结构图形的尺度为微纳米级别。所述微结构压印图形包括由栅极101、源极102和漏极103组成的若干单元；所述单元按矩阵分布且该矩阵中每列相邻单元共用一个栅极，每行相邻单元共用一个源极，该源极位于组成该两个相邻单元的栅极之间并延伸出所述矩阵之外；如图1所示，图1给出的是三行两列的分布；其中栅极101将漏极103间隔开，而源极102横跨在相邻两行漏极103和栅极101之间，其中相邻两行的漏极103和栅极101彼此共用源极102；其中相邻的一个栅极、一个源极和一个漏极构成一个所述单元；也就是说构成的单元中彼此共用源极；由于最终制备的源极需要裸露在外，因此，所述源极在图1左右方向延伸出栅极之外。该步骤中在制作好的压印图形所形成的沟槽内填充金属，形成导电线路，其中填充金属的方法优选为电镀、刮印或喷印的方法；本实施例中所填充的金属为铜或银，本发明所填充的金属还包括除铜或银之外的其他金属。
步骤二：如图2所示，图2表示的是在压印图形上覆盖有碳纳米管层的柔性基板平面示意图，在所述若干单元的源极、栅极和漏极所在的范围整版覆盖一层碳纳米管11，也就是说，所述碳纳米管11覆盖在压印图形的源极、栅极和漏极之上，并且该碳纳米管是整版覆盖而形成，是一个整体结构层。优选地，本发明中整版覆盖所述碳纳米管的方法包括喷印、转移或溅射中的任意一种。碳纳米管(Carbon Nanotube，CNT)是一种管状的碳分子，按照管子的层数不同，分为单壁和多壁碳纳米管，管子的半径方向非常细，只有纳米尺度，而在轴向则可长达数十到数百微米。由于其特殊的结构，碳纳米管具有一些特别的电学性质，可以通过改变制造工艺调整碳纳米管内部结构，从而在特定方向上表现出单一的绝缘性、半导体或者金属性，电导率可控且最高可达铜的一万倍。CNT材料力学性质优异，硬度与金刚石相当，防水，耐敲击刮擦；韧性强，可以在拉伸弯曲之后立即恢复原状。优选地，本发明中所述碳纳米管11呈现半导体特性。
步骤三：如图3所示，图3表示的是在碳纳米管11上制作若干第一绝缘层图形12的平面示意图。在所述碳纳米管11之上制作若干第一绝缘层图形12；所述第一绝缘层图形12在所述柔性基板上的投影与每个单元的源极和漏极及之间的沟道区所在的区域有重叠，图3中所述若干第一绝缘层图形12将与其投影重叠的源极和漏极及之间的沟道区挡住。而实际上，在所述第一绝缘层图形12的下方，以其中一个单元为例，组成该单元的源极和漏极与制作在该单元上方的第一绝缘层图形12有重叠区域，并且漏极不完全与所述第一绝缘层图形12重叠，所述第一绝缘层图形12的方法是利用喷印技术在所述碳纳米管之上制作聚合物绝缘层而得到。可参见图4，图4是本发明步骤四将裸露的碳纳米管刻蚀后的图形，从图4中可知，所述单元中的源极和漏极及之间的沟道区与第一绝缘层图形12有重叠。优选地，步骤三中制作所述第一绝缘层图形12的方法是利用喷印技术在所述碳纳米管之上制作聚合物绝缘层而得到。
步骤四：刻蚀未被所述第一绝缘层图形12覆盖的碳纳米管11，如图4所示，图4显示的是将裸露的碳纳米管刻蚀后的图形。由于所述碳纳米管11之上形成若干第一绝缘层图形12，在没有所述第一绝缘层图形的区域，所述碳纳米管11裸露，该步骤将裸露的碳纳米管刻蚀，刻蚀后形成的结构如图4所示，为了显示明显，图4在所述第一绝缘层图形12的边缘呈现一圈碳纳米管11以示在所述第一绝缘层图形12的之下还有一层碳纳米管11。优选地，本实施例中刻蚀所述碳纳米管的方法为溶液腐蚀法，本发明中刻蚀所述碳纳米管的方法还包括干法刻蚀。
步骤五：接着在步骤四的基础上，如图5所示，在所述每列相邻两个单元的栅极之间制备与该两个单元的栅极相互接触的第二绝缘层图形13，图5显示的是相邻两个单元的栅极之间制备的与该两个单元的栅极及之间的源极相互接触的第二绝缘层图形13。本发明优选地，所述第二绝缘层图形13的材料为聚合物绝缘层。也就是说，所述第二绝缘层图形13覆盖该两个单元的共用源极并分别与该两个单元的栅极相互接触。亦即所述第二绝缘层图形将所述共用的源极隔离，避免在后续步骤中将该两个单元的栅极连接时候而与源极发生短路。
步骤六：如图6所示，图6显示的是在柔性基板上制备T型栅极跳线的平面示意图。在步骤五的基础上制备横置的T型金属结构作为栅极跳线14；所述横置的T型金属结构指的是图6中该栅极跳线14在所述柔性基板上呈横置，亦即T型金属结构的双臂放置于一侧，其竖直部分(主体部分)放置于双臂的另一侧。如图6所示，所述T型金属结构的双臂位于所述第二绝缘层图形13上且与每列中相邻两个单元的栅极101相接触；所述T型金属结构的主体部分(竖直部分)在该柔性基板上的投影与每个单元的源极和漏极有重叠且其宽度h不超出所述第一绝缘层图形12的宽度H，亦即置于每个单元之上的所述T型金属结构的主体部分(竖直部分)与该单元中的源极和漏极有重叠。该单元中源极与漏极之间的距离为沟道的宽度，而所述的T型金属结构的主体部分横跨在所述沟道上。优选地，该步骤中制作所述栅极跳线的工艺为喷印技术。
步骤七：接着步骤六，如图7所示，图7表示的是在栅极跳线上制作带通孔的绝缘层薄膜的平面结构示意图。在所述栅极跳线14上制作一层覆盖所述若干单元且带有若干通孔的绝缘层薄膜15，所述若干通孔位于所述每个单元的漏极之上。优选地，每个单元的漏极之上有一个来自所述绝缘层薄膜的所述通孔。也就是说所述绝缘层薄膜15上的每个通孔对准一个单元的所述漏极。而整个绝缘层薄膜为一个整体覆盖在所述若干单元之上。
步骤八：如图8所示，图8表示的是在所述绝缘层薄膜15上制作导电薄膜16的平面结构示意图。在所述步骤七中带有通孔的绝缘层薄膜15上利用导电墨水制作一层导电薄膜16；导电墨水填充入所述通孔与所述栅极相接触并固化；图8中只显示出导电薄膜覆盖在所述绝缘层薄膜之上，而在所述导电薄膜以下的结构都未被显示。优选地，制作所述导电薄膜的方法为丝网印刷技术。由于绝缘层薄膜中若干小孔的存在，丝印时导电墨水填充小孔与底部裸露栅极接触，该导电墨水固化后底部裸露栅极与外部导通。
步骤九：如图9所示，图9显示的是沿所述单元切割所述导电薄膜形成若干像素电极单元的平面结构示意图。图8中的整个导电薄膜被沿着所述单元切割后形成若干像素电极单元。图9只显示出被所述导电薄膜覆盖的若干像素电极单元，而该若干像素电极单元的导电薄膜以下的结构未被显示。优选地，该步骤中，切割所述导电薄膜的方法为镭射切割技术。
本发明还提供一种基于碳纳米管转移和自对准技术的柔性TFT背板，所述柔性TFT背板至少包括：设有微结构压印图形的柔性基板10；所述微结构压印图形包括由栅极101、源极102和漏极103组成的若干单元；优选地，所述单元按矩阵分布且该矩阵中每列相邻单元共用一个栅极，每行相邻单元共用一个源极。也就是说，每列中的所有相互间隔的栅极最终会相互连接在一起，而每行中的每个漏极之下的源极构成该行晶体管的共用源极。进一步优选地，所述源极位于组成该两个相邻单元的栅极、漏极之间并延伸出所述栅极之外。优选地，所述压印图形所形成的沟槽内填充有金属。优选地，所述金属包括铜或银；覆盖于所述每个单元的源极、栅极和漏极所在的范围的碳纳米管11；优选地，所述碳纳米管11覆盖于所述每个单元源极和漏极的部分区域以及源极和漏极之间的沟道区。优选地，所述第一绝缘层图形12对应覆盖于每个单元的源极和漏极的部分区域以及源极和漏极之间的沟道区。优选地，所述第一绝缘层图形与所述碳纳米管在所述柔性基板上的投影完全重叠。位于所述相邻两个单元的栅极之间且与该两个单元的栅极及其之间的源极相互接触的第二绝缘层图形13；双臂位于所述第二绝缘层图形上且与相邻两个单元的栅极相接触的T型金属结构，优选地，所述T型金属结构的双臂与每列单元中相邻两个单元的栅极相接触。该T型金属结构的主体部分在该柔性基板上的投影与每个单元的源极和漏极有重叠；位于所述T型金属结构之上、覆盖于所述若干单元且带有若干通孔的绝缘层薄膜15；所述通孔位于所述每个单元的漏极之上；优选地，所述每个单元的漏极上有一个来自所述绝缘层薄膜的所述通孔。填充于所述通孔与所述栅极相接触并固化的导电薄膜16；所述导电薄膜覆盖于所述绝缘层薄膜之上且沿每个所述单元彼此分离。
本发明利用微纳米压印技术，通过刮印固化导电墨水制备源极、漏极、栅极；压印(Imprinting)、喷印(Ink-jetting)、丝印(Screen Printing)的结合应用，绕过了传统工艺中必须的高精密低容错率工艺；碳纳米管(CNT)材料的应用，由于其本身特殊的可调的导电特性与较低的制造难度，可以在特定产品的制备中取代非晶硅与多晶硅等呈半导体特性的材料；整版喷印纳米碳管再利用聚合物材料扮演绝缘层和蚀刻掩膜的双重角色。
综上所述，本发明压印(Imprinting)技术可以利用高精细度模板在UV胶(紫外压印)和热固胶(热压印)等柔性基材上制备微米级乃至纳米级的微结构，结合导电墨水刮印技术或精细电镀技术，可以在微结构中填充导电金属制备超精细导电线路，而卷对卷压印(R2RImprinting)技术的引入使产品的大规模批量化低成本生产成为可能；喷印(Ink-jetting)、丝印(Screen Printing)作为传统制造工艺发展成熟，工序完善，设备健全，将其引入柔性TFT制备工艺没有多余的研发成本，而且可以替代复杂昂贵耗时的传统TFT制备工艺，提高生产效率，降低生产成本；碳纳米管本身优异的电学特性与力学特性。通过改变CNT本身的结构构造改变其导电特性使其成为半导体，迁移率高于非晶硅与多晶硅。CNT本身硬度高，韧性强，可以在各类基材上进行工艺处理，不限于玻璃等传统基材。本专利中CNT薄膜层通过喷印制备，不需要高温工作环境，不会造成柔性基材受热收缩弯曲。整版喷印纳米碳管再利用聚合物材料扮演绝缘层和蚀刻掩膜的角色，最后制备的CNT结构更精确。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。
Claims (14)
1.一种基于碳纳米管转移和自对准技术的柔性TFT背板制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括：
(1)提供一设有微结构压印图形的柔性基板；所述微结构压印图形包括由栅极、源极和漏极组成的若干单元；所述单元按矩阵分布且该矩阵中每列相邻单元共用一个栅极，每行相邻单元共用一个源极，该源极位于组成该两个相邻单元的栅极、漏极之间并延伸出所述栅极之外；并在所述压印图形所形成的沟槽内填充金属，形成导电线路；
(2)在所述若干单元的源极、栅极和漏极所在的范围整版覆盖一层碳纳米管；
(3)在所述碳纳米管之上制作若干第一绝缘层图形；所述第一绝缘层图形在所述柔性基板上的投影与每个单元的源极和漏极及其之间的沟道区所在的区域有重叠；
(4)刻蚀未被所述第一绝缘层图形覆盖的碳纳米管；
(5)在所述每列相邻两个单元的栅极之间制备与该两个单元的栅极及其之间的源极相互接触的第二绝缘层图形；
(6)制备横置的T型金属结构作为栅极跳线；所述T型金属结构的双臂位于所述第二绝缘层图形上且与每列中相邻两个单元的栅极相接触；所述T型金属结构的主体部分在该柔性基板上的投影与每个单元的源极和漏极有重叠且其宽度不超出所述第一绝缘层图形的宽度；
(7)在所述栅极跳线上制作一层覆盖所述若干单元且带有若干通孔的绝缘层薄膜，所述若干通孔位于所述每个单元的漏极之上；
(8)在所述步骤(7)中带有通孔的绝缘层薄膜上利用导电墨水制作一层导电薄膜；导电墨水填充入所述通孔与所述漏极相接触并固化；
(9)沿所述单元切割所述导电薄膜形成若干像素电极单元。
2.根据权利要求1所述的基于碳纳米管转移和自对准技术的柔性TFT背板制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中的微结构压印图形形成的方法是在所述柔性基板上涂覆UV胶，再利用特制模板与固化设备在所述UV胶水上压印出微结构图形。
3.根据权利要求2所述的基于碳纳米管转移和自对准技术的柔性TFT背板制备方法，其特征在于：所述微结构图形的尺度为微纳米级别，所述步骤(2)中整版覆盖所述碳纳米管的方法为喷印、转移或溅射中的任意一种。
4.根据权利要求1所述的基于碳纳米管转移和自对准技术的柔性TFT背板制备方法，其特征在于：所述步骤(5)中的第二绝缘层图形的材料为聚合物绝缘层，制作所述第二绝缘层图形的方法采用喷印的方式。
5.根据权利要求1所述的基于碳纳米管转移和自对准技术的柔性TFT背板制备方法，其特征在于：所述步骤(8)中制作所述导电薄膜的方法为丝网印刷技术或喷墨印刷技术。
6.一种基于碳纳米管转移和自对准技术的柔性TFT背板，其特征在于：所述柔性TFT背板至少包括：
设有微结构压印图形的柔性基板；所述微结构压印图形包括由栅极、源极和漏极组成的若干单元；
覆盖于所述每个单元的源极和漏极及其之间的沟道区的碳纳米管；位于所述碳纳米管之上的第一绝缘层图形；所述第一绝缘层图形覆盖于所述单元的源极和漏极所在的区域；位于所述相邻两个单元的栅极之间且与该两个单元的栅极及其之间的源极相互接触的第二绝缘层图形；
双臂位于所述第二绝缘层图形上且与相邻两个单元的栅极相接触的T型金属结构，该T型金属结构的主体部分在该柔性基板上的投影与每个单元的源极和漏极有重叠；
位于所述T型金属结构之上、覆盖于所述若干单元且带有若干通孔的绝缘层薄膜；所述通孔位于所述每个单元的漏极之上；填充于所述通孔与所述栅极相接触并固化的导电薄膜；所述导电薄膜覆盖于所述绝缘层薄膜之上且沿每个所述单元彼此分离。
7.根据权利要求6所述的基于碳纳米管转移和自对准技术的柔性TFT背板，其特征在于：所述压印图形所形成的沟槽内填充有金属。
8.根据权利要求6所述的基于碳纳米管转移和自对准技术的柔性TFT背板，其特征在于：所述单元按矩阵分布且该矩阵中每列相邻单元共用一个栅极，每行相邻单元共用一个源极。
9.根据权利要求8所述的基于碳纳米管转移和自对准技术的柔性TFT背板，其特征在于：所述源极位于组成该两个相邻单元的栅极、漏极之间并延伸出所述栅极之外。
10.根据权利要求6所述的基于碳纳米管转移和自对准技术的柔性TFT背板，其特征在于：所述第一绝缘层图形对应覆盖于每个单元的源极和漏极及其之间的沟道区所在的部分区域。
11.根据权利要求6所述的基于碳纳米管转移和自对准技术的柔性TFT背板，其特征在于：所述碳纳米管覆盖于所述每个单元源极和漏极的部分区域以及源极和漏极之间的沟道区。
12.根据权利要求6所述的基于碳纳米管转移和自对准技术的柔性TFT背板，其特征在于：所述第一绝缘层图形与所述碳纳米管在所述柔性基板上的投影完全重叠。
13.根据权利要求6所述的基于碳纳米管转移和自对准技术的柔性TFT背板，其特征在于：所述每个单元的漏极上有一个来自所述绝缘层薄膜的所述通孔。
14.根据权利要求8所述的基于碳纳米管转移和自对准技术的柔性TFT背板，其特征在于：所述T型金属结构的双臂与每列单元中相邻两个单元的栅极相接触。
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