CN106647083B - 一种阵列基板、液晶显示面板及触控显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种阵列基板、液晶显示面板及触控显示装置，所述阵列基板包括：衬底基板；位于衬底基板上依次设置的包括多条触控走线的触控走线层、第一绝缘层、包括矩阵排列的多个触控电极块的触控电极层、第二绝缘层和包括矩阵排列的多个像素电极和跨桥结构的像素电极层；触控走线通过跨桥结构与对应的触控电极块电连接；跨桥结构填充贯穿第二绝缘层露出触控电极块的第一过孔和贯穿第二绝缘层与第一绝缘层露出触控走线的第二过孔；跨桥结构位于相邻两列像素电极之间，且跨桥结构对应填充的第一过孔与第二过孔之间至少间隔一行像素电极。通过本发明的技术方案，降低了跨桥结构与像素电极之间短路的风险，提高了液晶显示面板制作的良率。

Description

一种阵列基板、液晶显示面板及触控显示装置

技术领域

本发明实施例涉及触控技术领域，尤其涉及一种阵列基板、液晶显示面板及触控显示装置。

背景技术

目前，触控显示装置中的触控走线需要与触控电极层对应的触控电极块电连接，一般利用像素电极层将触控走线与对应的触控电极块进行跨桥连接，具体实现方式是利用利用像素电极层形成跨桥结构，跨桥结构通过延伸至触控电极层的浅孔和延伸至触控走线层的深孔，将每个触控电极块与触控走线层对应的触控走线电连接。一般对应每个触控电极块，同一跨桥结构对应的深孔与浅孔均位于相邻两行像素电极之间。

但是，对应每个触控电极块，将同一跨桥结构对应的深孔与浅孔设置在相邻两行像素电极之间，其且跨桥结构与像素电极均位于像素电极层，这样就会使得用于制作跨桥结构的空间十分有限，导致像素电极层同层的像素电极与跨桥结构之间存在短路的风险。具体的，像素电极层的跨桥结构以及像素电极的制作工艺一般包括曝光工艺以形成相应的图案，像素电极和跨桥结构之间的间距过小会导致曝光量不足，光刻胶因反应不充分而残留，使得像素电极层的像素电极和跨桥结构之间出现粘连的问题，极易导致跨桥结构与像素电极之间短路，进而影响液晶显示面板的良率。此外，随着液晶显示面板向高分辨率的发展，像素电极之间的间距逐渐减小，更加增加了跨桥结构与像素电极之间短路的风险。

发明内容

本发明提供一种阵列基板、液晶显示面板及触控显示装置，以解决像素电极层的跨桥结构与像素电极之间短路的问题，实现降低像素电极层的跨桥结构与像素电极之间短路的风险的同时，提高液晶显示面板制作的良率。

第一方面，本发明实施例提供了一种阵列基板，包括：

衬底基板；

位于所述衬底基板上依次设置的触控走线层、第一绝缘层、触控电极层、第二绝缘层和像素电极层；

所述像素电极层包括矩阵排列的多个像素电极和跨桥结构；

所述触控电极层包括矩阵排列的多个触控电极块；

所述触控走线层包括多条触控走线；

所述触控走线通过所述跨桥结构与对应的所述触控电极块电连接；

所述跨桥结构填充第一过孔和第二过孔，所述第一过孔贯穿所述第二绝缘层露出所述触控电极块，所述第二过孔贯穿所述第二绝缘层与所述第一绝缘层露出所述触控走线；

所述跨桥结构位于相邻两列像素电极之间，且所述跨桥结构对应填充的所述第一过孔与所述第二过孔之间至少间隔一行所述像素电极。

第二方面，本发明实施例还提供了一种液晶显示面板，包括第一方面所述的阵列基板。

第三方面，本发明实施例还提供了一种触控显示装置，包括第二方面所述的液晶显示面板。

本发明实施例提供了一种阵列基板、液晶显示面板及触控显示装置，通过在衬底基板上依次设置包括多条触控走线的触控走线层、第一绝缘层、包括矩阵排列的多个触控电极块的触控电极层、第二绝缘层以及包括矩阵排列的多个像素电极和跨桥结构的像素电极层，设置跨桥结构位于相邻两列像素电极之间，填充贯穿第二绝缘层露出触控电极块的第一过孔以及贯穿第二绝缘层与第一绝缘层露出触控走线的第二过孔，使得触控走线通过跨桥结构与对应的触控电极块电连接，同时设置跨桥结构对应填充的第一过孔与第二过孔之间至少间隔一行像素电极，相对于现有技术大大增加了同一跨桥结构对应填充的第一过孔与第二过孔之间的距离，也就增加了像素电极层的跨桥结构与像素电极之间的距离，降低了像素电极层的跨桥结构与像素电极之间短路的风险，提高了液晶显示面板制作的良率。另一方面，本发明实施例通过设置跨桥结构位于相邻两列像素电极之间，且跨桥结构对应填充的第一过孔与第二过孔之间至少间隔一行像素电极，减小了位于跨桥结构两侧相邻像素电极之间的电性干扰，提高了液晶显示面板的显示质量。

附图说明

通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：

图1为本发明实施例提供的一种阵列基板的俯视结构示意图；

图2为沿图1中AA’方向的剖面结构示意图；

图3为本发明实施例提供的一种液晶显示面板的结构示意图；

图4为本发明实施例提供的一种触控显示装置的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。贯穿本说明书中，相同或相似的附图标号代表相同或相似的结构、元件或流程。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

本发明实施例提供了一种阵列基板，包括衬底基板，位于衬底基板上依次设置的触控走线层、第一绝缘层、触控电极层、第二绝缘层和像素电极层，像素电极层包括矩阵排列的多个像素电极和跨桥结构，触控电极层包括矩阵排列的多个触控电极块，触控走线层包括多条触控走线，触控走线通过跨桥结构与对应的触控电极块电连接，跨桥结构填充第一过孔和第二过孔，第一过孔贯穿第二绝缘层露出触控电极块，第二过孔贯穿第二绝缘层与第一绝缘层露出触控走线，跨桥结构位于相邻两列像素电极之间，且跨桥结构对应填充的第一过孔与第二过孔之间至少间隔一行像素电极。

连接液晶显示面板中触控电极层的每个触控电极块与对应触控走线的跨桥结构，若其填充的延伸至触控电极层的浅孔和延伸至触控走线层的深孔位于相邻两行像素电极之间，会使得用于制作跨桥结构的空间十分有限，使用曝光工艺对像素电极层中的跨桥结构与像素电极进行制作时，跨桥结构与像素电极之间的间距较小，会导致曝光量不足，光刻胶因反应不充分而残留，导致像素电极层的跨桥结构与像素电极之间存在短路的风险，进而影响液晶显示面板的良率。此外，液晶显示面板的分辨率越高，像素电极层的跨桥结构和像素电极之间的间距越小，跨桥结构与像素电极之间出现短路的风向也就越大。

本发明实施例提供了一种阵列基板，通过在衬底基板上依次设置包括多条触控走线的触控走线层、第一绝缘层、包括矩阵排列的多个触控电极块的触控电极层、第二绝缘层以及包括矩阵排列的多个像素电极和跨桥结构的像素电极层，设置跨桥结构位于相邻两列像素电极之间，填充贯穿第二绝缘层露出触控电极块的第一过孔以及贯穿第二绝缘层与第一绝缘层露出触控走线的第二过孔，使得触控走线通过跨桥结构与对应的触控电极块电连接，同时设置跨桥结构对应填充的第一过孔与第二过孔之间至少间隔一行像素电极，相对于现有技术将第一过孔和第二过孔设置在两行像素电极之间，设置跨桥结构对应填充的第一过孔和第二过孔之间间隔至少一行像素电极，大大增加了跨桥结构对应填充的第一过孔与第二过孔之间的距离，也就增加了像素电极层的跨桥结构与像素电极之间的距离，避免了使用曝光工艺制作像素电极层的跨桥结构与像素电极时的短路问题，降低了像素电极层的跨桥结构与像素电极之间短路的风险，提高了液晶显示面板制作的良率。另一方面，本发明实施例通过设置跨桥结构位于相邻两列像素电极之间，且跨桥结构对应填充的第一过孔与第二过孔之间至少间隔一行像素电极，跨桥结构能够使位于跨桥结构两侧相邻像素电极之间的电场截止，进而减小了位于跨桥结构两侧相邻像素电极之间的电性干扰，提高了液晶显示面板的显示质量。

以上是本发明的核心思想，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下，所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

图1为本发明实施例提供的一种阵列基板的俯视结构示意图，图2为沿图1中AA’的剖面结构示意图。结合图1和图2，阵列基板包括衬底基板10，位于衬底基板10上依次设置的触控走线层11、第一绝缘层12、触控电极层13、第二绝缘层14和像素电极层15，像素电极层15包括矩阵排列的多个像素电极151和跨桥结构152，触控电极层13包括矩阵排列的多个触控电极块131，触控走线层11包括多条触控走线，触控走线通过跨桥结构152与对应的触控电极块131电连接，跨桥结构152填充第一过孔161和第二过孔162，第一过孔161贯穿第二绝缘层14露出触控电极层13的触控电极块131，第二过孔162贯穿第二绝缘层14与第一绝缘层12露出触控走线层11的触控走线，跨桥结构152位于相邻两列像素电极151之间，且跨桥结构152对应填充的第一过孔161与第二过孔162之间至少间隔一行像素电极151。

可选的，同一跨桥结构152对应填充的第一过孔161与第二过孔162之间的距离范围可以是40μm-160μm。示例性的，可以使用曝光工艺制作像素电极151和跨桥结构152，由于像素电极层15包括矩阵排列的多个像素电极151和跨桥结构152，若同一跨桥结构152对应填充的第一过孔161与第二过孔162之间的距离过小，可能导致曝光能量不足，光刻胶因反应不充分而残留，使得像素电极层15的像素电极151和跨桥结构152之间出现粘连的问题，极易导致像素电极层15的跨桥结构152与像素电极151之间出现短路的情况，影响液晶显示面板的良率。

可选的，触控电极块131可以复用为公共电极。当该阵列基板所在的液晶显示面板进行显示时，触控电极块131复用为公共电极，与像素电极151共同控制液晶分子的偏转，进而控制该阵列基板所在的液晶显示面板的显示。当对该阵列基板所在的液晶显示面板进行触摸操作时，公共电极也可以复用为触控电极块131，触控电极块131与触控走线层11的触控走线一一对应设置，并可以通过过孔与触控走线一一电连接。

可选的，第一过孔161和第二过孔162的直径范围可以是2μm-4μm。具体的，若第一过孔161的直径过小，可能会导致跨桥结构152无法通过贯穿第二绝缘层14的第一过孔161与触控电极层13的触控电极块131之间良好接触；同样的，若第二过孔162的直径过小，可能会导致跨桥结构152无法通过贯穿第一绝缘层12和第二绝缘层14的第二过孔162与触控走线层11的触控走线的良好接触，也就无法保证触控电极块131与触控电极层13的触控走线一一电连接。若跨桥结构152对应填充的第一过孔161或第二过孔162的直径过大，可能会导致第一过孔161或第二过孔162存在裸露的部分，同样会使得跨桥结构152无法与触控电极块131和触控走线层11的触控走线良好接触，导致部分触控电极块131无法与触控走线层11相应的触控走线电连接。

可选的，触控电极块131设置有开槽结构17，跨桥结构152填充第二过孔162的部分，以及跨桥结构152位于第一过孔161和第二过孔162之间的部分，在触控电极块131上的正投影位于开槽结构17内。如图1所示，所述开槽结构17包括对应跨桥结构152填充第二过孔162部分的开槽结构171，以及对应跨桥结构152填充第一过孔161与第二过孔162之间部分的开槽结构172。开槽结构171能够实现跨桥结构152通过第二过孔162与位于触控电极块131下方的触控走线层11接触，开槽结构172能够有效减小触控电极块131与跨桥结构152之间的耦合电容，提高该阵列基板所在的液晶显示面板的显示质量。

可选的，与跨桥结构152位于第一过孔161与第二过孔162之间的部分对应的开槽结构172的宽度范围可以是2μm-4μm。为保证能够充分减小触控电极块131与跨桥结构152之间的耦合电容，需保证触控电极块131对应跨桥结构152填充第一过孔161与第二过孔162之间部分设置的开槽结构172的宽度不能过小。同时，由于跨桥结构152位于相邻两列像素电极151之间，触控电极块131对应跨桥结构152填充第一过孔161与第二过孔162之间部分设置的开槽结构172同样位于相邻两列像素电极151之间，因此触控电极块131对应跨桥结构152填充第一过孔161与第二过孔162之间部分设置的开槽结构172的宽度不能过大，避免覆盖左右相邻的像素电极151，影响该阵列基板所在的液晶显示面板的正常显示。

可选的，跨桥结构152与触控电极层13的接触电阻的范围可以是100Ω-1000Ω，跨桥结构152与触控走线层11的接触电阻的范围可以是100Ω-1000Ω。相对于现有技术中将跨桥结构152对应填充的第一过孔161与第二过孔162设置在相邻两行像素电极151之间，使跨桥结构152对应填充的第一过孔161与第二过孔162之间至少间隔一行像素电极151，在增加像素电极层15的跨桥结构152与像素电极151之间的距离之外，还可以增加第一过孔161与第二过孔162的直径，进而增加跨桥结构152与触控电极层13的触控电极块131和触控走线层11的接触面积，以减小跨桥结构152通过第一过孔161与触控电极块131之间的接触电阻，以及跨桥结构152通过第二过孔162与触控走线层11之间的接触电阻。若跨桥结构152与触控电极层13的触控电极块131和触控走线层11之间的接触电阻过大，会间接导致触控电极块131与触控走线层11的对应触控走线之间的接触电阻过大，进而使得触控走线提供给对应触控电极块131的触控信号增大，使得液晶显示面板的功耗增加，同时过大的接触电阻还会影响触控信号的稳定性。

可选的，跨桥结构152的电阻范围是300Ω-500Ω。触控走线层11的触控走线需要通过填充第一过孔161与第二过孔162之间的跨桥结构152连接对应的触控电极块131，如果跨桥结构152的电阻过大，可能会造成触控走线传送的触控信号存在较大的延迟，甚至导致触控信号存在失真的情况，影响液晶显示面板的显示质量。

可选的，触控走线层11靠近衬底基板10的一侧还可以包括数据走线层，数据走线层包括多条数据走线，每条数据走线可以通过过孔19连接对应的像素电极151，用于给像素电极151提供相应的数据信号，为了实现像素电极151与数据走线层中对应数据走线的电连接，触控电极块131上对应像素电极151与对应数据走线电连接的位置设置有开槽结构18。需要说明的是，由于开槽结构171和开槽结构18处于同一延伸方向上，图1只是示例性的将开槽结构171和开槽结构18合并设置，也可以独立设置，本发明实施例对此不作限定。

需要说明的是，本发明实施例示附图只是示例性的表示各元件的大小以及各膜层的厚度，并不代表显示面板中各元件以及各膜层实际尺寸。

本发明实施例提供了一种阵列基板，通过在衬底基板10上依次设置包括多条触控走线的触控走线层11、第一绝缘层12、包括矩阵排列的多个触控电极块131的触控电极层13、第二绝缘层14以及包括矩阵排列的多个像素电极151和跨桥结构152的像素电极层15，设置跨桥结构152位于相邻两列像素电极151之间，填充贯穿第二绝缘层14露出触控电极层13的触控电极块131的第一过孔161以及贯穿第二绝缘层14与第一绝缘层12露出触控走线层11的触控走线的第二过孔162，使得触控走线通过跨桥结构152与对应的触控电极块131电连接，同时设置跨桥结构152对应填充的第一过孔161与第二过孔162之间至少间隔一行像素电极151，相对于现有技术大大增加了跨桥结构152对应填充的第一过孔161与第二过孔162之间的距离，也就增加了像素电极层15图案之间的距离，降低了跨桥结构152与像素电极151之间短路的风险，提高了该阵列基板所在液晶显示面板制作的良率。另一方面，本发明实施例通过设置跨桥结构152位于相邻两列像素电极151之间，且跨桥结构152对应填充的第一过孔161与第二过孔162之间至少间隔一行像素电极151，减小了位于跨桥结构152两侧相邻像素电极151之间的电性干扰，提高了该阵列基板所在液晶显示面板的显示质量。

本发明实施例还提供的一种液晶显示面板，图3为本发明实施例提供的一种液晶显示面板的结构示意图。如图3所示，液晶显示面板20包括上述实施例中的阵列基板201，因此本发明实施例提供的液晶显示面板20也具备上述实施例中所描述的有益效果，此处不再赘述。

本发明实施例还提供了一种触控显示装置，图4为本发明实施例提供的一种触控显示装置的结构示意图。如图4所示，触控显示装置包括上述实施例中的液晶显示面板20，因此本发明实施例提供的触控显示装置也具备上述实施例中所描述的有益效果，此处不再赘述。

注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (11)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

衬底基板；

位于所述衬底基板上依次设置的触控走线层、第一绝缘层、触控电极层、第二绝缘层和像素电极层；

所述像素电极层包括矩阵排列的多个像素电极和跨桥结构；

所述触控电极层包括矩阵排列的多个触控电极块；

所述触控走线层包括多条触控走线；

所述触控走线通过所述跨桥结构与对应的所述触控电极块电连接；

所述跨桥结构填充第一过孔和第二过孔，所述第一过孔贯穿所述第二绝缘层露出所述触控电极块，所述第二过孔贯穿所述第二绝缘层与所述第一绝缘层露出所述触控走线；

所述触控电极块设置有开槽结构，所述跨桥结构填充所述第二过孔的部分在所述触控电极块上的正投影位于所述开槽结构内；所述跨桥结构位于相邻两列像素电极之间，且所述跨桥结构对应填充的所述第一过孔与所述第二过孔之间至少间隔一行所述像素电极。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，同一所述跨桥结构对应填充的所述第一过孔与所述第二过孔之间的距离范围是40μm-160μm。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述触控电极块复用为公共电极。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一过孔和所述第二过孔的直径范围是2μm-4μm。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述跨桥结构位于所述第一过孔和所述第二过孔之间的部分在所述触控电极块上的正投影位于所述开槽结构内。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，与所述跨桥结构位于所述第一过孔与所述第二过孔之间的部分对应的所述开槽结构的宽度范围是2μm-4μm。

7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述跨桥结构与所述触控电极层的接触电阻的范围是100Ω-1000Ω。

8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述跨桥结构与所述触控走线层的接触电阻的范围是100Ω-1000Ω。

9.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述跨桥结构的电阻范围是300Ω-500Ω。

10.一种液晶显示面板，其特征在于，包括权利要求1-9任一项所述的阵列基板。

11.一种触控显示装置，其特征在于，包括权利要求10所述的液晶显示面板。