CN107221536B - 阵列基板、异形显示器及显示装置 - Google Patents

阵列基板、异形显示器及显示装置 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种阵列基板、异形显示器及显示装置，涉及显示技术领域，该阵列基板显示区设置有多条长度不相同的栅线，非显示区设置有与部分栅线一一对应的电容补偿结构；电容补偿结构包括位于衬底基板上的第一电极、第二电极和第三电极，第一电极与第二电极构成第一电容，第二电极与第三电极构成第二电容，电容补偿结构的耦合电容值与其所对应的栅线的长度负相关。本发明所提供的技术方案通过在阵列基板的非显示区设置电容补偿结构，且该电容补偿结构的耦合电容值与其所对应的栅线的长度负相关，对显示区中不同长度的栅线的耦合电容的差异进行了补偿，提高了显示画面的品质。

Description

阵列基板、异形显示器及显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，更为具体的说，涉及一种阵列基板、异形显示器及显示装置。
背景技术
随着显示器技术的飞速发展，显示器除了传统的信息展示等作用外，为了更好的适应环境的整体结构和使用要求，在外形上的要求也在逐步提升，随之产生了异形显示器。
异形显示器是在传统显示器的基础上改造成的特殊形状的显示器，以使显示器的特点能更好的适应建筑物的整体结构和环境。目前常见的异形屏主要有扇形、弧形、圆形、圆柱形、三角形等结构形式。
但是在异形显示器中，由于显示区中栅线的长度不一致，导致不同长度的栅线连接的像素的数量不相等，从而使得不同长度的栅线的电容负载存在差异，而电容的负载差异会造成显示器像素充电情况、像素电压耦合电压降(feedthrough)等不一致从而影响显示。
发明内容
有鉴于此，本发明实施例提供了一种阵列基板、异形显示器及显示装置，用于提高显示画面的品质。
本发明实施例提供的一种阵列基板，包括衬底基板，所述衬底基板包括显示区和围绕所述显示区的非显示区，所述显示区设置有多条长度不相同的栅线，所述非显示区设置有与部分所述栅线一一对应的电容补偿结构；
所述电容补偿结构包括位于所述衬底基板上的第一电极、第二电极和第三电极，所述第一电极与所述第二电极构成第一电容，所述第二电极与所述第三电极构成第二电容，所述电容补偿结构的耦合电容值与其所对应的所述栅线的长度负相关；
所述第一电极与所述第三电极的电位相同，且所述第一电极不与所述第三电极电连接，所述第二电极与所述电容补偿结构所对应的所述栅线电连接；或者，
所述第一电极与所述第三电极电连接，所述第一电极或所述第二电极或所述第三电极与所述电容补偿结构所对应的所述栅线电连接。
相应地，本发明实施例还提供了一种异形显示器，包括本发明实施例提供的上述任一种阵列基板。
相应地，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述任异形显示器。
本发明有益效果如下：
本发明实施例提供的上述阵列基板、异形显示器及显示装置，显示区设置有多条长度不相同的栅线，由于非显示区设置有与部分栅线一一对应的电容补偿结构；电容补偿结构的耦合电容值与其所对应的栅线的长度负相关；这是由于栅线的长度越长，栅线上连接的像素的数量越多，栅线的电容负载越大，因此对长度较长的栅线设置耦合电容值较小的电容补偿结构，对长度较短的栅线设置耦合电容值较大的电容补偿结构，利用电容补偿结构之间的耦合电容值差异来补偿栅线的电容负载的差异，从而使每一条栅线对应的耦合电容值与负载电容值两者的和是一致的，进而使显示中像素充电情况、像素电压耦合电压降(feedthrough)等一致从而提高显示品质。并且由于电容补偿结构包括由第一电极与第二电极构成第一电容和由第二电极与第三电极构成第二电容，即电容补偿结构中有两个电容，可以增大电容补偿结构的电容值，并且两个电容共用一个电极，不仅结构简单，而且可以减少工艺步骤。
附图说明
图1a为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
图1b为本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；
图2a为本发明实施例提供的阵列基板中一种电容补偿结构的结构示意图；
图2b为本发明实施例提供的阵列基板中另一种电容补偿结构的结构示意图；
图2c为本发明实施例提供的阵列基板中又一种电容补偿结构的结构示意图；
图2d为本发明实施例提供的阵列基板中又一种电容补偿结构的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；
图4a为本发明实施例提供的阵列基板中一种电容补偿结构的俯视结构示意图；
图4b为图4a所示的电容补偿结构沿A-A’方向的一种截面示意图；
图4c为图4a所示的电容补偿结构沿A-A’方向的另一种截面示意图；
图5a为本发明实施例提供的阵列基板中另一种电容补偿结构的俯视结构示意图；
图5b为图5a所示的电容补偿结构沿A-A’方向的一种截面示意图；
图6a为本发明实施例提供的一种阵列基板的具体结构示意图；
图6b为本发明实施例提供的另一种阵列基板的具体结构示意图；
图7为本发明实施例提供的阵列基板中另一种电容补偿结构的俯视结构示意图；
图8a为本发明实施例提供的阵列基板中以一条栅线为例对应的一种等效电路图；
图8b为本发明实施例提供的阵列基板中以一条栅线为例对应的另一种等效电路图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
附图中各部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本发明内容。
本发明实施例提供的一种阵列基板，如图1a和图1b所示，其中，图1a为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；图1b为本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图，包括衬底基板1，衬底基板1包括显示区aa和围绕显示区的非显示区bb，显示区aa设置有多条长度不相同的栅线gate，非显示区bb设置有与部分栅线gate一一对应的电容补偿结构10；
如图2a至图2d所示，其中，图2a为本发明实施例提供的阵列基板中一种电容补偿结构的结构示意图；图2b为本发明实施例提供的阵列基板中另一种电容补偿结构的结构示意图；图2c为本发明实施例提供的阵列基板中又一种电容补偿结构的结构示意图；图2d为本发明实施例提供的阵列基板中又一种电容补偿结构的结构示意图，电容补偿结构10包括位于衬底基板1上的第一电极11、第二电极12和第三电极13，第一电极11与第二电极12构成第一电容C1，第二电极12与第三电极13构成第二电容C2，电容补偿结构10的耦合电容值与其所对应的栅线gate的长度负相关；
如图2a所示，第一电极11与第三电极13的电位相同，且第一电极11不与第三电极13电连接，第二电极12与电容补偿结构10所对应的栅线gate电连接。具体地，如图2a所示，第一电极11与第三电极13的电位相同，但是第一电极11不与第三电极13电连接，即通过不同的传输线分别向第一电极11与第三电极13传输信号，虽然传输线不同，但是传输线上的信号的电位是相同的。第二电极12与电容补偿结构10所对应的栅线gate电连接；使第二电极12上的电位与电容补偿结构10所对应的栅线gate相同，第一电极11与第三电极13的电位相同，使第一电极11与第二电极12形成第一电容C1，使第二电极12与第三电极13形成第二电容C2。电容补偿结构10中有两个电容，可以增大电容补偿结构10的耦合电容值，并且两个电容共用一个电极，不仅结构简单，而且可以减少工艺步骤。或者，如图2b所示，第一电极11与第三电极13电连接，第一电极11与电容补偿结构10所对应的栅线gate电连接。具体地，如图2b所示，第一电极11与第三电极13电连接，第一电极11与电容补偿结构10所对应的栅线gate电连接，使第一电极11和第三电极13上的电位均与电容补偿结构10所对应的栅线gate相同，这样仅需要一个传输线向第二电极12提供一个与第一电极11和第三电极13上的电位不相同的电位，使第一电极11与第二电极12形成第一电容C1，使第二电极12与第三电极13形成第二电容C2。电容补偿结构10中有两个电容，可以增大电容补偿结构10的耦合电容值，并且两个电容共用一个电极，不仅结构简单，而且可以减少工艺步骤。或者，如图2c所示，第一电极11与第三电极13电连接，第二电极12与电容补偿结构10所对应的栅线gate电连接。具体地，如图2c所示，第一电极11与第三电极13电连接，第二电极12与电容补偿结构10所对应的栅线gate电连接，使第二电极12上的电位与电容补偿结构10所对应的栅线gate相同，由于第一电极11与第三电极13是电连接的，这样仅需要一个传输线向第一电极11或第三电极13提供一个与第二电极12上的电位不相同的电位，就可以使第一电极11与第二电极12形成第一电容C1，使第二电极12与第三电极13形成第二电容C2。电容补偿结构10中有两个电容，可以增大电容补偿结构10的耦合电容值，并且两个电容共用一个电极，不仅结构简单，而且可以减少工艺步骤。或者，如图2d所示，第一电极11与第三电极13电连接，第三电极13与电容补偿结构10所对应的栅线gate电连接。具体地，如图2d所示，第一电极11与第三电极13电连接，第三电极13与电容补偿结构10所对应的栅线gate电连接，使第一电极11和第三电极13上的电位均与电容补偿结构10所对应的栅线gate相同，这样仅需要一个传输线向第二电极12提供一个与第一电极11和第三电极13上的电位不相同的电位，使第一电极11与第二电极12形成第一电容C1，使第二电极12与第三电极13形成第二电容C2。电容补偿结构10中有两个电容，可以增大电容补偿结构10的耦合电容值，并且两个电容共用一个电极，不仅结构简单，而且可以减少工艺步骤。
本发明实施例提供的阵列基板，显示区设置有多条长度不相同的栅线，由于非显示区设置有与部分栅线一一对应的电容补偿结构；电容补偿结构的耦合电容值与其所对应的栅线的长度负相关；这是由于栅线的长度越长，栅线上连接的像素的数量越多，栅线的电容负载越大，因此对长度较长的栅线设置耦合电容值较小的电容补偿结构，对长度较短的栅线设置耦合电容值较大的电容补偿结构，利用电容补偿结构之间的耦合电容值差异来补偿栅线的电容负载的差异，从而使每一条栅线对应的耦合电容值与负载电容值两者的和是一致的，进而使显示中像素充电情况、像素电压耦合电压降(feedthrough)等一致从而提高显示品质。并且由于电容补偿结构包括由第一电极与第二电极构成第一电容和由第二电极与第三电极构成第二电容，即电容补偿结构中有两个电容，可以增大电容补偿结构的电容值，并且两个电容共用一个电极，不仅结构简单，而且可以减少工艺步骤。在具体实施时，一般显示区中最长的栅线所连接的像素的数量最多，因此最长的栅线的电容负载最大，长度短的栅线的电容负载较小，一般是以显示区中最长的栅线为补偿基准，对长度短的栅线进行电容补偿，因此，在本发明实施例提供的阵列基板中，对应有电容补偿结构的部分栅线一般是指显示区中除了最长的栅线之外其它的栅线。
可选地，在本发明实施例提供的阵列基板中，如图2a所示，第一电极11与第三电极13的电位相同，且第一电极11不与第三电极13电连接，第二电极12与栅线gate电连接，第二电极12复用为栅线连接线，栅线连接线用于为栅线传输扫描信号。
具体地，第二电极12复用为栅线连接线是指第二电极12既作为电容补偿结构的一部分，又作为栅线连接线为栅线提供扫描信号。本发明实施例将第二电极12复用栅线连接线可以省去单独设置栅线连接线，有利于窄边框设计。
可选地，在本发明实施例提供的阵列基板中，如图2b至图2d所示，第一电极11与第三电极13电连接，第一电极11或第二电极12或第三电极13与栅线gate电连接，且与栅线gate电连接的第一电极11或第二电极12或第三电极13被复用为栅线连接线，栅线连接线用于为栅线传输扫描信号。
具体地，如图2b所示，第一电极11与第三电极13电连接，第一电极11与栅线gate电连接，且第一电极11被复用为栅线连接线。即第一电极11既作为电容补偿结构的一部分，又作为栅线连接线为栅线提供扫描信号。本发明实施例将第一电极11复用栅线连接线可以省去单独设置栅线连接线，有利于窄边框设计。
如图2c所示，第一电极11与第三电极13电连接，第二电极12与栅线gate电连接，且第二电极12被复用为栅线连接线。即第二电极12既作为电容补偿结构的一部分，又作为栅线连接线为栅线提供扫描信号。本发明实施例将第二电极12复用栅线连接线可以省去单独设置栅线连接线，有利于窄边框设计。
如图2b所示，第一电极11与第三电极13电连接，第三电极13与栅线gate电连接，且第三电极13被复用为栅线连接线。即第三电极13既作为电容补偿结构的一部分，又作为栅线连接线为栅线提供扫描信号。本发明实施例将第三电极13复用栅线连接线可以省去单独设置栅线连接线，有利于窄边框设计。
可选地，在本发明实施例提供的阵列基板中，如图1a所示，电容补偿结构10位于栅线gate延伸方向上的第一端；或者，如图1b所示，部分电容补偿结构10位于栅线gate延伸方向上的第一端，部分电容补偿结构10位于栅线gate延伸方向上的第二端。
具体地，栅线gate沿延伸方向有两个端，电容补偿结构10可以位于栅线gate延伸方向上的任意一个端，如图1a所示，电容补偿结构10均位于栅线gate延伸方向上的第一端，这样可以使栅线gate延伸方向上另一端的边框做窄。如图1b所示，部分电容补偿结构10位于栅线gate延伸方向上的第一端，部分电容补偿结构10位于栅线gate延伸方向上的第二端。这样可以将电容补偿结构10分布在两端，可以避免其中一端边框较宽，从而可以使两端边框宽度一致。具体可以根据阵列基板上非显示的实际情况例如非显示区的形状，以及非显示区中的其它器件的位置等决定电容补偿结构10的具体位置。
可选地，在本发明实施例提供的阵列基板，如图3所示，图3为本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；电容补偿结构10位于栅极驱动电路20与显示区aa之间，栅极驱动电路20位于非显示区bb。
具体地，栅极驱动电路20位于阵列基板的非显示区即利用GOA(Gate Driver onArray)技术将栅极驱动电路集成在阵列基板上，不仅可以从材料成本和制作工艺两方面降低产品成本，而且显示面板可以做到两边对称和窄边框的美观设计。
可选地，在本发明实施例提供的阵列基板中，如图4a至图4c所示，图4a为本发明实施例提供的阵列基板中一种电容补偿结构的俯视结构示意图；图4b为图4a所示的电容补偿结构沿A-A’方向的一种截面示意图；图4c为图4a所示的电容补偿结构沿A-A’方向的另一种截面示意图；在垂直衬底基板1所在平面的方向上，第一电极11与第二电极12至少存在部分区域交叠，第二电极12与第三电极13至少存在部分区域交叠。
具体地，如图4a、4b所示，第一电极11与第三电极13可以设置在同一层，在垂直衬底基板1所在平面的方向上，第一电极11与第二电极12至少存在部分区域交叠，第二电极12与第三电极13至少存在部分区域交叠。这样不仅可以使第一电极11与第三电极13同层制备，减少构图工艺，还可以降低阵列基板的厚度。
如图4a、4c所示，第一电极11与第三电极13可以设置在不同层，在垂直衬底基板1所在平面的方向上，第一电极11与第二电极12至少存在部分区域交叠，第二电极12与第三电极13至少存在部分区域交叠。由于第一电极与第三电极设置在不同层，在一些实施例中可以使第一电极与第三电极设置成在垂直衬底基板所在平面的方向上存在交叠，从而可以减小电容补偿结构占用衬底基板的面积，有利于窄边框设计。
可选地，在本发明实施例提供的阵列基板中，如图2a至图2d所示，第一电极11位于第二电极12与衬底基板1之间，第二电极12位于第一电极11与第三电极13之间。
具体地，如图2a至图2d所示，第一电极11、第二电极12和第三电极13分别位于不同的层，并且第二电极12位于第一电极11与第三电极13之间，这样可以减小电容补偿结构占用衬底基板1的面积，有利于窄边框设计。为了使第一电极与第二电极构成第一电容，第一电极与第二电极之间还可以设置有绝缘材料。同理，为了使第二电极与第三电极构成第二电容，第二电极与第三之间也可以设置有绝缘材料。
可选地，在本发明实施例提供的阵列基板中，如图5a和图5b所示，图5a为本发明实施例提供的阵列基板中另一种电容补偿结构的俯视结构示意图；图5b为图5a所示的电容补偿结构沿A-A’方向的一种截面示意图；在垂直衬底基板1所在平面的方向上，第一电极11、第二电极12和第三电极13至少存在部分区域共同交叠。
具体地，如图5b所示，在垂直衬底基板1所在平面的方向上，第一电极11第二电极12和第三电极13中任意两个电极均存在交叠的区域，且在电容补偿结构的耦合电容值一定的情况下，电容补偿结构中三个电极同时交叠的区域的面积越大，电容补偿结构所在衬底基板1的面积越小，越有利于窄边框设计。
可选地，在本发明实施提供的阵列基板中，如图2b至图2d所示，第一电极11与第三电极13通过过孔电连接。
具体地，如图2b至图2d所示，第一电极11与第三电极13位于不同层，第一电极11与第三电极13通过过孔电连接。当第一电极11与第三电极13同层设置时，第一电极11与第三电极13电连接不需要设置过孔，可以通过直接接触实现电连接。
可选地，在本发明实施提供的阵列基板中，显示区还设置有透明导电电极，第三电极与透明导电电极同层设置。这样可以使第三电极与透明导电电极通过一次构图工艺形成，从简减少构图次数，进而可以节省生产成本和提高生产效率。
可选地，在本发明实施提供的阵列基板中，透明导电电极可以为公共电极，或者像素电极，在此不作限定。
可选地，在本发明实施例提供的阵列基板中，显示区还设置有与栅线交叉的数据线；为减少构图次数，栅线与第一电极或第二电极同层设置；或者，数据线与第一电极或第二电极同层设置。
具体地，在本发明实施例提供的阵列基板中，栅线与第一电极同层设置，可以使栅线与第一电极通过一次构图工艺形成，从简减少构图次数，进而可以节省生产成本和提高生产效率。或者，栅线与第二电极同层设置，使栅线与第二电极通过一次构图工艺形成，从简减少构图次数，进而可以节省生产成本和提高生产效率。，其中，栅线可以与阵列基板中开关薄膜晶体管的栅极电连接，并为开关薄膜晶体管传输栅极驱动信号。或者，数据线与第一电极同层设置，使数据线与第一电极通过一次构图工艺形成，从简减少构图次数，进而可以节省生产成本和提高生产效率。或者，数据线与第二电极同层设置，使数据线与第二电极通过一次构图工艺形成，从简减少构图次数，进而可以节省生产成本和提高生产效率。其中，数据线可以与阵列基板中开关薄膜晶体管的源/漏极电连接，并为阵列基板像素单元中像素电极传输数据信号。
可选地，在本发明实施例提供的阵列基板中，栅线与第一电极同层设置，数据线与第二电极同层设置。
具体地，如图6a所示，图6a为本发明实施例提供的一种阵列基板的具体结构示意图；显示区中，还设置有薄膜晶体管30，薄膜晶体管30包括栅极31、栅极绝缘层32、有源层33、刻蚀阻挡层34、源漏电极35；薄膜晶体管30上方还设置有钝化层36和公共电极37。数据线(未示出)与源漏电极34同层设置，栅线(未示出)与栅极31同层设置。为了简化制作工艺，栅线与第一电极11同层设置，数据线与第二电极12同层设置，公共电极37与第三电极13同层设置。即相当于本发明实施例提供的阵列基板，虽然增加了补偿电容结构，但是在工艺上与现有的阵列基板相比仅是在构图时图形进行了改变，没有单独增加额外的构图工艺。
可选地，在本发明实施例提供的阵列基板中，数据线与第一电极同层设置，栅线与第二电极同层设置。
具体地，如图6b所示，图6b为本发明实施例提供的另一种阵列基板的具体结构示意图；显示区中，还设置有薄膜晶体管30，薄膜晶体管30包括源漏电极35、有源层33、栅极绝缘层32、栅极31；薄膜晶体管30上方还设置有钝化层36和公共电极37。数据线(未示出)与源漏电极35同层设置，栅线(未示出)与栅极31同层设置。为了简化制作工艺，数据线与第一电极11同层设置，栅线与第二电极12同层设置，公共电极37与第三电极13同层设置。即相当于本发明实施例提供的阵列基板，虽然增加了补偿电容结构，但是在工艺上与现有的阵列基板相比仅是在构图时图形进行了改变，没有单独增加额外的构图工艺。
可选地，在本发明实施提供的阵列基板中，如图2b和图2d所示，第一电极11与第三电极13电连接，第一电极11或第三电极13与电容补偿结构10所对应的栅线gate电连接；第二电极12上的电压信号为公共电压信号。
具体地，第一电极11与第三电极13电连接，第一电极11或第三电极13与电容补偿结构10所对应的栅线gate电连接时，相当于第一电极11和第三电极13的电位均与栅线gate上的电位相同，要使第一电极11和第二电极12形成第一电容C1，第三电极13与第二电极12形成第二电容C2，就需要第二电极12上的电位不同于栅线gate上的电位，但是在显示面板中，驱动IC一般输出三种信号：栅线信号、数据线信号和公共电压信号。但是数据线信号是根据图像内容不断变化的，而公共电压上的信号为稳定的直流信号，因此第二电极12上的电压信号为公共电压信号，可以使补偿电容结构的耦合电容值稳定。当然，也可以在第二电极上加载一个其它的直流信号，但是这样就需要对现有的驱动IC进行改进。
可选地，在本发明实施提供的阵列基板中，如图2a和图2c所示，第二电极12与电容补偿结构10所对应的栅线gate电连接，第一电极11和第三电极13上的电压信号为公共电压信号。
具体地，第二电极12与电容补偿结构10所对应的栅线gate电连接时，相当于第二电极12的电位均与栅线gate上的电位相同，要使第一电极11和第二电极12形成第一电容C1，第三电极13与第二电极12形成第二电容C2，就需要第一电极11和第三电极13上的电位不同于栅线gate上的电位，但是在显示面板中，驱动IC一般输出三种信号：栅线信号、数据线信号和公共电压信号。但是数据线信号是根据图像内容不断变化的，而公共电压上的信号为稳定的直流信号，因此第一电极11和第三电极13上的电压信号为公共电压信号，可以使补偿电容结构的耦合电容值稳定。当然，也可以在第一电极和第三电极上加载一个其它的直流信号，但是这样就需要对现有的驱动IC进行改进。
可选地，在本发明实施提供的阵列基板中，与电容补偿结构所对应的栅线电连接的第一电极或第二电极或第三电极在衬底基板所在平面的正投影为折线状投影，折线状投影的完全伸展长度与电容补偿结构所对应的栅线的长度负相关。
具体地，如图7所示，图7为本发明实施例提供的阵列基板中另一种电容补偿结构的俯视结构示意图，电容补偿结构中的第二电极12与栅线(图中未示出)电连接，第二电极12在衬底基板所在平面的正投影为折线状投影。而相应地，当电容补偿结构中的第一电极与栅线gate电连接时，第一电极在衬底基板所在平面的正投影可以为折线状；当电容补偿结构中的第三电极与栅线电连接时，第三电极在衬底基板所在平面的正投影也可以为折线状投影。其中，当显示区中栅线长度不同时会导致电阻也不相同，长度长的栅线的电阻大，长度短的栅线的电阻小，而不同栅线的电阻不同同样能够产生信号延迟时间不相同。电阻大的栅线产生的信号延迟的时间长，电阻小的栅线产生的信号延迟的时间短，因此可以对与栅线电连接的电极的电阻进行设置，栅线长度长的电极设置较小的电阻，栅线长度短的电极设置较大的电阻，从而对显示区中不同长度的栅线的电阻的差异进行补偿，进一步提高显示画面的品质。
而要想将与栅线连接的电阻做大，就需要将电极的长度做长，由于非显示区的尺寸较小，为了增加电极的长度可以将电极做成折线，即电极在衬底基板所在平面的正投影为折线状，同时，折线状的第一或第二或第三电极可以增大第一或第二电容的正对面积，增大耦合电容值。
可选地，在本发明实施提供的阵列基板中，如图7所示，折线状投影的形状呈弓字形。
在具体实施时，在本发明实施例提供的阵列基板中，当非显示区中设置有电容补偿结构时，其中一个电容补偿结构对应的电路等效图如图8a所示，图8a为本发明实施例提供的阵列基板中以一条栅线为例对应的一种等效电路图；当还对栅线进行电阻R补偿(即与电容补偿结构所对应的栅线电连接的第一电极或第二电极或第三电极在衬底基板所在平面的正投影为折线状投影)时，对应的电路等效图如图8b所示，图8b为本发明实施例提供的阵列基板中以一条栅线为例对应的另一种等效电路图。以800*800分辨率的阵列基板为例进行仿真模拟，比较所在行有800个像素的栅线和所在行有20个像素的栅线，若只对栅线的电阻差异进行补偿，像素的耦合电压降(feedthrough)相差0.085V，若同时对电阻和电容进行补偿，像素的耦合电压降(feedthrough)相差0.031V。feedthrough越小，意味着显示效果越好。因此，模拟结果也验证了本发明实施例提供的阵列基板设置电容补偿结构可以极大的提高显示面板的画面品质。当电容与电阻同时进行补偿时效果更好。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种异形显示器，包括本发明实施例提供的上述任一种阵列基板。由于该异形显示器解决问题的原理与前述一种阵列基板相似，因此该异形显示器的实施可以参见前述阵列基板的实施，重复之处不再赘述。
需要说明的是，在本发明实施例提供的异形显示器中，显示区的形状可以为圆形、椭圆、三角形、心形、六边形等形状，在此不作限定。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述任一种异形显示器。该显示装置可以为：电子广告牌、广场显示器等任何具有显示功能的产品或部件。该显示装置的实施可以参见上述异形显示器的实施例，重复之处不再赘述。
本发明实施例提供的一种阵列基板、异形显示器及显示装置，显示区设置有多条长度不相同的栅线，由于非显示区设置有与部分栅线一一对应的电容补偿结构；电容补偿结构的耦合电容值与其所对应的栅线的长度负相关；这是由于栅线的长度越长，栅线上连接的像素的数量越多，栅线的电容负载越大，因此对长度较长的栅线设置耦合电容值较小的电容补偿结构，对长度较短的栅线设置耦合电容值较大的电容补偿结构，利用电容补偿结构之间的耦合电容值差异来补偿栅线的电容负载的差异，从而使每一条栅线对应的耦合电容值与负载电容值两者的和是一致的，进而使显示中像素充电情况、像素电压耦合电压降(feedthrough)等一致从而提高显示品质。并且由于电容补偿结构包括由第一电极与第二电极构成第一电容和由第二电极与第三电极构成第二电容，即电容补偿结构中有两个电容，可以增大电容补偿结构的电容值，并且两个电容共用一个电极，不仅结构简单，而且可以减少工艺步骤。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (20)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底基板，所述衬底基板包括显示区和围绕所述显示区的非显示区，所述显示区设置有多条长度不相同的栅线，所述非显示区设置有与部分所述栅线一一对应的电容补偿结构；
所述电容补偿结构包括位于所述衬底基板上的第一电极、第二电极和第三电极，所述第一电极与所述第二电极构成第一电容，所述第二电极与所述第三电极构成第二电容，所述电容补偿结构的耦合电容值与其所对应的所述栅线的长度负相关；其中，所述电容补偿结构的耦合电容值越大，其对应的所述栅线的长度越短；
所述第一电极与所述第三电极的电位相同，且所述第一电极不与所述第三电极电连接，所述第二电极与所述电容补偿结构所对应的所述栅线电连接；或者，
所述第一电极与所述第三电极电连接，所述第一电极或所述第二电极或所述第三电极与所述电容补偿结构所对应的所述栅线电连接。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，在垂直所述衬底基板所在平面的方向上，所述第一电极与所述第二电极至少存在部分区域交叠，所述第二电极与所述第三电极至少存在部分区域交叠。
3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极位于所述第二电极与所述衬底基板之间，所述第二电极位于所述第一电极与所述第三电极之间。
4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，在垂直所述衬底基板所在平面的方向上，所述第一电极、所述第二电极和所述第三电极至少存在部分区域共同交叠。
5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极与所述第三电极的电位相同，且所述第一电极不与所述第三电极电连接，所述第二电极与所述栅线电连接，所述第二电极复用为栅线连接线，所述栅线连接线用于为所述栅线传输扫描信号。
6.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极与所述第三电极电连接，所述第一电极或所述第二电极或所述第三电极与所述栅线电连接，且与所述栅线电连接的所述第一电极或所述第二电极或所述第三电极被复用为栅线连接线，所述栅线连接线用于为所述栅线传输扫描信号。
7.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述电容补偿结构位于所述栅线延伸方向上的第一端；或者，
部分所述电容补偿结构位于所述栅线延伸方向上的所述第一端，部分所述电容补偿结构位于所述栅线延伸方向上的第二端。
8.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述电容补偿结构位于栅极驱动电路与所述显示区之间，所述栅极驱动电路位于所述非显示区。
9.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极与所述第三电极通过过孔电连接。
10.如权利要求1-9任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述显示区还设置有透明导电电极，所述第三电极与所述透明导电电极同层设置。
11.如权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，所述显示区还设置有与所述栅线交叉的数据线；
所述栅线与所述第一电极或所述第二电极同层设置；或者，
所述数据线与所述第一电极或所述第二电极同层设置。
12.如权利要求11所述的阵列基板，其特征在于，所述栅线与所述第一电极同层设置，所述数据线与所述第二电极同层设置。
13.如权利要求11所述的阵列基板，其特征在于，所述数据线与所述第一电极同层设置，所述栅线与所述第二电极同层设置。
14.如权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，所述透明导电电极为公共电极。
15.如权利要求1-4任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极与所述第三电极电连接，所述第一电极或所述第三电极与所述电容补偿结构所对应的所述栅线电连接；
所述第二电极上的电压信号为公共电压信号。
16.如权利要求1-4任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述第二电极与所述电容补偿结构所对应的所述栅线电连接，所述第一电极和所述第三电极上的电压信号为公共电压信号。
17.如权利要求1或6所述的阵列基板，其特征在于，与所述电容补偿结构所对应的所述栅线电连接的所述第一电极或所述第二电极或所述第三电极在所述衬底基板所在平面的正投影为折线状投影，所述折线状投影的完全伸展长度与所述电容补偿结构所对应的所述栅线的长度负相关。
18.如权利要求17所述的阵列基板，其特征在于，所述折线状投影的形状呈弓字形。
19.一种异形显示器，其特征在于，包括如权利要求1-18任一项所述的阵列基板。
20.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求19所述的异形显示器。
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