FI125151B - Menetelmä konformisen elementin valmistamiseksi - Google Patents

Menetelmä konformisen elementin valmistamiseksi Download PDF

Info

Publication number
FI125151B
FI125151B FI20105216A FI20105216A FI125151B FI 125151 B FI125151 B FI 125151B FI 20105216 A FI20105216 A FI 20105216A FI 20105216 A FI20105216 A FI 20105216A FI 125151 B FI125151 B FI 125151B
Authority
FI
Finland
Prior art keywords
harm structures
networks
harm
structures
electrically conductive
Prior art date
Application number
FI20105216A
Other languages
English (en)
Swedish (sv)
Other versions
FI20105216L (fi
FI20105216A0 (fi
Inventor
David P Brown
Original Assignee
Canatu Oy
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canatu Oy filed Critical Canatu Oy
Publication of FI20105216A0 publication Critical patent/FI20105216A0/fi
Priority to FI20105216A priority Critical patent/FI125151B/fi
Priority to TW100106789A priority patent/TW201203041A/zh
Priority to TW100106790A priority patent/TWI609837B/zh
Priority to US13/582,865 priority patent/US9395851B2/en
Priority to EP11750245.0A priority patent/EP2543061B1/en
Priority to PCT/FI2011/050197 priority patent/WO2011107666A1/en
Priority to ES11750245T priority patent/ES2711603T3/es
Priority to KR1020127026101A priority patent/KR101815141B1/ko
Priority to PCT/FI2011/050196 priority patent/WO2011107665A1/en
Priority to US13/582,916 priority patent/US20130050113A1/en
Priority to BR112012022490A priority patent/BR112012022490A2/pt
Priority to CN201180022472.1A priority patent/CN102884495B/zh
Priority to JP2012555458A priority patent/JP6066731B2/ja
Priority to EP11750246.8A priority patent/EP2542952A4/en
Priority to KR1020127026141A priority patent/KR20130054243A/ko
Priority to CN201180012520.9A priority patent/CN102893369B/zh
Priority to JP2012555457A priority patent/JP6198394B2/ja
Priority to BR112012022460A priority patent/BR112012022460A2/pt
Publication of FI20105216L publication Critical patent/FI20105216L/fi
Application granted granted Critical
Publication of FI125151B publication Critical patent/FI125151B/fi
Priority to US16/001,544 priority patent/US20180290886A1/en

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/10—Semiconductor bodies
    • H10F77/14—Shape of semiconductor bodies; Shapes, relative sizes or dispositions of semiconductor regions within semiconductor bodies
    • H10F77/143—Shape of semiconductor bodies; Shapes, relative sizes or dispositions of semiconductor regions within semiconductor bodies comprising quantum structures
    • H10F77/1437—Quantum wires or nanorods
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
    • H10P14/3451—Structure
    • H10P14/3452—Microstructure
    • H10P14/3462—Nanowires
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/13338—Input devices, e.g. touch panels
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/165—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on translational movement of particles in a fluid under the influence of an applied field
    • G02F1/166—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on translational movement of particles in a fluid under the influence of an applied field characterised by the electro-optical or magneto-optical effect
    • G02F1/167—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on translational movement of particles in a fluid under the influence of an applied field characterised by the electro-optical or magneto-optical effect by electrophoresis
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
    • H05K1/0216—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/20—Carbon compounds, e.g. carbon nanotubes or fullerenes
    • H10K85/221—Carbon nanotubes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
    • H10P14/3451—Structure
    • H10P14/3452—Microstructure
    • H10P14/3464—Nanotubes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133308—Support structures for LCD panels, e.g. frames or bezels
    • G02F1/133334—Electromagnetic shields
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/03—Conductive materials
    • H05K2201/032—Materials
    • H05K2201/0323—Carbon
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/07—Electric details
    • H05K2201/0707—Shielding
    • H05K2201/0715—Shielding provided by an outer layer of PCB
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/10—Methods of surface bonding and/or assembly therefor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)

Description

MENETELMÄ KONFORMISEN ELEMENTIN VALMISTAMISEKSI KEKSINNÖN ALA
Keksintö koskee menetelmää vähintään osittain sähköisesti johtavan tai puolijohtavan elementin valmistamiseksi rakenteen päälle. Lisäksi keksintö koskee konformisen elementin käyttöä.
KEKSINNÖN TAUSTA
Korkean aspektisuhteen omaavat molekyylirakenteet (HARM-rakenteet) ovat kiinnostavia niiden ainutlaatuisten ja hyödyllisten fysikaalisten ja kemiallisten ominaisuuksien vuoksi. Joidenkin HARM-rakenteiden, kuten metallisten hiilinanoputkien, hii-linanonuppujen, nanolankojen ja nanonauhojen, suuri johtavuus yhdessä niiden erittäin korkeiden aspek-tisuhteiden kanssa mahdollistaa tehokkaan sähköisen perkolaation jopa satunnaisesti suuntautuneissa pinnalle kerrostetuissa matoissa tai kalvoissa. Johtavia HARM-rakenteita sisältäviä verkkoja voidaan käyttää esimerkiksi transistorin johtavana kanavana. Puolijoh-tavia HARM-rakenteita sisältäviä verkkoja voidaan käyttää esimerkiksi transistorin puolijohtavana kanavana. Tällaisten verkkojen etuna olemassa oleviin materiaaleihin kuten bulkkimetalleihin, metallioksidei-hin, piihin ja luontaisesti johtaviin polymeereihin nähden on se, että ne kykenevät säilyttämään ominai-suutensa kuumennettaessa, taitettaessa tai toistuvasti taivutettaessa.
Tunnetussa tekniikassa on tuotu esiin monenlaisia HARM-rakenteiden muodostamien verkkojen käyttöjä. Tunnetussa tekniikassa on tuotu esiin esimerkiksi verkko elementtien suojaamiseksi sähkömagneettiselta interferenssiltä (W0 2009/000969). Sähkömagneettinen interferenssi (eli EMI, josta käytetään myös nimitystä radiotaajuinen interferenssi eli RFI) on häiriö, joka vaikuttaa sähköiseen piiriin ulkoisesta lähteestä emittoidun sähkömagneettisen johtumisen tai sähkömagneettisen säteilyn seurauksena. Häiriö voi keskeyttää, estää tai muuten heikentää tai rajoittaa piirin tehokasta toimintaa. Tunnetun tekniikan mukaisen suojan epäkohtana on, että esimerkiksi sähkömagneettiselta säteilyltä suojattavan rakenteen päälle ei ole ollut mahdollista järjestää koni omis ta suojaa. Ei-konformiset EM-suojat, kuten perinteiset Faradayn häkit, voivat aiheuttaa epäyhdenmukaisuutta suojauste-hokkuudessa, mikä voi olla vaikea ottaa huomioon suojaa suunnitellessa. Lisäksi perinteiset ei-konformiset suojaukset, kuten metallihäkit, ovat kalliita valmistaa ja integroida, vievät paljon tilaa ja ovat jäykkiä. Ongelmana tunnetun tekniikan mukaisissa tekniikoissa on monissa sovelluksissa vaikeus muodostaa kon-formisia kalvoja tai elementtejä.
KEKSINNÖN TARKOITUS
Esillä olevan keksinnön tarkoituksena on vähentää edellä mainittuja tunnetun tekniikan teknisiä ongelmia saamalla aikaan uusi menetelmä vähintään osittain sähköisesti johtavan tai puolijohtavan elementin valmistamiseksi, jossa elementti käsittää yhden tai useamman HARM-rakenteiden muodostaman verkon. Lisäksi esillä olevan keksinnön tarkoituksena on tuoda esiin yhden tai useamman HARM-rakenteiden muodostaman verkon käsittävän konformisen elementin käyttö.
YHTEENVETO
Esillä olevan keksinnön mukaiselle menetelmälle ja käytöille on tunnusomaista se, mitä on esitetty patenttivaatimuksissa.
Esillä olevan keksinnön mukainen menetelmä vähintään osittain sähköisesti johtavan tai puolijoh-tavan elementin valmistamiseksi käsittää seuraavat vaiheet: a) muodostetaan muotoiltava elementti, joka käsittää yhden tai useamman korkean aspektisuhteen omaavien molekyylirakenteiden (HARM-rakenteiden) muodostaman verkon, jossa HARM-rakenteet ovat sähköisesti johtavia tai puolijohtavia, ja b) järjestetään muotoiltava elementti, joka käsittää yhden tai useamman HARM-rakenteiden muodostaman verkon, konformisesti rakenteen päälle.
Elementillä tarkoitetaan mitä tahansa elementtiä, joka järjestetään konformisesti rakenteen päälle ja joka muotoutuu konformisesti rakenteen mukaan. Elementti käsittää yhden tai useamman HARM-rakenteiden muodostaman verkon. Elementti voi lisäksi käsittää yhden tai useamman muun materiaalin. Elementti voi käsittää yhden tai useamman kerroksen, esimerkiksi yhden tai useamman materiaalin käsittävän yhden tai useamman kerroksen.
Verkolla tarkoitetaan esimerkiksi harvaa, tiheää, satunnaista, suuntautunutta, homogeenista ja/tai kuvioitua verkkoa ja/tai jotakin muuta vastaavaa rakennetta .
Korkean aspektisuhteen omaavien molekyylirakenteiden (HARM-rakenteiden) muodostamalla verkolla tarkoitetaan jotakin edellä mainituista rakenteista, joka käsittää yhden tai useamman HARM-rakenteen. Edullisesti mainittu verkko käsittää useita HARM-rakenteita. HARM-rakenteet ovat sähköisesti johtavia tai puolijohtavia.
HARM-rakenteella tarkoitetaan nanoputkea, hiilinanoputkea, fullereenilla funktionalisoitua hii-linanoputkea, nanonuppua, boorinitridinanoputkea, na-nosauvaa, joka sisältää hiiltä, fosforia, booria, typpeä ja/tai piitä, lankaa ja/tai jotakin muuta putkea, putkimaista rakennetta, sauvaa ja/tai nauhaa ja/tai jotakin muuta korkean aspektisuhteen omaavaa molekyylirakennetta. HARM-rakenne voi olla yksittäisessä tai kimpussa olevassa muodossa. HARM-rakenteita voidaan suunnata, pinnoittaa, funktionalisoida ja/tai modifioida muulla tavoin esimerkiksi ennen niiden kerrostamista ja/tai järjestämistä rakenteen päälle ja/tai sen j älkeen.
Rakenteella tarkoitetaan mitä tahansa rakennetta, jota voidaan käyttää esillä olevan keksinnön mukaisessa menetelmässä. Rakenteella tarkoitetaan esimerkiksi mitä tahansa rakennetta, jonka päälle voidaan järjestää konformisesti muotoiltava elementti, joka käsittää yhden tai useamman HARM-rakenteiden muodostaman verkon.
Esillä olevan keksinnön eräässä suoritusmuodossa rakenne käsittää esimerkiksi sähkömagneettiselta säteilyltä suojattavan rakenteen. Esillä olevan keksinnön eräässä suoritusmuodossa rakenne käsittää yhden tai useamman sähköisen komponentin. Rakenne voi käsittää esimerkiksi transistorin, mikropiirin, antennin, muistielementin tai -laitteen, lähettimen ja/tai jonkin muun vastaavan rakenteen. Rakenne voi käsittää po-puloidun piirilevyn. Rakenne voi käsittää elektronisen laitteen taipuisan liittimen. Rakenne voi käsittää esimerkiksi matkapuhelimen, tuotepakkauksen, kotitalo-uslaitteen, ikkunan, kojelaudan tai ohjauspyörän, auton korin ja/tai kypärän ei-tasomaisen pinnan ja/tai jonkin vastaavan rakenteen. Lisäksi voidaan käyttää jotakin muuta sopivaa rakennetta.
Muotoiltavalla elementillä tarkoitetaan mitä tahansa haluttua elementtiä, jota voidaan käyttää esillä olevan keksinnön mukaisessa menetelmässä. Sopiva muotoiltava elementti on sellainen, joka kykenee sijoittumaan konformisesti rakenteen päälle vaiheessa, jossa järjestetään yhden tai useamman HARM-rakenteiden muodostaman verkon ja mahdollisesti yhden tai useamman muun materiaalin käsittävä muotoiltava elementti konformisesti rakenteen päälle, ja joka muotoutuu konformisesti rakenteen mukaan.
Muotoiltava elementti voi olla alun perin taipuisa, jäykkä tai muovautuva elementti. Muotoiltava elementti voi käsittää yhden tai useamman alun perin taipuisan, jäykän ja/tai muovautuvan materiaalin. Muotoiltavaan elementtiin voidaan sisällyttää esimerkiksi alun perin jäykkä materiaali, esimerkiksi jäykkä poly-meerisubstraatti, ja sitä voidaan käyttää esillä olevan keksinnön mukaisessa menetelmässä, kun jäykkä po-lymeerisubstraatti kykenee esimerkiksi lämmittämisen, elastisen ja/tai plastisen muodonmuutoksen ja/tai mär-kämuovauksen vaikutuksesta muuttumaan taipuisaksi ja siten asetettavaksi konformisesti rakenteen päälle.
Esillä olevan keksinnön eräässä suoritusmuodossa muotoiltava elementti käsittää yhden tai useamman kerroksen.
Muotoiltava elementti voidaan muodostaa millä tahansa sopivalla tavalla. Muotoiltavan elementin muodostaminen voi käsittää yhden tai useamman valmistusvaiheen .
Esillä olevan keksinnön eräässä suoritusmuodossa vaihe a) käsittää muotoiltavan elementin muodostamisen, jossa elementti käsittää yhden tai useamman HARM-rakenteiden muodostaman verkon ja yhden tai useamman muun materiaalin.
Esillä olevan keksinnön eräässä suoritusmuodossa vaihe a) käsittää muotoiltavan elementin muodostamisen, jossa elementti käsittää yhden tai useamman HARM-rakenteiden muodostaman verkon ja yhden tai useamman seuraavista: polymeeri, paperi, nitroselluloosa, polyvinylideenifluoridi (PVDF), polyeteeni (PE), poly-eteenitereftalaatti (PET) ja polytetrafluorieteeni (Teflon). Muotoiltava elementti voi lisäksi käsittää yhden tai useamman muun lisämateriaalin.
Esillä olevan keksinnön eräässä suoritusmuodossa muotoiltava elementti voidaan muodostaa siten, että se käsittää yhden tai useamman HARM-rakenteiden muodostaman verkon, joka on kerrostettu yhden tai use- amman substraatin päälle. Muotoiltava elementti voi käsittää esimerkiksi ennalta määrätyn määrän HARM-rakenteiden muodostamia verkkoja, jotka on kerrostettu päällekkäin ennalta määrätylle määrälle substraatteja. Toisin sanoen muodostetaan monikerrosrakenne. Esillä olevan keksinnön eräässä suoritusmuodossa yksi tai useampi substraatti käsittää yhden tai useamman poly-meerisubstraatin. Esimerkiksi esillä olevan keksinnön eräässä suoritusmuodossa substraatin päälle, substraatin molemmille puolille, järjestetään vähintään kaksi HARM-rakenteiden muodostamaa verkkoa, jolloin muotoiltava elementti muodostuu monikerrosrakenteena.
Esillä olevan keksinnön eräässä suoritusmuodossa monikerrosrakenteen käsittävä muotoiltava elementti järjestetään konformisesti rakenteen päälle. Jos esimerkiksi rakenne halutaan suojata sähkömagneettiselta säteilyltä, niin rakenne käsittää konformisen monikerroselementin, eli suojauselementin, joka suojaa rakennetta tehokkaammin sähkömagneettiselta säteilyltä .
Jos esimerkiksi rakenne on kaareva yhdistera-kenne, jonka päälle on liitetty konformisesti aurinkokenno, eli elementti, joka käsittää yhden tai useamman HARM-rakenteiden muodostaman verkon, niin aurinkokenno voi olla konforminen monikerroselementti, jossa yksi tai useampi HARM-rakenteiden muodostama verkko toimii läpinäkyvänä elektrodina, varauksenkuljettajan erotus-kerroksena ja takaelektrodina tai yhtenä niistä, jossa elementti noudattaa konformisesti kaarevan yhdis-tesubstraatin kaarevuutta.
Muotoiltava elementti, joka käsittää yhden tai useamman HARM-rakenteiden muodostaman verkon, voi käsittää sähköstaattisen dissipaatiokerroksen (ESD), elektrodin akussa, superkondensaattorissa, polttoken-nossa, kosketusanturissa, haptisessa liittymässä, näyttölaitteessa tai aurinkokennossa, varauksenkuljettaj an erotuskerroksen aurinkokennossa, varauksenkul- jettajan rekombinaatiokerroksen näyttölaitteessa, kenttäemissiokerroksen näyttölaitteessa, varauksenkul-jettajan (esim. elektronin tai aukon) kuljetuskerroksen kosketusnäytössä, haptisessa liittymässä, näyttölaitteessa tai aurinkokennossa ja/tai hilaelektrodin ja/tai puolijohtavan kerroksen transistorissa tai mikropiirissä (IC) .
Esillä olevan keksinnön eräässä suoritusmuodossa yksi tai useampi HARM-rakenteiden muodostama verkko muodostetaan kerrostamalla. Esillä olevan keksinnön eräässä suoritusmuodossa yksi tai useampi HARM-rakenteiden muodostama verkko muodostetaan kerrostamalla se kaasuvirtauksesta.
Esillä olevan keksinnön eräässä suoritusmuodossa yksi tai useampi HARM-rakenteiden muodostama verkko muodostetaan dispergoimalla se matriksimateri-aaliin.
Esillä olevan keksinnön eräässä suoritusmuodossa vaihe a) käsittää HARM-rakenteiden kerrostamisen yhden tai useamman substraatin päälle. Siten yhden tai useamman substraatin päälle voidaan muodostaa yksi tai useampi HARM-rakenteiden muodostama verkko. Esillä olevan keksinnön eräässä suoritusmuodossa vaihe a) käsittää HARM-rakenteiden kerrostamisen suodattamalla HARM-rakenteita kaasuvirtauksesta.
Esillä olevan keksinnön eräässä suoritusmuodossa vaihe a) käsittää muotoiltavan elementin muodostamisen, jossa elementti käsittää yhden tai useamman HARM-rakenteiden muodostaman kuvioidun verkon.
Esillä olevan keksinnön eräässä suoritusmuodossa vaihe a) käsittää HARM-rakenteiden kerrostamisen kuvioksi. Näin muodostetaan HARM-rakenteiden muodostama kuvioitu verkko.
Esillä olevan keksinnön eräässä suoritusmuodossa vaihe a) käsittää HARM-rakenteiden kerrostamisen yhdelle tai useammalle esisubstraatille ja yhden tai useamman kerrostettujen HARM-rakenteiden muodostaman verkon järjestämisen, esimerkiksi siirtämisen, yhdeltä tai useammalta esisubstraatilta yhdelle tai useammalle muotoiltavassa elementissä käytettävälle substraatille. Yksi tai useampi HARM-rakenteiden muodostama verkko voidaan siirtää siten, että ne muodostavat kuvion yhden tai useamman substraatin päälle.
Esisubstraatilla tarkoitetaan mitä tahansa haluttua substraattia, joka soveltuu käytettäväksi esillä olevan keksinnön mukaisessa menetelmässä. Esi-substraatti voi käsittää taipuisan, muotoiltavan, jäykän tai muovautuvan substraatin. Esisubstraatti voi käsittää esimerkiksi polymeerin, paperin, nitrosellu-loosan, polyvinylideenifluoridin (PVDF), polyeteenin (PE), polyeteenitereftalaatin (PET) ja/tai polytetra-fluorieteenin (Teflon).
Substraatilla tarkoitetaan mitä tahansa haluttua substraattia, joka soveltuu käytettäväksi esillä olevan keksinnön mukaisessa menetelmässä. Substraatti voi käsittää alun perin taipuisan, muotoiltavan, jäykän tai muovautuvan substraatin. Substraatti voi käsittää esimerkiksi polymeerin, paperin, nitro-selluloosan, polyvinylideenifluoridin (PVDF), polyeteenin (PE), polyeteenitereftalaatin (PET) ja/tai po-lytetrafluorieteenin (Teflon). Esillä olevan keksinnön eräässä suoritusmuodossa substraatti käsittää polymeerin .
Esillä olevan keksinnön eräässä suoritusmuodossa esisubstraattina toimii keräyssuodatin. Esillä olevan keksinnön eräässä suoritusmuodossa substraattina toimii keräyssuodatin.
Esillä olevan keksinnön eräässä suoritusmuodossa vaihe a) käsittää kuljetuksen, joka suoritetaan diffusiivisesti, magneettisesti, mekaanisesti, konvek-tiivisesti, termoforeettisesti, fotoforeettisesti, elektroforeettisesti, gravitatiivisesti, akustisesti, viskoottisesti ja/tai inertian avulla. Myös muut mekanismit ovat mahdollisia keksinnön mukaisesti. Niitä voidaan yhdistää siten, että ne sisältävät esimerkiksi inertian avulla tehtävän impaktion, gravitatiivisen asettumisen ja akustisen fokusoinnin. Esimerkiksi HARM-rakenteiden kerrostaminen substraatin ja/tai esi-substraatin päälle voidaan toteuttaa kuljetuksella, joka suoritetaan esimerkiksi diffusiivisesti, magneettisesti, mekaanisesti, termoforeettisesti, fotoforeet-tisesti, elektroforeettisesti, gravitatiivisesti, akustisesti, viskoottisesti ja/tai inertian avulla. Lisäksi yhden tai useamman HARM-rakenteiden muodostaman verkon, joka on kerrostettu yhden tai useamman esisubstraatin päälle, järjestäminen yhdeltä tai useammalta esisubstraatilta yhden tai useamman substraatin päälle voidaan suorittaa pinnan tartuntavoimien eron avulla siirtämällä tai kuljetuksella, joka suoritetaan diffusiivisesti, magneettisesti, mekaanisesti, termoforeettisesti, fotoforeettisesti, elektroforeettisesti, gravitatiivisesti, akustisesti, viskoottisesti ja/tai inertian avulla.
Esillä olevan keksinnön eräässä suoritusmuodossa vaihe b) , jossa järjestetään yhden tai useamman HARM-rakenteiden muodostaman verkon käsittävä muotoiltava elementti konformisesti rakenteen päälle, käsittää mainitun muotoiltavan elementin painamisen ja/tai tyhjiötiivistämisen rakenteen päälle.
Esillä olevan keksinnön eräässä suoritusmuodossa painamisvaihe käsittää termokompressoinnin. Ter-mokompressointi käsittää fysikaalisen kompressoinnin ja lämmittämisen. Fysikaalinen kompressointi voidaan suorittaa elastisen tai jäykän leimapainatuksen (stamp) avulla. Jäykän leimapainatuksen tapauksessa painokuvio noudattaa olennaisesti rakenteen muotoa.
Esillä olevan keksinnön eräässä suoritusmuodossa, jossa käytetään tyhjiötiivistämistä, muodostetaan tyhjiö yhden tai useamman HARM-rakenteiden muodostaman verkon ja rakenteen konformisen pinnan väliin, jolloin yhden tai useamman HARM-rakenteiden muo dostaman verkon käsittävä muotoiltava rakenne kiinnittyy koniormisesti rakenteeseen.
Esillä olevan keksinnön eräässä suoritusmuodossa menetelmä voi edelleen käsittää vaiheen, jossa muotoiltavasta elementistä poistetaan yksi tai useampi materiaali. Esimerkiksi voidaan poistaa yksi tai useampi kerros. Tämä voidaan tehdä ennen vaihetta, jossa yhden tai useamman HARM-rakenteiden muodostaman verkon käsittävä muotoiltava elementti järjestetään konformi-sesti rakenteen päälle, sen aikana tai sen jälkeen. Edullisesti yksi tai useampi kerros, esimerkiksi substraatti, poistetaan sen jälkeen kun yhden tai useamman HARM-rakenteiden muodostaman verkon käsittävä muotoiltava elementti on järjestetty substraatin päälle.
Esillä olevan keksinnön eräässä suoritusmuodossa vaiheet a) - b) toistetaan rinnakkaisesti ja/tai sarjassa. Esillä olevan keksinnön mukainen menetelmä voidaan suorittaa erä-, vaihe-erä- ja/tai jatkuvatoimisena prosessina.
Esillä olevan keksinnön eräässä suoritusmuodossa elementti, joka järjestetään konformisesti rakenteen päälle, käsittää yhden tai useamman vähintään osittain sähköisesti johtavan tai puolijohtavan HARM-rakenteiden muodostaman verkon.
Esillä olevan keksinnön eräässä suoritusmuodossa elementti, joka järjestetään konformisesti rakenteen päälle, käsittää yhden tai useamman vähintään osittain sähköisesti johtavan tai puolijohtavan HARM-rakenteiden muodostaman verkon rakenteen suojaamiseksi sähkömagneettiselta säteilyltä.
Esillä olevan keksinnön eräässä suoritusmuodossa vaihe b) käsittää yhden tai useamman HARM-rakenteiden muodostaman verkon käsittävän muotoiltavan elementin järjestämisen konformisesti sähkömagneettiselta säteilyltä suojattavan rakenteen päälle.
Esillä olevan keksinnön eräässä suoritusmuodossa menetelmä käsittää yhden tai useamman HARM- rakenteiden muodostaman verkon käsittävän muotoiltavan elementin muodostamisen näyttölaitteeksi, aurinkokennoksi, kosketusanturiksi, kosketusnäytöksi, haptiseksi liittymäksi ja/tai termoakustiseksi kaiuttimeksi tai osaksi niitä, jotka mainitut laitteet asetetaan kon-formisesti rakenteen, esimerkiksi yhdistepinnan, päälle .
HARM-rakenteiden muodostama verkko voidaan saattaa kosketukseen tai yhdistää koko muotoiltavan elementin ja/tai konformisesti päällystettävän pinnan tai niiden osan kanssa. EM-suojan tapauksessa vähintään osa konformisesti päällystetystä rakenteesta voi olla myös osa EMI-suojaa tai Faradayn häkkiä.
Lisäksi keksintö koskee konformisen ja vähintään osittain sähköisesti johtavan tai puolijohtavan elementin, joka käsittää yhden tai useamman HARM-rakenteiden muodostaman verkon, käyttöä esillä olevan keksinnön mukaisella menetelmällä valmistetun rakenteen päällä.
Lisäksi keksintö koskee konformisen ja vähintään osittain sähköisesti johtavan tai puolijohtavan elementin, joka käsittää yhden tai useamman HARM-rakenteiden muodostaman verkon, käyttöä rakenteen päällä.
Lisäksi keksintö koskee konformisen ja vähintään osittain sähköisesti johtavan tai puolijohtavan elementin, joka käsittää yhden tai useamman HARM-rakenteiden muodostaman verkon, käyttöä rakenteen päällä rakenteen suojaamiseksi sähkömagneettiselta säteilyltä .
Lisäksi keksintö koskee konformisen ja vähintään osittain sähköisesti johtavan tai puolijohtavan elementin, joka käsittää yhden tai useamman HARM-rakenteiden muodostaman verkon, käyttöä sähkömagneettisen häiriön suojana (EMI-suoja tai EMS) tai Faradayn häkkinä tai osana sähkömagneettisen häiriön suojaa tai Faradayn häkkiä.
Lisäksi keksintö koskee konformisen ja vähintään osittain sähköisesti johtavan tai puolijohtavan elementin, joka käsittää yhden tai useamman HARM-rakenteiden muodostaman verkon, käyttöä sähköstaattisena dissipaatiokerroksena (ESD), elektrodina akussa, superkondensaattorissa, polttokennossa, kosketusantu-rissa, haptisessa liittymässä, näyttölaitteessa tai aurinkokennossa, varauksenkuljettajan erotuskerroksena aurinkokennossa, varauksenkuljettäjan rekombinaatio-kerroksena näyttölaitteessa, kenttäemissiokerroksena näyttölaitteessa, varauksenkuljettajan (esim. elektronin tai aukon) kuljetuskerroksena kosketusnäytössä, haptisessa liittymässä, näyttölaitteessa (esim. OLED-näyttölaitteessa) tai aurinkokennossa ja/tai hila-elektrodina ja/tai puolijohtavana kerroksena transistorissa, takalevyssä tai mikropiirissä (IC).
Esillä olevan keksinnön mukainen menetelmä on edullinen sekä teollisesti että kaupallisesti. Esillä olevan keksinnön mukaiselle menetelmälle on lukuisia käyttökohteita, joissa HARM-rakenteiden muodostamia verkkoja järjestetään konformisesti kompleksisen rakenteen päälle. Näitä voivat olla elementit näyttölaitteissa (kuten taustavalot, takalevyt, valoa emittoivat kerrokset, kenttäemissiokerrokset, varauksenkul j ettaj an kuljetuskerrokset ja läpinäkyvät johdin-kerrokset), aurinkokennoissa (kuten läpinäkyvät ja läpinäkymättömät johtavat kerrokset, valoa absorboivat kerrokset, varauksenkuljettajan erotuskerrokset ja varauksenkul j ettaj an kuljetuskerrokset), johtava ja puo-lijohtava kerros kosketusantureissa ja haptisissa liittymissä, sähkömagneettiset suojat, antistaattiset kerrokset, termoakustisen kaiuttimen kerrokset, resis-tiiviset kerrokset, anturikerrokset ja mikropiirin ohutkalvokerrokset. Tuotteita tai laitteita, joissa tällainen konformisuus on hyödyllistä, ovat esimerkiksi yhdistepinnat kojelaudoissa ja auton koreissa, kodinkoneissa kuten keittiökoneissa, lääketieteellisissä laitteissa, piirilevyissä kuten siruissa ja kulutuselektroniikassa kuten matkapuhelimissa ja henkilökohtaisissa tietokoneissa.
Yleisesti keksinnön mukainen menetelmä mahdollistaa elementtien kuten näyttölaitteiden, aurinkokennojen, akkujen, polttokennojen, EMS-suojien, koske-tusanturien, haptisten liittymien, Faradayn häkkien ja superkondensaattorien liittämisen konformisesti geo-metrisesti kompleksisiin rakenteisiin. Esillä olevan keksinnön erityisenä etuna on, että se saa aikaan menetelmän konformisen sähköisesti johtavan tai puoli-johtavan elementin, joka käsittää yhden tai useamman HARM-rakenteiden muodostaman verkon, valmistamiseksi komponenttien suojaamiseksi sähkömagneettiselta säteilyltä. Suojan konformisuus mahdollistaa suojausvaikutuksen hyvän kontrolloinnin suojan koko alueella. Kun konforminen elementti lisäksi käsittää HARM-rakenteiden muodostaman verkon, voidaan saavuttaa suuri johtavuus jopa ohuissa verkoissa. Tämä mahdollistaa tehokkaan suojauksen jopa ohuilla HARM-rakenteiden muodostamilla verkoilla. Suojan konformisuus helpottaa myös tuotteen jatkokäsittelyä ja prosessoimista. Myös valmistus ja integrointi tuotantolinjalla on halvempaa ja helpompaa. Lisäksi se poistaa suunnitteluun liittyviä rajoituksia esimerkiksi EMS-suojauksessa mahdollistamalla mekaanisen taipuisuuden. Lisäksi muotoiltavan elementin kuviointi mahdollistaa tilassa erotettujen yksittäisten komponenttien suojaamisen esimerkiksi piirilevyn päällä.
PIIRUSTUSTEN LYHYT KUVAUS
Seuraavaksi keksintöä kuvataan yksityiskohtaisesti esimerkinomaisten suoritusmuotojen avulla viitaten liitteenä oleviin piirustuksiin, joissa kuvassa 1 on esitetty esillä olevan menetelmän eräs suoritusmuoto; kuvassa 2 on esitetty HARM-rakenteiden kerrostaminen esillä olevan keksinnön erään suoritusmuodon mukaisesti; kuvassa 3 on esitetty esillä olevan keksinnön erään suoritusmuodon mukainen muotoiltava elementti monikerrosrakenteena; kuvassa 4 on esitetty rakenne, jonka päälle on järjestetty esillä olevan keksinnön erään suoritusmuodon mukainen konforminen elementti; ja kuvassa 5 on esitetty kerrostettujen HARM-rakenteiden muodostama kuvioitu verkko substraatin päällä.
KEKSINNÖN YKSITYISKOHTAINEN KUVAUS
Seuraavaksi viitataan yksityiskohtaisesti esillä olevan keksinnön suoritusmuotoihin, jotka on kuvattu esimerkinomaisesti liitteenä olevissa piirustuksissa .
Kuvassa 1 on esitetty kaaviomainen kuvaus esillä olevan menetelmän eräästä suoritusmuodosta vähintään osittain sähköisesti johtavan elementin valmistamiseksi rakenteen päälle rakenteen suojaamiseksi sähkömagneettiselta säteilyltä.
Vaiheessa a) joukko esimerkiksi aerosolissa olevia sähköisesti johtavia HARM-rakenteita 1 kerrostetaan muotoiltavan substraatin 2 päälle suodattamalla mainittuja HARM-rakenteita 1 kaasuvirtauksesta 5 substraatille 2. Kerrostetut HARM-rakenteet muodostavat HARM-rakenteiden verkon substraatin päälle. Vaiheessa b) mainittu HARM-rakenteiden muodostama verkko 3, joka on kerrostettu muotoiltavalle substraatille 2, jolloin muodostuu muotoiltava elementti, painetaan konformi-sesti rakenteen 4 päälle. EMS-suojauksen tapauksessa rakenne voi käsittää sähköisiä komponentteja. Se voi olla myös yksinkertaisesti rakenne, jonka päälle substraatilla olevan HARM-rakenteiden muodostaman verkon käsittävä elementti liitetään konformisesti. Lopuksi substraatti 2 poistetaan. Tällä tavoin rakenteen päälle valmistetaan konforminen elementti, joka käsittää HARM-rakenteiden muodostaman verkon.
On myös mahdollista kerrostaa HARM-rakenteiden muodostama verkko esisubstraatille, esimerkiksi suodattimelle, ja sen jälkeen siirtää mainittu HARM-rakenteiden muodostama verkko suodattimelta muotoiltavalle substraatille, joka käsittää esimerkiksi polyeteenitereftalaattia (PET), ja lopuksi kompressoida muotoiltava elementti, joka käsittää HARM-rakenteiden muodostaman verkon PET-substraatin päällä, konformisesti rakenteen päälle.
Kuvassa 2 on esitetty kaaviomainen kuvaus esillä olevan menetelmän eräästä suoritusmuodosta HARM-rakenteiden muodostaman verkon 3 aikaansaamiseksi substraatin päälle. HARM-rakenteet 1 kuljetetaan suodattimen läpi, niin että suodattimen päälle muodostuu HARM-rakenteiden muodostama verkko 3.
Kuvassa 3 on esitetty esillä olevan keksinnön erään suoritusmuodon mukainen muotoiltava elementti, joka käsittää monikerrosrakenteen. Tässä esimerkissä kaksi HARM-rakenteiden muodostamaa verkkoa 3 on järjestetty tai kerrostettu kolmen muotoiltavan substraatin 2 väliin. Substraatit voivat käsittää esimerkiksi polymeeriä, ja HARM-rakenteiden muodostamat verkot voivat käsittää esimerkiksi hiilinanoputkia.
Kuvassa 4 on esitetty rakenne, jonka päälle muotoiltava elementti on järjestetty konformisesti. Konforminen elementti 6, joka on järjestetty sähköisiä komponentteja käsittävän rakenteen 4 päälle esimerkiksi termoforeettisella kompressoinnilla, voi toimia esimerkiksi EM-suojana. Lisäksi kuvassa 4 on esitetty liitosnastojen 7a,7b käyttö esimerkiksi Faradayn häkin valmistamiseksi.
Kuvassa 5 on esitetty kerrostettujen HARM-rakenteiden muodostama kuvioitu verkko 3 substraatin 2 päällä. Kerrostetut HARM-rakenteet on esitetty kuvassa mustilla suorakulmioilla. HARM-rakenteet on kerrostettu substraatin päälle kuviona, joka vastaa sen sovelluksen funktiota, jossa sitä tullaan käyttämään. Näin ollen substraattia, jonka päälle on kerrostettu HARM-rakenteiden muodostama kuvioitu verkko, jossa kuvio vastaa esimerkiksi rakenteen suojattavia alueita, voidaan käyttää rakenteen näiden osien suojaamiseen. Muotoiltavan elementin kuviointi mahdollistaa siten tilassa erotettujen yksittäisten komponenttien suojaamisen esimerkiksi piirilevyn päällä.
Esimerkki 1
Esimerkkinä siitä, kuinka HARM-rakenteiden muodostama verkko kerrostetaan muotoiltavan substraatin päälle, jolloin muodostuu muotoiltava elementti, esillä olevan keksinnön erään suoritusmuodon mukaisesti, yksiseinäisiä hiilinanoputkia (SWCNT) syntetisoitiin aerosolilaminaarivirtausreaktorissa (kelluva katalyytti) käyttäen hiilimonoksidia ja ferroseenia vastaavasti hiililähteenä ja katalyytin prekursorina.
SWCNT-putket kerättiin sitten suoraan kaasu-faasista reaktorin alajuoksulla suodattamalla ne halkaisijaltaan 2,45 cm:n nitroselluloosa- (tai hopea-) kiekkosuodattimen (Millipore Corp, USA) läpi. Suodatin toimii tässä suoritusmuodossa muotoiltavana substraattina. Suodattimen pinnan kerrostuslämpötilaksi mitattiin 45 °C. Substraatin päälle muodostuvien SWCNT-verkkojen kerrospaksuutta hallittiin kerrostusajalla, jota voitiin vaihdella muutamista sekunneista useisiin tunteihin halutun verkon paksuuden mukaan. Mittaustulokset osoittivat, että kerrostumat olivat satunnaisesti suuntautuneita SWCNT-verkkoja.
Edellä muodostettujen SWCNT-verkkojen järjestämiseksi konformisesti substraatilta rakenteen päälle käytettiin fysikaalista kompressointia ja lämmitystä (termokompressointi). Termokompressointi suoritettiin pehmittämällä ensin substraatti liottamalla sitä ve- dessä ja kohdistamalla sitten voima kahden yhdensuuntaisen lämmitetyn levyn väliin, joiden levyjen väliin substraatti ja rakenne oli asetettu, niin että SWCNT-verkko kerrostui substraatin ja rakenteen väliin. Lämmitetyt kompressointilevyt saivat luonnollisesti aikaan myös kerrostussubstraatin, SWCNT-verkon ja suojattavan rakenteen lämpiämisen. Eräässä esimerkissä substraatti poistettiin kosketuksesta SWCNT-verkkoon termokompressoinnin jälkeen.
Esimerkki 2
Esillä olevan keksinnön mukaisesti esimerkiksi sähkömagneettiselta säteilyltä suojattava rakenne voi käsittää monikerrosrakenteen käsittävän elementin, joka järjestetään konformisesti mainitun rakenteen päälle. Monikerrosrakenne voi käsittää useita HARM-rakenteiden muodostamia verkkoja, jotka on kerrostettu esimerkiksi useiden polymeerisubstraattien väliin, mikä tehostaa suojausta verrattuna yhteen HARM-rakenteiden muodostamaan verkkoon. Mainittu moniker-roselementti voi esimerkiksi käsittää toisen HARM-rakenteiden muodostaman verkon ensimmäisen polymee-risubstraatin päällä, jonka polymeerisubstraatin toiselle puolelle on järjestetty ensimmäinen HARM-rakenteiden muodostama verkko suojattavaa rakennetta vasten. Tämä monikerrosrakenne käsittää näin ollen ensimmäisen HARM-rakenteiden muodostaman verkon ensimmäisen polymeerisubstraatin toisella puolella ja toisen HARM-rakenteiden muodostaman verkon ensimmäisen polymeerisubstraatin toisella puolella. Toisen HARM-rakenteiden muodostaman verkon päällä voi lisäksi olla toinen polymeerisubstraatti, jossa tapauksessa toinen verkko on kerrostettu ensimmäisen ja toisen polymeerisubstraatin väliin.
Monikerrosrakenteen käsittävän muotoiltavan elementin muodostamiseksi käytettiin termokompressoin-tia, niin että yksi tai useampi HARM-rakenteiden muo- dostama verkko kerrostettiin kahden tai useamman poly-meerisubstraatin väliin. Monikerrosrakenteen muodostamisen jälkeen monikerrosrakenne painettiin konformi-sesti suojattavan rakenteen päälle käyttäen jälleen termokompressointia. Tämä termokompressointivaihe suoritettiin kohdistamalla voima kahden yhdensuuntaisen lämmitetyn levyn väliin, joiden levyjen väliin monikerrosrakenne ja suojattava rakenne oli asetettu siten, että monikerrosrakenne kerrostui yhdensuuntaisen levyn ja suojattavan rakenteen väliin. Lämmitetyt kompressointilevyt saivat luonnollisesti aikaan myös suojattavan rakenteen lämpiämisen.
Esimerkki 3
Esillä olevan keksinnön mukaisesti valmistettiin termoakustinen kaiutin, jossa johtava HARM-rakenteiden muodostama verkko, joka oli PET-substraatin päällä, termokompressoitiin kaarevalle yh-distelasipinnalle. Elektrodit kiinnitettiin, ja kaiutin liitettiin vahvistimen ulostuloliitäntään kaiut-timen käyttämiseksi.
Esimerkki 4
Esillä olevan keksinnön mukaisesti rakenne, esimerkiksi aurinkokenno, voidaan valmistaa julkaisussa FI 20075767 kuvatun menetelmän mukaisesti, jossa rakenteeseen sisällytetään johtava HARM-rakenteiden muodostama verkko, eli HARM-kalvo, joka on PET-substraatin päällä, läpinäkyvänä elektrodikerroksena ja/tai varauksenkuljettajan erotuskerroksena ja/tai varauksenkuljettajakerroksena. Aurinkokenno, eli muotoiltava elementti, termokompressoidaan sitten kaarevalle yhdistelasipinnalle.
Esimerkki 5
Esillä olevan keksinnön mukaisesti rakenne, esimerkiksi elektroforeettinen näyttölaite, jossa on integroitu kosketusnäyttö, voidaan valmistaa julkaisussa FI 20095911 kuvatun menetelmän mukaisesti, jossa rakenteeseen sisällytetään johtava HARM-kalvo, joka on PET-substraatin päällä, yhtenä tai useampana läpinäkyvänä elektrodikerroksena ja/tai takalevyn hilakerrok-sena ja/tai takalevyn puolijohtavana kerroksena. Muotoiltava elementti termokompressoidaan sitten kaarevalle yhdistelasipinnalle.
Alan asiantuntijalle on ilmeistä, että tekniikan kehittyessä keksinnön perusajatus voidaan toteuttaa monin eri tavoin. Keksintöä ja sen suoritusmuotoja ei siten rajoiteta edellä kuvattuihin esimerkkeihin, vaan ne voivat vaihdella patenttivaatimusten puitteissa.

Claims (18)

1. Menetelmä vähintään osittain sähköisesti johtavan tai puolijohtavan elementin valmistamiseksi, tunnettu siitä, että menetelmä käsittää vaiheet, joissa a) muodostetaan muotoiltava elementti, joka käsittää yhden tai useamman korkean aspektisuhteen omaavien molekyylirakenteiden (HARM-rakenteiden) muodostaman verkon muotoiltavan substraatin päällä, jossa HARM-rakenteet ovat sähköisesti johtavia tai puolijoh-tavia, ja jossa HARM-rakenteet kerrostetaan yhden tai useamman muotoiltavan substraatin päälle, ja b) järjestetään muotoiltava elementti, joka käsittää yhden tai useamman HARM-rakenteiden muodostaman verkon yhden tai useamman muotoiltavan substraatin päällä, konformisesti rakenteen päälle painamalla ja/tai tyhjiötiivistämällä muotoiltava elementti rakenteen päälle.
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että vaihe a) käsittää muotoiltavan elementin muodostamisen, jossa elementti käsittää yhden tai useamman HARM-rakenteiden muodostaman verkon ja yhden tai useamman muun materiaalin.
3. Jonkin edellisistä patenttivaatimuksista 1 - 2 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että vaihe a) käsittää muotoiltavan elementin muodostamisen, jossa elementti käsittää yhden tai useamman HARM-rakenteiden muodostaman verkon ja yhden tai useamman seuraavista: polymeeri, paperi, nitroselluloosa, poly-vinylideenifluoridi (PVDF), polyeteeni (PE), poly-eteenitereftalaatti (PET) ja polytetrafluorieteeni (Teflon).
4. Jonkin edellisistä patenttivaatimuksista 1 - 3 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että muotoiltava elementti käsittää yhden tai useamman kerroksen .
5. Jonkin edellisistä patenttivaatimuksista 1 - 4 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että yksi tai useampi HARM-rakenteiden muodostama verkko muodostetaan kerrostamalla se kaasuvirtauksesta.
6. Jonkin edellisistä patenttivaatimuksista 1 - 5 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että vaihe a) käsittää HARM-rakenteiden kerrostamisen yhden tai useamman esisubstraatin päälle ja yhden tai useamman kerrostettujen HARM-rakenteiden muodostaman verkon järjestämisen yhdeltä tai useammalta esisubstraatilta yhdelle tai useammalle substraatille.
7. Jonkin edellisistä patenttivaatimuksista 1 6 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että vaihe a) käsittää kuljetuksen, joka suoritetaan diffu-siivisesti, magneettisesti, mekaanisesti, konvektiivi-sesti, termoforeettisesti, fotoforeettisesti, elektro-foreettisesti, gravitatiivisesti, akustisesti, vis-koottisesti ja/tai inertian avulla.
8. Jonkin edellisistä patenttivaatimuksista 1 7 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että muotoiltava elementti on taipuisa, jäykkä tai muovautuva elementti.
9. Patenttivaatimuksen 1 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että painamisvaihe käsittää ter-mokompressoinnin.
10. Jonkin edellisistä patenttivaatimuksista 1-9 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että rakenne käsittää yhden tai useamman sähköisen komponentin .
11. Jonkin edellisistä patenttivaatimuksista 1-10 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että HARM-rakenne käsittää nanoputken, hiilinanoputken, fullereenilla funktionalisoidun hiilinanoputken, na-nonupun, boorinitridinanoputken, nanosauvan, joka sisältää hiiltä, fosforia, booria, typpeä ja/tai piitä, langan ja/tai jonkin muun putken, putkimaisen rakenteen, sauvan ja/tai nauhan ja/tai jonkin muun korkean aspektisuhteen omaavan molekyylirakenteen yksittäisessä tai kimpussa olevassa muodossa.
12. Jonkin edellisistä patenttivaatimuksista 1-11 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että rakenteen päälle konformisesti järjestetty elementti käsittää yhden tai useamman vähintään osittain sähköisesti johtavan tai puolijohtavan HARM-rakenteiden verkon .
13. Jonkin edellisistä patenttivaatimuksista 1-12 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että rakenteen päälle konformisesti järjestetty elementti käsittää yhden tai useamman vähintään osittain sähköisesti johtavan tai puolijohtavan HARM-rakenteiden verkon rakenteen suojaamiseksi sähkömagneettiselta säteilyltä .
14. Jonkin edellisistä patenttivaatimuksista 1-13 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että vaihe b) käsittää yhden tai useamman HARM-rakenteiden muodostaman verkon käsittävän muotoiltavan elementin järjestämisen konformisesti sähkömagneettiselta säteilyltä suojattavan rakenteen päälle.
15. Jonkin edellisistä patenttivaatimuksista 1-14 mukaisella menetelmällä valmistetun konformisen ja vähintään osittain sähköisesti johtavan tai puoli-johtavan elementin, joka käsittää yhden tai useamman HARM-rakenteiden muodostaman verkon, käyttö rakenteen päällä.
16. Jonkin edellisistä patenttivaatimuksista 1-14 mukaisella menetelmällä valmistetun konformisen ja vähintään osittain sähköisesti johtavan tai puoli-johtavan elementin, joka käsittää yhden tai useamman HARM-rakenteiden muodostaman verkon, käyttö rakenteen päällä rakenteen suojaamiseksi sähkömagneettiselta säteilyltä .
17. Jonkin edellisistä patenttivaatimuksista 1-14 mukaisella menetelmällä valmistetun konformisen ja vähintään osittain sähköisesti johtavan tai puoli- johtavan elementin, joka käsittää yhden tai useamman HARM-rakenteiden muodostaman verkon, käyttö sähkömagneettisen häiriön suojana tai Faradayn häkkinä tai osana sähkömagneettisen häiriön suojaa tai Faradayn häkkiä.
18. Jonkin edellisistä patenttivaatimuksista 1-14 mukaisella menetelmällä valmistetun konformisen ja vähintään osittain sähköisesti johtavan tai puoli-johtavan elementin, joka käsittää yhden tai useamman HARM-rakenteiden muodostaman verkon, käyttö sähköstaattisena dissipaatiokerroksena (ESD), elektrodina akussa, superkondensaattorissa, polttokennossa, koske-tusanturissa, haptisessa liittymässä, näyttölaitteessa tai aurinkokennossa, varauksenkuljettajan erotusker-roksena aurinkokennossa, varauksenkuljettajan rekombi-naatiokerroksena näyttölaitteessa, kenttäemissioker-roksena näyttölaitteessa, varauksenkuljettajan kuljetuskerroksena kosketusnäytössä, haptisessa liittymässä, näyttölaitteessa tai aurinkokennossa ja/tai hila-elektrodina ja/tai puolijohtavana kerroksena transistorissa, takalevyssä tai mikropiirissä (IC).
FI20105216A 2010-03-05 2010-03-05 Menetelmä konformisen elementin valmistamiseksi FI125151B (fi)

Priority Applications (19)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI20105216A FI125151B (fi) 2010-03-05 2010-03-05 Menetelmä konformisen elementin valmistamiseksi
TW100106789A TW201203041A (en) 2010-03-05 2011-03-02 A touch sensitive film and a touch sensing device
TW100106790A TWI609837B (zh) 2010-03-05 2011-03-02 保形元件之製造方法、保形元件及其用途
BR112012022490A BR112012022490A2 (pt) 2010-03-05 2011-03-07 filme sensível ao toque e dispositivo de detecção de toque
JP2012555458A JP6066731B2 (ja) 2010-03-05 2011-03-07 接触検知膜及び接触検知装置
PCT/FI2011/050197 WO2011107666A1 (en) 2010-03-05 2011-03-07 A touch sensitive film and a touch sensing device
ES11750245T ES2711603T3 (es) 2010-03-05 2011-03-07 Procedimiento para la fabricación de un elemento conforme, elemento conforme y usos del mismo
KR1020127026101A KR101815141B1 (ko) 2010-03-05 2011-03-07 컨포멀 소자의 생산 방법, 컨포멀 소자 및 이의 용도
PCT/FI2011/050196 WO2011107665A1 (en) 2010-03-05 2011-03-07 A method for the production of a conformal element, a conformal element and uses of the same
US13/582,916 US20130050113A1 (en) 2010-03-05 2011-03-07 Method for the production of a conformal element, a conformal element and uses of the same
US13/582,865 US9395851B2 (en) 2010-03-05 2011-03-07 Touch sensitive film and a touch sensing device
CN201180022472.1A CN102884495B (zh) 2010-03-05 2011-03-07 触摸感应膜和触摸感测设备
EP11750245.0A EP2543061B1 (en) 2010-03-05 2011-03-07 A method for the production of a conformal element, a conformal element and uses of the same
EP11750246.8A EP2542952A4 (en) 2010-03-05 2011-03-07 TOUCH-SENSITIVE FILM AND TOUCH-SENSITIVE DEVICE
KR1020127026141A KR20130054243A (ko) 2010-03-05 2011-03-07 터치 감지 필름 및 터치 감지 장치
CN201180012520.9A CN102893369B (zh) 2010-03-05 2011-03-07 用于生产保形元件的方法、保形元件及其用途
JP2012555457A JP6198394B2 (ja) 2010-03-05 2011-03-07 コンフォーマルな素子を製造する方法、コンフォーマルな素子及びその使用
BR112012022460A BR112012022460A2 (pt) 2010-03-05 2011-03-07 método para a produção de um elemento pelo menos parcialmente eletricamente condutor ou semicondutor em uma estrutura, elemento, uso do mesmo e uso de um único elemento.
US16/001,544 US20180290886A1 (en) 2010-03-05 2018-06-06 Method for the production of a conformal element, a conformal element and uses of the same

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI20105216A FI125151B (fi) 2010-03-05 2010-03-05 Menetelmä konformisen elementin valmistamiseksi
FI20105216 2010-03-05

Publications (3)

Publication Number Publication Date
FI20105216A0 FI20105216A0 (fi) 2010-03-05
FI20105216L FI20105216L (fi) 2011-09-06
FI125151B true FI125151B (fi) 2015-06-15

Family

ID=42074333

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FI20105216A FI125151B (fi) 2010-03-05 2010-03-05 Menetelmä konformisen elementin valmistamiseksi

Country Status (10)

Country Link
US (2) US20130050113A1 (fi)
EP (1) EP2543061B1 (fi)
JP (1) JP6198394B2 (fi)
KR (1) KR101815141B1 (fi)
CN (1) CN102893369B (fi)
BR (1) BR112012022460A2 (fi)
ES (1) ES2711603T3 (fi)
FI (1) FI125151B (fi)
TW (1) TWI609837B (fi)
WO (1) WO2011107665A1 (fi)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI581135B (zh) * 2011-09-30 2017-05-01 加拿都公司 觸感薄膜、觸感裝置及電子裝置
US8773392B2 (en) * 2012-02-28 2014-07-08 Eastman Kodak Company Transparent touch-responsive capacitor with variable-pattern micro-wires
EP2912859B1 (en) * 2012-10-26 2020-09-09 Corning Incorporated Structure with integrated acoustics function
FI20135510A7 (fi) 2013-05-14 2014-11-15 Canatu Oy Taipuisa valoa emittoiva kalvo
US12016168B2 (en) 2013-12-19 2024-06-18 Hyundai Motor Company Web for absorbing electromagnetic wave and housing of electronic parts using the same
JP6250490B2 (ja) * 2014-07-17 2017-12-20 富士フイルム株式会社 導電性フィルム、タッチパネル付き表示装置
CN105338460B (zh) * 2014-07-21 2018-05-01 清华大学 热致发声装置及其制备方法
CN104217712B (zh) * 2014-09-19 2018-02-27 阿特拉斯科普柯(南京)建筑矿山设备有限公司 工程机械操作室的主动降噪装置以及凿岩钻机
JP2018526820A (ja) * 2015-08-06 2018-09-13 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 可撓性導電性結合フィルム
CN106055148A (zh) * 2016-05-25 2016-10-26 深圳市联得自动化装备股份有限公司 一种触摸屏贴合装置
KR102611514B1 (ko) 2016-11-25 2023-12-06 엘지디스플레이 주식회사 접촉 감응 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
CN114725284A (zh) * 2017-06-05 2022-07-08 中国科学院金属研究所 一种碳纳米管薄膜晶体管及其制作方法
CN111433614A (zh) * 2017-10-11 2020-07-17 新亚集团控股有限公司 具有集成结构的感测薄膜
FI20176000A1 (fi) * 2017-11-08 2019-05-09 Canatu Oy Laitteistoja, jotka käsittävät kalvoja, joissa on vapaasti seisova alue
FI128433B (fi) * 2018-05-09 2020-05-15 Canatu Oy Päällystyskerroksen käsittävä sähköä johtava monikerroskalvo
FI129565B (fi) * 2019-04-24 2022-04-29 Canatu Oy Laitteistot ja menetelmä orientoitua depositiota varten

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001306258A (ja) * 2000-02-18 2001-11-02 Nippon Sheet Glass Co Ltd タッチパネル用透明導電膜付き基板
US7033525B2 (en) * 2001-02-16 2006-04-25 E.I. Dupont De Nemours And Company High conductivity polyaniline compositions and uses therefor
AU2002332422C1 (en) * 2001-07-27 2008-03-13 Eikos, Inc. Conformal coatings comprising carbon nanotubes
US20040188150A1 (en) 2003-03-25 2004-09-30 3M Innovative Properties Company High transparency touch screen
CN100388873C (zh) * 2003-03-25 2008-05-14 信越聚合物株式会社 电磁波噪声抑制体、具有电磁波噪声抑制功能的物品及其制造方法
WO2005015792A2 (en) * 2003-08-06 2005-02-17 Purdue Research Foundation Fabrication of nanoparticle arrays
US20050076824A1 (en) * 2003-10-08 2005-04-14 Cross Elisa M. Resistive touch screen incorporating conductive polymer
US7473411B2 (en) * 2003-12-12 2009-01-06 Rensselaer Polytechnic Institute Carbon nanotube foam and method of making and using thereof
US7339579B2 (en) * 2003-12-15 2008-03-04 3M Innovative Properties Company Wiring harness and touch sensor incorporating same
EP1739692A4 (en) * 2004-04-20 2008-03-05 Takiron Co TRANSPARENT CONDUCTIVE FORM PRODUCT FOR USE IN TOUCH TABLES AND TOUCH TABLES
US20060276056A1 (en) 2005-04-05 2006-12-07 Nantero, Inc. Nanotube articles with adjustable electrical conductivity and methods of making the same
US7593004B2 (en) * 2005-06-02 2009-09-22 Eastman Kodak Company Touchscreen with conductive layer comprising carbon nanotubes
US7645497B2 (en) * 2005-06-02 2010-01-12 Eastman Kodak Company Multi-layer conductor with carbon nanotubes
US20070059452A1 (en) * 2005-09-13 2007-03-15 Debe Mark K Formation of nanostructured layers through continued screw dislocation growth
FI121540B (fi) * 2006-03-08 2010-12-31 Canatu Oy Menetelmä, jolla siirretään korkean aspektisuhteen omaavia molekyylirakenteita
US7796123B1 (en) 2006-06-20 2010-09-14 Eastman Kodak Company Touchscreen with carbon nanotube conductive layers
JP2008059147A (ja) * 2006-08-30 2008-03-13 Alps Electric Co Ltd 機能性フィルム及びその製造方法
CN100534900C (zh) * 2006-09-19 2009-09-02 北京大学 控制转移单壁碳纳米管阵列结构的方法
US20080192014A1 (en) * 2007-02-08 2008-08-14 Tyco Electronics Corporation Touch screen using carbon nanotube electrodes
DE102007016995A1 (de) * 2007-04-11 2008-10-16 Beyer, André Verfahren zum Übertragen einer Nanoschicht
US9823833B2 (en) * 2007-06-05 2017-11-21 Immersion Corporation Method and apparatus for haptic enabled flexible touch sensitive surface
FI20075482L (fi) * 2007-06-25 2008-12-26 Canatu Oy Kuituverkostot sekä menetelmä ja laite kuituverkostojen jatkuvasti tai erinä tapahtuvaan tuotantoon
CN101409999B (zh) * 2007-10-10 2013-01-09 清华大学 复合电磁屏蔽材料及其制备方法
FI20075767A0 (fi) 2007-10-30 2007-10-30 Canatu Oy Pinnoite ja sähkölaitteita jotka käsittävät tätä
CN101458975B (zh) 2007-12-12 2012-05-16 清华大学 电子元件
CN101471329B (zh) * 2007-12-29 2012-06-20 清华大学 半导体封装件
JP2009184155A (ja) * 2008-02-04 2009-08-20 Touch Panel Kenkyusho:Kk 導電性フィルムまたは導電性シートおよび抵抗膜式タッチパネル構造体
FI124440B (fi) * 2009-01-28 2014-08-29 Canatu Oy Rakenteita, jotka käsittävät korkean aspektisuhteen omaavia molekyylirakenteita, ja valmistusmenetelmiä
FI127197B (fi) 2009-09-04 2018-01-31 Canatu Oy Kosketusnäyttö ja menetelmä kosketusnäytön valmistamiseksi

Also Published As

Publication number Publication date
CN102893369A (zh) 2013-01-23
US20130050113A1 (en) 2013-02-28
US20180290886A1 (en) 2018-10-11
TWI609837B (zh) 2018-01-01
FI20105216L (fi) 2011-09-06
EP2543061A1 (en) 2013-01-09
WO2011107665A1 (en) 2011-09-09
EP2543061B1 (en) 2018-11-21
JP6198394B2 (ja) 2017-09-20
FI20105216A0 (fi) 2010-03-05
BR112012022460A2 (pt) 2016-07-12
JP2013530053A (ja) 2013-07-25
CN102893369B (zh) 2016-08-03
TW201200468A (en) 2012-01-01
KR101815141B1 (ko) 2018-01-04
ES2711603T3 (es) 2019-05-06
KR20130069556A (ko) 2013-06-26
EP2543061A4 (en) 2016-08-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FI125151B (fi) Menetelmä konformisen elementin valmistamiseksi
Liu et al. Stable wearable strain sensors on textiles by direct laser writing of graphene
Liu et al. Recent advances in inkjet-printing technologies for flexible/wearable electronics
Fan et al. Biomimetic hierarchically silver nanowire interwoven MXene mesh for flexible transparent electrodes and invisible camouflage electronics
US10995195B2 (en) Composite nanofiber sheet
Shin et al. Stretchable electroluminescent display enabled by graphene-based hybrid electrode
Lee et al. Flexible textile strain wireless sensor functionalized with hybrid carbon nanomaterials supported ZnO nanowires with controlled aspect ratio
Akter et al. Reversibly stretchable transparent conductive coatings of spray-deposited silver nanowires
Baruah et al. Interconnection technologies for flexible electronics: Materials, fabrications, and applications
Chen et al. High-performance transparent and stretchable all-solid supercapacitors based on highly aligned carbon nanotube sheets
Kumar et al. Recent advances in the development of carbon nanotubes based flexible sensors
Sharma et al. Flexible and stretchable oxide electronics
Araki et al. Stretchable and transparent electrodes based on patterned silver nanowires by laser-induced forward transfer for non-contacted printing techniques
KR101521694B1 (ko) 플렉서블/스트레처블 투명도전성 필름 및 그 제조방법
CN107554017A (zh) 柔性复合膜及其制备方法和显示装置
Han et al. Stretchable inorganic GaN-nanowire photosensor with high photocurrent and photoresponsivity
CN113588140A (zh) 压力传感器、压力传感阵列及其制备方法
KR20170008509A (ko) 일체형 유연 열전소자 및 그 제조 방법
Wang et al. Customizable stretchable transparent electrodes based on AgNW/CNT hybrids via tailoring sizes of building blocks
KR101521693B1 (ko) 플렉서블/스트레처블 투명도전성 필름 및 그 제조방법
Wang et al. Self-confined electrohydrodynamic printing on micro-structured substrate for flexible transparent electrodes with embedded metal mesh
Jiang et al. Highly stretchable, electrochemical capacitance, and transparent supercapacitor based on serpentine-structured metallic mesh current collector
JP6845856B2 (ja) 複合ナノファイバーシート
KR20120073514A (ko) 태양전지 및 그 제조방법
Kim et al. Scissorable Piezoelectric Nanogenerators Comprising Flexible Micrograting Electrodes Interconnected by Laterally Aligned ZnO Nanowires for Size‐Customizable Devices

Legal Events

Date Code Title Description
FG Patent granted

Ref document number: 125151

Country of ref document: FI

Kind code of ref document: B

Effective date: 20150615