JP2013530053A - コンフォーマルな素子を製造する方法、コンフォーマルな素子及びその使用 - Google Patents
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Abstract
【選択図】図4
Description
本発明の一実施形態に係る、形成可能な素子を形成する、形成可能な基板にHARM−構造の網をどのように堆積するかの一例として、SWCNTs(単層カーボンナノチューブ)は、それぞれが炭素源及び触媒前駆体としての一酸化炭素及びフェロセンを用いるエアロゾル層流フローリアクタにおいて合成された。
例えば、電磁放射に対する遮蔽のような、本発明に係る構造は、前記構造にコンフォーマルな手法で配置された多層構造を含みうる。多層構造は、単一のHARM−構造の網と比べて遮蔽を促進するために、例えば、多数のポリマー基板間に挟まれた多数のHARM−構造の網を含みうる。前記多相層素子は、第1のポリマー基板上にHARM−構造の第2の網を含みうる。HARM−構造の第1の網において、遮蔽される構造に面する側とは反対側に第1のポリマー基板が配置される。この多層素子は、よって、第1のポリマー基板の一方側の第1のHARM−構造の網と、第1のポリマー基板の他方側の第2のHARM−構造の網とを含む。第2の網が、第1及び第2のポリマー基板に挟まれる場合には、HARM−構造の第2の網上に第2のポリマー基板が存在しうる。
本発明によれば、熱音響スピーカーは、湾曲したガラス基板において熱圧縮されるPET基板上の導電性のHARM−構造の網で製造される。電極が取り付けられ、スピーカーが、スピーカーを駆動するためのアンプの出力ジャックに取り付けられる。
本発明によれば、例えば、HARM−構造の導電性網、すなわち、PET基板上のHARM−膜が、透明電極層及び/又は電荷キャリア分離層及び/又は電荷キャリア層として組み込まれる、FI20075757に概説される方法に基づいて太陽電池が製造されうる。太陽電池、つまり、形成可能な素子は、その後、湾曲したガラス基板において熱圧縮される。
本発明によれば、例えば、集積されたタッチスクリーンを有する電気泳動ディスプイのような構造は、PET基板上の導電性HARM膜が、一又はそれ以上の透明電極層及び/又はバックプレーンのゲート層及び/又はバックプレーンの半導電層として組み込まれる、FI20095911に概説される方法に基づいて製造されうる。形成可能な素子は、その後、湾曲したガラス基板において熱圧縮される。
本発明によれば、構造、例えば、タッチ検出表面及びハプティックインターフェース又はフィードバック表面が組み合わされて集積されたものを有する携帯電話が製造される。接触検知膜及びハプティックインターフェース又はフィードバック表面の両方として機能するように構成された素子は、PET基板上に導電性のHARM−構造を形成すること、つまり、形成可能な素子を形成すること、及び真空シーリングにより構造にこれをコンフォーマルに配置することにより製造される。この例では、形成可能な素子は、加熱され、その後、形成可能な素子が電話の形状に一致する(conformed)ように真空引きされる。コンフォーマルに配置された素子の一部分は、タッチスクリーン及びハプティックインターフェースとして機能するためにディスプレイ領域を覆い、コンフォーマルに配置された素子の他の部分は、タッチスクリーン及びハプティックインターフェースとして機能するためにケーシングを覆う。接触検知膜及びハプティックインターフェースの組み合わせとして機能するように構成される素子の導電率は、1 ohm/sqから100M ohm/sqであり、100ohm/sqから1M ohm/sqであることが好ましく、1k ohm/sqから100k ohm/sqであることがより好ましく、約10k ohm/sqであることが最も好ましい。上記の電気伝導率を有するこの膜は、容量性ハプティックフィードバック又は電気活性ポリマーフィードバックのような、接触及び/又は近接検知及びハプティックフィードバックの両方に適している。この膜は、その後、適切なタッチ回路又は回路及び/又は適切なハプティック回路又は回路に接続された。膜を駆動する及び/又は監視する回路は、第1の時間において、対象物、例えば指のタッチが監視され、異なる第2の時間において、膜が同一の対象物にハプティック感覚を提供するように駆動されるようにこれらの2つを多重化することにより、タッチ検知機能とハプティックフィードバック機能とが切り替えられる。
Claims (23)
- 基板に少なくとも部分的に導電性又は半導電性の素子を製造する方法であって、前記素子は、一又はそれ以上の層を含み、前記方法は、
a)一又はそれ以上の層を含む形成可能な素子を形成する工程であって、少なくとも一つの層は、高アスペクト比分子構造(HARM−構造)の網を含み、前記HARM−構造は、導電性又は半導電性である、工程と、
b)前記形成可能な素子を前記構造の三次元表面に圧縮及び/又は真空シールすることにより、前記形成可能な素子を構造にコンフォーマルな手法で配置する工程と、
一又はそれ以上の層を含み、コンフォーマルかつ少なくとも部分的に導電性又は半導電性の素子を製造する工程であって、少なくとも一つの層は、前記構造の三次元表面上に高アスペクト比分子構造(HARM−構造)の網を含む、工程と、を含むことを特徴とする方法。 - a)工程は、一又はそれ以上のHARM−構造の網及び一又はそれ以上の追加材料を含む形成可能な素子を形成する工程を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- a)工程は、一又はそれ以上のHARM−構造の網及び以下、ポリマー、紙、ニトロセルロース、ポリビニリデンフルオリド(PVDF)、ポリエチレン(PE)、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリカーボネート、アクリル、ポリテトラフルオロエチレン(テフロン)のうち一又はそれ以上を含む形成可能な素子を形成することを含むことを特徴とする請求項1又は2に記載の方法。
- HARM−構造の一又はそれ以上の網は、ガス流から堆積することによって形成されることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の方法。
- a)工程は、一又はそれ以上の基板にHARM−構造を堆積することを含むことを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の方法。
- a)工程は、一又はそれ以上の予備基板にHARM−構造を堆積する工程と、一又はそれ以上の予備基板から前記一又はそれ以上の基板に、堆積されたHARM−構造の一又はそれ以上の網を配置する工程と、を含むことを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載の方法。
- a)工程は、HARM−構造の拡散性、磁性、機械性、対流性、熱拡散性、光泳動性、電気泳動性、重力性、音響性、粘性及び/又は慣性移動を含むことを特徴とする請求項1から6のいずれか一項に記載の方法。
- 圧縮する工程は、熱圧縮を含むことを特徴とする請求項1から7のいずれか一項に記載の方法。
- 前記構造は、一又はそれ以上の電気部品を含むことを特徴とする請求項1から8のいずれか一項に記載の方法。
- 前記HARM−構造は、個別の又は束ねられた形態でのナノチューブ、カーボンナノチューブ、フラーレン官能性カーボンナノチューブ、ナノバッド、窒化ホウ素ナノチューブ、炭素、リン、ホウ素、窒素、銀及び/又は珪素を含むナノロッド又はナノワイヤ、フィラメント及び/又は他の任意のチューブ、チューブ状物、ロッド及び/又はリボン及び/又は他の高アスペクト比分子構造を含むことを特徴とする請求項1から9のいずれか一項に記載の方法。
- 前記素子は、電磁放射に対して遮蔽するための一又はそれ以上の少なくとも部分的に導電性又は半導電性であるHARM−構造の網を含む前記構造にコンフォーマルに配置されることを特徴とする請求項1から10のいずれか一項に記載の方法。
- b)工程は、電磁放射に対して遮蔽される構造にコンフォーマルな形態の一又はそれ以上のHARM−構造の網を含む前記形成可能な素子を配置することを含むことを特徴とする請求項1から11のいずれか一項に記載の方法。
- 基板上のコンフォーマルかつ少なくとも部分的に導電性又は半導電性な素子であって、前記素子は、一又はそれ以上の層を含み、少なくとも一つの層は、高アスペクト比分子構造(HARM−構造)の網を含み、前記HARM構造は、導電性又は半導電性であり、前記素子は、前記基板の三次元表面にコンフォーマルに配置されることを特徴とする素子。
- 前記素子は、接触及び/又は近接感知膜として機能するように構成されることを特徴とする請求項13に記載の素子。
- 前記接触及び/又は前記近接感知膜は、少なくとも二つの検知領域を含むことを特徴とする請求項14に記載の素子。
- 少なくとも一つの検知領域は、タッチスクリーンの一部分として機能するように構成されることを特徴とする請求項15に記載の素子。
- 前記接触及び/又は前記近接感知膜は、ハプティックフィードバックを提供するように構成されることを特徴とする請求項13から16のいずれか一項に記載の素子。
- 前記構造は、筐体、ディスプレイ、ディスプレイ部品、トランジスタ、集積回路、アンテナ、光起電装置、メモリ素子、メモリデバイス、トランスミッター、ポピュラーなプリント回路基板、電子装置のフレキシブルコネクタ、ディスプレイ源又は光源、熱音響スピーカー、携帯電話、コンピュータ、販売所又は案内所、製品パッケージ、家庭用品、窓、ダッシュボード、ステアリングホイール、車体、ヘルメット、バイザー、それらの部品、及びそれらの組み合わせからなる群から選択されることを特徴とする請求項13から17のいずれか一項に記載の素子。
- 前記HARM−構造は、個別の又は束状形態でのナノチューブ、カーボンナノチューブ、フラーレン官能性カーボンナノチューブ、ナノバッド、窒化ホウ素ナノチューブ、炭素、リン、ホウ素、窒素、銀及び/又は珪素を含むナノロッド又はナノワイヤ、フィラメント及び/又は他のチューブ、チューブ状物、ロッド及び/又はリボン及び/又は他の高アスペクト比分子構造を含むことを特徴とする請求項13から18のいずれか一項に記載の素子。
- 前記素子は、電磁放射に対する遮蔽として機能するように構成されることを特徴とする請求項13に記載の素子。
- 電磁放射に対して構造を遮蔽するための請求項13から20のいずれか一項に記載のコンフォーマルかつ少なくとも部分的に導電性又は半導電性な素子の使用。
- 静電気散逸層(ESD)、バッテリの電極、スーパーキャップ、燃料電池、タッチセンサ、ハプティックインターフェース、ディスプレイ又はソーラセル、太陽電池の電荷キャリア分離層、ディスプレイの電荷キャリア再結合層、ディスプレイの電界放出層、タッチスクリーンの電荷キャリア輸送層、ハプティックインターフェース、熱音響スピーカー、ディスプレイ又はソーラセル及び/又はソース、ドレイン及び/又はゲート電極及び/又はトランジスタ、バックプレーン又はICの半導電層としての請求項13から20のいずれか一項に記載のコンフォーマルかつ少なくとも部分的に導電性又は半導電性な素子の使用。
- タッチセンサの素子及びハプティックインターフェースの素子の両方としての請求項13から20のいずれか一項に記載のシングルコンフォーマルかつ少なくとも部分的に導電性又は半導電性な素子の使用。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7350732B2 (ja) | 2017-11-08 | 2023-09-26 | カナトゥ オイ | 自立領域を有するフィルムを備えた装置 |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI581135B (zh) * | 2011-09-30 | 2017-05-01 | 加拿都公司 | 觸感薄膜、觸感裝置及電子裝置 |
US8773392B2 (en) * | 2012-02-28 | 2014-07-08 | Eastman Kodak Company | Transparent touch-responsive capacitor with variable-pattern micro-wires |
WO2014066448A1 (en) * | 2012-10-26 | 2014-05-01 | Corning Incorporated | Structure with integrated acoustics function |
FI20135510L (fi) | 2013-05-14 | 2014-11-15 | Canatu Oy | Taipuisa valoa emittoiva kalvo |
JP6250490B2 (ja) * | 2014-07-17 | 2017-12-20 | 富士フイルム株式会社 | 導電性フィルム、タッチパネル付き表示装置 |
CN105338460B (zh) * | 2014-07-21 | 2018-05-01 | 清华大学 | 热致发声装置及其制备方法 |
CN104217712B (zh) * | 2014-09-19 | 2018-02-27 | 阿特拉斯科普柯(南京)建筑矿山设备有限公司 | 工程机械操作室的主动降噪装置以及凿岩钻机 |
US20180228062A1 (en) * | 2015-08-06 | 2018-08-09 | 3M Innovative Properties Company | Flexible electrically conductive bonding films |
CN106055148A (zh) * | 2016-05-25 | 2016-10-26 | 深圳市联得自动化装备股份有限公司 | 一种触摸屏贴合装置 |
KR102611514B1 (ko) * | 2016-11-25 | 2023-12-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 접촉 감응 소자 및 이를 포함하는 표시 장치 |
CN108987481A (zh) * | 2017-06-05 | 2018-12-11 | 中国科学院金属研究所 | 一种基于感光干膜工艺的碳纳米管薄膜晶体管及制作方法 |
KR20200057084A (ko) * | 2017-10-11 | 2020-05-25 | 뉴 아시아 그룹 홀딩스 리미티드 | 통합된 구조를 갖는 감지 필름 |
FI128433B (en) * | 2018-05-09 | 2020-05-15 | Canatu Oy | An electrically conductive multilayer film comprising a coating layer |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002080195A1 (en) * | 2001-02-16 | 2002-10-10 | E.I. Dupont De Nemours And Company | High conductivity polyaniline compositions and uses therefor |
JP2008059147A (ja) * | 2006-08-30 | 2008-03-13 | Alps Electric Co Ltd | 機能性フィルム及びその製造方法 |
JP2008542953A (ja) * | 2005-06-02 | 2008-11-27 | イーストマン コダック カンパニー | カーボンナノチューブを含む導電性層を有するタッチスクリーン |
JP2009508700A (ja) * | 2005-09-13 | 2009-03-05 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 連続螺旋転位成長によるナノ構造の層の生成 |
JP2009184155A (ja) * | 2008-02-04 | 2009-08-20 | Touch Panel Kenkyusho:Kk | 導電性フィルムまたは導電性シートおよび抵抗膜式タッチパネル構造体 |
JP2012516277A (ja) * | 2009-01-28 | 2012-07-19 | カナトゥ オイ | 高アスペクト比分子構造を含む構造およびその製造方法 |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001306258A (ja) * | 2000-02-18 | 2001-11-02 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | タッチパネル用透明導電膜付き基板 |
CA2471842A1 (en) * | 2001-07-27 | 2003-02-13 | Eikos, Inc. | Conformal coatings comprising carbon nanotubes |
US20040188150A1 (en) * | 2003-03-25 | 2004-09-30 | 3M Innovative Properties Company | High transparency touch screen |
CN100388873C (zh) * | 2003-03-25 | 2008-05-14 | 信越聚合物株式会社 | 电磁波噪声抑制体、具有电磁波噪声抑制功能的物品及其制造方法 |
WO2005015792A2 (en) * | 2003-08-06 | 2005-02-17 | Purdue Research Foundation | Fabrication of nanoparticle arrays |
US20050076824A1 (en) | 2003-10-08 | 2005-04-14 | Cross Elisa M. | Resistive touch screen incorporating conductive polymer |
US7473411B2 (en) * | 2003-12-12 | 2009-01-06 | Rensselaer Polytechnic Institute | Carbon nanotube foam and method of making and using thereof |
US7339579B2 (en) | 2003-12-15 | 2008-03-04 | 3M Innovative Properties Company | Wiring harness and touch sensor incorporating same |
JPWO2005104141A1 (ja) * | 2004-04-20 | 2008-03-13 | タキロン株式会社 | タッチパネル用透明導電成形体およびタッチパネル |
US20060276056A1 (en) | 2005-04-05 | 2006-12-07 | Nantero, Inc. | Nanotube articles with adjustable electrical conductivity and methods of making the same |
US7645497B2 (en) * | 2005-06-02 | 2010-01-12 | Eastman Kodak Company | Multi-layer conductor with carbon nanotubes |
FI121540B (fi) * | 2006-03-08 | 2010-12-31 | Canatu Oy | Menetelmä, jolla siirretään korkean aspektisuhteen omaavia molekyylirakenteita |
US7796123B1 (en) * | 2006-06-20 | 2010-09-14 | Eastman Kodak Company | Touchscreen with carbon nanotube conductive layers |
CN100534900C (zh) * | 2006-09-19 | 2009-09-02 | 北京大学 | 控制转移单壁碳纳米管阵列结构的方法 |
US20080192014A1 (en) * | 2007-02-08 | 2008-08-14 | Tyco Electronics Corporation | Touch screen using carbon nanotube electrodes |
DE102007016995A1 (de) * | 2007-04-11 | 2008-10-16 | Beyer, André | Verfahren zum Übertragen einer Nanoschicht |
US9823833B2 (en) * | 2007-06-05 | 2017-11-21 | Immersion Corporation | Method and apparatus for haptic enabled flexible touch sensitive surface |
FI20075482L (fi) * | 2007-06-25 | 2008-12-26 | Canatu Oy | Kuituverkostot sekä menetelmä ja laite kuituverkostojen jatkuvasti tai erinä tapahtuvaan tuotantoon |
CN101409999B (zh) * | 2007-10-10 | 2013-01-09 | 清华大学 | 复合电磁屏蔽材料及其制备方法 |
FI20075767A0 (fi) | 2007-10-30 | 2007-10-30 | Canatu Oy | Pinnoite ja sähkölaitteita jotka käsittävät tätä |
CN101458975B (zh) * | 2007-12-12 | 2012-05-16 | 清华大学 | 电子元件 |
CN101471329B (zh) * | 2007-12-29 | 2012-06-20 | 清华大学 | 半导体封装件 |
FI127197B (fi) | 2009-09-04 | 2018-01-31 | Canatu Oy | Kosketusnäyttö ja menetelmä kosketusnäytön valmistamiseksi |
-
2010
- 2010-03-05 FI FI20105216A patent/FI125151B/fi active IP Right Grant
-
2011
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2018
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002080195A1 (en) * | 2001-02-16 | 2002-10-10 | E.I. Dupont De Nemours And Company | High conductivity polyaniline compositions and uses therefor |
JP2008542953A (ja) * | 2005-06-02 | 2008-11-27 | イーストマン コダック カンパニー | カーボンナノチューブを含む導電性層を有するタッチスクリーン |
JP2009508700A (ja) * | 2005-09-13 | 2009-03-05 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 連続螺旋転位成長によるナノ構造の層の生成 |
JP2008059147A (ja) * | 2006-08-30 | 2008-03-13 | Alps Electric Co Ltd | 機能性フィルム及びその製造方法 |
JP2009184155A (ja) * | 2008-02-04 | 2009-08-20 | Touch Panel Kenkyusho:Kk | 導電性フィルムまたは導電性シートおよび抵抗膜式タッチパネル構造体 |
JP2012516277A (ja) * | 2009-01-28 | 2012-07-19 | カナトゥ オイ | 高アスペクト比分子構造を含む構造およびその製造方法 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
JPN6015002470; Dennis Hausmann et al.: '"Rapid Vapor Deposition of Highly Conformal Silica Nanolaminates"' SCIECE vol.298, 20021011, pp.402-406 * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7350732B2 (ja) | 2017-11-08 | 2023-09-26 | カナトゥ オイ | 自立領域を有するフィルムを備えた装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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