CN104973584B - 碳纳米管阵列的转移方法及碳纳米管结构的制备方法 - Google Patents
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- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 308
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 227
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 247
- 230000012010 growth Effects 0.000 claims abstract description 118
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 claims description 45
- 238000005411 Van der Waals force Methods 0.000 claims description 26
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 claims description 3
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 2
- 229920005573 silicon-containing polymer Polymers 0.000 claims description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims 1
- 239000002238 carbon nanotube film Substances 0.000 description 35
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 7
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 208000006735 Periostitis Diseases 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 210000003460 periosteum Anatomy 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003698 anagen phase Effects 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000001464 adherent effect Effects 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 1
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N octamethyltrisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 238000004987 plasma desorption mass spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003351 stiffener Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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-
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- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/15—Nano-sized carbon materials
- C01B32/158—Carbon nanotubes
- C01B32/168—After-treatment
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
- B32B37/02—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by a sequence of laminating steps, e.g. by adding new layers at consecutive laminating stations
- B32B37/025—Transfer laminating
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Nanotechnology (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
本发明提供一种碳纳米管阵列的转移方法，首先提供一代替基底、一生长基底及一间隔装置，该生长基底表面具有碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列的形态能够使得一碳纳米管结构可以从该碳纳米管阵列中连续地拉出；将该碳纳米管阵列从该生长基底转移至该代替基底，并保持该碳纳米管阵列的形态仍能够使该碳纳米管结构从该碳纳米管阵列中连续地拉出，包括将该代替基底的表面接触该碳纳米管阵列远离该生长基底的表面，并通过该间隔装置间隔该代替基底与该生长基底；以及通过移动该代替基底与该生长基底中的至少一方，使该代替基底与该生长基底相远离，从而使该碳纳米管阵列与该生长基底分离，并转移至该代替基底。
Description
技术领域
本发明涉及一种碳纳米管阵列的转移方法及碳纳米管结构的制备方法，尤其涉及一种碳纳米管阵列的转移方法及碳纳米管膜或碳纳米管线的制备方法。
背景技术
碳纳米管(Carbon Nanotube, CNT)是一种由石墨烯片卷成的中空管状物，其具有优异的力学、热学及电学性质，因此具有广阔的应用领域。由于单根碳纳米管的尺寸为纳米级，难于加以利用，人们尝试将多个碳纳米管作为原材料，制成具有较大尺寸的宏观碳纳米管结构。例如由多个碳纳米管形成的宏观膜状结构，即碳纳米管膜（Carbon NanotubeFilm），以及由多个碳纳米管形成的宏观线状结构，即碳纳米管线（Carbon NanotubeWire）。
公告号为CN101458975B的中国发明专利中揭露了一种从碳纳米管阵列中直接拉取获得的碳纳米管膜，这种碳纳米管膜具有较好的透明度，且具有宏观尺度并能够自支撑，其包括多个在范德华力作用下首尾相连的碳纳米管。由于这种直接从阵列中拉取获得的碳纳米管膜中碳纳米管基本沿同一方向延伸，因此能够较好的发挥碳纳米管轴向具有的导电及导热等各种优异性质，具有极为广泛的产业前景，例如可以应用于触摸屏（如中国专利CN101419518B）、液晶显示器（如中国专利CN101498865B）、扬声器（如中国专利CN101605289B）、加热装置（如中国专利CN101868066B）、薄膜晶体管（如中国专利CN101582449B）及导电线缆（如中国专利CN101499337B）等多种领域。
这种特殊的碳纳米管膜的形成原理是超顺排生长的碳纳米管阵列中碳纳米管之间通过范德华力紧密结合，使在拉取部分碳纳米管时，与之相邻的碳纳米管由于范德华力的作用可以首尾相连的被连续地拉出，从而逐渐形成一个由首尾相连的碳纳米管构成的碳纳米管膜。然而，由于碳纳米管之间仅靠范德华力相互吸引而成膜，一旦阵列的形态被破坏或改变，就有可能导致无法连续地拉出均匀的碳纳米管膜，因此传统的做法是在生长基底（一般是单晶硅片）表面生长阵列之后，直接对生长基底上的碳纳米管阵列进行碳纳米管膜的拉取作业。
因此，碳纳米管阵列的生产者实际是将阵列连同生长基底一并提供给客户。然而，这不但使生长基底的回收周期变长，不利于快速投入到新阵列的生长，也容易使昂贵的单晶硅片在运输途中遭到破坏而报废。另外，也可通过相同原理从碳纳米管阵列中拉取获得碳纳米管线，而碳纳米管线在生产制备上同样存在上述问题。
发明内容
有鉴于此，确有必要提供一种能够解决上述问题的碳纳米管阵列的转移方法及碳纳米管结构的制备方法。
一种碳纳米管阵列的转移方法，包括以下步骤：提供一代替基底、一生长基底及一间隔装置，该生长基底表面具有碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列的形态能够使得一碳纳米管结构可以从该碳纳米管阵列中连续地拉出，该碳纳米管结构包括多个首尾相连的碳纳米管；将该碳纳米管阵列从该生长基底转移至该代替基底，并保持该碳纳米管阵列的形态仍能够使该碳纳米管结构从该碳纳米管阵列中连续地拉出，包括将该代替基底的表面接触该碳纳米管阵列远离该生长基底的表面，并通过该间隔装置间隔该代替基底与该生长基底；以及通过移动该代替基底与该生长基底中的至少一方，使该代替基底与该生长基底相远离，从而使该碳纳米管阵列与该生长基底分离，并转移至该代替基底。
一种碳纳米管结构的制备方法，包括以下步骤：提供一代替基底、一生长基底及一间隔装置，该生长基底表面具有碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列的形态能够使得一碳纳米管结构可以从该碳纳米管阵列中连续地拉出，该碳纳米管结构包括多个首尾相连的碳纳米管；将该碳纳米管阵列从该生长基底转移至该代替基底，并保持该碳纳米管阵列的形态仍能够使该碳纳米管结构从该碳纳米管阵列中连续地拉出，包括：将该代替基底的表面接触该碳纳米管阵列远离该生长基底的表面，并通过该间隔装置间隔该代替基底与该生长基底；以及通过移动该代替基底与该生长基底中的至少一方，使该代替基底与该生长基底相远离，从而使该碳纳米管阵列与该生长基底分离，并转移至该代替基底；以及从该代替基底上的碳纳米管阵列拉取该碳纳米管结构，该碳纳米管结构包括首尾相连的碳纳米管。
一种碳纳米管结构的制备方法，包括以下步骤：提供一第一基底、一第二基底及一间隔装置，该第一基底表面具有碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列的形态能够使得一碳纳米管结构可以从该碳纳米管阵列中连续地拉出，该碳纳米管结构包括多个首尾相连的碳纳米管；将该碳纳米管阵列从该第一基底转移至该第二基底，并保持该碳纳米管阵列的形态仍能够使该碳纳米管结构从该碳纳米管阵列中连续地拉出，包括：将该第二基底的表面接触该碳纳米管阵列远离该第一基底的表面，并通过该间隔装置间隔该第二基底与该第一基底；以及通过移动该第二基底与该第一基底中的至少一方，使该第二基底与该第一基底相远离，从而使该碳纳米管阵列与该第一基底分离，并转移至该第二基底；以及从该第二基底上的碳纳米管阵列拉取该碳纳米管结构，该碳纳米管结构包括首尾相连的碳纳米管。
相较于现有技术，所述碳纳米管阵列的转移方法及碳纳米管结构的制备方法中，在生长阶段与拉膜阶段，碳纳米管阵列设置于不同基底，作为拉膜阶段的基底可以选择廉价材料制造。因此，碳纳米管阵列的生产者可以将阵列转移至代替基底上，将代替基底连同阵列提供给客户，而较为昂贵的生长基底可迅速回收，从而优化了生产流程。因此，本发明的碳纳米管阵列的转移方法及碳纳米管结构的制备方法对于碳纳米管膜和线在产业上的应用具有极为重要的意义，能够带来实际的成本降低及生产方式的变革。
附图说明
图1为本发明一实施例提供的碳纳米管阵列的转移方法的示意图。
图2为本发明实施例从碳纳米管阵列中拉取获得的碳纳米管膜的扫描电镜照片。
图3为本发明另一实施例提供的碳纳米管阵列的转移方法的示意图。
图4为本发明又一实施例提供的碳纳米管阵列的转移方法的示意图。
图5为本发明一实施例将间隔装置与碳纳米管阵列间隔在转移基底与生长基底之间的俯视图。
图6为本发明另一实施例将间隔装置与碳纳米管阵列间隔在转移基底与生长基底之间的俯视图。
图7为本发明实施例提供的碳纳米管结构的制备方法的示意图。
图8为本发明实施例从转移至代替基底表面的碳纳米管阵列中拉取碳纳米管膜的照片。
主要元件符号说明
| 碳纳米管阵列 | 10 |
| 第一表面 | 102 |
| 第二表面 | 104 |
| 生长基底 | 20 |
| 生长基底的表面 | 202 |
| 代替基底 | 30 |
| 代替基底的表面 | 302 |
| 碳纳米管结构 | 40 |
| 拉取工具 | 50 |
| 间隔装置 | 60 |
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
以下将结合附图对本发明的碳纳米管阵列的转移方法及碳纳米管结构的制备方法作进一步的详细说明。
请参阅图1，本发明提供一种碳纳米管阵列10的转移方法，包括以下步骤：
S1，提供一代替基底30、一生长基底20及一间隔装置60，该生长基底20表面具有碳纳米管阵列10，该碳纳米管阵列10的形态能够使得一碳纳米管结构40可以从该碳纳米管阵列10中连续地拉出；
S2，将该碳纳米管阵列10从该生长基底20转移至该代替基底30，并保持该碳纳米管阵列10的形态仍能够使该碳纳米管结构40从该碳纳米管阵列10中连续地拉出，包括：
S21，将该代替基底30的表面302接触该碳纳米管阵列10远离该生长基底20的表面，并通过该间隔装置60间隔该代替基底30与该生长基底20；以及
S22，通过移动该代替基底30与该生长基底20中的至少一方，使该代替基底30与该生长基底20相远离，从而使该碳纳米管阵列10与该生长基底20分离，并转移至该代替基底30。
该碳纳米管结构40包括首尾相连的碳纳米管，是由多个碳纳米管通过范德华力相互结合并首尾相连形成的宏观结构，例如可以为碳纳米管膜或碳纳米管线。
首先对生长于该生长基底20且能够从中拉取碳纳米管膜40的碳纳米管阵列10进行介绍。
该碳纳米管阵列10为通过化学气相沉积的方法生长在该生长基底20的表面。该碳纳米管阵列10中的碳纳米管基本彼此平行且垂直于生长基底20表面，相邻的碳纳米管之间相互接触并通过范德华力相结合。通过控制生长条件，该碳纳米管阵列10中基本不含有杂质，如无定型碳或残留的催化剂金属颗粒等。由于基本不含杂质且碳纳米管相互间紧密接触，相邻的碳纳米管之间具有较大的范德华力，足以使在拉取一些碳纳米管（碳纳米管片段）时，能够使相邻的碳纳米管通过范德华力的作用被首尾相连，连续不断的拉出，由此形成连续的自支撑宏观结构，如碳纳米管膜或碳纳米管线。这种能够使碳纳米管首尾相连的从其中拉出的碳纳米管阵列10也称为超顺排碳纳米管阵列10。该生长基底20的材料可以为P型硅、N型硅或氧化硅等适合生长超顺排碳纳米管阵列10的基底。
从碳纳米管阵列10中连续地拉出的该碳纳米管结构40包括多个首尾相连的碳纳米管。更为具体的，该碳纳米管结构40为可以实现自支撑的碳纳米管膜，该碳纳米管膜包括多个基本沿相同方向排列的碳纳米管。请参阅图2，在该碳纳米管膜中碳纳米管为沿同一方向择优取向排列。所述择优取向是指在碳纳米管膜中大多数碳纳米管的整体延伸方向基本朝同一方向。而且，所述大多数碳纳米管的整体延伸方向基本平行于该碳纳米管膜的表面。进一步地，所述碳纳米管膜中多数碳纳米管是通过范德华力首尾相连。具体地，所述碳纳米管膜中基本朝同一方向延伸的大多数碳纳米管中每一碳纳米管与在延伸方向上相邻的碳纳米管通过范德华力首尾相连，从而使该碳纳米管膜能够实现自支撑。当然，所述碳纳米管膜中存在少数随机排列的碳纳米管，这些碳纳米管不会对碳纳米管膜中大多数碳纳米管的整体取向排列构成明显影响。进一步地，所述碳纳米管膜可包括多个连续且定向排列的碳纳米管片段。该多个碳纳米管片段通过范德华力首尾相连。每一碳纳米管片段包括多个相互平行的碳纳米管，该多个相互平行的碳纳米管通过范德华力紧密结合。另外，所述碳纳米管膜中基本朝同一方向延伸的多数碳纳米管并非绝对的直线状，可以适当的弯曲；或者并非完全按照延伸方向上排列，可以适当的偏离延伸方向。因此，不能排除碳纳米管膜的基本朝同一方向延伸的多数碳纳米管中并列的碳纳米管之间可能存在部分接触而部分分离的情况。实际上，该碳纳米管膜具有较多间隙，即相邻的碳纳米管之间具有间隙，使该碳纳米管膜可以具有较好的透明度。然而，相邻碳纳米管之间接触的部分以及首尾相连的碳纳米管之间连接的部分的范德华力已经足够维持该碳纳米管膜整体的自支持性。该碳纳米管膜的厚度约为0.5纳米至100微米，优选为0.5纳米至10微米。当具有较窄宽度时，该碳纳米管结构40也可以是一可实现自支撑的碳纳米管线。
所述自支撑是该碳纳米管膜或碳纳米管线不需要大面积的载体支撑，而只要一边或相对两边提供支撑力即能整体上悬空而保持自身膜状或线状状态，即将该碳纳米管膜或线置于（或固定于）间隔一定距离设置的两个支撑体上时，位于两个支撑体之间的碳纳米管膜或线能够悬空保持自身膜状或线状状态。所述自支撑主要通过碳纳米管膜或线中存在连续的通过范德华力首尾相连延伸排列的碳纳米管而实现。
所述能够从中拉取碳纳米管膜的碳纳米管阵列10的制备方法已为众多前案公开，例如可参阅冯辰等人在2008年8月13日公开的中国专利申请CN101239712A。
该代替基底30为固态，可以为柔性或硬质基底。该代替基底30具有一表面302，作为设置该碳纳米管阵列10的表面。将该碳纳米管阵列10从该生长基底20转移至该代替基底30这一过程中，该碳纳米管阵列10的形态应基本得到保持，以仍能够使该碳纳米管结构40从中连续地拉出为准，也就是仍保持为一超顺排碳纳米管阵列。
在保持该碳纳米管阵列10的形态的前提下，当该碳纳米管阵列10转移至该代替基底30后，该碳纳米管阵列10倒立设置于该代替基底30表面302。也就是该碳纳米管阵列10包括一第一表面102及与该第一表面102相对的第二表面104。碳纳米管从生长基底20的表面202长出，形成碳纳米管阵列10，碳纳米管靠近该生长基底20的一端为底端，远离生长基底20的一端为顶端。在该生长基底20上，该第一表面102由该碳纳米管阵列10中所有碳纳米管的底端共同形成，该第二表面104由该碳纳米管阵列10中所有碳纳米管的顶端共同形成，该碳纳米管阵列10的第一表面102靠近或设置在该生长基底20的表面202，为碳纳米管阵列10的生长底端，该第二表面104为远离该生长基底20的表面，为碳纳米管阵列10的生长顶端。当该碳纳米管阵列10转移至该代替基底30后，该碳纳米管阵列10的第二表面104靠近或设置在该代替基底30的表面302，该第一表面102为远离该代替基底30的表面。
所述步骤S21及S22可以在常温下进行。在该步骤S21及S22中，应保持该碳纳米管阵列10的形态仍能够使该碳纳米管结构40可以从该碳纳米管阵列10中连续地拉出。为了使碳纳米管阵列10在转移至该代替基底30后，仍然能够拉取碳纳米管结构40，该代替基底30的表面302与该碳纳米管阵列10的第二表面104之间可以仅通过范德华力结合，并且使该代替基底30与该碳纳米管阵列10之间的结合力(FBC)小于该碳纳米管阵列10中碳纳米管间的范德华力(FCC)。然而，该代替基底30的表面302与该碳纳米管阵列10之间的结合力(FBC)应大于该生长基底20的表面202与该碳纳米管阵列10之间的结合力(FAC)，才能使该碳纳米管阵列10可以从该生长基底20分离，转移至该代替基底30，即FAC<FBC<FCC。
为了使FAC<FBC<FCC，该代替基底30的表面可以具有合适的表面能，并且该代替基底30的表面与该碳纳米管阵列10之间可以具有合适的界面能，从而可以使代替基底30能够仅通过接触即与该碳纳米管阵列10之间产生足够的结合力，如范德华力，使碳纳米管阵列10能够从生长基底20上拉离。因此，通过选择合适的材料制造该代替基底30，至少是作为该代替基底30的表面302，可以使该代替基底30仅通过与碳纳米管阵列10的第二表面104之间的接触产生的结合力，如范德华力，使碳纳米管阵列10与生长基底20分离。该代替基底30的表面可以为一平整表面。在一实施例中，该代替基底30的材料为聚二甲基硅氧烷(PDMS)。
可以理解，该代替基底30并非通过粘结剂粘附该碳纳米管阵列10，通过普通的粘结剂虽然能够使FAC<FBC，而使碳纳米管阵列10能够脱离该生长基底20，但由于碳纳米管阵列10中碳纳米管间的范德华力极小，因此几乎任何传统意义上的粘结剂均会造成FBC>FCC，使后续的拉取碳纳米管结构40的步骤无法进行。可以理解，在该步骤S21~S22中，该代替基底30始终保持固态。
在该步骤S21中，为了使该代替基底30的表面302与该碳纳米管阵列10中的所有碳纳米管的顶端得到充分的接触，可以使该代替基底30接触该碳纳米管阵列10的表面302与该生长基底20生长该碳纳米管的表面202之间的距离小于或等于该碳纳米管阵列10的高度，从而使该代替基底30轻微的对该碳纳米管阵列10施加压力。然而该代替基底30并非是将该碳纳米管阵列10中的碳纳米管压倒，否则将改变碳纳米管阵列10的形态，使其无法再进行拉膜或拉线，因此该压力不能太大，也就是该代替基底30的表面302与该生长基底20的表面202之间的距离不能太近，即需要大于一极限距离，该极限距离是使碳纳米管阵列10被压至无法保持能够拉取碳纳米管结构40的形态的距离。通过限制该两个表面302与202之间的距离，可以保持该碳纳米管阵列10的形态为仍能够使该碳纳米管结构40从中连续地拉出。
由于该压力不易控制，一旦稍大即会导致碳纳米管阵列10被压倒，并且该碳纳米管阵列10的高度一般只有几十微米至几百微米，在通过代替基底30转移该碳纳米管阵列10时，很难控制代替基底30与生长基底20之间的距离，因此可以在该代替基底30与该生长基底20之间设置该间隔装置60，通过该间隔装置60保持该代替基底30的表面302与该生长基底20的表面202之间的间隔距离不致过小。该间隔装置60在该代替基底与该生长基底之间的高度小于或等于该碳纳米管阵列10的高度，使该间隔装置60与该碳纳米管阵列10之间具有一高度差(x)，并且，该间隔装置60的高度大于使碳纳米管阵列10压倒至无法保持能够拉取碳纳米管结构40的形态的该极限距离。在该步骤S21中，该间隔装置60与该碳纳米管阵列10均设置在该代替基底30与该生长基底20之间。
该间隔装置60为固态，优选为刚性元件，在该代替基底30的表面与该生长基底20之间提供一支撑，通过控制该间隔装置60的高度即可方便的保持该代替基底30与该生长基底20之间的精确距离。该间隔装置60的高度(m)可以为该碳纳米管阵列10的高度(n)的0.9倍~1倍，即m为0.9n~1n。
可以理解，当该间隔装置60的高度小于该碳纳米管阵列10的高度时，该代替基底30可能会使该碳纳米管阵列10中原本直立的碳纳米管产生微小的弯曲，然而由于具有该间隔装置60，该弯曲程度较小，当将该代替基底30与该生长基底20分离的过程中，该碳纳米管阵列10仍能弹性回复原有的高度，并保持能够拉取碳纳米管结构40的形态。
该间隔装置60可以设置在该生长基底20上。请参阅图3，在另一实施例中，该间隔装置60也可以设置在该代替基底30上。请参阅图4，另外，该间隔装置60也可以是代替基底30的一部分，即从该代替基底30表面上凸出的结构。该间隔装置60的形状不限，可以是块状、片状、柱状或球形，只要具有一合适的高度即可。该间隔装置60可以为多个，均匀分布在该碳纳米管阵列10的外围，从而为该生长基底20与该代替基底30之间提供稳定的间隔。请参阅图5，在一实施例中，该间隔装置60为一圆环形垫圈，设置在该碳纳米管阵列10之外。请参阅图6，在另一实施例中，该间隔装置60为多个圆柱形垫片，均匀分布在该碳纳米管阵列10的外围。
在该步骤S22中，在使该碳纳米管阵列10与该生长基底20分离的过程中，该碳纳米管阵列10中的所有碳纳米管优选为同时脱离该生长基底20，也就是该代替基底30与该生长基底20中的至少一方的移动方向为垂直于该生长基底20的碳纳米管生长表面，使该碳纳米管阵列10中的碳纳米管沿该碳纳米管的生长方向脱离该生长基底20。当该弹性代替基底30与该生长基底20均发生移动时，两者的移动方向均垂直于该生长基底20的碳纳米管生长表面。
在该步骤S21~S22中，该碳纳米管阵列10先受到朝向该生长基底20方向的压力，再受到朝向该代替基底30的拉力。
请参阅图7，本发明提供一种碳纳米管结构40的制备方法，除包括上述步骤S1至S2外，还进一步包括：
S3，从该代替基底30上的碳纳米管阵列10拉取该碳纳米管结构40。
请参阅图8，该步骤S3与传统的碳纳米管拉膜步骤的区别是，该碳纳米管膜是从转移至该代替基底30表面的碳纳米管阵列10中，而非从直接在生长基底20表面的碳纳米管阵列10中进行拉取。在优选的实施例中，该碳纳米管膜是从倒立的设置在该代替基底30表面的碳纳米管阵列10中进行拉取，也就是从碳纳米管阵列的原来的生长底部进行拉取。
所述步骤S3具体包括以下步骤：S31，从该代替基底30表面的碳纳米管阵列10中通过拉取工具50选定一碳纳米管片段；S32，通过移动该拉取工具50，以一定速度拉取该选定的碳纳米管片段，从而首尾相连的拉出多个碳纳米管片段，进而形成一连续的碳纳米管结构40。
在该步骤S31中，当需要拉取碳纳米管膜时，可采用具有一定宽度的胶带或粘性基条接触该碳纳米管阵列10以选定具有一定宽度的一碳纳米管片段；当需要拉取碳纳米管线时，可以采用端面较窄的工具，如镊子，选取宽度较窄的碳纳米管片段。在该步骤S32中，该选定的碳纳米管片段的拉取方向与该碳纳米管阵列10中碳纳米管的生长方向呈一不为0的角度a，优选为30度~90度。
上述步骤S22有别于步骤S3，步骤S22的目的是使碳纳米管阵列10整体脱离该生长基底20，脱离后仍保持阵列10的形态。而在步骤S3的目的是从碳纳米管阵列10中拉取碳纳米管膜或线，因此并非使碳纳米管阵列10整体脱离代替基底30，而是先使一小部分碳纳米管，如碳纳米管片段，脱离代替基底30，再由该拉出的碳纳米管片段带动相邻的碳纳米管片段被首尾相连的拉出，即陆续脱离代替基底30。
所述碳纳米管阵列的转移方法及碳纳米管结构的制备方法中，在生长阶段与拉膜阶段，碳纳米管阵列设置于不同基底，作为拉膜阶段的基底可以选择廉价材料制造。因此，碳纳米管阵列的生产者可以将阵列转移至代替基底上，将代替基底连同阵列提供给客户，而较为昂贵的生长基底可迅速回收，从而优化了生产流程。因此，本发明的碳纳米管阵列的转移方法及碳纳米管结构的制备方法对于碳纳米管膜和线在产业上的应用具有极为重要的意义，能够带来实际的成本降低及生产方式的变革。在转移碳纳米管阵列的过程中，通过设置该间隔装置，方便的控制了该代替基底与该生长基底之间的距离不致过小，有利于在转移过程中保护碳纳米管阵列的形态不受破坏。
另外，本领域技术人员还可在本发明精神内做其他变化，当然，这些依据本发明精神所做的变化，都应包含在本发明所要求保护的范围之内。
Claims (14)
1.一种碳纳米管阵列的转移方法，包括以下步骤：
提供一代替基底、一生长基底及一间隔装置，该生长基底表面具有碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列包括多个通过范德华力相互连接的碳纳米管，该碳纳米管阵列的形态能够使得一碳纳米管结构可以从该碳纳米管阵列中连续地拉出，该碳纳米管结构包括多个首尾相连的碳纳米管；
将该碳纳米管阵列从该生长基底转移至该代替基底，并保持该碳纳米管阵列的形态仍能够使该碳纳米管结构从该碳纳米管阵列中连续地拉出，包括：
将该代替基底的表面接触该碳纳米管阵列远离该生长基底的表面，并通过该间隔装置间隔该代替基底与该生长基底；以及
通过移动该代替基底与该生长基底中的至少一方，使该代替基底与该生长基底相远离，从而使该碳纳米管阵列与该生长基底分离，并转移至该代替基底，该代替基底与碳纳米管阵列之间的结合力小于碳纳米管阵列中碳纳米管之间的范德华力。
2.如权利要求1所述的碳纳米管阵列的转移方法，其特征在于，该碳纳米管结构为碳纳米管膜或碳纳米管线。
3.如权利要求1所述的碳纳米管阵列的转移方法，其特征在于，该代替基底的表面与该碳纳米管阵列仅通过范德华力结合。
4.如权利要求1所述的碳纳米管阵列的转移方法，其特征在于，该代替基底接触该碳纳米管阵列的表面与该生长基底生长该碳纳米管的表面之间的距离小于或等于该碳纳米管阵列的高度，并且大于使碳纳米管阵列压至无法保持能够拉取碳纳米管结构的形态的距离。
5.如权利要求1所述的碳纳米管阵列的转移方法，其特征在于，该间隔装置在该代替基底与该生长基底之间的高度小于或等于该碳纳米管阵列的高度，并且大于使碳纳米管阵列压至无法保持能够拉取碳纳米管结构的形态的距离。
6.如权利要求1所述的碳纳米管阵列的转移方法，其特征在于，该间隔装置为刚性元件。
7.如权利要求1所述的碳纳米管阵列的转移方法，其特征在于，该间隔装置的高度为该碳纳米管阵列的高度的0.9倍～1倍。
8.如权利要求1所述的碳纳米管阵列的转移方法，其特征在于，在该分离的过程中，该碳纳米管阵列中的所有碳纳米管为同时脱离该生长基底。
9.如权利要求1所述的碳纳米管阵列的转移方法，其特征在于，该碳纳米管阵列中的碳纳米管沿该碳纳米管的生长方向脱离该生长基底。
10.如权利要求1所述的碳纳米管阵列的转移方法，其特征在于，该代替基底与该生长基底中的至少一方的移动方向为垂直于该生长基底的碳纳米管生长表面。
11.如权利要求1所述的碳纳米管阵列的转移方法，其特征在于，该代替基底与该碳纳米管阵列之间的结合力大于该生长基底与该碳纳米管阵列之间的结合力且小于该碳纳米管阵列中碳纳米管间的范德华力。
12.如权利要求1所述的碳纳米管阵列的转移方法，其特征在于，该代替基底的材料为聚二甲基硅氧烷。
13.一种碳纳米管结构的制备方法，包括以下步骤：
提供一代替基底、一生长基底及一间隔装置，该生长基底表面具有碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列包括多个通过范德华力相互连接的碳纳米管，该碳纳米管阵列的形态能够使得一碳纳米管结构可以从该碳纳米管阵列中连续地拉出，该碳纳米管结构包括多个首尾相连的碳纳米管；
将该碳纳米管阵列从该生长基底转移至该代替基底，并保持该碳纳米管阵列的形态仍能够使该碳纳米管结构从该碳纳米管阵列中连续地拉出，包括：
将该代替基底的表面接触该碳纳米管阵列远离该生长基底的表面，并通过该间隔装置间隔该代替基底与该生长基底；以及
通过移动该代替基底与该生长基底中的至少一方，使该代替基底与该生长基底相远离，从而使该碳纳米管阵列与该生长基底分离，并转移至该代替基底，该代替基底与碳纳米管阵列之间的结合力小于碳纳米管阵列中碳纳米管之间的范德华力；以及
从该代替基底上的碳纳米管阵列拉取该碳纳米管结构，该碳纳米管结构包括首尾相连的碳纳米管。
14.一种碳纳米管结构的制备方法，包括以下步骤：
提供一第一基底、一第二基底及一间隔装置，该第一基底表面具有碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列包括多个通过范德华力相互连接的碳纳米管，该碳纳米管阵列的形态能够使得一碳纳米管结构可以从该碳纳米管阵列中连续地拉出，该碳纳米管结构包括多个首尾相连的碳纳米管；将该碳纳米管阵列从该第一基底转移至该第二基底，并保持该碳纳米管阵列的形态仍能够使该碳纳米管结构从该碳纳米管阵列中连续地拉出，包括：
将该第二基底的表面接触该碳纳米管阵列远离该第一基底的表面，并通过该间隔装置间隔该第二基底与该第一基底；以及
通过移动该第二基底与该第一基底中的至少一方，使该第二基底与该第一基底相远离，从而使该碳纳米管阵列与该第一基底分离，并转移至该第二基底，该第二基底与碳纳米管阵列之间的结合力小于碳纳米管阵列中碳纳米管之间的范德华力；以及
从该第二基底上的碳纳米管阵列拉取该碳纳米管结构，该碳纳米管结构包括首尾相连的碳纳米管。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410147542.1A CN104973584B (zh) | 2014-04-14 | 2014-04-14 | 碳纳米管阵列的转移方法及碳纳米管结构的制备方法 |
| TW103115101A TWI552946B (zh) | 2014-04-14 | 2014-04-25 | 奈米碳管陣列的轉移方法及奈米碳管結構的製備方法 |
| US14/316,753 US9643848B2 (en) | 2014-04-14 | 2014-06-26 | Method for transferring carbon nanotube array and method for forming carbon nanotube structure |
| JP2015082389A JP6097783B2 (ja) | 2014-04-14 | 2015-04-14 | カーボンナノチューブアレイの転移方法及びカーボンナノチューブ構造体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410147542.1A CN104973584B (zh) | 2014-04-14 | 2014-04-14 | 碳纳米管阵列的转移方法及碳纳米管结构的制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104973584A CN104973584A (zh) | 2015-10-14 |
| CN104973584B true CN104973584B (zh) | 2018-03-02 |
Family
ID=54264511
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410147542.1A Active CN104973584B (zh) | 2014-04-14 | 2014-04-14 | 碳纳米管阵列的转移方法及碳纳米管结构的制备方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9643848B2 (zh) |
| CN (1) | CN104973584B (zh) |
| TW (1) | TWI552946B (zh) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105712314B (zh) * | 2014-12-05 | 2017-12-01 | 清华大学 | 碳纳米管阵列的制备方法和碳纳米管膜的制备方法 |
| CN108473312B (zh) | 2015-12-28 | 2022-02-15 | 日立造船株式会社 | 碳纳米管复合材料以及碳纳米管复合材料的制造方法 |
| EP3398906A4 (en) * | 2015-12-28 | 2019-10-23 | Hitachi Zosen Corporation | CARBON NANOTUBE JUNCTION SHEET AND PROCESS FOR PRODUCTION THEREOF OF CARBON NANOTUBE JUNCTION SHEET |
| KR102144867B1 (ko) * | 2016-06-10 | 2020-08-14 | 린텍 오브 아메리카, 인크. | 나노섬유 시트 |
| CN108726506A (zh) * | 2017-04-18 | 2018-11-02 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 快速制备超长水平碳纳米管的方法及系统 |
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| CN101419518B (zh) | 2007-10-23 | 2012-06-20 | 清华大学 | 触摸屏 |
| CN101458975B (zh) | 2007-12-12 | 2012-05-16 | 清华大学 | 电子元件 |
| JP5015971B2 (ja) | 2008-02-01 | 2012-09-05 | ツィンファ ユニバーシティ | 同軸ケーブルの製造方法 |
| CN101498865B (zh) | 2008-02-01 | 2011-05-04 | 清华大学 | 液晶显示屏 |
| US8249279B2 (en) | 2008-04-28 | 2012-08-21 | Beijing Funate Innovation Technology Co., Ltd. | Thermoacoustic device |
| CN101582449B (zh) | 2008-05-14 | 2011-12-14 | 清华大学 | 薄膜晶体管 |
| US20100122980A1 (en) | 2008-06-13 | 2010-05-20 | Tsinghua University | Carbon nanotube heater |
| TWI395708B (zh) | 2008-11-28 | 2013-05-11 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | 奈米碳管膜的拉伸方法 |
| CN101870463A (zh) | 2009-04-27 | 2010-10-27 | 清华大学 | 碳纳米管泊松比材料 |
| CN101993055B (zh) | 2009-08-14 | 2013-02-13 | 清华大学 | 碳纳米管膜先驱、碳纳米管膜及其制备方法 |
| CA2778042A1 (en) | 2009-09-18 | 2011-03-24 | The University Of Akron | Carbon nanotube based field emission devices and methods |
| CN102092703B (zh) | 2009-12-11 | 2020-11-06 | 北京富纳特创新科技有限公司 | 碳纳米管结构的制备方法 |
| TWI487033B (zh) * | 2010-01-05 | 2015-06-01 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | 製備奈米碳管薄膜及薄膜電晶體的方法 |
| TWI406808B (zh) | 2010-01-26 | 2013-09-01 | Beijing Funate Innovation Tech | 奈米碳管結構之製備方法 |
| CN101844757B (zh) | 2010-03-29 | 2012-07-11 | 北京富纳特创新科技有限公司 | 碳纳米管膜的制备方法 |
| TWI477442B (zh) | 2010-04-07 | 2015-03-21 | Beijing Funate Innovation Tech | 奈米碳管膜之製備方法 |
| CN102737962B (zh) * | 2011-04-15 | 2014-12-31 | 清华大学 | 外延结构体及其制备方法 |
| CN103367121B (zh) | 2012-03-28 | 2016-04-13 | 清华大学 | 外延结构体的制备方法 |
-
2014
- 2014-04-14 CN CN201410147542.1A patent/CN104973584B/zh active Active
- 2014-04-25 TW TW103115101A patent/TWI552946B/zh active
- 2014-06-26 US US14/316,753 patent/US9643848B2/en active Active
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI552946B (zh) | 2016-10-11 |
| TW201538418A (zh) | 2015-10-16 |
| US20150291428A1 (en) | 2015-10-15 |
| US9643848B2 (en) | 2017-05-09 |
| CN104973584A (zh) | 2015-10-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |