TWI487033B

TWI487033B - 製備奈米碳管薄膜及薄膜電晶體的方法

Info

Publication number: TWI487033B
Application number: TW099100116A
Authority: TW
Inventors: Gang Zheng; Qun-Qing Li; Jing Xie; Shou-Shan Fan
Original assignee: Hon Hai Prec Ind Co Ltd
Priority date: 2010-01-05
Filing date: 2010-01-05
Publication date: 2015-06-01
Also published as: TW201125042A

Description

製備奈米碳管薄膜及薄膜電晶體的方法

本發明涉及一種製備薄膜及電晶體的方法，尤其涉及一種製備奈米碳管薄膜及薄膜電晶體的方法。

矽電子器件係20世紀的重大發明之一。然按照Moore定律(Moore定律係指IC上可容納的電晶體數目，約每隔18個月便會增加一倍，性能也將提升一倍)，以矽材料為主的微電子到2011年的最小尺寸係0.08微米，達到物理極限，此後將係奈米電子學時代。

而奈米碳管以其優異的電學性質及機械性質，成為最有希望代替矽器件的下一代奈米電子器件。先前技術中通過化學氣相沈積法可於矽基底上製備奈米碳管陣列，之後通過碾壓處理該奈米碳管陣列可製得一奈米碳管碾壓膜。然而這種奈米碳管碾壓膜的厚度較大，用這種碾壓膜一次製備某種器件時顯得有些浪費，奈米碳管膜的利用率較低，進而使得器件成本較高，不適宜大規模生產。

有鑒於此，提供一種利用率較高、適合大規模生產的製備奈米碳管薄膜的方法實為必要。

本發明涉及一種製備奈米碳管薄膜的方法，其包括以下步驟：提供一形成有奈米碳管陣列的生長基底；提供一第一基底，將該第一基底覆蓋於奈米碳管陣列之上並施加一第一壓力於該第一基底，從而使奈米碳管陣列被壓形成一過渡奈米碳管膜，該第一基底與過渡奈米碳管膜的結合力比生長基底與過渡奈米碳管膜的結合力大；將該第一基底與生長基底分離，過渡奈米碳管膜被轉印至第一基底的表面；提供至少一第二基底，將該第二基底覆蓋於過渡奈米碳管膜的表面，施加一第二壓力於該第二基底；將第二基底與第一基底分離，過渡奈米碳管膜中的部份奈米碳管由第一基底轉印至第二基底，從而於第二基底的表面製得一奈米碳管薄膜。

一種製備薄膜電晶體的方法，其包括以下步驟：提供基底及該基底表面形成的奈米碳管薄膜，該基底及奈米碳管薄膜係通過上述本發明的製備奈米碳管薄膜的方法製得的第二基底及形成於該第二基底表面上的奈米碳管薄膜；間隔形成一源極及一汲極於奈米碳管薄膜的表面，並使該源極及汲極與上述奈米碳管膜電連接；形成一絕緣層於上述奈米碳管膜表面；及形成一閘極於上述絕緣層表面，得到一薄膜電晶體。

相對於先前技術，本發明提供的奈米碳管薄膜的製備方法過程簡單，成本較低，一份奈米碳管陣列可多次被轉印，容易實現規模生產奈米碳管薄膜並適用於大面積製備薄膜電晶體等電子器件，提高了奈米碳管陣列的利用率，相對的降低了製備薄膜電晶體等電子器件的成本。

10‧‧‧奈米碳管陣列

20‧‧‧生長基底

30‧‧‧第一基底

40‧‧‧過渡奈米碳管膜

50‧‧‧第二基底

60‧‧‧奈米碳管薄膜

圖1係本發明第一實施例提供之製備碳奈米管薄膜之方法之流程圖。

圖2至圖7係本發明第一實施例提供之製備碳奈米管薄膜之方法各步驟之狀態示意圖。

圖8係圖3中碳奈米管陣列之傾倒方向之示意圖。

圖9係本發明第一實施例提供之形成一相變聚合物材料層於所述過渡碳奈米管膜及第一基底之間之方法之流程圖。

為了對本發明作更進一步的說明，舉以下具體實施例並配合附圖詳細描述如下。

請參閱圖1，本發明實施例提供一種製備奈米碳管薄膜的方法，其包括以下步驟：步驟S10，請參閱圖2，提供一形成有奈米碳管陣列10的生長基底20。

步驟S20，請參閱圖3及圖4，提供一第一基底30，將該第一基底30覆蓋於奈米碳管陣列10之上並施加一第一壓力於該第一基底30，從而使奈米碳管陣列10被壓形成一過渡奈米碳管膜40。該第一基底30與過渡奈米碳管膜40的結合力比生長基底20與過渡奈米碳管膜40的結合力更大。

步驟S30，請參閱圖5，將該第一基底30與生長基底20分離，過渡奈米碳管膜40被轉移至第一基底30的表面。

步驟S40，請參閱圖6，提供一第二基底50，將該第二基底50覆蓋於過渡奈米碳管膜40的表面，施加一第二壓力於該第二基底50。

步驟S50，請參閱圖7，將第二基底50與第一基底30分離，過渡奈米碳管膜40中的部份奈米碳管由第一基底30被轉移至第二基底50，從而於第二基底50的表面製得一奈米碳管薄膜60。

在步驟S10中，所述奈米碳管陣列10包括複數垂直於所述生長基底20之奈米碳管。所述奈米碳管可為單壁奈米碳管、雙壁奈米碳管或多壁奈米碳管。所述奈米碳管陣列10可位於生長基底20的全部表面或部份表面。本實施例中所述奈米碳管陣列10包括複數間隔設置且相互平行的條帶狀單壁奈米碳管陣列。所述每一條帶狀單壁奈米碳管陣列中複數奈米碳管之間具有一定的間隙。所述單壁奈米碳管陣列為複數彼此平行且垂直於生長基底20生長之奈米碳管形成的純單壁奈米碳管陣列。

在步驟S20中，所述第一基底30之材料不限，僅須滿足第一基底30比生長基底20與奈米碳管有更大的結合力即可。具體地，第一基底30之材料包括聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚二甲基矽氧烷(PDMS)、聚丙烯(PP)、聚氯乙烯(PVC)、聚乙烯(PE)、聚苯乙烯(PS)或聚對苯二甲酸丁二醇酯(PBT)。本實施例中，第一基底30之材料為PET。PET為柔性、透明材料且比矽基底與奈米碳管有更大的結合力。

所述第一壓力應滿足其具有一個平行於所述奈米碳管陣列10中奈米碳管之軸向且指向生長基底20的方向的分力。優選地，所述第一壓力的方向可為平行於所述奈米碳管陣列10中奈米碳管之軸向且指向生長基底20的方向。

若第一壓力之方向為平行於所述奈米碳管陣列10中奈米碳管的軸向且指向生長基底20之方向，則第一壓力大於等於1兆帕，優選地為10-15兆帕。施加該第一壓力之時間不少於5秒鐘，優選地為不少於60秒。於該第一壓力的作用下，該第一基底30將會壓倒位於生長基底20之上的奈米碳管陣列10，從而使奈米碳管陣列10形成一過渡奈米碳管膜40，同時於該第一壓力之作用下，過渡奈米碳管膜40與第一基底30較好地結合在一起。

本實施例中所述第一壓力通過一壓印機提供，所述壓印機具有一光滑之壓面，該壓面提供一平行於所述奈米碳管陣列中奈米碳管的軸向的力而壓倒奈米碳管陣列10。本實施例中，該第一壓力之大小為12兆帕，施加該第一壓力之時間為60秒。理論上而言，於該第一壓力作用下奈米碳管陣列10中的奈米碳管可沿任意方向傾倒。唯，若奈米碳管陣列10具有一定之形狀，則奈米碳管陣列10中的奈米碳管優選地沿某一奈米碳管數量較少的方向傾倒，從而減小傾倒阻力。本實施例中，奈米碳管陣列包括複數條帶狀奈米碳管陣列。由於沿條帶的長度方向生長有較多的奈米碳管，則奈米碳管在沿條帶長度方向傾倒的過程中將承受較大的阻力。因此，奈米碳管優選的傾倒方向為沿條帶的寬度方向。第一基底30同條帶狀奈米碳管陣列接觸後，同時由於第一基底30同奈米碳管有較好的結合力，因此，在第一壓力的作用下，條帶狀奈米碳管陣列的傾倒方向為沿條帶的寬度方向的一側傾倒。由於複數條帶狀奈米碳管陣列沿寬度之間存在一定距離的間隙，因此沿條帶的寬度方向傾倒的奈米碳管會傾倒至條帶之間的間隙處。同時，伴隨著奈米碳管的傾倒，第一基底30同壓面有一個相對的滑移。請參閱圖8，其中b為一奈米碳管條帶的寬度，a為一奈米碳管條帶的長度。由圖8中可看出，奈米碳管條帶沿寬度方向傾倒，相互間隔的奈米碳管條帶之間存在一定的間隙，從而使奈米碳管傾倒於該間隙中。

奈米碳管陣列傾倒後形成過渡奈米碳管膜40。過渡奈米碳管膜40的厚度為20-30微米，過渡奈米碳管膜40的厚度取決於奈米碳管條帶的寬度b。過渡奈米碳管膜40中包括複數重疊的奈米碳管層。

可選擇地，在S10步驟之後S20步驟之前，於所述奈米碳管陣列10的自由端所形成的表面上可形成一相變聚合物材料層，之後提供第一基底30，並將第一基底30覆蓋於奈米碳管陣列10的表面並施加第一壓力，從而於過渡奈米碳管膜40及第一基底30之間形成一相變聚合物材料層。請參閱圖9，所述形成一相變聚合物材料層於過渡奈米碳管膜40及第一基底30之間的方法具體包括以下步驟：步驟S201，提供一液態的相變聚合物材料，將該相變聚合物材料塗覆於奈米碳管陣列10的自由端所形成的表面上；所述相變聚合物材料包括熱固性材料或熱塑性材料，具體地所述熱固性材料包括聚二甲基矽氧烷(PDMS)，聚甲基丙烯酸甲酯( PMMA)及甲基丙烯酸甲酯(MMA)中的一種或多種。所述塗覆液態的相變聚合物材料的方法包括旋塗、塗刷、噴塗或浸塗。奈米碳管陣列中的奈米碳管之間存在一定間隙，相變聚合物材料會浸潤至奈米碳管之間的間隙中。

本實施例中，所述相變聚合物材料為PDMS，採用旋塗的方法將PDMS旋塗於複數條帶狀奈米碳管陣列的遠離矽基底的自由端的表面。

步驟S202，提供所述第一基底30，將該第一基底30覆蓋於奈米碳管陣列10的表面。

步驟S203，施加一第一壓力於該第一基底30的表面，同時或之後加熱所述液態的相變聚合物材料使液態的相變聚合物材料固化形成相變聚合物材料層。於第一壓力的作用下奈米碳管陣列10被壓形成過渡奈米碳管膜40，且所述相變聚合物材料層形成於過渡奈米碳管膜40及第一基底30之間。

所述相變聚合物材料固化的溫度及時間依據相變聚合物材料本身的性質而決定。由於相變聚合物材料浸潤至奈米碳管陣列10之間的間隙中，因此相變聚合物材料層與過渡奈米碳管膜40及第一基底30較好地結合在一起。若相變聚合物材料為熱固性材料，則該熱固性材料的固化溫度應低於第一基底30的玻璃化溫度，從而保證在熱固性材料的熱固化過程中，第一基底30不會被破壞。若相變聚合物材料為熱塑性材料，則該熱塑性材料處於液態的溫度應低於第一基底30的玻璃化溫度，如此，當第一基底30及液態的熱塑性材料接觸時第一基底30不會被破壞。

在步驟S30中，所述分離第一基底30與生長基底20的方法不限，只要可將第一基底30與生長基底20分離且不破壞生長基底20表面的過渡奈米碳管膜40的結構即可。由於第一基底30同過渡奈米碳管膜40的結合力大於生長基底20同過渡奈米碳管膜40的結合力。因此，分離第一基底30及生長基底20之後，過渡奈米碳管膜40將會黏附於第一基底30的表面，從而使生長基底20表面的過渡奈米碳管膜40被轉移到第一基底30的表面。本實施例中，採用鑷子將第一基底30及生長基底20分離。

在步驟S40中，所述第二基底50的材料同第一基底30的材料可相同亦可不同。所述第二基底50的材料包括聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚二甲基矽氧烷(PDMS)、聚丙烯(PP)、聚氯乙烯(PVC)、聚乙烯(PE)、聚苯乙烯(PS)及聚對苯二甲酸丁二醇酯(PBT)中的一種或多種。本實施例中，第二基底50的材料同第一基底30的材料相同，為PET。

若所述過渡奈米碳管膜40的表面形成有相變聚合物材料層，此時，由於過渡奈米碳管膜40通過所述相變聚合物材料層與第一基底30較好地結合在一起，因此於步驟S50中，過渡奈米碳管膜40中僅有較少的一部份奈米碳管被轉印至第二基底50的表面。

若所述過渡奈米碳管膜40的表面沒有形成相變聚合物材料層，則第二壓力的大小應小於第一壓力的大小，從而使小部份的過渡奈米碳管膜40中的奈米碳管由第一基底30轉印至第二基底50。在步驟S20中，施加第一壓力於第一基底30，從而使第一基底30表面的奈米碳管陣列10形成過渡奈米碳管膜40。該過渡奈米碳管膜40中包括複數奈米碳管層，且過渡奈米碳管膜40與第一基底30的結合力大於過渡奈米碳管膜40中各個奈米碳管層之間的結合力。各奈米碳管層之間的結合力隨著與第一基底30的距離的增大而呈梯度減小。距離第一基底30越遠的各奈米碳管層之間的結合力越小，距離第一基底30最遠的兩奈米碳管層之間的結合力最小。這係由於，過渡奈米碳管膜40中相鄰兩奈米碳管層之間的結合力為凡德瓦爾力，其大小取決於相鄰兩奈米碳管層之間的凡德瓦爾力之大小，及相鄰兩奈米碳管層之間通過凡德瓦爾力作用之接觸面積。距離第一基底30越近，過渡奈米碳管膜40被壓得越密實，相鄰兩奈米碳管層之間之接觸面積越大，從而凡德瓦爾力之有效作用面積也越大。另一方面，相鄰兩奈米碳管層之間之距離變小，從而使相鄰兩奈米碳管層之間之凡德瓦爾力變大。在步驟S40中，施加第二壓力於第二基底50，第二壓力小於第一壓力。此時，過渡奈米碳管膜40與第一基底30之結合力為一最大值F1，隨著與第一基底30之距離之增加，各奈米碳管層之間結合力逐漸減小，並達到一最小值，之後，隨著與第二基底50之距離之減小，奈米碳管層之間之結合力逐漸增加，過渡奈米碳管膜40與第二基底50之結合力達到一個較大值F2，且F2<F1。因此，於分離第二基底50與第一基底30時，過渡奈米碳管膜40從相互作用之結合力最小之兩個奈米碳管層之間分離。且由於第二壓力小於第一壓力，因此，該相互作用之結合力最小之兩個奈米碳管層之位置距離第二基底50較近。從而在分離第二基底50及第一基底30之後過渡奈米碳管膜40中僅有少部份奈米碳管被轉印至第一基底30表面。

所述第二壓力之大小為大於等於1兆帕，優選地為3-8兆帕。所述施加第二壓力之時間為不少於5秒鐘，優選地為不少於60秒鐘。由此可使得在步驟S50中，所製得之奈米碳管薄膜60(最終成品膜)具有較薄之厚度。

在步驟S50，所述分離第二基底50與第一基底30之方法同步驟S30中分離第一基底30與形成有奈米碳管陣列10之生長基底20之方法相同。

本實施例中，第二基底50之表面製得之奈米碳管薄膜60之厚度大於等於10奈米。本實施例中，所製得之奈米碳管薄膜60之厚度為500-1000奈米。此時奈米碳管薄膜60仍位於PET之表面，由於PET為柔性、透明材料，因此該位於PET表面之奈米碳管薄膜60可被用於製備薄膜電晶體。

可選擇地，對該位於第二基底50表面之奈米碳管薄膜60進行清洗從而進一步降低奈米碳管薄膜60之厚度，同時還可使奈米碳管薄膜60之厚度均勻。通過清洗過程可有效地控制奈米碳管薄膜60之厚度。本實施例中將所述奈米碳管薄膜60在丙酮溶液中超聲處理10分鐘，使奈米碳管薄膜60之厚度降低至50奈米。

可選擇地，可依次提供複數第二基底，並重複步驟S40及S50，多次將第一基底30表面之過渡奈米碳管膜40之一部份轉印至第二基底50上，從而製備複數奈米碳管薄膜。可以理解的係，伴隨著依次提供複數第二基底50，因為越靠近第一基底30之奈米碳管層之間之結合力越大，所以相應之依次施加於靠後之第二基底50上之力也逐漸增加，從而確保有分離第二基底50及第一基底30之後有部份奈米碳管被轉印至第二基底50之表面。

可選擇地，可提供一大面積之第二基底50，並重複步驟S40及S50，多次將第一基底30表面之過渡奈米碳管膜40之一部份轉印至第二基底50之不同區域，從而得到一大面積奈米碳管薄膜，進而可用於大面積製備薄膜電晶體等電子器件。

本發明提供之奈米碳管薄膜之製備方法過程簡單，成本較低，一份奈米碳管陣列可多次被轉印，容易實現規模生產奈米碳管薄膜並適用於大面積製備薄膜電晶體等電子器件上，提高了奈米碳管陣列之利用率，相對地降低製備薄膜電晶體等電子器件之成本。

一種製備薄膜電晶體之方法，其包括以下步驟：步驟S12，提供一表面形成有奈米碳管薄膜60之第二基底50，該第二基底50上之奈米碳管薄膜60係通過上述本發明實施例之轉印方法製得；步驟S22，間隔形成一源極及一汲極於奈米碳管薄膜60之表面，並使該源極及汲極與上述奈米碳管薄膜60電連接；步驟S32，形成一絕緣層於上述奈米碳管薄膜60表面；步驟S42，及形成一閘極於上述絕緣層表面，得到一薄膜電晶體。

在步驟S12中，奈米碳管薄膜60中之奈米碳管都係平行排列，處於並聯狀態，因此工作狀態穩定。奈米碳管薄膜60中之奈米碳管為單壁奈米碳管，因此，該奈米碳管薄膜60為半導體性，其可作為薄膜電晶體之半導體層。

在步驟S22中，該源極及汲極之材料應具有較好之導電性。具體地，該源極及汲極之材料可為金屬、合金、銦錫氧化物(ITO)、銻錫氧化物(ATO)、導電銀膠、導電聚合物及金屬性奈米碳管等導電材料。根據形成源極及汲極之材料種類之不同，可採用不同方法形成該源極及汲極。具體地，當該源極及汲極之材料為金屬、合金、ITO或ATO時，可通過濺鍍、濺射、沈積、掩模及蝕刻等方法形成源極及汲極。當該源極及汲極之材料為導電銀膠、導電聚合物或金屬性奈米碳管時，可通過印刷塗附或直接黏附之方法，將該導電銀膠或金屬性奈米碳管塗附或黏附於絕緣基底或奈米碳管層表面，形成源極及汲極。一般地，該源極及汲極之厚度為0.5奈米~100微米，源極及汲極之間之距離為1~100微米。

在步驟S32，所述絕緣層之材料為氮化矽、氧化矽等硬性材料或苯並環丁烯(BCB)、聚酯或丙烯酸樹脂等柔性材料。該絕緣層之厚度為5奈米-100微米。本實施例中，所述絕緣層之材料為氮化矽。可以理解，根據具體之形成工藝不同，所述絕緣層不必完全覆蓋所述源極、汲極及半導體層，只要能保證半導體層、源極及汲極與其相對設置之閘極絕緣即可。

在步驟S42，該閘極之材料應具有較好之導電性。具體地，該閘極之材料可為金屬、合金、ITO、ATO、導電銀膠、導電聚合物及奈米碳管薄膜等導電材料。該金屬或合金材料可為鋁、銅、鎢、鉬、金或它們之合金。具體地，當該閘極之材料為金屬、合金、ITO或ATO時，可通過濺鍍、濺射、沈積、掩模及蝕刻等方法形成閘極。當該閘極之材料為導電銀膠、導電聚合物或奈米碳管薄膜時，可通過直接黏附或印刷塗附之方法形成閘極。一般地，該閘極之厚度為0.5奈米~100微米。

本發明提供之採用奈米碳管薄膜製備薄膜電晶體之方法過程簡單，成本很低，過程可重複，適用於大面積製備薄膜電晶體，可用於工業生產。

Claims

一種製備奈米碳管薄膜的方法，其包括以下步驟：提供一形成有奈米碳管陣列的生長基底；提供一第一基底，將該第一基底覆蓋於奈米碳管陣列之上並施加一第一壓力於該第一基底，於該第一壓力的作用下，該第一基底壓倒該奈米碳管陣列，從而使該奈米碳管陣列變形成為一過渡奈米碳管膜，該第一基底與過渡奈米碳管膜的結合力比生長基底與過渡奈米碳管膜的結合力大；將該第一基底與生長基底分離，過渡奈米碳管膜被轉印至第一基底的表面；提供至少一第二基底，將該第二基底覆蓋於過渡奈米碳管膜的表面，施加一第二壓力於該第二基底；將第二基底與第一基底分離，過渡奈米碳管膜中之部份奈米碳管由第一基底轉印至第二基底，從而於第二基底之表面製得一奈米碳管薄膜。
如請求項第1項所述的製備奈米碳管薄膜的方法，其中，依次提供複數第二基底，並依次將過渡奈米碳管膜中的部份奈米碳管轉印至第二基底表面，從而得到複數奈米碳管薄膜。
如請求項第1項所述的製備奈米碳管薄膜的方法，其中，所述施加於第一基底之上的第一壓力之大小為大於等於1兆帕，施加該第一壓力之時間為大於等於5秒鐘。
如請求項第3項所述的製備奈米碳管薄膜的方法，其中，所述施加於第一基底之上的第一壓力的大小為10-15兆帕、施加該第一壓力的時間為大於等於60秒鐘。
如請求項第1項所述的製備奈米碳管薄膜的方法，其中，所述第二壓力的大小為大於等於1兆帕，施加第二壓力的時間為大於等於5秒鐘。
如請求項第5項所述的製備奈米碳管薄膜的方法，其中，所述第二壓力的大小為3-8兆帕，施加第二壓力的時間為大於等於60秒鐘。
如請求項第1項所述的製備奈米碳管薄膜的方法，其中，所述提供一形成有奈米碳管陣列的生長基底的步驟之後，提供一第一基底的步驟之前，進一步包括以下步驟：提供一液態的相變聚合物材料；將該相變聚合物材料塗敷於奈米碳管陣列的自由端形成的表面。
如請求項第7項所述的製備奈米碳管薄膜的方法，其中，所述相變聚合物材料包括熱固性材料及熱塑性材料，該熱固性材料的熱固化溫度低於第一基底的玻璃化溫度，該熱塑性材料的處於液態時的溫度低於第一基底的玻璃化溫度。
如請求項第8項所述的製備奈米碳管薄膜的方法，其中，所述熱固性材料包括聚二甲基矽氧烷，聚甲基丙烯酸甲酯及甲基丙烯酸甲酯中的一種或多種。
如請求項第8項所述的製備奈米碳管薄膜的方法，其中，所述施加一第一壓力於該第一基底的步驟的同時或之後，還括以下步驟：加熱所述熱固性材料使所述熱固性材料固化。
如請求項1至10中任一項所述的製備奈米碳管薄膜的方法，其中，所述第二壓力小於第一壓力。
如請求項第1項所述的製備奈米碳管薄膜的方法，其中，奈米碳管陣列包括複數間隔設置且相互平行的條帶狀奈米碳管陣列。
如請求項第1項所述的製備奈米碳管薄膜的方法，其中，所述第一基底的材料包括聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚二甲基矽氧烷、聚丙烯、聚氯乙烯、聚乙烯、聚苯乙烯及聚對苯二甲酸丁二醇酯中的一種或幾種，所述第二基底的材料包括聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚二甲基矽氧烷、聚丙烯、聚氯乙烯、聚乙烯、聚苯乙烯及聚對苯二甲酸丁二醇酯中的一種或幾種。
一種製備奈米碳管薄膜的方法，其包括以下步驟：提供一第一基底，該第一基底上設置有一過渡奈米碳管膜；提供至少一第二基底，該第二基底與過渡奈米碳管膜中的奈米碳管的結合力不大於第一基底與過渡奈米碳管膜中的奈米碳管的結合力；將該第二基底覆蓋於過渡奈米碳管膜的表面並施加一壓力於該第二基底與第一基底；將第二基底與第一基底分離，部份奈米碳管由第一基底轉印至第二基底，從而於第二基底的表面製得一奈米碳管膜。
如請求項第14項所述的製備奈米碳管薄膜的方法，其中，所述壓力的大小為大於等於1兆帕，施加壓力之時間為大於等於5秒鐘。
如請求項第14項所述的製備奈米碳管薄膜的方法，其中，所述過渡奈米碳管膜與第一基底之間形成一相變聚合物材料層。
如請求項第14項所述的製備奈米碳管薄膜的方法，其中，依次提供複數第二基底，並依次將過渡奈米碳管膜中之部份奈米碳管轉印至第二基底表面，從而得到複數奈米碳管薄膜。
一種製備薄膜電晶體的方法，其包括以下步驟：提供一基底及該基底表面形成的奈米碳管薄膜，所述基底及奈米碳管薄膜為由如請求項第1至17項中任意一項所述的方法獲得的第二基底及形成於該第二基底表面的奈米碳管薄膜；間隔形成一源極及一汲極於奈米碳管薄膜表面，並使該源極及汲極與上述奈米碳管薄膜電連接；形成一絕緣層於上述奈米碳管薄膜表面；及形成一閘極於上述絕緣層表面，得到一薄膜電晶體。
如請求項第18項所述的製備薄膜電晶體的方法，其中，所述奈米碳管薄膜中奈米碳管平行排列，處於並聯狀態。
如請求項第18項所述的製備薄膜電晶體的方法，其中，所述奈米碳管薄膜中的奈米碳管為單壁奈米碳管。
如請求項第18項所述的製備薄膜電晶體的方法，其中，所述基底材料為聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚二甲基矽氧烷、聚丙烯、聚氯乙烯、聚乙烯、聚苯乙烯及聚對苯二甲酸丁二醇酯中的一種或幾種。