JP6469484B2 - ひずみセンサ - Google Patents

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Description

本発明は、ひずみセンサに関する。
従来、ひずみセンサとして、抵抗体に伸縮や曲げなどのひずみが生じた際、当該ひずみによって生ずる抵抗体の抵抗値変化からひずみ量を検出するものがよく知られている。ここで、抵抗体の材料としては、一般的に金属や半導体が用いられる場合が多い。ただし、これら抵抗体の材料は、可逆的に伸縮可能な変形量が小さく、繰り返しひずみを検出できる範囲に制限がある。
そこで、上述の材料に替えて、カーボンナノチューブ(Carbon NanoTube;以下、CNTと略する)を抵抗体の材料に用いたひずみセンサが知られている(特許文献1〜2、非特許文献1等参照)。例えば、特許文献1に記載のひずみセンサは、柔軟性を有する基材層と、当該基材層の表面に積層され、外部との接触面側に凹凸を有する一方向に配向されたCNT層と、を有し、ひずみが生じた際にCNT層に裂け目が生じることによって発生する抵抗値変化からひずみを検出する構造からなる。ここで、CNT層は、金属や半導体よりも伸縮可能な変形量が大きいため、CNTを用いたひずみセンサは、従来の金属や半導体を用いたひずみセンサに比べて広範囲なひずみ検出が可能となる。このようなCNTを用いたひずみセンサは、上記の広範囲検出という特性に基づき、人体の手に装着されるデータグローブや、身体に直接装着可能なウェアラブル機器、ロボットの関節駆動部位等の各種の電子機器に搭載されることで、身体やロボットの動作検出や制御等に用いることが可能となる。
特開2014−38088号公報 特開2011−47702号公報
日本複合材料学会誌,33,3(2007),95−103
しかしながら、上記特許文献1や特許文献2に記載のCNTを用いたひずみセンサには、以下の課題がある。つまり、当該ひずみセンサにおいて、CNT層は樹脂等からなる基材層の平坦な表面に積層されたものである。そのため、身体やロボット等の電子機器において、ひずみセンサが伸縮や屈曲の大きい箇所(例えば、関節駆動部分に相当する箇所等)に設けられる場合、繰り返しの伸縮動作や屈曲動作に起因して、CNT層が基材層から剥離する虞がある。したがってひずみが大きい伸縮や屈曲の動作を検出するには、CNT層と基材層が強固に密着させる必要がある。
そこで、本発明は、広範囲のひずみを高感度に検出できるとともに、CNT層の剥離に対する耐性の高いひずみセンサを提供する。
上記の課題を解決するため、本発明は、ひずみセンサであって、可撓性を有し、少なくとも表面の一部に凹凸形状からなる凹凸形状部を有する基材部と、前記基材部の前記凹凸形状部を有する表面上に積層され、カーボンナノチューブを含んでなる抵抗体部と、を備え、前記抵抗体部のうち前記凹凸形状部と当接する箇所は、当該凹凸形状部の凹凸形状に嵌合する形状からなることを特徴とする。
上記発明によると、ひずみセンサの抵抗体部として、金属や半導体ではなくCNTを用いているので、高感度且つ広範囲なひずみ検出が可能となる。また、抵抗体部のうち基材部表面の凹凸形状部と当接する箇所が、その凹凸形状部と嵌合する形状となることで抵抗体部の剥離耐性を向上させるとともに、特に凸部分上に積層される膜厚の薄い抵抗体部が受けるひずみまたは応力を減少させることで、ひずみセンサに対して大きな伸縮動作や屈曲動作が印可されても、抵抗体部は、基材部に対して十分な剥離耐性を確保することが出来る。
また、本発明は、前記抵抗体部は、前記凹凸形状部の凸部と当接する箇所が、前記凹凸形状部の凹部と当接する箇所よりも厚みが薄いことを特徴とする。
上記発明によると基材部の凹凸形状部の形状に沿って、CNTを含む層の薄い部分と厚い部分とを備えた構造を呈するので、この場合抵抗体部が各箇所によって異なる電気抵抗をもつことによって、特に凸部分上に積層された抵抗体部はひずみに対する電気抵抗変化率の大きな領域(CNT層の薄い部分)を有することとなり、ひずみセンサに生じたひずみに対する感度を向上させることが可能となる。
前記凹凸形状部は、平面視で、ライン状に延設された凹部と凸部とが、ひずみ印加方向に対して所定の角度の方向に繰り返し交互に配列されてなることを特徴とする。
上記発明によると、基材部に対する剥離耐性は、ひずみ印加方向に対して直交する方向に凹凸形状部を延設した場合に特に高くなる。
また、本発明は、前記凹凸形状部は、平面視で、凹部と凸部とが交互に格子状に配列されてなることを特徴とする。
上記発明によると、凹部と凸部が格子状に配列された凹凸形状部では、凹凸形状部に形成される抵抗体部が平面方向の何れに対しても嵌合構造を有することとなるので、何れの方向にひずみが生じた場合であっても、抵抗体部が剥離することを防止することができる。
また、本発明は、前記抵抗体部は、複数の前記カーボンナノチューブが無配向性の網目状に配置されることを特徴とする。
上記発明によると、この網目状の構造をもった抵抗体部では、CNT1本1本が絡み合って接触している接点箇所によって電気的に導通するので、ひずみが発生した場合に接点箇所に作用するトンネル効果により抵抗値が変化する。この抵抗値の変化量は、ひずみに対して指数関数的に増加する。そのため、CNT同士の接点の数(つまり、接点の個数を左右するCNT層の膜厚)を変化させることで、同じひずみ量の変化に対する抵抗変化率(感度)を調節することが可能になる。すなわち、本発明では、基材部に凹凸形状を設けることで基材部の凸部と嵌合する抵抗体部(CNT層)が薄く形成されるので、上記接点の数が少なくなり抵抗変化率を大きく出来るため、ひずみセンサの感度を高めることができる。また、本発明のCNT層に含まれるCNTは無配向性に配置されているため、特定の方向に配向したCNT層に対して垂直あるいは平行といった指向性を持たずに、あらゆる方向のひずみを検出することが可能である。
また、本発明は、前記抵抗体部は、前記カーボンナノチューブに導電性材料が添加されることを特徴とする。
上記発明によると、導電性材料が添加された場合、抵抗体部の抵抗値が下がり、さらに、均一に分散されることで伸縮強度を高めることが可能である。
本発明によれば、広範囲のひずみを高感度に検出できるとともに、抵抗体の剥離に対する耐性の高いひずみセンサを提供できる。
第1実施形態におけるひずみセンサを搭載した電子機器の模式図であり、(a)はデータグローブ、(b)はロボットアームの関節部位にひずみセンサを搭載した様子をそれぞれ示す。 第1実施形態におけるひずみセンサを表す図であり、(a)は上面図、(b)は縦断面図、をそれぞれ示す。 図2(b)におけるC部の拡大図である。 CNT層にひずみを印加する前後の状態を模式的に説明するための図であり、(a)はひずみを印加する前におけるひずみセンサを、(b)はひずみを印加した後におけるひずみセンサをそれぞれ示す。 第1実施形態におけるひずみセンサの各製造工程を説明するための断面図である。 変形例1におけるひずみセンサの各製造工程を説明するための断面図である。 本発明における別のひずみセンサを表す縦断面図であり、(a)は基材部の表面に三角形状の窪みを設けた場合、(b)は基材部の表面に半円形状の窪みを設けた場合、(c)は基材部の表面に三角形状の凸部を設けた場合、(d)は基材部の表面に半円形状の凸部を設けた場合、をそれぞれ示す。 本発明における別のひずみセンサを表す平面図であり、基材部の表面が格子状の凹凸構造を有する場合を示す。 本発明における別のひずみセンサの平面図であって、基材部の表面のうちCNT層が形成された箇所の一部に凹凸形状部を形成した場合を示す。
以下に、本発明のCNTひずみセンサの実施形態について適時図面を参照しつつ説明する。
<第1実施形態>
本発明に係るひずみセンサ1は、例えば、図1(a)(b)に示すように、ユーザの手に装着されるグローブ型のウェアラブル装置100(データグローブ)や、搬送や組み立て作業等に用いられるロボットアーム200等に搭載される。そして、ひずみセンサ1は、例えば、当該ウェアラブル装置100やロボットアーム200の関節部分等に配設され、それら動作時における動作変位量や曲げ角度量といった情報をひずみとして検出可能なセンサである。
「CNTひずみセンサの全体構造と凹凸形状による嵌合構造」
ひずみセンサ1は、図2に示すように、ベース材としての基材部2と、基材部2の表面上に形成された凹凸形状部4に嵌合するように積層されたCNT層3と、基材部2上に載置されCNT層3と電気的に接続された一対の電極部5と、CNT層3及び電極部5以外の基材部2の上面を覆う保護膜6から構成される。つまり、ひずみセンサ1は、厚み方向において、基材部2とCNT層3と保護膜6とで層構造を形成している。そして、ひずみセンサ1は、当該ひずみセンサ1に対して外力が印加された場合に、CNT層3に生じるひずみ量に応じた抵抗値変化を検出することで、ひずみ検出を行う。なお、以下では、図2(a)(b)に示すように、ひずみセンサ1の長手方向をx方向、幅方向をy方向、厚み方向をz方向、と便宜上定める。
基材部2は、可撓性を有し自由に屈曲及び伸縮可能な素材からなる。基材部2の大きさは、ひずみセンサ1の使用環境に応じて適宜の変更が可能であるが、例えば、幅(y方向長さ)が1mm以上20mm以下、長手方向の長さ(x方向長さ)が5mm以上100mm以下、厚み(z方向長さ)が10μm以上10mm以下とすることが可能である。
また、基材部2の材料としては、可撓性を有し自由に屈曲及び伸縮可能なものであれば良く、樹脂やゴム等が好ましい。ここで、基材部2は、印加された外力に対するCNT層3の抵抗値変化を検出するために、絶縁体またはCNT層3に比べて電気的に高抵抗性を備える必要があるが、金属や半導体のように低抵抗性材料からなる場合、その表面上に絶縁性や高抵抗性の層を成膜すればよい。基材部2として樹脂を用いる場合、例えば、ポリイミド(PI)、ポリエチレンテレフタラート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリメタクリル酸メチル(PMMA)、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)等の樹脂を使用することができる。一方、基材部2としてゴムを用いる場合、天然ゴム、ウレタンゴム、シリコーンゴム、ポリジメチルシロキサン(PDMS)等を使用することができる。ここで、本実施形態では、基材部2として引張強度や耐熱温度、耐薬品性に優れたポリイミド(PI)樹脂が用いられている。なお、ひずみセンサ1がより可撓性や伸縮性を必要とする場合は基材部にゴム材料を用いて、特にユーザの身体に対して直接貼付される態様で利用される場合は、生体適合性に優れたPDMSを用いることができる。
また基材部2は、図2(b)に示すように縦断面視で略矩形状からなり、CNT層3と当接する側の表面の一部に凹凸形状からなる凹凸形状部4を有する。この凹凸形状部4は、図3に示すように縦断面視で矩形状の凹部が間隙(凸部)を隔てて複数設けられた形状からなり、上面視で基材部2のy方向に対して延伸した凸部のラインと凹部のラインとがx方向に対して交互に繰り返し配列されて構成される(図4(a)(b)参照)。ここで凹凸形状部4を延設する方向は特に指定しないが(ひずみの印加方向に対して所定の角度傾斜した方向であれば良いが)、ひずみの印加方向に対して垂直な方向の場合に延設された場合に最も高いCNT層3の剥離耐性が得られる。なお、本実施形態において、基材部2のうち上面視で凹凸形状部4が備わる部分は、CNT層3の形成される箇所のみとする。(図2(a)における符号3の付された箇所)
CNT層3は、図2(a)(b)に示すように、例えば、一対の電極部5間をミアンダ状に接続するように基材部2の凹凸形状部4上へ積層される(一対の電極部5の底部を含む)。なお、CNT層3は、電極部5間を接続する形状であれば、ミアンダ状に限定されず、長さや幅等の適宜の変更が可能である。
上記凹凸形状部4上に形成されたCNT層3は、凹凸形状部4と当接する箇所で当該凹凸形状部4と嵌合する形状からなる。CNT層3は、凹凸形状部4と当接する面(底面)と対向する面(上面)が平坦面となるように積層される。つまり、CNT層3は、底面側を凹凸形状部4の凹凸構造に倣うようにして上面側を平坦にすることで、凹部と嵌合(当接)する箇所では厚いCNT層となる一方、凸部の上部(凸部と当接する箇所)では薄いCNT層となる。その結果、ひずみセンサ1は、このように基材部2の表面とCNT層3とが嵌合する構造となるので、ひずみセンサ1に曲げあるいは引張によるひずみが作用した場合、CNT層3の厚みが薄い箇所(凸部)には基材部2の表面から受けるひずみや応力が作用しにくく、CNT層3の剥離を生じにくくすることができる。なお、CNT層3の上面は、必ずしも平坦面となるように積層されていなくともよく、凸部の上部層が凹部と嵌合する箇所よりも薄い層となるように積層されたものであれば足りる。
また、このCNT層3の厚みが薄い箇所は、後段で詳述するが、厚い箇所に比べてCNT同士の接触する接点の数が少なく、局所的にひずみに対する抵抗値の変化率すなわち感度が高くなる。したがって、ひずみセンサ1は、基材部2表面の凹凸構造によって、凹凸構造が無い場合(平坦な基材部2の表面にCNT層3が積層された構造)と比べてCNT層3の剥離に対する耐性が上がるとともに、ひずみセンサ1全体の検出感度を高めることが可能である。
ここで凹凸形状部4は、図3に示すように凸部の長さ、凹部の長さ、凹凸の深さをそれぞれW、W、Hとした場合、適切な製造方法を用いてW、Wはともに0.1μm以上10μm以下、Hは0.01μm以上10μm以下とすることが可能である。また、WとWは必ずしも同じ寸法である必要はなくそれぞれ異なる長さであってもよい。凹凸形状部4の寸法に関して、凹部のアスペクト比H/Wが0.01以上10以下となることが好ましい。本実施形態では、CNTが液体またはペースト状に分散されたものを塗布することでCNT層3の積層させるため、アスペクト比H/Wが大きい場合、凹部にCNT層が積層されなくなる。またアスペクト比H/Wが小さい場合は、基材部の凸部から受けるひずみや応力が低減できずに剥離を防止することができない。また凹部の長さWについて、1μm以上とすることが好ましい。これは凹部の長さWを分散液またはペーストに含まれるCNT31よりも大きくすることによって塗布性が向上し、基材部の凹凸形状に沿ったCNT層3を積層することができる。ここでCNT層3の膜厚は、厚い箇所(凹凸形状部4の凹部と嵌合する箇所)と薄い箇所(凹凸形状部4の凸部の上部)でそれぞれ、(H+H)とHで表される。
CNT層3は、図4に示すように無数のCNT31から構成され、CNT31が一本一本ランダムに配向し、互いに絡み合った網目状構造をもつ。これらのCNT31は互いにファンデルワールス力によって結合している。ここで述べるCNT31については、一本の分子からなるものだけではなく複数のCNTが束状(バンドル)になったものも含まれる。ここで、ひずみセンサ1に外力が加わりCNT層3にひずみが生じた場合、このCNT31同士が絡み合って接触している接点で抵抗値が変化する。そしてこのCNT層3の抵抗値変化は、各々のCNT31自身がひずみを受けることによる抵抗値変化よりも、CNT31同士の接触箇所(接点)での抵抗値変化によるものが大きく支配的である。したがって、CNTを抵抗体として用いる場合はCNT同士の接触状態、例えばCNTの直径や長さおよびCNT層の密度や膜厚によってひずみセンサの抵抗値の変化率に影響する。また本実施形態のひずみセンサ1に用いられているCNT層3は、ランダムに配向し網目状構造をもつことで、あらゆる方向のひずみに対して検出することができる。
CNT31としては、単層のシングルウォールカーボンナノチューブ(SWCNT)や2層以上(多層)のマルチウォールカーボンナノチューブ(MWCNT)のいずれを用いてもよい。なお、SWCNT/MWCNTのいずれのCNTを用いる場合も、直径が1nm以上100nm以下、長さ100nm以上10μm以下のものを利用することができるが、直径や長さについて各種の製造方法を適切な条件下でおこなうことで均一な性質をもつCNTを使用するのが良い。
本実施形態のCNT層3は、あらかじめCNT31が液体またはペースト状に分散されたものを用いて基材部2の表面にパターニング塗布し、その後乾燥または加熱することで溶媒成分を揮発させて形成する。このCNT31は、CVD法やアーク法、レーザーアブレーション法などによって製造されたSWCNTやMWCNTを、公知の技術によって水系あるいは有機系の溶媒やペースト状に粘度をもたせたものを利用できる。
またCNT31が分散された液体およびペーストには、CNT31以外にカーボンブラックやその他の導電性樹脂等を添加(含有)させることができる。これら導電性樹脂材料を添加してCNT層3を形成した場合、CNT31の分散性を高めて、CNT層3に含まれるCNT31が均一に配置されることでCNT層3の伸縮強度を上げることが可能である。
CNT層3のパターン形状について、特に長さや幅に関する制限はないが、CNT層3の膜厚に関しては、基材部2の厚みよりも十分に薄いことが好ましく、図3に示すように薄い部分の膜厚Hが10nm以上10μm以下となるように積層することができる。ここで、ひずみセンサ1の抵抗値はCNT層3のパターンの長さや幅、膜厚によって調整することができ、計測方法に支障が生じない程度に全体の抵抗値を高くするのが好ましい。
これは、ひずみセンサ1の抵抗値を高くすると、駆動電圧に対するひずみセンサ1に流れる電流量を小さくすることができ、電流によるCNT層3の温度上昇や熱的影響を抑えるとともに電子機器に搭載した場合の消費電力を下げることが可能だからである。
一対の電極部5は、図2(a)に示すように、上面視でCNT層3の両端部分に配置される。電極部5の材料としては、金属や樹脂など導電性材料であれば特に限定はされないが、例えば導電性接着材を用いることでCNT層3や基材部2の表面と強固に密着することができる。さらにこの導電性接着材は、CNT層3の表面や内部に含侵されることで電気的に良好に接触する。
また電極部5について、基材部2にゴム等の可撓性や伸縮性の大きい材料を用いる場合は、CNT層3と電極部5間で生じる抵抗変化が大きく、またCNT層3及び基材部2との界面で剥離する虞があるため、基材部2と同様に可撓性や伸縮性のある導電性ゴムを用いることができる。なお、電極部5は、図2(b)ではCNT層3の上部に配置することとしたが、直接基材部2の上部に積層されるものであってもよい。この場合、電極部5は、底部側面でCNT層3に接続された構成をなし、CNT層3との接触面と基材部2との接触面に設けられる導電性接着剤により、CNT層3及び基材部2と強固に密着する。
保護膜6は、基材部2及びCNT層3の表面に積層される。図2(b)に示すように、保護膜6はCNT層3及び基材部2の表面の一部を被覆する。なお、一対の電極部5は、保護膜6によって被覆されず上面が露出している。ひずみセンサ1は、このように保護膜6を積層することで、測定時の不意のCNT層3への接触や大気中からの異物の混入、湿気や水分によってCNT層3の電気抵抗値が影響を受けるのを防止する。
保護膜6の材料としては、基材部2と同様に可撓性や伸縮性があり絶縁性である必要がある。例えば、本実施形態のように基材部2がポリイミド(PI)やポリエチレンテレフタラート(PET)等の樹脂材料である場合、フレキシブル材料の絶縁性保護膜として用いられているパリレン膜を被覆することができる。このパリレン膜は蒸着プロセスによってひずみセンサ1の上面全体に積層されるため、電極部5の上部をあらかじめマスキングすることで電極部5は被覆されず上面を露出させることができる。またパリレン膜以外の材料としては、基材部2と同様の樹脂及びゴム材料を用いることも可能である。保護膜6の厚みとしては、特に限定されず基材部2の厚みよりも薄い10μm以下とすることができる。
当該ひずみセンサ1によれば、CNT層3が基材部2の表面の凹凸形状部4上に積層されることで基材部2と嵌合する構造を有する。すなわちCNT層3に膜厚の厚みが薄い部分と厚い部分が形成され、薄い部分でひずみ感度を向上させるとともに、凹凸構造が無い場合に比べて、凸部分のCNT層3が受けるひずみや応力を低減させることでCNT層3が基材表面から剥離するのを防止することができる。
「CNTひずみセンサの動作原理」
次いで、本発明のCNTひずみセンサ1の動作原理について、図3と図4を用いて説明する。
CNTひずみセンサ1は、図3に示すように基材部2の表面に形成された凹凸形状部4の上に積層されたCNT層3が、外部からの伸縮や曲げによって発生するひずみを受けることでCNT31同士の接触状態が変化し、CNT層3の電気抵抗値の変化量からひずみ量を導出する。CNT層3に含まれるCNT31はランダムに配向し、互いに絡み合った網目状構造をもつ。したがって、本発明のひずみセンサ1は当該ひずみセンサ1に対して生じるランダムな方向のひずみを検出することができる。
ここで、CNT層3に含まれるCNT31がランダムに網目状に形成されている場合、その電気抵抗値は伸縮や曲げによるひずみ量に対して指数関数的に増加する。その指数関数的な増加は、CNT31同士が互いに接触している接点箇所でのトンネル抵抗の増加と、CNT層3の網目構造の変化に起因する。そしてこのCNTひずみセンサ1の動作原理から、CNT層3の膜厚によってCNT層3の電気抵抗値変化率を調整でき、ひずみに対する電気抵抗変化率の大きな領域(層の薄い部分)を有することで、CNTひずみセンサ1の感度を向上させることが可能となる。
本実施形態に係るひずみセンサ1では、上記の原理を用いて、基材部2表面の凹凸構造部4にCNT層3を積層することで感度の向上を実現している。具体的には、図4に示すように、凹凸構造部4の凹部上に積層された厚いCNT層3の電気抵抗値をRA、凸部上に積層された薄いCNT層3の電気抵抗値をRBとすると、初期状態のひずみセンサ1の電気抵抗値Rは、RAとRBが交互に直列接続された形で、R=RA+RB+RA+RB・・・で表される。この初期状態以降、ひずみセンサ1に図2におけるx方向にひずみが生じた場合の電気抵抗値R‘は、R‘=RA+△RA+RB+△RB+RA+△RA+RB+△RB・・・となる(△RAと△RBはそれぞれRAとRBの抵抗値変化量とする)。この時のひずみ量に対する電気抵抗変化率△R/R=(R‘−R)/Rは、指数関数的に変化する。またそれぞれの箇所での電気抵抗変化率は上述した原理により、△RA/RA<△RB/RBである。したがって、本発明のように基材部2の表面に凹凸形状部4を設けることで、局所的にひずみに対して電気抵抗変化率の大きな領域(凸部)を形成することができ、センサ全体のひずみに対する電気抵抗変化率(感度)を向上させることが可能となる。
「ひずみセンサの製造工程」
次いで、ひずみセンサ1の製造工程について、図5の断面図を用いて説明する。ひずみセンサ1の製造工程は、基材部2の表面に凹凸形状部4を形成する工程(図5(a)〜(d))と、その凹凸形状部4上に抵抗体であるCNT層3と電極部5を積層させる工程(図5(e)〜(f))と、センサの上面に保護膜6を形成する工程(図5(g))とに大別される。
はじめに、図5(a)に示すように、基材部2を構成する材料として、平板状のポリイミドフィルム300を用意する。そして、当該平板状のポリイミドフィルム300の表面に対して、ドライフィルムレジスト301を貼付し(図5(b))、凹凸形状部4のパターンに対応するフォトマスクを用いて露光・現像し、ポリイミドフィルム300の表面にライン状に繰り返し交互に配列された凹凸形状のパターンを形成する(図5(c))。次に、この表面がレジストによってパターニングされたポリイミドフィルム300をポリイミドのエッチング溶液で処理する。レジストが被覆されていない部分がエッチングされ、ポリイミドフィルム300の表面に凹部形状が形成される。そしてドライフィルムレジスト301を除去することで表面に凹凸形状部4をもった基材部2を作製することができる(図5(d))。ここで、ポリイミドフィルム300のエッチングはウェットエッチングに限らず、反応性イオンエッチングによるドライエッチングを用いてもよい。
次いで、図5(e)に示すように、この凹凸形状部4上にCNT層302を積層させる。CNT層302はCNTがあらかじめ揮発性の有機溶媒にペースト状に分散されたものをスクリーン印刷等の印刷方法によってパターン塗布し乾燥させることで形成する。CNT層302の膜厚は、複数回繰り返し印刷することで所望の厚さに調整することができる。
次いで、図5(f)に示すように、図2(a)に示した平面位置で電極部5に相当する箇所であって、CNT層302の上部に導電性接着剤を図5(e)と同様に印刷法で塗布し、乾燥させることで電極部303を形成する。この導電性接着剤としては、CNT層302およびポリイミドフィルム300表面に強固に密着する炭素系導電性接着剤を用いる。
次いで、図5(g)に示すように、電極部303の上面を除くポリイミドフィルム300及びCNT層302の上面全体にパリレンを蒸着して絶縁性の保護膜304を形成する。ここでパリレン蒸着前に電極部303の上面をポリイミド等の耐熱性の優れたテープでマスキングさせることで、電極部303の上面を露出させた状態にすることができる。これによって、CNT層302が絶縁性の保護膜304によって被覆され、測定時の不意のCNT層302への接触や大気中からの異物の混入、湿気や水分によってCNT層302の電気抵抗値が影響を受けるのを防止できる。
以上により、本実施形態に係るひずみセンサ1によると、基材部2の表面に凹凸形状部4が設けられ、当該凹凸形状部4に嵌合するようにCNT層3が積層されており、凹凸形状部4のうち凸部の上部に積層されるCNT層3が当該凸部から受けるひずみまたは応力を減少させることが可能となるので、ひずみセンサ1に対して大きな伸縮動作や屈曲動作が印可されても、CNT層3は基材部2に対して十分な剥離耐性を確保することが出来る。さらに、本実施形態に係るひずみセンサ1によると、基材部2の表面に凹凸形状部4を設けることで、ひずみに対して抵抗変化率の大きな領域(凸部)を形成することができ、ひずみに対する抵抗変化率(感度)を向上させることが可能となる。そのため、ひずみセンサ1が、繰り返しの伸縮動作や屈曲動作の多いウェアラブル装置100やロボットアーム200の関節部分等に配設された場合であっても、剥離を好適に防止できるとともに高感度にひずみを検出できる。
<変形例1>
次に、第1実施形態に係るひずみセンサ1の変形例1について、説明する。
上記第1実施形態に係るひずみセンサ1の製造工程では、基材部2の材料としてポリイミド等の樹脂を用いた場合を例示したが、PDMSのようなより可撓性や伸縮性があるゴム材料を用いる場合は図6に示すような工程を用いて、基材部2の表面に凹凸形状部4を形成しても良い。
具体的には、まず、図6(a)に示すように、PDMS基材の母型となるシリコン基板400を用意する。
次いで、図5(b)〜(d)と同様にシリコン基板400の表面にドライフィルムレジスト401を貼付し、露光・エッチングをすることで、シリコン基板400の表面にひずみセンサとその内部にライン状に繰り返し交互に配列された凹凸形状のパターンが形成された母型を形成する(図6(b)〜(d))。次いで、図6(e)のように、ガラス基板等の平坦な基板上に未硬化のPDMS402をコーティングし、凹凸形状部4が形成された母型400に押し当てた状態で加圧・加熱処理をおこなう。その後母型から硬化したPDMS402を剥離することで、表面に凹凸形状部4が形成されたPDMSの基材を作製することができる(図6(f))。
以上、本変形例1に係る製造工程により、基材部2がゴム材料からなるひずみセンサ1を得ることが出来る。
<変形例2>
次に、第1実施形態に係るひずみセンサ1の変形例2について、説明する。
第1実施形態に係るひずみセンサ1において、凹凸形状部4の断面形状は図2(b)に示すような矩形状のものとしたが、図7(a)(b)に示すように基材部2の表面に三角形状や半円形状の凹部4bを連続的に形成したものとしても良い。また、凹凸形状部4は、図7(c)(d)に示すように、基材部2の表面に三角形状や半円形状の凸部4aを連続的に形成したものとしても良い。
また、第1実施形態に係るひずみセンサ1において、凹凸形状部4は、図4(a)(b)に示すように、y方向に延伸する凸部のラインと凹部のラインとがx方向に対して交互に繰り返し配列されて構成されるものとしたが、x方向に延伸する凸部のラインと凹部のラインとがy方向に対して交互に繰り返し配列されて構成されるものとしても良い。また、凹凸形状部4は、図8に示すように、基材部2上面のxy平面において、凸部4aと凹部4bが交互に格子上に配列するようにしてもよい。いずれの場合においても凹凸形状の凸部には膜厚の薄いCNT層3が形成されることで、ひずみセンサ1の感度を高めるとともに、凹凸形状の凸部表面に形成されるCNT層3に加わるひずみや応力を減少させることでCNT層3の基材表面からの剥離を防止することができる。特に、図8のように凸部4aと凹部4bが交互に格子状に配列された凹凸形状部4では、凹凸形状部4に積層されるCNT層3がx方向とy方向の双方向に対して嵌合構造を有することとなるので、x方向とy方向の何れの方向にひずみが生じた場合であっても、CNT層3の基材表面からの剥離を防止することができる。
また、第1実施形態に係るひずみセンサ1において、CNT層3の形成される箇所には凹凸形状部4が備わることとしたが、図9に示すように、CNT層3のうち一部のCNT層3aの下部にのみ凹凸形状部4を備えるようにしてもよい。この場合、CNT層3a以外のCNT層3は、基材部2の平坦な表面上に一定の厚みで積層される。
なお、本発明に係るひずみセンサは、上記実施形態で説明したものに限られるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲で、適宜の変更が可能である。
1・・・ひずみセンサ
2・・・基材部
3、302・・・CNT層(抵抗体部)
4・・・凹凸形状部
4a・・・凸部
4b・・・凹部
5・・・電極部
6・・・保護膜
31・・・CNT
100・・・ウェアラブル装置
200・・・ロボットアーム
300・・・ポリイミドフィルム
301、401・・・ドライフィルムレジスト
303・・・炭素系導電性接着剤
304・・・パリレン膜
400・・・シリコン基板
402・・・PDMS



Claims (6)

  1. 可撓性を有し、少なくとも表面の一部に凹凸形状からなる凹凸形状部を有する基材部と、前記基材部の前記凹凸形状部を有する表面上に積層され、カーボンナノチューブを含んでなる抵抗体部と、を備え、
    前記抵抗体部のうち前記凹凸形状部と当接する箇所は、当該凹凸形状部の凹凸形状に嵌合する形状からなることを特徴とするひずみセンサ。
  2. 前記抵抗体部は、前記凹凸形状部の凸部と当接する箇所が、前記凹凸形状部の凹部と当接する箇所よりも厚みが薄いことを特徴とする請求項1に記載のひずみセンサ。
  3. 前記凹凸形状部は、平面視で、ライン状に延設された凹部と凸部とが、ひずみ印加方向に対して所定の角度の方向に繰り返し交互に配列されてなることを特徴とする請求項1又は2に記載のひずみセンサ。
  4. 前記凹凸形状部は、平面視で、凹部と凸部とが交互に格子状に配列されてなることを特徴とする請求項1又は2に記載のひずみセンサ。
  5. 前記抵抗体部は、複数の前記カーボンナノチューブが無配向性の網目状に配置されることを特徴とする請求項1〜4の何れかに記載のひずみセンサ。
  6. 前記抵抗体部は、前記カーボンナノチューブ以外の導電性材料が添加されることを特徴とする請求項1〜5の何れかに記載のひずみセンサ。
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