JP2014130811A - 透明導電性基材、その製造方法、及びこれを含むタッチパネル - Google Patents

透明導電性基材、その製造方法、及びこれを含むタッチパネル Download PDF

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Abstract

【課題】光学特性及び電気的特性が最適化した透明導電性基材、その製造方法、及びこれを含むタッチパネルを提供する。
【解決手段】ガラス基板と、前記ガラス基板上に形成され、５５０ｎｍ波長における屈折率が２．２〜２．７であり且つ厚さが７．６〜９．４ｎｍの第１薄膜層と、前記第１薄膜層上に形成され、５５０ｎｍ波長における屈折率が１．４〜１．５であり且つ厚さが３７〜４６．２ｎｍの第２薄膜層、及び前記第２薄膜層上に形成され、５５０ｎｍ波長における屈折率が１．８〜２．０の透明導電性物質からなり且つ厚さが２４〜３８．５ｎｍの透明導電膜と、を含むことを特徴とする透明導電性基材。
【選択図】図１

Description

本発明は、透明導電性基材、その製造方法、及びこれを含むタッチパネルに係り、より詳しくは、タッチパネルに用いられる透明導電性基材、その製造方法、及びこれを含むタッチパネルに関する。
一般に、タッチパネルとは、ＣＲＴ、ＬＣＤ、ＰＤＰ、ＥＬ（ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）などといったディスプレイ装置の表面に設けられ、ユーザがディスプレイ装置を見ながら指先またはスタイラス（ｓｔｙｌｕｓ）などの入力装置で画面に触れることで信号を出力できる装置であって、近年に入り、ＰＤＡ（ｐｅｒｓｏｎａｌ ｄｉｇｉｔａｌ ａｓｓｉｓｔａｎｔｓ）、ノート型ＰＣ、ＯＡ機器、医療機器またはカーナビゲーションシステムなどの様々な電子機器に広く利用されている。
このようなタッチパネルを実現する方式には、位置検出の方法によって抵抗膜方式、静電容量方式、超音波方式、赤外線方式などがある。
抵抗膜方式とは、透明電極層（ＩＴＯ膜）がコートされている２枚の基板をドットスペーサ（Ｄｏｔ Ｓｐａｃｅｒ）を挟んで透明電極層が互いに向き合うように貼り合わせる構造からなる。指先やペンなどにて上部基板に触れたときに位置検出のための信号が印加され、下部基板の透明電極層に触れたときに電気的信号を検出して位置を決める。この方式は、応答速度や経済性が高い反面、耐久性が悪いため破損されやすいという短所がある。
静電容量方式は、タッチ画面センサを構成する基材フィルムの片面に伝導性金属物質をコーティング処理して透明電極を形成し、一定量の電流をガラス表面に流す。ユーザが画面に触れたときに体内の静電容量による電流の量が変化した部分を認識し、その大きさを計算して位置を決める。耐久性や透過率に優れている反面、人体の静電容量を用いるため、ペンや手袋などをはめた手では操作が不可能であるという不具合がある。
超音波方式は、圧電効果を応用した圧電素子を用いてタッチパネルへの接触時に発生する表面波をＸとＹ方向に交互に発生させ、それぞれの入力点までの距離を求めて位置を決める。解像度や光透過率が高い反面、センサの汚染と液体に脆弱であるという短所がある。
赤外線方式は、発光素子と受光素子とをパネルの周囲に複数配置してなるマトリックス構造を有する。ユーザによって光線が遮断されると、その遮断された部分に係るＸ、Ｙ座標を得て入力座標を判断するようになる。光透過率が高く且つ外部衝撃や擦り傷に対する強い耐久性を持つ反面、体積が大きく且つ不正確なタッチに対する識別性が低く、応答速度もまた遅いという不具合がある。
中でも近年、最も多用されている方式は静電容量方式であり、また、これらの方式にはタッチ位置の検出のために酸化インジウムスズ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ；ＩＴＯ）のような透明導電膜がコートされた透明導電性基材が用いられている。
このような透明導電性基材には、透過率を向上させ且つ透明導電膜のパターニングによるパターンの形態が視覚的に現われないようにするために基板と透明導電膜との間に中屈折薄膜層及び低屈折薄膜層からなる屈折率整合層（ｉｎｄｅｘ ｍａｔｃｈｉｎｇ ｌａｙｅｒ）を挟んでいる。
このような屈折率整合層に関する技術は、特許文献１に記載されている。
一方、透明導電膜に形成されるパターンの幅を減らすためには、透明導電膜が低い比抵抗を有する必要がある。しかしながら、低い比抵抗を有させるためには、透明導電膜を厚膜にしなければならないが、そうすると、透過率が低下するという問題が生じる。また、屈折率整合層上に厚い透明導電膜を形成した場合、透明導電性基材の全体的な厚さが厚くなり、この結果、タッチパネルの厚さも厚くなるという不具合を有する。
大韓民国公開特許第１０-２０１１-００４９５５３号（２０１１年０５月１２日）
本発明は、上述したような従来技術の問題点を解決するためになされたものであって、その目的は、光学特性及び電気的特性が最適化した透明導電性基材、その製造方法、及びこれを含むタッチパネルを提供することである。
このために、本発明は、ガラス基板と、前記ガラス基板上に形成され、５５０ｎｍ波長における屈折率が２．２〜２．７であり且つ厚さが７．６〜９．４ｎｍの第１薄膜層と、前記第１薄膜層上に形成され、５５０ｎｍ波長における屈折率が１．４〜１．５であり且つ厚さが３７〜４６．２ｎｍの第２薄膜層、及び前記第２薄膜層上に形成され、５５０ｎｍ波長における屈折率が１．８〜２．０の透明導電性物質からなり且つ厚さが２４〜３８．５ｎｍの透明導電膜と、を含むことを特徴とする透明導電性基材を提供する。
ここで、前記第１薄膜層は、Ｎｂ２Ｏ５からなるものであることが好ましい。
また、前記第２薄膜層は、ＳｉＯ２からなるものであることが好ましい。
そして、前記透明導電性物質は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）を含んでなるものであることが好ましい。
また、前記透明導電膜は、前記透明導電性物質が除去されたパターン部と前記透明導電性物質が除去されていない非パターン部とからなるものであってよい。
そして、４００〜７００ｎｍ波長における前記パターン部と前記非パターン部との平均反射率の差が１％以下であることが好ましい。
また、前記ガラス基板は、フレキシブル（ｆｌｅｘｉｂｌｅ）ガラスからなるものであってよい。
そして、前記透明導電膜の面抵抗は、５０Ω／□以下であることが好ましい。
また、本発明は、フレキシブルガラス基板上にＮｂ２Ｏ５からなり且つ厚さが７．６〜９．４ｎｍの第１薄膜層を形成するステップと、前記第１薄膜層上にＳｉＯ２からなり且つ厚さが３７〜４６．２ｎｍの第２薄膜層を形成するステップ、及び前記第２薄膜層上にＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）からなり且つ厚さが２４〜３８．５ｎｍの透明導電膜を形成するステップと、を含み、前記第１薄膜層、第２薄膜層、及び透明導電膜は、ロール・ツー・ロールスパッタリング蒸着法にて形成されることを特徴とする透明導電性基材の製造方法を提供する。
ここで、前記透明導電膜を形成するステップの後、前記透明導電膜をアニールして結晶化するステップをさらに含んでいてよい。
そして、前記透明導電膜を形成するステップの後であって結晶化するステップの前に、前記透明導電膜を、該透明導電膜が除去されたパターン部と該透明導電膜が除去されていない非パターン部とにパターニングするステップをさらに含んでいてよい。
また、本発明は、上述した透明導電性基材を含むことを特徴とするタッチパネルを提供する。
本発明によれば、透明導電性基材は５５０ｎｍにおける透過率が８７．５％以上であり且つ４００〜７００ｎｍにおける平均透過率が８７％以上であり、ＣＩＥ Ｌａｂ値においてｂ*（Ｄ６５）の透過率が１以下の値を有し、また、透明導電膜をパターニングした場合、４００〜７００ｎｍの波長に対してパターン部と非パターン部とでの平均反射率の差が１％以下の値を有する。
また、本発明によれば、ロール・ツー・ロールスパッタリング設備によって第１薄膜層、第２薄膜層、透明導電膜をフレキシブルガラス基板上に連続的に形成することで、透明導電性基材の製造効率を向上させることができる。
本発明の一実施例に係る透明導電性基材の概略的な断面図である。 本発明の一実施例に係る透明導電性基材の透過率及び反射率スペクトルを示すチャートである。 本発明の一実施例に係る透明導電性基材の透過率及び反射率スペクトルを示すチャートである。 本発明の一実施例に係る透明導電性基材の透過率及び反射率スペクトルを示すチャートである。 本発明の一実施例に係る透明導電性基材の透過率及び反射率スペクトルを示すチャートである。 本発明の一実施例に係る透明導電性基材の製造方法の概略的なフローチャートである。
以下、添付の図面を参照して本発明の実施例に係る透明導電性基材、その製造方法、及びこれを含むタッチパネルについて詳しく説明する。
なお、本発明を説明するにあたって、関連公知機能あるいは構成についての具体的な説明が本発明の要旨を不要に曖昧にし得ると判断された場合、その詳細な説明は省略することとする。
図１は、本発明の一実施例に係る透明導電性基材の概略的な断面図である。
図１を参照すると、本発明の一実施例に係る透明導電性基材は、ガラス基板１００、第１薄膜層２００、第２薄膜層３００、及び透明導電膜４００を含んでなるものであってよい。
ガラス基板１００は、ベース基板として、好ましくはタッチパネルのカバー基板として用いられる。
一般に、ガラス基板１００は、１ｍｍ以下の厚さのものを用い且つ透過率の高いソーダ石灰（ｓｏｄａ−ｌｉｍｅ）または無アルカリ系のアルルミノシリケート（Ａｌｕｍｉｎｏｓｌｉｃａｔｅ）材質からなるものを用いる。ガラスは、プラスチック素材が持つ透過度、長期耐久性、タッチ感などの問題点を解決するという物性を有するものの、衝撃に弱いという短所がある。タッチパネルは、各種の機器のディスプレイ部に取り付けられ、特に大型で薄い携帯電話などに取り付けられる際には、外部衝撃に対する耐久性が保障できる強度を持つ必要がある。そこで、ソーダ石灰系のガラスにおいて、ナトリウム（Ｎａ）成分をカリウム（Ｋ）に置き換える化学処理にて強度を高めた化学強化ガラスを用いることが好ましい。好ましくは、ガラス基板は、フレキシブルガラスからなるものであってよい。撓みの度合いに応じて、「Ｃｕｒｖｅｄ（Ｄｕｒａｂｌｅ）」→「Ｂｅｎｄａｂｌｅ」→「Ｒｏｌｌａｂｌｅ（Ｗｅａｒａｂｌｅ）」→「Ｆｏｌｄａｂｌｅ（Ｆｕｌｌ−Ｆｌｅｘｉｂｌｅ）」→「Ｄｉｓｐｏｓａｂｌｅ」に分けられ、これらのうちのいずれかの特性を有するガラスがフレキシブルガラスであると言える。例えば、許容応力５０Ｍｐａを基準にして、厚さ０．２ｍｍ、曲率半径１６０ｍｍ以下を示し得るガラスがフレキシブルガラスに属する。
第１薄膜層２００は、ガラス基板１００上に形成され、５５０ｎｍ波長における屈折率が２．２〜２．７であり且つ７．６〜９．４ｎｍの厚さを有する。
好ましくは、第１薄膜層２００は、Ｎｂ２Ｏ５からなり且つ８．５ｎｍの厚さを有していてよい。
第２薄膜層３００は、第１薄膜層２００上に形成され、５５０ｎｍ波長における屈折率が１．４〜１．５であり且つ３７〜４６．２ｎｍの厚さを有する。
好ましくは、第２薄膜層３００は、ＳｉＯ２からなり且つ４０ｎｍの厚さを有していてよい。
第１薄膜層２００及び第２薄膜層３００は屈折率整合層を形成し、後述する透明導電膜４００がエッチングされてなるパターンが視覚的に現われることを防止することができる。
透明導電膜４００は、第２薄膜層３００上に形成され、５５０ｎｍ波長における屈折率が１．８〜２．０の透明導電性物質からなり且つ２４〜３８．５ｎｍの厚さを有する。
透明導電膜４００の面抵抗は、５０Ω／□以下であることが好ましい。また、透明導電膜４００は、高い伝導率と透過性を有するＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）を含んでなるものであってよく、この場合、透明導電膜４００の厚さは、３５ｎｍであることが好ましい。
透明導電膜４００は、本発明に係る透明導電性基材がタッチパネルに用いられた場合、タッチ位置の検出のための電極の役割をし、このために、透明導電性物質が除去されたパターン部と透明導電性物質が除去されていない非パターン部とにパターニングされていてよい。
この場合、４００〜７００ｎｍにおけるパターン部と非パターン部との平均反射率の差は１％以下であることが好ましい。
本発明の一実施例に従い、ガラス基板１００上にＮｂ２Ｏ５からなり且つ７．６〜９．４ｎｍの厚さを有する第１薄膜層２００、ＳｉＯ２からなり且つ３７〜４６．２ｎｍの厚さを有する第２薄膜層３００、及びＩＴＯからなり且つ２４〜３８．５ｎｍの厚さを有する透明導電膜４００がこの順に積層されてなる透明導電性基材は、５５０ｎｍにおける透過率が８７．５％以上であり、４００〜７００ｎｍにおける平均透過率が８７％以上であり、ＣＩＥ Ｌａｂ値においてｂ*（Ｄ６５）の透過率が１以下の値を有する。また、透明導電膜をパターニングする場合、４００〜７００ｎｍの波長に対してパターン部と非パターン部とでの平均反射率の差が１％以下である。
以下、本発明を好適な実施例に基づいてより詳細に説明することとする。なお、下記の実施例は本発明を例示するためのものに過ぎず、本発明を限定するものではない。
［実施例１］
図２は、本発明の一実施例に従い、ガラス基板１００上にＮｂ２Ｏ５からなり且つ８．５ｎｍの厚さを有する第１薄膜層２００、ＳｉＯ２からなり且つ４０ｎｍの厚さを有する第２薄膜層３００、及びＩＴＯからなり且つ３５ｎｍの厚さを有する透明導電膜４００がこの順に積層されてなる透明導電性基材の透過率及び反射率スペクトルを示すチャートである。同図中のＩＭＬ−Ｒは、透明導電膜４００が除去されたパターン部の反射率を示し、ＩＴＯ−Ｒは、透明導電膜４００が除去されていない非パターン部の反射率を示し、ＩＴＯ−Ｔは、透明導電膜４００が除去されていない非パターン部の透過率を示す。
図２に示すように、本発明の一実施例に係る透明導電性基材は、５５０ｎｍにおける透過率が８８．０１％以上であり、４００〜７００ｎｍにおける平均透過率が８７．８５％以上であり、４００〜７００ｎｍの波長に対してパターン部と非パターン部での平均反射率の差が０．６％以下の値を有し得ることを確認することができる。また、このような透明導電性基材は、ＣＩＥ Ｌａｂ値においてｂ*（Ｄ６５）の透過率が０.６５以下の値を有する。
［実施例２］
本発明の一実施例に係る透明導電性基材においてＩＴＯの厚さの変化による光学特性を調べた。
表１は、本発明の一実施例に係る透明導電性基材の積層構造を表すものであり、表２は、このような透明導電性基材の光学特性を示す値を表したものである。
また、図３（ａ）及び図３（ｂ）は、サンプル１と２による透明導電性基材の反射率及び透過率スペクトルを示すグラフである。
Figure 2014130811
Figure 2014130811
表１、表２、及び図３（ａ）、（ｂ）を参照すると、ＩＴＯの厚さが厚いほどパターン部と非パターン部とでの平均反射率の差は小さくなるのに対し、４００〜７００ｎｍ波長における平均透過率は減少する。また、ＣＩＥ Ｌａｂ値においてｂ*（Ｄ６５）の透過率が大きくなることが分かる。
［実施例３］
本発明の一実施例に係る透明導電性基材においてＮｂ２Ｏ５の厚さの変化による光学特性を調べた。
表３は、本発明の一実施例に係る透明導電性基材の積層構造を表すものであり、表４は、このような透明導電性基材の光学特性を示す値を表すものである。
また、図４（ａ）及び図４（ｂ）は、サンプル３と４による透明導電性基材の反射率及び透過率スペクトルを示すチャートである。
Figure 2014130811
Figure 2014130811
表３、表４、及び図４（ａ）、（ｂ）を参照すると、Ｎｂ２Ｏ５の厚さが厚いほどパターン部と非パターン部とでの平均反射率の差が大きくなるのに対し、４００〜７００ｎｍ波長における平均透過率は増加する。また、ＣＩＥ Ｌａｂ値においてｂ*（Ｄ６５）の透過率が小さくなることが分かる。
［実施例４］
本発明の一実施例に係る透明導電性基材においてＳｉＯ２の厚さの変化による光学特性を調べた。
表５は、本発明の一実施例に係る透明導電性基材の積層構造を表すものであり、表６は、このような透明導電性基材の光学特性を示す値を表すものである。
また、図５（ａ）及び図５（ｂ）は、サンプル５と６による透明導電性基材の反射率及び透過率スペクトルを示すチャートである。
Figure 2014130811
Figure 2014130811
表５、表６、及び図５（ａ）、（ｂ）を参照すると、ＳｉＯ２の厚さが厚いほどパターン部と非パターン部とでの平均反射率の差が小さくなるのに対し、４００〜７００ｎｍ波長における平均透過率は増加する。また、ＣＩＥ Ｌａｂ値においてｂ*（Ｄ６５）の透過率が大きくなることが分かる。
図６は、本発明の一実施例に係る透明導電性基材の製造方法の概略的なフローチャートである。
図６を参照すると、本発明の一実施例に係る透明導電性基材の製造方法は、フレキシブルガラス基板上にＮｂ２Ｏ５からなり且つ厚さが７．６〜９．４ｎｍの第１薄膜層を形成するステップ（Ｓ１００）、第１薄膜層上にＳｉＯ２からなり且つ厚さが３７〜４６．２ｎｍの第２薄膜層を形成するステップ（Ｓ２００）、第２薄膜層上にＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）からなり且つ厚さが２４〜３８．５ｎｍの透明導電膜を形成するステップ（Ｓ３００）を含んでなり、第１薄膜層、第２薄膜層、及び透明導電膜は、ロール・ツー・ロールスパッタリング蒸着法にて形成される。
本発明の一実施例に係る透明導電性基材は、巻き出しロール（ｕｎｗｉｎｄｅｒ ｒｏｌｌ）、巻き取りロール（ｗｉｎｄｅｒ ｒｏｌｌ）、複数のガイドロール、スパッタリング部を含むロール・ツー・ロールスパッタリング設備によって作製されていてよい。
巻き出しロール及び巻き取りロールは、相互間の回転運動によってフレキシブルガラス基板を巻き出したり、巻き取ったりするものである。複数のガイドロールは、所定の間隔を隔て配列され、高分子薄膜フィルムがローリング（ｒｏｌｌｉｎｇ）される際の張力制御を円滑にするものである。スパッタリング部では、スパッタリング蒸着法にてフレキシブルガラス基板に透明導電膜を形成する工程が行なわれ、第１薄膜層、第２薄膜層、及び透明導電膜を形成する物質からなる各々のターゲットと各々のターゲットの構成原子を放出させるための電源であるカソードを含むスパッタからなるものであってよい。
本発明の一実施例に従い透明導電性基材を製造するために、上述したロール・ツー・ロールスパッタリング設備を利用して、先ず、フレキシブルガラス基板の一方の面にスパッタリング蒸着法にてＮｂ２Ｏ５からなり且つ厚さが７．６〜９．４ｎｍの第１薄膜層を形成する（Ｓ１００）。次いで、第１薄膜層上にＳｉＯ２からなり且つ厚さが３７〜４６．２ｎｍの第２薄膜層を形成する（Ｓ２００）。最後に、第２薄膜層上にＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）からなり且つ厚さが２４〜３８．５ｎｍの透明導電膜を形成する（Ｓ３００）。
第１薄膜層形成ステップ（Ｓ１００）と第２薄膜層形成ステップ（Ｓ２００）は、透明導電膜形成ステップ（Ｓ３００）よりも低温で行なわれていてよい。好ましくは、第１薄膜層形成ステップ（Ｓ１００）と第２薄膜層形成ステップ（Ｓ２００）は、１５０℃以下の温度でスパッタリング蒸着され、また、透明導電膜形成ステップ（Ｓ３００）は、２５０℃以上の温度でスパッタリング蒸着されていてよい。
このように、ロール・ツー・ロールスパッタリング設備にて第１薄膜層、第２薄膜層、透明導電膜をフレキシブルガラス基板上に連続的に形成することで、透明導電性基材の製造効率を向上させることができる。また、スパッタリング蒸着法を用いることで付着力の強い薄膜を容易に得ることができるとともに、膜厚も容易に制御することができる。
そして、本発明の一実施例に係る透明導電性基材の製造方法は、透明導電膜を形成するステップ（Ｓ３００）の後、透明導電膜をアニールして結晶化するステップをさらに含んでいてよい。
このような透明導電膜の結晶化ステップによって透明導電膜の透過度及び耐久性を向上させることができる。結晶化ステップは、２５０〜３５０℃の温度範囲で行なわれていてよい。
また、本発明の一実施例に係る透明導電性基材の製造方法は、透明導電膜を形成するステップ（Ｓ３００）の後であって結晶化するステップの前に、透明導電膜を、透明導電膜が除去されたパターン部と透明導電膜が除去されていない非パターン部とにパターニングするステップをさらに含んでいてよい。
このようなパターニング工程は、コーティングが完了した透明導電膜の上にドライフィルムフォトレジストをラミネートした後、所定のパターンが連続的に交差されたパターンフィルムを載置し、次いで、紫外線を照射してドライフィルムフォトレジスト領域を現像し、酸性またはアルカリ性エッチング溶液を用いて紫外線が照射されたドライフィルムフォトレジスト領域のみを剥離してなるものであってよい。
以上のように、本発明を限定された実施例や図面に基づいて説明したが、本発明は前記実施例に限定されるものではなく、本発明の属する分野における通常の知識を有する者であれば、このような記載から種々の修正及び変形が可能である。
したがって、本発明の範囲は前述の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲や特許請求の範囲と均等なものなどによって決められるべきである。
１００ ガラス基板
２００ 第１薄膜層
３００ 第２薄膜層
４００ 透明導電膜

Claims (12)

  1. ガラス基板と、
    前記ガラス基板上に形成され、５５０ｎｍ波長における屈折率が２．２〜２．７であり且つ厚さが７．６〜９．４ｎｍの第１薄膜層と、
    前記第１薄膜層上に形成され、５５０ｎｍ波長における屈折率が１．４〜１．５であり且つ厚さが３７〜４６．２ｎｍの第２薄膜層、及び
    前記第２薄膜層上に形成され、５５０ｎｍ波長における屈折率が１．８〜２．０の透明導電性物質からなり且つ厚さが２４〜３８．５ｎｍの透明導電膜と、
    を含むことを特徴とする透明導電性基材。
  2. 前記第１薄膜層は、Ｎｂ２Ｏ５からなることを特徴とする請求項１に記載の透明導電性基材。
  3. 前記第２薄膜層は、ＳｉＯ２からなることを特徴とする請求項１又は２に記載の透明導電性基材。
  4. 前記透明導電性物質は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）を含んでなることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の透明導電性基材。
  5. 前記透明導電膜は、前記透明導電性物質が除去されたパターン部と前記透明導電性物質が除去されていない非パターン部とからなることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の透明導電性基材。
  6. ４００〜７００ｎｍ波長における前記パターン部と前記非パターン部との平均反射率の差が１％以下であることを特徴とする請求項５に記載の透明導電性基材。
  7. 前記ガラス基板は、フレキシブル（ｆｌｅｘｉｂｌｅ）ガラスからなることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の透明導電性基材。
  8. 前記透明導電膜の面抵抗は、５０Ω／□以下であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の透明導電性基材。
  9. フレキシブルガラス基板上にＮｂ２Ｏ５からなり且つ厚さが７．６〜９．４ｎｍの第１薄膜層を形成するステップと、
    前記第１薄膜層上にＳｉＯ２からなり且つ厚さが３７〜４６．２ｎｍの第２薄膜層を形成するステップ、及び
    前記第２薄膜層上にＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）からなり且つ厚さが２４〜３８．５ｎｍの透明導電膜を形成するステップと、
    を含み、
    前記第１薄膜層、第２薄膜層、及び透明導電膜は、ロール・ツー・ロールスパッタリング蒸着法にて形成されることを特徴とする透明導電性基材の製造方法。
  10. 前記透明導電膜を形成するステップの後、前記透明導電膜をアニールして結晶化するステップをさらに含むことを特徴とする請求項９に記載の透明導電性基材の製造方法。
  11. 前記透明導電膜を形成するステップの後であって結晶化するステップの前に、前記透明導電膜を、該透明導電膜が除去されたパターン部と該透明導電膜が除去されていない非パターン部とにパターニングするステップをさらに含むことを特徴とする請求項１０に記載の透明導電性基材の製造方法。
  12. 請求項１〜８のいずれか１項に記載の透明導電性基材を含むことを特徴とするタッチパネル。
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