CN112526650A - 一种低阻抗型ito导电膜 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种低阻抗型ITO导电膜，包括基底材料和位于基底材料之上的若干组高低复配导光材料，所述高低复配导光材料包括一面相固定的低折射率材料和高折射率材料，所述低折射率材料的另一面与基底材料或者另一组高低复配导光材料的高折射率材料相固定，所述低折射率材料的折射率为1.35～1.65，所述高折射率材料的折射率为1.8～2.1，利用高低折射率匹配的方法，在原低阻抗ITO导电膜的基础上，设计出了一种可有效改善光学性能新的膜系结构，能够明显降低反射率，提高可见光透光率，解决颜色发蓝发黄现象，使蚀刻线路变轻，十分适用于大尺寸触摸屏领域的使用。
Description
【技术领域】
本发明涉及ITO膜的技术领域，特别是一种低阻抗型ITO导电膜的技术领域。
【背景技术】
以往触摸屏绝大部分应用于手机、笔记本电脑或平板电脑等屏幕为中小尺寸的电子产品之中。随着触控一体机、会议平板和教育大电视等大尺寸产品也开始逐渐采用触摸屏，大尺寸触控面板的市场需求便随之越来越大。
ITO导电膜是中小尺寸触摸屏中最常用的一种导电材料，但在大尺寸触摸屏领域中的使用并不广泛。目前，大尺寸触摸屏所使用的导电材料主要包括金属网格材料、纳米银材料和低阻抗ITO导电材料。
金属网格材料主要采用铜和银等金属材料，导电性非常好，但存在摩尔纹干涉的技术难题，因此只能用于低分辨率的中低端产品。
纳米银材料具有导电性好、成本低和可挠曲度好等优点，曾一度被视为取代ITO导电膜的最佳材料。但由于银容易氧化的天然特性，导致了纳米银材料的环测性能差。此外，纳米银线漫反射还存在雾度高的缺点。
如图1所示，现有的低阻抗ITO导电材料通常包括从下至上依次设置的基底材料a、SiO2镀层b和ITO镀层c。通常不同尺寸大小的触控产品，所需的ITO导电膜的电阻也不同。150欧方阻ITO导电膜可适用于11寸以内的触控产品；100欧ITO导电膜可适用于21寸以内的触控产品；80/60欧ITO导电膜可适用于55寸以内的触控产品；40欧ITO导电膜可适用于65寸以内的触控产品；25/15欧ITO的膜可适用于86/98寸的触控产品。其中，电阻越低必然导致ITO导电膜层越厚，进而使ITO导电膜的光学性能也随之有所牺牲，表现出透光率低、颜色偏蓝(反光看)和蚀刻线重等问题。
【发明内容】
本发明的目的就是解决现有技术中的问题，提出一种低阻抗型ITO导电膜，能够明显降低反射率，提高可见光透光率，解决颜色发蓝发黄现象，使蚀刻线路变轻。
为实现上述目的，本发明提出了一种低阻抗型ITO导电膜，包括基底材料和位于基底材料之上的若干组高低复配导光材料，所述高低复配导光材料包括一面相固定的低折射率材料和高折射率材料，所述低折射率材料的另一面与基底材料或者另一组高低复配导光材料的高折射率材料相固定。
作为优选，所述基底材料为PET膜、COP膜、PI膜、TAC膜或者PC板。
作为优选，所述低折射率材料的折射率为1.35～1.65。
作为优选，所述低折射率材料为SiO2镀层、Al2O3(氧化铝)镀层、MgF2(氟化镁)镀层、AlF3(氟化铝)镀层、BaF2(氟化钡)镀层或YF3(氟化钇)镀层。
作为优选，所述高折射率材料的折射率为1.8～2.1。
作为优选，所述高折射率材料为ITO镀层。
作为优选，所述高低复配导光材料的数量为两组。
作为优选，两组所述高低复配导光材料的高折射率材料的膜厚相同或相近。
作为优选，位于下方的所述高低复配导光材料的低折射率材料的厚度为1～5nm，位于上方的所述高低复配导光材料的低折射率材料的厚度为10～20nm。
以高低复配导光材料的数量为两组为例，两组高低复配导光材料从下至上的膜系结构可以为如下：
①SiO2、ITO、SiO2和ITO；
②Al2O3、ITO、SiO2和ITO；
③SiO2、ITO、Al2O3和ITO；
④SiO2、ITO、MgF2和ITO；
⑤SiO2、ITO、AlF3和ITO；
⑥SiO2、ITO、BaF2和ITO；
⑦SiO2、ITO、YF3和ITO。
本发明的有益效果：本发明利用高低折射率匹配的方法，在原低阻抗ITO导电膜的基础上，设计出了一种可有效改善光学性能新的膜系结构，能够明显降低反射率，提高可见光透光率，解决颜色发蓝发黄现象，使蚀刻线路变轻，十分适用于大尺寸触摸屏领域的使用。
本发明的特征及优点将通过实施例结合附图进行详细说明。
【附图说明】
图1是现有的低阻抗型ITO导电膜的结构示意图；
图2是本发明一种低阻抗型ITO导电膜的结构示意图；
图3是可见光透光率曲线图；
图4是可见光反射率曲线图。
图中：1-基底材料、2-高低复配导光材料、21-低折射率材料、22-高折射率材料、a-基底材料、b-SiO2镀层、c-ITO镀层。
【具体实施方式】
实施例一：
参阅图2，本发明一种低阻抗型ITO导电膜，包括基底材料1和位于基底材料1之上的两组高低复配导光材料2，所述高低复配导光材料2包括一面相固定的低折射率材料21和高折射率材料22，所述低折射率材料21的另一面与基底材料1或者另一组高低复配导光材料2的高折射率材料22相固定。
所述基底材料1为PET膜、COP膜、PI膜、TAC膜或者PC板。
阻抗25欧。
两组高低复配导光材料2从下至上的膜系结构依次为SiO2、ITO、SiO2和ITO。其中膜层厚度从下至上依次为1～5nm、35～45nm、10～20nm和35～45nm。
其中，ITO为高折射率材料，复合折射率为1.8～2.1；SiO2为低折射率材料，折射率为1.4～1.5。
实施例二：
阻抗40欧。
两组高低复配导光材料2从下至上的膜系结构依次为SiO2、ITO、SiO2和ITO。其中膜层厚度从下至上依次为1～5nm、25～35nm、10～20nm和25～35nm。
其他同实施例一。
实施例三：
阻抗60欧。
两组高低复配导光材料2从下至上的膜系结构依次为SiO2、ITO、SiO2和ITO。其中膜层厚度从下至上依次为1～5nm、15～25nm、10～20nm和15～25nm。
其他同实施例一。
实施例四：
阻抗80欧。
两组高低复配导光材料2从下至上的膜系结构依次为SiO2、ITO、SiO2和ITO。其中膜层厚度从下至上依次为1～5nm、10～20nm、10～20nm和10～20nm。
其他同实施例一。
实施例五：
阻抗25欧。
两组高低复配导光材料2从下至上的膜系结构依次为SiO2、ITO、Al2O3和ITO。其中膜层厚度从下至上依次为1～5nm、35～45nm、10～25nm和35～45nm。
其他同实施例一。
实施例六：
阻抗25欧。
两组高低复配导光材料2从下至上的膜系结构依次为SiO2、ITO、MgF2和ITO。其中膜层厚度从下至上依次为1～5nm、35～45nm、5～15nm和35～45nm。
其他同实施例一。
实施例七：
将实施例一所制备的产品与市售的25欧产品一相对比，分别采用分光光度计进行可见光透光率测试。
参阅图3，常规ITO产品一可见光透光率均值达到84.56％，而实施例一可见光透光率均值达到86.6％，透光率提升约2％。
实施例八：
将实施例一所制备的产品与市售的25欧产品一相对比，分别进行测试透光L*、a*和b*值。
颜色量化以CIE L*a*b*颜色坐标值来表示，其中，a*和b*值应尽量接近0，这样产品颜色才会中性化。测试结果如下表1所示：
表1透光L*a*b*值测试结果
表2反射L*a*b*值测试结果
从上表1和表2可以看出，常规ITO产品一透光看轻微发黄，反光看明显发蓝，用户视觉感不好。而本发明则有效改善了这一现象，透光a*值下降了0.2，b*值下降了约1.5，看实物透光发黄现象已减轻；反射a*值上升了约0.4，b*值上升了约7.5，看实物反射已无发蓝现象，基本是中性色。
实施例九：
将实施例一所制备的产品与市售的25欧产品一相对比，分别进行可见光反射率测试。
可见光波长范围内，ITO区域反射率高，蚀刻区反射率低。本发明主要通过降低ITO区域反射率，减少ITO区域和蚀刻后非ITO区域的反射率差值，使蚀刻线条变淡，提高视觉感。蚀刻线的视觉反差量化，可以用可见光的反射率差值来表示。
表3反射率差值
参见图4和上表3，在可见光400～700nm波段，本发明25欧产品的蚀刻区和非蚀刻区反射率差值为0.51，而常规25欧产品一刻区和非蚀刻区反射率差值为2.64。在人眼最敏感的500～650nm光波段，本发明25欧产品的蚀刻区和非蚀刻区反射率差值为0.25，而常规25欧产品一的蚀刻区和非蚀刻区反射率差值为1.48。本发明25欧产品比常规25欧产品反射率差值要低不少，因此蚀刻线条会更淡，视觉效果更好。
实施例十：
实施例一至实施例六的光学性能测试数据与常规结构ITO产品一至四光学性能测试数据对比汇总如下：
表4光学性能测试汇总
从上表4中可见，本发明实施例一至六所制备的ITO产品与传统低方阻ITO产品一至四相比，光学性能明显有所提升，包括透光率上升，透光b*值下降，透光看发黄情况明显减轻，反射率差值降低(蚀刻纹变淡)，反射b*值更接近0，反光看发蓝现象明显减轻。
上述实施例是对本发明的说明，不是对本发明的限定，任何对本发明简单变换后的方案均属于本发明的保护范围。
Claims (9)
1.一种低阻抗型ITO导电膜，其特征在于：包括基底材料(1)和位于基底材料(1)之上的若干组高低复配导光材料(2)，所述高低复配导光材料(2)包括一面相固定的低折射率材料(21)和高折射率材料(22)，所述低折射率材料(21)的另一面与基底材料(1)或者另一组高低复配导光材料(2)的高折射率材料(22)相固定。
2.如权利要求1所述的一种低阻抗型ITO导电膜，其特征在于：所述基底材料(1)为PET膜、COP膜、PI膜、TAC膜或者PC板。
3.如权利要求1所述的一种低阻抗型ITO导电膜，其特征在于：所述低折射率材料(21)的折射率为1.35～1.65。
4.如权利要求3所述的一种低阻抗型ITO导电膜，其特征在于：所述低折射率材料(21)为SiO2镀层、Al2O3镀层、MgF2镀层、AlF3镀层、BaF2镀层或YF3镀层。
5.如权利要求1所述的一种低阻抗型ITO导电膜，其特征在于：所述高折射率材料(22)的折射率为1.8～2.1。
6.如权利要求5所述的一种低阻抗型ITO导电膜，其特征在于：所述高折射率材料(22)为ITO镀层。
7.如权利要求1至6中任一项所述的一种低阻抗型ITO导电膜，其特征在于：所述高低复配导光材料(2)的数量为两组。
8.如权利要求7所述的一种低阻抗型ITO导电膜，其特征在于：两组所述高低复配导光材料(2)的高折射率材料(22)的膜厚相同或相近。
9.如权利要求7所述的一种低阻抗型ITO导电膜，其特征在于：位于下方的所述高低复配导光材料(2)的低折射率材料(21)的厚度为1～5nm，位于上方的所述高低复配导光材料(2)的低折射率材料(21)的厚度为10～20nm。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20210319 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |