CN202037947U - 透明导电材料 - Google Patents
透明导电材料 Download PDFInfo
- Publication number
- CN202037947U CN202037947U CN2010206464539U CN201020646453U CN202037947U CN 202037947 U CN202037947 U CN 202037947U CN 2010206464539 U CN2010206464539 U CN 2010206464539U CN 201020646453 U CN201020646453 U CN 201020646453U CN 202037947 U CN202037947 U CN 202037947U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- thin film
- transparent conductive
- conductive material
- ito
- optical thin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
Images
Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Abstract
本实用新型公开了一透明导电材料。它包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基材和基材表面的四层光学薄膜。该透明导电材料的反射率与其表面ITO被蚀刻后的反射率差小于或等于1.5%,而且其方块电阻低和透过率高。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种的柔性透明导电材料,它运用于触摸所及显示面板等领域。
背景技术
掺锡氧化钢(即Indium Tin Oxide,简称ITO),是一种n型半导体材料,由于具有高导电率、高可见光透过率、高机械硬度和化学稳定性,因此,它是一种常用的透明导电材料,运用于各类产品透明电极。在实际的运用中,ITO先是采用物理真空方法于一定的基材,比如玻璃,聚对苯二甲酸乙二醇酯(简称PET),表面制备成ITO薄膜,然后根据需要,将薄膜蚀刻成特定的图案作为电极。基材为PET的ITO薄膜,因为具有柔软特性,近些年运用非常广泛。PET基材的TTO薄膜作为电极的运用中,是被蚀刻成特定的图案。由于ITO的折射率与基材PET的折射率差异,导致ITO薄膜被蚀刻区域与ITO薄膜未被蚀刻区域的反射率差异显著。比如,ITO的折射率约为2.0,空气的折射率为1.0,则其反射率为(2.0-1.0)2/(2.0+1.0)2×100%=11%,而ITO被蚀刻的区域,露出PET基材,其折射率为1.65,空气的折射率为1.0,则其反射率为(1.65-1.0)2/(1.65+1.0)2×100%=6%,因此这两个区域的反射率差为5%,影响显示面板的显示效果。为了保证人眼难以分辨两区域的反射率差异,需要保证它们的反射率差异小于等于1.5%。而且,从上面反射率计算可知,目前的ITO film的透过率较低,不适合运用于高品质的显示产品。
实用新型内容
鉴于目前PET基材的ITO薄膜在使用中存在的上述问题,本实用新型提供一种透明导电材料,可以解决上述问题。
为实现上述目标,本实用新型的透明导电材料,由柔性透明基材聚所苯二甲酸乙二醇酯(PET)(1)、及其表面依次沉积的第一层光学薄膜(2)、第二层光学薄膜(3)、第三层光学薄膜(4)和ITO薄膜(5)组成。该结构的透明导电材料,经过蚀刻后,则其结构变成聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)(1)、及其表面的第一层光学薄膜(2)、第二层光学薄膜(3)和第三层光学薄膜(4)。通过对各层光学薄膜的设计,该透明导电材料在蚀刻前和后的反射率差异小于1.5%,而且其透明率高和方块电阻低。
其中,所述的PET(1),其可以为单层PET也可以为双层PET的复合体,厚度范围0.020~0.2mm,其一个表面或两个可以存在硬化和防眩等处理。
其中,所述的第一层光学薄膜(2)为折射率范围为1.38~1.6的电介质薄膜,其材质可为SiO2-x、SiO2、MgF2以及上述材料的混合材料等,优选SiO2-x,其厚度范围为0~25nm。
其中,所述的第二层光学薄膜(3)为折射率范围为1.6~2.4的电介质薄膜,其材质可为Al2O3、TiO2、Nb2O5、Ta2O5、ZrO2等,优选Al2O3、TiO2、Nb2O5,其厚度范围为5~3Onm。
其中,所述的第三层光学薄膜(4)为折射率范围为1.38~1.6的电介质薄膜,其材质可为SiO2-x、SiO2、MgF2等,优选SiO2-x,其厚度范围为20~60nm。
其中,所述的ITO薄膜(5),其材质为ITO,其厚度范围为20~40nm。
其中,所述的第一层光学薄膜(2)、第二层光学薄膜(3)、第三层光学薄膜(4)和ITO薄膜(5)的制备采用Roll-to-Roll磁控溅射技术制备。
本实用新型的透明导电材料,具有以下优势:
1.ITO薄膜不是直接沉积于PET表面,而是沉积于具有一定厚度的电介质光学薄膜表面,因此,本实用新型的透明导电材料的表面ITO薄膜均匀性好,其面阻抗一致,提高了环境稳定性。
2.透明导电材料在蚀刻前后的反射率差小于1.5%,则其作为电极,其蚀刻图案不明显,将不影响其显示效果,而且,其电阻低,具有优异的电极特性。
3.透明导电材料的结构,相对传统的ITO薄膜具有增透作用,能提高透过率。
附图说明
图1是一传统ITO薄膜的结构。
图2是本实用新型的透明导电材料的结构。
图3是一实施范例的透明导电材料的结构。
图4是实施范例的透明导电材料的在蚀刻前和蚀刻的反射率曲线图。
图5是实施范例的透明导电材料的透过率曲线图。
具体实施方式
图1为一传统的PET基材的透明导电薄膜的结构图,其包括PET基材(6)及其表面的SiO2-x电介质光学薄膜(7)和TTO薄膜(8)。其中SiO2-x电介质光学薄膜(7)的作用为防止PET(6)放气影响,提高ITO薄膜(8)的牢固性。这类透明导电薄膜作为电极,需要蚀刻的部分,其结构变为PET基材(6)及其表面的SiO2-x电介质光学薄膜(7),其反射率与未蚀刻部分的反射率差异显著。
图2是本实用新型的透明导电材料的结构,其包括PET基材(1),及其表面依次沉积的第一层光学薄膜(2)、第二层光学薄膜(3)、第三层光学薄膜(4)和ITO薄膜(5),该PET(1),具可以为单层PET也可以为双层PET的复合体,厚度范围0.020~0.2mm,其一个表面或两个可以存在硬化和防眩等处理。第一层光学薄膜(2)为折射率范围为1.38~1.6的电介质薄膜,其材质可为SiO2-x、SiO2、MgF2以及上述材料的混合材料等,优选SiO2-x,其厚度范围为0-25nm。第二层光学薄膜(3)为折射率范围为1.6~2.4的电介质薄膜,其材质可为Al2O3、TiO2、Nb2O5、Ta2O5、ZrO2等,优选Al2O3、TiO2、Nb2O5,其厚度范围为5~30nm。第三层光学薄膜(4)为折射率范围为1.38~1.6电介质薄膜,其材质可为SiO2-x、SiO2、MgF2等,优选SiO2-x,其厚度范围为20~60nm。ITO薄膜(5),其材质为ITO,其厚度范围为20~40nm。第一层光学薄膜(2)、第二层光学薄膜(3)、第三层光学薄膜(4)和ITO薄膜(5)的制备采用Roll-to-Roll磁控溅射技术制备。
实施范例一
图3为是实施范例透明导电材料的结构图。实施范例的透明导电材料的结构为PET基材(9)及采用Roll-to-Roll磁控溅射技术在其表面制备的SiO2-x薄膜(10)、Nb2O5薄膜(11)、SiO2-x薄膜(12)和ITO薄膜(13)。SiO2-x薄膜(10)、Nb2O5薄膜(11)、SiO2-x薄膜(12)和ITO薄膜(13)的厚度分别为17nm、13nm、40nm和26nm。图4为该实施范例的反射率曲线图。图4中曲线(14)为该透明导电材料的反射率曲线。当此透明导电材料被蚀刻后,则其表面ITO薄膜(9)被去除,其结构变为PET基材(9)及SiO2-x薄膜(10)、Nb2O5薄膜(11)和SiO2-x薄膜(12),其反射率曲线图3的曲线(15)。比较曲线(14)与曲线(15),则可以看出,其反射率在可见光波段内,其反射率相差都在1.5%以内。其中,该透明导电材料的方块电阻较小,约为200欧/□。图4为该透明导电材料的透过率曲线图,从图上可以看出,其透过率相对传统的ITO薄膜的透过率高。
以上所述实施例仅表达了本专利的一种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本专利构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本实用新型的保护范围。因此,本专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (6)
1.一透明导电材料,其特征在于,它由柔性透明基材聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)(1)、及其表面依次沉积的第一层光学薄膜(2)、第二层光学薄膜(3)、第三层光学薄膜(4)和ITO薄膜(5)组成,其反射率与其表面ITO被蚀刻后的反射率差小于或等于1.5%,而且其方块电阻低和透过率高。
2.如权利要求1所述的一透明导电材料,其特征在于,PET(1)可以为单层PET也可以为双层PET的复合体,厚度范围0.020~0.2mm,其一个表面或两个可以存在硬化和防眩等处理。
3.如权利要求1所述的一透明导电材料,其特征在于,第一层光学薄膜(2)为低折射率电介质薄膜,折射率范围为1.38~1.6,其厚度范围为0~25nm。
4.如权利要求1所述的一透明导电材料,其特征在于,第二层光学薄膜(3)为中折射率或者高折射率电介质薄膜,折射率范围为1.6~2.4,其厚度范围为5~30nm。
5.如权利要求1所述的一透明导电材料,其特征在于,第三层光学薄膜(4)为低折射率电介质薄膜,折射率范围为1.38~1.6,其厚度范围为20~60nm。
6.如权利要求1所述的一透明导电材料,其特征在于,ITO薄膜(5)材质为ITO,其厚度范围为20~40nm。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2010206464539U CN202037947U (zh) | 2010-12-07 | 2010-12-07 | 透明导电材料 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2010206464539U CN202037947U (zh) | 2010-12-07 | 2010-12-07 | 透明导电材料 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN202037947U true CN202037947U (zh) | 2011-11-16 |
Family
ID=44965410
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2010206464539U Ceased CN202037947U (zh) | 2010-12-07 | 2010-12-07 | 透明导电材料 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN202037947U (zh) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102152563A (zh) * | 2010-12-07 | 2011-08-17 | 深圳欧菲光科技股份有限公司 | 透明导电材料 |
CN102664076A (zh) * | 2012-05-14 | 2012-09-12 | 南昌欧菲光科技有限公司 | 一种新型双面导电膜制作工艺 |
CN103226212A (zh) * | 2013-04-11 | 2013-07-31 | 红安华州光电科技有限公司 | 一种消影透明导电膜 |
TWI468722B (zh) * | 2012-01-11 | 2015-01-11 | Innolux Corp | 顯示裝置及其複合光學膜及複合光學膜的製造方法 |
CN105445820A (zh) * | 2014-08-21 | 2016-03-30 | 宸鸿科技(厦门)有限公司 | 光学膜组件 |
CN112526650A (zh) * | 2020-12-09 | 2021-03-19 | 浙江日久新材料科技有限公司 | 一种低阻抗型ito导电膜 |
-
2010
- 2010-12-07 CN CN2010206464539U patent/CN202037947U/zh not_active Ceased
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102152563A (zh) * | 2010-12-07 | 2011-08-17 | 深圳欧菲光科技股份有限公司 | 透明导电材料 |
CN102152563B (zh) * | 2010-12-07 | 2014-04-16 | 深圳欧菲光科技股份有限公司 | 透明导电材料 |
TWI468722B (zh) * | 2012-01-11 | 2015-01-11 | Innolux Corp | 顯示裝置及其複合光學膜及複合光學膜的製造方法 |
CN102664076A (zh) * | 2012-05-14 | 2012-09-12 | 南昌欧菲光科技有限公司 | 一种新型双面导电膜制作工艺 |
CN103226212A (zh) * | 2013-04-11 | 2013-07-31 | 红安华州光电科技有限公司 | 一种消影透明导电膜 |
CN103226212B (zh) * | 2013-04-11 | 2016-05-04 | 红安华州光电科技有限公司 | 一种消影透明导电膜 |
CN105445820A (zh) * | 2014-08-21 | 2016-03-30 | 宸鸿科技(厦门)有限公司 | 光学膜组件 |
CN112526650A (zh) * | 2020-12-09 | 2021-03-19 | 浙江日久新材料科技有限公司 | 一种低阻抗型ito导电膜 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102152563B (zh) | 透明导电材料 | |
CN202037947U (zh) | 透明导电材料 | |
JP5585143B2 (ja) | 透明導電性積層体およびその製造方法ならびにタッチパネル | |
JP5549216B2 (ja) | 透明導電性積層体およびその製造方法ならびにタッチパネル | |
CN102194540B (zh) | 具反射光调整层的透明导电叠层体 | |
CN104246913A (zh) | 导电结构及其制备方法 | |
JP5617276B2 (ja) | 透明導電性積層体及びその製造方法 | |
KR101049182B1 (ko) | 터치 패널용 투명 도전성 기재 및 그 제조방법 | |
JP4349794B2 (ja) | 導電性を有する多層反射防止膜付透明基板の製造方法 | |
CN204210110U (zh) | 高透过消影导电玻璃 | |
CN201305551Y (zh) | 双面镀膜玻璃 | |
JP6292225B2 (ja) | 透明導電体 | |
CN201309893Y (zh) | 高透过率触摸屏用透明导电玻璃 | |
CN102637486A (zh) | 一种用于电容式触摸屏双层透明导电薄膜的制备方法 | |
CN103570254A (zh) | 导电玻璃、其制备方法和应用 | |
KR20130081007A (ko) | 시인성이 우수한 양면 투명 전도성 필름 및 그 제조 방법 | |
JPWO2014171149A1 (ja) | 透明導電体及びその製造方法 | |
CN203812218U (zh) | 一种触控面板 | |
CN205241512U (zh) | 一种消影导电玻璃 | |
CN111446027A (zh) | 一种薄膜叠层结构 | |
CN103488369A (zh) | 一种无色差触摸屏及其生产工艺 | |
CN204079780U (zh) | Ito导电玻璃 | |
CN104166490A (zh) | Ito导电玻璃及其制备方法 | |
CN201718163U (zh) | 柔性透明电磁屏蔽膜 | |
CN204079779U (zh) | Ito导电玻璃 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
C35 | Partial or whole invalidation of patent or utility model | ||
IW01 | Full invalidation of patent right |
Decision date of declaring invalidation: 20140703 Decision number of declaring invalidation: 23058 Granted publication date: 20111116 |