CN204210110U - 高透过消影导电玻璃 - Google Patents

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徐根保
蒋继文
张宽翔
姚婷婷
曹欣
杨勇
金克武
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China Triumph International Engineering Co Ltd
Bengbu Glass Industry Design and Research Institute
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China Triumph International Engineering Co Ltd
Bengbu Glass Industry Design and Research Institute
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Abstract

一种高透过消影导电玻璃，包括沿垂直方向依次层叠的玻璃基板，折射率匹配层，和透明导电膜层，所述折射率匹配层由高折射率层，折射率渐变层，及低折射率层组成，所述折射率渐变层沿垂直方向位于所述高折射率层和所述低折射率层之间，所述高折射率层与所述玻璃基板相连，所述低折射率层连接至所述透明导电膜层。所述折射率匹配层由SiOxNy构成，所述SiOxNy为SiO2和Si3N4的中间相。采用此种结构的消影导电玻璃，透明导电电极区域和刻蚀区域透过率差值在0.5％以下，并且整个消影导电玻璃的反射率降至5％以下，在实现消影的同时，大幅度的提高了其光学透过率。

Description

高透过消影导电玻璃
技术领域
本实用新型涉及显示领域，涉及一种消影导电玻璃，特别涉及一种用于触摸屏以及平板显示领域的消影导电玻璃。 
背景技术
如今，触摸屏广泛应用于各种需要人机交互终端的电子产品，如：液晶电视、等离子电视、各种监测器等大尺寸电子产品，游戏机、平板电脑、e-book等中尺寸电子产品，和遥控器、智能手机、PDA(掌上电脑)等小尺寸电子产品。 
但目前触摸屏存在最大的问题是显示阴影问题：由于透明导电膜的折射率与触摸屏玻璃基板的折射率不同，如ITO膜(AZO膜或FTO膜)折射率n一般为1.9-2.0(550nm附近)，玻璃基板的折射率约为1.5(550nm附近)，导致显示区内电极与电极缝隙之间的反射率有较大区别(一般为3％)，使电极与缝隙清晰可见，即存在刻蚀阴影，影响显示效果和外观，而且触摸屏尺寸越大，透明导电电极膜层厚度和电极宽度越大，以上电极与缝隙的视觉差距越明显。 
目前解决这一问题的主要方法是在透明导电电极与玻璃基板之间引入折射率匹配层，通过光学介质的干涉相消作用，起到消除刻蚀阴影作用，例如专利号为201220350209.7的实用新型专利公开的消影玻璃和专利号为201310125495.6的实用新型专利公开的一种消影透明导电膜都是采用添加折射率匹配层来实现消影作用，折射率匹配层由至少一层高折射率层和至少一层低折射率层依次交替叠加而成，所采用的高折射率介质层折射率为2.1～2.4，而低折射率介质层折射率为1.4～1.5，两种介质由于折射率相差较大导致折射率匹配层整体折射率变化不够均匀，会影响光的透过性能，所以采用这种方式的消影导电玻璃的反射率一般为10％左右。 
SiOxNy是SiO2和Si3N4的中间相,其光学和电学性能介于两者之间,因而 可通过改变化学组成,可使其折射率变化范围为1.47～2.3，因此可以将SiOxNy膜层加入到高折射率层与低折射率层之间，并且通过连续控制工艺参数改变其化学成分，使其成为一层折射率渐变的膜层材料，并且折射率自自高折射率层(Si3N4、TiO2或Nb2O5膜层)向低折射率层(SiO2膜层)逐渐降低，即可实现整个折射率匹配层折射率变化的均匀性，可显著提高消影导电玻璃的透过性能，有效抑制其反射特性。 
综上所述，虽然现有技术可以实现导电玻璃的消影功能，但由于膜层折射率变化不够均匀，会降低其透过性能，而通过在折射率匹配层中引入一层折射率渐变层(SiOxNy层)可以解决上述问题。 
实用新型内容
本实用新型旨在提供一种高透过消影导电玻璃，使导电玻璃在实现消影的同时可以大幅度提高其透过特性。 
为了达成上述目的，本实用新型提供了一种高透过消影导电玻璃，沿垂直方向依次层叠的玻璃基板，折射率匹配层，和透明导电膜层，所述折射率匹配层由高折射率层，折射率渐变层，及低折射率层组成，所述折射率渐变层沿垂直方向位于所述高折射率层和所述低折射率层之间，所述高折射率层与所述玻璃基板相连，所述低折射率层连接至所述透明导电膜层。所述折射率匹配层由SiOxNy构成，所述SiOxNy为SiO2和Si3N4的中间相。 
一些实施例中，所述折射率渐变层的折射率沿从所述高折射率层向所述低折射率层的方向逐渐降低。 
一些实施例中，所述折射率渐变层的厚度为20nm～100nm。 
一些实施例中，所述高折射率层为Si3N4，TiO2，或Nb2O5膜层，厚度为5nm～30nm。 
一些实施例中，所述低折射率层为SiO2膜层，厚度为10nm～50nm。 
一些实施例中，所述玻璃基板为普通光电玻璃，厚度为0.3mm，0.7mm，1.1mm。 
一些实施例中，所述透明导电膜层为ITO(In2O3:Sn)，AZO(ZnO:Al)，或 FTO(SnO2:F)，厚度为10nm～100nm。 
采用此种结构的消影导电玻璃，透明导电电极区域和刻蚀区域透过率差值在0.5％以下，并且整个消影导电玻璃的反射率降至5％以下，在实现消影的同时，大幅度的提高了其光学透过率。 
以下结合附图，通过示例说明本实用新型主旨的描述，以清楚本实用新型的其他方面和优点。 
附图说明
结合附图，通过下文的详细说明，可更清楚地理解本实用新型的上述及其他特征和优点，其中： 
图1为根据本实用新型实施例的高透过消影导电玻璃的结构示意图。 
具体实施方式
参见本实用新型具体实施例的附图，下文将更详细地描述本实用新型。然而，本实用新型可以以许多不同形式实现，并且不应解释为受在此提出之实施例的限制。相反，提出这些实施例是为了达成充分及完整公开，并且使本技术领域的技术人员完全了解本实用新型的范围。 
现参考附图详细说明根据本实用新型实施例的高透过消影导电玻璃。 
如图1所示，根据本实用新型实施例的高透过消影导电玻璃包括普通玻璃基板1、高折射率层2、折射率渐变层3、低折射率层4以及透明导电膜层5。在折射率匹配层中，折射率渐变层3位于高折射率层2与低折射率层4之间，并且其折射率沿着自高折射率层2向低折射率层4方向逐渐降低。 
本实施例中，玻璃基板1为普通光电玻璃，厚度为1.1mm，高折射率层2选用Si3N4、TiO2或Nb2O5，厚度为10nm；折射率渐变层SiOxNy膜层3的厚度为50nm，低折射率层SiO2膜层4的厚度为15nm。透明导电膜层5选用ITO(In2O3:Sn)，AZO(ZnO:Al)，或FTO(SnO2:F)，厚度为18nm。 
采用此种结构的消影导电玻璃，透明导电电极区域和刻蚀区域透过率差值在0.5％以下，并且整个消影导电玻璃的反射率降至5％以下，在实现消影的同 时，大幅度的提高了其光学透过率。 
以上详细描述了本实用新型的较佳具体实施例。应当理解，本领域的普通技术人员无需创造性劳动就可以根据本实用新型的构思做出诸多修改和变化。凡本技术领域中技术人员依本实用新型的构思在现有技术的基础上通过逻辑分析、推理或者有限的实验可以得到的技术方案，皆应在由权利要求书所确定的保护范围内。 

Claims (7)

1.一种高透过消影导电玻璃，包括沿垂直方向依次层叠的玻璃基板，折射率匹配层，和透明导电膜层，所述折射率匹配层由高折射率层，折射率渐变层，及低折射率层组成，所述折射率渐变层沿垂直方向位于所述高折射率层和所述低折射率层之间，所述高折射率层与所述玻璃基板相连，所述低折射率层连接至所述透明导电膜层，其特征在于，所述折射率匹配层由SiOxNy构成，所述SiOxNy为SiO2和Si3N4的中间相。 
2.根据权利要求1所述的高透过消影导电玻璃，其特征在于，所述折射率渐变层的折射率沿从所述高折射率层向所述低折射率层的方向逐渐降低。 
3.根据权利要求2所述的高透过消影导电玻璃，其特征在于，所述折射率渐变层的厚度为20nm～100nm。 
4.根据权利要求2所述的高透过消影导电玻璃，其特征在于，所述高折射率层为Si3N4，TiO2，或Nb2O5膜层，厚度为5nm～30nm。 
5.根据权利要求2所述的高透过消影导电玻璃，其特征在于，所述低折射率层为SiO2膜层，厚度为10nm～50nm。 
6.根据权利要求1所述的高透过消影导电玻璃，其特征在于，所述玻璃基板为普通光电玻璃，厚度为0.3mm，0.7mm，或1.1mm。 
7.根据权利要求1所述的高透过消影导电玻璃，其特征在于，所述透明导电膜层为ITO(In2O3:Sn)，AZO(ZnO:Al)，或FTO(SnO2:F)，厚度为10nm～100nm。 
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