CN104176947A - Ito导电玻璃及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种面电阻为14～20欧姆、17～25欧姆、20～30欧姆的ITO导电玻璃，包括依次层叠的玻璃、第一低折射率层、第一高折射率层、第二低折射率层、第二高折射率层以及ITO层。这种ITO导电玻璃，通过以第一低折射率层、第一高折射率层、第二低折射率层和第二高折射率层替代传统的SiO2层，透过率高低结合的膜层结构增加了ITO层的透过率，同时第二高折射率层与ITO层之间透过率差别较小，使得使用这种ITO导电玻璃的LCD产品在点亮时图线较亮，ITO线条在第二高折射率层上不会出现显示的字的影子。本发明还公开了上述ITO导电玻璃的制备方法。
Description
技术领域
本发明涉及一种面电阻为14～20欧姆、17～25欧姆、20～30欧姆的ITO导电玻璃及其制备方法。
背景技术
ITO导电玻璃是在钠钙基或硅硼基基片玻璃的基础上，利用磁控溅射的方法依次沉积二氧化硅(SiO2)和氧化铟锡(通称ITO)薄膜加工制作成的。
ITO是一种具有良好透明导电性能的金属化合物，具有禁带宽、可见光谱区光透射率高和电阻率低等特性，ITO导电玻璃广泛地应用于平板显示器件、太阳能电池、特殊功能窗口涂层及其他光电器件领域，是目前LCD、PDP、OLED、触摸屏等各类平板显示器件广泛采用的透明导电电极材料。作为平板显示器件的关键基础材料，ITO导电玻璃其随着平板显示器件的不断更新和升级而具有更加广阔的市场空间。
传统的面电阻为14～20欧姆、17～25欧姆、20～30欧姆的ITO导电玻璃，由于ITO层透过率太低(80～81％左右)，而SiO2层的透过率则比较高(91.5％以上)，两者透过率相差明显。从而导致使用ITO导电玻璃的LCD产品在点亮时图线较暗，ITO线条在SiO2层上会出现显示的字的影子，即“字影”现象，视觉效果较差。
发明内容
基于此，有必要提供一种在使用时视觉效果较好的ITO导电玻璃及其制备方法。
一种ITO导电玻璃，包括依次层叠的玻璃、第一低折射率层、第一高折射率层、第二低折射率层、第二高折射率层以及ITO层；
所述第一低折射率层的材料为SiO2或MgF2；
所述第一高折射率层的材料为Nb2O5、TiO2、ZrO2或Si3N4；
所述第二低折射率层的材料为SiO2或MgF2；
所述第二高折射率层的材料为Nb2O5、TiO2、ZrO2或Si3N4；
所述第一低折射率层的厚度为
在一个实施例中，所述第一低折射率层的厚度为
在一个实施例中，所述第一高折射率层的厚度为
在一个实施例中，所述第二低折射率层的厚度为
在一个实施例中，所述第二高折射率层的厚度为
在一个实施例中，所述ITO导电玻璃的面电阻为14～20欧姆、17～25欧姆或20～30欧姆。
在一个实施例中，所述ITO层的厚度为
一种ITO导电玻璃的制备方法，包括如下步骤：
提供玻璃，清洗后干燥；
在清洗后的所述玻璃表面依次磁控溅射沉积第一低折射率层、第一高折射率层、第二低折射率层、第二高折射率层和ITO层，得到所述ITO导电玻璃，其中，所述第一低折射率层的材料为SiO2或MgF2，所述第一高折射率层的材料为Nb2O5、TiO2、ZrO2或Si3N4，所述第二低折射率层的材料为SiO2或MgF2，所述第二高折射率层的材料为Nb2O5、TiO2、ZrO2或Si3N4，所述第一低折射率层的厚度为
在一个实施例中，所述第一低折射率层的厚度为
在一个实施例中，所述ITO导电玻璃的面电阻为14～20欧姆、17～25欧姆或20～30欧姆。
这种ITO导电玻璃，通过以第一低折射率层、第一高折射率层、第二低折射率层和第二高折射率层替代传统的SiO2层，透过率高低结合的膜层结构增加了ITO层的透过率，同时第二高折射率层与ITO层之间透过率差别较小，使得使用这种ITO导电玻璃的LCD产品在点亮时图线较亮，ITO线条在第二高折射率层上不会出现显示的字的影子，视觉效果较好。
同时，LCD生产线多个制程中对位时多采用白光CCD进行抓标对位，如果ITO蚀刻前、后透过率相差太近，达到了消影或低蚀刻痕或无色差的的效果，则会出现CCD对位困难。此发明旨在拉近ITO蚀刻前、后透过率之差，同时避免达到消影或低蚀刻痕或无色差结果，以满足LCD生产需求，提升LCD显示效果。
附图说明
图1为一实施方式的ITO导电玻璃的结构示意图；
图2为如图1所示的ITO导电玻璃的制备方法的流程图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施的限制。
如图1所示的一实施方式ITO导电玻璃，包括依次层叠的玻璃10、第一低折射率层20、第一高折射率层30、第二低折射率层40、第二高折射率层50以及ITO层60。
玻璃10可以选择浮法玻璃或者其他本领域常规的玻璃。
第一低折射率层20的材料为SiO2或MgF2。SiO2的折射率为1.48，MgF2的折射率为1.38。采用SiO2或MgF2作为第一低折射率层20的材料，使得第一低折射率层20的透过率相对较高。
第一低折射率层20的厚度为一般而言，第一低折射率层20的厚度对于ITO导电玻璃的整体透过率以及视觉效果影响较小，在一个特别的实施方式中，第一低折射率层20的厚度可以为0，也就是说，第一低折射率层20可以省略。
在一个较优的实施方式中，第一低折射率层20的厚度为
第一高折射率层30的材料为Nb2O5、TiO2、ZrO2或Si3N4。Nb2O5的折射率为2.3，TiO2的折射率为2.3，ZrO2的折射率为2.17，Si3N4的折射率为2.0。采用Nb2O5、TiO2、ZrO2或Si3N4作为第一高折射率层30的材料，使得第一高折射率层30的透过率相对较低。
本实施方式中，第一高折射率层30的厚度为
第二低折射率层40的材料为SiO2或MgF2。SiO2的折射率为1.48，MgF2的折射率为1.38。采用SiO2或MgF2作为第二低折射率层40的材料，使得第二低折射率层40的透过率相对较高。
本实施方式中，第二低折射率层40的厚度为
第二高折射率层50的材料为Nb2O5、TiO2、ZrO2或Si3N4。Nb2O5的折射率为2.3，TiO2的折射率为2.3，ZrO2的折射率为2.17，Si3N4的折射率为2.0。采用Nb2O5、TiO2、ZrO2或Si3N4作为第二高折射率层50的材料，使得第二高折射率层50的透过率相对较低。
本实施方式中，第二高折射率层50的厚度为
本实施方式中，ITO层60的厚度为
ITO导电玻璃的面电阻可以为14～20欧姆、17～25欧姆或20～30欧姆。
特别的，对应ITO导电玻璃的电阻范围为20欧姆～30欧姆，ITO层60的厚度为对应ITO导电玻璃的电阻范围为17欧姆～25欧姆，ITO层60的厚度为对应ITO导电玻璃的电阻范围为14欧姆～20欧姆，ITO层60的厚度为
这种ITO导电玻璃，通过以第一低折射率层20、第一高折射率层30、第二低折射率层40和第二高折射率层50替代传统的SiO2层，透过率高低结合的膜层结构增加了ITO层60的透过率，同时第二高折射率层50与ITO层60之间透过率差别较小，使得使用这种ITO导电玻璃的LCD产品在点亮时图线较亮，ITO线条在第二高折射率层上不会出现显示的字的影子，视觉效果较好。同时为避免CCD对位困难，将ITO蚀刻前、后透过率之差控制在1.0～2.5％之内，即达到低字影目的，也避免了消影或低蚀刻痕或无色差，避免ITO玻璃在LCD后续加工工序中CCD对位困难。
如图2所示的上述ITO导电玻璃的制备方法，包括如下步骤：
S10、提供玻璃10，清洗后干燥。
玻璃10可以选择浮法玻璃或者其他本领域常规的玻璃。
S20、在清洗后的玻璃10表面依次磁控溅射沉积第一低折射率层20、第一高折射率层30、第二低折射率层40、第二高折射率层50和ITO层60，得到ITO导电玻璃。
第一低折射率层20的材料为SiO2或MgF2。SiO2的折射率为1.48，MgF2的折射率为1.38。采用SiO2或MgF2作为第一低折射率层20的材料，使得第一低折射率层20的透过率相对较高。
第一低折射率层20的厚度为一般而言，第一低折射率层20的厚度对于ITO导电玻璃的整体透过率以及视觉效果影响较小，在一个特别的实施方式中，第一低折射率层20的厚度可以为0，也就是说，第一低折射率层20可以省略。
在一个较优的实施方式中，第一低折射率层20的厚度为
第一高折射率层30的材料为Nb2O5、TiO2、ZrO2或Si3N4。Nb2O5的折射率为2.3，TiO2的折射率为2.3，ZrO2的折射率为2.17，Si3N4的折射率为2.0。采用Nb2O5、TiO2、ZrO2或Si3N4作为第一高折射率层30的材料，使得第一高折射率层30的透过率相对较低。
本实施方式中，第一高折射率层30的厚度为
第二低折射率层40的材料为SiO2或MgF2。SiO2的折射率为1.48，MgF2的折射率为1.38。采用SiO2或MgF2作为第二低折射率层40的材料，使得第二低折射率层40的透过率相对较高。
本实施方式中，第二低折射率层40的厚度为
第二高折射率层50的材料为Nb2O5、TiO2、ZrO2或Si3N4。Nb2O5的折射率为2.3，TiO2的折射率为2.3，ZrO2的折射率为2.17，Si3N4的折射率为2.0。采用Nb2O5、TiO2、ZrO2或Si3N4作为第二高折射率层50的材料，使得第二高折射率层50的透过率相对较低。
本实施方式中，第二高折射率层50的厚度为
本实施方式中，ITO层60的厚度为
ITO导电玻璃的面电阻可以为14～20欧姆、17～25欧姆或20～30欧姆。
特别的，对应ITO导电玻璃的电阻范围为20欧姆～30欧姆，ITO层60的厚度为对应ITO导电玻璃的电阻范围为17欧姆～25欧姆，ITO层60的厚度为对应ITO导电玻璃的电阻范围为14欧姆～20欧姆，ITO层60的厚度为
上述方法制得的ITO导电玻璃，通过以第一低折射率层20、第一高折射率层30、第二低折射率层40和第二高折射率层50替代传统的SiO2层，透过率高低结合的膜层结构增加了ITO层60的透过率，同时第二高折射率层50与ITO层60之间透过率差别较小，使得使用这种ITO导电玻璃的LCD产品在点亮时图线较亮，ITO线条在第二高折射率层上不会出现显示的字的影子，视觉效果较好。
同时，LCD生产线多采用白光CCD，如果ITO蚀刻前、后透过率相差太近，达到了消影的效果，则会存在CCD对位难度。此发明旨在拉近ITO蚀刻前、后透过率之差，同时避免出现消影或低蚀刻痕或无色差的结果，以满足LCD生产需求，提升LCD显示效果。
下面为具体实施例。
实施例1
将浮法玻璃洗净后干燥。
在工作压强为2×10-3mbar的条件下，在浮法玻璃表面依次沉积厚度为的SiO2层、厚度为的Nb2O5层、厚度为的SiO2层、厚度为的Nb2O5层和厚度为的ITO层，得到所需的ITO导电玻璃。
实施例2
将浮法玻璃洗净后干燥。
在工作压强为3×10-3mbar的条件下，在浮法玻璃表面依次沉积厚度为的SiO2层、厚度为的TiO2层、厚度为的SiO2层、厚度为的TiO2层和厚度为的ITO层，得到所需的ITO导电玻璃。
实施例3
将浮法玻璃洗净后干燥。
在工作压强为8×10-4mbar的条件下，在浮法玻璃表面依次沉积厚度为的Nb2O5层、厚度为的SiO2层、厚度为的Nb2O5层和厚度为的ITO层，得到所需的ITO导电玻璃。
实施例4
将浮法玻璃洗净后干燥。
在工作压强为1×10-3mbar的条件下，在浮法玻璃表面依次沉积厚度为的ZrO2层、厚度为的MgF2层、厚度为的Si3N4层和厚度为的ITO层，得到所需的ITO导电玻璃。
实施例5
将浮法玻璃洗净后干燥。
在工作压强为1×10-3mbar的条件下，在浮法玻璃表面依次沉积厚度为的SiO2层、厚度为的TiO2层、厚度为的SiO2层、厚度为的ZrO2层和厚度为的ITO层，得到所需的ITO导电玻璃。
对实施例1～5制备得到的ITO导电玻璃，利用UV2450分光光度计进行550nm透过率测试，结果如下表1所示。
表1：实施例1～5制备得到的ITO导电玻璃的550nm下的透过率测试结果。
由表1可以看出，实施例1～5制备得到的ITO导电玻璃的ITO层的透过率得到极大的提升，与靠近浮法玻璃的SiO2层的透过率之差较小。使用实施例1～5制备得到的ITO导电玻璃的LCD产品，在点亮时图线较亮，ITO线条在第二高折射率层上不会出现显示的字的影子，视觉效果较好。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种ITO导电玻璃，其特征在于，包括依次层叠的玻璃、第一低折射率层、第一高折射率层、第二低折射率层、第二高折射率层以及ITO层；
所述第一低折射率层的材料为SiO2或MgF2；
所述第一高折射率层的材料为Nb2O5、TiO2、ZrO2或Si3N4；
所述第二低折射率层的材料为SiO2或MgF2；
所述第二高折射率层的材料为Nb2O5、TiO2、ZrO2或Si3N4；
所述第一低折射率层的厚度为
2.根据权利要求1所述的ITO导电玻璃，其特征在于，所述第一低折射率层的厚度为
3.根据权利要求1所述的ITO导电玻璃，其特征在于，所述第一高折射率层的厚度为
4.根据权利要求1所述的ITO导电玻璃，其特征在于，所述第二低折射率层的厚度为
5.根据权利要求1所述的ITO导电玻璃，其特征在于，所述第二高折射率层的厚度为
6.根据权利要求1所述的ITO导电玻璃，其特征在于，所述ITO导电玻璃的面电阻为14～20欧姆、17～25欧姆或20～30欧姆。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的ITO导电玻璃，其特征在于，所述ITO层的厚度为
8.一种ITO导电玻璃的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供玻璃，清洗后干燥；
在清洗后的所述玻璃表面依次磁控溅射沉积第一低折射率层、第一高折射率层、第二低折射率层、第二高折射率层和ITO层，得到所述ITO导电玻璃，其中，所述第一低折射率层的材料为SiO2或MgF2，所述第一高折射率层的材料为Nb2O5、TiO2、ZrO2或Si3N4，所述第二低折射率层的材料为SiO2或MgF2，所述第二高折射率层的材料为Nb2O5、TiO2、ZrO2或Si3N4，所述第一低折射率层的厚度为
9.根据权利要求8所述的ITO导电玻璃的制备方法，其特征在于，所述第一低折射率层的厚度为
10.根据权利要求8所述的ITO导电玻璃的制备方法，其特征在于，所述ITO导电玻璃的面电阻为14～20欧姆、17～25欧姆或20～30欧姆。
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|---|---|
| CN (1) | CN104176947B (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104708871A (zh) * | 2015-03-13 | 2015-06-17 | 王明利 | 一种imito透明导电玻璃 |
| CN107742651A (zh) * | 2017-08-31 | 2018-02-27 | 成都中建材光电材料有限公司 | 一种含高阻层有自清洁作用的碲化镉薄膜电池 |
| CN108109721A (zh) * | 2017-12-12 | 2018-06-01 | 中国南玻集团股份有限公司 | 彩色透明导电薄膜及其制备方法和应用 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102043495A (zh) * | 2009-10-21 | 2011-05-04 | 比亚迪股份有限公司 | 一种导电元件及其制备方法、一种触摸屏面板 |
| US20110318553A1 (en) * | 2010-06-29 | 2011-12-29 | Applied Materials, Inc. | Method and system for manufacturing a transparent body for use in a touch panel |
| CN202632797U (zh) * | 2012-05-21 | 2012-12-26 | 珠海兴业光电科技有限公司 | 电容触摸屏柔性导电薄膜 |
| CN102909918A (zh) * | 2012-09-29 | 2013-02-06 | 江西沃格光电科技有限公司 | 双面镀膜玻璃及其制备方法 |
| CN204079781U (zh) * | 2014-08-07 | 2015-01-07 | 宜昌南玻显示器件有限公司 | Ito导电玻璃 |
-
2014
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Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102043495A (zh) * | 2009-10-21 | 2011-05-04 | 比亚迪股份有限公司 | 一种导电元件及其制备方法、一种触摸屏面板 |
| US20110318553A1 (en) * | 2010-06-29 | 2011-12-29 | Applied Materials, Inc. | Method and system for manufacturing a transparent body for use in a touch panel |
| CN202632797U (zh) * | 2012-05-21 | 2012-12-26 | 珠海兴业光电科技有限公司 | 电容触摸屏柔性导电薄膜 |
| CN102909918A (zh) * | 2012-09-29 | 2013-02-06 | 江西沃格光电科技有限公司 | 双面镀膜玻璃及其制备方法 |
| CN204079781U (zh) * | 2014-08-07 | 2015-01-07 | 宜昌南玻显示器件有限公司 | Ito导电玻璃 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104708871A (zh) * | 2015-03-13 | 2015-06-17 | 王明利 | 一种imito透明导电玻璃 |
| CN107742651A (zh) * | 2017-08-31 | 2018-02-27 | 成都中建材光电材料有限公司 | 一种含高阻层有自清洁作用的碲化镉薄膜电池 |
| CN108109721A (zh) * | 2017-12-12 | 2018-06-01 | 中国南玻集团股份有限公司 | 彩色透明导电薄膜及其制备方法和应用 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN104176947B (zh) | 2016-08-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
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Granted publication date: 20160824 |