CN108109721A - 彩色透明导电薄膜及其制备方法和应用 - Google Patents

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吕宜超
崔平生
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Abstract

本发明涉及一种彩色透明导电薄膜及其制备方法和应用。一种彩色透明导电膜，包括透明基底，以及依次层叠于透明基底上的干涉层及导电层，干涉层包括高折射率层及低折射率层，高折射率层的材料及导电层的材料选自ITO、IXO、FTO、AZO、IZO、GZO、HAZO、SnO2、In2O3及ZnO材料中的至少一种，低折射率层的材料选自SiO2、Al2O3、MgF2、LaF3、AlF3、YF3、BaF2及CeF3材料中的至少一种，导电层、低折射率层及高折射率层按照折射率高低交替排布。上述彩色透明导电薄膜能够同时实现彩色、透光及导电三重功能，且制备方法简捷，无需额外增加生产工序、工艺及设备。

Description

彩色透明导电薄膜及其制备方法和应用
技术领域
本发明涉及薄膜，特别是涉及一种彩色透明导电薄膜及其制备方法和应用。
背景技术
透明导电薄膜(Transparent Conductive Oxide，TCO)是一种既能导电又在可见光范围内具有高透光率的薄膜材料，包括金属氧化物膜系、金属膜系、高分子膜系以及其他复合膜系等。一方面，彩色透明导电薄膜可作为光电子器件的关键材料应用于平板显示、触摸屏、薄膜太阳能电池领域。另一方面，彩色透明导电薄膜还可应用于低辐射玻璃、电致变色玻璃、电加热玻璃、除雾除霜玻璃、抗电磁干扰透明窗、抗静电涂层等。
在透明基底上沉积一定厚度的TCO薄膜，光干涉效应使得TCO产品呈现一定的光学性质。TCO产品的光学性质和所用TCO材料厚度有关，而TCO膜厚度会影响TCO薄膜方阻。也即是说，对应不同应用场景的需求时，TCO材料种类及方阻要求决定了其颜色，这就使传统的单层或双层TCO膜层的调控自由度很低，生产的产品的色调单一。
目前，针对彩色透明导电薄膜产品存在的产品色调单一的问题。如建筑材料中的光伏幕墙、光伏窗户、光伏天窗等新型节能产品，虽然目前采用彩色夹胶技术或光学干涉镀膜技术使得这类产品避免了色调单一，实现彩色化，但就实践来看，一方面，彩色夹胶技术的显色效果不佳且具有方位性和时效性，如光伏幕墙只有从室内往外看，才能显现彩色；或者在晚上，室内灯光开启，才能从外面看到彩色的幕墙。而另一方面，目前采用光学干涉镀膜技术生产含有TCO薄膜产品存在额外增加膜层沉积工序、工艺以及设备问题，而且应用于光伏产品上时还存在薄膜耐候性问题。
发明内容
基于此，有必要针对既满足彩色透明导电薄膜显色需求又不额外增加产品的生产工序、工艺及设备的问题，提供一种彩色透明导电薄膜及其制备方法和应用。
一种彩色透明导电薄膜，其特征在于，包括透明基底，以及依次层叠于所述透明基底上的干涉层及导电层，所述干涉层包括高折射率层及低折射率层，所述高折射率层的材料及所述导电层的材料选自ITO、IXO、FTO、AZO、IZO、GZO、HAZO、SnO2、In2O3及ZnO材料中的至少一种，所述低折射率层的材料选自SiO2、Al2O3、MgF2、LaF3、AlF3、YF3、BaF2及CeF3材料中的至少一种，所述导电层、所述低折射率层及所述高折射率层按照折射率高低交替排布。
在其中一个实施方式中，其反射光在日光照明CIE-D65下的CIE色彩坐标L*、a*、b*中，色彩饱和度值大于6。
在其中一个实施方式中，所述高折射率层与所述导电层采用同质半导体材料。
在其中一个实施方式中，所述高折射率层与所述低折射率层的总层数不多于8层。
在其中一个实施方式中，所述导电层的厚度为10nm～1000nm。
在其中一个实施方式中，所述导电层的方阻为1Ω/□～100Ω/□。
在其中一个实施方式中，所述透明基底在550nm波长处的折射率大于1.4小于1.6。
在其中一个实施方式中，所述透明基底为透明玻璃或透明有机聚合物材料。
一种彩色透明导电薄膜的制备方法，包括：在所述透明基底表面制备所述干涉层；及在所述干涉层表面制备所述导电层。
一种彩色透明导电薄膜在光伏幕墙、电致变色幕墙、电加热玻璃或除雾除霜玻璃中的应用。
上述彩色透明导电薄膜，通过膜层设计，透明基底、干涉层、导电层，共同构成一个光学干涉系统，利用光学干涉调制反射光实现彩色观感。上述彩色透明导电薄膜能同时实现彩色、透光及导电三重功能。在户外通过阳光反射控制实现彩色观感，非常适合于户外应用，不会出现白天不显色的尴尬局面。上述彩色透明导电薄膜采用透光材料作为基底，薄膜可位于透明基底内侧，实现彩色、透光及导电功能的同时薄膜耐候性可得到显著提高。上述彩色透明导电薄膜的制备方法，减少镀膜材料的种类，且完全兼容现有的透明导电薄膜镀膜工艺，不需要增加额外的工序、工艺以及设备。上述彩色透明导电薄膜在光伏幕墙、电致变色幕墙、电加热玻璃或除雾除霜玻璃中的应用，产品的颜色选择的自由度大，赋予应用产品更多的颜色选择。
附图说明
图1为一实施方式的彩色透明导电薄膜的结构示意图；
图2为另一实施方式的彩色透明导电薄膜的结构示意图。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的部分实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使本发明公开内容更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。
请参阅图1，一种彩色透明导电薄膜10，包括透明基底11及层叠于所述透明基底11表面的彩色透明导电薄膜本体13。
透明基底11具有第一表面111及与第一表面111相对的第二表面113。
在图示的实施方式中，彩色透明导电薄膜本体13形成于第一表面111。在其他实施方式中，第一表面111及第二表面113均设置有彩色透明导电薄膜本体13。
透明基底11的材料为透光材料，优选为在550nm波长处的折射率大于1.4且小于1.6的材料。在其中一个实施方式中，透明基底11的材料为透明玻璃或透明有机聚合物材料。透明有机聚合物材料选自聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚酰亚胺(PI)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸酯(PC)及聚苯乙烯(PS)中的至少一种。当然，在其他实施方式中，透明基底11还可以是其他本领域常规的透光树脂基底。
在其中一个实施例中，透明基底11的厚度为0.1mm～25mm，优选为1mm～6mm。
在图示的实施方式中，彩色透明导电薄膜本体13，包括层叠于第一表面111的干涉层130及层叠于干涉层130表面的导电层135。
干涉层130包括高折射率层131及低折射率层133。
高折射率层131层叠于第一表面111。高折射率层131的材料的折射率大于1.8且小于2.5，优选为ITO、IXO、FTO、AZO、IZO、GZO、In2O3及ZnO材料中的至少一种，进一步优选为ITO、IXO、FTO、AZO、IZO及GZO中的至少一种，更优选为ITO、FTO、AZO中的一种。高折射率层131的厚度为1nm～200nm，优选为5nm～100nm。
低折射率层133层叠于高折射率层131的表面。低折射率层133的材料的折射率大于1.3且小于1.8，优选为SiO2、Al2O3、MgF2、LaF3、AlF3、YF3、BaF2及CeF3材料中的至少一种，进一步优选为SiO2、Al2O3中的至少一种，更优选为SiO2。低折射率层133的厚度为1nm～200nm，优选为5nm～100nm。
导电层135层叠于低折射率层133的表面。导电层135的材料的折射率大于1.8且小于2.5，优选为ITO、IXO、FTO、AZO、IZO、GZO、In2O3及ZnO材料中的至少一种，进一步优选为ITO、IXO、FTO、AZO、IZO及GZO中的至少一种，更优选为ITO、FTO、AZO中的一种。
在其中一个实施方式中，高折射率层131和导电层135采用同质半导体材料，即基础原材料相同，但是掺杂元素不同或者掺杂浓度不同而获得的性质不同的半导体材料。如ZnO、AZO、HAZO、IZO、HAZO及GZO，或FTO与SnO2。AZO与HAZO的制备区别仅来源于PVD磁控溅射过程中是否通入适量的氢气。高折射率层131和导电层135采用同质半导体材料可以减少制备过程中镀膜材料种类的选择，尤其是靶材料的选择，简化制备彩色透明导电薄膜的工艺，不会增加额外的材料和设备就能实现彩色功能。
在其中一个实施方式中，导电层135的厚度为10nm～1000nm，优选为100nm～500nm。
在其中一个实施方式中，导电层135的方阻为1Ω/□～100Ω/□，优选为10Ω/□～50Ω/□。
上述彩色透明导电薄膜，其0°角反射光在日光照明CIE-D65下的CIE色彩坐标L*、a*、b*满足色彩饱和度值
在其中一个实施方式中，透明基底11为0.1mm超薄透明玻璃基底，高折射率层131的材料为ITO，厚度为13.2nm，低折射率层133的材料为SiO2，厚度为32.8nm；导电层135的材料为ITO，厚度为150nm。彩色透明导电薄膜在第二表面113处的反射光颜色指标为L*＝42.47，a*＝-1.36，b*＝-10.63，呈现蓝色，可见光透过率为86.1％，彩色透明导电薄膜方阻为10Ω/□。
在其中一个实施方式中，透明基底11为3.2mm超白透明玻璃基底，高折射率层131的材料为AZO，厚度为171.6nm；低折射率层133的材料为SiO2，厚度为48.1nm；导电层135的材料为AZO，厚度为1000nm。彩色透明导电薄膜在第二表面113处的反射光颜色指标为L*＝46.17，a*＝1.33，b*＝-13.89，呈现蓝色，可见光透过率为67.5％，彩色透明导电薄膜方阻为5Ω/□。
在其中一个实施方式中，透明基底11为3.2mm超白透明玻璃基底，高折射率层131的材料为SnO2，厚度为29.9nm；低折射率层133的材料为SiO2，厚度为11.4nm；导电层135的材料为FTO，厚度为260.1nm。彩色透明导电薄膜在第二表面113处的反射光颜色指标为L*＝41.42，a*＝0.50，b*＝-6.50，呈现浅蓝灰色，可见光透过率为83.4％，彩色透明导电薄膜方阻为20Ω/□。
在其中一个实施方式中，透明基底11为3.2mm超白透明玻璃基底，高折射率层131的材料为ITO，厚度为156.2nm；低折射率层133的材料为SiO2，厚度为39.4nm；导电层135的材料为ITO，厚度为1000nm。彩色透明导电薄膜在第二表面113处的反射光颜色指标为L*＝47.13，a*＝-1.07，b*＝-9.75，呈现银蓝灰色，可见光透过率为78.6％，彩色透明导电薄膜方阻为1Ω/□。
上述彩色透明导电薄膜13，通过高低折射率材料膜系设计，可以同时实现彩色、透光及导电三重功能。上述透明导电膜13对可见光的透过率在67.5％以上，电阻率可达1.5x10-4Ω·cm。在户外通过阳光反射控制实现彩色观感，非常适合于户外应用，不会出现白天不显色的尴尬局面。
请参阅图2，另一实施方式的彩色透明导电薄膜30的结构与彩色透明导电薄膜10的结构大致相同，其不同在于：彩色透明导电薄膜本体33的干涉层330包括两个低折射率层333，其中一个低折射率层333设于透明基底31的第一表面311与高折射率层331之间，另一个低折射率层333设于高折射率层与导电层之间，使得导电层335、低折射率层333、高折射率层331按照折射率的高低交替排布。
高折射率层331的厚度为1nm～200nm，优选为5nm～100nm。；低折射率层333的厚度为1nm～200nm，优选为5nm～100nm。
在另一个实施方式中，透明基底为6mm超白透明玻璃基底，高折射率层的材料为IXO，以及低折射率层的材料SiO2，膜系结构为6mm超白透明玻璃/IXO(87.8nm)/SiO2(127.5nm)/IXO(95.7nm)/SiO2(162.9nm)/IXO(110.7nm)/SiO2(98.9nm)/IXO(10nm)。彩色透明导电薄膜在第二表面处的反射光颜色指标为L*＝43.82，a*＝-9.55，b*＝4.98，呈现黄绿色，可见光透过率为84.1％，彩色透明导电薄膜方阻为100Ω/□。
在其他实施方式中，高折射率层和低折射率层的合计层数可以至多八层，只要满足导电层、低折射率层及高折射率层按照折射率高低交替排布即可。若高折射率层和低折射率层的合计层数达到9层及以上亦可以实现需要的彩色效果，但是过多的层数会造成工艺复杂化，生产成本高，收益并不明显。
上述彩色透明导电薄膜采用透光材料作为透明基底，彩色透明导电薄膜本体可位于透明基底内侧，实现彩色、透光及导电功能的同时提高薄膜耐候性。
上述彩色透明导电薄膜10的制备方法，包括：
S110、在透明基底11表面制备干涉层130。
在其中一个实施方式中，在透明基底11上采用磁控溅射制备干涉层130。优选为离线PVD磁控溅射制备干涉层130。
在其中一个实施方式中，采用磁控溅射制备干涉层130，其中，磁控溅射过程中通入氩气或氩氧混合气体。优选的，氩气与氧气流量之比为100：1～1：1：。靶基距为3cm～15cm，优选为5cm～10cm。
在其中一个实施方式中，采用离线PVD磁控溅射制备高折射率层，高折射率层通过直流溅射，溅射功率2kW～30kW，优选为5kW～20kW；加热温度为常温～600℃，优选为100℃～400℃。
在其中一个实施方式中，采用离线PVD磁控溅射制备低折射率层，低折射率层通过交流溅射，溅射功率为5kW～50kW，优选为5kW～20kW；加热温度为常温～300℃，优选为常温～100℃。
在其中一个实施方式中，在透明基底11上采用在线化学气相沉积制备干涉层130，其中沉积温度为600℃～700℃，优选为650℃～670℃。载气为空气与氮气的混合气体，优选的载气速率为30m3/h～150m3/h，进一步优选为50m3/h～100m3/h。
S120、干涉层130表面制备导电层135。
导电层135的制备方法与上述干涉层130的高折射率层131的制备方法相同。
在其中一个实施方式中，导电层135的制备方法与上述干涉层130的高折射率层131的制备方法及相关参数均相同。
可以理解的是，干涉层和导电层均使用磁控溅射或均使用化学气相沉积制备更便于简化工序。
上述彩色透明导电薄膜的制备方法兼容现有镀膜工艺，而不需要增加额外的工序、工艺以及设备。
上述彩色透明导电薄膜在光伏幕墙、电致变色幕墙、电加热玻璃或除雾除霜玻璃中的应用，可使得光伏幕墙、电致变色幕墙、电加热玻璃或除雾除霜玻璃产品的颜色选择的自由度大，赋予应用产品更多的颜色选择。
下面为具体的实施例
实施例1
在3.20mm超白透明玻璃基底上依次沉积干涉层的高折射率层和低折射率层。其中，高折射率层采用ITO平面靶材直流溅射沉积，其溅射条件为：氩气1000sccm，氧气30sccm，溅射功率5kW，靶基距6.0cm，超白透明玻璃基底温度300℃；低折射率层采用Si旋转靶材制，40kHz交流电源溅射沉积，其溅射条件为：氩气600sccm，氧气400sccm，溅射功率10kW，靶基距6.0cm。然后，在低折射率层上采用ITO平面靶材直流溅射沉积导电层，其溅射条件为：氩气1000sccm，氧气30sccm，溅射功率5kW，靶基距6.0cm，超白透明玻璃基底温度300℃。
实施例1的彩色透明导电薄膜呈现蓝灰色，其结构为超白透明玻璃(3.20mm)/ITO(16.58nm)/SiO2(27.72nm)/ITO(150.00nm)，其中，“/”表示层叠结构，括号内的数值代表厚度，以下实施例相同。
实施例2
在3.20mm超白透明玻璃基底上沉积干涉层的低折射率层和高折射率层。其中，低折射率层采用Si旋转靶材，40kHz交流电源溅射沉积，其溅射条件为：氩气600sccm，氧气400sccm，溅射功率10kW，靶基距6.0cm。在低折射率层上采用ITO平面靶材直流溅射沉积高折射率层。其溅射条件为：氩气1000sccm，氧气30sccm，溅射功率5kW，靶基距6.0cm，超白透明玻璃基底温度300℃。然后，在干涉层的低折射率层上使用ITO平面靶材直流溅射沉积导电层，其溅射条件为：氩气1000sccm，氧气30sccm，溅射功率5kW，靶基距6.0cm，超白透明玻璃基底温度300℃。
实施例2的彩色透明导电薄膜呈现绿色，其结构为超白透明玻璃(3.20mm)/SiO2(84.13nm)/ITO(25.24nm)/SiO2(24.10nm)/ITO(150.00nm)。
实施例3
在浮法3.20mm超白玻璃基底上沉积干涉层的高折射率层和低折射率层。具体地，在高温玻璃表面沉积干涉层的高折射率层，其沉积条件为：空气与氮气为载气，载气速率为72m3/h，通入反应前驱物ICD-1137(主体成分为单丁基三氯化锡)，反应前驱物ICD-1137的流量为1.2kg/h，通入水，水的流量为0.1kg/h。然后在高折射率层上制备低折射率层，其沉积条件为：空气与氮气为载气，载气速率为90m3/h，通入反应前驱物TEOS(正硅酸乙酯)，反应前驱物TEOS流量为0.6kg/h，通入水，水的流量为0.2kg/h。然后在低折射率层上制备导电层，其沉积条件为：空气与氮气为载气，载气速率为72m3/h，通入反应前驱物ICD-1137(主体成分为单丁基三氯化锡)，反应前驱物ICD-1137的流量为1.2kg/h，通入水，水的流量为0.1kg/h。
实施例3的彩色透明导电薄膜呈现蓝灰色，其结构为超白玻璃(3.20mm)/SiO2/FTO(29.90nm)/SiO2(11.40nm)/FTO(260.10nm)。
实施例4
在3.20mm超白透明玻璃基底上沉积干涉层的高折射率层和低折射率层。其中，高折射率层使用AZO平面靶材直流溅射沉积，其溅射条件为：通入氩气1000sccm，溅射功率5kW，靶基距6.0cm，超白透明玻璃基底温度120℃；低折射率层采用Si旋转靶材，使用40kHz交流电源反应溅射沉积，其溅射条件为：通入气氛为氩气600sccm，氧气400sccm，溅射功率10kW，靶基距6.0cm。然后在低折射率层上使用AZO平面靶材直流溅射沉积导电层，其溅射条件为：通入氩气1000sccm，溅射功率5kW，靶基距6.0cm，超白透明玻璃基底温度120℃。
实施例4的彩色透明导电薄膜呈现黄绿色，其结构为超白透明玻璃(3.20mm)/AZO(46.70nm)/SiO2(27.80nm)/AZO(350.00nm)。
实施例5
在6.0mm超透明白玻璃基底上依次沉积干涉层的高折射率层和低折射率层。其中，高折射率层采用ITO平面靶材直流溅射沉积，其溅射条件为：氩气1000sccm，氧气30sccm，溅射功率5kW，靶基距6.0cm，超白透明玻璃基底温度300℃；低折射率层采用Si旋转靶材制，40kHz交流电源溅射沉积，其溅射条件为：氩气600sccm，氧气400sccm，溅射功率10kW，靶基距6.0cm。然后，在低折射率层上采用IXO平面靶材直流溅射沉积导电层，其溅射条件为：氩气1000sccm，氧气30sccm，溅射功率5kW，靶基距6.0cm，超白透明玻璃基底温度300℃。
实施例5的彩色透明导电薄膜呈现黄绿色，其结构为超白透明玻璃(6.0mm)//IXO(87.8nm)/SiO2(127.5nm)/IXO(95.7nm)/SiO2(162.9nm)/IXO(110.7nm)/SiO2(98.9nm)/IXO(10nm)。
实施例6
在3.20mm超白透明玻璃基底上沉积干涉层的低折射率层和高折射率层。其中，低折射率层采用Si旋转靶材，40kHz交流电源溅射沉积，其溅射条件为：氩气600sccm，氧气400sccm，溅射功率10kW，靶基距6.0cm。在低折射率层上采用ITO平面靶材直流溅射沉积高折射率层。其溅射条件为：氩气1000sccm，氧气30sccm，溅射功率5kW，靶基距6.0cm，超白透明玻璃基底温度300℃。然后，在干涉层的低折射率层上使用ITO平面靶材直流溅射沉积导电层，其溅射条件为：氩气1000sccm，氧气30sccm，溅射功率5kW，靶基距6.0cm，超白透明玻璃基底温度300℃。
实施例6的彩色透明导电薄膜呈现银蓝灰色，其结构为超白透明玻璃(3.20mm)/ITO(156.2nm)/SiO2(39.4nm)/ITO(1000.00nm)。
采用Data Color 650测色仪对实施例1～实施例6的彩色透明导电薄膜在日光照明CIE-D65下的0°角反射CIE色彩坐标值的测试，CIE色彩坐标值测试的结果如表1所示。
表1
实施例 Y L* a* b*
实施例1 11.0 39.6 1.0 -7.3
实施例2 13.1 42.9 -13.4 1.7
实施例3 12.1 41.4 0.5 -6.5
实施例4 14.5 45.0 -22.4 5.7
实施例5 13.7 43.8 -9.5 4.98
实施例6 16.1 47.1 -1.1 -9.7
采用四探针方阻仪对实施例1～实施例6的彩色透明导电薄膜的方阻进行测试；采用台阶仪设备对实施例1～实施例6的彩色透明导电薄膜导电层厚度进行测试；再将导电层厚度数值与方阻数值相乘，得到导电层电阻率；采用紫外-可见-近红外分光光度计PE950设备对实施例1～实施例6的彩色透明导电薄膜可见光的透过率进行测试。方阻测试、透过率测试的结果如下表2所示。
表2
由表1和表2可以看出，实施例1～实施例6的不同透明导电薄膜材料其电阻率范围为1x10-4Ω·cm～5.25x10-4Ω·cm，方阻范围值为1Ω/□-100Ω/□，透过率大于67.5％，符合光伏幕墙、电致变色幕墙、电加热玻璃、除雾除霜玻璃及低辐射玻璃的应用要求。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种彩色透明导电薄膜，其特征在于，包括透明基底，以及依次层叠于所述透明基底上的干涉层及导电层，所述干涉层包括高折射率层及低折射率层，所述高折射率层的材料及所述导电层的材料选自ITO、IXO、FTO、AZO、IZO、GZO、HAZO、SnO2、In2O3及ZnO材料中的至少一种，所述低折射率层的材料选自SiO2、Al2O3、MgF2、LaF3、AlF3、YF3、BaF2及CeF3材料中的至少一种，所述导电层、所述低折射率层及所述高折射率层按照折射率高低交替排布。
2.根据权利要求1所述的彩色透明导电薄膜，其特征在于，在日光照明CIE-D65下的0°角反射CIE色彩坐标L*、a*、b*中，其色彩饱和度值>6。
3.根据权利要求1所述的彩色透明导电薄膜，其特征在于，所述高折射率层与所述导电层采用同质半导体材料。
4.根据权利要求书1所述的彩色透明导电薄膜，其特征在于，所述高折射层与所述低折射率层的总层数不多于8层。
5.根据权利要求1所述的彩色透明导电薄膜，其特征在于，所述导电层的厚度为10nm～1000nm。
6.根据权利要求1所述的彩色透明导电薄膜，其特征在于，所述导电层的方阻为1Ω/□～100Ω/□。
7.根据权利要求1所述的彩色透明导电薄膜，其特征在于，所述透明基底在550nm波长处的折射率大于1.4小于1.6。
8.根据权利要求1所述的彩色透明导电薄膜，其特征在于，所述透明基底为透明玻璃或透明有机聚合物材料。
9.权利要求1所述的彩色透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括：
在所述透明基底表面制备所述干涉层；及
在所述干涉层表面制备所述导电层。
10.权利要求1～9任一项所述的彩色透明导电薄膜在光伏幕墙、电致变色幕墙、电加热玻璃、除雾除霜玻璃或低辐射玻璃中的应用。
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