CN104246667B - 用于触控面板的透明体及制造透明体的方法 - Google Patents

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Abstract

提供了一种制造用于触控屏幕面板的透明体的工艺。所述工艺包括：沉积第一透明层堆迭(12)于透明基板(14)之上，其中所述第一透明层堆迭(12)至少包括具有第一折射率的第一介电膜(16)和具有第二折射率的第二介电膜(18)，第二折射率不同于第一折射率；提供结构化的透明导电膜(22)，使得第一透明层堆迭(12)和透明导电膜(22)依此顺序配置在基板(14)上，且其中结构化的透明导电膜具有100欧姆/平方(Ohm/square)或更低的片电阻；以及沉积第二透明层堆迭于透明导电膜之上，其中所述第二透明层堆迭至少包括具有第三折射率的第三介电膜，和具有第四折射率的第四介电膜或透明黏着物，其中第一透明层堆迭、结构化的透明导电膜和第二透明层堆迭依此顺序提供。

Description

用于触控面板的透明体及制造透明体的方法
技术领域
本发明的实施例涉及制造用于触控面板的透明体的工艺与系统，以及根据这些工艺制造的透明体。
背景技术
触控面板(touch panel)为电子视觉显示器(electronic visual display)的一个特别的种类，所述触控面板能够在显示区域内检测且定位触碰(touch)。一般来说，触控面板包括配置在屏幕上用以感测(sense)触碰的透明体(transparent body)。这样的物体是实质上透明的，使得屏幕发出的可见光谱范围中的光可从中通过。至少一些已知的触控面板包括由阻障层(barrier)和透明导体组成的透明体，阻障层和透明导体依此顺序形成在基板上。在这种面板的显示区域上的触碰，通常在透明体的区域中产生可量测到的电容变化。电容的变化可用不同的技术来量测，使得碰触的位置能够被确定。
用于触控面板中的透明体需符合一些特定的要求。尤其，一个关键的要求是透明体对屏幕上多次接触的承受和严苛的环境是足够稳定的，如此触控屏幕的可靠度才不会向时间妥协。然而，触控面板中所包含的至少某些已知的透明体，因例如形成透明体的数个层的厚度、组成和结构，被视为是从中通过的光线的适当传播的强力干扰。此外，制造这样具有高品质的稳定的透明体，例如是有均匀且无缺陷 (defect-free)的阻障层，是有挑战性的。
另外，也考虑到用于触控面板有不同类型的透明体。光学性质的特别考量，例如呈现给使用者的外观，需要被纳入对透明体的考量，其中用来量测电容变化的导电层是结构化的导电层。
要考虑的另一方面是显示器尺寸稳定地持续增加，其中除了上述的光学性质以外，对电学性质的兴趣也逐渐提升。因此，期望一种薄膜基底平板显示器和触控屏幕技术的设计，此种设计提供隐形(invisible)物体，所述物体依据导电性被图案化(例如是触碰感测结构)且相较于传统结构能展现出更优异的光学和电学性质表现。
于是，期望用于形成用在触控面板中的高品质透明体的工艺和装置，使得透明体稳定地形成在基板上，而不妥协于可见光谱范围中的光的适当穿透，和改善的电学性质。
发明内容
有鉴于上述，提供了根据独立权利要求1的一种工艺、根据独立权利要求8 的一种装置和根据独立权利要求18的一种设备。本发明的其他方面、优点和特征是由从属权利要求、说明书和所附附图来表明。
根据一实施例，提供了制造用于触控面板的透明体的一种工艺。此工艺包括选择性地沉积第一透明层堆迭(layer stack)于透明基板之上，其中所述第一透明层堆迭至少包括第一介电膜和第二介电膜，第一介电膜具有第一折射率，第二介电膜具有第二折射率，第二折射率不同于第一折射率。此工艺包括沉积结构化 (structured)的透明导电膜在第一透明层堆迭之上，其中结构化的透明导电膜对应 100欧姆/平方(Ohm/sq)或更低的片电阻；沉积第二透明层堆迭在透明导电膜之上，其中所述第二透明层堆迭至少包括第三介电膜和第四介电膜，第三介电膜具有第三折射率，第四介电膜具有不同于第三折射率的第四折射率，其中第一透明层堆迭(若提供)、结构化的透明导电膜和第二透明层堆迭依此顺序被提供。根据替代性的实施例，具有不同于第三折射率的第四折射率的透明黏着物(transparent adhesive)，可以被提供来替代第四介电膜。
根据另一实施例，提供了适用于触控面板中的透明体。透明体包括透明基板、和选择性的第一透明层堆迭，第一透明层堆迭沉积在透明基板之上，其中所述透明层堆迭至少包括第一介电膜和第二介电膜，第一介电膜具有第一折射率，第二介电膜具有不同于第一折射率的第二折射率。层堆迭包括透明导电膜和第二透明层堆迭，透明导电膜沉积在第一透明层堆迭之上，其中结构化的透明导电膜具有100 Ohm/sq或更低的片电阻，第二透明层堆迭沉积在透明导电膜之上，其中所述第二透明层堆迭至少包括第三介电膜和第四介电膜，第三介电膜具有第三折射率，第四介电膜具有不同于第三折射率的第四折射率。根据替代性的实施例，具有不同于第三折射率的第四折射率的透明黏着物，可以被提供来替代第四介电膜。
根据另一实施例，提供了制造用于触控面板中的透明体的一种沉积设备。所述设备包括第一沉积组件、第二沉积组件以及第三沉积组件，第一沉积组件被配置成沉积第一透明层堆迭在基板之上，所述第一透明层堆迭至少包括第一介电膜和第二介电膜，第一介电膜具有第一折射率，第二介电膜具有不同于第一折射率的第二折射率，第二沉积组件被配置成沉积透明导电膜，第三沉积组件被配置成沉积第二透明层堆迭在透明导电膜之上，所述第二透明层堆迭至少包括第三介电膜和第四介电膜，第三介电膜具有第三折射率，第四介电膜具有不同于第三折射率的第四折射率，其中排列所述第沉积组件、所述第二沉积组件和第三沉积组件被，使得第一透明层堆迭、透明导电膜和第二透明层堆迭依此顺序配置在基板之上，且其中第一沉积组件、第二沉积组件或第三沉积组件的至少一者包括溅镀系统，所述溅镀系统运作耦接至(operatively coupled to)靶材，所述溅镀系统被配置成通过靶材的溅镀来沉积第一介电膜、第二介电膜、第三介电膜、第四介电膜或透明导电膜的至少一者。
出乎意料地，根据本发明的实施例沉积的介电膜组合，相较于用于触控面板中至少一些已知的透明体具有额外的介电膜，与第二透明层堆迭的介电膜组合有折射率性质的组合，且其中至少一层的膜是通过靶材的溅镀来沉积，有利于制造不仅是产生光的适当穿透也随着时间有稳定的性能的高品质透明体。更进一步地，相较于用于触控面板的已存在的”隐形”层堆迭或透明体，电阻能够被降低，那是，举例来说，对大面积触控面板是有用的。
实施例也与用于实现所揭露工艺的设备与包括进行所述工艺步骤的设备部分的设备相关。此外，实施例也与方法相关，所述方法运作所揭露的设备或通过所述方法制造所揭露的设备。方法可包括用来实现装置功能或制造部分设备的方法步骤。方法步骤可通过硬件元件、固件(firmware)、软件、以适当软件编程的电脑、任何上述的组合或以其他方式被执行。
附图说明
在以下说明书中，配合所附附图，将更精确地对于本发明所属技术领域中具有通常知识者进行完整且能据以实施的揭露，包括较佳实施例，其中：
图1A为根据此处的实施例的用于触控面板的一个示例的透明体的代表示意图。
图1B为根据此处的实施例的用于触控面板的一个示例的透明体的代表示意图。
图2为根据此处的实施例的用于触控面板的另一个示例的透明体及透明体所结合至的一光电装置的代表示意图。
图3A至图3D为根据此处的实施例的用于触控面板的一个示例的透明体的制造的代表示意图。
图4和图5为根据此处的实施例的用于触控面板的其他示例的透明体的代表示意图。
图6为根据此处的实施例的用以沉积用于触控面板的一个示例的透明体的装置的一部分的代表示意图。
图7为根据此处的实施例的用于触控面板的透明体的制造方法的流程图。
具体实施方式
现在将对不同的实施例作详细说明，这些不同的实施例中的一或多个示例绘示于附图中。每个示例是以解释的方式来提供，且并非用来限定本发明。可以被理解的是，在一实施例中的元件，可在不被特别引述的情况下有利地使用在其他实施例中。
根据此处的实施例，如图1A所示，第一透明层堆迭12是沉积在基板14之上。此处所使用的术语”基板”应囊括不可挠性基板和可挠性基板二者，不可挠性基板例如晶片、蓝宝石或其他类似物的透明晶体的切片、或玻璃板，可挠性基板例如卷 (web)或箔(foil)。此处所使用的术语”透明”应特别包括一种能以相对低的散射穿透光的结构，使得，举例来说，从中穿透的光可实质清楚地被看见。在可挠性基板的例子中，典型地，基板14具有硬涂层(hard coat)15形成于基板14上。
根据典型实施例，一个层堆迭是由数个一层在另一层上方形成(例如通过沉积)的膜所组成。特别地，此处的实施例包括沉积第一透明层堆迭，此第一透明层堆迭可由多个介电膜组成，介电膜即是实质上不会导电的膜。特别地，第一透明层堆迭12可包括第一介电膜16和第二介电膜18，如图1A中所示范性地示出的。因此，第一透明层堆迭可包括阻障层以用于触控面板中。
如图1A所示，结构化的透明导电氧化物(Transparent Conductive Oxide,TCO)膜22是提供在透明层堆迭之上。根据典型实施例，为了提供结构化的TCO层，可通过沉积TCO层和图案化所述TCO层来提供结构化的TCO层。或者，掩膜和/ 或光阻可被用以沉积结构化的TCO层。
根据可与此处所述其他实施例结合的典型实施例，透明导电氧化物层可以是铟锡氧化物(Indium Tin Oxide,ITO)层、掺杂的ITO层、不纯物掺杂的氧化锌 (ZnO)、三氧化二铟(In2O3)、二氧化锡(SnO2)和氧化镉(CdO)、锡掺杂三氧化二铟(ITO,In2O3:Sn)、铝掺杂氧化锌(AZO,ZnO:Al)、铟掺杂氧化锌(IZO,ZnO: In)、镓掺杂氧化锌(GZO,ZnO:Ga)、多组成氧化物包括或由ZnO、In2O3和SnO2的组合组成、有至少ITO层和金属层的层堆迭，例如ITO/金属/ITO的堆迭或金属/ITO/ 金属的堆迭。
用于触控面板的传统层堆迭或透明体可造就一种功能性的屏幕(像是触控屏幕)。然而，经常会得到较差的日光下的可读性(sunlight readability)，屏幕的色彩表现(反射比)和关于下方显示器产生的图片的色彩变化，以及在功能性屏幕中或多或少可被看到的结构化的核心层图案(例如图案化的透明导电氧化物TCO)。此外，对于大面积触控面板导电性可能不足够，大面积触控面板例如是对角线尺寸为7英寸或更大的触控面板，特别是对角线尺寸高于20英寸的触控屏幕。
由于透明层堆迭的结构，有利的是导电膜不会妨碍从透明体穿透的光的最佳传播。特别地，根据此处的实施例的透明层堆迭有利于导电膜，甚至是结构化的导电膜，不影响反射光色彩的中性(neutrality)，如以下进一步探讨的。
根据可与此处所述其他实施例结合的典型实施例，结构化TCO层的片电阻为100Ohm/sq和更低，例如是10至15Ohm/sq。典型地，片电阻为本文中所提及的物理量，即使此数值与具有足够大面积，亦即没有太小的图案的层的电阻有关。结构化的TCO图案，例如是线，对应到以欧姆(Ohm)表示的线电阻。然而，片电阻为相关参数(relevant parameter)，且可通过沉积测试区域来确定或可基于图案化结构和几何结构的电阻来确定或计算。于是，即使结构层的片电阻不能直接的(但间接地)被确定，且更与未结构化的层的电阻有关，本发明所属技术领域中具有通常知识者会将片电阻相关对应到结构化的层的值。
根据不同的实施例，TCO膜，例如是ITO，可以在相对的高温下被沉积或替代性地在较低温下被沉积，其中在后者状况中，为了达成想要的层特征如片电阻，可在沉积后提供退火(annealing)步骤。
因此，举例来说，可以使用20纳米(nm)或以上的TCO层厚度，例如50 纳米至150纳米。额外地或替代性地，可以使用具有比以不同工艺方法生产的ITO 的典型电阻范围低的比电阻(specific resistance)，亦即极佳的电学性质，但具有较差的光学性质的透明导电氧化物，对于大块(bulk)ITO，典型电阻范围为130 至450微欧姆-厘米(μΩcm)。降低的片电阻和/或增加的TCO层厚度带来对层堆迭的进一步的改善的期待，因例如较厚的结构化TCO层有更容易被看见的倾向。
根据此处所述的实施例，提供了一种更优异的结构和制造此种隐形物体如触碰感测器(touch sensor)的方法，以超越图案化TCO的厚度和导电性的限制。当提供在显示器之上的层堆迭或透明体或其相似物，如同此处所描述的，置于空气(折射率为1)的气氛下时，在有和没有TCO层的区域之间具有非常小的光学外观差异，因此层堆迭或透明体或其相似物被视为是隐形的，TCO层例如是ITO(”隐形”的ITO)。根据可与此处所述其他实施例结合的一些实施例，用于隐形的物体的不同堆迭和安装(mounting)方法，例如是以被整合在显示器内或被安装在显示器上的方式，即在物体至少一边的相邻介质具有不同于1，例如是1.3至1.7的折射率。通过这个方式，隐形的堆迭可支持20Ohm/sq或更低的片电阻，即相较于先前的概念在不妥协于光学表现下有10倍的改善。
如同图1A中所示，第二透明层堆迭112是提供在TCO层22之上。根据典型实施例，第二层堆迭是由数个一层形成(例如通过沉积)在另一层上方的膜所组成。特别地，此处的实施例包括沉积第二透明层堆迭，第二透明层堆迭可由多个介电膜组成，介电膜即实质上不会导电的膜。特别地，第二透明层堆迭112可包括第三介电膜116和第四介电膜118，如图1A中所示范性地示出的。因此，可以提供改善的折射率匹配(index matching)。此外，可提供TCO层下方的钝化(passivation)。此外，可提供相较于未涂布(uncoated)的基板的整体的穿透率。
根据可与此处所述其他实施例结合的此处所述的典型实施例，第一透明层堆迭12的第一介电膜16，亦即基板上的第一个透明介电膜是高折射率的膜，例如是具有1.8或更高的折射率。根据进一步的替代或额外的调整，透明导电氧化物层是提供在介于，例如直接介于低折射率(1.5或更低)介电膜和高折射率(1.8或更高) 介电膜之间。此外，额外地或替代性地，基板上最后的介电膜可为低折射率介电膜。因此，最后的介电膜被视为是触控面板透明体的最后的介电膜，亦即在透明黏着物或空气间隙(air gap)被提供在结合至一彩色滤光片、一第二基板或一光电装置 (opto-electronic device)的的结合介面之前的最后的介电膜。
相较于触控面板的先前设计，特别是对于有提供空气间隙的具有较厚TCO层的层堆迭或透明体的先前设计，此处所述的实施例提供一层堆迭或透明体，此一层堆迭或透明体具有至少一第一折射率匹配层堆迭(例如是一或多个介电膜)、TCO 层以及第二折射率匹配层堆迭，TCO层位在折射率匹配层堆迭之上，其中TCO层具有100Ohm/sq或更低的片电阻。透明黏着物可被提供在透明体之上，即与根据此处所述的实施例的透明体有接触。即使如此，可使用空气间隙来固定此处所述的实施例的透明体至光电装置上，也可使用光学透明胶(Optical Clear Adhesive, OCA)。实施例因此提供一种”隐形”触控面板结构，”隐形”触控面板结构也提供低的电阻。用以将TCO夹在两个透明层堆迭之间以及用以获得低电阻”隐形” TCO图案的解决办法的第二透明层堆迭与一种在被以透明黏着物结合(例如光学结合)至触控面板屏幕中的相邻元件上之前，上方具有TCO层的结构有关。通过使用第二透明层堆迭，可以达成TCO图案的最终图案的”隐形性”。
根据此处的实施例，如图1B中所示，第一透明层堆迭12是沉积在基板14之上。在可挠性基板的例子中，典型地，基板14具有形成于基板14上的硬涂层15。
根据典型实施例，层堆迭12和结构化的透明导电膜22可依照与图1A有关的实施例描述的类似方法被提供。
如图1B所示，一第二透明层堆迭112是提供在TCO层22之上。根据典型实施例，第二层堆迭是由数个一层形成(例如通过沉积)在另一层上方的膜或层所组成。特别地，第二透明层堆迭112可包括第三介电膜116和透明黏着物24，透明黏着物24具有不同于第三介电膜的折射率，如此提供折射率匹配。
根据可与此处所述其他实施例结合的此处所述的典型实施例，第一透明层堆迭12的第一介电膜16，亦即基板上的第一层透明介电膜，为高折射率膜，例如具有1.8或更高的折射率。根据进一步的替代或额外的调整，透明导电氧化物层是提供在介于，例如直接介于低折射率(1.5或更低)介电膜与高折射率(1.8或更高) 介电膜之间。
相较于触控面板的先前设计，特别是对于有提供空气间隙的具有较厚TCO层的层堆迭的先前设计，此处叙述的实施例提供一层堆迭、TCO层以及第二折射率匹配层堆迭，此一层堆迭具有至少第一折射率匹配层堆迭(例如，一或多个介电膜)， TCO层位在折射率匹配层堆迭之上，其中TCO层具有100Ohm/sq或更低的片电阻。透明黏着物可被提供在透明体之上，即与根据此处所述的实施例的透明体有接触。如参照图1A和图1B所示，透明黏着物可为第二折射率匹配层堆迭的一部分，或可主要是为了结合目的被提供，例如是通过具有第四介电膜。
即使如此，可使用空气间隙来固定此处所述的此处的实施例的透明体至光电装置上，也可使用光学透明胶。实施例因此提供一种”隐形”触控面板结构，”隐形”触控面板结构也提供低的电阻。用以将TCO夹在两个透明层堆迭之间以及用以获得一个低电阻”隐形”TCO图案的解决办法的第二透明层堆迭与一种在被以一透明黏着物结合(例如光学结合)至触控面板屏幕中的相邻元件上之前，上方具有 TCO层的结构有关。通过使用第二透明层堆迭，可以达成TCO图案的最终图案的”隐形性”。
如图2所示，透明黏着物24被提供以结合触控面板层堆迭或透明体至显示器，透明体具有例如基板14、层堆迭12、结构化TCO层22和第二层堆迭112。图2 中，显示器由彩色滤光片32和一像素阵列或显示器34作示例的表示。因此，相较于图1A，透明体10是倒置地被显示。于是，基板14可以为，举例来说，触控面板显示器中的保护镜片(cover lens)。术语保护镜片是典型地被用作是触控面板最上方的玻璃。根据可与此处所述其他实施例结合的进一步实施例，透明体10可以用透明黏着物(例如，光学透明胶；OCA)结合至彩色滤光片玻璃、显示器结构的偏光片或液晶显示器结构本身。
根据本发明的实施例相关于层堆迭或透明体，包括基板(如保护玻璃)和多个层的堆迭，多个层的堆迭由透明黏着物固定在显示器的上方，亦即不具有空气间隙。第一和第二层堆迭包括具有高和低的折射率的透明绝缘材料(例如：硅氧化物 (SiOx)、钛氧化物(TiOx)、铌氧化物(NbOx)、硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiOxNy)、铝氮氧化物(AlOxNy)、二氟化镁(MgF2)、钽氧化物(TaOx)) 及透明导电材料，像是透明导电氧化物，例如是ITO。根据实施方案，层涂布或层沉积的方法可以是化学或物理气相沉积。
根据一示例，层堆迭或透明体可如后述般的被制造，其中可提供最终触控屏幕面板(Touch Screen Panel,TSP)/显示器产品中视觉上隐形性及颜色固定性的改善，以及降低的电阻。数个层是依沉积在基板上的顺序来编号，基板例如是保护镜片，例如玻璃，具有0.1毫米(mm)或更厚的厚度，例如是0.5毫米：层1：5-200 纳米(nm)厚的五氧化二铌(Nb2O5)，例如是8纳米。层2：20-150纳米厚的二氧化硅(SiO2)，例如厚度为35纳米。层3：20-200纳米厚的ITO，例如150纳米厚，其中在沉积后进行图案化。典型地，ITO层可例如在基板温度为300℃时，通过自可旋转的靶材的溅镀来沉积。层4：5-200纳米厚的Nb2O5，例如是100纳米。层5：20-150纳米的SiO2，例如是87或90纳米。举例来说，用于触碰感测器的ITO厚度提供15Ohm/sq或更低的非常低的片电阻。涂布后基板的反射率是低于5％，且在具有和不具有ITO的区域之间反射率差异是低于0.2％。视觉上穿透率TY是高于92％。在具有和不具有ITO的区域之间的光学颜色差异dE*ab是低于0.9。层堆迭或透明体包括在具有和不具有ITO的区域间的反射和透射具有中性色(neutral color)的基板，例如是|a*|和|b*|皆小于1.0的基板。
根据可与此处所述其他实施例结合的典型实施例，沉积在基板上的第一介电膜可典型的是高折射率层，例如具有至少为1.8的折射率。举例来说，含有铌氧化物的膜可作为第一介电膜沉积在基板上。
根据可与此处所述其他实施例结合的进一步实施例，低于145纳米，例如20nm 至130nm，如75nm的TCO厚度，相较于上面所描述的数值可带来甚至更佳的隐形性性质。
根据又一不同的示例，层堆迭或透明体可如后述般的被制造，其中可提供最终TSP/显示器产品中视觉上隐形性及颜色固定性的改善，以及降低的电阻。数个层是依沉积在基板上的顺序来编号，基板例如是保护镜片，例如玻璃，具有0.1毫米或更厚的厚度，例如是0.5毫米：层1：5-200纳米厚的Nb2O5，例如是8纳米。层2：20-150纳米厚的SiO2，例如31纳米厚。层3：30-70纳米厚的ITO，例如40 纳米厚，其中在沉积后进行图案化。典型地，ITO层可例如在基板温度为300℃时，通过自可旋转的靶材的溅镀来沉积。层4：5-200纳米厚的Nb2O5，例如是98纳米。层5：20-150纳米的SiO2，例如是87或90纳米。举例来说，用于触碰感测器的ITO厚度提供50Ohm/sq或更低的非常低的片电阻。涂布基板的反射率是低于 5％，且在具有和不具有ITO的区域之间反射率差异是低于0.4％。视觉上穿透率 TY是高于94％。在具有和不具有ITO的区域之间的光学颜色差异dE*ab是低于 1.3。层堆迭或透明体包括在具有和不具有ITO的区域间的反射和透射具有中性色 (neutral color)的基板，例如是|a*|和|b*|皆小于1.0的基板。
根据另一不同的示例，层堆迭或透明体可如后述般的被制造，其中可提供最终TSP/显示器产品中视觉上隐形性及颜色固定性的改善，以及降低的电阻。数个层是依沉积在基板上的顺序来编号，基板例如是保护镜片，例如玻璃，具有0.1毫米或更厚的厚度，例如是0.5毫米：层1：5-200纳米厚的Nb2O5，例如是9纳米。层2：20-150纳米厚的SiO2，例如28纳米厚。层3：40-80纳米厚的ITO，例如60 纳米厚，其中在沉积后进行图案化。典型地，ITO层可例如在基板温度为300℃时，通过自一可旋转的靶材的溅镀来沉积。层4：5-200纳米厚的Nb2O5，例如是98纳米。层5：20-150纳米的SiO2，例如是89纳米。举例来说，用于触碰感测器的ITO厚度提供30Ohm/sq或更低的非常低的片电阻。类似于上述的数值可由更进一步的示例提供。
根据另一不同的示例，层堆迭或透明体可如后述般的被制造，其中可提供最终TSP/显示器产品中视觉上隐形性及颜色固定性的改善，以及降低的电阻。数个层是依沉积在基板上的顺序来编号，基板例如是保护镜片，例如玻璃，具有0.1毫米或更厚的厚度，例如是0.5毫米：层1：5-200纳米厚的Nb2O5，例如是7纳米。层2：20-150纳米厚的SiO2，例如23纳米厚。层3：20-80纳米厚的ITO，例如45 纳米厚，其中在沉积后进行图案化。典型地，ITO层可例如在基板温度为300℃时，通过自一可旋转的靶材的溅镀来沉积。层4：20-150纳米厚的SiO2，例如是23纳米。层5：5-50纳米厚的Nb2O5，例如是7纳米。类似于上述的数值可由更进一步的示例提供。
于是，按照前述，根据可与此处所述其他实施例结合的一些实施例，第四折射率，例如上述的层5的第四折射率，可以高于第三折射率，例如上述的层4的第三折射率。
根据又另外的典型实施例，介电膜16、18、116和118可为包括氧化物、氮化物或氮氧化物的层，其中氧化物、氮化物或氮氧化物分别包括至少70(重量％)，典型地至少90(重量％)的氧化物化合物、氮化物化合物或氮氧化物化合物。因此，可以提供如同以下所述的高透明性的层结构或具有改善的穿透性质的层结构。
更精确地说，根据此处的实施例，第二、选择性的第四介电膜、或其他介电膜可以是具有比第一介电膜低的折射率的一层膜，此一层膜例如是由SiO2组成，第一介电膜例如是由Nb2O5、Si3N4或其类似物组成。根据此处的实施例制造的透明体的第一透明层堆迭，例如是一种两层形式的堆迭，及第二透明层堆迭，例如是一种两层形式的堆迭，在相较于用于触控面板的至少一些已知的透明体额外的介电膜，及具有不同折射率的数个膜的性质组合的观点上，提供阻隔层，此阻隔层有利于由透明体穿透的光的适当传播。根据可与此处所述其他实施例结合的典型实施例，具有较低折射率的介电膜与具有较高折射率的介电膜是以交替的方式提供，具有较低折射率的介电膜的折射率例如是低于1.50，或更精确地是低于1.47，或甚至更精确地是低于1.45，具有较高折射率的介电膜的折射率例如是至少为1.80，或更精确地至少为2.10，或甚至更精确地至少为2.40。因此，具有较低折射率的膜可以由包含SiOx、MgF、SiOxNy或类似物的膜来提供。举例来说，具有较高折射率的膜可以由包含NbOx、SiNx、SiOxNy、TiOx、AlOx、AlOxNy、TaOx或类似物的膜来提供。
根据此处的实施例，透明体10包括透明导电膜22，例如但不限定为氧化铟锡(ITO)，特别是，具有100Ohm/sq或更低的片电阻的结晶ITO或ITO。根据可与此处所述的其他实施例结合的不同实施例，典型地，可以使用具有组成为97％In2O3和3％SnO2的结晶ITO，和/或组成为90％In2O3和10％SnO2的非晶ITO的 ITO。
图3A至3D绘示例如可使用在触控面板显示器的透明层堆迭或透明体的制造。如同图3A所示，层堆迭12是提供在透明基板14之上。根据不同实施例，透明基板可为可挠性基板或刚性基板、有机基板或无机基板，可为玻璃或箔，且可具有其他像是线性或圆偏光、λ/4延迟膜(lambda quarter retarder)或无偏光的性质。典型地，透明基板在380纳米至780纳米的可见光范围内可具有高度的穿透性。
根据又另外的示例，透明基板14可包括玻璃(可挠性或刚性)、塑料(可挠性或刚性)、线性或圆的偏光材料或λ/4延迟膜，塑料可进一步地已经被薄膜层或硬涂层所覆盖。特别是对于玻璃基板，相较于塑料基板，可在更高温下提供玻璃基板上的沉积工艺和制造方法。举例来说，可使用150℃或更高的温度，或甚至200℃或更高的温度，例如是300℃，在玻璃基板上制造用于触控面板的透明体。
根据可与此处所述其他实施例结合的又另外的实施例，层堆迭12典型地为折射率匹配的层堆迭，具有至少第一介电膜和第二介电膜，其中第一折射率是由第一介电膜提供，第二折射率是由第二介电膜提供，且其中第二折射率低于第一折射率。根据可与此处所述的其他实施例结合的一示范性的实施方案，可沉积第一介电膜、第二介电膜和多个其他介电膜，使得在透明层堆迭12中折射率产生连续性或类连续性(例如有小阶梯的梯状)的改变。根据典型的实施方案，介电膜可通过化学气相沉积或物理气相沉积来制造，例如是溅镀或蒸镀。典型的示例可为具有高和低折射率的绝缘材料，例如是SiOx、MgF、TiOx、NbOx、SiNx、SiOxNy、AlOx、AlOxNy、 TaOx及前述材料的组合。
如同图3A所示，透明导电氧化物层322是沉积在层堆迭12之上。根据此处所述的实施例，通过提供增加的层厚度或减少的层的材料的比电阻值，透明导电层堆迭具有增加的导电性。因此，举例来说，可使用40纳米和之上的TCO层厚度，例如是50纳米至150纳米。
根据可与此处所述其他实施例结合的又另外的实施例，透明导电氧化物膜也可以被提供作为具有一或多个透明导电氧化物膜的透明导电氧化物层堆迭。在制造过程当中，透明导电氧化物膜或透明导电膜堆迭可以在沉积过程之中或之后被加热，例如是通过热力(thermal)加热或快速热处理闪光灯(RTP flashlights)。典型地，透明导电氧化物可被加热至80℃或之上的温度。透明导电氧化物膜的制造可通过化学气相沉积或物理气相沉积来提供，例如是溅镀或蒸镀。为了提供高制造产率，可提供例如自可旋转的靶材的透明导电氧化物膜的直流(DC)溅镀。透明导电氧化物或透明导电氧化物层堆迭的典型示例可为ITO、掺杂的ITO、不纯物掺杂的ZnO、In2O3、SnO2和CdO、ITO(In2O3:Sn)、AZO(ZnO:Al)、IZO(ZnO:In)、GZO(ZnO:Ga)、多组成氧化物包括或由ZnO、In2O3和SnO2的组合组成、有至少 ITO层和金属层的层堆迭，例如是ITO/金属/ITO的堆迭或金属/ITO/金属的堆迭。
如图3B所示，结构化透明导电氧化物层322(参照图3A)以提供结构化的透明导电氧化物层22。为了提供结构化的TCO层，可通过沉积TCO层和图案化所述TCO层来提供结构化的TCO层。此外，掩膜和/或光阻可以被提供用来沉积结构化的TCO层。
图3C中绘示第二透明层堆迭112在结构化的TCO层22之上的沉积。根据可与此处所述的其他实施例结合的又另外的实施例，典型地，层堆迭112为折射率匹配的层堆迭，具有至少第二透明层堆迭的第一介电膜和第二透明层堆迭的第二介电膜，其中第一折射率是由第一介电膜提供，第二折射率是由第二介电膜提供，且其中第二折射率低于第一折射率。根据可与此处所述的其他实施例结合的示范性的实施方案，第一介电膜、第二介电膜和多个其他介电膜可被沉积在第二透明层堆迭中，使得可在第二透明层堆迭112内产生折射率的连续性或类连续性(例如有小阶梯的梯状)的改变。根据典型的实施方案，介电膜可通过化学气相沉积或物理气相沉积来制造，例如溅镀或蒸镀。典型的示例可为具有高和低的折射率的绝缘材料，例如 SiOx、TiOx、NbOx、SiNx、SiOxNy、AlOx、TaOx和前述材料的组合。
图3D绘示透明黏着物24，例如是为了将透明体结合至显示器34的光学透明胶。根据不同实施例，透明黏着物可以是具有接近于第二基板或偏光片，即显示器 34的基板或偏光片的折射率的光学透明黏着物层叠(laminate)或液态光学透明黏着胶。举例来说，折射率可以接近于玻璃的折射率(1.48)或聚甲基丙烯酸甲酯 (PMMA)的折射率(1.6)，举例来说，在介于1.48和1.6的范围之间。根据更进一步的实施例，透明黏着物可具有95％或更高、97％或更高、或甚至99％或更高的视觉穿透率。
根据此处所述的实施例，提供了结构TCO层如ITO层、两个折射率匹配层和用以结合至显示器、彩色滤光片、光电装置或其类似物的一透明黏着物，使得在 TCO层两侧的两个折射率匹配层提供TCO的结构的根本隐形性。于是，层堆迭，例如是触控面板层堆迭或透明体，可以结合至或整合至具有改善的视觉和电学性质的显示器装置。如同此处所述，这与层堆迭或透明体有关。能够理解的是这些术语是在此作为同义词使用，例如，一透明体是通过层或膜的堆迭来提供，即透明体也是层堆迭。
图4绘示可与此处所述的其他实施例结合的又另外的实施例。如同图4所示，提供了举例来说可用于触控面板中的透明体的基板。基板可例如是，在透明体结合至光电装置例如是显示器或类似物之后的保护镜片。对应图4叙述的实施例包括四层介电层16、18、20和416，形成透明层堆迭。在透明层堆迭上方，提供了结构化的透明导电膜22。根据可与此处所述其他实施例结合的典型实施例，透明导电氧化物膜可为TCO层，自一可旋转的靶材以DC溅镀来沉积TCO层。然而，同样的也能应用其他的沉积技术。自一可旋转的靶材的溅镀对例如是大面积装置的制造是有用的。
根据一些实施例，大面积基板或分别的载板，可具有至少为0.174平方米(m2) 的尺寸，其中载板具有多个基板。典型地，此尺寸可为约0.67平方米(0.73米x0.92 米－第4.5代)至约8平方米，更典型地为约2平方米至约9平方米或甚至到12 平方米。典型地，根据此处叙述的实施例提供的用于结构、装置如阴极组件的基板或载板，是如同此处所描述的大面积基板。举例来说，大面积基板或载板可以是对应到约0.67平方米(0.73米x0.92米)的基板的第4.5代、对应到约1.4平方米(1.1 米x1.3米)的基板的第5代、对应到约4.29平方米(1.95米x2.2米)的基板的第 7.5代、对应到约5.7平方米(2.2米x2.5米)的基板的第8.5代、对应到约为8.7 平方米(2.85米x3.05米)的基板的第10代。甚至更高的世代，例如是第11代和第12代，及对应的基板面积，可类似地被实施。
折射率匹配层堆迭12，如图4所示，与具有介电层116和118的第二透明层堆迭一起带来改善的光学性质。对于这类装置的使用者来说，由于两个透明层堆迭，TCO层结构根本上是隐形的。根据此处叙述的实施例，这可被提供于具有100 Ohm/sq或更低的片电阻的透明导电膜，举例来说是20纳米或之上，或甚至是100nm 或之上的透明导电氧化物层。根据可与此处所述其他实施例结合的不同实施例，两个或更多个介电层可被提供于透明层堆迭12中。
根据又另外的实施例，这两个或更多个层可以是多个介电层或膜，举例来说，使得在层堆迭中提供折射率的梯度(gradient)。举例来说，第一介电膜可被提供予第一折射率，且此折射率可以在透明层堆迭更进一步的沉积过程中被改变。这个改变可以为连续性的或阶梯式的。依此，可提供另外的介电膜(16-20；416)，其中在透明层堆迭中可得到折射率。因此，举例来说SiOxNy可以被沉积，其中氧和氮的数量为连续性或阶梯式的从y＝1至y＝0及从x＝0至x＝2变化，反之亦然。
根据可与此处所述其他实施例结合的又另外的实施例，透明层堆迭12和透明导电膜的组合可以被重复两次、三次或甚至四次。图5绘示沉积在基板14之上的一透明层堆迭12。结构化的透明导电膜22提供在透明层堆迭12之上。此后，沉积第二透明层堆迭112和另一透明导电膜522。其中，不同的折射率是提供给相邻的膜。第二透明导电膜522是提供在透明层堆迭112之上。图5绘示的截面中没有显示第二透明导电膜522的结构化。然而，此结构化可以被应用于与相较于纸的水平面不同的方向。另一透明层512包括，例如是另外两个介电膜，是沉积在第二 TCO层522之上。透明黏着物24是提供在另一透明层堆迭512上，且被配置用以结合透明体至诸如显示器或类似物的光电装置。
根据某些实施例，是以使得制造的透明体的a*和b*值低于1.5，或特别是低于1，或更精确地低于0.7，或甚至更精确地低于0.2的方式，沉积第一透明层堆迭、透明导电膜和第二透明层堆迭112。特别地，根据此处的实施例，仅仅由第一透明层堆迭、透明导电膜和透明黏着物所形成，且置于一实质上透明的基板上的结构，所述结构的a*和b*值可采用这些数值。
图6绘示沉积设备600。作为示例地，绘示了用于在其中沉积层的真空腔室 602。如图6所示，另外的腔室可以被提供在相邻于腔室602处。真空腔室602可以借着阀(valve)与相邻腔室分开，阀具有阀室(valve housing)604和阀单元(valve unit)605。因此，在其上具有基板14的载板614如箭头1所示地插入至真空腔室602之后，阀单元605可以被关上。因此，可以通过产生技术上的真空，举例来说用连接至腔室602的真空泵，和/或通过灌入处理气体至腔室的沉积区域中，而个别地控制真空腔室中的气氛(atmosphere)。
根据典型实施例，处理气体可包括惰性气体和/或反应性气体，惰性气体例如氩气，反应性气体例如氧气、氮气、氢气和氨气(NH3)、臭氧(O3)，或活化气体或其类似物。在腔室602中，提供滚轮610以运送具有基板14于其上的载板614 进入和退出腔室602。
在腔室602中，两个不同群组的沉积来源622和624是绘示于图6中。如同以下更精确地描述者，在不同沉积工艺是由沉积来源的群组提供的情况下，沉积来源的群组可典型地被提供在不同腔室中。
沉积来源举例来说可为可旋转的阴极，具有要被沉积到基板上的材料的靶材。典型地，阴极可为其中具有磁控管(magnetron)的可旋转的阴极。因此，磁控溅镀可被用在层的沉积。阴极622是连接至交流(AC)电源623，使得阴极可用交替的方式来偏压。
此处所使用的”磁控溅镀”与使用磁铁组件来进行的溅镀有关，磁铁组件是能够产生磁场的单元。典型地，此种磁铁组件由永久磁铁组成。永久磁铁典型地是放置在可旋转的靶材中或耦接到平面靶材，使得在生成于可旋转靶材表面之下的产生的磁场内的自由电子可以被捕捉(trapped)。此种磁铁组件也可被排列耦接至平面阴极。
因此，磁控溅镀可通过双磁铁阴极来实现，双磁铁阴极即阴极622，例如但不限于是TwinMagTM阴极组件。特别地，对于从硅靶材的中频(MF)溅镀，可应用包括双阴极的靶材组件。根据典型实施例，沉积腔室中的阴极可以为可更换的。因此，在硅被消耗掉之后，换掉靶材。
根据典型实施例，介电层可通过具有AC电源供应的可旋转的阴极的溅镀来沉积，例如是磁控溅镀。典型地，MF溅镀可以被应用于沉积介电层。因此，根据典型实施例，从硅靶材的溅镀是由MF溅镀进行，硅靶材例如是喷涂硅靶材，MF 溅镀也就是中频溅镀。根据此处的实施例，中频是在5千赫兹(kHz)至100kHz，举例来说是10kHz至50kHz的范围的频率。
从靶材来溅镀透明导电氧化物膜是典型地以DC溅镀进行。在溅镀过程中，阴极624是连接至DC电源供应626与收集电子的阳极625一起。因此，根据可与此处所述的其他实施例结合的另外的实施例，透明导电氧化物层，例如是ITO层，可以通过DC溅镀，亦即具有阴极624的组件进行溅镀。
为了简化，阴极622和624是绘示成提供于一个真空腔室602中。典型地，用以沉积不同层的阴极是提供在不同真空腔室中，举例来说，腔室602和相邻于真空腔室602的真空腔室，相邻于真空腔室602的真空腔室如同图6中在较低处的阴极622所示出的。这特别适用于当介电层可通过反应性沉积工艺来沉积的情况，而介电层，如此处所述地，可为氧化物层、氮化物层或氮氧化物层，在反应性沉积工艺中，在材料从靶材被释出之后，靶材材料会与氧气和/或氮气反应。通过提供阴极的群组在不同腔室内，可以在各个沉积区域提供具有适当处理气体的气氛和/或适当的技术上的真空的程度。
根据又另外的实施例，依据沉积在基板14上的介电层数量，二或多个阴极622 的群组可被提供在沉积装置600中。
根据典型实施例，沉积的进行是通过一或多个可旋转的靶材的溅镀。更精确地，根据此处的实施例，上述所提及的膜的至少一者是通过可旋转靶材的溅镀来沉积，故有利于稳定的透明体的形成和具有高品质的形成。举例来说，根据此处的实施例，膜可被沉积成具有较高均匀性，且具有低的缺陷和污染颗粒密度。因此，有利于高品质的透明体的制造，高品质的透明体不仅产生光的适当穿透也产生经历时间稳定的表现。此外，包括由一或多个可旋转的靶材来溅镀的制造程序可进一步促使更高的生产速率，以及相较于其他沉积方法产生较低数量的污染颗粒。
图7绘示描绘用于制造在此处所述的透明体的工艺的流程图700。步骤702 中，第一透明层堆迭(例如是层堆迭12)是沉积在透明基板上。因此，层堆迭包括至少两层介电膜，其中介电膜的折射率是互不相同，且具有较高折射率的膜和具有较低折射率的膜可以交替的方式沉积。步骤704中，结构化的透明导电膜，例如是结构化的ITO层，是沉积在透明层堆迭12之上。根据可与此处所述的其他实施方案结合的不同实施方案，结构化的透明导电膜亦可为导电膜的堆迭。举例来说， TCO/金属/TCO的堆迭可以在步骤704中提供。
根据可与此处所述其他实施例作结合的典型实施例，结构化的步骤可选自由下列所组成的群组：(1)激光切割、(2)光学微影、(3)印刷吸附阻隔层图案(例如油)之后接着TCO沉积、(4)剥离处理(光阻图案在基板上形成，之后接着TCO沉积和由光阻溶剂剥离)、(5)使用遮罩的膜沉积、或上述步骤的组合。
根据某些实施例，一个或某些腔室可用以进行溅镀，而不需磁控管组件。一个或某些腔室，举例来说是外加的腔室，可用于以其他方法进行沉积，例如但不限于是，化学气相沉积或脉冲激光沉积。
隐形的ITO的解决办法在光学性质(穿透和反射的颜色值)中的光学均匀性具有极高的要求。这在技术上对应到关于膜厚和光学分散特性的均匀的膜沉积。因此，此处所述的沉积装置可进一步包括量测系统638，量测系统638在沉积过程中用以量测形成第一层堆迭或透明导电膜的至少一者的一部分的数个膜的至少一者的光学特征。
此外，如同上述，介电膜可典型地被反应性地溅镀。因此，第一沉积组件(622) 可被用于通过反应性溅镀来沉积介电膜。根据典型实施例，含有Si的层或含有Al 的层可以被反应性地溅镀，且/或含有Nb的层、含有Ti的层或含有ITO的层可从陶瓷靶材来溅镀。
根据某些实施例，示例性的工艺700可更包括基板的加热处理，用于在沉积之前将基板除气(degassing)。举例来说，根据基板速度，基板可被加热到介于 60和360℃之间的温度。根据某些实施例，示例性的工艺700可包括以介于1千和 3千瓦(kW)的能量进行DC和/或中频(MF)的基板预处理。此外，示例性的工艺 700可包括在氩气和/或氧气的气氛下进行基板的预处理，例如，举例来说，富氧的预处理。根据此处的实施例，中频是在5kHz至100kHz，举例来说，30kHz至50kHz 的范围的频率。
在示例的沉积装置中或依据此处的实施例的装置中的溅镀涂布来源，可为具有平面或可旋转的靶材(例如但不限于陶瓷ITO)的DC阴极，和平面或可旋转的靶材(例如被掺杂的硅靶材，特别是用以沉积SiO2、或Si3N4、SiOxNy的喷涂硅靶材)或包括材料以沉积此处揭露的其他介电层中的其中一者的靶材。
如此处所描述，透明导电膜具有100Ohm/sq或更低的片电阻。这可通过提供类似厚度的透明导电层和/或使用具有低比电阻的TCO材料来提供。这将造成更复杂的折射率匹配状况，用于达到所要求的高度光学表现，如图案隐形性、颜色中性和高穿透水平。因此，在步骤706中，第二透明层堆迭(例如层堆迭12)是沉积在透明基板之上。因此，层堆迭包括至少两层介电膜，其中两层介电膜的折射率是互不相同的，且具有高折射率的膜或具有低折射率的膜可以交替的方式沉积。在另一选择性的步骤中，提供了透明黏着剂，举例来说光学透明胶，以结合透明体至光电装置，例如是显示器、移动电话显示器、触控面板电视显示器、触控面板电脑显示器或其类似物。
如同以上所描述，根据可与此处所述的其他实施例结合的一些实施例，透明体，即薄膜堆迭，是与从旋转靶材的磁控溅镀有关地制造。由于隐形的ITO的解决办法在光学性质(穿透和反射的颜色值)中的光学均匀性具有极高的要求，所述隐形的ITO的解决办法技术上地对应到关于膜厚和光学分散特性的非常均匀的膜沉积。因此，可以使用较溅镀目标长度更长的靶材。因此，从旋转靶材的溅镀，提供关于产量、材料的使用、机器开启时间和最终生产花费的优势，而平面靶材具有造成增加的颗粒产生的沉积区域，因而需要提供比旋转靶材更长的长度以提供无颗粒和均匀的膜。
此说明书使用示例来揭露本发明，包括最佳的实施方式，并使得本发明所属技术领域中具有通常知识者能够制造及使用本发明。虽然本发明已以各种特定实施例进行描述，本发明所属技术领域中具有通常知识者能够了解本发明在不脱离权利要求书的精神和范围内作润饰使用。特别是，实施例的示例和实施例或其上述调整型式中，彼此非不相容的特征可以互相结合。
虽然本发明已以实施例叙述如上，在不脱离本发明的基本范围的情况下，可设计出其他和更进一步的实施例，本发明的保护范围当视后附的权利要求书所界定者为准。

Claims (17)

1.一种制造用于触控屏幕面板的透明体(10)的工艺，所述工艺包括：
沉积第一透明层堆迭(12)于一透明基板(14)之上，其中所述第一透明层堆迭(12)至少包括第一介电膜(16)和第二介电膜(18)，所述第一介电膜(16)具有第一折射率，所述第二介电膜(18)具有第二折射率，所述第二折射率不同于所述第一折射率；
提供结构化的透明导电膜(22)，使得所述第一透明层堆迭(12)和所述透明导电膜(22)是依此顺序配置在所述透明基板(14)之上，且其中所述结构化的透明导电膜对应100欧姆/平方或更低的片电阻；以及
沉积第二透明层堆迭于所述结构化的透明导电膜之上，其中所述第二透明层堆迭是选自由下列组成的群组：
层堆迭，其中所述层堆迭包括第三介电膜，所述第三介电膜具有梯度(gradient)折射率，所述梯度折射率从第三折射率至不同于所述第三折射率的第四折射率，及
层堆迭，其中所述层堆迭包括：
至少第三介电膜，具有第三折射率，及
透明黏着物，具有不同于所述第三折射率的第四折射率，
其中所述结构化的透明导电膜和所述第二透明层堆迭是依此顺序提供；以及
其中所述结构化的透明导电膜是用来量测电容变化。
2.如权利要求1所述的工艺，其中所述第一介电膜(16)、所述第二介电膜(18)或所述透明导电膜(22)中至少一者是通过靶材的溅镀来沉积。
3.如权利要求2所述的工艺，其中所述第一介电膜(16)、所述第二介电膜(18)和所述透明导电膜(22)中至少一者是通过旋转靶材的溅镀来沉积。
4.如权利要求1所述的工艺，其中提供所述结构化的透明导电膜包括图案化未结构化的经沉积透明导电膜。
5.如权利要求1至4中的任一项所述的工艺，其中所述第一介电膜具有至少为1.8的折射率，所述第二介电膜具有1.5或更低的折射率；和/或其中所述第三介电膜具有至少为1.8的折射率。
6.如权利要求1至4中的任一项所述的工艺，其中所述介电膜是以中频溅镀来溅镀，且所述透明导电膜是以直流溅镀法来溅镀。
7.如权利要求5所述的工艺，其中所述介电膜是以中频溅镀来溅镀，且所述透明导电膜是以直流溅镀法来溅镀。
8.一种适用于触控屏幕面板中的透明体，包括：
透明基板；
第一透明层堆迭，沉积在所述透明基板之上，其中所述第一透明层堆迭(12)至少包括第一介电膜(16)和第二介电膜(18)，所述第一介电膜具有第一折射率，所述第二介电膜具有第二折射率，所述第二折射率不同于所述第一折射率；结构化的透明导电膜，沉积在所述第一透明层堆迭之上，其中所述结构化的透明导电膜对应100欧姆/平方或更低的片电阻；以及
第二透明层堆迭，位在所述结构化的透明导电膜之上，其中所述第二透明层堆迭是选自由下列组成的群组：
层堆迭，其中所述层堆迭包括第三介电膜，所述第三介电膜具有梯度折射率，所述梯度折射率从第三折射率至不同于所述第三折射率的第四折射率，及
层堆迭，其中所述层堆迭包括：
至少第三介电膜，具有第三折射率，及
透明黏着物，具有不同于所述第三折射率的第四折射率；以及
其中所述结构化的透明导电膜是用来量测电容变化。
9.如权利要求8所述的透明体，其中所述第一介电膜具有至少为1.8的折射率，所述第二介电膜具有1.5或更低的折射率；和/或其中所述第三介电膜具有至少为1.8的折射率。
10.如权利要求8所述的透明体，其中所述透明基板是选自由下列组成的群组：刚性基板、可挠性基板、有机基板、无机基板、玻璃、塑料箔(plastic foil)、偏光片(polarizer)材料基板和λ/4延迟基板。
11.如权利要求8所述的透明体，其中所述第一透明层堆迭和所述第二透明层堆迭为折射率匹配层堆迭，和/或是选自由下列组成的群组：硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiOxNy)、铝氧化物(AlOx)、铝氮氧化物(AlOxNy)、钛氧化物(TiOx)、钽氧化物(TaOx)、镁氟化物(MgFx)和铌氧化物(NbOx)。
12.如权利要求9所述的透明体，其中所述第一透明层堆迭和所述第二透明层堆迭为折射率匹配层堆迭，和/或是选自由下列组成的群组：硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiOxNy)、铝氧化物(AlOx)、铝氮氧化物(AlOxNy)、钛氧化物(TiOx)、钽氧化物(TaOx)、镁氟化物(MgFx)和铌氧化物(NbOx)。
13.如权利要求8至12中的任一项所述的透明体，其中所述透明导电膜具有20纳米或更高的厚度。
14.如权利要求13所述的透明体，其中所述透明导电膜具有50纳米到150纳米的厚度。
15.如权利要求8至12中的任一项所述的透明体，其中所述透明导电膜包括铟锡氧化物(Indium Tin Oxide,ITO)。
16.如权利要求8至12中的任一项所述的透明体，其中所述透明导电膜是提供至具有1.5或更低的折射率的介电膜之上，且具有1.8或更高的折射率的介电膜是提供至所述透明导电膜之上。
17.如权利要求8至12中的任一项所述的透明体，其中所述透明黏着物是提供用于将所述层堆迭接合至所述触控屏幕面板。
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