CN105084773A - 增透型消影azo导电玻璃及其制造方法以及触控装置 - Google Patents

Abstract

本发明适用于导电玻璃技术领域，提供了一种增透型消影AZO导电玻璃，包括玻璃基片、层叠设置于玻璃基片一表面的增透层和层叠设置于玻璃基片另一表面的消影层，消影层的表面设有AZO膜层；消影层表面设有AZO膜层时和未设有AZO膜层时对可见光的反射率之差低于2％，增透型消影AZO导电玻璃的整体透过率高于87％。本发明在玻璃基片的两侧分别设置了消影层和增透层，有效消除了AZO膜层的刻蚀纹，提高了透光率，可获得高亮度、清晰细腻的高品质画面；并且，将消影层与增透层分设玻璃基片两侧，可使工艺简化且可调性提高，减少镀膜的复杂性和不确定性，提升产品良率。

Description

增透型消影AZO导电玻璃及其制造方法以及触控装置

技术领域

本发明属于导电玻璃技术领域，特别涉及一种增透型消影AZO导电玻璃及其制造方法。

背景技术

AZO玻璃，即掺杂铝的氧化锌透明导电玻璃，是TCO玻璃的一种，和ITO玻璃等TCO玻璃一样也具有透明和导电的特点，可用于生产触摸屏器件。传统的AZO导电玻璃，在与ITO具有相同导电性的情况下，透过率较差，导电层刻蚀纹明显，导致显示效果欠佳。

发明内容

本发明的目的在于提供一种增透型消影AZO导电玻璃，旨在提高透过率并淡化刻蚀纹，改善显示效果。

本发明是这样实现的，一种增透型消影AZO导电玻璃，包括玻璃基片、层叠设置于所述玻璃基片一表面的增透层和层叠设置于所述玻璃基片另一表面的消影层，所述消影层的表面设有AZO膜层；所述消影层表面设有AZO膜层时和未设有AZO膜层时对可见光的反射率之差低于2％，所述增透型消影AZO导电玻璃的整体透过率高于87％。

本发明的另一目的在于提供一种触控装置，至少包括一基板，所述基板采用所述的增透型消影AZO导电玻璃，所述增透型消影AZO导电玻璃的AZO膜层蚀刻成触控电极。

本发明的另一目的在于提供一种增透型消影AZO导电玻璃的制造方法，包括下述步骤：

选取玻璃原片并进行镀膜前处理，获得玻璃基片；

在所述玻璃基片的一表面采用中频交流磁控溅射工艺依次镀制第一五氧化二铌膜层或第一二氧化钛膜层以及第一二氧化硅膜层，得到消影层；

在所述消影层表面镀制AZO膜层；

在所述玻璃基片的另一表面采用中频交流磁控溅射工艺依次镀制第二二氧化硅膜层以及第二五氧化二铌膜层或第二二氧化钛膜层，得到增透层，进而获得增透型消影AZO导电玻璃。

本发明提供的AZO导电玻璃在玻璃基片的两侧分别设置了消影层和增透层，有效消除了AZO膜层的刻蚀纹，并提高了透光率，可获得高亮度、清晰细腻的高品质画面；并且，由于消影层和增透层各自由至少两层膜构成，若将二者镀在同一侧，则过多层膜系生产工艺复杂，每一层的变化对整个膜系都影响较大，本实施例将消影层与增透层分设玻璃基片两侧，可使工艺简化且可调性提高，减少镀膜的复杂性和不确定性，提升产品良率。

附图说明

图1是本发明实施例提供的增透型消影AZO导电玻璃的结构示意图；

图2是本发明实施例提供的增透型消影AZO导电玻璃设置增透层和未设置增透层时的透过率曲线图；

图3是本发明实施例提供的增透型消影AZO导电玻璃的方法流程图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

以下结合具体实施例对本发明的具体实现进行详细描述：

请参考图1，本发明实施例提供一种增透型消影AZO导电玻璃，其包括玻璃基片01、层叠设置于玻璃基片01一表面(锡面)的增透层02和层叠设置于玻璃基片01另一表面(空气面)的消影层03，该消影层03的表面设有AZO膜层04，该AZO膜层04通常用于蚀刻电极，作为触控显示装置中的触控电极或者显示驱动电极。该消影层03可以淡化AZO膜层04刻蚀成电极后导致的刻蚀纹，当未设有消影层03时，AZO膜层04刻蚀的电极和未经电极覆盖的基材表面对可见光的反射率相差较大，导致电极刻蚀纹明显，本实施例中，消影层03作为折射率匹配层，设置于AZO膜层04和玻璃基片01之间，可见光在AZO材料表面和未被AZO材料覆盖的表面上发生相消干涉从而消除刻蚀纹，单独的消影层03对可见光的反射率和设有AZO膜层04时对可见光的反射率之差低于2％，该消影层可以有效淡化甚至忽略刻蚀纹，使显示画面无刻蚀纹干扰，提升品质。在玻璃基片01的另一表面，设置了增透层02，可以大幅提高可见光的透过率，进而提高显示的亮度，通过增透层02可以使整个AZO导电玻璃的整体透过率高于87％。如图2所示，上方曲线为设置增透层的透过率曲线，下方曲线为未设置增透层的透过率曲线。

本实施例提供的AZO导电玻璃在玻璃基片01的两侧分别设置了消影层03和增透层02，有效消除了AZO膜层04的刻蚀纹，并提高了透光率，可获得高亮度、清晰细腻的高品质画面；并且，由于消影层03和增透层02各自由至少两层膜构成，若将二者镀在同一侧，则过多层膜系生产工艺复杂，每一层的变化对整个膜系都影响较大，本实施例将消影层03与增透层02分设玻璃基片01两侧，可使工艺简化且可调性提高，减少镀膜的复杂性和不确定性，提升产品良率。

在本实施例中，消影层03包括自玻璃基片01起依次层叠设置的第一五氧化二铌膜层031(或第一二氧化钛膜层)以及第一二氧化硅膜层032，第一五氧化二铌膜层031对应于550nm的折射率为2.20～2.40，厚度为5～50nm，第一二氧化硅膜层032对应于550nm的折射率为1.40～1.50，厚度为30～100nm。AZO膜层04的厚度为50～300nm，对应550nm的折射率为1.80～1.95，电阻率为5×10^-4Ω/cm。将上述材料按照上述参数匹配设置，可以获得较佳的消影效果。

另外，该玻璃基片01可以采用厚度为0.5～2.0mm(例如0.5mm、0.7mm、1.1mm等)的钠钙硅玻璃、硼硅玻璃或铝硅玻璃。

在本实施例中，增透层02包括自玻璃基片01起依次设置的第二二氧化硅膜层021以及第二五氧化二铌膜层022(或第二二氧化钛膜层)，第二二氧化硅膜层021对应于550nm的折射率为1.40～1.50，厚度为5～50nm，第二五氧化二铌膜层022对应于550nm的折射率为2.20～2.40，厚度为40～100nm。通过上述材料按照上述参数匹配设置，可以将可见光的透过率提高到87％以上。

上述增透型消影AZO导电玻璃通过下述方法制作，具体参考图3，步骤如下：

在步骤S101中，选取玻璃原片并进行镀膜前处理，获得玻璃基片；

在本实施例中，将所需厚度的玻璃原片经切割成所需尺寸，再经磨边、研磨、清洗等前处理过程得到镀膜所需的玻璃基片01。

在步骤S102中，在玻璃基片01的一表面采用中频交流磁控溅射工艺依次镀制第一五氧化二铌膜层031或第一二氧化钛膜层以及第一二氧化硅膜层032，得到消影层03；

在步骤S103中，在消影层03表面镀制AZO膜层04；

在步骤S104中，在玻璃基片01的另一表面采用中频交流磁控溅射工艺依次镀制第二二氧化硅膜层021以及第二五氧化二铌膜层022或第二二氧化钛膜层，得到增透层02，进而获得增透型消影AZO导电玻璃。

具体地，将准备好的玻璃基片01放在传动小车上，设定传动小车走速，进入真空镀膜机，经过腔体的加热段加热到50～150℃左右步入五氧化二铌靶位，优选Ar气量在200sccm,优选O₂气量在100sccm，优选溅射气压在3×10^-3，所用靶材为孪生靶，采用中频交流磁控溅射在玻璃基片01上镀制第一五氧化二铌膜层031，第一五氧化二铌膜层031对应于550nm的折射率为2.20～2.40，厚度为5～50nm，在镀制完第一五氧化二铌膜层后进入硅靶靶位，优选Ar气量在200sccm,O₂气量控制采用PID控制，控制电压在420V，优选溅射气压在3×10^-3，所用靶材为孪生靶，采用中频交流磁控溅射法在第一五氧化二铌膜层031上镀制第一二氧化硅膜层032。第一二氧化硅膜层032对应于550nm的折射率为1.40～1.50，厚度为30～100nm。玻璃基片01继续经过加热段，在温度达到350℃左右进入AZO靶位，AZO靶为2％以上掺杂，优选Ar气量在300sccm,优选溅射气压在5×10^-3，为高温高压溅射工艺，采用直流磁控溅射在第一二氧化硅膜层032上镀制AZO膜层04。AZO膜层04的厚度为50～300nm，对应550nm的折射率为1.80～1.95，电阻率为5×10^-4Ω/cm。从而完成消影层03和AZO膜层04的镀制。

进一步地，使已镀好消影层03和AZO膜层04的玻璃依次进入铌靶靶位和硅靶靶位，在玻璃空气面镀制增透膜。首先进入五氧化二铌靶位，优选Ar气量在200sccm,优选O₂气量在100sccm，优选溅射气压在3×10^-3，所用靶材为孪生靶，采用中频交流磁控溅射在玻璃基片01的空气面上镀制第二五氧化二铌膜层022。在镀制完第二五氧化二铌膜层022后进入硅靶靶位，优选Ar气量在200sccm,O₂气量控制采用PID控制，控制电压在420V，优选溅射气压在3×10^-3，所用靶材为孪生靶，采用中频交流磁控溅射在第二五氧化二铌膜层022上镀制第二二氧化硅膜层021。得到增透膜。从而完成了增透型消影AZO导电玻璃的制作。

通过上述方法制作的增透型消影AZO导电玻璃同时具有消影和增加透光率的效果，使该产品的性能、外观达到在电子显示领域应用的要求。并且将增透层02和消影层03分设于玻璃基片01的两侧，使工艺简化且可调性提高，减少镀膜的复杂性和不确定性，提升产品良率。该方法操作简单，成本低廉，非常适于工业化生产。

在其他实施例中，消影层03可以厚度为1.0mm电子级钠钙硅玻璃为基片，运用磁控溅射镀膜机，采用中频交流磁控溅射镀制折射率匹配层(IM层)，Ar气量在180sccm,O₂气量在60sccm，保证溅射气压在2.5×10^-3，所用铌靶为孪生靶，采用中频交流磁控溅射在玻璃基片01上镀制第一五氧化二铌膜层031，此工艺镀出的膜厚大概在12nm。随后在第一五氧化二铌膜层031上镀制38nm的第一二氧化硅膜层032，优选Ar气量在150～200sccm,O₂气量控制采用PID控制，控制电压在420V，优选溅射气压在2.5×10^-3，所用靶材为孪生靶，采用中频交流磁控溅射法。镀好的折射率匹配层(IM层)的玻璃基片01继续经过加热段，在温度达到350℃左右进入AZO靶位，AZO靶为2％掺杂，优选Ar气量在250sccm,优选溅射气压在6.5×10^-3，采用直流磁控溅射在第一二氧化硅膜层032上镀制120nmAZO膜层04。

本发明提供的增透型消影AZO导电玻璃适用于含有触摸屏的装置，本发明进一步提供一种触控装置，其至少包括一基板，该基板即可以采用上述的增透型消影AZO导电玻璃，其中的AZO膜层04蚀刻成触控电极。采用该AZO导电玻璃的触控装置的画面清晰细腻，无刻蚀纹干扰，且亮度高，进一步提升了用户体验，适合广泛采用。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种增透型消影AZO导电玻璃，其特征在于，包括玻璃基片、层叠设置于所述玻璃基片一表面的增透层和层叠设置于所述玻璃基片另一表面的消影层，所述消影层的表面设有AZO膜层；所述消影层表面设有AZO膜层时和未设有AZO膜层时对可见光的反射率之差低于2％，所述增透型消影AZO导电玻璃的整体透过率高于87％。

2.如权利要求1所述的增透型消影AZO导电玻璃，其特征在于，所述消影层包括自所述玻璃基片起依次层叠设置的第一五氧化二铌膜层或第一二氧化钛膜层以及第一二氧化硅膜层，所述第一五氧化二铌膜层对应于550nm的折射率为2.20～2.40，厚度为5～50nm，所述第一二氧化硅膜层对应于550nm的折射率为1.40～1.50，厚度为30～100nm。

3.如权利要求1所述的增透型消影AZO导电玻璃，其特征在于，所述增透层包括自所述玻璃基片起依次设置的第二二氧化硅膜层以及第二五氧化二铌膜层或第二二氧化钛膜层，所述第二二氧化硅膜层对应于550nm的折射率为1.40～1.50，厚度为5～50nm，所述第二五氧化二铌膜层对应于550nm的折射率为2.20～2.40，厚度为40～100nm。

4.如权利要求1所述的增透型消影AZO导电玻璃，其特征在于，所述AZO膜层的厚度为50～300nm，对应550nm的折射率为1.80～1.95，电阻率为5×10^-4Ω/cm。

5.一种触控装置，其特征在于，至少包括一基板，所述基板采用权利要求1～4任一项所述的增透型消影AZO导电玻璃，所述增透型消影AZO导电玻璃的AZO膜层蚀刻成触控电极。

6.一种增透型消影AZO导电玻璃的制造方法，其特征在于，包括下述步骤：

选取玻璃原片并进行镀膜前处理，获得玻璃基片；

在所述玻璃基片的一表面采用中频交流磁控溅射工艺依次镀制第一五氧化二铌膜层或第一二氧化钛膜层以及第一二氧化硅膜层，得到消影层；

在所述消影层表面镀制AZO膜层；

在所述玻璃基片的另一表面采用中频交流磁控溅射工艺依次镀制第二二氧化硅膜层以及第二五氧化二铌膜层或第二二氧化钛膜层，得到增透层，进而获得增透型消影AZO导电玻璃。

7.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述玻璃基片采用厚度为0.5～2.0mm的钠钙硅玻璃、硼硅玻璃或铝硅玻璃。

8.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述第一五氧化二铌膜层对应于550nm的折射率为2.20～2.40，厚度为5～50nm，所述第一二氧化硅膜层对应于550nm的折射率为1.40～1.50，厚度为30～100nm。

9.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述第二五氧化二铌膜层对应于550nm的折射率为2.20～2.40，厚度为40～100nm，所述第二二氧化硅膜层对应于550nm的折射率为1.40～1.50，厚度为5～50nm。

10.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述AZO膜层的厚度为50～300nm，对应550nm的折射率为1.80～1.95，电阻率为5×10^-4Ω/cm。