CN113066942A - 一种oled的imito结构及oled消影镀膜方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 239000007888 film coating Substances 0.000 title claims description 6
- 238000009501 film coating Methods 0.000 title claims description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 82
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 75
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 55
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 54
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 48
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 45
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 42
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 40
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 40
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 40
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 40
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N titanium dioxide Inorganic materials O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 36
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 27
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 17
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims abstract description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 16
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 5
- 239000013077 target material Substances 0.000 claims description 5
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 4
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 claims description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 3
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 3
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 abstract description 12
- 230000008030 elimination Effects 0.000 abstract description 11
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 abstract description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 72
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 239000013068 control sample Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000012384 transportation and delivery Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002912 waste gas Substances 0.000 description 1
- 239000002351 wastewater Substances 0.000 description 1
Images
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
- C23C14/083—Oxides of refractory metals or yttrium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
- C23C14/086—Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/10—Glass or silica
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
- C23C14/352—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering using more than one target
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明公开了一种OLED的IMITO结构，包括玻璃基板、消影层和导电层，所述消影层设置在导电层与玻璃基板之间，消影层设置在玻璃基板上，导电层设置在消影层上。消影层包括TiO2膜层和SiO2膜层，TiO2膜层设置在玻璃基板上，SiO2膜层设置在TiO2膜层上，导电层设置在SiO2膜层上。本发明通过在ITO膜层下镀TiO2、SiO2材料达到消影的目的，即通过消影(IMITO)技术提升OELD的显影和视觉效果。本发明还公开了一种OLED消影镀膜方法，包括原材料清洗、TiO2镀膜、SiO2镀膜、ITO镀膜、膜层抛光、清洗检验和包装出货，玻璃基板在运输辊道上依次经过原材料清洗、TiO2镀膜、SiO2镀膜、ITO镀膜、膜层抛光、清洗检验和包装出货工序。
Description
技术领域
本发明属于显示技术领域，具体涉及一种OLED的IMITO结构及OLED消影镀膜方法。
背景技术
随着显示技术的多元化发展，OLED作为目前显示技术的前沿，已开始以超轻薄、低能耗、可视角度广、优质画质等特点对传统的LCD产品形成巨大冲击，尤其是中高端显示市场，将逐步取代LCD。OLED是指采用极薄的有机材料涂层和玻璃基板所构成且当电流通过时会发光的有机半导体，具有自发光特性。而我司拥有20年的镀膜技术经验，并且在2016年已开始研发和量产OELD产品所需要的重要部件——带导电的玻璃基材。现有带ITO的玻璃基材在蚀刻线路后，蚀刻痕明显，影响显影和视觉效果，不能满足OLED产品的需要。
发明内容
针对现有技术中存在的不足，本发明的目的在于提供一种OLED的IMITO结构，该种结构使OLED具有消影层，用来改善显影和视觉效果；本发明还提供了一种OLED消影镀膜方法。
为实现上述目的，本发明的技术方案为：一种OLED的IMITO结构，其特征在于：包括玻璃基板、消影层和导电层，所述消影层设置在导电层与玻璃基板之间，消影层设置在玻璃基板上，导电层设置在消影层上。
进一步的，所述消影层包括TiO2膜层和SiO2膜层，TiO2膜层设置在玻璃基板上，SiO2膜层设置在TiO2膜层上，导电层设置在SiO2膜层上。
进一步的，所述导电层为透明导电层，导电层包括ITO膜层，ITO膜层设置在SiO2膜层上。
进一步的，所述TiO2膜层采用的TiO2材料的折射率为2.0-2.6，SiO2膜层采用的SiO2材料的折射率为1.4-1.6。
进一步的，所述ITO膜层采用的ITO材料的折射率为1.8-2.2。
本发明还提供了一种OLED消影镀膜方法，包括原材料清洗、TiO2镀膜、SiO2镀膜、ITO镀膜、膜层抛光、清洗检验和包装出货，玻璃基板在运输辊道上依次经过原材料清洗、TiO2镀膜、SiO2镀膜、ITO镀膜、膜层抛光、清洗检验和包装出货工序。
进一步的，所述原材料清洗的具体操作为：通过镀膜清洗机清洗玻璃基板，玻璃基板在运输辊道上运行，在清洗段设有毛刷、高压喷淋和风刀，高压喷淋位于玻璃基板的上方和/或下方，毛刷和风刀与玻璃基板的表面接触，且毛刷和风刀能自行旋转，使用碱水和纯水对玻璃基板进行清洗；所述镀膜清洗机速度为4±2m/min，碱水的PH值为11±1，毛刷转速为300±50r/min，喷淋压力为35±5psi，风刀压力为5±2kpa。
进一步的，所述TiO2镀膜、SiO2镀膜和ITO镀膜具体操作为：采用磁控溅射镀膜，在真空条件下实现等离子体放电，利用电磁场控制带电粒子的运动，轰击被镀材料，从而在基片上沉积所需要的薄膜，镀膜靶材选用旋转Ti靶、旋转Si靶、旋转ITO靶，靶位配置为三对旋转Ti靶、三对旋转Si靶、四支旋转ITO靶来进行IM+ITO连续镀膜。
进一步的，所述TiO2镀膜、SiO2镀膜和ITO镀膜的镀膜过程中真空度控制在1pa以下，温度控制在300±50℃，并在Ti、Si、ITO靶位通入250±50Sccm的溅射气体Ar和在Ti、Si靶位通入150±50Sccm的反应气体O2，形成折射率为2.0-2.6的TiO2膜层，折射率为1.4-1.6的SiO2膜层，折射率为1.8-2.2的ITO膜层。
进一步的，所述膜层抛光时间控制在25±5S，抛光时用的下抛光垫的硬度为45HA。
采用本发明技术方案的优点为：
1、本发明通过在ITO膜层下镀TiO2、SiO2材料达到消影的目的，即通过消影(IMITO)技术提升OELD的显影和视觉效果，有效解决了现有OLED用ITO玻璃基材的蚀刻纹明显和膜层粗糙度差这两个问题，提高了OLED产品的视觉显示效果。
2、本发明通过消影(IMITO)技术和膜层抛光技术的结合来进一步提升OLED的显影和视觉效果，即在ITO膜层下镀TiO2、SiO2材料达到消影的目的，并通过抛光机在膜层表面进行抛光处理达到降低粗糙度的目的。
3、本发明通过设备调整可实现低电阻消影一次成型镀膜，有效的提高了生产效率，降低了生产成本，且生产工艺不产生废水、废气等有害物质，符合国家环保要求。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：
图1为本发明IMITO结构示意图；
图2为本发明玻璃基板镀膜示意图；
图3为本发明玻璃基板清洗示意图；
图4为现有OLED产品效果示意图；
图5本发明带IM的OLED产品效果示意图。
上述图中的标记分别为：1、玻璃基板；2、消影层；21、TiO2膜层；22、SiO2膜层；3、导电层；4、蚀刻纹；5、TiO2镀膜；6、SiO2镀膜；7、膜层抛光；8、运输辊道。
具体实施方式
在本发明中，需要理解的是，术语“长度”；“宽度”；“上”；“下”；“前”；“后”；“左”；“右”；“竖直”；“水平”；“顶”；“底”“内”；“外”；“顺时针”；“逆时针”；“轴向”；“平面方向”；“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位；以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
在本发明中TiO2+SiO2简称为IM，TiO2+SiO2+ITO简称为IMITO。
如图1至图5所示，一种OLED的IMITO结构，其特征在于：包括玻璃基板1、消影层2和导电层3，所述消影层2设置在导电层3与玻璃基板1之间，消影层2设置在玻璃基板1上，导电层3设置在消影层2上。消影层2包括TiO2膜层21和SiO2膜层22，TiO2膜层21设置在玻璃基板1上，SiO2膜层22设置在TiO2膜层21上，导电层3设置在SiO2膜层22上。导电层3为透明导电层，导电层3包括ITO膜层，ITO膜层设置在SiO2膜层22上。本发明通过在ITO膜层下镀TiO2、SiO2材料达到消影的目的，即通过消影(IMITO)技术提升OELD的显影和视觉效果。
优选的，TiO2膜层21采用的TiO2材料的折射率为2.0-2.6，SiO2膜层22采用的SiO2材料的折射率为1.4-1.6；ITO膜层采用的ITO材料的折射率为1.8-2.2。
本发明还公开了一种OLED消影镀膜方法，包括原材料清洗、TiO2镀膜、SiO2镀膜、ITO镀膜、膜层抛光、清洗检验和包装出货，玻璃基板1在运输辊道8上依次经过原材料清洗、TiO2镀膜5、SiO2镀膜6、ITO镀膜7、膜层抛光、清洗检验和包装出货工序。
原材料清洗的具体操作为：通过镀膜清洗机清洗玻璃基板1，玻璃基板1在运输辊道上运行，在清洗段设有毛刷、高压喷淋和风刀，高压喷淋位于玻璃基板1的上方和/或下方，毛刷和风刀与玻璃基板1的表面接触，且毛刷和风刀能自行旋转，使用碱水和纯水对玻璃基板1进行清洗；所述镀膜清洗机速度为4±2m/min，碱水的PH值为11±1，毛刷转速为300±50r/min，喷淋压力为35±5psi，风刀压力为5±2kpa。必须清洗达到要求后才可进行镀膜，否则强行镀膜，镀膜效果不好，镀膜质量无法得到保障，所以本发明对镀膜清洗机速度、碱水的PH值、毛刷转速、喷淋压力风刀压力进行控制，试验证明当镀膜清洗机速度、碱水的PH值、毛刷转速、喷淋压力风刀压力控制在本发明规定的范围内时可以很好的达到清洗要求，有利于后续的镀膜，且镀膜质量能够得到保证。
碱水清洗包括碱水槽体311、喷淋头Ⅰ312、毛刷Ⅰ313和风刀，喷淋头Ⅰ312位于OGM产品的上方，喷淋头Ⅰ312通过管路与碱水槽体311连接向玻璃基板上喷淋碱水，毛刷Ⅰ313安装在机架上，玻璃基板1的上下两面均设有毛刷Ⅰ313，毛刷Ⅰ313与玻璃基板的表面接触。
纯水清洗包括纯水槽体321、喷淋头Ⅱ322、毛刷Ⅱ323和风刀，喷淋头Ⅱ322位于OGM产品的上方，喷淋头Ⅱ322通过管路与纯水槽体321连接向玻璃基板上喷水，毛刷Ⅱ323安装在机架上，玻璃基板1的上下两面均设有毛刷Ⅱ323，毛刷Ⅱ323与玻璃基板的表面接触。毛刷的作用是接触玻璃，清洁玻璃表面脏污，增加清洗效果；喷淋头是以喷雾状提供清洗液。
TiO2镀膜、SiO2镀膜和ITO镀膜具体操作为：采用磁控溅射镀膜，磁控溅射是等离子体的真空沉积技术，在真空条件下实现等离子体放电，利用电磁场控制带电粒子的运动，轰击被镀材料，从而在基片上沉积所需要的薄膜，镀膜靶材选用旋转Ti靶、旋转Si靶、旋转ITO靶，靶位配置为三对旋转Ti靶、三对旋转Si靶、四支旋转ITO靶来进行IM+ITO连续镀膜。
TiO2镀膜、SiO2镀膜和ITO镀膜的镀膜过程中真空度控制在1pa以下，温度控制在300±50℃，并在Ti、Si、ITO靶位通入250±50Sccm的溅射气体Ar和在Ti、Si靶位通入150±50Sccm的反应气体O2，形成折射率为2.0-2.6的TiO2膜层，折射率为1.4-1.6的SiO2膜层22，折射率为1.8-2.2的ITO膜层，以保证膜层正常结晶和良好的电阻率。
镀膜的均匀性是通过控制膜层溅射和沉积的均匀性，其中通过控制靶材磁场的均匀性来达到获得均匀的溅射率，是通过控制靶材两侧阳极罩的开口距离来获得均匀的沉积率。
膜层抛光时间控制在25±5S，因为抛光时间过长易造成均匀性不佳，过短膜层粗糙度达不到减小的目的；抛光时用的下抛光垫的硬度为45HA，来改善由于抛光造成的划伤不良。本发明通过消影(IMITO)技术和膜层抛光技术的结合来进一步提升OLED的显影和视觉效果，即在ITO膜层下镀TiO2、SiO2材料达到消影的目的，并通过抛光机在膜层表面进行抛光处理达到降低粗糙度的目的。
在对OLED进行检验时制定相应的蚀刻痕管控样板(IMITO和IM的目视化对比样板)、光学(IM和IMITO的反射率：12.5±1.5％，IMITO色度a*：0±2，b*：-5±2，IM色度a*：-2±2，b*：0±2)、膜厚(ITO膜厚：135±15nm，IM膜厚：50±10nm)标准。将进行了消影镀膜和膜层抛光的OLED与上述标准进行对比，合格后的产品进行包装出货。
本发明有效解决了现有OLED用ITO玻璃基材的蚀刻纹明显和膜层粗糙度差这两个问题，提高了OLED产品的视觉显示效果。
通过图4可以看出现有的OLED产品显示的视觉效果带有蚀刻纹4，从图5可以看出采用本发明的消影方法制造的OLED产品显示的视觉效果中没有蚀刻纹4，显影和视觉效果好。
以上结合附图对本发明进行了示例性描述，显然本发明具体实现并不受上述方式的限制，只要采用了本发明技术方案进行的各种非实质性的改进，或未经改进将本发明的构思和技术方案直接应用于其它场合的，均在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种OLED的IMITO结构，其特征在于：包括玻璃基板(1)、消影层(2)和导电层(3)，所述消影层(2)设置在导电层(3)与玻璃基板(1)之间，消影层(2)设置在玻璃基板(1)上，导电层(3)设置在消影层(2)上。
2.如权利要求1所述的一种OLED的IMITO结构，其特征在于：所述消影层(2)包括TiO2膜层(21)和SiO2膜层(22)，TiO2膜层(21)设置在玻璃基板(1)上，SiO2膜层(22)设置在TiO2膜层(21)上，导电层(3)设置在SiO2膜层(22)上。
3.如权利要求2所述的一种OLED的IMITO结构，其特征在于：所述导电层(3)为透明导电层，导电层(3)包括ITO膜层，ITO膜层设置在SiO2膜层(22)上。
4.如权利要求2或3所述的一种OLED的IMITO结构，其特征在于：所述TiO2膜层(21)采用的TiO2材料的折射率为2.0-2.6，SiO2膜层(22)采用的SiO2材料的折射率为1.4-1.6。
5.如权利要求3所述的一种OLED的IMITO结构，其特征在于：所述ITO膜层采用的ITO材料的折射率为1.8-2.2。
6.一种OLED消影镀膜方法，其特征在于：包括原材料清洗、TiO2镀膜、SiO2镀膜、ITO镀膜、膜层抛光、清洗检验和包装出货，玻璃基板(1)在运输辊道上依次经过原材料清洗、TiO2镀膜、SiO2镀膜、ITO镀膜、膜层抛光、清洗检验和包装出货工序。
7.如权利要求6所述的一种OLED消影镀膜方法，其特征在于：所述原材料清洗的具体操作为：通过镀膜清洗机清洗玻璃基板(1)，玻璃基板(1)在运输辊道上运行，在清洗段设有毛刷、高压喷淋和风刀，高压喷淋位于玻璃基板(1)的上方和/或下方，毛刷和风刀与玻璃基板(1)的表面接触，且毛刷和风刀能自行旋转，使用碱水和纯水对玻璃基板(1)进行清洗；所述镀膜清洗机速度为4±2m/min，碱水的PH值为11±1，毛刷转速为300±50r/min，喷淋压力为35±5psi，风刀压力为5±2kpa。
8.如权利要求7所述的一种OLED消影镀膜方法，其特征在于：所述TiO2镀膜、SiO2镀膜和ITO镀膜具体操作为：采用磁控溅射镀膜，在真空条件下实现等离子体放电，利用电磁场控制带电粒子的运动，轰击被镀材料，从而在基片上沉积所需要的薄膜，镀膜靶材选用旋转Ti靶、旋转Si靶、旋转ITO靶，靶位配置为三对旋转Ti靶、三对旋转Si靶、四支旋转ITO靶来进行IM+ITO连续镀膜。
9.如权利要求8所述的一种OLED消影镀膜方法，其特征在于：所述TiO2镀膜、SiO2镀膜和ITO镀膜的镀膜过程中真空度控制在1pa以下，温度控制在300±50℃，并在Ti、Si、ITO靶位通入250±50Sccm的溅射气体Ar和在Ti、Si靶位通入150±50Sccm的反应气体O2，形成折射率为2.0-2.6的TiO2膜层，折射率为1.4-1.6的SiO2膜层(22)，折射率为1.8-2.2的ITO膜层。
10.如权利要求9所述的一种OLED消影镀膜方法，其特征在于：所述膜层抛光时间控制在25±5S，抛光时用的下抛光垫的硬度为45HA。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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