CN107357454A - 一种带有ito消影膜的触控屏的生产工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明是一种带有ITO消影膜的触控屏的生产工艺,包括以下步骤:首先对触控屏基板进行调质处理,然后用超声波进行清洗;在触控屏基板周边丝印油墨,然后在触控屏基板衬底上分别镀上Nb2O5和SiO2膜层作为消影层;然后再镀层ITO膜;对所述ITO膜层进行蚀刻,最后在导电膜层上压合柔性线路板,在导电膜层上实现柔性线路板的压合实现功能片。本发明在ITO膜层下方镀有由Nb2O5和SiO2组成的膜层,使刻蚀之后的触控屏表面ITO区域和非ITO区域的反射率非常接近,以减弱视觉反差,达到消影目的,并且镀有消影层的ITO触控膜在可见光范围内透过率均匀性较好,有利于获得更好的显示效果。
Description
技术领域
本发明涉及触控屏生产领域,尤其涉及一种带有ITO消影膜的触控屏的生产工艺。
背景技术
目前,智能手机、平板电脑等电子产品一般均采用触控屏,其生产工艺一般为在基板表面镀上ITO(氧化铟锡)导电层,并通过光刻等途径将ITO制成横向与纵向电极阵列,起感应作用,是式触控屏的触控核心部件。目前ITO图形制作普遍采用的是化学腐蚀的方法,ITO玻璃在蚀刻后,表面有ITO的区域的反射率和无ITO的区域的反射率相差较大,导致视觉反差明显,会在ITO传感器表面上看到ITO电极影,影响屏幕的整体显示效果和美观。
发明内容
本发明旨在解决现有技术的不足,而提供一种带有ITO消影膜的触控屏的生产工艺。
本发明为实现上述目的,采用以下技术方案:一种带有ITO消影膜的触控屏的生产工艺,其特征在于,包括以下步骤:
①对触控屏基板进行调质处理,调质温度设定为120℃~140℃,对触控屏基板进行热调质,调质时间20~30min;调质后,利用低压石英汞灯,对触控屏基板进行紫外线照射,并且采用抽风系统将照射区域气体排走;
②采用超声波对调质后的触控屏进行清洗;
③在触控屏基板的底面周边丝印油墨,形成油墨边框层,并对印有油墨的触控屏基板进行烘烤,所述油墨边框层围成视窗区;
④采用双靶中频反应磁控溅射的方法在触控屏基板衬底上分别镀上Nb2O5和SiO2膜层作为消影层;
⑤采用直流磁控溅镀的方法,在Nb2O5和SiO2膜层上镀一层ITO膜,采用的靶材是铟锡氧化物陶瓷靶,该ITO膜覆盖所述油墨边框层和视窗区;
⑥对所述ITO膜层进行蚀刻,形成ITO导电层;
⑦在导电膜层上压合柔性线路板。
特别的,所述步骤④中的SiO2膜采用高纯度硅靶材,纯度为99.99%,Nb2O5膜采用的是纯度为99.9%的铌靶。
特别的,所述步骤⑤中铟锡氧化物陶瓷靶中In2O3和SnO2的质量比为9:1,纯度为99.99%。
特别的,所述步骤④和所述步骤⑤中的镀膜过程中通入高纯氩气作为放电气体,通入高纯氧气作为反应气体。
特别的,所述触控屏基板为钠钙硅酸盐玻璃。
本发明的有益效果是:本发明在ITO膜层下方镀有由Nb2O5和SiO2组成的膜层,通过Nb2O5和SiO2的调节作用,使刻蚀之后的触控屏表面ITO区域和非ITO区域的反射率非常接近,以减弱视觉反差,达到消影目的,并且镀有消影层的ITO触控膜在可见光范围内透过率均匀性较好,有利于获得更好的显示效果。
附图说明
图1为本发明的ITO膜层与消影层的结构示意图;
图中:1-触控屏基板;2-Nb2O5膜层;3-SiO2膜层;4-ITO膜层;
以下将结合本发明的实施例参照附图进行详细叙述。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步说明:
实施例1
如图1所示,一种带有ITO消影膜的触控屏的生产工艺,其特征在于,包括以下步骤:
①对钠钙硅酸盐玻璃基板进行调质处理,调质温度设定为140℃,对触控屏基板进行热调质,调质时间30min;调质后,利用低压石英汞灯,对触控屏基板进行紫外线照射,并且采用抽风系统将照射区域气体排走;
②采用超声波对调质后的触控屏进行清洗;
③在触控屏基板的底面周边丝印油墨,形成油墨边框层,并对印有油墨的触控屏基板进行烘烤,所述油墨边框层围成视窗区;
④采用双靶中频反应磁控溅射的方法在触控屏基板衬底上分别镀上Nb2O5和SiO2膜层作为消影层,SiO2膜采用高纯度硅靶材,纯度为99.99%,Nb2O5膜采用的是纯度为99.9%的铌靶;
⑤采用直流磁控溅镀的方法,在Nb2O5和SiO2膜层上镀一层ITO膜,采用的靶材是铟锡氧化物陶瓷靶,In2O3和SnO2的质量比为9:1,纯度为99.99%,该ITO膜覆盖所述油墨边框层和视窗区;
⑥对所述ITO膜层进行蚀刻,形成ITO导电层;
⑦在导电膜层上压合柔性线路板。
特别的,所述步骤④和所述步骤⑤中的镀膜过程中通入高纯氩气作为放电气体,通入高纯氧气作为反应气体。
实施例2
一种带有ITO消影膜的触控屏的生产工艺,其特征在于,包括以下步骤:
①对钠钙硅酸盐玻璃基板进行调质处理,调质温度设定为120℃,对触控屏基板进行热调质,调质时间20min;调质后,利用低压石英汞灯,对触控屏基板进行紫外线照射,并且采用抽风系统将照射区域气体排走;
②采用超声波对调质后的触控屏进行清洗;
③在触控屏基板的底面周边丝印油墨,形成油墨边框层,并对印有油墨的触控屏基板进行烘烤,所述油墨边框层围成视窗区;
④采用双靶中频反应磁控溅射的方法在触控屏基板衬底上分别镀上Nb2O5和SiO2膜层作为消影层,SiO2膜采用高纯度硅靶材,纯度为99.99%,Nb2O5膜采用的是纯度为99.9%的铌靶;
⑤采用直流磁控溅镀的方法,在Nb2O5和SiO2膜层上镀一层ITO膜,采用的靶材是铟锡氧化物陶瓷靶,In2O3和SnO2的质量比为9:1,纯度为99.99%,该ITO膜覆盖所述油墨边框层和视窗区;
⑥对所述ITO膜层进行蚀刻,形成ITO导电层;
⑦在导电膜层上压合柔性线路板。
特别的,所述步骤④和所述步骤⑤中的镀膜过程中通入高纯氩气作为放电气体,通入高纯氧气作为反应气体。
上面结合附图对本发明进行了示例性描述,显然本发明具体实现并不受上述方式的限制,只要采用了本发明的方法构思和技术方案进行的各种改进,或未经改进直接应用于其它场合的,均在本发明的保护范围之内。
Claims (5)
1.一种带有ITO消影膜的触控屏的生产工艺,其特征在于,包括以下步骤:
①对触控屏基板进行调质处理,调质温度设定为120℃~140℃,对触控屏基板进行热调质,调质时间20~30min;调质后,利用低压石英汞灯,对触控屏基板进行紫外线照射,并且采用抽风系统将照射区域气体排走;
②采用超声波对调质后的触控屏基板进行清洗;
③在触控屏基板的底面周边丝印油墨,形成油墨边框层,并对印有油墨的触控屏基板进行烘烤,所述油墨边框层围成视窗区;
④采用双靶中频反应磁控溅射的方法在触控屏基板衬底上分别镀上Nb2O5和SiO2膜层作为消影层;
⑤采用直流磁控溅镀的方法,在Nb2O5和SiO2膜层上镀一层ITO膜,采用的靶材是铟锡氧化物陶瓷靶,该ITO膜覆盖所述油墨边框层和视窗区;
⑥对所述ITO膜层进行蚀刻,形成ITO导电层;
⑦在导电膜层上压合柔性线路板。
2.根据权利要求1所述的一种带有ITO消影膜的触控屏的生产工艺,其特征在于,所述步骤④中的SiO2膜采用高纯度硅靶材,纯度为99.99%,Nb2O5膜采用的是纯度为99.9%的铌靶。
3.根据权利要求2所述的一种带有ITO消影膜的触控屏的生产工艺,其特征在于,所述步骤⑤中铟锡氧化物陶瓷靶中In2O3和SnO2的质量比为9:1,纯度为99.99%。
4.根据权利要求3所述的一种带有ITO消影膜的触控屏的生产工艺,其特征在于,所述步骤④和所述步骤⑤中的镀膜过程中通入高纯氩气作为放电气体,通入高纯氧气作为反应气体。
5.根据权利要求4所述的一种带有ITO消影膜的触控屏的生产工艺,其特征在于,所述触控屏基板为钠钙硅酸盐玻璃。
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