JP2014525069A - 両面導電膜を製造するための新しいプロセス - Google Patents
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Abstract
本発明は、フラットパネル・ディスプレイを製造する分野に幅広く応用することができる、比較的高い透過率を有する両面導電膜に関する。可撓性透明膜は、ポリエチレンテレフタレートであり、可撓性透明膜は、1.4乃至1.5の屈折率を有する可撓性材料であり、硬化層は、可撓性透明膜の表面硬化処理層であり、可撓性透明膜の上面及び下面を塗布することにより作製され、接着剤層は、マグネトロン・スパッタリングにより硬化層の表面にスパッタリングされ、接着剤を形成する主たる目的は、硬化層と高屈折率誘電体層とを一緒により強固に接合することであり、高屈折率誘電体層は、1.8乃至2.5の屈折率を有する高屈折率材料で作製され、低屈折率誘電体層は、1.4乃至1.8の屈折率を有する低屈折率材料で作製される。
Description
本発明は、フラットパネル・ディスプレイを製造する分野に幅広く応用することができる、比較的高い透過率を有する両面導電膜に関する。
近年、フラットパネル・ディスプレイ技術が急速に発展し、特に、モバイル・タッチスクリーン、タブレット・タッチスクリーン及び他の電子デバイスの押しボタンが、伝統的な機械式ボタンからタッチボタンに変わり、その市場需要は、上昇傾向を示している。酸化インジウムスズ(ITO)は、タッチスクリーンの製造における重要な原料として、不足状態が続いている。
従来、タッチスクリーンの製造プロセスには、上部ライン及び下部ライン、すなわち両面の導電ITO膜が求められる。企業のプロセス期間が不安定である間、印刷及び積層における製品歩留まりは低く、一方でITO膜は高価な電子製品であるため、多くの不良品により企業の利益が低減し、さらには赤字も招いた。幾つかの企業は、より高い歩留まりを有するが、片面ITO膜を2層用いることは、利益幅を圧縮している。
近年、利益を上げ、かつコストを下げるために、幾つかの企業は、ITO膜に取って代わる新しい材料を探求しており、一方、他の企業は、タッチスクリーンの機能を変更することなく現状を打破する新しいプロセスを探求している。
上述の欠点を克服し、市場の需要を満たすために、本発明の1つの目的は、単層の可撓性透明基板の両面に導電膜を製造するためのプロセスを提供することである。
上述の目的を達成するために、本発明は、以下の技術的解決法を採用する。
両面導電膜を製造するための新しいプロセスを開示する。膜は、両面導電膜の中間層が可撓性透明膜であり、可撓性透明膜の上面に、順に、硬化層、接着剤層、高屈折率誘電体層、低屈折率誘電体層、及び酸化インジウムスズ透明導電層が配置され、可撓性透明膜の下面に、順に、硬化層、接着剤層、高屈折率誘電体層、低屈折率誘電体層、及び酸化インジウムスズ透明導電層が配置された構造を有する。両面導電膜を製造するためのプロセスを以下に説明する。
可撓性透明膜は、ポリエチレンテレフタレートであり、可撓性透明膜は、1.4乃至1.5の屈折率を有する可撓性材料である。
硬化層は、可撓性透明膜の表面硬化処理層であり、かつ、可撓性透明膜の上面及び下面に塗布することにより作製される。
接着剤層は、マグネトロン・スパッタリングにより硬化層の表面にスパッタリングされ、接着剤を形成する主たる目的は、硬化層と高屈折率誘電体層を一緒により強固に接合することである。
高屈折率誘電体層は、1.8乃至2.5の屈折率を有する高屈折率材料で作製される。
低屈折率誘電体層は、1.4乃至1.8の屈折率を有する低屈折率材料で作製される。
酸化インジウムスズ透明導電層は、マグネトロン・スパッタリングにより、酸化インジウムスズをターゲット表面から低屈折率誘電体層に衝突させ、スパッタリングすることによって得られ、酸化インジウムスズのセラミックターゲットのIn2O3とSnO2は、99/1乃至90/10である特定の重量比に従って、一緒にドープされる。
硬化層は、可撓性透明膜の表面硬化処理層であり、かつ、可撓性透明膜の上面及び下面に塗布することにより作製される。
接着剤層は、マグネトロン・スパッタリングにより硬化層の表面にスパッタリングされ、接着剤を形成する主たる目的は、硬化層と高屈折率誘電体層を一緒により強固に接合することである。
高屈折率誘電体層は、1.8乃至2.5の屈折率を有する高屈折率材料で作製される。
低屈折率誘電体層は、1.4乃至1.8の屈折率を有する低屈折率材料で作製される。
酸化インジウムスズ透明導電層は、マグネトロン・スパッタリングにより、酸化インジウムスズをターゲット表面から低屈折率誘電体層に衝突させ、スパッタリングすることによって得られ、酸化インジウムスズのセラミックターゲットのIn2O3とSnO2は、99/1乃至90/10である特定の重量比に従って、一緒にドープされる。
接着剤層は、Si3N4、SiO及びSiO2からなる群から選択される材料で作製される。
高屈折率誘電体層の高屈折率材料は、好ましくはNb2O5である。
低屈折率誘電体層の低屈折率材料は、好ましくはSiO2である。
酸化インジウムスズのセラミックターゲットのIn2O3とSnO2の重量比は、好ましくは、97/3、95/5及び90/10のうちの1つから選択される。
本開示の有益な効果は、以下の通りである。
本開示により製作された製品は、可視光において最大85%の透過率を有し、150℃での焼鈍後、両面の表面抵抗は150Ω/sq乃至30Ω/sqであり、両面の表面抵抗は共に、150Ω/sq、200Ω/sq又は260Ω/sq等とすることができる。例えば、一方の面は150Ω/sqであり、他方の面は200Ω/sqである。表面抵抗の一様性は、±20Ω/sqであり、色差ΔR、すなわち、ITO層あり及びITO層なしの可視反射率の差は、0.7%±0.3%であり、ITO膜の市場の要件を満足することができる。
本発明の特徴や優れた点、動作原理を詳細に説明するため、以下のように図面を参照して具体的な実施形態についてさらに説明する。ただし、本発明の保護範囲はこれらに限られるものではない。
両面導電膜を製造するための新しいプロセスが開示される。膜は、両面導電膜の中間層が可撓性透明膜1であり、かつ、可撓性透明膜1の上面には、順に、硬化層2、接着剤層3、高屈折率誘電体層4、低屈折率誘電体層5、及び酸化インジウムスズ透明導電層6が配置され、可撓性透明膜1の下面には、順に、硬化層2、接着剤層3、高屈折率誘電体層4、低屈折率誘電体層5、及び酸化インジウムスズ透明導電層6が配置された構造を有する。両面導電膜を製造するためのプロセスを以下に説明する。
可撓性透明膜1は、ポリエチレンテレフタレートであり、可撓性透明膜1は、1.4乃至1.5の屈折率を有する可撓性材料である。
硬化層2は、可撓性透明膜1の表面硬化処理層であり、硬化層2は、可撓性透明膜1の上面及び下面に塗布することにより作製される。
接着剤層3は、マグネトロン・スパッタリングにより硬化層2の表面にスパッタリングされ、接着剤を形成する主たる目的は、硬化層2と高屈折率誘電体層4を一緒により強固に接合することである。
高屈折率誘電体層4は、1.8乃至2.5の屈折率を有する高屈折率材料で作製される。
低屈折率誘電体層5は、1.4乃至1.8の屈折率を有する低屈折率材料で作製される。
酸化インジウムスズ透明導電層6は、マグネトロン・スパッタリングにより、ターゲット表面から低屈折率誘電体層5に酸化インジウムスズを衝突させ、スパッタリングすることによって得られ、酸化インジウムスズのセラミックターゲットのIn2O3とSnO2は、99/1から90/10までの間である特定の重量比に従って一緒にドープされる。
硬化層2は、可撓性透明膜1の表面硬化処理層であり、硬化層2は、可撓性透明膜1の上面及び下面に塗布することにより作製される。
接着剤層3は、マグネトロン・スパッタリングにより硬化層2の表面にスパッタリングされ、接着剤を形成する主たる目的は、硬化層2と高屈折率誘電体層4を一緒により強固に接合することである。
高屈折率誘電体層4は、1.8乃至2.5の屈折率を有する高屈折率材料で作製される。
低屈折率誘電体層5は、1.4乃至1.8の屈折率を有する低屈折率材料で作製される。
酸化インジウムスズ透明導電層6は、マグネトロン・スパッタリングにより、ターゲット表面から低屈折率誘電体層5に酸化インジウムスズを衝突させ、スパッタリングすることによって得られ、酸化インジウムスズのセラミックターゲットのIn2O3とSnO2は、99/1から90/10までの間である特定の重量比に従って一緒にドープされる。
接着剤層3は、Si3N4、SiO及びSiO2から成る群から選択される材料で作製される。
高屈折率誘電体層4の高屈折率材料は、Nb2O5であることが好ましい。
低屈折率誘電体層5の低屈折率材料は、SiO2であることが好ましい。
酸化インジウムスズのセラミックターゲットのIn2O3とSnO2の重量比は、97/3、95/5及び90/10のうちの1つから選択されることが好ましい。
図2は、本発明によるプロセス装置、マグネトロン・スパッタリングのロール塗布装置の概略図である。基本原理は、アルゴンが塗布チャンバ内に充填されると、電磁場の影響下で、グロー放電によってアルゴンイオンが発生し、アルゴンイオンがターゲット表面に衝突し、ターゲット粒子をスパッタ放出し、次いで酸素又は窒素などのプロセスガスと反応し、所望の化合物を生成し、最終的に、化合物が基板の表面上に堆積されるというものである。本発明において、ターゲットの生成及び最大電力を考慮して、膜の巻き取り速度は1.4m/分に設定されるが、これに限定されるものではない。膜の張力は、巻き取りローラ15の巻き取りが整っているか又はしわが寄っているかに応じて、500N±200Nの範囲内になるように調整される。ターゲットと基板との距離、すなわち、ターゲットの表面と基板の表面との間の距離は、プロセスにより100mmに固定される。塗布前、可撓性膜1を300℃の温度でIR加熱して、膜内に含まれる水蒸気を除去し、次いで、膜の表面を前処理し、すなわち、アルゴンのグロー放電により発生したプラズマを表面に衝突させ、不純物を除去する。グロー放電の電力は、0.5kw乃至2kwになるように制御される。
図2を参照すると、巻き出しローラ7は、硬化層2を有する可撓性透明膜1を位置決めするためのローラである。ローラ8は、可撓性透明膜1を前後に回転させるのに用いられる。標示9は、硬化層2を有する可撓性透明膜1を示す。可撓性透明膜1は、塗布ドラム10の表面に強固に取り付けられる。マグネトロン・スパッタリングの電力は高く、多くの熱を発生させるので、塗布ドラム10の表面温度は−15℃乃至25℃に調整され、これにより余分な熱を取り除き、標示9(硬化層2を有する可撓性透明膜1)が、高温のためにしわが寄るのを防止することができる。ターゲット11は、厚さ5nm乃至15nmの接着剤層3をスパッタリングするためのターゲットである。硬化層2を有する可撓性透明膜1がスパッタリング・ターゲット11を通り過ぎると、次にターゲット12を通り過ぎて、高屈折率誘電体層4を厚さ20nm未満にスパッタリングする。ターゲット13は、低屈折率誘電体層5を厚さ100nm未満にスパッタリングするのに用いられる。低屈折率誘電体層5の厚さに従って、ターゲットの数は1に限定されず、例えば、1乃至3とすることができる。最後に、ターゲット14を用いて、酸化インジウムスズ透明導電層6を厚さ30nm未満にスパッタリングする。
導電膜の一方の側を塗布した後、次に他方の側が塗布される。巻き取りの際、ローラが、塗布されたITOを損傷しないように、塗布されたITOは、150℃の高温に耐える保護膜により覆われる。他方の側を塗布する際、需要に従って、膜の速度及び張力、各ターゲットの電力、ガス含有量を、必要に応じて定めることができる。他方の側の表面抵抗は、150Ω/sq乃至300Ω/sqであり、表面抵抗の一様性は±20Ω/sqであり、色差ΔR、すなわちITO層あり及びITO層なしの可視反射率の差は、0.7%±0.3%である。
1:可撓性透明膜
2:硬化層
3:接着剤層
4:高屈折率誘電体層
5:低屈折率誘電体層
6:酸化インジウムスズ透明導電層
7:巻き出しローラ
8:ローラ
9:硬化層2を有する可撓性透明膜1
10:塗布ドラム
11、12、13、14:ターゲット
15:巻き取りローラ
2:硬化層
3:接着剤層
4:高屈折率誘電体層
5:低屈折率誘電体層
6:酸化インジウムスズ透明導電層
7:巻き出しローラ
8:ローラ
9:硬化層2を有する可撓性透明膜1
10:塗布ドラム
11、12、13、14:ターゲット
15:巻き取りローラ
Claims (5)
- 両面導電膜を製造するための新しいプロセスであって、前記膜は、前記両面導電膜の中間層が可撓性透明膜(1)であり、前記可撓性透明膜(1)の上面に、順に、硬化層(2)、接着剤層(3)、高屈折率誘電体層(4)、低屈折率誘電体層(5)、及び酸化インジウムスズ透明導電層(6)が配置され、かつ、前記可撓性透明膜(1)の下面に、順に、前記硬化層(2)、前記接着剤層(3)、前記高屈折率誘電体層(4)、前記低屈折率誘電体層(5)、及び前記酸化インジウムスズ透明導電層(6)が配置された構造を有し、
前記可撓性透明膜(1)は、ポリエチレンテレフタレートであり、かつ、1.4乃至1.5の屈折率を有する可撓性材料であり、
前記硬化層(2)は、前記可撓性透明膜(1)の表面硬化処理層であり、かつ、前記可撓性透明膜(1)の上面及び下面を塗布することにより作製され、
前記接着剤層(3)は、マグネトロン・スパッタリングにより前記硬化層(2)の表面上にスパッタリングされ、接着剤を形成する主たる目的は、前記硬化層(2)と前記高屈折率誘電体層(4)とを一緒により強固に接合することであり、
前記高屈折率誘電体層(4)は、1.8乃至2.5の屈折率を有する高屈折率材料で作製され、
前記低屈折率誘電体層(5)は、1.4乃至1.8の屈折率を有する低屈折率材料で作製され、
前記酸化インジウムスズ透明導電層(6)は、マグネトロン・スパッタリングにより酸化インジウムスズをターゲット表面から前記低屈折率誘電体層(5)に衝突させ、スパッタリングすることによって得られ、酸化インジウムスズのセラミックターゲットのIn2O3とSnO2は、99/1乃至90/10である特定の重量比により一緒にドープされることを特徴とする、新しいプロセス。 - 前記接着剤層(3)は、Si3N4、SiO及びSiO2からなる群から選択される材料で作製されることを特徴とする、請求項1に記載のプロセス。
- 前記高屈折率誘電体層(4)の前記高屈折率材料は、好ましくはNb2O5であることを特徴とする、請求項1に記載のプロセス。
- 前記低屈折率誘電体層(5)の前記低屈折率材料は、好ましくはSiO2であることを特徴とする、請求項1に記載のプロセス。
- 前記酸化インジウムスズのセラミックターゲットのIn2O3とSnO2の前記重量比は、好ましくは、97/3、95/5及び90/10のうちの1つから選択されることを特徴とする、請求項1に記載のプロセス。
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