JP2014111843A - 透明導電性薄膜の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 得られる結晶性透明導電性膜の抵抗値のばらつきを低減し、安定生産を可能と
する透明導電性膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】 酸化インジウム・酸化スズを主成分とするターゲットを用いて、気相法に
より透明導電性薄膜を透明フィルム基材上に形成する透明導電性薄膜の製造方法であって
、アルゴンガスと窒素ガスと水蒸気ガスとを含み、窒素ガスの含有量がアルゴンガスに対
して２５００ｐｐｍ〜８５００ｐｐｍの範囲内であり、かつ、水蒸気ガスの含有量がアル
ゴンガスに対して１４５０ｐｐｍ〜１３５００ｐｐｍの範囲内であるアルゴン雰囲気中で
成膜が行われる透明導電性薄膜の製造方法。
【選択図】 なし

Description

本発明は、透明導電性薄膜の製造方法に関する。前記透明導電性薄膜は、液晶ディスプ
レイ、エレクトロルミネッセンスディスプレイなどの新しいディスプレイ方式やタッチパ
ネルなどの透明電極のほか、透明物品の帯電防止や電磁波遮断などのために用いられてい
る。

従来より、透明導電性薄膜としては、透明性に優れていることから、酸化インジウム・
酸化スズ（ＩＴＯ）薄膜が用いられている。透明導電性薄膜は、上記用途に用いられるが
、例えば、タッチパネル等に適用される場合には、位置検出精度の点から、抵抗値が高い
ことが望まれる場合がある。また、透明導電性薄膜は、上記用途に用いられることから、
高温・高湿の環境下における信頼性（抵抗値の変化率が小さい方が信頼性が高い）を満足
することが求められる。また、透明導電性薄膜は、信頼性を向上させるために、当該膜を
形成したのち、当該膜を結晶化させることができる。

しかし、酸化インジウム・酸化スズ薄膜を用いた透明導電性薄膜は、抵抗値が低く、ま
た前記信頼性も十分でない。前記信頼性については、透明導電性薄膜の膜厚を厚くするこ
とにより、改良することができるが、前記膜厚を厚くすると、透明性や抵抗値が低下する
ため好ましくない。また、酸化インジウム・酸化スズ薄膜における酸化スズの割合を多く
することで、透明導電性薄膜の前記信頼性を向上することができるが、酸化スズの割合を
多くしすぎると、結晶化に要する時間が非常に長くなる点で好ましくない。

上記問題に対して、酸化インジウム・酸化スズ薄膜に窒素をドーピングすることが提案
されている（例えば、特許文献１参照）。かかる特許文献１には、窒素を含有する透明導
電性薄膜は、酸化インジウム・酸化スズに対して、窒素含有量で少なくとも０．２５重量
％以上含有させることで、透明導電性薄膜の抵抗値や前記信頼性を向上させる効果を有す
ることが記載されている。しかし、特許文献１に記載されている透明導電性薄膜は、アモ
ルファスなものであり、これを、結晶化して、前記信頼性をより向上させるための、結晶
化に要する時間が非常に長い。

そこで、従来、上記問題に対して、窒素ガスを０．４５原子％以下の割合でドーピング
した結晶性透明導電性膜が提案されている（例えば、特許文献２参照）。特許文献２の結
晶性透明導電性膜では、酸化インジウム・酸化スズに対する窒素の含有比率を０．４５原
子％以上にすることで、高抵抗を有し、且つ、高温・高湿の環境下における信頼性を良好
としている。

特開平４−３０８６１２号公報 特開２００７−２００８２３号公報

特許文献２に記載の結晶性透明導電性膜は、窒素ガスを、アルゴンガスと窒素ガスの合
計に対して、３０００ｐｐｍ〜１３０００ｐｐｍの範囲で含むアルゴン雰囲気中において
、酸化インジウムと酸化スズとの混合物の焼結体を透明導電性薄膜形成材料に用いて気相
法により、酸化インジウムと酸化スズの合計に対して酸化スズを９重量％以下の割合で含
有する酸化インジウム・酸化スズを成膜して形成している。しかしながら、特許文献２に
記載の結晶性透明導電性膜の製造方法のように、アルゴン雰囲気中に窒素ガスを含有させ
ると、得られる結晶性透明導電性膜の抵抗値にばらつきが発生する場合があるという新た
な課題が生じ、安定生産の観点で改善の余地があった。

本発明は、上述した課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、得られる結晶性透
明導電性膜の抵抗値のばらつきを低減し、安定生産を可能とする透明導電性膜の製造方法
を提供することにある。

以上のような目的を達成するために、本発明者らは、透明導電性薄膜の製造方法につい
て鋭意研究を行った。その結果、アルゴン雰囲気中に窒素を含有させる際、アルゴン雰囲
気中の水蒸気ガスの含有量を特定の範囲内とすることにより、製造される結晶性透明導電
性薄膜の抵抗値のばらつきが改善されることを見出し、本発明を完成するに至った。

すなわち、本発明の透明導電性薄膜の製造方法は、酸化インジウム・酸化スズを主成分
とするターゲットを用いて、気相法により透明導電性薄膜を透明フィルム基材上に形成す
る透明導電性薄膜の製造方法であって、アルゴンガスと窒素ガスと水蒸気ガスとを含み、
前記窒素ガスの含有量がアルゴンガスに対して２５００ｐｐｍ〜８５００ｐｐｍの範囲内
であり、かつ、前記水蒸気ガスの含有量がアルゴンガスに対して１４５０ｐｐｍ〜１３５
００ｐｐｍの範囲内であるアルゴン雰囲気中で成膜が行われることを特徴とする。

前記構成によれば、当該透明導電性薄膜を気相法で成膜するにあたり、窒素ガスをアル
ゴンガスに対して２５００ｐｐｍ〜８５００ｐｐｍの範囲内で含有するアルゴン雰囲気中
で行う。アルゴン雰囲気中における、窒素ガスの割合が２５００ｐｐｍ以上であるため、
成膜される透明導電性薄膜に含有させる窒素量を充分とすることができ、抵抗値を向上さ
せることができる。また高温・高湿の環境下における信頼性を充分なものとすることかで
きる。一方、アルゴン雰囲気中における、窒素ガスの割合が８５００ｐｐｍ以下であるた
め、透明導電性薄膜を結晶化させる際には、その工程を短時間とすることができ、製造効
率を良好とすることができる。

また、当該透明導電性薄膜を気相法で成膜するにあたり、水蒸気ガスをアルゴンガスに
対して１４５０ｐｐｍ〜１３５００ｐｐｍの範囲内で含有するアルゴン雰囲気中で行う。
上述のように、高抵抗の透明導電性膜を得るために、成膜時のアルゴン雰囲気中に窒素ガ
スを添加する場合、成膜室内のアルゴン雰囲気中の水分量（水蒸気ガスの量）が少ないと
、僅かにその水分量に変化があった場合でも、当該透明導電性薄膜を結晶化させることに
より得られる結晶性透明導電性膜の抵抗値が大きく変化してしまう。一方、成膜室内のア
ルゴン雰囲気中の水分量を多くすると、前記結晶性透明導電性膜の抵抗値のばらつきは抑
制されるが、加熱処理による結晶化が起こり難くなる。本発明では、アルゴン雰囲気中に
おける、水蒸気ガスの割合が１４５０ｐｐｍ以上であるため、当該透明導電性薄膜を結晶
化させることにより得られる結晶性透明導電性膜の抵抗値のばらつきが低減され、安定生
産が可能となる。一方、アルゴン雰囲気中における、水蒸気ガスの割合が１３５００ｐｐ
ｍ以下であるため、透明導電性薄膜を結晶化させる際には、その工程を短時間とすること
ができ、製造効率を良好とすることができる。

前記構成において、前記ターゲットは、酸化インジウムと酸化スズの合計に対して酸化
スズを１〜９重量％の範囲内で含有することが好ましい。酸化インジウムと酸化スズの合
計に対して酸化スズを１〜９重量％の範囲内で含有する酸化インジウム・酸化スズを成膜
し、酸化スズを含有させることによる抵抗値の低下が小さくなるように制御しているため
、成膜される透明導電性薄膜の抵抗値を高くすることができる。

また、本発明の結晶性透明導電性薄膜の製造方法は、前記に記載の透明導電性薄膜の製
造方法により得られた透明導電性薄膜を加熱処理して結晶化する結晶化工程を有すること
を特徴とする。透明導電性薄膜に含有されている窒素ガス及び水蒸気ガスの割合が一定量
以下であるため、その後に行われる結晶化工程を短時間とすることができ、製造効率を良
好とすることができる。

前記構成においては、前記結晶化工程における加熱処理条件が、１２０〜１５５℃で、
２．５時間以下であることが好ましい。結晶化工程における加熱処理条件は、例えば、透
明導電性薄膜を形成する透明フィルム基材として、プラスチック基材を用いる場合には、
高温になると、フィルム基材の性能を損なうおそれがあること、一方、ある程度の加熱温
度でないと、結晶化速度が遅くなり製造効率が低下することから、前記結晶化工程におけ
る加熱温度は、１２０〜１５５℃が好ましい。なお、本発明では、結晶化工程が施される
透明導電性薄膜は窒素を含有しているものの、その含有量は微量であり、結晶化速度を損
なわせるものではない。したがって、前記加熱温度の範囲であれば、結晶化工程を、好ま
しくは２．５時間以下で行うことができ、結晶化工程を効率よく行うことができる。

本実施形態に係る透明導電性薄膜の製造方法では、まず、酸化インジウム・酸化スズを
主成分とするターゲットを用い、アルゴンガスと窒素ガスと水蒸気ガスとを含み、前記窒
素ガスの含有量がアルゴンガスに対して２５００ｐｐｍ〜８５００ｐｐｍの範囲内であり
、前記水蒸気ガスの含有量がアルゴンガスに対して１４５０ｐｐｍ〜１３５００ｐｐｍの
範囲内であるアルゴン雰囲気中において、気相法により成膜して、透明導電性薄膜を形成
する。これにより、窒素が透明導電性薄膜中に含有される。

また、本実施形態に係る透明導電性薄膜の製造方法では、酸化インジウム・酸化スズを
主成分とするターゲットを用いるため、高温・高湿の環境下における信頼性を良好とする
ことができる。ターゲットには、酸化スズの割合が、酸化インジウムと酸化スズの合計に
対して１〜９重量％の範囲内となるように混合し、焼結したものを用いるのが好ましい。
前記酸化スズの前記割合は、２〜９重量％であるのが好ましく、３〜８重量％であること
がより好ましい。酸化スズの前記割合を９重量％以下とすることにより、酸化スズを含有
させることによる抵抗値の低下が抑制される。また、結晶化速度の低下を抑制することか
できる。なお、一般的には、ターゲットにおける酸化インジウムと酸化スズとの比率は、
形成される透明導電性薄膜中の組成比と略同一となる。前記ターゲットに含有される酸化
インジウム・酸化スズ以外の副成分としては、例えば、チタン、亜鉛、銅、アンチモン、
ツリウム、リチウム、マグネシウム等を挙げることができる。前記副成分の含有量として
は、酸化インジウム・酸化スズに対して、１〜１０重量％であることが好ましい。

気相法としては、各種手段を採用できるが、例えば、電子ビーム蒸着法、スパッタ法、
イオンプレーティング法等があげられる。これらのなかでも、均一な薄膜が得られる点か
ら、スパッタ法が好ましい。スパッタ法を採用する場合には、ＤＣマグネトロンスパッタ
法を採用できる。

アルゴン雰囲気における窒素ガスの含有量は、前記の通り、アルゴンガスに対して、容
量比で、２５００ｐｐｍ〜８５００ｐｐｍの範囲内であり、２５００ｐｐｍ〜８０００ｐ
ｐｍであることが好ましく、３０００ｐｐｍ〜６５００ｐｐｍであることがより好ましい
。アルゴン雰囲気中における、窒素ガスの割合が２５００ｐｐｍ以上であるため、成膜さ
れる透明導電性薄膜に含有させる窒素量を充分とすることができ、抵抗値を向上させるこ
とができる。また高温・高湿の環境下における信頼性を充分なものとすることができる。
一方、アルゴン雰囲気中における、窒素ガスの割合が８５００ｐｐｍ以下であるため、透
明導電性薄膜を結晶化させる際には、その工程を短時間とすることができ、製造効率を良
好とすることができる。

また、アルゴン雰囲気における水蒸気ガスの含有量は、前記の通り、アルゴンガスに対
して、容量比で、１４５０ｐｐｍ〜１３５００ｐｐｍの範囲内であり、１５００ｐｐｍ〜
１２０００ｐｐｍであることが好ましく、２０００ｐｐｍ〜１００００ｐｐｍであること
がより好ましい。アルゴン雰囲気中における、水蒸気ガスの割合が１４５０ｐｐｍ以上で
あるため、成膜される透明導電性薄膜の抵抗値のばらつきが低減され、安定生産が可能と
なる。特に、透明導電性薄膜をロールに巻取りながら連続的に製造する場合に、長尺の透
明導電性薄膜全体での抵抗値のばらつきが低減され、安定生産が可能となる。一方、アル
ゴン雰囲気中における、水蒸気ガスの割合が１３５００ｐｐｍ以下であるため、透明導電
性薄膜を結晶化させる際には、その工程を短時間とすることができ、製造効率を良好とす
ることができる。

アルゴン雰囲気における水蒸気ガスの前記含有量を１４５０ｐｐｍ〜１３５００ｐｐｍ
の範囲内に制御する方法としては、例えば、従来公知の成膜装置（例えば、電子ビーム蒸
着装置、スパッタリング装置、イオンプレーティング装置）にアルゴン雰囲気中の水蒸気
ガスの含有量を制御する手段を採用することにより制御することができる。具体的には、
成膜装置の成膜室内に水蒸気ガスを供給する水供給手段、及び、前記成膜室内の水蒸気ガ
スを排気する排気手段を設けるとともに、前記成膜室内の水蒸気ガスの濃度を測定する水
蒸気ガス濃度測定装置を設ける。そして、水蒸気ガス濃度測定装置により得られた水蒸気
ガスの濃度に基づいて、水供給手段により水蒸気ガスを供給、又は、排気手段により水蒸
気ガスを排気する方法が挙げられる。このような制御は、ＣＰＵ、ＲＡＭ等を備える制御
装置を用いて行うことができる。

前記アルゴン雰囲気中には、窒素ガス及び水蒸気ガスの他に、酸素ガスを含有すること
ができる。酸素ガスの含有量は、特に制限されないが、アルゴンガスに対して、容量比で
、２００００ｐｐｍ以下、さらには３０００ｐｐｍ〜２００００ｐｐｍである。酸素ガス
の前記含有量を２００００ｐｐｍ以下とし、酸素ガスの割合が多くならないようにするこ
とにより、後述の加熱処理による結晶化を良好とすることができる。

形成する透明導電性薄膜の膜厚としては、通常１０ｎｍ以上とすることができ、好まし
くは１０〜３００ｎｍ、より好ましくは１５〜１００ｎｍ、さらに好ましくは２０〜７０
ｎｍである。前記膜厚を１０ｎｍ以上とすることにより、表面電気抵抗が一定値以下（例
えば、１×１０³Ω／□以下）となる良好な導電性を有する連続被膜を得やすい。一方、
前記膜厚を３００ｎｍ以下とすることにより、透明性を高く維持することかできる。

本実施形態に係る透明導電性薄膜の製造方法では、次いで、前記透明導電性薄膜を加熱
処理して結晶化する。前記結晶化工程における加熱処理条件は、１２０〜１５５℃で、２
．５時間以下であることが好ましい。透明導電性薄膜を形成するフィルム基材として、プ
ラスチック基材を用いる場合、高温になると、フィルム基材の性能を損なうおそれがある
。一方、ある程度の加熱温度でないと、結晶化速度が遅くなり製造効率が低下する。そこ
で、前記結晶化工程における加熱温度は、１２０〜１５５℃が好ましく、より好ましくは
、１３５〜１５５℃、さらに好ましくは１４０〜１５５℃である。また、結晶化工程が施
される透明導電性薄膜は窒素を含有しているものの、その含有量は微量であり、結晶化速
度を損なわせるものではない。したがって、前記加熱温度の範囲であれば、結晶化工程を
、好ましくは２．５時間以下、より好ましくは２時間以下、さらに好ましくは１．５時間
以下で行うことができ、結晶化工程を効率よく行うことができる。

上記製造方法では、透明導電性薄膜中の結晶の割合は、５０面積％以上とすることがで
きる。前記結晶の割合を、５０面積％以上とすることにより、高温・高湿の環境下におけ
る信頼性を高く維持することができる。前記結晶の割合は、７０面積％以上であることが
好ましく、８０面積％以上であることがより好ましい。また、全て結晶とすることもでき
る。結晶化の確認方法としては、基材上にＩＴＯ膜が形成された積層体を１４０℃の加熱
オーブン中で９０分間加熱し、取り出した積層体について、塩酸に浸漬後の抵抗値により
結晶化の完了を判断することができる。

また、上記製造方法では、透明導電性薄膜を形成する結晶の最大粒径は３５０ｎｍ以下
とすることができる。前記最大粒径は２５０ｎｍ以下、さらには１５０ｎｍ以下であるこ
とが好ましい。また、前記結晶の最大粒径は、前記薄膜中に非結晶状態に類似した部分が
多くなり、高温・高湿の環境下における信頼性が低下することを抑制する観点から、結晶
粒径が極端に小さくなりすぎないようにするため、１０ｎｍ以上であることが好ましく、
３０ｎｍ以上であることがより好ましい。

結晶の最大粒径および分布は、電界放出型透過型電子顕微鏡（ＦＥ−ＴＥＭ）により導
電性薄膜を表面観察することにより決定される。結晶の最大粒径は、観察される多角形状
または長円形状の各領域における、対角線または直径の最大のものである。また、前記最
大粒径を有する結晶の含有量は、具体的には、前記電子顕微鏡画像において単位面積（１
．５μｍ×１．５μｍ）当たり、各粒径の結晶が占める面積である。

上記製造方法により、各種基材上に、酸化インジウム・酸化スズを主成分とする透明導
電性薄膜を形成することができる。例えば、透明フィルム基材の片面に、透明導電性薄膜
を形成することができ、これにより透明導電性フィルムが得られる。

前記透明フィルム基材は、その材質に特に限定はなく、適宜なものを使用することがで
きる。具体的には、ポリエステル系樹脂、アセテート系樹脂、ポリエーテルスルホン系樹
脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリオレフィン系
樹脂、シクロオレフィン系樹脂、アクリル系樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂、ポリスチレン
系樹脂、ポリビニルアルコール系樹脂、ポリアリレート系樹脂、ポリフェニレンサルファ
イド系樹脂、ポリ塩化ビニリデン系樹脂、（メタ）アクリル系樹脂などが挙げられる。こ
れらの中でも、特に好ましいものは、ポリエステル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポ
リオレフィン系樹脂などである。

透明導電性フィルムに使用する透明フィルム基材としては、透明なフィルム状シートを
１枚用いる、または、２枚以上の透明なフィルム状シートを、粘着剤層を介して貼り合わ
せた積層体を用いる。

透明フィルム基材の厚みは、２０〜３００μｍ程度であることが好ましい。より好まし
くは２０〜２００μｍである。透明フィルム基材の厚みを２０μｍ以上とすることにより
、高温・高湿の環境下における信頼性や加工性を良好なものとすることができる。また、
透明フィルム基材の厚みを３００μｍ以下とすることにより、タッチパネルに採用する場
合にタッチパネル部位を小さくすることができるとともに、タッチパネル入力特性として
、軽加重とすることができる。

また、透明フィルム基材が、２枚以上の透明なフィルム状シートの積層体である場合に
は、各フィルム状シートの厚さ、材料を適宜に選択することができるが、少なくとも一方
は、２０〜１２５μｍであるのが好ましい。

透明フィルム基材を、透明なフィルム状シートの積層体とする場合に用いる粘着剤層と
しては、透明性を有するものを特に制限なく使用できる。たとえば、アクリル系粘着剤、
シリコーン系粘着剤、ゴム系粘着剤などが用いられる。粘着剤層は、透明基体の接着後そ
のクッション効果により、フィルム状シートの一方の面に設けられた透明導電性薄膜の耐
擦傷性やタッチパネル用としての打点特性を向上させる機能を有する。この機能をより良
く発揮させる観点から、粘着剤層の弾性係数を１〜１００Ｎ／ｃｍ²の範囲、厚さを１μ
ｍ以上、通常５〜１００μｍの範囲に設定するのが好ましい。

上記透明導電性薄膜は、アンカー層を介して、前記フィルム基材に設けられていてもよ
い。アンカー層は１層または２層以上設けることができる。アンカー層としては、無機物
、有機物または無機物と有機物との混合物により形成する。アンカー層の形成は、フィル
ム基材と透明導電性薄膜との密着性を向上させるとともに、透明導電性薄膜の耐擦傷性や
耐屈曲性を向上させ、タッチパネル用としての打点特性の向上に有効である。

アンカー層を形成する無機材料としては、例えば、無機物として、ＳｉＯ₂、ＭｇＦ₂、
Ａ１₂Ｏ₃などが好ましく用いられる。また有機物としてはアクリル樹脂、ウレタン樹脂、
メラミン樹脂、アルキド樹脂、シロキサン系ポリマーなどの有機物が挙げられる。特に、
有機物としては、メラミン樹脂とアルキド樹脂と有機シラン縮合物の混合物からなる熱硬
化型樹脂を使用するのが望ましい。

アンカー層は、上記の材料を用いて、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーテ
フィング法、塗工法などにより形成できる。

なお、透明導電性薄膜の付設に際しては、フィルム基材のフィルム表面にコロナ放電処
理、紫外線照射処理、プラズマ処理、スパッタエッチング処理等の適宜な接着処理を施し
て、透明導電性薄膜との密着性を高めることもできる。

上記フィルム基材において、透明導電性薄膜を設けない側の面には、ハードコート層を
形成することができる。ハードコート処理は、例えばアクリルウレタン系樹脂やシロキサ
ン系樹脂などの硬質樹脂を塗布して硬化処理する方法などにより行うことができる。ハー
ドコート処理に際しては、前記アクリルウレタン系樹脂やシロキサン系樹脂などの硬質樹
脂にシリコーン樹脂等を配合して表面を粗面化して、タッチパネル等として実用した際に
鏡作用による写り込みを防止しうるノングレア面を同時に形成することもできる。またハ
ードコート層上には防汚層を形成することもできる。

ハードコート層を形成する際、厚さが薄いと硬度不足となり、一方厚すぎるとクラック
が発生する場合がある。また、カールの防止特性等も考慮に入れると、好ましいハードコ
ート層の厚さは０．１〜３０μｍ程度であるのが好ましい。

本実施形態に係る透明導電性フィルムの光透過率は８６％以上であることが好ましい。
より好ましくは８８％以上である。透明導電性フィルムの光透過率を８６％以上とするこ
とにより、本実施形態の透明導電性フィルムを用いてタッチパネルを形成した場合、表示
を明るくすることができ、光学特性が良好となる。

本実施形態に係る透明導電性フィルムはタッチパネルのパネル板として好適に適用する
ことができる。タッチパネルとしては、抵抗膜方式のタッチパネルや、静電容量方式のタ
ッチパネル等を挙げることができる。すなわち、透明導電性薄膜を有する一対のパネル板
を、互いに直交する縞状に形成した透明導電性薄膜同士が対向するように、スペーサを介
して対向配置してなるタッチパネルにおいて、一方のパネル板として、上記透明導電性フ
ィルムを用いることができる（通常、押圧する上側のパネル板）。このタッチパネルは、
上側のパネル板側より、スペーサの弾性力に抗して押圧打点したとき、透明導電性薄膜同
士が接触して、電気回路のＯＮ状態となり、上記押圧を解除すると、元のＯＦＦ状態に戻
る、透明スイッチ構体として機能する。タッチパネルに用いるパネル板は、上下いずれか
一方には、本実施形態の透明導電性フィルムを用いることができるが、他のパネル板は、
プラスチックフィルムやガラス板などからなる透明基体に透明導電性薄膜を設けたものを
用いることができる。上下いずれも、本実施形態に係る透明導電性フィルムを用いてもよ
い。

以下に、本発明の実施例を、比較例と対比して記載し、より具体的に説明する。なお、
以下において、部とあるのは重量部を意味するものとする。

実施例１
（フィルム基材）
厚さが２５μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（以下、第１ＰＥＴフィルムと
いう）からなる透明なフィルム状シートを用いた。

（アンカー層の形成）
上記第１ＰＥＴフィルムの片面に、メラミン樹脂：アルキド樹脂：有機シラン縮合物＝
２：２：１（重量比）からなる熱硬化型樹脂組成物の硬化被膜（屈折率１．５４，厚さ１
５０ｎｍ）を形成した。

（透明導電薄膜の形成）
上記アンカー層に、酸化インジウム・酸化スズ（酸化インジウム９７重量％，酸化スズ
３重量％）をターゲットとして用い、４×１０^-１Ｐａのアルゴン雰囲気（アルゴンガス
：酸素ガス＝１００：１（容量比），窒素ガスをアルゴンガスに対して６０００ｐｐｍ含
有（容量比），水蒸気ガスをアルゴンガスに対して１５００〜２０００ｐｐｍの範囲内で
含有（容量比））中で、スパッタリング法により、厚さが２５ｎｍの透明導電薄膜（ＩＴ
Ｏ薄膜）を形成した。スパッタリング中の水蒸気ガス含有量の制御は、以下のように行っ
た。すなわち、成膜装置の成膜室内に、水蒸気ガスを供給する水供給装置、及び、成膜室
内の水蒸気ガスを排気する排気装置を設けるとともに、成膜室内の水蒸気ガスの濃度を測
定する水蒸気ガス濃度測定装置を設けた。そして、水蒸気ガス濃度測定装置により得られ
た水蒸気ガスの濃度に基づいて、水供給装置により水蒸気ガスを供給したり、排気装置に
より水蒸気ガスを排気したりすることにより行った。

次いで、１５０℃で１時間の結晶化速度で、加熱処理して、結晶性透明導電薄膜とし、
透明導電性フィルムを得た。

（ハードコート層の形成）
厚さ１２５μｍのＰＥＴフィルム（以下、第２ＰＥＴフィルムという）の一方の面に、
アクリル・ウレタン系樹脂（大日本インキ化学工業社製の商品名「ユニディック１７−８
０６」）１００部に、光重合開始剤としてヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン（チ
バスペシャルティケミカルズ社製の商品名「イルガキュア１８４」）５部を加えて、５０
重量％の濃度に希釈したトルエン溶液を塗布し、１００℃で３分乾燥後、直ちにオゾンタ
イプ高圧水銀灯（８０Ｗ／ｃｍ，１５ｃｍ集光型）２灯で紫外線照射を行い、厚さが５μ
ｍのハードコート層を形成した。

（透明導電性積層体の作製）
次いで、上記第２ＰＥＴフィルムのハードコート層とは他面に、弾性係数が１０Ｎ／ｃ
ｍ²に調整された透明なアクリル系粘着剤層（アクリル酸ブチル：アクリル酸：酢酸ビニ
ルの重量比１００：２：５の単量体混合物の共重合体１００部に、イソシアネート系架橋
剤を１部配合してなるアクリル系粘着剤）を、約２０μｍの厚さに形成した。さらにこの
粘着剤層面に、上記透明導電性フィルムの第１ＰＥＴフィルム側の面（ＩＴＯ薄膜を形成
しない面）を貼り合わせて、透明導電性積層体を作製した。

実施例２〜５、比較例１〜５
実施例１の結晶性透明導電薄膜の形成において、アルゴン雰囲気における窒素ガスの割
合、及び、水蒸気ガスの割合を表１に示すように変えたこと以外は、実施例１と同様にし
て、透明導電性積層体を作製した。

上記の実施例および比較例で得られた透明導電性フィルムおよび透明導電性積層体につ
いて下記評価を行った。結果を表１に示す。

＜フィルム抵抗＞
四端子法を用いて、透明導電性積層体の表面電気抵抗（Ω／□）を測定した。測定は、
各透明導電性積層体についてランダムに５点行った。表１には、表面電気抵抗の最大値、
最小値、平均値、及び、最大値と最小値との差を示した。

＜全光線透過率＞
島津製作所製の分光分析装置ＵＶ−２４０を用いて、光波長５５０ｎｍにおける可視光
線透過率を測定した。

＜エッチング試験＞
透明導電性積層体を５重量％の塩酸に１５分間浸漬し、１５ｍｍ離間した２点間の抵抗
値（Ω）をテスター（カスタム社製、製品名「デジタルテスター（Ｍ−０４）」、測定限
界値２ＭΩ）にて測定し、結晶性透明導電薄膜が結晶化しているか否かの判定を行った。
抵抗値が検出された場合、透明導電性積層体が結晶化していると判定した。

実施例では、３００Ω／□以上の表面電気抵抗を有し、かつ抵抗値のばらつきの小さい
（最大値と最小値の差が５０Ω／□以下）結晶性透明導電性膜が得られた。一方、比較例
では、上記特性を有する場合はない。

Claims (4)

1. 酸化インジウム・酸化スズを主成分とするターゲットを用いて、気相法により透明導電
   性薄膜を透明フィルム基材上に形成する透明導電性薄膜の製造方法であって、
   アルゴンガスと窒素ガスと水蒸気ガスとを含み、
   前記窒素ガスの含有量がアルゴンガスに対して２５００ｐｐｍ〜８５００ｐｐｍの範囲
   内であり、かつ、前記水蒸気ガスの含有量がアルゴンガスに対して１４５０ｐｐｍ〜１３
   ５００ｐｐｍの範囲内であるアルゴン雰囲気中で成膜が行われることを特徴とする透明導
   電性薄膜の製造方法。
2. 前記ターゲットは、酸化インジウムと酸化スズの合計に対して酸化スズを１〜９重量％
   の範囲内で含有することを特徴とする請求項１に記載の透明導電性薄膜の製造方法。
3. 請求項１又は２に記載の透明導電性薄膜の製造方法により得られた透明導電性薄膜を加
   熱処理して結晶化する結晶化工程を有することを特徴とする結晶性透明導電性薄膜の製造
   方法。
4. 前記結晶化工程における加熱処理条件が、１２０〜１５５℃で、２．５時間以下である
   ことを特徴とする請求項３に記載の結晶性透明導電性薄膜の製造方法。